JP3327981B2 - Cleaning liquid tank and cleaning device - Google Patents
Cleaning liquid tank and cleaning deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、マス
ク、レチクル、ＬＤＣ基板等の板状物の洗浄方法、その
方法に用いる洗浄液槽及び洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a plate-like object such as a semiconductor wafer, a mask, a reticle, an LDC substrate, and a cleaning liquid tank and a cleaning apparatus used in the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体の製造過程においては、
半導体ウェハの薬液処理の後に、該半導体ウェハを洗浄
液（純水）にて洗浄している。特に、熱処理工程やＣＶ
Ｄ工程の直前に行なう洗浄工程では、金属不純物の除去
と共に、微小なパーティクルを完全に除去することが要
求される。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor manufacturing process,
After the chemical treatment of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is cleaned with a cleaning liquid (pure water). In particular, heat treatment process and CV
In the cleaning step performed immediately before the step D, it is required to completely remove fine particles together with the removal of metal impurities.
【０００３】従来、半導体ウェハは次のようにして洗浄
されている。Conventionally, a semiconductor wafer has been cleaned as follows.
【０００４】キャリア内に所定間隔で配列されるように
形成された支持溝に半導体ウェハを１枚ずつ収容する。
そして、そのキャリアを洗浄液で満された液槽内に浸漬
させ、複数の半導体ウェハを該液槽内で一括して洗浄し
ている。また、所定間隔で配列された半導体ウェハの縁
をロボットハンガーによって一括してつかみ、その半導
体ウェハを洗浄液内に浸漬させて洗浄する方法も提案さ
れている。Semiconductor wafers are accommodated one by one in support grooves formed so as to be arranged at predetermined intervals in a carrier.
Then, the carrier is immersed in a liquid tank filled with a cleaning liquid, and a plurality of semiconductor wafers are collectively cleaned in the liquid tank. Further, a method has been proposed in which the edges of semiconductor wafers arranged at predetermined intervals are collectively grasped by a robot hanger, and the semiconductor wafers are immersed in a cleaning solution for cleaning.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ウェハ
をキャリアに収容して洗浄する方法では、図３６（ａ）
に示すようなかたちで、各半導体ウェハ１０はキャリア
１１に形成された支持溝１１ａに収容されている。この
ように、支持溝１１ａ内に各半導体ウェハ１０を収容し
たキャリア１１を薬液槽から洗浄液槽に移す場合等、キ
ャリアを運搬する場に図３６（ｂ）に示すように、各半
導体ウェハ１０の縁が、運搬中のキャリアの振動によっ
て、支持溝１１内で振動する。このように、各半導体ウ
ェハ１０がキャリア１１の支持溝１１ａ内で振動する
と、パーティクルが発生する。このパーティクルは、キ
ャリア１１の材質が半導体ウェハ１０よりも柔かいフッ
素樹脂である場合には、そのフッ素樹脂の微粉末であ
り、また、キャリア１１の材質が半導体ウェハ１０より
も硬い場合には半導体ウェハ１０を形成するシリコンの
微粉末である。そして、発生したパーティクルはキャリ
ア１１の支持溝１１ａ内にたまる。According to the above-described method of storing a semiconductor wafer in a carrier and cleaning the same, FIG.
Each semiconductor wafer 10 is accommodated in a support groove 11a formed in a carrier 11 as shown in FIG. As shown in FIG. 36 (b), when the carrier 11 accommodating each semiconductor wafer 10 in the support groove 11a is transferred from the chemical solution tank to the cleaning solution tank, the carrier is transported. The edge vibrates in the support groove 11 due to the vibration of the carrier during transportation. When each semiconductor wafer 10 vibrates in the support groove 11a of the carrier 11, particles are generated. These particles are fine powder of the fluororesin when the material of the carrier 11 is a fluororesin softer than the semiconductor wafer 10, and when the material of the carrier 11 is harder than the semiconductor wafer 10. 10 is a fine powder of silicon. The generated particles accumulate in the support grooves 11 a of the carrier 11.
【０００６】このような状態で、キャリア１１を、例え
ば、静水内に投入して支持溝１１ａが水面Ｓに達する
と、図３７（ａ）に示すように、支持溝１ａ内にたまっ
たパーティクルＰが水面Ｐ上に浮遊する。そして、更に
キャリア１を静水内に静めていくと、図３７（ｂ）に示
すように、水面に浮遊したパーティクルＰが半導体ウェ
ハ１０の表面の方に引き込まれ、キャリッジ１を静水か
ら取出すときに、そのパーティクルが半導体ウェハ１０
の表面に付着してしまう。半導体ウェハ１０を弗酸で処
理した場合、その表面は撥水性を呈するが、このような
状態で半導体ウェハ１０を洗浄する場合には、特に、水
面に浮遊したパーティクルが半導体ウェハ１０の表面に
付着し易い。In such a state, when the carrier 11 is put into, for example, still water and the support groove 11a reaches the water surface S, the particles P accumulated in the support groove 1a as shown in FIG. Float on the water surface P. When the carrier 1 is further calm down in still water, as shown in FIG. 37 (b), the particles P floating on the water surface are drawn toward the surface of the semiconductor wafer 10, and when the carriage 1 is taken out from still water. , The particles of the semiconductor wafer 10
Adhere to the surface of When the semiconductor wafer 10 is treated with hydrofluoric acid, its surface exhibits water repellency. However, when the semiconductor wafer 10 is washed in such a state, particles floating on the water surface particularly adhere to the surface of the semiconductor wafer 10. Easy to do.
【０００７】また、図３８に示すように、複数の半導体
ウェハ１０の縁をロボットハンガー５によって一括して
つかみ、その半導体ウェハ１０を洗浄液中に浸漬させて
洗浄する場合も、図３９に示すように、半導体ウェハ１
０を支えるハンガーアーム５ａ，５ｂ，５ｃと半導体ウ
ェハ１０の接する部位にて上述したのと同様にパーティ
クルＰが発生する。As shown in FIG. 38, when the edges of a plurality of semiconductor wafers 10 are collectively grasped by a robot hanger 5 and the semiconductor wafers 10 are immersed in a cleaning solution for cleaning, as shown in FIG. And semiconductor wafer 1
Particles P are generated at the portions where the hanger arms 5a, 5b, and 5c supporting the “0” contact the semiconductor wafer 10 in the same manner as described above.
