JP3340060B2 - Semiconductor inspection equipment - Google Patents

Semiconductor inspection equipment

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JP3340060B2
JP3340060B2 JP25578697A JP25578697A JP3340060B2 JP 3340060 B2 JP3340060 B2 JP 3340060B2 JP 25578697 A JP25578697 A JP 25578697A JP 25578697 A JP25578697 A JP 25578697A JP 3340060 B2 JP3340060 B2 JP 3340060B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置に係
り、特に球状接続端子を有する半導体チップ及び半導体
装置(被検査装置)の検査に用いて好適な半導体検査装
置に関する。近年、半導体装置の高密度化,高速化,小
型化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケ
ージに封止されていない半導体チップ(いわゆるベアチ
ップ)又はBGA(Ball Grid Array)構造の半導体装置
を回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用され
るようになってきている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor inspection device, and more particularly to a semiconductor inspection device suitable for use in inspecting a semiconductor chip having a spherical connection terminal and a semiconductor device (device to be inspected). 2. Description of the Related Art In recent years, high density, high speed, and miniaturization of semiconductor devices have been demanded. In order to meet this demand, a semiconductor chip (so-called bare chip) or a semiconductor having a BGA (Ball Grid Array) structure which is not sealed in a package. A mounting method of mounting a plurality of devices directly on a circuit board has been frequently used.

【0002】この実装方法においては、例えば複数個配
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。
In this mounting method, if, for example, one of a plurality of bare chips or semiconductor devices is defective, the entire device becomes defective, so that each bare chip or semiconductor device has high reliability. Required. Therefore, inspection for checking whether individual bare chips or semiconductor devices function normally has become an important issue.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来より、下面に球状に突出する球状接
続端子を有する半導体装置(以下、樹脂封止されていな
いベアチップ及び樹脂封止された半導体装置を総称して
「半導体装置」という)の検査方法として種々の検査方
法が提案されており、また実施されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device having a spherical connection terminal projecting spherically on a lower surface thereof (hereinafter, a bare chip and a resin-sealed semiconductor device which are not resin-sealed) is generally referred to as a "semiconductor device". Various inspection methods have been proposed and implemented as inspection methods.

【0004】この種の半導体装置の電気的動作検査を行
う場合、球状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、球状接続端子をできるだけ変質させずに各球状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、さ
らに検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要
求されている。従来の半導体検査装置としては、例えば
半導体用テストソケットを使用したものがある。この半
導体用テストソケットは、プローブ(検査針)を用いて
半導体装置の電気的動作を検査する構成となっている。
この検査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の
球状接続端子に対応するよう検査用基板に複数のプロー
ブを配設しておき、このプローブの先端を直接球状接続
端子に接触させることにより検査を行う検査方法であ
る。
When an electrical operation test of a semiconductor device of this kind is performed, an inspection needle of an inspection device is brought into contact with the spherical connection terminal. Therefore, the electrical connection of each spherical connection terminal is inspected without deteriorating the spherical connection terminal as much as possible. In addition, it is required that the reliability of the inspection is high and the cost is low. 2. Description of the Related Art As a conventional semiconductor inspection apparatus, for example, there is an apparatus using a semiconductor test socket. The semiconductor test socket is configured to inspect the electrical operation of the semiconductor device using a probe (inspection needle).
In this inspection method, a plurality of probes are arranged on an inspection substrate so as to correspond to a plurality of spherical connection terminals formed on the lower surface of the semiconductor device, and the tip of the probe is brought into direct contact with the spherical connection terminal. This is an inspection method for performing an inspection.

【0005】すなわち、半導体用テストソケットは、半
導体装置の複数の球状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはU字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の球状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して球状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。
That is, the semiconductor test socket has a plurality of probes provided in the same arrangement as the plurality of spherical connection terminals of the semiconductor device, and the probes have a U-shaped bent portion. ing. When the tip of the probe comes into contact with the spherical connection terminal of the semiconductor device and is pressed, the bent portion is deformed to reduce damage to the spherical connection terminal.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たプローブ検査法により半導体装置の電気的な検査を行
う場合、球状接続端子の高さにバラツキがあるため、プ
ローブの先端との接続が十分でない場合が発生し、検査
精度が低下してしまうおそれがあるという問題点があっ
た。
However, when an electrical inspection of a semiconductor device is performed by the above-described probe inspection method, the connection with the tip of the probe is not sufficient because the height of the spherical connection terminals varies. And there is a problem that the inspection accuracy may be reduced.

【0007】また、プローブにはU字状に曲げられた撓
み部分が設けられているものの、プローブの先端が球状
接続端子に当接したとき、半田により形成された球状接
続端子を変形させてしまうおそれがあった。本発明は上
記の点に鑑みてなされたものであり、球状接続端子を有
する被検査装置の検査を高い信頼性をもって、かつ球状
接続端子を変形させることなく実施しうる半導体検査装
置を提供することを目的とする。
Further, although the probe has a bent portion bent in a U-shape, when the tip of the probe comes into contact with the spherical connection terminal, the spherical connection terminal formed by solder is deformed. There was a fear. The present invention has been made in view of the above points, and provides a semiconductor inspection apparatus capable of performing inspection of a device to be inspected having a spherical connection terminal with high reliability and without deforming the spherical connection terminal. With the goal.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴と
するものである。請求項1記載の発明では、球状接続端
子を有する被検査装置に対して試験を行う半導体検査装
置において、前記球状接続端子と対応する位置に開口部
が形成された絶縁基板と、少なくとも前記球状接続端子
が接続される接続部が変形可能な構成で、前記絶縁基板
上に形成される配線が前記開口部に延出した構成とされ
たコンタクト部材とを具備したことを特徴とするもので
ある。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention is characterized by taking the following means. In the invention of claim 1, wherein, in the semiconductor testing device for testing against the inspection device having spherical connection terminals, an insulating substrate in which an opening is formed at a position corresponding to said spherical connection terminals, at least the spherical connection Terminal
The connection portion to which is connected is deformable, and the insulating substrate
The wiring formed thereon is configured to extend to the opening.
And a contact member .

【0009】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載の半導体検査装置において、前記接続部は、前
記開口部の一方のみから延出する片持ち梁状の形状を有
する構成としたことを特徴とするものである。また、請
求項3記載の発明では、前記請求項1記載の半導体検査
装置において、前記接続部は、両端部が前記開口部の互
いに対向する位置に固定された両端支持梁状の形状を有
する構成としたことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor inspection apparatus according to the first aspect, the connecting portion has a cantilever shape extending from only one of the openings. It is characterized by the following. According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor inspection apparatus according to the first aspect, the connecting portion has a beam-shaped support at both ends which is fixed to a position of the opening facing each other. It is characterized by having.

【0010】また、請求項4記載の発明では、 球状接続
端子を有する被検査装置に対して試験を行う半導体検査
装置において、前記球状接続端子と対応する位置に開口
部が形成された絶縁基板と、前記絶縁基板の前記開口部
近傍位置に固定され、少なくとも前記球状接続端子が接
続される接続部が変形可能な構成で前記開口部に延出し
た構成とされたコンタクト部材とを具備したことを特徴
とするものである。また、請求項5記載の発明では、
記請求項4記載の半導体検査装置において、前記接続部
をワイヤにより構成したことを特徴とするものである。
また、請求項6記載の発明では、前記請求項1記載の半
導体検査装置において、前記接続部にスリット部を単数
または複数形成したことを特徴とするものである。
Further , according to the fourth aspect of the invention, a spherical connection is provided.
Semiconductor inspection for testing equipment under inspection with terminals
In the device, an opening is provided at a position corresponding to the spherical connection terminal.
An insulating substrate formed with a portion, and the opening of the insulating substrate
Fixed at a nearby position and at least the spherical connection terminal
The connected part extends to the opening in a deformable configuration
And a contact member having a configuration as described above.
It is assumed that. Further, in the fifth aspect of the present invention, prior to
The semiconductor inspection apparatus according to claim 4 , wherein the connection portion is formed by a wire.
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor inspection apparatus of the first aspect, one or more slit portions are formed in the connection portion.

【0011】また、請求項7記載の発明では、前記請求
項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記接続部の少なくとも前記球状接続端子と接続
する領域を粗面としたことを特徴とするものである。ま
た、請求項8記載の発明では、前記請求項1乃至7のい
ずれか1項に記載の半導体検査装置において、更に、弾
性変形可能な材料により形成され、少なくとも前記接続
部を支持する構成とされた補強材を設けたことを特徴と
するものである。
[0011] In the invention of claim 7, wherein the billing
Item 7. The semiconductor inspection device according to any one of Items 1 to 6 , wherein at least a region of the connection portion connected to the spherical connection terminal has a rough surface. According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor inspection apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the semiconductor inspection apparatus is further formed of an elastically deformable material and configured to support at least the connection part. Characterized in that a reinforcing material is provided.

【0012】また、請求項9記載の発明では、前記請求
項8記載の半導体検査装置において、前記補強材として
異方性導電性ゴムを用いたことを特徴とするものであ
る。また、請求項10記載の発明では、前記請求項8
載の半導体検査装置において、前記補強材として網状弾
性体を用いたことを特徴とするものである。
[0012] According to the ninth aspect of the present invention, the above-mentioned claim is provided.
Item 9. The semiconductor inspection device according to Item 8 , wherein an anisotropic conductive rubber is used as the reinforcing material. According to a tenth aspect of the present invention, in the semiconductor inspection apparatus according to the eighth aspect, a reticulated elastic body is used as the reinforcing member.

【0013】更に、請求項11記載の発明では、前記
求項8記載の半導体検査装置において、前記補強材とし
て内部に液体或いは気体を内包したチューブ状部材であ
ることを特徴とするものである。上記した各手段は、次
のように作用する。
Further, in the invention according to claim 11 , the contract
9. The semiconductor inspection apparatus according to claim 8 , wherein the reinforcing member is a tubular member containing a liquid or gas inside. Each of the means described above operates as follows.

【0014】請求項1及び請求項4記載の発明によれ
ば、球状接続端子に大きさにバラツキがあったとして
も、接続部が変形することによりこのバラツキを吸収す
ることができる。よって、全ての球状接続端子を確実に
コンタクト部材に接続することができ、試験の信頼性を
向上させることができる。
According to the first and fourth aspects of the present invention, even if the spherical connection terminals vary in size, the variation can be absorbed by deforming the connection portion. Therefore, all the spherical connection terminals can be reliably connected to the contact members, and the reliability of the test can be improved.

【0015】また、接続部が球状接続端子と接続する際
に接続部が変形することにより、接続部と球状接続端子
との間には摺動が発生する。よって、接続部及び球状接
続端子の表面に酸化膜や塵埃が存在していても、上記の
摺動により酸化膜や塵埃を除去するワイピング効果を得
ることができる。また、請求項2記載の発明によれば、
接続部を開口部の一方のみから延出する片持ち梁状の形
状とすることにより、接続部の変位を大きくとることが
でき、接続部と球状接続端子との接触面積は大きくな
り、よって電気的接続を確実に行うことができる。
Further, when the connection portion is connected to the spherical connection terminal, the connection portion is deformed, so that sliding occurs between the connection portion and the spherical connection terminal. Therefore, even if an oxide film or dust exists on the surface of the connection portion and the spherical connection terminal, a wiping effect of removing the oxide film or dust by the above-described sliding can be obtained. According to the second aspect of the present invention,
By forming the connection portion in a cantilever shape extending from only one of the openings, the displacement of the connection portion can be increased, and the contact area between the connection portion and the spherical connection terminal is increased, so that the electric power is increased. Connection can be reliably performed.

【0016】また、請求項3記載の発明によれば、接続
部を両端支持梁状の形状としたことにより、接続部の強
度を高めることができ、経時的な使用により接続部が劣
化することを防止することができる。また、請求項5
載の発明によれば、接続部をワイヤにより構成すること
により、ワイヤボンディング技術を用いて接続部を形成
することが可能となり、接続部の形成性を向上できると
共に、低コスト化を図ることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the connecting portion has the shape of a support beam at both ends, the strength of the connecting portion can be increased, and the connecting portion is deteriorated by use over time. Can be prevented. According to the fifth aspect of the present invention, since the connecting portion is formed of a wire, the connecting portion can be formed by using a wire bonding technique, so that the formability of the connecting portion can be improved and the cost can be reduced. Can be achieved.

