JP3340318B2 - 不純物導入装置及び不純物導入方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばシリコン基板等
の試料に不純物を導入するための不純物導入装置及び不
純物導入方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置のデザインルールの縮
小に伴って、ショートチャネル効果を防止すると共にデ
バイスの高速化のために、トランジスタの拡散層の接合
深さを浅くする必要性が生じている。このため、ＭＯＳ
ＦＥＴにおいては、例えば、０．１μｍルールのデバイ
スでは接合深さが８０ｎｍ以下のものが要求されてお
り、また、バイポーラトランジスタにおいても、高速化
のためにベース領域の拡散層の深さが５０ｎｍ以下のも
のが求められており、より浅い接合を得るための不純物
導入技術が検討されている。

【０００３】これに対して、従来の不純物導入技術の１
つとして、導入しようとする不純物よりなるガスを真空
チャンバー内に供給し、供給された不純物ガスを励起し
てイオン状態にし、不純物イオンを加速してシリコン基
板等の試料の表面部に打ち込むイオン注入法が知られて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したよ
うな、チャンバー内に導入された不純物ガスをイオン化
し、イオン化された不純物を加速してシリコン基板に打
ち込む不純物導入方法により、浅い接合（例えば３０ｎ
ｍ以下）を得ようと思えば、不純物イオンの加速エネル
ギーを小さくしなければならない。

【０００５】ところが、加速エネルギーを小さくする
と、イオン電流が低下して注入時間が長くなり、スルー
プットが悪くなるという問題、及び、加速エネルギをも
っと小さくすると、イオン電流が取れなくなってイオン
注入そのものができなくなるという問題がある。

【０００６】また、従来のイオン注入法においては、数
ｋｅＶ程度という高いエネルギーを持った不純物イオン
を打ち込むために、Ｒｐ（投影飛程：イオン注入時に注
入される不純物イオンの表面からの平均的な深さ）がシ
リコン基板等の試料の内部に達してしまい、シリコン基
板等の表面部の不純物濃度が１×１０²⁰（／ｃｍ³ ）以
上の高い接合が得られないという問題も有している。

【０００７】また、イオン注入に用いる不純物の原料ガ
スとしては、一般的にアルシン、ジボラン、ホスフィン
といった猛毒ガスを用いているため、不純物導入作業を
安全に行なうためには、かなり高額の設備が必要になる
ので、装置コストが莫大になるという問題も有してい
る。尚、前記の高額の設備としては、猛毒ガスが流れる
高品質な配管やバルブ、猛毒ガスのセンサー、猛毒ガス
の処理設備等が挙げられる。

【０００８】前記に鑑み、本発明は、シリコン基板など
の試料の表面部における浅い位置に高濃度の不純物を導
入できると共に、不純物導入作業が安全に行なわれるよ
うにすることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、不純物を含む固体状のターゲットにスパ
ッタリング用のガスをプラズマ状態で衝突させてターゲ
ットから不純物を飛び出させ、飛び出した不純物を試料
の表面部に導入するものである。

【００１０】具体的には、本発明に係る第１の不純物導
入装置は、半導体基板等の試料に不純物を導入するため
の不純物導入装置を対象とし、内部が真空状態に保持さ
れる真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に設けら
れており前記試料を保持する試料台と、前記チャンバー
内に設けられており前記不純物を含む固体状のターゲッ
トと、前記チャンバー内にスパッタリング用のガスを導
入するガス導入手段と、前記チャンバー内に導入された
前記ガスを励起して該ガスよりなるプラズマを発生させ
ることにより、プラズマ状態のガスを前記ターゲットに
衝突させて該ターゲットに含まれる不純物をスパッタリ
ングさせるプラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段
により発生したプラズマと前記試料台との間に自己バイ
アスを形成することにより、前記ターゲットからスパッ
タリングされた不純物を前記試料台に保持された試料に
導入する高周波電源とを備えている。

【００１１】本発明に係る第１の不純物導入装置によ
り、チャンバー内に導入され励起されてプラズマ状態に
なったガスを不純物を含むターゲットに衝突させると、
該ターゲットに含まれる不純物はスパッタリングされ
る。高周波電源によりプラズマと試料台との間に自己バ
イアスを形成すると、ターゲットからスパッタリングさ
れた不純物は試料台に保持された試料の表面部に導入さ
れる。

【００１２】前述のように不純物を含む固体状のターゲ
ットにプラズマを衝突させて不純物をスパッタリングす
るため、イオン注入法のように猛毒ガスを用いる必要が
ないので、不純物導入作業を安全に行なうことができ
る。

【００１３】また、数１０Ｖ〜２ｋＶ程度の低い電圧を
試料台に印加して低いエネルギーで不純物を導入するた
め、試料の表面部に集中的に不純物が導入される結果、
試料の表面部における浅い領域に高濃度の不純物を導入
することができる。

【００１４】さらに、試料をイオン注入法のように高温
に保持することなく、低温例えば２３〜１６０℃程度の
温度で保持しても不純物を導入することができる。

【００１５】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、前記プラズマ発生手段は、前記真空チャンバーの外
部に設けられ、前記真空チャンバー内に１ＧＨｚ以上の
周波数を持つプラズマ発生波を導入する手段であること
が好ましい。

【００１６】この場合、本発明に係る第１の不純物導入
装置は、前記真空チャンバー内に発生したプラズマの密
度を上げる磁界を発生させる磁界発生手段をさらに備え
ていることが好ましい。

【００１７】本発明に係る第１の不純物の導入装置にお
いて、前記ターゲットは、前記不純物としてボロン及び
窒素を含んでいることが好ましい。

【００１８】ところで、Ｎチャネル型トランジスタとＰ
チャネル型トランジスタとでゲートの導電型が異なるデ
ュアルゲートのＣＭＯＳトランジスタにおいては、デバ
イス特性に悪影響を及ぼすゲート電極から基板へのボロ
ンのしみだしを防止する必要がある。そこで、ゲート電
極から基板へのボロンのしみだしを防止するべく、ゲー
ト絶縁膜に窒素を導入することが提案されている。とこ
ろが、イオン注入法によりゲート絶縁膜に窒素を導入す
るためには、窒素ガスを真空チャンバーに導入し、窒素
イオンを加速してゲート電極に注入する必要があるが、
この方法によると、トランジスタを構成する不純物層を
形成するためのイオン注入工程の前又は後に、窒素イオ
ンを注入する工程が必要になる。