【０００８】実際に半導体ウェハ１０を洗浄する場合に
は、静水ではなく、図４０及び図４１に示すように、洗
浄液槽２０の底部に設けられたパイプ１２から洗浄液１
００を噴出させ、洗浄液槽２０からオーバーフローした
状態の洗浄液１００内に例えばロボットハンガー５に支
持された半導体ウェハ１０が浸漬される。このように、
洗浄液槽２０の底部から洗浄液１００を噴出させて該洗
浄液１００を洗浄液槽２０からオーバーフローさせる場
合、洗浄液１００の液面での流れは、図４２に示すよう
に、洗浄液槽２０の周辺部では一様に洗浄液槽２０の外
部に向っているが、洗浄液槽２０の中央部では、種々の
方向を向いて乱れた状態となっている。このような状態
の洗浄液１００に半導体ウェハ１０を投入すると、上述
したように洗浄液１００の液面に浮遊したパーティクル
が長時間液面上に滞在することになる。その結果、半導
体ウェハ１０を洗浄液１００内に浸漬させたとき、及び
半導体ウェハ１０を該洗浄液１００から取り出すときに
洗浄液１００の液面上に浮遊するパーティクルが半導体
ウェハ１０の表面に付着する確率が高くなる。従って、
半導体ウェハ１０からパーティクルの除去が完全に行な
われない。When the semiconductor wafer 10 is actually cleaned, the cleaning liquid 1 is not supplied from the pipe 12 provided at the bottom of the cleaning liquid tank 20 as shown in FIGS.
For example, the semiconductor wafer 10 supported by the robot hanger 5 is immersed in the cleaning liquid 100 overflowing from the cleaning liquid tank 20. in this way,
When the cleaning liquid 100 is ejected from the bottom of the cleaning liquid tank 20 to overflow the cleaning liquid 100 from the cleaning liquid tank 20, the flow of the cleaning liquid 100 on the liquid surface is uniform around the cleaning liquid tank 20, as shown in FIG. The cleaning liquid tank 20 faces the outside of the cleaning liquid tank 20, but the cleaning liquid tank 20 is disturbed in various directions in the center. When the semiconductor wafer 10 is put into the cleaning liquid 100 in such a state, the particles floating on the liquid surface of the cleaning liquid 100 stay on the liquid surface for a long time as described above. As a result, when the semiconductor wafer 10 is immersed in the cleaning liquid 100 and when the semiconductor wafer 10 is taken out from the cleaning liquid 100, the probability that particles floating on the liquid surface of the cleaning liquid 100 adhere to the surface of the semiconductor wafer 10 is high. Become. Therefore,
Particles are not completely removed from the semiconductor wafer 10.
【０００９】そこで、本発明の課題は、半導体ウェハの
ような板状物を洗浄液に浸漬させて洗浄するに際して、
板状物から一旦離れて液面上を浮遊するパーティクルを
できるだけ早く洗浄液槽外部に流出させることである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for cleaning a plate-like object such as a semiconductor wafer by immersing the same in a cleaning liquid.
The purpose is to allow particles that once float away from the plate-like material and float on the liquid surface to flow out of the cleaning liquid tank as soon as possible.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明に係る洗浄液槽を
用いた洗浄方法では、図１に示すように、洗浄液（２）
が流出するオーバーフロー面（Ｓ0）を有する液槽
（１）に洗浄液（２）を満たして該洗浄液（２）の表面
の流れが該オーバーフロー面（Ｓ0）にほぼ垂直となる
所定の面（Ｓ1）から主に遠ざかる方向に進むように該
洗浄液（２）をオーバーフロー面（Ｓ0）から流出さ
せ、洗浄液（２）がオーバーフロー面（Ｓ0）から流出
している状態で、板状物（３）が所定の面（Ｓ1）と交
わりかつ板状物（３）の表面が洗浄液（２）表面の主な
流れとほぼ平行となるように該板状物（３）を洗浄液
（２）に投入するようにした。SUMMARY OF THE INVENTION A cleaning liquid tank according to the present invention is provided.
In the cleaning method used , as shown in FIG.
A predetermined surface (S1) in which the cleaning liquid (2) is filled in a liquid tank (1) having an overflow surface (S0) from which the water flows out, and the flow of the surface of the cleaning liquid (2) is substantially perpendicular to the overflow surface (S0). The cleaning liquid (2) is caused to flow out of the overflow surface (S0) so that the cleaning liquid (2) flows out mainly from the overflow surface (S0). The plate-like material (3) is introduced into the cleaning liquid (2) so as to intersect with the surface (S1) and to make the surface of the plate-like material (3) substantially parallel to the main flow of the surface of the cleaning liquid (2). did.
【００１１】上記課題を解決するため、本発明に係る洗
浄液槽は、請求項１に記載されるように、上部に洗浄液
（２）が流出するオーバーフロー面（Ｓ 0 ）を有した液
槽（１）と、該液槽（１）内に満たされた洗浄液（２）
の表面に、該オーバーフロー面（Ｓ 0 ）にほぼ垂直とな
る所定の面（Ｓ 1 ）から遠ざかる方向に液流を発生させ
る液流発生手段とを有し、上記液流発生手段は、複数の
噴出口が所定間隔で直線上に配列されるように形成さ
れ、該噴出口から洗浄液を噴出するパイプと、パイプの
噴出口に対向するように設けられ、噴出口から噴出する
洗浄液の流れを絞る整流機構とを有し、整流機構を介し
て上方に噴出する洗浄液により液面が盛り上げられ、そ
の洗浄液表面の盛り上げにより、洗浄液表面に、該オー
バーフロー面にほぼ垂直となる所定の面から遠ざかる方
向に液流が発生させられるように構成される。 [0011] In order to solve the above-mentioned problems, the washing according to the present invention is performed.