【0017】また、請求項6記載の発明によれば、接続
部にスリット部を単数または複数形成したことにより、
接続部の変形性を向上させることができ、球状接続端子
の高さバラツキを有効に吸収することができる。また、
接続部と球状接続端子との接触面積が増大するため、電
気的接続性の向上を図ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, a single or a plurality of slits are formed in the connecting portion.
The deformability of the connection portion can be improved, and the height variation of the spherical connection terminal can be effectively absorbed. Also,
Since the contact area between the connection portion and the spherical connection terminal increases, electrical connectivity can be improved.

【0018】また、請求項7記載の発明によれば、接続
部の少なくとも球状接続端子と接続する領域を粗面とし
たことにより、形成された粗面は微細な凹凸が形成され
た状態となりその表面積は広くなり、また微細な凸部は
球状接続端子に食い込む状態となるため、接続部と球状
接続端子との電気的接続性を向上させることができる。
According to the seventh aspect of the present invention, at least a region of the connection portion connected to the spherical connection terminal is made rough, so that the formed rough surface is in a state where fine irregularities are formed. The surface area is widened, and the fine projections bite into the spherical connection terminal, so that the electrical connection between the connection portion and the spherical connection terminal can be improved.

【0019】また、請求項8記載の発明によれば、少な
くとも接続部を支持する弾性変形可能な補強材を設けた
ことにより、検査の安定性を向上することができる。こ
れについて説明すると、球状接続端子の高さバラツキを
吸収するためには接続部を変形させる必要があり、よっ
て接続部におけるコンタクト部材を薄く形成する必要が
ある。これに対し、コンタクト部材の開口部以外の位置
は絶縁基板に支持されているため、コンタクト部材の機
械的強度は維持されている。
According to the eighth aspect of the present invention, the provision of the elastically deformable reinforcing member for supporting at least the connecting portion can improve the stability of the inspection. To explain this, it is necessary to deform the connection portion in order to absorb the height variation of the spherical connection terminal, and it is necessary to make the contact member in the connection portion thin. On the other hand, positions other than the opening of the contact member are supported by the insulating substrate, so that the mechanical strength of the contact member is maintained.

【0020】また、接続部は球状接続端子と電気的に接
続させる必要があり、よって絶縁基板の接続部と対向す
る位置には開口部が形成されている。従って、上記のよ
うに変形させるために薄く形成された接続部が開口部に
露出した構成となり、接続部の機械的強度は低下する。
しかるに補強材設け、この補強材により接続部を支持す
ることにより、接続部に強い力が印加されたような場合
でも補強材により接続部を保護することができる。これ
により、接続部に永久変形が発生することを防止するこ
とができ、よって常に安定した検査を実施することが可
能となる。
Further, the connection portion needs to be electrically connected to the spherical connection terminal, so that an opening is formed at a position of the insulating substrate facing the connection portion. Therefore, the connecting portion formed thin to deform as described above is exposed to the opening, and the mechanical strength of the connecting portion is reduced.
However, by providing a reinforcing material and supporting the connecting portion with the reinforcing material, the connecting portion can be protected by the reinforcing material even when a strong force is applied to the connecting portion. As a result, it is possible to prevent permanent deformation from occurring in the connection portion, and thus it is possible to always perform a stable inspection.

【0021】また、請求項9記載の発明によれば、補強
材として異方性導電性ゴムを用いたことにより、異方性
導電性ゴムは接続部を機械的に補強する機能と、接続部
と電気的に接続する電気的な機能とを有している。よっ
て、上記の機械的な機能により接続部の永久変形を防止
できると共に、電気的な機能により半導体検査装置の配
線の自由度を向上を図ることができる。
According to the ninth aspect of the present invention, since the anisotropic conductive rubber is used as the reinforcing material, the anisotropic conductive rubber has a function of mechanically reinforcing the connecting portion and a function of reinforcing the connecting portion. And an electrical function for electrical connection. Therefore, permanent deformation of the connection portion can be prevented by the above mechanical function, and the degree of freedom of wiring of the semiconductor inspection device can be improved by the electrical function.

【0022】また、請求項10記載の発明によれば、補
強材として網状弾性体を用いたことにより、補強材の配
設スペースを小さくすることができ、よって半導体検査
装置の小型化を図ることができる。また、ブロック状の
補強材に比べてコスト低減を図ることができる。更に、
請求項11記載の発明によれば、補強材として内部に液
体或いは気体を内包したチューブ状部材を用いたことに
より、チューブ状部材に充填する液体或いは気体の量を
調整することにより補強材に発生させる弾性力を調整す
ることができる。よって、球状接続端子の高さバラツキ
を確実に吸収し、かつ接続部に不要な変形を発生させな
い適宜な弾性力を発生することが可能となる。
According to the tenth aspect of the present invention, the use of the net-like elastic body as the reinforcing member makes it possible to reduce the space in which the reinforcing member is provided, and to reduce the size of the semiconductor inspection apparatus. Can be. Further, the cost can be reduced as compared with a block-shaped reinforcing material. Furthermore,
According to the eleventh aspect of the present invention, by using a tubular member having a liquid or gas inside as a reinforcing member, the reinforcing member is generated by adjusting the amount of liquid or gas filling the tubular member. The elastic force to be applied can be adjusted. Therefore, it is possible to reliably absorb variations in height of the spherical connection terminal and generate an appropriate elastic force that does not cause unnecessary deformation of the connection portion.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1及び図2は、本発明の第1
実施例である半導体検査装置10Aを説明するための図
である。図1は半導体検査装置10Aの側断面図であ
り、図2は半導体検査装置10Aの底面図である。本実
施例に係る半導体検査装置10Aは、大略すると絶縁基
板14とコンタクト部材18とにより構成されている。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show the first embodiment of the present invention.
It is a figure for explaining semiconductor inspection equipment 10A which is an example. FIG. 1 is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10A, and FIG. 2 is a bottom view of the semiconductor inspection device 10A. The semiconductor inspection apparatus 10A according to the present embodiment is roughly composed of an insulating substrate 14 and a contact member 18.

【0024】この半導体検査装置10Aは、図示される
ように半導体装置1が装着され、この装着状態において
被試験装置に対して電気的動作検査を行う時に用いられ
るものである。また、半導体検査装置10Aが試験の対
象とする被試験装置は、外部接続端子として球状接続端
子2(以下、バンプという)を有した装置である。尚、
以下の説明では、被試験装置としてバンプ2を有した半
導体装置1を用いた例を主として示すが、以下各実施例
で説明する半導体検査装置は、外部接続端子として球状
接続端子を有した各種装置(例えば、ベアチップ,ウェ
ーハ等)の検査に適用できるものである。
This semiconductor inspection apparatus 10A is used when the semiconductor device 1 is mounted as shown in the figure and an electrical operation test is performed on the device under test in this mounted state. The device under test to be tested by the semiconductor inspection device 10A is a device having a spherical connection terminal 2 (hereinafter, referred to as a bump) as an external connection terminal. still,
In the following description, an example in which the semiconductor device 1 having the bumps 2 is mainly used as the device under test will be described. However, the semiconductor inspection device described in each of the following embodiments is a device having a spherical connection terminal as an external connection terminal. (For example, bare chips, wafers, etc.).

【0025】以下、半導体検査装置10Aの具体的構成
について説明する。絶縁基板14はポリイミド等の絶縁
樹脂材料により形成されたフィルム状の部材であり、よ
って若干の可撓性を有している。この絶縁基板14には
複数の開口部16が形成されており、この開口部16の
形成位置は、半導体装置1に形成されたバンプ2の配設
位置と対応するよう構成されている。
Hereinafter, a specific configuration of the semiconductor inspection apparatus 10A will be described. The insulating substrate 14 is a film-shaped member formed of an insulating resin material such as polyimide, and thus has some flexibility. A plurality of openings 16 are formed in the insulating substrate 14, and the positions where the openings 16 are formed correspond to the positions where the bumps 2 formed on the semiconductor device 1 are arranged.

【0026】よって、絶縁基板14と半導体装置1とを
位置決めした状態では、絶縁基板14に形成された各開
口部16とバンプ2とは対向した状態となる。また、開
口部16の大きさは、バンプ2の径寸法より若干量大き
く設定されており、よって半導体装置1を半導体検査装
置10Aに装着する際、開口部16はバンプ2の案内孔
としても機能する。
Therefore, when the insulating substrate 14 and the semiconductor device 1 are positioned, each opening 16 formed in the insulating substrate 14 and the bump 2 are in a state of facing each other. The size of the opening 16 is set to be slightly larger than the diameter of the bump 2. Therefore, when the semiconductor device 1 is mounted on the semiconductor inspection apparatus 10 </ b> A, the opening 16 also functions as a guide hole for the bump 2. I do.

【0027】一方、コンタクト部材18は例えば銅(C
u)膜であり、メッキ法,蒸着法,エッチング法,ホト
リソグラフィ技術等の薄膜形成技術を用いて所定のパタ
ーンに形成されている。このコンタクト部材18は、一
体的に形成された配線部20,端子部22,及び接続部
24A等により構成されている。端子部22は、例えば
図3に示されるように、検査用ボードと半導体検査装置
10Aとを電気的に接続する接続ピン42が接続される
部位であり、通常絶縁基板14の外周縁近傍に形成され
ている。また、接続部24Aは半導体装置1のバンプ2
と電気的に接続される部位であり、よってバンプ2の形
成位置に対応する位置に設けられている。配線部20
は、上記の端子部22と接続部24Aとを接続する機能
を奏している。
On the other hand, the contact member 18 is made of, for example, copper (C
u) a film formed in a predetermined pattern using a thin film forming technique such as a plating method, a vapor deposition method, an etching method, and a photolithography technique. The contact member 18 includes a wiring portion 20, a terminal portion 22, a connecting portion 24A, and the like, which are integrally formed. For example, as shown in FIG. 3, the terminal portion 22 is a portion to which a connection pin 42 that electrically connects the inspection board and the semiconductor inspection device 10 </ b> A is connected. Have been. The connection portion 24A is connected to the bump 2 of the semiconductor device 1.
And is provided at a position corresponding to the formation position of the bump 2. Wiring unit 20
Has the function of connecting the terminal portion 22 and the connection portion 24A.

【0028】接続部24Aは、図2に示されるように、
バンプ2の形状に対応すべく略円形形状とされており、
その中央部分にはスリット26Aが形成されている。本
実施例では、このスリット26の形状は十字形状とされ
ている。また、前記したように、接続部24Aの形成位
置はバンプ2の形成位置に対応しているため、よって絶
縁基板14に形成された開口部16の形成位置にも対応
している。
As shown in FIG. 2, the connecting portion 24A
It has a substantially circular shape to correspond to the shape of the bump 2,
A slit 26A is formed in the center portion. In this embodiment, the shape of the slit 26 is a cross shape. Further, as described above, since the formation position of the connection portion 24A corresponds to the formation position of the bump 2, it also corresponds to the formation position of the opening 16 formed in the insulating substrate 14.

【0029】即ち、接続部24Aの形成位置において
は、絶縁基板14は形成されておらず、開口部16より
接続部24Aが延出(露出)した構成となっている。従
って、半導体装置1が半導体検査装置10Aに装着され
ると、バンプ2は開口部16を介して接続部24Aと電
気的に接続する。この際、上記のように接続部24Aの
形成位置においては、絶縁基板14は形成されておら
ず、また接続部24Aの中央位置にはスリット26Aが
形成されている。よって、接続部24Aはバンプ2に押
されることにより、容易に変形可能な構成となってい
る。
That is, the insulating substrate 14 is not formed at the position where the connecting portion 24A is formed, and the connecting portion 24A extends (exposes) from the opening 16. Therefore, when the semiconductor device 1 is mounted on the semiconductor inspection device 10A, the bump 2 is electrically connected to the connection portion 24A through the opening 16. At this time, as described above, the insulating substrate 14 is not formed at the formation position of the connection portion 24A, and the slit 26A is formed at the center position of the connection portion 24A. Therefore, the connection portion 24A is configured to be easily deformed by being pressed by the bump 2.