【００１９】これに対して、ターゲットが不純物として
ボロン及び窒素を含んでいると、プラズマ状態になった
ガスをターゲットに衝突させると、ターゲットに含まれ
るボロン及び窒素がスパッタリングされ、ボロンが半導
体基板のｎ型半導体領域及びゲート電極に導入され、ｐ
型のソース・ドレイン領域及びｐ型ゲート電極が形成さ
れると共に、窒素原子はゲート絶縁膜に導入される。

【００２０】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、前記ターゲットはボロンナイトライドを含むことが
好ましい。

【００２１】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、前記ガス導入手段により導入される前記ガスはアル
ゴンガス及び窒素ガスを含むことが好ましい。

【００２２】本発明に係る第２の不純物導入装置は、半
導体基板等の試料に第１の不純物及び第２の不純物を導
入するための不純物導入装置を対象とし、内部が真空状
態に保持される第１の真空チャンバーと、前記第１の真
空チャンバー内に設けられており前記試料を保持する第
１の試料台と、前記第１のチャンバー内に設けられてお
り前記第１の不純物を含む固体状の第１のターゲット
と、前記第１のチャンバー内にスパッタリング用のガス
を導入する第１のガス導入手段と、前記第１のチャンバ
ー内に導入された前記ガスを励起して該ガスよりなるプ
ラズマを発生させることにより、プラズマ状態のガスを
前記第１のターゲットに衝突させて該第１のターゲット
に含まれる第１の不純物をスパッタリングさせる第１の
プラズマ発生手段と、前記第１のプラズマ発生手段によ
り発生したプラズマと前記第１の試料台との間に自己バ
イアスを形成することにより、前記第１のターゲットか
らスパッタリングされた前記第１の不純物を前記第１の
試料台に保持された試料に導入する第１の高周波電源
と、内部が真空状態に保持される第２の真空チャンバー
と、前記第２の真空チャンバー内に設けられており前記
試料を保持する第２の試料台と、前記第２のチャンバー
内に設けられており前記第２の不純物を含む固体状の第
２のターゲットと、前記第２のチャンバー内にスパッタ
リング用のガスを導入する第２のガス導入手段と、前記
第２のチャンバー内に導入された前記ガスを励起して該
ガスよりなるプラズマを発生させることにより、該プラ
ズマ状態のガスを前記第２のターゲットに衝突させて該
第２のターゲットに含まれる第２の不純物をスパッタリ
ングさせる第２のプラズマ発生手段と、前記第２のプラ
ズマ発生手段により発生したプラズマと前記第２の試料
台との間に自己バイアスを形成することにより、前記第
２のターゲットからスパッタリングされた第２の不純物
を前記第２の試料台に保持された試料に導入する第２の
高周波電源と、内部が真空状態に保持され、前記第１の
真空チャンバー及び第２の真空チャンバーのそれぞれと
シャッターを介して連通しており、前記試料を前記第１
の試料台上から前記第２の試料台上に搬送する搬送手段
を有する搬送室とを備えている。

【００２３】本発明に係る第２の不純物導入装置によ
り、第１の不純物導入装置と同様、第１の真空チャンバ
ー及び第２の真空チャンバーのそれぞれにおいて、第１
又は第２のターゲットからスパッタリングされた第１又
は第２の不純物は試料台に保持された試料の表面部にそ
れぞれ導入される。この場合、不純物を含む固体状のタ
ーゲットにプラズマを衝突させて不純物をスパッタリン
グするため、イオン注入法のように猛毒ガスを用いる必
要がないので、不純物導入作業を安全に行なうことがで
きると共に、数１０Ｖ〜２ｋＶ程度の低い電圧を試料台
に印加して低いエネルギーで不純物を導入できるので、
試料の表面部における浅い領域に高濃度の不純物を導入
することができる。また、試料を低温に保持して不純物
を導入できるので、通常のレジストを用いて不純物の導
入処理を行なうことができる。

【００２４】また、内部が真空状態に保持され、第１の
真空チャンバー及び第２の真空チャンバーのそれぞれと
シャッターを介して連通しており、試料を第１の試料台
上から第２の試料台上に搬送する搬送手段を有する搬送
室を備えているため、第１の真空チャンバーにおいて第
１の不純物が導入された試料を真空状態に保持したまま
第２の真空チャンバーに搬入し、第２の真空チャンバー
において第２の不純物を導入することができる。

【００２５】本発明に係る不純物導入方法は、半導体基
板等の試料に不純物を導入する不純物導入方法を対象と
し、内部が真空状態に保持された真空チャンバー内に設
けられた試料台に前記試料を保持させると共に、前記真
空チャンバー内に前記不純物を含む固体状のターゲット
を保持する保持工程と、前記チャンバー内にスパッタリ
ング用のガスを導入するガス導入工程と、前記ガス導入
工程において導入された前記ガスよりなるプラズマを発
生させることにより、プラズマ状態のガスを前記ターゲ
ットに衝突させて該ターゲットに含まれる不純物をスパ
ッタリングさせるプラズマ発生工程と、前記試料台に高
周波電力を印加して、前記プラズマ発生工程において発
生したプラズマと前記試料台との間に自己バイアスを形
成することにより、前記ターゲットからスパッタリング
された不純物を前記試料台に保持された試料に導入する
不純物導入工程とを備えている。

【００２６】本発明に係る不純物導入方法により、第１
の不純物導入装置と同様、真空チャンバーにおいて、タ
ーゲットからスパッタリングされた不純物は試料台に保
持された試料の表面部に導入される。この場合、不純物
を含む固体状のターゲットにプラズマを衝突させて不純
物をスパッタリングするため、イオン注入法のように猛
毒ガスを用いる必要がないので、不純物導入作業を安全
に行なうことができると共に、数１０Ｖ〜２ｋＶ程度の
低い電圧を試料台に印加して低いエネルギーで不純物を
導入できるので、試料の表面部における浅い領域に高濃
度の不純物を導入することができる。また、試料を低温
に保持して不純物を導入できるので、通常のレジストを
用いて不純物の導入処理を行なうことができる。

