JP3347232B2 - 光学用コポリカーボネート - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学用コポリカーボネ
ートに関し、さらに詳しくは、特定のコポリカーボネー
トを光ディスク、レンズ等の光学用途の成形材料として
使用する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術およびその課題】ポリカ−ボネ−トは、耐
衝撃性などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性
などにも優れており、広く用いられている。

【０００３】一般的に知られているポリカ−ボネ−ト
は、ジヒドロキシ成分としてビスフェノ−ルＡを用いて
製造され、ビスフェノ−ルＡ骨格を有する、直線状の分
子構造を有している。

【０００４】しかしながら、このような直線状の分子構
造を有するポリカ−ボネ−トは、溶融成形時に溶融弾
性、溶融強度などに劣ることがあり、溶融弾性、溶融強
度などの成形特性の向上が望まれている。このような成
形特性を改良する方法として、多官能化合物を共重合さ
せてポリカ−ボネ−トを分岐化させる方法が一般に知ら
れている（特開平4-89824 号公報）。

【０００５】また、ポリカーボネートを用いて光ディス
ク、レンズ等の光学成形品を製造する場合、光学歪みの
低減や金型からの高度な転写を得るために、成形温度を
300〜400 ℃の高温に設定する必要がある。また、特に
光ディスクの製造は、生産を上げるため、成形サイクル
を短縮する方向にある。これら成形条件でポリカーボネ
ートは、高温にさらされ、またサイクル短縮の影響で十
分な冷却効果が得られず、しばしば、成形機加熱筒先端
部から溶融したポリカーボネートが垂れてくる、いわゆ
る「鼻たれ」といわれる不具合や、成形機加熱筒先端部
から溶融したポリカーボネートが糸状となり成形品スプ
ルー部分まで伸びる、いわゆる「糸引き」といった不具
合が起きやすい。これら不具合は、成形条件に大きな制
限を与えるばかりか、生産効率を低下させる要因とな
る。

【０００６】そこで本発明は、このような光学製品を成
形する際の不具合を解決し、幅広い成形条件で安定した
製品を得ることのできる光学用ポリカーボネートを提供
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ポリカー
ボネートを用いた光学製品の成形について検討を重ねた
結果、特定の構造単位を特定の割合で含有し、かつ狭い
特定範囲の分子量を有するコポリカーボネートを用いる
と、幅広い成形条件で安定した製品を得られることを見
出し、本発明に到達した。

【０００８】すなわち本発明は、２種以上の芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と、炭酸結合を導入し得る化合物とを共
重合させて得られるコポリカ−ボネ−トであって、(1)
芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導される成分単位とし
て、次式［Ｉ］：

【０００９】

【化３】 （上記式中、Ｘは−（Ｒ³ −）Ｃ（−Ｒ⁴ ）−、−Ｃ
（＝Ｒ⁵ ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ
₂ −｛ここでＲ³ およびＲ⁴ は、水素原子またはハロゲ
ンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分
岐状もしくは環状の１価の炭化水素基であり、Ｒ⁵ はハ
ロゲンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖
状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基である｝で
あり、Ｒ¹ およびＲ² は同一であっても異なっていても
よく、それぞれ、ハロゲンで置換されていてもよい炭素
数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基
またはハロゲン原子であり、ｍおよびｎは置換基数を表
わし、それぞれ独立して０〜４の整数である）で示され
る構成単位と、次式［II］：

【００１０】

【化４】 （上記式中、Ｙは−（Ｒ^3'−）Ｃ（−Ｒ^4'）−、−Ｃ
（＝Ｒ^5'）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ
₂ −｛ここでＲ^3'およびＲ^4'は、水素原子またはハロゲ
ンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分
岐状もしくは環状の１価の炭化水素基であり、Ｒ^5'はハ
ロゲンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖
状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基である｝で
あり、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は同一であっても異なっていても
よく、それぞれ、ハロゲンで置換されていてもよい炭素
数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基
またはハロゲン原子であり、ｐおよびｑは置換基数を表
わし、ｐは０〜４の整数で、ｑは０〜３の整数である）
で示される構成単位とを、式［Ｉ］で示される構造単位
１モルに対して、式［II］で示される構造単位８×10^-5
〜1.5 ×10^-3モルの割合で含有し、かつ (2) 粘度平均分子量が12,000〜18,000であるコポリカー
ボネートを光学用途の成形材料として使用する方法を提
供するものである。

【００１１】好ましい態様は、上記式［Ｉ］中、Ｘが直
鎖状もしくは分岐状のアルキレンであり、かつ上記式
［II］中、Ｙが直鎖状もしくは分岐状のアルキレンであ
る。

【００１２】さらに好ましい態様は、前記式［Ｉ］で示
される構造単位を導入するための芳香族ジヒドロキシ化
合物が、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパンで
ある。

【００１３】別の好ましい態様は、前記式［II］で示さ
れる構造単位を導入するための芳香族ジヒドロキシ化合
物が、2-(4- ヒドロキシフェニル）-2-(3'- カルボキシ
-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンおよび2-(4- ヒドロ
キシフェニル）-2-(3'- フェノキシカルボニル-4'-ヒド
ロキシフェニル）プロパンから選択される。

【００１４】本発明のコポリカーボネートは、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物から誘導される構成単位として、上記
式［Ｉ］で示される構成単位と、上記式［II］で示され
る構成単位とを含有している。