【0030】続いて、上記構成とされた半導体検査装置
10Aを用いて半導体装置1に対し検査を行う方法につ
いて説明する。半導体装置1に対して検査を行うには、
半導体装置1に設けられているバンプ2と、半導体検査
装置10Aに形成されている接続部24A(開口部1
6)とを位置決めし、続いて半導体装置1を半導体検査
装置10Aに押圧してバンプ2と接続部24Aとを接続
させる。半導体検査装置10Aには、図示しない半導体
検査用テスターが接続されており、よって半導体検査装
置10Aに装着された状態で半導体装置1に対し電気的
動作検査が実施される。
Next, a method of inspecting the semiconductor device 1 using the semiconductor inspection device 10A having the above configuration will be described. To perform an inspection on the semiconductor device 1,
The bump 2 provided on the semiconductor device 1 and the connecting portion 24A (opening 1) formed on the semiconductor inspection device 10A.
6), and then the semiconductor device 1 is pressed against the semiconductor inspection device 10A to connect the bump 2 to the connection portion 24A. A semiconductor inspection tester (not shown) is connected to the semiconductor inspection apparatus 10A, so that an electrical operation inspection is performed on the semiconductor device 1 while the semiconductor inspection apparatus is mounted on the semiconductor inspection apparatus 10A.

【0031】上記のように、半導体検査装置10Aに対
する半導体装置1の装着処理は極めて簡単である。よっ
て、半導体検査装置10Aに対する半導体装置1の装着
処理を容易に行なうことができる。また、バンプ2が接
続される接続部24Aは、変形可能な構成とされてい
る。よって、バンプ2の大きさ(即ち、バンプ高さ)に
バラツキがあったとしても、接続部24Aが変形するこ
とにより、このバラツキを吸収することができる。よっ
て、全てのバンプ2を確実に接続部24A(コンタクト
部材18)に接続することができ、試験の信頼性を向上
させることができる。
As described above, the process of mounting the semiconductor device 1 on the semiconductor inspection device 10A is extremely simple. Therefore, mounting processing of semiconductor device 1 to semiconductor inspection device 10A can be easily performed. The connecting portion 24A to which the bump 2 is connected has a deformable configuration. Therefore, even if there is a variation in the size of the bump 2 (that is, the bump height), the variation can be absorbed by the deformation of the connecting portion 24A. Therefore, all the bumps 2 can be reliably connected to the connection portion 24A (contact member 18), and the reliability of the test can be improved.

【0032】また、図1に示されるように、接続部24
Aがバンプ2と接続する際に接続部24Aは変形する
が、この接続部24Aの変形により接続部24Aとバン
プ2との間には摺動が発生する。従って、接続部24A
及びバンプ2の表面に酸化膜や塵埃が存在していても、
上記の摺動により酸化膜や塵埃は擦り取られ除去される
(これをワイピング効果という)。
Also, as shown in FIG.
When A is connected to the bump 2, the connecting portion 24A is deformed, but the deformation of the connecting portion 24A causes sliding between the connecting portion 24A and the bump 2. Therefore, the connection portion 24A
And even if an oxide film or dust exists on the surface of the bump 2,
Oxide film and dust are scraped and removed by the above-mentioned sliding (this is called a wiping effect).

【0033】これにより、常に接続部24A及びバンプ
2の表面を良好な状態とすることができ、半導体検査装
置10Aについては検査精度の向上を図ることができ、
また半導体装置1については実装の信頼性を向上するこ
とができる。更に、半導体装置1が半導体検査装置10
Aに装着された状態では、図1に示されるように、接続
部24Aはバンプ2の外形に沿って変形する。これによ
り接続部24Aとバンプ2との接触面積は増大し、よっ
て電気的な接続を確実に行うことができる。尚、上記し
た本実施例による作用効果は、後述する各実施例におい
ても同様に発生するものである。
As a result, the surface of the connection portion 24A and the surface of the bump 2 can be always kept in a good state, and the inspection accuracy of the semiconductor inspection device 10A can be improved.
In addition, the mounting reliability of the semiconductor device 1 can be improved. Further, the semiconductor device 1 is a semiconductor inspection device 10
In the state of being mounted on A, the connecting portion 24A is deformed along the outer shape of the bump 2 as shown in FIG. As a result, the contact area between the connection portion 24A and the bump 2 is increased, so that electrical connection can be reliably performed. The operation and effect of the present embodiment described above also occur in each of the embodiments described later.

【0034】図3は、第1実施例に係る半導体検査装置
10Aを半導体装置1を検査する際に用いる検査用ソケ
ット30Aに適用したものである。半導体検査装置10
Aは、検査用ソケット30Aを構成する本体部32内に
配設されている。この本体部32には軸36により蓋部
34が回動可能に取り付けられており、この蓋部34は
ロック爪38により閉蓋位置にロックされる構成となっ
ている(図3は、このロック状態を示す)。
FIG. 3 shows a case where the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment is applied to an inspection socket 30A used when inspecting the semiconductor device 1. Semiconductor inspection device 10
A is disposed in the main body 32 constituting the inspection socket 30A. A lid 34 is rotatably attached to the main body 32 by a shaft 36, and the lid 34 is configured to be locked in a closed position by a lock claw 38 (FIG. State).

【0035】このロック状態では、蓋部34は装着され
た半導体装置1を半導体検査装置10Aに向け押圧し、
これにより前記のように半導体装置1に形成されたバン
プ2は半導体検査装置10Aに形成された接続部24A
と接続する。半導体検査装置10Aは、端子部22,接
続ピン42を介して検査用ボード40に接続されてい
る。よって、半導体装置1に対して所定の検査を行なう
ことができる。
In this locked state, the lid 34 presses the mounted semiconductor device 1 toward the semiconductor inspection device 10A,
As a result, the bumps 2 formed on the semiconductor device 1 as described above are connected to the connection portions 24A formed on the semiconductor inspection device 10A.
Connect with The semiconductor inspection device 10A is connected to an inspection board 40 via a terminal portion 22 and a connection pin 42. Therefore, a predetermined test can be performed on semiconductor device 1.

【0036】尚、本実施例に係る半導体検査装置10A
の適用は、図3に示す半導体装置1の検査に限定される
ものではなく、図4及び図5に示されるウェーハコンタ
クタ44A,44Bにも適用できるものである。このウ
ェーハコンタクタ44A,44Bは、所定の電子回路が
形成された後にバンプ2が形成されたウェーハ3に対し
検査を行なう時に用いるものである。ウェーハコンタク
タ44A,44Bは、ウェーハ3を保持するウェーハホ
ルダ46とベース48とにより構成されている。
The semiconductor inspection apparatus 10A according to the present embodiment
Is not limited to the inspection of the semiconductor device 1 shown in FIG. 3, but can also be applied to the wafer contactors 44A and 44B shown in FIGS. The wafer contactors 44A and 44B are used when inspecting the wafer 3 on which the bumps 2 are formed after a predetermined electronic circuit is formed. Each of the wafer contactors 44A and 44B includes a wafer holder 46 for holding the wafer 3 and a base 48.

【0037】ウェーハ3はウェーハホルダ46にバンプ
2を上側となるよう配設され、その上に半導体検査装置
10Aが装着される。続いて、その上部にベース48が
配設されている。この際、ベース48はウェーハホルダ
46に対して小さい形状とされているため、半導体検査
装置10Aに形成されたコンタクト部材18の端子部2
2はベース48の外部に露出した状態となる。
The wafer 3 is disposed on the wafer holder 46 with the bumps 2 facing upward, and the semiconductor inspection apparatus 10A is mounted thereon. Subsequently, a base 48 is provided on the upper part. At this time, since the base 48 has a small shape with respect to the wafer holder 46, the terminal 2 of the contact member 18 formed in the semiconductor inspection apparatus 10A is formed.
2 is exposed to the outside of the base 48.

【0038】このように露出された端子部22に対し、
図4に示されるウェーハコンタクタ44Aでは接触子5
0が電気的に接続され、また図5に示されるウェーハコ
ンタクタ44Bではコネクタ52が電気的に接続される
ことにより、ウェーハ3に対し検査が行なわれる。この
ように、本実施例に係る半導体検査装置10Aは、ウェ
ーハ3に対し検査についても適用することが可能であ
り、上記したと同等の効果を実現することができる。
尚、以下説明する各実施例についても同様である。
With respect to the terminal portion 22 thus exposed,
In the wafer contactor 44A shown in FIG.
0 is electrically connected, and in the wafer contactor 44B shown in FIG. 5, the inspection is performed on the wafer 3 by electrically connecting the connector 52. As described above, the semiconductor inspection apparatus 10A according to the present embodiment can be applied to the inspection of the wafer 3 and can achieve the same effects as described above.
The same applies to each of the embodiments described below.

【0039】続いて、本発明の第2実施例について説明
する。図6は、本発明の第2実施例である半導体検査装
置10Bを示している。図6(A)は半導体検査装置1
0Bの側断面図であり、図6(B)は半導体検査装置1
0Bの底面図である。尚、図6において、図1及び図2
に示した第1実施例に係る半導体検査装置10Aと同一
構成については同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 shows a semiconductor inspection device 10B according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6A shows a semiconductor inspection device 1.
FIG. 6B is a side cross-sectional view of FIG.
It is a bottom view of 0B. In FIG. 6, FIGS.
The same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIG.

【0040】本実施例に係る半導体検査装置10Bは、
接続部24Bを開口部16の一方のみから延出する片持
ち梁状の形状とすると共に、接続部24Bの少なくとも
バンプ2と接続する領域に粗面35を形成したことを特
徴とするものである。このように、接続部24Bを片持
ち梁状の形状とすることにより、接続部24Bの変位を
大きくとることができ、よってバンプ2の高さバラツキ
が大きい場合であっても確実にこれを吸収することがで
き、信頼性の高い検査を行なうことが可能となる。ま
た、接続時において接続部24Bが大きく変位するた
め、接続部24Bとバンプ2との接触面積が大きくな
り、よって接続部24Bとバンプ2の電気的接続を確実
に行うことができる。
The semiconductor inspection apparatus 10B according to the present embodiment
The connecting portion 24B has a cantilever shape extending from only one of the openings 16, and a rough surface 35 is formed at least in a region of the connecting portion 24B connected to the bump 2. . In this manner, by forming the connecting portion 24B in a cantilever shape, the displacement of the connecting portion 24B can be made large, so that even when the height variation of the bumps 2 is large, this can be reliably absorbed. And a highly reliable inspection can be performed. In addition, since the connecting portion 24B is largely displaced during connection, the contact area between the connecting portion 24B and the bump 2 is increased, so that the electrical connection between the connecting portion 24B and the bump 2 can be reliably performed.

【0041】更に、接続部24Bの少なくともバンプ2
と接続する領域を粗面25としたことによっても、接続
部24Bとバンプ2の電気的接続を確実に行うことがで
きる。即ち、粗面25は微細な凹凸が形成された状態と
なっているため、その表面積は広くなっている。また、
微細な凸部は、バンプ2が接続部24Bに摺接した際に
バンプ2に食い込んだ状態となる。よって、接続部24
Bとバンプ2との電気的接続性を向上させることができ
る。
Further, at least the bump 2 of the connecting portion 24B
Even if the region to be connected to the bumps 2 is formed as the rough surface 25, the electrical connection between the connection portion 24B and the bump 2 can be reliably performed. That is, since the rough surface 25 is in a state in which fine irregularities are formed, the surface area is large. Also,
The fine projections are in a state of being cut into the bumps 2 when the bumps 2 are in sliding contact with the connection portions 24B. Therefore, the connection portion 24
The electrical connectivity between B and the bumps 2 can be improved.