【００２７】本発明に係る不純物導入方法において、前
記プラズマ発生工程は、前記真空チャンバー内に１ＧＨ
ｚ以上の周波数を持つプラズマ発生波を導入して前記ガ
スよりなるプラズマを発生させる工程を含むことが好ま
しい。

【００２８】この場合、本発明に係る不純物導入方法に
おいて、前記プラズマ発生工程は、前記真空チャンバー
内に発生したプラズマの密度を上げる工程を含むことが
好ましい。

【００２９】本発明に係る不純物導入方法において、前
記ターゲットに含まれる不純物はボロン及び窒素である
ことが好ましい。

【００３０】本発明に係る不純物導入方法において、前
記ターゲットはボロンナイトライドを含むことが好まし
い。

【００３１】本発明に係る不純物導入方法において、前
記ガス導入工程において導入される前記ガスはアルゴン
ガス及び窒素ガスを含むことが好ましい。

【００３２】

【発明の実施形態】以下、本発明に係る不純物導入方法
及びその装置並びに半導体装置の製造方法について図面
を参照しながら説明する。

【００３３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る不純物導入装置の断面構造を示してお
り、図１に示すように、縦型円筒状の真空チャンバー１
０の下部には、不純物の被導入体であるＬＳＩ用半導体
ウエハ等の試料、例えばシリコン基板１１を保持する試
料台１２が設けられている。試料台１２にはカップリン
グコンデンサ１３を介して８００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ
の高周波電力例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加する高周波電源１４が接続されており、該高周波電源
１４の自己バイアスは例えば５００Ｖである。また、真
空チャンバー１０の底部には、アルゴンガス等のスパッ
タリングガスを導入するためのガス導入手段１５が設け
られている。尚、スパッタリングガスとしては、アルゴ
ンガスのほかに、ヘリウムガス又は窒素ガス等を用いる
ことができる。

【００３４】また、真空チャンバー１０の外部の周辺に
は、真空チャンバー１０内に磁界を発生させる磁界発生
手段としての例えば３〜４枚の板状の永久磁石１７が適
当な間隔をおいて配置されていると共に、真空チャンバ
ー１０の外部には、真空チャンバー１０内に例えば２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を導入するプラズマの発生手段
としてのＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）１８が永久磁石１７同士の間
から延びて真空チャンバー１０に接続されるように設け
られている。尚、磁界発生手段としては、板状の永久磁
石１７に代えて、ソレノイドコイルを設けてもよい。ま
た、プラズマ発生手段としては、ＥＣＲ１８に代えて、
ＩＣＰ、ヘリコン、マグネトロン、２周波、トライオー
ド又はＬＥＰ等を適宜用いることができるが、後述する
理由により、１ＧＨｚ以上の周波数のプラズマ発生波を
導入できる装置が好ましい。

【００３５】第１の実施形態の特徴として、真空チャン
バー１０の上部には、導入される不純物（例えばボロ
ン）を含有する固体状のターゲット１６が配置されてい
る。尚、ターゲット１６に含まれる不純物としては、ボ
ロンのほかに、ひ素、燐、インジウム、アンチモン、窒
素、アルミニウム又はシリコン等のように半導体のドー
ピングに通常用いられる元素が挙げられる。

【００３６】以下、前記第１の実施形態に係る不純物導
入装置を用いて行なう、シリコン基板１１への不純物の
導入方法について説明する。

【００３７】まず、ガス導入手段１５から真空チャンバ
ー１０内にスパッタリング用ガス（例えばアルゴン）を
導入すると共に、ＥＣＲ１８から真空チャンバー１０内
にマイクロ波を導入すると、真空チャンバー１０内に導
入されたスパッタリング用ガスはマイクロ波により電離
されてプラズマ状態になる。プラズマ状態のアルゴン原
子は、真空チャンバー１０内に形成されたプラズマポテ
ンシャルにより加速されて、不純物を含有するターゲッ
ト１６の表面に衝突し、この衝突によってターゲット１
６から不純物が弾き飛ばされる。ターゲット１６から弾
き飛ばされた不純物は、試料台１２に印加された高周波
電力により試料台１２とプラズマ状態のアルゴン原子と
の間に発生した自己バイアスによって試料台１２の方に
向かうアルゴン原子からエネルギー伝達されて、ターゲ
ット１６と対向するように設けられたシリコン基板１１
の表面部に打ち込まれる。

【００３８】ところで、従来のスパッタリング装置にお
いては、ターゲットを構成する材料が金属であるため、
ＥＣＲ等のプラズマ発生手段を有しない平行平板型プラ
ズマ発生装置でもプラズマは発生する。しかしながら、
第１の実施形態のように、ボロンを含有するターゲット
１６を用いる場合には、ボロンは絶縁性が高いため、発
生した電界を発散させてしまうので、プラズマは発生し
難い。そこで、第１の実施形態においては、ＥＣＲ１８
を設けて１ＧＨｚ以上のマイクロ波を真空チャンバー１
０内に導入する。このように１ＧＨｚ以上のマイクロ波
を真空チャンバー１０内に導入すると、平行平板型プラ
ズマ発生装置の約１０００倍の高密度のプラズマが発生
するので、短時間でボロン等の不純物をシリコン基板１
１の表面部に打ち込むことができる。このため、シリコ
ン基板１１の温度が３００℃以上に上昇しないので、シ
リコン基板１１の上に形成されたレジストパターンが焦
げる事態を回避できる。

【００３９】尚、試料台１２に印加する高周波電力の周
波数を１ＧＨｚ以上にすることも考慮されるが、このよ
うにすると、試料台１２とプラズマとの間に発生する自
己バイアスの効果が減少するため、不純物がシリコン基
板１１の表面部に打ち込まれ難くなると共に、１ＧＨｚ
以上のマイクロ波を遮蔽する電磁波遮蔽手段を真空チャ
ンバー１０に設けることが難しいので安全上の問題も発
生する。