【００１５】そのような芳香族ジヒドロキシ化合物のう
ち、上記式［Ｉ］で示される構成単位を導入するための
芳香族ジヒドロキシ化合物として、例えば次式[III] ：

【００１６】

【化５】 （上記式中、Ｘ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、ｍおよびｎは前記と同義
である）で示される芳香族ジヒドロキシ化合物が使用で
きる。ここで、１価の炭化水素基としては、直鎖状、分
枝状もしくは環状のアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基（例えばフェニル基）、アルカリール基（例えばト
ルイル基）、アラルキル基（例えばベンジル基）等が挙
げられる。１価の炭化水素基として、好ましくは炭素数
１〜６のアルキル基、アリール基が挙げられる。また、
２価の炭化水素基としては、これらの基がさらに遊離原
子価を有するところの２価基が挙げられる。このような
化合物としては、具体的には下記のような芳香族ジヒド
ロキシ化合物が挙げられる：ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）メタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エタ
ン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（すな
わちビスフェノールＡ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）オク
タン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、
2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3- メチルフェニル）プロパ
ン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ-3-t- ブチルフェニル）プ
ロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3- ブロモフェニル）
プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ-3,5- ジメチルフェ
ニル）プロパンなどのビス（ヒドロキシアリール）アル
カン類；1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロペン
タン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ンなどのビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン
類；4,4'- ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4'- ジ
ヒドロキシ-3,3'-ジメチルフェニルエーテルなどのジヒ
ドロキシアリールエーテル類；4,4'- ジヒドロキシジフ
ェニルスルフィド、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ジメチル
ジフェニルスルフィドなどのジヒドロキシジアリールス
ルフィド類；4,4'-ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、4,4'- ジヒドロキシ-3,3'-ジメチルジフェニルスル
ホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルホキシド
類；4,4'- ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4'- ジ
ヒドロキシ-3,3'-ジメチルジフェニルスルホンなどのジ
ヒドロキシジアリールスルホン類など。

【００１７】これらのうちでは、特に2,2-ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）プロパンが好ましい。

【００１８】次に、上記式［II］で示される構成単位を
導入するための芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例
えば一般式［IV］：

【００１９】

【化６】 （上記式中、Ｙ、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、ｐおよびｑは前記と同義
であり、Ｒ⁶ は水素原子、ハロゲンで置換されていても
よい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭
化水素基またはハロゲン原子である）で示される芳香族
ジヒドロキシ化合物が使用できる。このような化合物
は、具体的には下記のような芳香族ジヒドロキシ化合物
が挙げられる：2-（4-ヒドロキシフェニル）-2-(3'- カ
ルボキシ-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン、2-（4-ヒ
ドロキシフェニル）-2-(3'- メトキシカルボニル-4'-ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、2-（4-ヒドロキシフェニ
ル）-2-(3'- エトキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、2-（4-ヒドロキシフェニル）-2-(3'- ブ
トキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン、
2-（4-ヒドロキシフェニル）-2-(3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン、2-（4-ヒドロ
キシフェニル）-2-(3'- フェノキシカルボニル-4'-ヒド
ロキシフェニル）メタン、2-（4-ヒドロキシフェニル）
-2-(3'- フェノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニ
ル）エタン、2-（4-ヒドロキシフェニル）-2-(3'- フェ
ノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニル）オクタン、
1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-(3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、4-ヒド
ロキシフェニル-3'-フェノキシカルボニル-4'-ヒドロキ
シフェニルエ−テル、4-ヒドロキシフェニル-3'-フェノ
キシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニルスルフィド、4-
ヒドロキシフェニル-3'-フェノキシカルボニル-4'-ヒド
ロキシフェニルスルホキシド、4-ヒドロキシフェニル-
3'-フェノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニルスル
ホンなど。

【００２０】これらのうちでは、特に2-(4- ヒドロキシ
フェニル）-2-(3'- カルボキシ-4'-ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、2-(4- ヒドロキシフェニル）-2-(3'- フ
ェノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン
が好ましい。

【００２１】このような化合物は、所望の芳香族ジヒド
ロキシ化合物を用いて、コルベ‐シュミット(Kolbe-Sch
mitt) 反応によりモノカルボキシル化することにより、
またはさらにエステル化することにより容易に合成する
ことができる。

【００２２】本発明の光学用コポリカーボネートにおい
ては、式［Ｉ］で示される構造単位１モルに対して、式
［II］で示される構造単位が８×10^-5〜1.5 ×10^-3モル
の割合で、好ましくは1.0 ×10^-4〜1.0 ×10^-3モルの割
合で含有されるものである。上記範囲の下限値より下で
は、溶融特性が低下し、幅広い条件での光学ディスク成
形が困難であり、また上記範囲の上限値より上では溶融
粘度が高くなり、光学ディスクを成形した際に、光学歪
みが大きくなってしまう。

【００２３】また本発明の光学用コポリカーボネート
は、炭酸結合を含有しており、そのような炭酸結合は、
例えばホスゲン、炭酸ジエステル等を用いて導入するこ
とができる。このような炭酸ジエステルとしては、具体
的には下記のような化合物が挙げられる：ジフェニルカ
ーボネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフ
ェニル）カーボネート、m-クレジルカーボネート、ジナ
フチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネー
ト、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジ
ブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートな
ど。これらのうち特にジフェニルカーボネートが好まし
い。

【００２４】本発明の光学用コポリカーボネートは、上
記のような構成単位以外に、ジカルボン酸あるいはジカ
ルボン酸エステルから誘導される構成単位を含有してい
てもよい。このようなジカルボン酸あるいはジカルボン
酸エステルとしては、例えば下記のような化合物が挙げ
られる：テレフタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、デ
カン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェニル、テレ
フタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニル、デカン
二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニルなど。このよ
うなジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステルを炭酸
ジエステルと併用した場合には、ポリエステルポリカー
ボネートが得られる。本発明では、上記のようなジカル
ボン酸あるいはジカルボン酸エステルを、炭酸ジエステ
ル１００モルに対して、５０モル以下、好ましくは３０
モル以下の量で含有することができる。

【００２５】本発明の光学用コポリカーボネートは、ウ
ベローデ粘度計を用いて、２０℃、塩化メチレン中
（０．５ｇ／ｄｌ）で測定される極限粘度数［η］か
ら、式：

【００２６】

【数１】［η］＝1.23×10^-4×Ｍ^0.83 によって算出した粘度平均分子量（Ｍ）が12,000〜18,0
00であることを特徴とする。粘度平均分子量が12,000未
満であると機械的強度が低下し、18,000より大きいと光
学歪みが生じたり、成形性がよくないなどの不都合が生
じる。