The cleaning liquid tank has a cleaning liquid on the upper part as described in claim 1.
Liquid having an overflow surface (S 0 ) from which (2) flows out
A tank (1) and a cleaning liquid (2) filled in the liquid tank (1)
Is substantially perpendicular to the overflow surface (S 0 ).
To generate a liquid flow in a direction away from the predetermined surface (S 1 ).
Liquid flow generating means, wherein the liquid flow generating means has a plurality of
The spouts are formed so that they are arranged in a straight line at predetermined intervals.
A pipe for spouting the cleaning liquid from the spout,
It is provided so as to face the spout, and spouts from the spout
A rectifying mechanism for restricting the flow of the cleaning liquid, and
The liquid surface rises due to the cleaning liquid spouting upward.
The surface of the cleaning liquid is raised by the
Those who move away from a specified surface that is almost perpendicular to the bar flow surface
It is configured to generate a liquid flow in the opposite direction.
【００１２】更に、上記課題を解決するため、本発明に
係る洗浄装置は、上部に洗浄液（２）を流出するオーバ
ーフロー面（Ｓ 0 ）を有した液槽（１）と、該液槽
（１）内に満たされた洗浄液（２）の表面に、該オーバ
ーフロー面（Ｓ 0 ）にほぼ垂直な所定の面（Ｓ 1 ）から遠
ざかる方向に液流を発生させる液流発生手段（１２）と
を有した洗浄液槽と、板状物（３）が該所定の面（Ｓ
1）と交わりかつ板状物（３）の表面が上記液流発生手
段（１２）にて発生された洗浄液（２）表面の流れにほ
ぼ平行となるように板状物（３）を液槽（１）内を満た
す洗浄液（２）に投入する被洗浄物投入機構（５）とを
備え、上記液流発生手段は、複数の噴出口が所定間隔で
直線上に配列されるように形成され、該噴出口から洗浄
液を噴出するパイプを有し、パイプ上の噴出口から上方
に噴出する洗浄液により液面が盛り上げられ、その洗浄
液面の盛り上がりにより洗浄液表面に、該オーバーフロ
ー面とほぼ垂直となる所定の面から遠ざかる方向に液流
が発生させられるようにすると供に、上記パイプが液槽
の底面より上方に設けられ、該被洗浄物投入機構により
板状物が所定の位置まで洗浄液に投入されたときに該パ
イプを退避させるパイプ移動機構を備えるように構成さ
れる。 Further, in order to solve the above-mentioned problems, a cleaning apparatus according to the present invention comprises an overflowing device for discharging a cleaning liquid (2) to an upper portion.
A liquid tank (1) having a flow surface (S 0 ), and the liquid tank
The surface of the cleaning liquid (2) filled in (1)
-Far from the predetermined surface (S 1 ) which is almost perpendicular to the flow surface (S 0 )
A liquid flow generating means (12) for generating a liquid flow in a zigzag direction;
And a plate (3) having the predetermined surface (S
1) and the surface of the plate-shaped object (3) is
The flow of the cleaning liquid (2) generated in step (12)
Fill the liquid tank (1) with the plate (3) so that it is almost parallel
Cleaning mechanism (5) to be charged into the cleaning liquid (2)
The liquid flow generating means includes a plurality of jet ports at predetermined intervals.
It is formed so that it is arranged on a straight line,
It has a pipe for ejecting liquid, and upward from the spout on the pipe
The liquid level rises due to the cleaning liquid spouting into the
Due to the rise of the liquid level, the overflow
Liquid flow in a direction away from the specified surface that is almost perpendicular to the surface.
The pipe is connected to the liquid tank
Is provided above the bottom surface of
When the plate-like material is poured into the cleaning solution to a predetermined position,
It is configured to have a pipe moving mechanism for retracting the pipe.
It is.
【００１３】[0013]
【作用】洗浄液の表面の流れがオーバーフロー面にほぼ
垂直な所定の面から主に遠ざかる方向に進むように該洗
浄液をオーバーフロー面から流出させた状態で、板状物
が該所定の面と交わりかつ板状物の表面が洗浄液表面の
流れとほぼ平行となるように該板状物を洗浄液に投入す
ると、板状物表面に付着していたパーティクルは板状物
の表面に沿った洗浄液表面の流れによって洗浄液と共に
オーバーフロー面から流出する。従って、パーティクル
が洗浄液表面で浮遊する時間は極力短くなる。The cleaning liquid flows out of the overflow surface so that the flow of the surface of the cleaning liquid mainly moves away from the predetermined surface substantially perpendicular to the overflow surface. When the plate-like object is put into the cleaning liquid such that the surface of the plate-like object is substantially parallel to the flow of the cleaning liquid surface, the particles adhering to the plate-like object flow along the surface of the plate-like object along the cleaning liquid surface. And flows out of the overflow surface together with the cleaning liquid. Therefore, the time during which the particles float on the surface of the cleaning liquid is minimized.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】本発明の実施例における半導体ウェハの洗
浄装置の基本構成は図２に示すようになっている。図２
において、洗浄液槽２０はその上面が開口面Ｓ0 であ
り、該開口面Ｓ0 に対向する底面には給水パイプ１２が
設けられている。この給水パイプ１２の一端１２ａは洗
浄液槽２０の側壁２０ａに接して閉じている。給水パイ
プ１２は、その一端１２ａが接した側壁２０ａと反対側
の洗浄液槽２０の側壁２０ｂから突出し、パイプ１２の
他端が給水機構（図示略）に接続されている。パイプ１
２には、洗浄液槽２０の開口面Ｓ0 に対向するように複
数の噴射口１３が所定の間隔で形成されている。パイプ
１２は洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の
中央部に位置している。FIG. 2 shows a basic configuration of a semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
In FIG. 7, the cleaning liquid tank 20 has an upper surface serving as an opening surface S 0 , and a water supply pipe 12 is provided on a bottom surface opposed to the opening surface S 0 . One end 12a of the water supply pipe 12 is closed in contact with the side wall 20a of the cleaning liquid tank 20. The water supply pipe 12 projects from a side wall 20b of the cleaning liquid tank 20 opposite to the side wall 20a with which one end 12a is in contact, and the other end of the pipe 12 is connected to a water supply mechanism (not shown). Pipe 1
The second, a plurality of injection openings 13 so as to face the opening surface S 0 of the cleaning liquid tank 20 is formed at a predetermined interval. The pipe 12 is located at a central portion between the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20.