【００４０】また、第１の実施形態においては、真空チ
ャンバー１０内に磁界を発生させる永久磁石１８を設け
ているため、ＥＣＲ１８により導入されるマイクロ波と
永久磁石１８により発生する磁界との共働作用により、
アルゴンガスのイオン化効率が向上する。このため、一
層短時間でボロン等の不純物をシリコン基板１１の表面
部に打ち込むことができるので、シリコン基板１１の温
度上昇を一層抑制することができる。

【００４１】図２は、第１の実施形態に係る不純物導入
方法により不純物が導入されたシリコン基板及び従来の
イオン注入装置により不純物が導入されたシリコン基板
のＳＩＭＳプロファイルを示している。

【００４２】図２から明かなように、第１の実施形態に
係る不純物導入方法によると、シリコン基板の表面部に
導入された不純物の濃度は１×１０²¹（／ｃｍ³ ）とな
り、且つ不純物濃度が１×１０¹⁸（／ｃｍ³ ）となる接
合深さは１８ｎｍである。これに対して、従来のイオン
注入法（加速電圧２ＫｅＶ）によると、シリコン基板の
表面部に導入された不純物の濃度は３×１０²⁰（／ｃｍ
³ ）となり、且つ不純物濃度が１×１０¹⁸（／ｃｍ³ ）
となる接合深さは３２ｎｍである。

【００４３】以上説明したように、シリコン基板に導入
される不純物元素を含有するガスを真空チャンバー内に
供給し、不純物ガスを励起してシリコン基板に導入する
従来のイオン注入法に対して、第１の実施形態のよう
に、固体よりなるターゲット１６にシリコン基板１１に
導入すべき不純物を含有させ、スパッタリングによりシ
リコン基板１６に不純物をドーピングする方法による
と、プラズマとシリコン基板１１との電位差（数１０Ｖ
〜２ｋＶ程度）による低いエネルギーによってプラズマ
ドーピングが行なわれ、シリコン基板１１の表面部に不
純物を導入される。このように、従来のイオン注入法に
用いられる電位差（通常、３０ｋＶ程度）に比べて極め
て低いエネルギーで不純物を導入できるので、シリコン
基板１１の表面部に浅く且つ高濃度の不純物層を表面付
近の不純物濃度が高くなるように形成することができ
る。このため、設計ルールが小さいデバイスにおいて、
ショートチャネル効果が小さくて且つ駆動力が大きいト
ランジスタ素子を容易に得ることができる。

【００４４】また、第１の実施形態によると、シリコン
基板１１にドーピングされる不純物として固体よりなる
ターゲット１６を用いており、従来のようにガス状の不
純物を取り扱っていないので、極めて安全であると共
に、不純物導入装置を簡略化することが可能となる。

【００４５】以下、第１の実施形態に係る不純物導入装
置を用いて行なう半導体装置の製造方法について、図５
を参照しながら説明する。

【００４６】まず、図５（ａ）に示すように、ｎ型の半
導体基板１００上に素子分離領域１０１を形成する。そ
の後、半導体基板１００を真空度が数ｍ〜数十ｍｔｏｒ
ｒに保たれた真空チャンバー１０内において基板温度３
００℃以下で保持した状態で、ガス導入手段１５からア
ルゴンガスを導入すると共に、ＥＣＲ１８から１ＧＨｚ
以上の周波数を持つマイクロ波を導入し、また、試料台
１２に高周波電源１４から高周波電力を印加する。この
ようにして、真空チャンバー１０内でプラズマ状態にな
ったアルゴンを不純物例えばボロンを含むターゲット１
６に５ｋｅＶ以下の自己バイアスで数秒〜１０分間程度
衝突させることにより、ターゲット１６から不純物原子
を放出させる。ターゲット１６から放出された不純物原
子例えばボロンは半導体基板１００の表面部に導入され
る。

【００４７】次に、半導体基板１００に熱処理を加えて
不純物を拡散させることにより、図５（ｂ）に示すよう
に、半導体基板１００の表面部に、表面濃度が１×１０
²⁰（／ｃｍ³ ）以上で且つ拡散層の深さが１００ｎｍ以
下の高濃度拡散層１０２を形成する。

【００４８】次に、半導体基板１００の上に全面に亘っ
て層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３に
対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行なうこと
により、図５（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１０３に
コンタクトホール１０４を形成する。

【００４９】次に、図５（ｄ）に示すように、コンタク
トホール１０４を含む層間絶縁膜１０３の上に電極１０
５を形成すると、ダイオードが得られる。

【００５０】尚、図示及び詳細な説明は省略するが、第
１の実施形態に係る不純物導入装置を用いてｎチャネル
型又はｐチャネル型のＭＯＳトランジスタを製造するこ
ともできる。

【００５１】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態に係る不純物導入装置の平面構造を示してお
り、図３に示すように、第１の真空チャンバー２１と第
２の真空チャンバー２２とが真空に保たれる搬送室２３
を介して連通しており、第１の真空チャンバー２１と搬
送室２３との間には第１のシャッター２４が設けられ、
第２の真空チャンバー２２と搬送室２３との間には第２
のシャッター２５が設けられている。また、搬送室２３
には試料の搬入及び搬出を行なうための第３のシャッタ
ー２６が設けられている。

【００５２】第１の真空チャンバー２１には、第１の実
施形態と同様、例えばボロンよりなるｐ型不純物を含む
固体状の第１のターゲット２７、半導体基板２８を保持
する第１の試料台２９が設けられ、第１の試料台２９に
は第１のカップリングコンデンサ３０を介して例えば８
００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力を
印加する第１の高周波電源３１が接続されている。ま
た、第１の真空チャンバー２１には、プラズマ発生波を
導入する第１のマイクロ波発生装置３２及びアルゴン等
のスパッタリングガスを導入する第１のガス供給装置３
３が設けられている。