【００２７】本発明の光学用コポリカーボネートは、例
えば、上記した一般式［III]で示される芳香族ジヒドロ
キシ化合物、一般式［IV］で示される芳香族ジヒドロキ
シ化合物、およびホスゲンを用いて界面重縮合法で製造
することができる。しかしながら、次のような製造方法
によって製造するのが好ましい。

【００２８】すなわち、次式［III]：

【００２９】

【化７】 （上記式中、Ｘ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、ｍおよびｎは前記と同義
である）で示される芳香族ジヒドロキシ化合物、次式
［IV］：

【００３０】

【化８】 （上記式中、Ｙ、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、ｐおよびｑは前記
と同義である）で示される芳香族ジヒドロキシ化合物、
および炭酸ジエステルを、(a) アルカリ金属化合物およ
びアルカリ土類金属化合物から選択される触媒の存在下
で溶融重縮合させる。

【００３１】一般式［III]で示される芳香族ジヒドロキ
シ化合物および一般式［IV］で示される芳香族ジヒドロ
キシ化合物については、先にすでに具体的に記載した化
合物が好ましく使用できる。

【００３２】一般式［III]で示される芳香族ジヒドロキ
シ化合物１モルに対して、一般式［IV］で示される芳香
族ジヒドロキシ化合物は、８×10^-5〜1.5 ×10^-3モルの
割合で使用し、好ましくは1.0 ×10^-4〜1.0 ×10^-3モル
の割合で使用する。

【００３３】また、炭酸ジエステルについても、先にす
でに具体的に記載した化合物が好ましく使用できる。な
かでもジフェニルカーボネートが好ましい。

【００３４】この製造方法においては、上記のような炭
酸ジエステルは、芳香族ジヒドロキシ化合物［III]と
［IV］との合計１モルに対して、１．０〜１．３０モ
ル、好ましくは１．０１〜１．２０モル、さらに好まし
くは１．０１〜１．１０モルの量で用いられることが望
ましい。

【００３５】この製造方法においてはさらに、炭酸ジエ
ステル１００モルに対して、前記したようなジカルボン
酸あるいはジカルボン酸エステルを、５０モル以下、好
ましくは３０モル以下の量で使用することもできる。

【００３６】この製造方法においては、上記の各化合物
を、(a) アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化
合物から選択される触媒の存在下で溶融重縮合させる。

【００３７】触媒として使用するこのようなアルカリ金
属化合物またはアルカリ土類金属化合物としては、具体
的には、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機酸
塩、無機酸塩、酸化物、水酸化物、水素化物あるいはア
ルコラートなどが好ましく挙げられる。

【００３８】より具体的には、このようなアルカリ金属
化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢
酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カ
リウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウ
ム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸
リチウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリ
ウム、リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナ
トリウム塩、二カリウム塩、二リチウム塩、フェノール
のナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが用いら
れる。

【００３９】またアルカリ土類金属化合物としては、具
体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化
マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシ
ウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸
水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、
炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが用いられる。

【００４０】これら化合物は単独あるいは組合せて用い
ることができる。

【００４１】このような(a) アルカリ金属化合物および
アルカリ土類金属化合物から選択される触媒は、芳香族
ジヒドロキシ化合物［III]と［IV］との合計（総量）１
モルに対して好ましくは１×10^-8〜１×10^-3モル、好ま
しくは１×10^-7〜１×10^-5モル、さらに好ましくは１×
10^-7〜３×10^-6モルの量で用いられる。(a) アルカリ金
属化合物およびアルカリ土類金属化合物から選択される
触媒をこのような量で使用すると、重合活性を高く維持
できるとともに、色相、耐熱性、耐水性および耐候性に
優れ、かつ長時間の溶融安定性に優れたコポリカーボネ
ートを得ることができる。また、この程度の量であれ
ば、得られるコポリカーボネートの性質に悪影響を及ぼ
さない量で酸性化合物（後述する）を添加して、これら
化合物が示す塩基性を充分に中和するかあるいは弱める
ことができる。

【００４２】この製造方法においては、触媒として(a)
の他にさらに、(b) 含窒素塩基性化合物および／または
(c) ホウ酸化合物を使用することができる。

【００４３】このような(b) 含窒素塩基性化合物として
は、たとえば高温で易分解性あるいは揮発性の含窒素塩
基性化合物が挙げられ、具体的には、以下のような化合
物を挙げることができる：テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Me₄ NOH,Me= メチル、以下同様）、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド（Et₄ NOH,Et= エチ
ル、以下同様）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Bu₄ NOH,Bu= ブチル、以下同様）、トリメチルベン
ジルアンモニウムヒドロキシド（φ−CH₂ (Me)₃NOH,φ=
フェニル）などのアルキル、アリール、アルアリール
基などを有するアンモニウムヒドロオキシド類；トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミ
ン、トリフェニルアミン、トリオクチルアミン、トリド
デシルアミン、トリオクタデシルアミンなどの三級アミ
ン類；Ｒ₂ ＮＨ（式中Ｒはメチル、エチルなどのアルキ
ル、フェニル、トルイルなどのアリール基などである）
で示される二級アミン類；ＲＮＨ₂ （式中Ｒは上記と同
義である）で示される一級アミン類；4-ジメチルアミノ
ピリジン、4-ジエチルアミノピリジン、4-ピロリジノピ
リジンなどのピリジン類；2-メチルイミダゾール、2-フ
ェニルイミダゾール、2-ジメチルアミノイミダゾ−ルな
どのイミダゾール類；アンモニア；テトラメチルアンモ
ニウムボロハイドライド（Me₄ N BH₄ ）、テトラブチル
アンモニウムボロハイドライド（Bu₄ N BH₄ ）、テトラ
ブチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Bu₄ NBPh
₄ ）、テトラメチルアンモニウムテトラフェニルボレー
ト（Me₄NBPh₄ ）などの塩基性塩。これらのうち、テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、特に金属不純
物の少ない電子用テトラアルキルアンモニウムヒドロキ
シド類が好ましく用いられる。