【００１６】被洗浄板状物である複数の半導体ウェハ１
０は、ロボットハンガー５によって所定の間隔を保った
状態で支持されている。このロボットハンガー５は投入
機構（図示略）に結合しており、洗浄液槽２０の内部に
開口面Ｓ0 を通して所定の速度で投入され、また、洗浄
液槽２０の内部から外部に搬出されるようになってい
る。Plural semiconductor wafers 1 to be cleaned plate-like objects
Numeral 0 is supported by the robot hanger 5 at a predetermined interval. The robot hanger 5 is attached to the injector mechanism (not shown), is introduced into the interior of the cleaning liquid tank 20 through the opening surface S 0 at a predetermined speed, and as will be carried to the outside from the inside of the cleaning liquid tank 20 Has become.
【００１７】給水機構からパイプ１２に洗浄液（例え
ば、純水）が供給されると、洗浄液はパイプ１２の噴出
口１３から噴出する。そして、洗浄液槽２０が洗浄液に
て満された後、図３に示すように、洗浄液１００が洗浄
液槽２０の外部に開口面Ｓ0 （オーバーフロー面）から
流出する。洗浄液１００内では、パイプ１２の各噴出口
１３からほぼ垂直方向に進む液流が形成されている。そ
して、給水機構によってパイプ１２の各噴出口１３から
の洗浄液１００の噴出圧を調整し、パイプ１２に対向す
る液面部位が、図４に示すように盛り上げられる。即
ち、開口面Ｓ0 （オーバーフロー面）に垂直でパイプ１
２を含む平面Ｓ1 と当該開口面Ｓ0 との交線ｌに沿って
洗浄液１００の液面が盛上げられる。なお、各噴出口１
３からの洗浄液１００の噴出圧が均一となるように、噴
出口１３の径が予め調整される。このように、洗浄液１
００の液面が平面Ｓ1 と開口面Ｓ0 との交線ｌに沿って
盛り上がると、その液面の盛り上がりにより、洗浄液１
００の液面に図３及び図４に示すようにな該平面Ｓ1 か
ら主に遠ざかる方向の流れが形成される。When a cleaning liquid (for example, pure water) is supplied to the pipe 12 from the water supply mechanism, the cleaning liquid is jetted from the jet port 13 of the pipe 12. After the cleaning liquid tank 20 is filled with the cleaning liquid, the cleaning liquid 100 flows out of the cleaning liquid tank 20 from the opening surface S 0 (overflow surface) as shown in FIG. In the cleaning liquid 100, a liquid flow that proceeds in a substantially vertical direction from each of the ejection ports 13 of the pipe 12 is formed. Then, the jet pressure of the cleaning liquid 100 from each jet port 13 of the pipe 12 is adjusted by the water supply mechanism, and the liquid surface portion facing the pipe 12 is raised as shown in FIG. That is, the pipe 1 is perpendicular to the opening surface S 0 (overflow surface).
Intersection line along the l liquid surface of the cleaning liquid 100 with the plane S 1 and the opening surface S 0 comprising 2 is the thread forming. Each spout 1
The diameter of the ejection port 13 is adjusted in advance so that the ejection pressure of the cleaning liquid 100 from the nozzle 3 becomes uniform. Thus, the cleaning solution 1
When the liquid level of 00 rises along the intersection line 1 between the plane S 1 and the opening surface S 0 , the rising of the liquid level causes the cleaning liquid 1 to rise.
The liquid surface 00 is the direction of flow away in the main, such a flat surface S 1 as shown in FIGS. 3 and 4 are formed.
【００１８】このような状態において、ロボットハンガ
ー５に支持された半導体ウェハ１０が図５，図６，図７
に示すように徐々に洗浄液１００内に投入されてゆく。
ここで、各半導体ウェハ１０は、ハンガーアーム５ｂに
支持された下縁部が洗浄液１００の盛り上がった部位を
通りかつその表面が洗浄液１００の液面に形成された流
れにほぼ平行となるように、投入されてゆく。この各半
導体ウェハ１０の洗浄液１００への投入の過程で、ま
ず、図５に示すように、ハンガーアーム５ｂに支持れた
半導体ウェハ１０の下縁部が洗浄液１００の盛り上がり
部位に入る。すると、ハンガーアーム５ｂと半導体ウェ
ハ１０との摩擦で生じていたパーティクルＰが液面に形
成された流れに従って、半導体ウェハ１０の表面に平行
な方向にハンガーアーム５ｂから遠ざかるように移動す
る。そして、洗浄液槽２０から流出する洗浄液１００と
共に該パーティクルＰが洗浄液槽２０から排出される。
更に半導体ウェハ１０が洗浄液１００内に沈み込み、図
６に示すようにハンガーアーム５ａ及び５ｃに支持され
た半導体ウェハ１０の側縁部が洗浄液１００の液面に達
する。すると、ハンガーアーム５ａ，５ｃと半導体ウェ
ハ１０との摩擦で生じていたパーティクルＰが上記と同
様液面に形成された流れに従って洗浄液槽２０から排出
される。そして、半導体ウェハ１０は、図７に示すよう
に、完全に洗浄液１００内に浸漬され、この状態で、所
定時間、半導体ウェハ１０表面に残留している薬液等の
洗浄が行なわれる。この所定時間の洗浄が終了すると、
ロボットハンガー５によって各半導体ウェハ１０が洗浄
液槽２０から引き上げられる。このとき、洗浄液１００
の液面には、そこに形成される流れのためにパーティク
ルＰがほとんど浮遊していない。従って、半導体ウェハ
１０を引き上げる際に、パーティクルＰが半導体ウェハ
１０の表面に付着することはない。In such a state, the semiconductor wafer 10 supported by the robot hanger 5 is shown in FIGS.