【００５３】第２の真空チャンバー２２にも、例えば砒
素やリンよりなるｎ型不純物を含む固体状の第２のター
ゲット３５、半導体基板３６を保持する第２の試料台３
７が設けられ、第２の試料台３７には第２のカップリン
グコンデンサ３８を介して例えば８００ｋＨｚ〜１００
ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力を印加する第２の高周
波電源３９が接続されている。また、第２の真空チャン
バー２２には、プラズマ発生波を導入する第２のマイク
ロ波発生装置４１及びアルゴン等のスパッタリングガス
を導入する第２のガス供給装置４２が設けられている。

【００５４】搬送室２３にはアーム４５ａを有する搬送
装置４５が設けられており、該搬送装置４５により、半
導体基板２８，３６は第１のチャンバー２１に搬入又は
搬出されたり、第２のチャンバー２２に搬入又は搬出さ
れたりする。これにより、第１のチャンバー２１内にお
いてｐ型の不純物が導入された半導体基板を真空状態で
第２のチャンバー２２に搬入し、該第２のチャンバー２
２内においてｎ型の不純物を導入することができる。
尚、第２の実施形態に係る不純物導入装置を用いて行な
う半導体基板への不純物導入方法については第１の実施
形態と同様であるので、説明は省略する。

【００５５】以下、第２の実施形態に係る不純物導入装
置を用いて行なう半導体装置の製造方法について、図６
を参照しながら説明する。

【００５６】まず、図６（ａ）に示すように、シリコン
よりなるｐ型の半導体基板２００の上に、ｎチャネル型
ＭＯＳトランジスタ形成領域であるｐ型半導体領域２０
１、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ形成領域であるｎ
型半導体領域２０２、及びｐ型半導体領域２０１とｎ型
半導体領域２０２とを分離する素子分離層２０３を形成
する。その後、ｐ型半導体領域２０１の上に、厚さが４
〜１０ｎｍのシリコン酸化膜よりなる第１のゲート絶縁
膜２０４及び厚さが１００〜３００ｎｍのポリシリコン
膜よりなる第１のゲート電極２０５Ａを順次形成すると
共に、ｎ型半導体領域２０２の上に、厚さが４〜１０ｎ
ｍのシリコン酸化膜よりなる第２のゲート絶縁膜２０６
及び厚さが１００〜３００ｎｍのポリシリコン膜よりな
る第２のゲート電極２０７Ａを順次形成する。

【００５７】次に、ＣＶＤ法により半導体基板２００の
上に全面に亘って厚さが１００〜２００ｎｍのシリコン
酸化膜を堆積した後、該シリコン酸化膜に対して異方性
エッチングを行なってシリコン酸化膜をエッチバックす
ることにより、図６（ｂ）に示すように、第１及び第２
のゲート電極２０５Ａ，２０７Ａの側面にサイドウォー
ル２０８を形成する。

【００５８】次に、半導体基板２００を第２の真空チャ
ンバー２２内に搬入した後、第２の真空チャンバー２２
内を数ｍ〜数十ｍｔｏｒｒの真空度に保つと共に半導体
基板２００の温度を１６０℃以下に保った状態で、プラ
ズマ状態のアルゴンをｎ型不純物例えばＡｓ（砒素）を
含む第２のターゲット３５に５ｋｅＶ以下の自己バイア
スで数秒〜１０分間程度衝突させる。このようにする
と、第２のターゲット３５からスパッタリングされたｎ
型不純物例えばＡｓが、サイドウォール２０８をマスク
としてｐ型半導体領域２０１及び第１のゲート電極２０
５Ａに導入されて、図６（ｂ）に示すように、ｐ型半導
体領域２０１にｎ型のソース・ドレイン領域２０９が形
成されると共に、第１のゲート電極２０５Ａが低抵抗化
されたｎ型ゲート電極２０５Ｂに変わり、これにより、
ｎ型ＭＯＳトランジスタが形成される。その後、搬送手
段４５により、半導体基板２００を第２の真空チャンバ
ー２２から第１の真空チャンバー２１に移送した後、第
１の真空チャンバー２１内を数ｍ〜数十ｍｔｏｒｒの真
空度に保つと共に半導体基板２００の温度を１６０℃以
下に保った状態で、プラズマ状態のアルゴンをｐ型不純
物例えばＢ（ボロン）を含む第１のターゲット２７に５
ｋｅＶ以下の自己バイアスで数秒〜１０分間程度衝突さ
せる。このようにすると、第１のターゲット２７からス
パッタリングされたｐ型不純物例えばＢがサイドウォー
ル２０８をマスクとしてｎ型半導体領域２０２及び第２
のゲート電極２０７Ａに導入されて、ｎ型半導体領域２
０２にｐ型のソース・ドレイン領域２１０が形成される
と共に、第２のゲート電極２０７Ａが低抵抗化されたｐ
型ゲート電極２０７Ｂに変わり、これにより、ｐ型ＭＯ
Ｓトランジスタが形成される。

【００５９】次に、半導体基板２００に対して、９００
〜１０５０℃の温度下において１〜６０秒程度の熱処理
を行なうことにより、ｎ型及びｐ型のソース・ドレイン
領域２０９，２１０に導入された不純物イオンを活性化
させる。これにより、ｎ型及びｐ型のソース・ドレイン
領域２０９，２１０は、表面不純物濃度が１×１０
²⁰（／ｃｍ³ ）以上で且つ拡散層の深さが１００ｎｍ以
下の高濃度不純物拡散層になる。その後、図示は省略し
ているが、半導体基板２００の上に層間絶縁膜を介して
何層かの金属配線層を形成すると、ＣＭＯＳトランジス
タを有する半導体装置が得られる。

【００６０】（第３の実施形態）図４は、本発明の第３
の実施形態に係る不純物導入装置の断面構造を示してお
り、図４に示すように、真空チャンバー５０内には、例
えばシリコン基板５１を保持する試料台５２が設けられ
ており、該試料台５２にはカップリングコンデンサ５３
を介して８００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数を持つ高
周波電力を印加する高周波電源５４が接続されており、
該高周波電源５４の自己バイアスは例えば５００Ｖであ
る。また、真空チャンバー５０内には、導入される不純
物（例えばボロン）を含有する固体状のターゲット５５
が配置されている。

【００６１】第３の実施形態の特徴として、真空チャン
バー５０内には、アルゴン等のスパッタリングガスを導
入するための第１のガス導入手段５６及び窒素等の不活
性ガスを導入するための第２のガス導入手段５７が設け
られている。