【００４４】(b) 含窒素塩基性化合物は、芳香族ジヒド
ロキシ化合物総量１モルに対して、好ましくは１×10^-6
〜１×10^-1モル、より好ましくは１×10^-5〜１×10^-2モ
ルの量で用いられる。(b) がこのような量で使用される
と、エステル交換反応、重合反応が十分な速度で進行
し、さらに色相、耐熱性および耐水性などに優れたコポ
リカーボネートが得られるので好ましい。

【００４５】(a) アルカリ金属化合物およびアルカリ土
類金属化合物から選択される触媒と、(b) 含窒素塩基性
化合物とを組合せた触媒は、耐熱性および耐水性に優れ
るとともに色調が改良され、透明性に優れた高分子量の
コポリカーボネートを、高い重合活性で生成させること
ができる。

【００４６】また(c) ホウ酸化合物としては、ホウ酸お
よびホウ酸エステルなどを挙げることができる。ホウ酸
エステルとしては、下記一般式で示されるホウ酸エステ
ルが用いられる。

【００４７】

【化９】Ｂ（ＯＲ）_n （ＯＨ）_3-n （式中、Ｒはメチル、エチルなどのアルキル基、フェニ
ルなどのアリール基などであり、ｎは１，２または３で
ある） このようなホウ酸エステルとしては、具体的には、ホウ
酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリブチル、
ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリヘプチル、ホウ酸トリ
フェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸トリナフチルなど
が挙げられる。(c) ホウ酸化合物は、芳香族ジヒドロキ
シ化合物総量１モルに対して、好ましくは１×10^-8〜１
×10^-1モル、より好ましくは１×10^-7〜１×10^-2モル、
さらに好ましくは１×10^-6〜１×10^-4モルの量で用いら
れる。(c) ホウ酸またはホウ酸エステルがこのような量
で使用されると、高温下において分子量の低下を起こし
にくく、さらに色相、耐熱性および耐水性に優れたコポ
リカーボネートが得られるので好ましい。

【００４８】特に(a) アルカリ金属化合物およびアルカ
リ土類金属化合物から選択される触媒および(b) 含窒素
塩基性化合物を多量に使用する場合は、(c) ホウ酸化合
物をさらに加えた三者からなる組合せの触媒は、透明
性、耐熱性、耐水性および色調が良好に保持され、高分
子量のコポリカーボネートを、高い重合活性で生成させ
ることができる。

【００４９】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとの触媒存在下での重縮合反応は、従来知られている
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合
反応条件と同様な条件下で行なうことができる。

【００５０】具体的には、第一段目の反応を通常８０〜
２５０℃、好ましくは１００〜２３０℃、さらに好まし
くは１２０〜１９０℃の温度で、通常０〜５時間、好ま
しくは０〜４時間、さらに好ましくは０〜３時間、常圧
下で行い、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル
とを反応させる。次いで反応系を減圧にしながら反応温
度を高めて、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとの反応を行ない、最終的には５mmＨｇ以下好ましく
は１mmＨｇ以下の減圧下で２４０〜３２０℃の温度で芳
香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反
応を行なう。

【００５１】上記のような重縮合反応は、連続式で行な
ってもよくまたバッチ式で行なってもよい。また上記の
反応を行なうに際して用いられる反応装置は、槽型であ
っても管型であっても塔型であってもよい。

【００５２】この製造方法では、ホスゲンを用いる界面
重縮合法に比較して、重合中のゲルの生成もなく、均一
な安定した分枝状ポリカ−ボネ−トが得られる。

【００５３】上記したコポリカーボネートの製造方法
は、界面法と比較して安価にコポリカーボネートを製造
することができ、しかも原料としてホスゲンなど環境汚
染を招くような物質を用いる必要がないという利点があ
る。

【００５４】また、本発明の光学用コポリカ−ボネ−ト
は、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金
属化合物の含量が１ｐｐｍ以下、塩素含量が０．１ｐｐ
ｍ以下、その他の金属含量が０．１ｐｐｍ以下であるこ
とが好ましい。

【００５５】本発明の光学用コポリカ−ボネ−トがアル
カリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物
を含む場合には、さらに酸性化合物を含むのが好まし
い。

【００５６】酸性化合物は、コポリカーボネートを製造
する際に残留し得るアルカリ金属化合物またはアルカリ
土類金属化合物を中和することができれば、あるいは弱
めることができれば、ルイス酸化合物であってもブレン
ステッド酸化合物あるいはイオウ原子を含む酸のエステ
ルであってもよい。

【００５７】酸性化合物は、２５℃の水溶液中でのｐＫ
ａが３以下であることが好ましい。ｐＫａがこのような
値を示す酸性化合物を用いることにより、触媒として用
いられたアルカリ金属またはアルカリ土類金属を中和で
き（あるいは弱めることができ）、得られるコポリカー
ボネートを安定化させることができるという利点があ
る。

【００５８】ルイス酸化合物としては、具体的には、ホ
ウ酸亜鉛、リン酸ホウ素などのホウ素化合物； Ｂ（Ｏ
ＣＨ₃ ）₃ 、Ｂ（ＯＥt ）₃ 、Ｂ（ＯＰｈ）₃ などのホ
ウ酸エステル（ここで、Ｅｔはエチル、Ｐｈはフェニル
を表す）、ステアリン酸アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウムなどのアルミニウム化合物；炭酸ジルコニウム、ア
ルコキシドジルコニウム、ヒドロキシカルボン酸ジルコ
ニウムなどのジルコニウム化合物；リン化ガリウム、ア
ンチモン化ガリウムなどのガリウム化合物；酸化ゲルマ
ニウム、有機ゲルマニウムなどのゲルマニウム化合物；
テトラまたはヘキサオルガノスズ、ＰｈＯＳｎ（Ｂｕ）
₂ ＯＳｎ（Ｂｕ）₂ ＯＰｈなどのスズ化合物（ここで、
Ｐｈはフェニル、Ｂｕはブチルを表す）；酸化アンチモ
ン、アルキルアンチモンなどのアンチモン化合物；酸化
ビスマス、アルキルビスマスなどのビスマス化合物；
（ＣＨ₃ ＣＯＯ）₂ Ｚｎ、ステアリン酸亜鉛などの亜鉛
化合物；アルコキシチタン、酸化チタンなどのチタン化
合物などが挙げられる。