As shown in (1), it is gradually introduced into the cleaning liquid 100.
Here, each semiconductor wafer 10 has a lower edge portion supported by the hanger arm 5b passing through a raised portion of the cleaning liquid 100 and its surface being substantially parallel to the flow formed on the liquid surface of the cleaning liquid 100. It is put in. In the process of charging each of the semiconductor wafers 10 into the cleaning liquid 100, first, as shown in FIG. 5, the lower edge of the semiconductor wafer 10 supported by the hanger arm 5b enters the rising portion of the cleaning liquid 100. Then, the particles P generated by friction between the hanger arm 5b and the semiconductor wafer 10 move away from the hanger arm 5b in a direction parallel to the surface of the semiconductor wafer 10 according to the flow formed on the liquid surface. Then, the particles P are discharged from the cleaning liquid tank 20 together with the cleaning liquid 100 flowing out from the cleaning liquid tank 20.
Further, the semiconductor wafer 10 sinks into the cleaning liquid 100, and the side edges of the semiconductor wafer 10 supported by the hanger arms 5a and 5c reach the level of the cleaning liquid 100 as shown in FIG. Then, the particles P generated by the friction between the hanger arms 5a, 5c and the semiconductor wafer 10 are discharged from the cleaning liquid tank 20 in accordance with the flow formed on the liquid surface in the same manner as described above. Then, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer 10 is completely immersed in the cleaning liquid 100, and in this state, cleaning of the chemical liquid remaining on the surface of the semiconductor wafer 10 is performed for a predetermined time. When the cleaning for the predetermined time is completed,
Each semiconductor wafer 10 is pulled up from the cleaning liquid tank 20 by the robot hanger 5. At this time, the cleaning liquid 100
The particles P hardly float on the liquid surface due to the flow formed there. Therefore, when the semiconductor wafer 10 is pulled up, the particles P do not adhere to the surface of the semiconductor wafer 10.
【００１９】なお、半導体ウェハ１０表面に付着した他
のほこりや不純物等も上記のように半導体ウェハ１０を
洗浄液１００に投入する際に、その液面に形成された流
れに従って洗浄液槽２０の外部に排出される。When the semiconductor wafer 10 is charged into the cleaning liquid 100 as described above, other dust and impurities adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 are also discharged to the outside of the cleaning liquid tank 20 according to the flow formed on the liquid surface. Is discharged.
【００２０】上記のように、本実施例では、洗浄液１０
０の液面の一部を盛り上げて、該液面に、その盛り上げ
部位から遠ざかるような流れを形成し、半導体ウェハ１
０を、洗浄液１００の液面が盛り上がった部位から、半
導体ウェハ１０の表面が液面の流れにほぼ平行となるよ
うに洗浄液１００内に投入している。従って、半導体ウ
ェハ１０を洗浄液１００に投入する過程で、半導体ウェ
ハ１０の表面に付着しているパーティクルＰが液面に形
成された流れに従って洗浄液槽２０の外部に排出され
る。その結果、洗浄液１００の表面で浮遊するパーティ
クルＰの数が極端に減少し、半導体ウェハ１０を浸漬さ
せるとき及び取出すときにその表面に再度付着するパー
ティクルＰはほとんどなくなる。As described above, in this embodiment, the cleaning liquid 10
0, a part of the liquid surface is raised, and a flow is formed on the liquid surface so as to move away from the raised part.
0 is supplied into the cleaning liquid 100 from the portion where the liquid level of the cleaning liquid 100 rises so that the surface of the semiconductor wafer 10 is substantially parallel to the flow of the liquid level. Therefore, in the process of putting the semiconductor wafer 10 into the cleaning liquid 100, the particles P adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 are discharged out of the cleaning liquid tank 20 according to the flow formed on the liquid surface. As a result, the number of particles P floating on the surface of the cleaning liquid 100 is extremely reduced, and almost no particles P adhere to the surface when the semiconductor wafer 10 is immersed or taken out.
【００２１】上記のような洗浄方法において、洗浄液１
００の液面に乱れのない均一な流れを形成するために
は、液面を安定的に盛り上げた状態を保持する必要があ
る。このためには、パイプ１２の各噴出口１３から噴出
される洗浄液１００がなるべく広がらないで洗浄液１０
０の液面に達することが必要である。このような洗浄液
１００中での流れを実現するための機構の例が、図８か
ら図１２に示される。In the above-described cleaning method, the cleaning liquid 1
In order to form a uniform flow on the liquid surface of No. 00 without turbulence, it is necessary to maintain a state in which the liquid surface is stably raised. For this purpose, the cleaning liquid 100 spouted from each spout 13 of the pipe 12 does not spread as much as possible.
It is necessary to reach a liquid level of zero. Examples of a mechanism for realizing such a flow in the cleaning liquid 100 are shown in FIGS.
【００２２】第一の例が図８に示される。図８におい
て、パイプ１２の上に噴出口１３を覆うように整流ユニ
ット１５が設けられている。この整流ユニット１５は、
第一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂから構成さ
れ、第一の整流板１５ａと第二の整流板１５ｂせは、パ
イプ１２の噴出口１３から遠ざかるに従ってその間隔が
小さくなるように対向して配置されている。そして、第
一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂの先端部が平
行となってスリット１６が形成されている。A first example is shown in FIG. In FIG. 8, a rectifying unit 15 is provided on a pipe 12 so as to cover the ejection port 13. This rectification unit 15
The first rectifying plate 15a and the second rectifying plate 15b are opposed to each other so that the distance between the first rectifying plate 15a and the second rectifying plate 15b decreases as the distance from the outlet 13 of the pipe 12 increases. It is arranged. The slits 16 are formed such that the leading ends of the first current plate 15a and the second current plate 15b are parallel to each other.