【００６２】尚、図示は省略しているが、第３の実施形
態に係る不純物導入装置に、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ヘリコ
ン、マグネトロン、２周波、トライオード又はＬＥＰ等
のプラズマ発生波を供給するプラズマの発生手段を設け
ると、第１の実施形態と同様の理由により、高密度なプ
ラズマを発生させることができる。

【００６３】以下、前記第３の実施形態に係る不純物導
入装置を用いて行なう、シリコン基板５１への不純物導
入方法について説明する。

【００６４】まず、真空チャンバー５０内に、第１のガ
ス導入手段５６からアルゴンガスを導入すると共に第２
のガス導入手段５７から窒素ガスを導入すると、アルゴ
ンガス及び窒素ガスは、高周波電源５４により印加され
る高周波電力によって電離されてプラズマ状態になる。
プラズマ状態のアルゴン原子及び窒素原子は、真空チャ
ンバー５０内にプラズマポテンシャルによって加速され
てターゲット５５に衝突し、ターゲット５５から不純物
例えばボロンが弾き飛ばされる。ターゲット５５から弾
き飛ばされた不純物とプラズマ状態の窒素原子は、プラ
ズマとシリコン基板５１との間の自己バイアスによっ
て、シリコン基板５１の表面部に導入される。

【００６５】この第３の実施形態に係る不純物導入方法
を、図６に基づき説明したような半導体装置の製造方法
におけるｐ型ＭＯＳトランジスタの形成工程に適用する
と、ターゲット５５から弾き飛ばされたボロンがｎ型半
導体領域２０２及び第２のゲート電極２０７Ａに導入さ
れ、ｐ型のソース・ドレイン領域２１０及びｐ型ゲート
電極２０７Ｂが形成されると共に、窒素原子は第２の絶
縁膜２０６に導入される。このため、第２の絶縁膜２０
６に導入された窒素原子は、後に行なわれる熱処理工程
においてｐ型ゲート電極２０７Ｂに導入されたボロンが
ｎ型半導体領域２０２のチャネル領域にしみ出すことを
阻止するするので、ｐ型ＭＯＳトランジスタの特性が向
上する。図７は、窒素原子を導入しない場合と導入した
場合とにおけるゲート電圧とドレイン電流との関係を示
しており、図７から分かるように、窒素原子を導入する
と、ドレイン電流が増大してトランジスタの特性が向上
する。

【００６６】尚、真空チャンバー５０に、アルゴンガス
を導入する第１のガス導入手段５６及び窒素ガスを導入
する第２のガス導入手段５７を設ける代わりに、ターゲ
ット５５として、半導体基板５１に導入される不純物の
ほかに窒素を含むものを用いたり、又は、ボロンナイト
ライドを含むものを用いても、第３の実施形態と同様の
効果を得ることができる。

【００６７】

【発明の効果】本発明に係る第１の不純物導入装置によ
ると、イオン注入法のように猛毒ガスを用いることなく
不純物の導入ができるため、不純物導入作業を安全に行
なうことができるので、高品質な配管やバルブ、猛毒ガ
スのセンサー、猛毒ガスの処理設備等の高額の設備が不
要になり、装置の小型化を図ることができると共に装置
コストが低減する。

【００６８】また、試料の表面部における浅い領域に高
濃度の不純物を導入することができ、接合深さが３０ｎ
ｍ以下の極めて浅い接合を実現できるため、デザインル
ールの小さいＭＯＳＦＥＴにおいて、ショートチャネル
効果を防止することができると共にデバイスの高速化を
図ることができ、また、バイポーラトランジスタにおい
て、ベース領域の拡散層の深さを浅くできるので、デバ
イスの高速化を図ることができる。

【００６９】さらに、試料を低温例えば２３〜１６０℃
程度の温度で保持しても不純物を導入できるので、通常
のレジストを用いて不純物の導入処理を行なうことがで
きる。

【００７０】本発明に係る第１の不純物導入装置が、真
空チャンバーの外部に設けられ、真空チャンバー内に１
ＧＨｚ以上の周波数を持つプラズマ発生波を導入するプ
ラズマ発生手段を備えていると、真空チャンバー内に高
密度のプラズマを発生させることができるので、短時間
で所定濃度の不純物を半導体基板の表面部に導入するこ
とができる。このため、半導体基板の温度がレジストパ
ターンを焦がす程度の温度に上昇する事態を回避できる
ので、半導体基板における所定の領域に不純物を確実に
導入することができる。

【００７１】本発明に係る第１の不純物導入装置が、真
空チャンバー内に発生したプラズマの密度を上げる磁界
を発生させる磁界発生手段を備えていると、真空チャン
バー内に１ＧＨｚ以上の周波数を持つプラズマ発生波を
導入するプラズマ発生手段との共働作用により、導入さ
れたガスのイオン化効率が向上してプラズマ密度が一層
高くなるので、より一層短時間で所定濃度の不純物を半
導体基板の表面部に導入することができる。

【００７２】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、ターゲットが不純物としてボロン及び窒素を含んで
いると、ボロンが半導体基板のｎ型半導体領域及びゲー
ト電極に導入されて、ｐ型のソース・ドレイン領域及び
ｐ型ゲート電極が形成されると共に、窒素原子がゲート
絶縁膜に導入され、ゲート絶縁膜に導入された窒素原子
は、後に行なわれる熱処理工程においてｐ型ゲート電極
に導入されたボロンがｎ型半導体領域のチャネル領域に
しみ出すことを阻止するので、ｐ型ＭＯＳトランジスタ
の特性が向上する。

【００７３】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、ターゲットがボロンナイトライドを含んでいると、
ターゲットにプラズマ状のガスを衝突させると、ターゲ
ットからボロン原子及び窒素原子がスパッタリングされ
るので、請求項３の発明と同様、ゲート絶縁膜に窒素原
子が導入されて、ｐ型ゲート電極に導入されたボロンが
ｎ型半導体領域のチャネル領域にしみ出すことを阻止で
きる。