【００５９】ブレンステッド酸化合物としては、具体的
には、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポ
リリン酸、ホウ酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、亜硫酸、
アジピン酸、アゼライン酸、ドデカン酸、L-アスコルビ
ン酸、アスパラギン酸、安息香酸、ギ酸、酢酸、クエン
酸、グルタミン酸、サリチル酸、ニコチン酸、フマル
酸、マレイン酸、シュウ酸、ベンゼンスルフィン酸、ト
ルエンスルフィン酸およびベンゼンスルホン酸、p-トル
エンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ナフ
タレンスルホン酸、スルホン化ポリスチレン、アクリル
酸メチル−スルホン化スチレン共重合体などのスルホン
酸類の化合物などが挙げられる。

【００６０】イオウ原子を含む酸のエステルとしては、
具体的に、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、p-トルエンス
ルホン酸のメチル、エチル、ブチル、オクチルあるいは
フェニルエステル、ベンゼンスルホン酸のメチル、エチ
ル、ブチル、オクチル、フェニルエステルなどの酸残基
部分のｐＫａが３以下の化合物が用いられる。

【００６１】このような酸性化合物のうち、イオウ原
子、リン原子などを含有する酸性化合物が好ましく、特
にイオウ原子を含有する酸性化合物が好ましい。

【００６２】上記のような酸性化合物は、コポリカーボ
ネート中に残存し得る(a) アルカリ金属化合物、アルカ
リ土類金属化合物等のアルカリ性化合物を中和するかあ
るいはこれらによる影響を弱めることができる量で含有
すればよい。そのためには、(a) アルカリ金属化合物お
よびアルカリ土類金属化合物の合計１モルに対して0.01
〜500 モル、好ましくは0.1 〜100 モル、さらに好まし
くは0.1 〜50モル、特に好ましくは0.5 〜30モルの割合
で含有される。特に、酸性化合物がルイス酸または３よ
り大きいｐＫａを有するブレンステッド酸である場合に
は、好ましくは0.1〜50モル、さらに好ましくは0.1 〜3
0モルの量で用いられ、また酸性化合物が３以下のｐＫ
ａを有するブレンステッド酸あるいはイオウ原子を含む
酸のエステルである場合には、好ましくは0.1 〜15モ
ル、さらに好ましくは0.1 〜７モルの量で用いられる。

【００６３】本発明のコポリカーボネートには、場合に
より、酸性化合物とともに、コポリカ−ボネ−トに対し
て５〜１０００ppm の水を含有することができる。この
ような量で水を添加することにより、触媒に対する酸性
化合物の中和効率を高め、溶融時の熱安定性、色相安定
性などの滞留安定性および色相、透明性、耐水性、耐候
性がさらに向上する。

【００６４】本発明のコポリカーボネートを含む組成物
は広い用途に使用できる。このような組成物には、本発
明の目的を損なわない範囲で、耐熱安定剤、離型剤、帯
電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、滑剤、
防曇剤、天然油、合成油、ワックスなどを含んでいても
よい。

【００６５】このような耐熱安定剤としては、具体的に
は、フェノール系安定剤、有機チオエーテル系安定剤、
有機リン系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤、エポキ
シ系安定剤などが挙げられる。

【００６６】フェノール系安定剤としては、例えばn-オ
クタデシル-3-(4-ヒドロキシ-3',5'- ジ-t- ブチルフェ
ニル）プロピオネート、テトラキス［メチレン-3-(3',
5'-ジ-t- ブチル-4- ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート］メタン、1,1,3-トリス（2-メチル-4- ヒドロキシ
-5-t- ブチルフェニル）ブタン、ジステアリル（4-ヒド
ロキシ-3- メチル-5-t- ブチル）ベンジルマロネート、
4-ヒドロキシメチル-2,6- ジ-t- ブチルフェノールなど
が挙げられる。

【００６７】チオエーテル系安定剤としては、例えばジ
ラウリル・チオジプロピオネート、ジステアリル・チオ
ジプロピオネート、ジミリスチル-3,3'-チオジプロピオ
ネート、ジトリデシル-3,3'-チオジプロピオネート、ペ
ンタエリスリトール- テトラキス-(β- ラウリル- チオ
プロピオネート）などが挙げられる。

【００６８】リン系安定剤としては、例えばビス（2,4-
ジ-t- ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホスファ
イト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニルイソ
オクチルホスファイト、フェニルイソオクチルホスファ
イト、2-エチルヘキシルジフェニルホスファイトなどの
アリールアルキルホスファイト；トリメチルホスファイ
ト、トリエチルホスファイト、トリブチルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリノニルホスファイ
ト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシルホスフ
ァイト、ジステアリルペンタエリスリチルジホスファイ
ト、トリス（2-クロロエチル）ホスファイト、トリス
（2,3-ジクロロプロピル）ホスファイトなどのトリアル
キルホスファイト；トリシクロヘキシルホスファイトな
どのトリシクロアルキルホスファイト；トリフェニルホ
スファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（エチ
ルフェニル）ホスファイト、トリス（2,4-ジ-t- ブチル
フェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホ
スファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイ
トなどのトリアリールホスファイト；トリメチルホスフ
ェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェ
ート、トリオクチルホスフェート、トリデシルホスフェ
ート、トリオクタデシルホスフェート、ジステアリルペ
ンタエリスリチルジホスフェート、トリス（2-クロロエ
チル）ホスフェート、トリス（2,3-ジクロロプロピル）
ホスフェートなどのトリアルキルホスフェート；トリシ
クロヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホ
スフェート；トリフェニルホスフェート、トリクレジル
ホスフェート、トリス（ノニルフェニル）ホスフェー
ト、2-エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのト
リアリールホスフェートなどが挙げられる。