【００２３】このように、パイプ１２の上に整流ユニッ
ト１５を設けると、噴出口１３から噴出した洗浄液１０
０は、第一の整流板１５ａ及び第二の整流板１５ｂに沿
って上方に導かれ、更にスリット１６から液面に向って
噴出される。スリット１６によって洗浄液１００の流れ
が規制されるので、洗浄液１００は特に大きく広がるこ
となく液面に達する。その結果、パイプ１２に対向する
液面を安定的に盛り上げる状態を保持することができ
る。When the rectifying unit 15 is provided on the pipe 12 as described above, the cleaning liquid 10
0 is guided upward along the first rectifying plate 15a and the second rectifying plate 15b, and is further ejected from the slit 16 toward the liquid surface. Since the flow of the cleaning liquid 100 is regulated by the slit 16, the cleaning liquid 100 reaches the liquid surface without particularly widening. As a result, a state in which the liquid surface facing the pipe 12 is stably raised can be maintained.
【００２４】第二の例が図９（ａ）（ｂ）（Ｃ）に示さ
れる。図９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、パイプ１２の
上部に平板１７ａ及び１７ｂが、パイプ１２に対向する
部位にスリット１８が形成されるように設けられる。ス
リット１８とパイプ１２との間は所定の距離に保たれ、
平板１７ａ及び１７ｂは洗浄液槽２０の内壁に固定され
ている。この第二の例においても、パイプ１２から噴出
した洗浄液１００の流れがスリット１８によって規制さ
れ、上記第一の例と同様に、スリット１８を介した洗浄
液１００が特に広がることなく液面に達する。A second example is shown in FIGS. 9 (a), 9 (b) and 9 (C). 9 (a), 9 (b) and 9 (c), flat plates 17a and 17b are provided above the pipe 12 so that a slit 18 is formed at a position facing the pipe 12. A predetermined distance is maintained between the slit 18 and the pipe 12,
The flat plates 17a and 17b are fixed to the inner wall of the cleaning liquid tank 20. Also in the second example, the flow of the cleaning liquid 100 ejected from the pipe 12 is regulated by the slits 18, and the cleaning liquid 100 reaches the liquid level through the slits 18 without being particularly spread, as in the first example.
【００２５】第三の例が図１０（ａ）（ｂ）に示され
る。図１０（ａ）（ｂ）において、平板１９ａ，１９ｂ
がパイプ１２の上方に、第二の例と同様に設けられ、各
平板１９ａ，１９ｂの対向する端部に夫々整流板２５
ａ，２５ｂが互いに平行となるように形成されている。
この整流板２５ａ，２５ｂによりパイプ１２に対応する
スリット２６が形成される。第三の例では、第二の例に
比べて更に整流の効果が高い。A third example is shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), the flat plates 19a, 19b
Are provided above the pipe 12 in the same manner as in the second example, and the rectifying plates 25 are respectively provided at opposite ends of the flat plates 19a and 19b.
a and 25b are formed so as to be parallel to each other.
A slit 26 corresponding to the pipe 12 is formed by the current plates 25a and 25b. In the third example, the effect of rectification is higher than in the second example.
【００２６】第四の例が、図１１（ａ）（ｂ）に示され
る。図１１（ａ）（ｂ）において、平板２７がパイプ１
２の上部に設けられている。平板２７にはパイプ１２に
対向する部位にスリット２８が形成されている。この平
板２７は洗浄液槽２０の内壁に固定されている。この第
四の例では、第二の例と同様に、スリット２８を介した
洗浄液１００が特に広がることなく液面に達する。A fourth example is shown in FIGS. 11A and 11B, the flat plate 27 is the pipe 1
2 is provided at the upper part. A slit 28 is formed in the flat plate 27 at a position facing the pipe 12. This flat plate 27 is fixed to the inner wall of the cleaning liquid tank 20. In the fourth example, as in the second example, the cleaning liquid 100 via the slit 28 reaches the liquid level without particularly widening.
【００２７】第五の例が図１２（ａ）（ｂ）に示され
る。図１２（ａ）（ｂ）において、パイプ１２が円筒状
の整流ユニット２９に収容されている。整流ユニット２
９のパイプ１２に対向する部位には平板３０ａ，３０ｂ
が互いに平行に対向し、スリット３１が形成されてい
る。この第五の例では、噴出口１３から噴出された洗浄
液１００は、円筒状の整流ユニット２９の内壁に沿って
スリット３１に導かれ、該スリット３１から液面に向け
て均一に噴出する。A fifth example is shown in FIGS. 12A and 12B, the pipe 12 is accommodated in a cylindrical rectification unit 29. Rectification unit 2
9 are flat plates 30a and 30b
Are opposed to each other in parallel, and a slit 31 is formed. In the fifth example, the cleaning liquid 100 jetted from the jet port 13 is guided to the slit 31 along the inner wall of the cylindrical rectifying unit 29, and is jetted uniformly from the slit 31 toward the liquid surface.
【００２８】洗浄液槽２０の底面に設けられるパイプ１
２の一端１２ａが封鎖されているので、一定の圧力にて
パイプ１２内に洗浄液１００を供給しても、各噴出口１
３の径が等しいと、端部１２ａに近いほど噴出口１３か
らの洗浄液１００の噴出圧が大きくなる。従って、上述
した実施例では、各噴出口１３からの洗浄液１００の噴
出圧を均一になるように、例えば、噴出口１３の径を調
整している。しかし、多くの噴出口１３のそれぞれの径
を異なるようにするには、パイプ１２の製作工数が増大
する。この点を改善した洗浄液１００の噴出機構の例を
図１３，図１４及び図１５に基づいて説明する。The pipe 1 provided on the bottom of the cleaning liquid tank 20
Since one end 12a of the nozzle 2 is closed, even if the cleaning liquid 100 is supplied into the pipe 12 at a constant pressure,
If the diameters of the cleaning liquid 100 and the cleaning liquid 100 are the same, the closer to the end 12a, the higher the pressure of the cleaning liquid 100 ejected from the ejection port 13. Therefore, in the above-described embodiment, for example, the diameter of the ejection port 13 is adjusted so that the ejection pressure of the cleaning liquid 100 from each ejection port 13 becomes uniform. However, in order to make the diameter of each of the many ejection ports 13 different, the number of manufacturing steps of the pipe 12 increases. An example of a cleaning liquid ejection mechanism that improves this point will be described with reference to FIGS. 13, 14, and 15. FIG.