【0042】尚、粗面25を形成する方法としては、例
えば化学薬品により接続部24Bの表面を処理する方
法、或いはブラスト加工を用いる方法等が考えられる。
続いて、本発明の第3実施例について説明する。図7
は、本発明の第3実施例である半導体検査装置10Cを
示している。図7(A)は半導体検査装置10Cの側断
面図であり、図7(B)は半導体検査装置10Cの要部
底面図である。尚、図7においても、図1及び図2に示
した第1実施例に係る半導体検査装置10Aと同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
As a method of forming the rough surface 25, for example, a method of treating the surface of the connection portion 24B with a chemical, a method of using blasting, and the like are considered.
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG.
Shows a semiconductor inspection apparatus 10C according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7A is a side sectional view of the semiconductor inspection apparatus 10C, and FIG. 7B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection apparatus 10C. In FIG. 7, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0043】本実施例に係る半導体検査装置10Cは、
接続部24Cを一対の片持ち梁部56により構成したこ
とを特徴とするものである。具体的には、接続部24C
には環状部54が形成されており、、図7(B)に示さ
れるように、この環状部56の対向する位置より、中央
部分に向けて一対の片持ち梁部56が延出した構成とさ
れている。
The semiconductor inspection apparatus 10C according to the present embodiment
The connecting portion 24C is constituted by a pair of cantilever portions 56. Specifically, the connection portion 24C
Is formed with a pair of cantilever portions 56 extending toward a central portion from a position opposed to the annular portion 56 as shown in FIG. 7B. It has been.

【0044】本実施例の構成によれば、半導体装置1の
装着時にバンプ2に付勢されて変形する片持ち梁部56
の変形量は、第1実施例に係る接続部24Aよりは大き
く、かつ第2実施例に係る接続部24Bよりは小さくな
る。よって、バンプ2の高さバラツキに予想が付く場合
には、適宜第1乃至第3の実施例の構成を選定すること
ができる。
According to the structure of this embodiment, the cantilever portion 56 that is urged by the bump 2 and deformed when the semiconductor device 1 is mounted.
Is larger than the connecting portion 24A according to the first embodiment and smaller than the connecting portion 24B according to the second embodiment. Therefore, when the height variation of the bump 2 can be expected, the configurations of the first to third embodiments can be appropriately selected.

【0045】また、本実施例の構成では、片持ち梁部5
6はバンプ2の両側2箇所において接触する構成である
ため、第2実施例の構成に比べてバンプ2を安定した状
態に保持することができる。また、第1実施例の構成に
比べては、接続部24Cの強度を高めることができるた
め、接続部24Cに塑性変形が発生することを防止する
ことができる。
In the structure of this embodiment, the cantilever 5
Reference numeral 6 denotes a configuration in which the bump 2 is in contact at two locations on both sides of the bump 2, so that the bump 2 can be held in a more stable state as compared with the configuration of the second embodiment. Further, since the strength of the connecting portion 24C can be increased as compared with the configuration of the first embodiment, it is possible to prevent the plastic deformation of the connecting portion 24C.

【0046】続いて、本発明の第4実施例について説明
する。図8は、本発明の第4実施例である半導体検査装
置10Dを示している。図8(A)は半導体検査装置1
0Dの側断面図であり、図8(B)は半導体検査装置1
0Dの要部底面図である。尚、図8においても、図1及
び図2に示した第1実施例に係る半導体検査装置10A
と同一構成については同一符号を付してその説明を省略
する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 shows a semiconductor inspection apparatus 10D according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 8A shows a semiconductor inspection apparatus 1.
FIG. 8B is a side cross-sectional view of FIG.
It is a principal part bottom view of 0D. In FIG. 8, the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS.
The same components as those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0047】前記した第2実施例では、接続部24Bを
平板状の片持ち梁形状としたが、これに対し本実施例に
係る半導体検査装置10Dでは、接続部24Dを二股状
片持ち梁部58により構成したことを特徴とするもので
ある。本実施例の構成によれば、第2実施例に比べて更
に接続部24Dは変形し易くなり、バンプ2の高さバラ
ツキを有効に吸収することができる。
In the above-described second embodiment, the connecting portion 24B has a flat cantilever shape. On the other hand, in the semiconductor inspection apparatus 10D according to the present embodiment, the connecting portion 24D has a bifurcated cantilever shape. 58. According to the configuration of the present embodiment, the connecting portion 24D is further easily deformed as compared with the second embodiment, and the height variation of the bump 2 can be effectively absorbed.

【0048】但し、接続部24Dが変形し易くなること
により、前記したコンタクト部材18の材料を銅(C
u)とした場合には、塑性変形が発生するおそれがあ
る。よって、本実施例の構成では、コンタクト部材18
(即ち、接続部24D)の材質としては、バネ材でかつ
導電性の高い材質を選定することが望ましい。続いて、
本発明の第5実施例について説明する。
However, since the connecting portion 24D is easily deformed, the material of the contact member 18 is made of copper (C
In the case of u), plastic deformation may occur. Therefore, in the configuration of the present embodiment, the contact member 18
As the material of the (connecting portion 24D), it is desirable to select a material that is a spring material and has high conductivity. continue,
A fifth embodiment of the present invention will be described.

【0049】図9は、本発明の第5実施例である半導体
検査装置10Eを示している。図9(A)は半導体検査
装置10Eの側断面図であり、図9(B)は半導体検査
装置10Eの要部底面図である。尚、図9においても、
図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査装置
10Aと同一構成については同一符号を付してその説明
を省略する。
FIG. 9 shows a semiconductor inspection apparatus 10E according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 9A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10E, and FIG. 9B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10E. In FIG. 9,
The same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0050】前記した第2乃至第4実施例に係る半導体
検査装置10B〜10Eでは、接続部24B〜24Eを
片持ち梁状の形状とした。これに対し、本実施例に係る
半導体検査装置10Eでは、接続部24Eを両端支持梁
状の形状としたことを特徴とするものである。即ち、接
続部24Eは両端支持梁部60を有しており、この両端
支持梁部60の両端部は環状部54に一体的に接続され
た構成とされている。
In the semiconductor inspection apparatuses 10B to 10E according to the second to fourth embodiments, the connection portions 24B to 24E have a cantilever shape. On the other hand, the semiconductor inspection apparatus 10E according to the present embodiment is characterized in that the connection portion 24E has a shape of a support beam at both ends. That is, the connecting portion 24E has the both-ends support beam portion 60, and both ends of the both-ends support beam portion 60 are integrally connected to the annular portion 54.

【0051】このように、接続部24Eを両端が支持さ
れた両端支持梁部60により構成することにより、接続
部24Eの機械的な強度を高めることができ、よって経
時的な使用により接続部24Eが劣化することを防止す
ることができる。続いて、本発明の第6実施例について
説明する。図10は、本発明の第6実施例である半導体
検査装置10Fを示している。図10(A)は半導体検
査装置10Fの側断面図であり、図10(B)は半導体
検査装置10Fの要部底面図である。尚、図10におい
ても、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検
査装置10Aと同一構成については同一符号を付してそ
の説明を省略する。
As described above, since the connecting portion 24E is constituted by the both-ends supporting beam portions 60 whose both ends are supported, the mechanical strength of the connecting portion 24E can be increased. Can be prevented from deteriorating. Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 shows a semiconductor inspection apparatus 10F according to a sixth embodiment of the present invention. Figure 10 (A) is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10F, FIG. 10 (B) semiconductor
It is a principal part bottom view of the inspection apparatus 10F . In FIG. 10, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0052】本実施例に係る接続部24Fは、図9に示
した第5実施例に係る両端支持部梁部60に対し、その
中央部分に溝部63を形成し、これにより一対の両端支
持部梁部62を形成したことを特徴とするものである。
このように、一対の両端支持部梁部62により接続部2
4Fを形成することにより、両端支持部梁部62の変形
量は大きくなり、よってバンプ2の高さバラツキを有効
に吸収することができる。
The connecting portion 24F according to the present embodiment has a groove 63 formed at the center of the beam portion 60 at both ends according to the fifth embodiment shown in FIG. A beam portion 62 is formed.
As described above, the connection portion 2 is formed by the pair of support beam portions 62 at both ends.
By forming the 4F, the amount of deformation of the beam 62 at both ends of the support portion is increased, so that the height variation of the bump 2 can be effectively absorbed.

【0053】更に、一対の両端支持部梁部62の間に溝
部63が存在するため、バンプ2の下先端部は溝部63
内に位置することとなる。よって、バンプ2が接続部2
4F上で移動することがなくなり、半導体検査装置10
Fに対する半導体装置1の位置決め性を向上することが
できる。続いて、本発明の第7実施例について説明す
る。
Further, since the groove 63 exists between the pair of support beam portions 62 at both ends, the lower end of the bump 2 is
Will be located within. Therefore, the bump 2 is connected to the connection 2
4F, the semiconductor inspection device 10
The positioning of the semiconductor device 1 with respect to F can be improved. Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.

【0054】図11は、本発明の第7実施例である半導
体検査装置10Gを示している。図11(A)は半導体
検査装置10Gの側断面図であり、図11(B)は半導
体検査装置10Gの要部底面図である。尚、図11にお
いても、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体
検査装置10Aと同一構成については同一符号を付して
その説明を省略する。
FIG. 11 shows a semiconductor inspection apparatus 10G according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 11A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10G, and FIG. 11B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10G. In FIG. 11, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0055】前記した第1実施例に設けられた接続部2
4Aでは、その中央部分に十字状のスリット26Aを形
成することにより、接続部24Aを変形可能な構成とし
ていた。これに対し、本実施例に係る半導体検査装置1
0Gに設けられた接続部24Gでは、一直線状のスリッ
ト26Bを形成することにより、接続部24Gを変形可
能な構成としたことを特徴とするものである。
The connecting portion 2 provided in the first embodiment described above.
In 4A, the connecting portion 24A is configured to be deformable by forming a cross-shaped slit 26A at the center thereof. On the other hand, the semiconductor inspection device 1 according to the present embodiment
The connecting portion 24G provided 0G, by forming a straight slit 26B, it is characterized in that it has a deformable structure the connecting portion 24G.

【0056】本実施例に設けられた接続部24Gは、第
1実施例に設けられた接続部24Aに比べて変形量は小
さくなるが、機械的強度は向上する。よって、バンプ2
の材質(例えば、バンプ2がはんだであるか、或いは金
であるか等)により、適宜スリット26A,26Bの形
状を選定することが有効である。続いて、本発明の第8
実施例について説明する。
Although the connecting portion 24G provided in the present embodiment has a smaller deformation amount than the connecting portion 24A provided in the first embodiment, the mechanical strength is improved. Therefore, bump 2
It is effective to appropriately select the shape of the slits 26A and 26B depending on the material (for example, whether the bump 2 is solder or gold). Subsequently, the eighth aspect of the present invention
An example will be described.

【0057】図12は、本発明の第8実施例である半導
体検査装置10Hを示している。図12(A)は半導体
検査装置10Hの側断面図であり、図12(B)は半導
体検査装置10Hの要部底面図である。尚、図12にお
いても、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体
検査装置10Aと同一構成については同一符号を付して
その説明を省略する。
FIG. 12 shows a semiconductor inspection apparatus 10H according to an eighth embodiment of the present invention. FIG. 12A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10H, and FIG. 12B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10H. 12, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0058】本実施例は、接続部24Hに形成されるス
リット26Cを円形状とすると共に、接続部24Hの中
央位置に設けたことを特徴とするものである。この構成
とすることにより、前記と同様に接続部24Hの変形量
を調整することができる。更に、スリット26Cが接続
部24Hの中心位置で、かつ円形状であるため、バンプ
2は常に接続部24Hの中心位置に位置することとな
り、よって半導体検査装置10Hに対する半導体装置1
の位置決め性を向上することができる。
The present embodiment is characterized in that the slit 26C formed in the connecting portion 24H has a circular shape and is provided at the center of the connecting portion 24H. With this configuration, the amount of deformation of the connection portion 24H can be adjusted in the same manner as described above. Further, since the slit 26C is located at the center of the connecting portion 24H and is circular, the bump 2 is always located at the center of the connecting portion 24H.
Can be improved.