【００６９】またヒンダードアミン系安定剤としては、
例えばビス（2,2,6,6-テトラメチル-4- ピペリジル）セ
バケート、ビス（1,2,2,6,6-ペンタメチル-4- ピペリジ
ル）セバケート、1-［2-｛3-（3,5-ジ-t- ブチル-4- ヒ
ドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］-4-
｛3-（3,5-ジ-t- ブチル-4- ヒドロキシフェニル）プロ
ピオニルオキシ｝-2,2,6,6- テトラメチルピペリジン、
8-ベンジル-7,7,9,9-テトラメチル-3- オクチル-1,2,3-
トリアザスピロ[4,5] ウンデカン-2,4- ジオン、4-ベ
ンゾイルオキシ-2,2,6,6- テトラメチルピペリジン、2-
（3,5-ジ-t- ブチル-4- ヒドロキシベンジル）-2-n- ブ
チルマロン酸ビス（1,2,2,6,6-ペンタメチル-4- ピペリ
ジル）、テトラキス（2,2,6,6-テトラメチル-4- ピペリ
ジル）1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレートなどが挙
げられる。

【００７０】これらは、単独であるいは組み合わせて用
いられる。これらの耐熱安定剤は、固体状で添加しても
よく、液体状で添加してもよい。

【００７１】耐熱安定剤は、（Ａ）コポリカーボネート
１００重量部に対して、通常０．００１〜５重量部、好
ましくは０．０１〜０．３重量部の量で用いられる。

【００７２】離型剤としては、一般的な離型剤が使用で
き、特に限定されない。例えば、天然、合成パラフィン
類、ポリエチレンワックス類、フルオロカーボン類など
の炭化水素系離型剤；ステアリン酸、ヒドロキシステア
リン酸などの高級脂肪酸、オキシ脂肪酸類などの脂肪酸
系離型剤；ステアリン酸アミド、エチレンビスステアロ
アミドなどの脂肪酸アミド、アルキレンビス脂肪酸アミ
ド類などの脂肪酸アミド系離型剤；ステアリルアルコー
ル、セチルアルコールなどの脂肪族アルコール、多価ア
ルコール、ポリグリコール、ポリグリセロール類などの
アルコール系離型剤；ブチルステアレート、ペンタエリ
スリトールテトラステアレートなどの脂肪族酸低級アル
コールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル類など
の脂肪酸エステル系離型剤；シリコーンオイル類などの
シリコーン系離型剤などが挙げられる。

【００７３】これらは、単独であるいは組み合わせて用
いられる。

【００７４】離型剤は、（Ａ）コポリカーボネート１０
０重量部に対して、通常０．００１〜５重量部、好まし
くは０．００５〜１重量部、さらに好ましくは０．０１
〜０．５重量部の量で用いられる。

【００７５】本発明では、上記のような他の添加剤特に
耐熱安定剤は、（Ａ）コポリカーボネートに（Ｂ）酸性
化合物を添加する方法と同様に、（Ａ）コポリカーボネ
ートが最終重合器から冷却されてペレタイズされる間の
溶融状態にある間に添加することが好ましく、このよう
にすると製造時に受ける熱履歴回数の少ないコポリカー
ボネート組成物が得られる。また押出成形やペレタイズ
など再び加熱処理をする際には、コポリカーボネート組
成物は耐熱安定剤を含有しているので、熱分解を抑制す
ることができる。

【００７６】

【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例により限定されるものではな
い。

【００７７】なお、以下の実施例において得られたコポ
リカーボネートは、以下のようにして組成、物性を測定
した。 １）コポリカ−ボネ−トの構成単位の分析¹³ Ｃ−ＮＭＲを測定することにより、樹脂中の芳香族ジ
ヒドロキシ化合物由来の構成単位およびその割合を調べ
た。¹³Ｃ−ＮＭＲの測定条件は、次の通りであった： 測定装置：¹³Ｃ−ＮＭＲ ＧＸ−２７０（日本電子
（株）製） 測定溶媒：ＣＤＣｌ₃ 標準物質：ＣＤＣｌ₃ （77.00ppm） 試料調製法：ポリマー0.4 ｇを３mlのＣＤＣｌ₃ に溶解
した。

【００７８】測定条件：１１０ＭＨｚ、３万回積算 ２）粘度平均分子量 塩化メチレン中（０．５g/dl）、２０℃でウベローデ粘
度計を用いて測定した極限粘度［η］から、式：

【００７９】

【数２】［η］＝1.23×10^-4×Ｍ^0.83 （Ｍ＝粘度平
均分子量） によって算出した。 ３）メルトフローレート（ＭＦＲ） ＪＩＳ Ｋ−７２１０の方法に準拠し、温度２５０℃、
荷重１. ２Kgで測定した。 ４）コンパクトディスク成形性 コンパクトディスク成形機の各々の成形条件における成
形性（糸引き現象）を確認した。１００ショット連続成
形を行った。 ５）コンパクトディスクの光学歪み 成形により得られたディスク（12 cm 直径）の複屈折
を、複屈折測定装置を用いて測定した。

【００８０】実施例１ (1) コポリカーボネートの製造 ビスフェノールＡのカリウム塩を用いて、炭酸ガスによ
りカルボキシル化し、トルエン溶媒を用いて再結晶して
精製することにより、モノカルボキシル化されたビスフ
ェノールＡ［すなわち2-（4-ヒドロキシフェニル）-2-
（3'- カルボキシ-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン]
を得た。このモノカルボキシル化されたビスフェノール
Ａを大過剰のジフェニルカーボネートを用いてエステル
化した後、カラム精製により純度９９％以上（ＨＰＬＣ
分析による）の2-（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'-
フェノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパ
ンを得た。