【００２９】第一の例が図１３に示される。図１３にお
いて、第一のパイプ３５と第二のパイプ３６が洗浄液槽
２０に底面に設けられており、第一のパイプ３５が洗浄
液槽２０の側壁２０ｂを通って給水機構に接続され、第
二のパイプ３６が上記側壁２０ｂと逆側の側壁２０ａを
通って給水機構に接続されている。第一のパイプ３５
は、メインパイプ３５ａと複数の枝パイプ３５ｂ（１）
〜３５ｂ（９）とで構成されている。メインパイプ３５
ａは洗浄液槽２０の後壁２０ｄに平行に配置されてい
る。メインパイプ３５ａに接続される枝パイプ３５ｂ
（１）〜３５ｂ（９）は所定の間隔で配列され、メイン
パイプ３５ａと垂直にかつ洗浄液槽２０の底面に平行と
なるように延びている。各枝パイプ３５ｂ（１）〜３５
ｂ（９）の終端は閉じており、この終端部に噴出口１３
が形成されている。また、第二のパイプ３６も第一のパ
イプ３５と同様にメインパイプ３６ａと複数の枝パイプ
３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）とで構成されている。第二
のパイプ３６のメインパイプ３６ａは洗浄液槽２０の前
壁２０ｃに平行に配置されている。各枝パイプ３６ｂ
（１）〜３６ｂ（９）は、第一のパイプ３５の枝パイプ
３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）と同様に配列され、メイン
パイプ３６ａに接続されている。そして、枝パイプ３６
ｂ（１）〜３６ｂ（９）の終端も閉じており、その終端
部に噴出口１３が形成されている。更に、第一のパイプ
３５の枝パイプ３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）及び第二の
パイプ３６の枝パイプ３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）が交
互に配列され、各枝パイプ３５ｂ（１）〜３５ｂ（９）
及び３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）の終端に形成された噴
出口１３が各メインパイプ３５ａ，３６ａに平行となる
直線上に配列されている。A first example is shown in FIG. In FIG. 13, a first pipe 35 and a second pipe 36 are provided on the bottom surface of the cleaning liquid tank 20, and the first pipe 35 is connected to the water supply mechanism through the side wall 20b of the cleaning liquid tank 20, and Is connected to a water supply mechanism through a side wall 20a opposite to the side wall 20b. First pipe 35
Is a main pipe 35a and a plurality of branch pipes 35b (1)
To 35b (9). Main pipe 35
a is arranged in parallel with the rear wall 20 d of the cleaning liquid tank 20. Branch pipe 35b connected to main pipe 35a
(1) to 35b (9) are arranged at a predetermined interval, and extend perpendicular to the main pipe 35a and parallel to the bottom surface of the cleaning liquid tank 20. Each branch pipe 35b (1) to 35
The end of b (9) is closed.
Are formed. Similarly to the first pipe 35, the second pipe 36 includes a main pipe 36a and a plurality of branch pipes 36b (1) to 36b (9). The main pipe 36 a of the second pipe 36 is arranged parallel to the front wall 20 c of the cleaning liquid tank 20. Each branch pipe 36b
(1) to 36b (9) are arranged in the same manner as the branch pipes 35b (1) to 35b (9) of the first pipe 35, and are connected to the main pipe 36a. And the branch pipe 36
The ends of b (1) to 36b (9) are also closed, and the outlet 13 is formed at the end. Further, the branch pipes 35b (1) to 35b (9) of the first pipe 35 and the branch pipes 36b (1) to 36b (9) of the second pipe 36 are alternately arranged, and each branch pipe 35b (1). ~ 35b (9)
And the outlets 13 formed at the ends of 36b (1) to 36b (9) are arranged on a straight line parallel to the main pipes 35a and 36a.
【００３０】上記のような洗浄液１００の噴出機構によ
れば、各噴出口１３が同じように各枝パイプ３５ｂ
（１）〜３５ｂ（９）及び３６ｂ（１）〜３６ｂ（９）
の終端近傍に形成され、また、各噴出口１３がメインパ
イプ３５ａ，３６ｂから離れて形成されるため、隣接す
る枝パイプ内の液圧は互いに影響されにくい。従って、
各噴出口１３からの洗浄液１００の噴出圧が大きく異な
ることが防止される。更に、第一のパイプ３５のメイン
パイプ３５ａ及び第二のパイプ３６のメインパイプ３６
ａにはそれぞれ逆方向から洗浄液１００が供給される。
そのため、仮に、各メインパイプ３５ａ，３６ａ上の位
置に応じて対応する枝パイプの噴出口１３から噴出され
る洗浄液１００の噴出圧が変化しても、その噴出圧のメ
インパイプ３５ａ，３６ａ上の位置に応じた分布は、第
一のパイプ３５と第二のパイプ３６で夫々逆の特性とな
る。従って、第一のパイプ３５の枝パイプ３５ｂ（１）
〜３５ｂ（９）と第二のパイプ３６の枝パイプ３６ｂ
（１）〜３６ｂ（９）が交互に配列れているので、各パ
イプ３５，３６での噴出圧の圧力分布が互いに補完しあ
うものとなる。その結果、洗浄液１００の液面に向う液
流の圧力はほぼ均一なものとなる。According to the above-described ejection mechanism for the cleaning liquid 100, each ejection port 13 is similarly set to each branch pipe 35b.
(1) to 35b (9) and 36b (1) to 36b (9)
And the outlets 13 are formed apart from the main pipes 35a and 36b, so that the hydraulic pressures in the adjacent branch pipes are hardly influenced by each other. Therefore,
It is possible to prevent the ejection pressure of the cleaning liquid 100 from each ejection port 13 from being largely different. Furthermore, the main pipe 35a of the first pipe 35 and the main pipe 36 of the second pipe 36
The cleaning liquid 100 is supplied to “a” from opposite directions.