【0059】続いて、本発明の第9実施例について説明
する。図13は、本発明の第9実施例である半導体検査
装置10Iを示している。図13(A)は半導体検査装
置10Iの側断面図であり、図13(B)は半導体検査
装置10Iの要部底面図である。尚、図13において
も、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査
装置10Aと同一構成については同一符号を付してその
説明を省略する。
Next, a ninth embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 shows a semiconductor inspection apparatus 10I according to a ninth embodiment of the present invention. FIG. 13A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10I, and FIG. 13B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10I. In FIG. 13, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0060】本実施例は、接続部24Iに小径の円形ス
リット26Dを多数個形成したことを特徴とするもので
ある。このように、接続部24Iに多数の円形スリット
26Dを形成することにより、前記した各実施例と同様
接続部24Iを変形させることが可能となり、またそ
の変形量は円形スリット26Dの数及び径寸法で調整す
ることが可能である。
This embodiment is characterized in that a large number of small-diameter circular slits 26D are formed in the connection portion 24I. Thus, by forming a large number of circular slits 26D in the connecting portion 24I , it is possible to deform the connecting portion 24I in the same manner as in each of the above-described embodiments, and the amount of deformation is the number and diameter of the circular slits 26D. It is possible to adjust the size.

【0061】また、本実施例のように円形スリット26
Dを多数個形成することにより、バンプ2が接続部24
Iに押圧された際、各スリット26Dのエッジ部がより
多くバンプ2に当接し食い込んだ状態となる。よって、
前記した第2実施例で説明した粗面25と同等の作用を
接続部24Iは奏することとなり、よってバンプ2と接
続部24Iとの電気的接続性を向上させることができ
る。
Also, as in the present embodiment, the circular slit 26
By forming a large number of D, the bumps 2
When pressed by I, the edge portion of each slit 26D comes into contact with and bumps into the bump 2 more. Therefore,
The connection portion 24I exhibits the same operation as the rough surface 25 described in the second embodiment, and thus the electrical connectivity between the bump 2 and the connection portion 24I can be improved.

【0062】続いて、本発明の第10実施例について説
明する。図14は本発明の第10実施例である半導体検
査装置10Jを示している。図14(A)は半導体検査
装置10Jの側断面図であり、図14(B)は半導体検
査装置10Jの要部底面図である。尚、図14において
も、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査
装置10Aと同一構成については同一符号を付してその
説明を省略する。
Next, a tenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 14 shows a semiconductor inspection apparatus 10J according to a tenth embodiment of the present invention. FIG. 14A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10J, and FIG. 14B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10J. In FIG. 14, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0063】前記した各実施例では、接続部24A〜2
4Iをコンタクト部材18に一体的に形成した構成とさ
れていた。これに対し、本実施例に係る半導体検査装置
10Jは、接続部24Jをコンタクト部材18とは別体
の構成としたことを特徴とするものである。このよう
に、接続部24Jとコンタクト部材18とを別体の構成
とすることにより、夫々の材質を別個に選定することが
できる。従って、接続部24Jの機能、及びコンタクト
部材18(配線部20,端子部22)の機能に最適な材
質を選定することが可能となる。
In each of the above-described embodiments, the connection portions 24A to 24A
4I was formed integrally with the contact member 18. On the other hand, the semiconductor inspection apparatus 10J according to the present embodiment is characterized in that the connection portion 24J is configured separately from the contact member 18. In this way, by forming the connecting portion 24J and the contact member 18 as separate components, the respective materials can be separately selected. Therefore, it is possible to select the most suitable material for the function of the connection part 24J and the function of the contact member 18 (the wiring part 20, the terminal part 22).

【0064】図14に示す第10実施例である半導体検
査装置10Jでは、接続部24Jの変形量を大きく設定
するため、箔状電極64により接続部24Jを構成した
ものである。尚、本実施例では、コンタクト部材18と
しては銅(Cu)を用い、また箔状電極64としてはア
ルミニウムを使用している。続いて、本発明の第11実
施例について説明する。
In the semiconductor inspection apparatus 10J according to the tenth embodiment shown in FIG. 14, the connection portion 24J is constituted by the foil electrode 64 in order to set the deformation of the connection portion 24J large. In this embodiment, copper (Cu) is used for the contact member 18 and aluminum is used for the foil electrode 64. Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described.

【0065】図15は本発明の第11実施例である半導
体検査装置10Kを示している。図15(A)は半導体
検査装置10Kの側断面図であり、図15(B)は半導
体検査装置10Kの要部底面図である。尚、図15にお
いても、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体
検査装置10Aと同一構成については同一符号を付して
その説明を省略する。
FIG. 15 shows a semiconductor inspection apparatus 10K according to an eleventh embodiment of the present invention. FIG. 15A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10K, and FIG. 15B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10K. In FIG. 15, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

【0066】本実施例では、前記した第10実施例と同
様に、接続部24Kをコンタクト部材18と別個の構成
としている。また、本実施例では、接続部24Kを図示
されるように、片持ち梁状ワイヤ66により構成したこ
とを特徴とするものである。この片持ち梁状ワイヤ66
は、ワイヤボンディング技術を用いて形成される。具体
的には、コンタクト部材18の開口部6近傍位置にワイ
ヤボンディング装置を用いてワイヤをボンディングし、
続いてワイヤを所定量引き出した後にこれを切断する。
この状態は、図15(A)に破線で示す状態である。
In this embodiment, as in the tenth embodiment, the connecting portion 24K is configured separately from the contact member 18. Further, in the present embodiment, as shown in the drawing, the connecting portion 24K is constituted by a cantilever wire 66. This cantilever wire 66
Are formed using a wire bonding technique. Specifically, a wire is bonded to a position near the opening 6 of the contact member 18 using a wire bonding device,
Subsequently, after a predetermined amount of the wire is drawn, the wire is cut.
This state is a state shown by a broken line in FIG.

【0067】その後、このワイヤを開口部16側に折曲
形成することにより、片持ち梁状ワイヤ66を形成す
る。このように、ワイヤボンディング技術を用いて接続
部24Kを形成することにより、接続部24Kを容易に
かつ効率良く形成できると共に、低コスト化を図ること
ができる。また、本実施例では接続部24Kの一端部
みが固定され他端部が自由端とされた片持ち梁状ワイヤ
66となっているため比較的変形量が大きく、よってバ
ンプ高さのバラツキが大きい場合であっても、これに対
応することができる。
Thereafter, this wire is bent toward the opening 16 to form a cantilever wire 66. As described above, by forming the connection portion 24K using the wire bonding technique, the connection portion 24K can be formed easily and efficiently, and the cost can be reduced. Further, in the present embodiment, since the end of the connecting portion 24K is a cantilever wire 66 having one end fixed and the other end being a free end, the amount of deformation is relatively large. Even if the variation in height is large, it is possible to cope with this.

【0068】続いて、本発明の第12実施例について説
明する。図16は本発明の第12実施例である半導体検
査装置10Lを示している。図16(A)は半導体検査
装置10Lの側断面図であり、図16(B)は半導体検
査装置10Lの要部底面図である。尚、図16において
も、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査
装置10Aと同一構成については同一符号を付してその
説明を省略する。
Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described. FIG. 16 shows a semiconductor inspection apparatus 10L according to a twelfth embodiment of the present invention. FIG. 16A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10L, and FIG. 16B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10L. In FIG. 16, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0069】本実施例においても、前記した第11実施
例と同様に、接続部24Kをワイヤにより形成してい
る。しかるに、前記した第11実施例では接続部24K
を片持ち梁状ワイヤ66により構成したのに対し、本実
施例では接続部24Lを両端支持梁状ワイヤ68により
構成したことを特徴としている。この両端支持梁状ワイ
ヤ68もワイヤボンディング技術を用いて形成されてお
り、具体的にはコンタクト部材18を構成する枠部54
開口部16近傍位置に先ずファーストボンディングを
行い、続いて、これと対向する側の枠部54にセカンド
ボンディングを行なう。これにより、両端支持梁状ワイ
ヤ68は、その両端が枠部54に固定された構成とな
る。この構成とすることにより、第11実施例で示した
片持ち梁状ワイヤ66に対し、機械的な強度を向上する
ことができる。
Also in this embodiment, the connection portion 24K is formed by a wire, as in the eleventh embodiment. However, in the eleventh embodiment, the connecting portion 24K
This embodiment is characterized in that the connecting portion 24L is formed by the both-end supporting beam-shaped wire 68 while the connecting portion 24L is formed by the cantilevered wire 66. The both-end supporting beam-shaped wires 68 are also formed by using a wire bonding technique, and specifically, the frame portions 54 forming the contact members 18 are formed.
First, first bonding is performed at a position in the vicinity of the opening 16 , and then second bonding is performed on the frame portion 54 on the side opposite to the first bonding. As a result, both ends of the beam 68 are fixed to the frame 54. With this configuration, the mechanical strength of the cantilever wire 66 shown in the eleventh embodiment can be improved.

【0070】続いて、本発明の第13実施例について説
明する。図17は、本発明の第13実施例である半導体
検査装置10Mの要部底面図である。尚、図17におい
ても、図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検
査装置10Aと同一構成については同一符号を付してそ
の説明を省略する。本実施例に係る半導体検査装置10
Mに設けられる接続部24Mは、第12実施例で説明し
た両端支持梁状ワイヤ68を2本用い、これが十字状に
クロスするように配設したことを特徴とするものであ
る。この構成とすることにより、第12実施例で説明し
た効果を実現できると共に、第11及び第12実施例の
構成(図15,図16参照)に比べてバンプ2の移動を
規制できるため、半導体検査装置10Mに対する半導体
装置1の位置決め性を向上することができる。
Next, a thirteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 17 is a bottom view of a main part of a semiconductor inspection apparatus 10M according to a thirteenth embodiment of the present invention. 17, the same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Semiconductor inspection apparatus 10 according to the present embodiment
The connecting portion 24M provided at M is characterized by using two end-supported beam-shaped wires 68 described in the twelfth embodiment and arranging them so as to cross each other. With this configuration, the effects described in the twelfth embodiment can be realized, and the movement of the bump 2 can be restricted as compared with the configurations of the eleventh and twelfth embodiments (see FIGS. 15 and 16). The positioning of the semiconductor device 1 with respect to the inspection device 10M can be improved.

【0071】続いて、本発明の第14実施例について説
明する。図18は、本発明の第14実施例である半導体
検査装置10Nを示している。尚、図18においても、
図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査装置
10Aと同一構成については同一符号を付してその説明
を省略する。前記した各実施例では、基本的には半導体
検査装置10A〜10Mを絶縁基板14とコンタクト部
材18とにより構成していた。これに対し、本実施例に
係る半導体検査装置10Nは、絶縁基板14,コンタク
ト部材18に加え、補強材70Aを設けたことを特徴と
するものである。
Next, a fourteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 18 shows a semiconductor inspection apparatus 10N according to a fourteenth embodiment of the present invention. Incidentally, in FIG.
The same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In each of the embodiments described above, the semiconductor inspection apparatuses 10A to 10M are basically configured by the insulating substrate 14 and the contact members 18. On the other hand, the semiconductor inspection apparatus 10N according to the present embodiment is characterized in that a reinforcing member 70A is provided in addition to the insulating substrate 14 and the contact member 18.

【0072】補強材70Aは、絶縁性を有する弾性部材
(例えば、ゴム,可撓性樹脂等)により形成されてお
り、コンタクト部材18の下部に配設されている。具体
的には、本実施例ではホルダ72が設けられているた
め、このホルダ72上に先ず補強材70Aが位置し、そ
の上部にコンタクト部材18と絶縁基板14が順次積層
された構造となっている。
The reinforcing member 70 A is formed of an elastic member having an insulating property (for example, rubber, flexible resin, or the like), and is disposed below the contact member 18. Specifically, in this embodiment, since the holder 72 is provided, the reinforcing member 70A is first located on the holder 72, and the contact member 18 and the insulating substrate 14 are sequentially stacked on the reinforcing member 70A. I have.