【００７４】本発明に係る第１の不純物導入装置におい
て、ガス導入手段により導入されるガスがアルゴンガス
及び窒素ガスを含んでいると、ゲート絶縁膜に窒素原子
が導入されて、ｐ型ゲート電極に導入されたボロンがｎ
型半導体領域のチャネル領域にしみ出すことを阻止でき
る。

【００７５】本発明に係る第２の不純物導入装置による
と、第１の不純物導入装置と同様、不純物導入作業を安
全に行なうことができると共に、試料の表面部における
浅い領域に高濃度の不純物を導入することができ、ま
た、通常のレジストを用いて不純物の導入処理を行なう
ことができる。

【００７６】さらに、第１の真空チャンバーにおいて第
１の不純物が導入された試料を真空状態に保持したまま
第２の真空チャンバーに搬入し、第２の真空チャンバー
において第２の不純物を導入できるので、例えばＣＭＯ
Ｓトランジスタのように２種類の不純物を導入する必要
がある半導体装置を簡易に且つ特性を低下させることな
く製造することが可能になる。

【００７７】本発明に係る不純物導入方法によると、第
１の不純物導入装置と同様、イオン注入法のように猛毒
ガスを用いることなく不純物の導入ができるため、不純
物導入作業を安全に行なうことができ、また、デザイン
ルールの小さいＭＯＳＦＥＴにおいてショートチャネル
効果を防止することができる且つデバイスの高速化を図
ることができると共に、バイポーラトランジスタの高速
化を図ることができ、さらに、試料を低温例えば２３〜
１６０℃程度の温度で保持しても不純物を導入できるの
で、通常のレジストを用いて不純物の導入処理を行なう
ことができる。

【００７８】本発明に係る不純物導入方法において、プ
ラズマ発生工程が、真空チャンバー内に１ＧＨｚ以上の
周波数を持つプラズマ発生波を導入して前記ガスよりな
るプラズマを発生させる工程を含むと、真空チャンバー
内に高密度のプラズマを発生させることができるので、
短時間で所定の濃度の不純物を半導体基板の表面部に導
入することができる。

【００７９】本発明に係る不純物導入方法において、プ
ラズマ発生工程が、真空チャンバー内に発生したプラズ
マの密度を磁界によって上げる工程を含むと、導入され
たガスのイオン化効率が向上してプラズマ密度が一層高
くなるので、より一層短時間で所定の濃度の不純物を半
導体基板の表面部に導入することができる。

【００８０】本発明に係る不純物導入方法において、タ
ーゲットに含まれる不純物がボロン及び窒素であると、
ゲート絶縁膜に導入された窒素原子が、後に行なわれる
熱処理工程においてｐ型ゲート電極に導入されたボロン
がｎ型半導体領域のチャネル領域にしみ出すことを阻止
するので、ｐ型ＭＯＳトランジスタの特性が向上する。

【００８１】本発明に係る不純物導入方法において、タ
ーゲットがボロンナイトライドを含むと、ゲート絶縁膜
に窒素原子が導入されて、ｐ型ゲート電極に導入された
ボロンがｎ型半導体領域のチャネル領域にしみ出すこと
を阻止できる。

【００８２】本発明に係る不純物導入方法において、ガ
ス導入工程において導入されるガスがアルゴンガス及び
窒素ガスを含むと、ゲート絶縁膜に窒素原子が導入され
て、ｐ型ゲート電極に導入されたボロンがｎ型半導体領
域のチャネル領域にしみ出すことを阻止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る不純物導入装置
の断面図である。

【図２】前記第１の実施形態に係る不純物導入装置及び
従来のイオン注入装置を用いて不純物を導入した場合の
試料の深さ方向の不純物プロファイルを示す図である。

【図３】本発明の第２の実施形態に係る不純物導入装置
の平面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態に係る不純物導入装置
の断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は前記第１の実施形態に係る不
純物の導入装置を用いる半導体装置の製造方法の各工程
を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は前記第２の実施形態に係る不
純物の導入装置を用いる半導体装置の製造方法の各工程
を示す断面図である。

【図７】ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜に窒素原子
を導入しない場合と導入した場合とにおけるゲート電圧
とドレイン電流との関係を示す図である。

【符号の説明】 １０ 真空チャンバー １１ シリコン基板 １２ 試料台 １３ カップリングコンデンサ １４ 高周波電源 １５ ガス導入手段 １６ ターゲット １７ 永久磁石 １８ ＥＣＲ ２１ 第１の真空チャンバー ２２ 第２の真空チャンバー ２３ 搬送室 ２４ 第１のシャッター ２５ 第２のシャッター ２６ 第３のシャッター ２７ 第１のターゲット ２８ 半導体基板 ２９ 第１の試料台 ３０ 第１のカップリングコンデンサ ３１ 第１の高周波電源 ３２ 第１のマイクロ波発生装置 ３３ 第１のガス供給装置 ３５ 第２のターゲット ３６ 半導体基板 ３７ 第２の試料台 ３８ 第２のカップリングコンデンサ ３９ 第２の高周波電源 ４１ 第２のマイクロ波発生装置 ４２ 第２のガス供給装置 ４５ 搬送装置 ４５ａ アーム １００ 半導体基板 １０１ 素子分離領域 １０２ 高濃度拡散層 １０３ 層間絶縁膜 １０４ コンタクトホール １０５ 電極 ２００ 半導体基板 ２０１ ｐ型半導体領域 ２０２ ｎ型半導体領域 ２０３ 素子分離層 ２０４ 第１のゲート絶縁膜 ２０５Ａ 第１のゲート電極 ２０５Ｂ ｎ型ゲート電極 ２０６ 第２のゲート絶縁膜 ２０７Ａ 第２のゲート電極 ２０７Ｂ ｐ型ゲート電極 ２０８ サイドウォール ２０９ ｎ型のソース・ドレイン領域 ２１０ ｐ型のソース・ドレイン領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−185918（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/265