【００８１】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチ
ックス（株）製）０．４４キロモル、上記で調製した2-
（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパン０．４３３モル
およびジフェニルカーボネート（エニィ社製）０．４６
キロモルを２５０リットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置
換をした後に、１４０℃で溶解させた。

【００８２】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、触
媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを０．
１１モルおよび水酸化ナトリウムを０．０００４４モル
（１×10^-6モル／モル−ビスフェノールＡ）添加し３０
分間攪拌した。

【００８３】次に、温度を２１０℃まで昇温させると同
時に除々に２００mmＨｇまで下げて３０分後、温度を２
４０℃まで昇温させると同時に徐々に１５mmＨｇまで下
げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量を測
定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素にて
大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であった。
得られた反応物のの極限粘度数［η］は０．１５ｄｌ／
ｇであった。

【００８４】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、遠
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２mmＨｇにコントロー
ルした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２９０℃、０．
２mmＨｇにコントロールされた二軸横型攪拌重合槽（Ｌ
／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０mm、内容積８０リット
ル）に４０kg／時間で送り込み滞留時間３０分にて重合
させた。

【００８５】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分として、下記式[V] および[VI]で示さ
れる構成単位を、９９．９対０．１のモル比で有するコ
ポリカーボネートであることを確認した。

【００８６】

【化１０】

【００８７】

【化１１】 ¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートを図１および図２に示し、また
各ピークの帰属を図３に示す。およびの位置の炭素
原子に由来するピークは、それぞれ１２３．０７ppm お
よび１６２．９１ppm に認められた。

【００８８】また、このコポリカーボネートの極限粘度
数［η］から求めた粘度平均分子量は15,500であった。 (2) 添加剤の添加 次に、溶融状態のままで、このコポリカーボネートをギ
ヤポンプにて２軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル温
度２８５℃）に送入し、コポリカーボネートに対して、
p-トルエンスルホン酸ブチル１．８ppm 、蒸留水５０pp
m を混練し、ダイを通してストランド状とし、カッター
で切断してペレットとした。これについてＭＦＲを測定
したところ、9.5 ｇ／10分であった。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【００８９】実施例２ (1) コポリカーボネートの製造 実施例１の(1) において、ビスフェノールＡおよび2-
（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンの仕込みモル比
を、９９．９５対０．０５に代えた以外は実施例１の
(1) と同様にしてコポリカーボネートを製造した。

【００９０】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分として、上記式[V] および[VI]で示さ
れる構成単位を、９９．９５対０．０５のモル比で有す
るコポリカーボネートであることがわかった。すなわ
ち、¹³Ｃ−ＮＭＲの分析の結果では、実施例１で製造し
たポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートにおけるおよび
のピーク（１２３．０７ppm および１６２．９１ppm
）の強度が、実施例１のピーク強度の１／２であっ
た。このコポリカーボネートの極限粘度数［η］から求
めた粘度平均分子量を表１に示す。 (2) 添加剤の添加 次に、上記で得たコポリカーボネートに、実施例１の
(2) と同様にして添加剤を添加し、ペレットを作成し
た。これについてＭＦＲの値を測定した。結果を表１に
示す。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【００９１】実施例３ (1) コポリカーボネートの製造 実施例１の(1) において、ビスフェノールＡおよび2-
（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンの仕込みモル比
を９９．９９：０．０１に代えた以外は実施例１の(1)
と同様にしてコポリカーボネートを製造した。

【００９２】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分として、上記式[V] および[VI]で示さ
れる構成単位を、９９．９９対０．０１のモル比で有す
るコポリカーボネートであることがわかった。すなわ
ち、¹³Ｃ−ＮＭＲの分析の結果では、実施例１で製造し
たポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートにおけるおよび
のピーク（１２３．０７ppm および１６２．９１ppm
）の強度が、実施例１のピーク強度の１／10であっ
た。

【００９３】また、このコポリカーボネートの極限粘度
数［η］から求めた粘度平均分子量を表１に示す。 (2) 添加剤の添加 次に、上記で得たコポリカーボネートに、実施例１の
(2) と同様にして添加剤を添加し、ペレットを作成し
た。これについてＭＦＲの値を測定した。結果を表１に
示す。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【００９４】比較例１ (1) コポリカーボネートの製造 実施例１の(1) において、ビスフェノールＡおよび2-
（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンの仕込みモル比
を９９．７対０．３に代えた以外は実施例１の(1) と同
様にしてコポリカーボネートを製造した。

【００９５】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分として、上記式[V] および[VI]で示さ
れる構成単位を、９９．７対０．３のモル比で有するコ
ポリカーボネートであることがわかった。すなわち、¹³
Ｃ−ＮＭＲの分析の結果では、実施例１で製造したポリ
マーの¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートにおけるおよびのピ
ーク（１２３．０７ppm および１６２．９１ppm ）の強
度が、実施例１のピーク強度の３倍であった。また、こ
のコポリカーボネートの極限粘度数［η］から求めた粘
度平均分子量を表１に示す。 (2) 添加剤の添加 次に、上記で得たコポリカーボネートに、実施例１の
(2) と同様にして添加剤を添加し、ペレットを作成し
た。これについてＭＦＲの値を測定した。結果を表１に
示す。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【００９６】比較例２ (1) コポリカーボネートの製造 実施例１の(1) において、ビスフェノールＡおよび2-
（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカルボ
ニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンの仕込みモル比
を９９．９９５対０．００５に代えた以外は実施例１の
(1) と同様にしてコポリカーボネートを製造した。

【００９７】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分として、上記式[V] および[VI]で示さ
れる構成単位を、９９．９９５対０．００５のモル比で
有するコポリカーボネートであることがわかった。すな
わち、¹³Ｃ−ＮＭＲの分析の結果では、実施例１で製造
したポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートにおけるおよ
びのピーク（１２３．０７ppm および１６２．９１pp
m ）の強度が、実施例１のピーク強度の１／20であっ
た。