【0073】ところで、バンプ2の高さバラツキを吸収
するためには接続部24を変形させる必要があり、よっ
て接続部24を薄く形成する必要がある。これに対し、
コンタクト部材18の開口部16と対向する位置以外の
位置は絶縁基板14に支持されているためその機械的強
度は維持されている。また、接続部24はバンプ2と電
気的に接続させる必要があり、よって絶縁基板14の接
続部24と対向する位置には開口部16が形成されてい
る。従って、上記のように薄く形成された接続部24が
開口部16に露出した構成となり、接続部24の機械的
強度は低下する。
By the way, in order to absorb the variation in height of the bumps 2, it is necessary to deform the connecting portion 24, and therefore, it is necessary to make the connecting portion 24 thin. In contrast,
Since the positions other than the position facing the opening 16 of the contact member 18 are supported by the insulating substrate 14, the mechanical strength is maintained. Further, the connection portion 24 needs to be electrically connected to the bump 2, and thus the opening 16 is formed at a position of the insulating substrate 14 facing the connection portion 24. Therefore, the connecting portion 24 formed as described above is exposed to the opening 16 and the mechanical strength of the connecting portion 24 is reduced.

【0074】しかるに本実施例の如く補強材70Aを設
け、この補強材70Aにより接続部24を支持すること
により、接続部24に強い力が印加されたような場合で
も補強材70Aにより接続部24を保護することができ
る。これにより、接続部24に永久変形が発生すること
を防止することができ、よって常に安定した検査を実施
することが可能となる。
However, by providing the reinforcing member 70A as in this embodiment and supporting the connecting portion 24 with the reinforcing member 70A, even when a strong force is applied to the connecting portion 24, the connecting member 24A is provided. Can be protected. As a result, it is possible to prevent permanent deformation from occurring in the connection portion 24, and thus it is possible to always perform a stable inspection.

【0075】また、本実施例の構成では、半導体検査装
置10Nの下部にホルダ72が配設されている。このホ
ルダ72は、例えば金属或いは硬質樹脂等の弾性変形率
の低い材料により形成されている。このホルダ72は補
強材70Aの下部に配設されることにより、補強材70
Aを支持する機能を奏する。このように、補強材70A
を支持するホルダ72を設けたことにより、半導体装置
1の装着に伴い補強材70Aが弾性変形しても、補強材
70Aの必要以上の変形、及び所定の配置位置からのず
れることを防止することができる。よって、これによっ
ても接続部24とバンプ2の電気的接続を安定した状態
で行なうことが可能となる。
In the configuration of the present embodiment, the holder 72 is provided below the semiconductor inspection apparatus 10N. The holder 72 is formed of a material having a low elastic deformation rate, such as a metal or a hard resin. The holder 72 is provided below the reinforcing member 70A so that the reinforcing member 70
It has the function of supporting A. Thus, the reinforcing member 70A
Is provided, it is possible to prevent the reinforcing member 70A from being deformed more than necessary and displaced from a predetermined arrangement position even if the reinforcing member 70A is elastically deformed when the semiconductor device 1 is mounted. Can be. Therefore, this also enables the electrical connection between the connection portion 24 and the bump 2 to be performed in a stable state.

【0076】続いて、本発明の第15実施例について説
明する。図19は、本発明の第15実施例である半導体
検査装置10Pを示している。尚、図19において、図
1,図2及び図18に示した第1及び第14実施例に係
る半導体検査装置10A,10Nと同一構成については
同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a fifteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 19 shows a semiconductor inspection apparatus 10P according to a fifteenth embodiment of the present invention. In FIG. 19, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10N according to the first and fourteenth embodiments shown in FIGS. 1, 2 and 18 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

【0077】本実施例に係る半導体検査装置10Pで
は、補強材70Bの接続部24と対向する部位に、接続
部24に向け突出した突起部74を形成したことを特徴
とするものである。このように、補強材70Bの接続部
24と対向する部位に接続部24に向け突出した突起部
74を形成したことにより、接続部24と突起部74と
の離間距離は小さくなる。このため、外力印加により接
続部24が変形しても、直ちに突起部74は接続部24
に係合してこれを保護することができる。よって、接続
部24が過剰に変形して破損することを確実に防止する
ことができる。
The semiconductor inspection apparatus 10P according to the present embodiment is characterized in that a protrusion 74 protruding toward the connection portion 24 is formed in a portion of the reinforcing member 70B facing the connection portion 24. As described above, since the protrusion 74 protruding toward the connection portion 24 is formed at a portion of the reinforcing member 70B facing the connection portion 24, the separation distance between the connection portion 24 and the protrusion 74 is reduced. For this reason, even if the connecting portion 24 is deformed by application of an external force, the projecting portion 74 immediately
To protect it. Therefore, it is possible to reliably prevent the connection portion 24 from being excessively deformed and damaged.

【0078】続いて、本発明の第16実施例について説
明する。図20は、本発明の第16実施例である半導体
検査装置10Qを示している。尚、図20において、図
1,図2及び図18に示した第1及び第14実施例に係
る半導体検査装置10A,10Nと同一構成については
同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a sixteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 20 shows a semiconductor inspection apparatus 10Q according to a sixteenth embodiment of the present invention. 20, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10N according to the first and fourteenth embodiments shown in FIGS. 1, 2, and 18 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0079】本実施例に係る半導体検査装置10Qで
は、補強材70Cの接続部24と対向する部位に、逆円
錐状に窪んだ逆円錐状溝76を形成したことを特徴とす
るものである。本実施例のように、補強材70Cの接続
部24と対向する部位に逆円錐状溝76を形成すること
により、バンプ2の位置決めを絶縁基板14に形成され
ている開口部16に加え、逆円錐状溝76により行なう
ことができる。よって、半導体検査装置10Qに対する
半導体装置1の位置決め性を向上することができる。
The semiconductor inspection apparatus 10Q according to the present embodiment is characterized in that an inverted conical groove 76 which is recessed in an inverted conical shape is formed in a portion of the reinforcing member 70C facing the connecting portion 24. By forming an inverted conical groove 76 at a portion of the reinforcing member 70C facing the connecting portion 24 as in the present embodiment, positioning of the bump 2 is added to the opening 16 formed in the insulating substrate 14, This can be done by a conical groove 76. Therefore, the positioning of the semiconductor device 1 with respect to the semiconductor inspection device 10Q can be improved.

【0080】尚、逆円錐状溝76は逆円錐形状とされて
いるため、その壁面はテーパ面となっている。このた
め、壁面が垂直状態となる円柱状或いは矩形状の溝形状
に比べ、変形時に接続部24は直ちに補強材70Cと当
接し、よって接続部24に永久変形が発生することを防
止することができる。続いて、本発明の第17実施例に
ついて説明する。
Since the inverted conical groove 76 has an inverted conical shape, its wall surface is tapered. For this reason, compared with a columnar or rectangular groove shape in which the wall surface is in a vertical state, the connecting portion 24 immediately comes into contact with the reinforcing member 70C at the time of deformation, thereby preventing the permanent deformation of the connecting portion 24. it can. Next, a seventeenth embodiment of the present invention will be described.

【0081】図21は、本発明の第17実施例である半
導体検査装置10Rを示している。尚、図21におい
て、図1,図2及び図18に示した第1及び第14実施
例に係る半導体検査装置10A,10Nと同一構成につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。本実施例
に係る半導体検査装置10Rは、補強材70Dとして異
方性導電性ゴムを用いたことを特徴とするものである。
この異方性導電性ゴムは、シリコンゴム等の可撓性を有
する絶縁材料内に、導電性金属粉を混入した構成とされ
ており、押圧方向に導電性を持つ特性を有している。
FIG. 21 shows a semiconductor inspection apparatus 10R according to a seventeenth embodiment of the present invention. In FIG. 21, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10N according to the first and fourteenth embodiments shown in FIGS. 1, 2, and 18 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The semiconductor inspection apparatus 10R according to the present embodiment is characterized by using an anisotropic conductive rubber as the reinforcing member 70D.
This anisotropic conductive rubber has a configuration in which conductive metal powder is mixed into a flexible insulating material such as silicon rubber, and has a property of being conductive in the pressing direction.

【0082】よって、補強材70Dとして異方性導電性
ゴムを用いることにより、補強材70Dに接続部24を
機械的に補強する機能と、接続部24と電気的に接続す
る電気的な機能との二つの機能を持たせることが可能と
なる。これにより、上記の機械的な機能により接続部2
4の永久変形を防止できると共に、電気的な機能により
半導体検査装置10Rの配線の自由度を向上を図ること
ができる。
Therefore, by using anisotropic conductive rubber as the reinforcing member 70D, a function of mechanically reinforcing the connecting portion 24 with the reinforcing member 70D and an electric function of electrically connecting to the connecting portion 24 can be obtained. It is possible to have two functions. Thereby, the connection part 2 is formed by the mechanical function described above.
4 can be prevented, and the degree of freedom of wiring of the semiconductor inspection device 10R can be improved by an electrical function.

【0083】続いて、本発明の第18実施例について説
明する。図22は、本発明の第18実施例である半導体
検査装置10Sを示している。図22(A)は半導体検
査装置10Sの側断面図であり、また図22(B)は半
導体検査装置10Sの要部底面図である。尚、図22に
おいて、図1,図2及び図18に示した第1及び第14
実施例に係る半導体検査装置10A,10Nと同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
Next, an eighteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 22 shows a semiconductor inspection apparatus 10S according to an eighteenth embodiment of the present invention. FIG. 22A is a side sectional view of the semiconductor inspection device 10S, and FIG. 22B is a bottom view of a main part of the semiconductor inspection device 10S. Note that, in FIG. 22, the first and fourteenth buttons shown in FIGS. 1, 2 and 18 are used.
The same components as those of the semiconductor inspection devices 10A and 10N according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0084】本実施例に係る半導体検査装置10Sは、
補強材70Eに複数の長孔80を形成したことを特徴と
するものである。この複数の長孔80は、図22(B)
に示されるように、略平行に列設された構成で形成され
ている。このように、補強材70Eに複数の長孔80を
形成することにより、各接続部24においてバンプ2の
押圧により補強材70Eに変形が発生しても、この変形
は長孔80が変形することにより吸収される。即ち、長
孔80により画成された領域(図中、81A〜81Cで
示す)で変形が発生しても、これが隣接する領域81A
〜81C間で干渉されることはなく、よって接続部24
とバンプ2の電気的接続を確実に行なうことができる。
The semiconductor inspection apparatus 10S according to the present embodiment
A plurality of long holes 80 are formed in the reinforcing member 70E. The plurality of long holes 80 are formed as shown in FIG.
As shown in (1), they are formed in a configuration arranged substantially in parallel. As described above, by forming the plurality of elongated holes 80 in the reinforcing member 70E, even if the reinforcing member 70E is deformed by the pressing of the bumps 2 at each connection portion 24, this deformation is caused by the deformation of the elongated hole 80. Is absorbed by That is, even if deformation occurs in the area defined by the long holes 80 (indicated by 81A to 81C in the figure), the deformation occurs in the adjacent area 81A.
To 81C, so that the connecting portion 24
And the bump 2 can be reliably connected electrically.