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板等の試料に不純物を導入する
   ための不純物導入装置であって、 内部が真空状態に保持される真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に設けられており前記試料を保持
   する試料台と、 前記チャンバー内に設けられており前記不純物を含む固
   体状のターゲットと、 前記チャンバー内にスパッタリング用のガスを導入する
   ガス導入手段と、 前記チャンバー内に導入された前記ガスを励起して該ガ
   スよりなるプラズマを発生させることにより、プラズマ
   状態のガスを前記ターゲットに衝突させて該ターゲット
   に含まれる不純物をスパッタリングさせるプラズマ発生
   手段と、 前記プラズマ発生手段により発生したプラズマと前記試
   料台との間に自己バイアスを形成することにより、前記
   ターゲットからスパッタリングされた不純物を前記試料
   台に保持された試料の表面部に導入する高周波電源とを
   備え、 前記プラズマ発生手段は、前記真空チャンバーの外部に
   設けられ、前記真空チャンバー内に１ＧＨｚ以上の周波
   数を持つプラズマ発生波を導入する手段であることを 特
   徴とする不純物導入装置。
2. 【請求項２】 前記真空チャンバー内に発生したプラズ
   マの密度を上げる磁界を発生させる磁界発生手段をさら
   に備えていることを特徴とする請求項１に記載の不純物
   導入装置。
3. 【請求項３】 前記ターゲットは、前記不純物としてボ
   ロン及び窒素を含んでいることを特徴とする請求項１又
   は２に記載の不純物導入装置。
4. 【請求項４】 前記ターゲットはボロンナイトライドを
   含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物導
   入装置。
5. 【請求項５】 前記ガス導入手段により導入される前記
   ガスはアルゴンガス及び窒素ガスを含むことを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の不純物導入装置。
6. 【請求項６】 半導体基板等の試料に第１の不純物及び
   第２の不純物を導入するための不純物導入装置であっ
   て、 内部が真空状態に保持される第１の真空チャンバーと、 前記第１の真空チャンバー内に設けられており前記試料
   を保持する第１の試料台と、 前記第１のチャンバー内に設けられており前記第１の不
   純物を含む固体状の第１のターゲットと、 前記第１のチャンバー内にスパッタリング用のガスを導
   入する第１のガス導入手段と、 前記第１のチャンバー内に導入された前記ガスを励起し
   て該ガスよりなるプラズマを発生させることにより、プ
   ラズマ状態のガスを前記第１のターゲットに衝突させて
   該第１のターゲットに含まれる第１の不純物をスパッタ
   リングさせる第１のプラズマ発生手段と、 前記第１のプラズマ発生手段により発生したプラズマと
   前記第１の試料台との間に自己バイアスを形成すること
   により、前記第１のターゲットからスパッタリングされ
   た前記第１の不純物を前記第１の試料台に保持された試
   料に導入する第１の高周波電源と、 内部が真空状態に保持される第２の真空チャンバーと、 前記第２の真空チャンバー内に設けられており前記試料
   を保持する第２の試料台と、 前記第２のチャンバー内に設けられており前記第２の不
   純物を含む固体状の第２のターゲットと、 前記第２のチャンバー内にスパッタリング用のガスを導
   入する第２のガス導入手段と、 前記第２のチャンバー内に導入された前記ガスを励起し
   て該ガスよりなるプラズマを発生させることにより、該
   プラズマ状態のガスを前記第２のターゲットに衝突させ
   て該第２のターゲットに含まれる第２の不純物をスパッ
   タリングさせる第２のプラズマ発生手段と、 前記第２のプラズマ発生手段により発生したプラズマと
   前記第２の試料台との間に自己バイアスを形成すること
   により、前記第２のターゲットからスパッタリングされ
   た第２の不純物を前記第２の試料台に保持された試料に
   導入する第２の高周波電源と、 内部が真空状態に保持され、前記第１の真空チャンバー
   及び第２の真空チャンバーのそれぞれとシャッターを介
   して連通しており、前記試料を前記第１の試料台上から
   前記第２の試料台上に搬送する搬送手段を有する搬送室
   とを備え、 前記第１のプラズマ発生手段は、前記第１のチャンバー
   の外部に設けられ、前記第１のチャンバー内に１ＧＨｚ
   以上の周波数を持つプラズマ発生波を導入する手段であ
   り、 前記第２のプラズマ発生手段は、前記第２のチャンバー
   の外部に設けられ、前記第２のチャンバー内に１ＧＨｚ
   以上の周波数を持つプラズマ発生波を導入する手段であ
   る ことを特徴とする不純物導入装置。
7. 【請求項７】 半導体基板等の試料に不純物を導入する
   不純物導入方法であって、 内部が真空状態に保持された真空チャンバー内に設けら
   れた試料台に前記試料を保持させると共に、前記真空チ
   ャンバー内に前記不純物を含む固体状のターゲットを保
   持する保持工程と、 前記チャンバー内にスパッタリング用のガスを導入する
   ガス導入工程と、 前記ガス導入工程において導入された前記ガスよりなる
   プラズマを発生させることにより、プラズマ状態のガス
   を前記ターゲットに衝突させて該ターゲットに含まれる
   不純物をスパッタリングさせるプラズマ発生工程と、 前記試料台に高周波電力を印加して、前記プラズマ発生
   工程において発生したプラズマと前記試料台との間に自
   己バイアスを形成することにより、前記ターゲットから
   スパッタリングされた不純物を前記試料台に保持された
   試料に導入する不純物導入工程とを備え、 前記プラズマ発生工程は、前記真空チャンバー内に１Ｇ
   Ｈｚ以上の周波数を持つプラズマ発生波を導入して前記
   ガスよりなるプラズマを発生させる工程を含む ことを特
   徴とする不純物導入方法。
8. 【請求項８】 前記プラズマ発生工程は、前記真空チャ
   ンバー内に発生したプラズマの密度を上げる工程を含む
   ことを特徴とする請求項７に記載の不純物導入方法。
9. 【請求項９】 前記ターゲットに含まれる不純物はボロ
   ン及び窒素であることを特徴とする請求項７又は８に記
   載の不純物導入方法。
10. 【請求項１０】 前記ターゲットはボロンナイトライド
    を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の不純物
    導入方法。
11. 【請求項１１】 前記ガス導入工程において導入される
    前記ガスはアルゴンガス及び窒素ガスを含むことを特徴
    とする請求項７又８に記載の不純物導入方法。