【００９８】また、このポリカーボネートの極限粘度数
［η］から求めた粘度平均分子量を表１に示す。 (2) 添加剤の添加 次に、上記で得たコポリカーボネートに、実施例１の
(2) と同様にして添加剤を添加し、ペレットを作成し
た。これについてＭＦＲの値を測定した。結果を表１に
示す。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【００９９】比較例３ (1) ポリカーボネートの製造 2-（4-ヒドロキシフェニル）-2- （3'- フェノキシカル
ボニル-4'-ヒドロキシフェニル）プロパンを使用しなか
った以外は実施例１の(1) と同様にして、ポリカーボネ
ートを製造した。

【０１００】かくして得られたポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定の結果から、このポリマーは、芳香族ジヒドロキシ
化合物由来の成分としてビスフェノールＡから誘導され
る単位のみを有するポリカーボネートであることがわか
った。すなわち、¹³Ｃ−ＮＭＲの分析の結果では、実施
例１で製造したポリマーの¹³Ｃ−ＮＭＲのチャートにお
けるおよびのピーク（１２３．０７ppm および１６
２．９１ppm ）が認められなかった。

【０１０１】また、このポリカーボネートの極限粘度数
［η］から求めた粘度平均分子量を表１に示す。 (2) 添加剤の添加 次に、上記で得たポリカーボネートに、実施例１の(2)
と同様にして添加剤を添加し、ペレットを作成した。こ
れについてＭＦＲの値を測定した。結果を表１に示す。 (3) コンパクトディスクの成形 (2) で得られたペレットを表２に示す各条件で射出成形
して、コンパクトディスクを成形した。その際の成形性
（糸引きの有無）を判定し、結果を表３に示した。 (4) 光学歪みの確認 (2) で得られたペレットを表２に示す条件２で射出成形
して、コンパクトディスク（12 cm 直径）を成形した。
これについて複屈折を測定し、結果を表４に示した。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】

【表２】

【０１０４】

【表３】

【０１０５】

【表４】 ＊Ｒはディスク中心からの半径方向の距離を示す。

【０１０６】

【発明の効果】本発明の光学用コポリカーボネート樹脂
は、糸引きという成形上の不具合が少なく、幅広い成形
条件で安定した成形品を得ることができる。しかも、得
られた成形品は、光学歪みが少ない。よって、本発明の
光学用コポリカーボネート樹脂は、工業的に非常に有用
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で製造したコポリカーボネートの¹³Ｃ
−ＮＭＲ分析の結果を示すチャートであり、１０５〜１
４０ｐｐｍの範囲を示す。

【図２】実施例１で製造したコポリカーボネートの¹³Ｃ
−ＮＭＲ分析の結果を示すチャートであり、１４０〜１
７０ｐｐｍの範囲を示す。

【図３】実施例１で製造したコポリカーボネートの¹³Ｃ
−ＮＭＲ分析の結果を示すチャートにおける各ピークの
帰属を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08G 64/00 - 64/42

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物
   と、炭酸結合を導入し得る化合物とを共重合させて得ら
   れるコポリカ−ボネ−トであって、 (1) 芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導される成分単位
   として、次式［Ｉ］： 【化１】 （上記式中、Ｘは−（Ｒ³ −）Ｃ（−Ｒ⁴ ）−、−Ｃ
   （＝Ｒ⁵ ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ
   ₂ −｛ここでＲ³ およびＲ⁴ は、水素原子またはハロゲ
   ンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分
   岐状もしくは環状の１価の炭化水素基であり、Ｒ⁵ はハ
   ロゲンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基である｝で
   あり、Ｒ¹ およびＲ² は同一であっても異なっていても
   よく、それぞれ、ハロゲンで置換されていてもよい炭素
   数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基
   またはハロゲン原子であり、ｍおよびｎは置換基数を表
   わし、それぞれ独立して０〜４の整数である）で示され
   る構成単位と、次式［II］： 【化２】 （上記式中、Ｙは−（Ｒ^3'−）Ｃ（−Ｒ^4'）−、−Ｃ
   （＝Ｒ^5'）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ
   ₂ −｛ここでＲ^3'およびＲ^4'は、水素原子またはハロゲ
   ンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分
   岐状もしくは環状の１価の炭化水素基であり、Ｒ^5'はハ
   ロゲンで置換されていてもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基である｝で
   あり、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は同一であっても異なっていても
   よく、それぞれ、ハロゲンで置換されていてもよい炭素
   数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基
   またはハロゲン原子であり、ｐおよびｑは置換基数を表
   わし、ｐは０〜４の整数で、ｑは０〜３の整数である）
   で示される構成単位とを、式［Ｉ］で示される構造単位
   １モルに対して、式［II］で示される構造単位８×10^-5
   〜1.5 ×10^-3モルの割合で含有し、かつ (2) 粘度平均分子量が12,000〜18,000であるコポリカー
   ボネートを光学用途の成形材料として使用する方法。
2. 【請求項２】 前記式［Ｉ］中、Ｘが直鎖状もしくは分
   岐状のアルキレンであり、かつ前記式［II］中、Ｙが直
   鎖状もしくは分岐状のアルキレンである請求項１記載の
   方法。
3. 【請求項３】 前記式［Ｉ］で示される構造単位を導入
   するための芳香族ジヒドロキシ化合物が、2,2-ビス（4-
   ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項１または２
   記載の方法。
4. 【請求項４】 前記式［II］で示される構造単位を導入
   するための芳香族ジヒドロキシ化合物が、2-(4- ヒドロ
   キシフェニル)-2-(3'- カルボキシ-4'-ヒドロキシフェ
   ニル)プロパンおよび2-(4- ヒドロキシフェニル)-2-(3'
   - フェノキシカルボニル-4'-ヒドロキシフェニル)プロ
   パンから選択される請求項１〜３のいずれか１項記載の
   方法。