【0085】続いて、本発明の第19実施例について説
明する。図23は、本発明の第19実施例である半導体
検査装置10Tの要部底面図である。尚、図23におい
て、図1,図2及び図18に示した第1及び第14実施
例に係る半導体検査装置10A,10Nと同一構成につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a nineteenth embodiment of the present invention will be described. FIG. 23 is a bottom view of a main part of a semiconductor inspection apparatus 10T according to a nineteenth embodiment of the present invention. In FIG. 23, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10N according to the first and fourteenth embodiments shown in FIGS. 1, 2, and 18 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0086】本実施例に係る半導体検査装置10Tで
は、補強材70Fとして網状弾性体を用いたことを特徴
とするものである。この網状弾性体として構成される補
強材70Fは、例えば弾性を有したワイヤ(絶縁性ワイ
ヤ)をネット状に編み上げた構成とされている。よっ
て、補強材70Fは押圧力が印加されることにより、可
撓変形する構成とさてれいる。この補強材70Fは、接
続部24の下面を含め、絶縁基板14の下部全面に配設
されている。
The semiconductor inspection apparatus 10T according to the present embodiment is characterized in that a net-like elastic body is used as the reinforcing member 70F. The reinforcing material 70F configured as this net-like elastic body has a configuration in which, for example, an elastic wire (insulating wire) is braided in a net shape. Therefore, the reinforcing member 70F is configured to be flexibly deformed when a pressing force is applied. The reinforcing member 70F is provided on the entire lower surface of the insulating substrate 14, including the lower surface of the connection portion 24.

【0087】本実施例のように、補強材70Fとして網
状弾性体を用いたことにより、図18乃至図22に示し
た第14乃至第18実施例の構成に比べ、補強材70F
の配設スペースを小さくすることができ、よって半導体
検査装置10Tの小型化を図ることができる。また、ブ
ロック状の補強材70A〜70Eに比べ、コスト低減を
図ることもできる。
As in the present embodiment, the use of a reticulated elastic body as the reinforcing member 70F allows the reinforcing member 70F to be used in comparison with the configuration of the fourteenth to eighteenth embodiments shown in FIGS.
Of the semiconductor inspection apparatus 10T can be reduced. Further, the cost can be reduced as compared with the block-shaped reinforcing members 70A to 70E.

【0088】続いて、本発明の第20実施例について説
明する。図24は、本発明の第20実施例である半導体
検査装置10Uの側断面図である。尚、図24におい
て、図1,図2及び図18に示した第1及び第14実施
例に係る半導体検査装置10A,10Nと同一構成につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a twentieth embodiment of the present invention will be described. FIG. 24 is a side sectional view of a semiconductor inspection apparatus 10U according to a twentieth embodiment of the present invention. In FIG. 24, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10N according to the first and fourteenth embodiments shown in FIGS. 1, 2 and 18 are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0089】本実施例に係る半導体検査装置10Uで
は、補強材70Gとして内部に液体或いは気体(本実施
例では空気)を内包しうるチューブ状部材を用いたこと
を特徴とするものである。チューブ状部材として構成さ
れる補強材70Gは、例えば気体供給手段(例えば、エ
アポンプ)に接続されており、補強材70Gの内部に空
気が導入される構成とされている。この補強材70G
は、絶縁基板14及びコンタクト部材18の下部に位置
するよう配設される。
The semiconductor inspection apparatus 10U according to this embodiment is characterized in that a tubular member capable of containing a liquid or gas (air in this embodiment) is used as the reinforcing member 70G. The reinforcing member 70G configured as a tubular member is connected to, for example, a gas supply unit (for example, an air pump), and is configured to introduce air into the reinforcing member 70G. This reinforcing material 70G
Is disposed below the insulating substrate 14 and the contact member 18.

【0090】上記の構成とされた半導体検査装置10U
によれば、補強材70Gの内部に充填する空気の量を調
整することにより、補強材70Gに発生させる弾性力を
調整することができる。よって、バンプ2の高さバラツ
キを確実に吸収し、かつ接続部24に不要な変形を発生
させない適宜な弾性力を発生することが可能となる。ま
た、例えばバンプ2を接続部24に接続させた後に、意
図的に補強材70G内の内圧を上げ下げすることによ
り、接続部24とバンプ2との間に摺動動作を発生させ
ることができる。従って、接続部24及びバンプ2の表
面に酸化膜や塵埃が存在していても、ワイピング効果に
より酸化膜や塵埃を除去することができ、常に接続部2
4及びバンプ2の表面を良好な状態とすることができ
る。
Semiconductor inspection apparatus 10U having the above configuration
According to this, the elastic force generated in the reinforcing member 70G can be adjusted by adjusting the amount of air filled in the reinforcing member 70G. Therefore, it is possible to reliably absorb variations in height of the bumps 2 and generate an appropriate elastic force that does not cause unnecessary deformation of the connection portion 24. Further, for example, after the bump 2 is connected to the connection portion 24, by intentionally increasing and decreasing the internal pressure in the reinforcing member 70G, a sliding operation can be generated between the connection portion 24 and the bump 2. Therefore, even if an oxide film or dust exists on the surfaces of the connection portion 24 and the bumps 2, the oxide film or dust can be removed by the wiping effect, and the connection portion 2 is always removed.
4 and the surfaces of the bumps 2 can be in a good state.

【0091】続いて、本発明の第21実施例について説
明する。図25は、本発明の第21実施例を示してい
る。本実施例は、図24に示した第20実施例に係る半
導体検査装置10Uを検査用ソケット30Bに適用した
ことを特徴とするものである。尚、図25において、図
1,図2及び図24に示した第1及び第20実施例に係
る半導体検査装置10A,10Uと同一構成については
同一符号を付してその説明を省略する。
Next, a description will be given of a twenty-first embodiment of the present invention. FIG. 25 shows a twenty-first embodiment of the present invention. This embodiment is characterized in that the semiconductor inspection device 10U according to the twentieth embodiment shown in FIG. 24 is applied to an inspection socket 30B. In FIG. 25, the same components as those of the semiconductor inspection apparatuses 10A and 10U according to the first and twentieth embodiments shown in FIGS. 1, 2 and 24 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0092】図示されるように、半導体検査装置10U
は、検査用ソケット30Bを構成するホルダ72内に配
設されている。このホルダ72には軸36により蓋部3
4が回動可能に取り付けられており、この蓋部34は図
示しないロック爪により閉蓋位置にロックされる構成と
なっている。このロック状態では、蓋部34は装着され
た半導体装置1を半導体検査装置10Uに向け押圧し、
これによりバンプ2は半導体検査装置10Uに形成され
た接続部24と接続している。また、半導体検査装置1
0Uは、端子部22,コンタクタ84を介して検査用ボ
ード40に接続されている。よって、半導体装置1に対
して所定の検査を行なうことができる。
As shown, the semiconductor inspection apparatus 10U
Are arranged in a holder 72 constituting the inspection socket 30B. The holder 72 is attached to the lid 3 by the shaft 36.
The cover 34 is rotatably mounted, and the cover 34 is configured to be locked in a closed position by a lock claw (not shown). In this locked state, the lid 34 presses the mounted semiconductor device 1 toward the semiconductor inspection device 10U,
Thereby, the bump 2 is connected to the connection part 24 formed in the semiconductor inspection device 10U. In addition, the semiconductor inspection device 1
0U is connected to the inspection board 40 via the terminal section 22 and the contactor 84. Therefore, a predetermined test can be performed on semiconductor device 1.

【0093】一方、補強材70Gには高圧空気源に接続
された配管86が配設されており、また配管86の途中
位置には弁装置88が設けられている。この弁装置88
は、例えば三方弁であり、高圧空気を補強材70Gに導
入するモード(以下、導入モードという)と、補強材7
0G内の空気を排出するモード(以下、排出モードとい
う)との切り換え処理を行いうる構成とされている。
On the other hand, a pipe 86 connected to a high-pressure air source is provided in the reinforcing member 70G, and a valve device 88 is provided at an intermediate position of the pipe 86. This valve device 88
Is a three-way valve, for example, a mode for introducing high-pressure air into the reinforcing member 70G (hereinafter referred to as an introduction mode),
It is configured to be able to perform a switching process to a mode for discharging the air in 0G (hereinafter, referred to as a discharge mode).

【0094】よって、弁装置88を制御することにより
導入モードと排出モードとを適宜切り換えることによ
り、補強材70Gの内圧を所望する値に制御することが
できると共に、前記したワイピング効果を実現すること
ができる。続いて、本発明の第22実施例について説明
する。図26は、本発明の第22実施例である半導体検
査装置10Vの側断面図である。尚、図26において、
図1及び図2に示した第1実施例に係る半導体検査装置
10Aと同一構成については同一符号を付してその説明
を省略する。
Accordingly, by appropriately switching between the introduction mode and the discharge mode by controlling the valve device 88, the internal pressure of the reinforcing member 70G can be controlled to a desired value, and the wiping effect described above can be realized. Can be. Next, a twenty-second embodiment of the present invention will be described. FIG. 26 is a side sectional view of a semiconductor inspection apparatus 10V according to a twenty-second embodiment of the present invention. In FIG. 26,
The same components as those of the semiconductor inspection apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0095】本実施例に係る半導体検査装置10Vは、
コンタクト部材18Aを配設した絶縁基板14Aと、コ
ンタクト部材18Bを配設した絶縁基板14Bとを積層
した構成としたことを特徴とするものである。このよう
に、半導体検査装置10Vの構成を積層した構成とする
ことにより、絶縁基板14Aに形成されたコンタクト部
材18Aに設けられた接続部24Pをバンプ2Aとの接
続に用い、絶縁基板14Bに形成されたコンタクト部材
18Bに設けられた接続部24Nをバンプ2Bとの接続
に用いる等、各層において接続するバンプ2(2A,2
B)の数を減少させることができる。
The semiconductor inspection apparatus 10V according to the present embodiment
It is characterized in that an insulating substrate 14A provided with a contact member 18A and an insulating substrate 14B provided with a contact member 18B are laminated. As described above, by using a configuration in which the configuration of the semiconductor inspection apparatus 10V is stacked, the connection portion 24P provided on the contact member 18A formed on the insulating substrate 14A is used for connection with the bump 2A, and is formed on the insulating substrate 14B. The bumps 2 (2A, 2A) that are connected in each layer, such as using the connection portions 24N provided on the contact members 18B provided for connection to the bumps 2B.
The number of B) can be reduced.

【0096】これにより、各層におけるコンタクト部材
18A,18Bの配線に自由度を持たせることができ、
バンプ2が多数個配設された高密度化された半導体装置
1に対しても十分に対応することが可能となる。
As a result, the wiring of the contact members 18A and 18B in each layer can be given a degree of freedom.
It is possible to sufficiently cope with a high-density semiconductor device 1 in which a large number of bumps 2 are provided.

【0097】[0097]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項1及び請求
項4記載の発明によれば、球状接続端子に大きさにバラ
ツキがあったとしても、接続部が変形することによりこ
のバラツキを吸収することができ、よって全ての球状接
続端子を確実にコンタクト部材に接続することが可能と
なり、試験の信頼性を向上させることができる。
According to the present invention as described above, the following various effects can be realized. Claim 1 and Claim
According to the invention described in Item 4 , even if the spherical connection terminals vary in size, the variation can be absorbed by deforming the connection portion, and thus all the spherical connection terminals can be reliably connected to the contact member. , And the reliability of the test can be improved.

【0098】また、接続部が球状接続端子と接続する際
に接続部が変形することにより、接続部と球状接続端子
との間には摺動が発生し、よって接続部及び球状接続端
子の表面に酸化膜や塵埃が存在していても上記の摺動に
より酸化膜や塵埃を除去することが可能となる。また、
請求項2記載の発明によれば、接続部を片持ち梁状の形
状とすることにより接続部の変位を大きくとることがで
き、接続部と球状接続端子との接触面積は大きくなり、
よって電気的接続を確実に行うことができる。
Further, when the connecting portion is connected to the spherical connecting terminal, the connecting portion is deformed, so that sliding occurs between the connecting portion and the spherical connecting terminal. Even if an oxide film or dust is present, the oxide film or dust can be removed by the above-described sliding. Also,
According to the second aspect of the present invention, by disposing the connection portion in a cantilever shape, the displacement of the connection portion can be increased, and the contact area between the connection portion and the spherical connection terminal increases.
Therefore, electrical connection can be reliably performed.

【0099】また、請求項3記載の発明によれば、接続
部を両端支持梁状の形状としたことにより接続部の強度
を高めることができ、よって経時的な使用により接続部
が劣化することを防止することができる。また、請求項
記載の発明によれば、接続部をワイヤにより構成する
ことにより、ワイヤボンディング技術を用いて接続部を
形成することが可能となり、接続部の形成性を向上でき
ると共に、低コスト化を図ることができる。
According to the third aspect of the present invention, the strength of the connecting portion can be increased by forming the connecting portion in the shape of a support beam at both ends, so that the connecting portion is degraded by use over time. Can be prevented. Claims
According to the fifth aspect of the invention, by forming the connection portion with a wire, it is possible to form the connection portion using a wire bonding technique, thereby improving the formability of the connection portion and reducing the cost. Can be.

【0100】また、請求項6記載の発明によれば、接続
部にスリット部を単数または複数形成したことにより、
接続部の変形性を向上させることができ、球状接続端子
の高さバラツキを有効に吸収することができる。また、
接続部と球状接続端子との接触面積が増大するため、電
気的接続性の向上を図ることができる。また、請求項7
記載の発明によれば、接続部に形成された粗面は微細な
凹凸が形成された状態となりその表面積は広くなり、ま
た微細な凸部は球状接続端子に食い込む状態となるた
め、接続部と球状接続端子との電気的接続性を向上させ
ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, a single or a plurality of slits are formed in the connecting portion.
The deformability of the connection portion can be improved, and the height variation of the spherical connection terminal can be effectively absorbed. Also,
Since the contact area between the connection portion and the spherical connection terminal increases, electrical connectivity can be improved. Claim 7
According to the invention described, the rough surface formed on the connection portion is in a state in which fine irregularities are formed and the surface area is wide, and the fine protrusion is in a state of biting into the spherical connection terminal. The electrical connection with the spherical connection terminal can be improved.

【0101】また、請求項8記載の発明によれば、少な
くとも接続部を支持する弾性変形可能な材料よりなる補
強材を設けたことにより、検査の安定性を向上すること
ができる。また、請求項9記載の発明によれば、異方性
導電性ゴムは接続部を機械的に補強する機能と、接続部
と電気的に接続する電気的な機能とを有しているため、
接続部の永久変形を防止できると共に半導体検査装置の
配線の自由度を向上を図ることができる。
According to the eighth aspect of the present invention, by providing a reinforcing member made of an elastically deformable material for supporting at least the connection portion, the stability of the inspection can be improved. According to the ninth aspect of the present invention, since the anisotropic conductive rubber has a function of mechanically reinforcing the connecting portion and an electrical function of electrically connecting to the connecting portion,
The permanent deformation of the connection portion can be prevented, and the degree of freedom of wiring of the semiconductor inspection device can be improved.

【0102】また、請求項10記載の発明によれば、補
強材として網状弾性体を用いたことにより、補強材の配
設スペースを小さくすることができ、よって半導体検査
装置の小型化を図ることができる。また、ブロック状の
補強材に比べてコスト低減を図ることができる。更に、
請求項11記載の発明によれば、チューブ状部材に充填
する液体或いは気体の量を調整することにより補強材に
発生させる弾性力を調整することができるため、球状接
続端子の高さバラツキを確実に吸収し、かつ接続部に不
要な変形を発生させない適宜な弾性力を発生することが
可能となる。
According to the tenth aspect of the present invention, the use of the net-like elastic body as the reinforcing member makes it possible to reduce the space in which the reinforcing member is provided, and to reduce the size of the semiconductor inspection apparatus. Can be. Further, the cost can be reduced as compared with a block-shaped reinforcing material. Furthermore,
According to the eleventh aspect of the present invention, since the elastic force generated in the reinforcing member can be adjusted by adjusting the amount of the liquid or gas to be filled in the tubular member, the height variation of the spherical connection terminal can be reliably reduced. And an appropriate elastic force that does not cause unnecessary deformation of the connection portion can be generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例である半導体検査装置を説
明するための図である( その1)。
FIG. 1 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention (part 1).

【図2】本発明の第1実施例である半導体検査装置を説
明するための図である( その2)。
FIG. 2 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention (part 2).

【図3】本発明の第1実施例である半導体検査装置を適
用した検査用ソケットを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an inspection socket to which the semiconductor inspection device according to the first embodiment of the present invention is applied.

【図4】本発明の第1実施例である半導体検査装置を適
用したウェーハコンタクタを示す図である(その1)。
FIG. 4 is a view showing a wafer contactor to which the semiconductor inspection device according to the first embodiment of the present invention is applied (part 1);

【図5】本発明の第1実施例である半導体検査装置を適
用したウェーハコンタクタを示す図である(その2)。
FIG. 5 is a view showing a wafer contactor to which the semiconductor inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention is applied (part 2).

【図6】本発明の第2実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
FIG. 6 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
FIG. 7 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
FIG. 8 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
FIG. 9 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
FIG. 10 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第7実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
FIG. 11 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第8実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
FIG. 12 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第9実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
FIG. 13 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a ninth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第10実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 14 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a tenth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第11実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 15 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第12実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 16 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第13実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 17 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第14実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 18 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a fourteenth embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第15実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 19 is a view illustrating a semiconductor inspection apparatus according to a fifteenth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第16実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 20 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a sixteenth embodiment of the present invention;

【図21】本発明の第17実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 21 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a seventeenth embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第18実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 22 is a view illustrating a semiconductor inspection apparatus according to an eighteenth embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第19実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 23 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a nineteenth embodiment of the present invention;

【図24】本発明の第20実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 24 is a view for explaining a semiconductor inspection apparatus according to a twentieth embodiment of the present invention.

【図25】本発明の第21実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 25 is a view illustrating a semiconductor inspection apparatus according to a twenty-first embodiment of the present invention.

【図26】本発明の第22実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
FIG. 26 is a view illustrating a semiconductor inspection apparatus according to a twenty-second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A〜10V 半導体検査装置 14,14A,14B 絶縁基板 16,16A,16B 開口部 18,18A,18B コンタクト部材 20 配線部 22 端子部 24,24A〜24P 接続部 25 粗面 26A〜26D スリット 30A,30B 検査用ソケット 40 検査用ボード 44A,44B ウェーハコンタクタ 50 接触子 52 コネクタ 56 片持ち梁部 58 二股状片持ち梁部 60,62 両端支持梁部 64 箔状電極 66 片持ち梁状ワイヤ 68 両端支持状ワイヤ 70A〜70G 補強材 72 ホルダ 74 突起部 76 逆円錐状溝 78 接続電極 80 長孔 84 コンタクタ 88 弁装置 10A to 10V Semiconductor inspection apparatus 14, 14A, 14B Insulating substrate 16, 16A, 16B Opening 18, 18A, 18B Contact member 20 Wiring section 22 Terminal section 24, 24A to 24P Connection section 25 Rough surface 26A to 26D Slit 30A, 30B Inspection socket 40 Inspection board 44A, 44B Wafer contactor 50 Contactor 52 Connector 56 Cantilever part 58 Bifurcated cantilever part 60, 62 Both ends support beam part 64 Foil electrode 66 Cantilever wire 68 Both ends support form Wires 70A to 70G Reinforcement material 72 Holder 74 Projection 76 Inverted conical groove 78 Connection electrode 80 Slot 84 Contactor 88 Valve device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−271578(JP,A) 特開 平8−83656(JP,A) 特開 平8−64320(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 G01R 1/073 G01R 31/26 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A 8-271578 (JP, A) JP-A 8-83656 (JP, A) JP-A 8-64320 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/66 G01R 1/073 G01R 31/26

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 球状接続端子を有する被検査装置に対し
て試験を行う半導体検査装置において、 前記球状接続端子と対応する位置に開口部が形成された
絶縁基板と、少なくとも前記球状接続端子が接続される接続部が変形
可能な構成で、前記絶縁基板上に形成される配線が前記
開口部に延出した構成とされたコンタクト部材と、 を具備したことを特徴とする半導体検査装置。
1. For a device to be inspected having a spherical connection terminal
An opening was formed at a position corresponding to the spherical connection terminal.
An insulating substrate;At least the connection part to which the spherical connection terminal is connected is deformed
In a possible configuration, the wiring formed on the insulating substrate is
A contact member configured to extend to the opening,  A semiconductor inspection device comprising:
【請求項2】 請求項1記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部は、前記開口部の一方のみから延出する片持
ち梁状の形状を有する構成としたことを特徴とする半導
体検査装置。
2. The semiconductor inspection device according to claim 1, wherein the connection portion has a cantilever shape extending from only one of the openings.
【請求項3】 請求項1記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部は、両端部が前記開口部の互いに対向する位
置に固定された両端支持梁状の形状を有する構成とした
ことを特徴とする半導体検査装置。
3. The semiconductor inspection apparatus according to claim 1, wherein the connection portion has a configuration in which both ends are fixed to opposite ends of the opening in a shape of a support beam at both ends. Semiconductor inspection equipment.
【請求項4】 球状接続端子を有する被検査装置に対し
て試験を行う半導体検査装置において、 前記球状接続端子と対応する位置に開口部が形成された
絶縁基板と、 前記絶縁基板の前記開口部近傍位置に固定され、少なく
とも前記球状接続端子が接続される接続部が変形可能な
構成で前記開口部に延出した構成とされたコンタクト部
材と、 を具備したこと を特徴とする半導体検査装置。
4. An apparatus to be inspected having a spherical connection terminal.
In a semiconductor inspection apparatus for performing a test, an opening was formed at a position corresponding to the spherical connection terminal.
An insulating substrate , fixed at a position near the opening of the insulating substrate,
The connection part to which the spherical connection terminal is connected can be deformed
A contact portion configured to extend to the opening in the configuration
Semiconductor inspection device characterized by being provided with wood, a.
【請求項5】 請求項4記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部をワイヤにより構成したこと を特徴とする半
導体検査装置。
5. The semiconductor inspection apparatus according to claim 4, wherein
A semiconductor inspection device , wherein the connection portion is formed of a wire .
【請求項6】 請求項1記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部にスリット部を単数または複数形成したこと
を特徴とする半導体検査装置。
6. A semiconductor inspection apparatus according to claim 1, wherein
A single or a plurality of slit portions formed in the connection portion .
【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
半導体検査装置において、 前記接続部の少なくとも前記球状接続端子と接続する領
域を粗面としたこと を特徴とする半導体検査装置。
7. The method according to claim 1, wherein
In the semiconductor inspection device, a region of the connection portion connected to at least the spherical connection terminal.
A semiconductor inspection device characterized by having a roughened area .
【請求項8】 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の
半導体検査装置において、 更に、弾性変形可能な材料により形成され、少なくとも
前記接続部を支持する構成とされた補強材を設けたこと
を特徴とする半導体検査装置。
8. The method according to claim 1, wherein
In the semiconductor inspection device, furthermore, the semiconductor inspection device is formed of an elastically deformable material, and at least
A semiconductor inspection device comprising a reinforcing member configured to support the connection portion .
【請求項9】 請求項8記載の半導体検査装置におい
て、 前記補強材として異方性導電性ゴムを用いたこと を特徴
とする半導体検査装置。
9. A semiconductor inspection apparatus according to claim 8, wherein
Te, semiconductor inspection device characterized by using an anisotropic conductive rubber as the reinforcing material.
【請求項10】 請求項8記載の半導体検査装置におい
て、 前記補強材として網状弾性体を用いたこと を特徴とする
半導体検査装置。
10. The semiconductor inspection apparatus according to claim 8, wherein
Te, semiconductor inspection device characterized by using the net-like elastic member as the reinforcing material.
【請求項11】 請求項8記載の半導体検査装置におい
て、 前記補強材として内部に液体或いは気体を内包したチュ
ーブ状部材であることを特徴とする半導体検査装置。
11. The semiconductor inspection apparatus according to claim 8, wherein
And a tube containing a liquid or gas as the reinforcing material.
A semiconductor inspection apparatus characterized in that the semiconductor inspection apparatus is a probe member.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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