Therefore, even if the ejection pressure of the cleaning liquid 100 ejected from the ejection port 13 of the corresponding branch pipe changes according to the position on each of the main pipes 35a and 36a, the ejection pressure of the cleaning liquid 100 on the main pipes 35a and 36a is changed. The distribution according to the position has opposite characteristics in the first pipe 35 and the second pipe 36, respectively. Therefore, the branch pipe 35b (1) of the first pipe 35
35b (9) and the branch pipe 36b of the second pipe 36
Since (1) to (36) (9) are alternately arranged, the pressure distributions of the jet pressures in the pipes 35 and 36 complement each other. As a result, the pressure of the liquid flow toward the liquid surface of the cleaning liquid 100 becomes substantially uniform.
【００３１】噴出機構の第二の例が図１４に示される。
図１４において、第一の例と同様に、メインパイプ３７
ａと枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）で構成された
第一のパイプ３７と、メインパイプ３８ａと枝パイプ３
８ｂ（１）〜３８ｂ（７）で構成された第二のパイプ３
８とが洗浄液槽２０の底面に設けられている。第一のパ
イプ３７の枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）と第二
のパイプ３８の枝パイプ３８ｂ（１）〜３８ｂ（７）
は、上記第一の例と同様に、交互に配列されている。そ
して、各枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）と３８ｂ
（１）〜３８ｂ（７）の終端が閉じている。そして、各
枝パイプ３７ｂ（１）〜３７ｂ（７）及び３８ｂ（１）
〜３８ｂ（７）には噴出口１３が洗浄液槽２０の前壁２
０ｃと後壁２０ｄとの間の中央から、メインパイプ３７
ａ，３８ａに向って配列されるように形成されている。
各メインパイプ３７ａ，３８ａから最も遠い位置に形成
された噴出口１３は各メインパイプ３７ａ，３８ａと平
行な直線上に配列される。FIG. 14 shows a second example of the ejection mechanism.
In FIG. 14, similarly to the first example, the main pipe 37
a, a first pipe 37 composed of branch pipes 37b (1) to 37b (7), a main pipe 38a and a branch pipe 3
Second pipe 3 composed of 8b (1) to 38b (7)
8 are provided on the bottom surface of the cleaning liquid tank 20. Branch pipes 37b (1) to 37b (7) of the first pipe 37 and branch pipes 38b (1) to 38b (7) of the second pipe 38
Are alternately arranged as in the first example. Then, each of the branch pipes 37b (1) to 37b (7) and 38b
The ends of (1) to 38b (7) are closed. And each branch pipe 37b (1) -37b (7) and 38b (1)
38b (7), the jet port 13 is provided with the front wall 2 of the cleaning liquid tank 20.
0c and the rear wall 20d, the main pipe 37
a, 38a.
The jet ports 13 formed at positions farthest from the main pipes 37a, 38a are arranged on a straight line parallel to the main pipes 37a, 38a.
【００３２】この第二の例では、上記第一の例と同様の
利点が得られると共に次のような利点もある。洗浄液槽
２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の中央に位置する
噴出口１３が最も各枝パイプの終端に近いので、そこか
らの噴出圧が最大となる。即ち、各枝パイプにおいて、
各噴出口１３から噴出される洗浄液１００の噴出圧は、
図１５に示すように、前壁２０ｃと後壁２０ｄとの間の
中央から遠ざかるに従って小さくなる。このような噴出
圧の圧力分布により、洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁
２０ｄとの間の中央部の液面を安定的に盛り上げること
が可能となる。次に、半導体ウェハの洗浄液槽の他の実
施例を図１６，図１７及び図１８に基づいて説明する。In the second example, the same advantages as those of the first example can be obtained, and also the following advantages can be obtained. Since the ejection port 13 located at the center between the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20 is closest to the end of each branch pipe, the ejection pressure therefrom becomes maximum. That is, in each branch pipe,
The ejection pressure of the cleaning liquid 100 ejected from each ejection port 13 is:
As shown in FIG. 15, the distance becomes smaller as the distance from the center between the front wall 20c and the rear wall 20d increases. With such a pressure distribution of the ejection pressure, it is possible to stably raise the liquid level in the central portion between the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20. Next, another embodiment of the cleaning liquid tank for semiconductor wafers will be described with reference to FIGS. 16, 17 and 18. FIG.
【００３３】図１６において、洗浄液槽２０の底面に、
洗浄液の噴出ユニット４０が設けられている。噴出ユニ
ット４０は、洗浄液供給ブロック４１ａ、洗浄液排出ブ
ロック４１ｂ及び洗浄液供給ブロック４１ａと洗浄液排
出ブロック４１ｂとの間に接続された複数のパイプ４２
とを有している。各パイプ４２は洗浄液槽２０の前壁２
０ｃ及び後壁２０ｄに平行に配列されている。各パイプ
４２には噴出口４３が所定の間隔で配列されるように形
成されている。また、洗浄液供給ブロック４１ａには供
給パイプ４５が接続され、この供給パイプ４５を介して
給水機構（図示略）から洗浄液供給ブロック４１ａに所
定の圧力の洗浄液が供給される。洗浄液供給ブロック４
１ａと各パイプ４２は調整弁を介して接続されており、
その調整弁を操作するための調整ネジ４４ａが洗浄液供
給ブロック４１ａに設けられている。洗浄液排出ブロッ
ク４１ｂと各パイプ４２もまた調整弁を介して夫々接続
されており、その調整弁を操作するための調整ネジ４４
ｂが洗浄液排出ブロック４１ｂに設けられている。洗浄
液排出ブロック４１には排出パイプ４６が接続されてお
り、洗浄液排出ブロック４１ｂから排出される洗浄液が
排出パイプ４６を介して給水機構に戻されるようになっ
ている。In FIG. 16, on the bottom of the cleaning liquid tank 20,
A cleaning liquid ejection unit 40 is provided. The ejection unit 40 includes a cleaning liquid supply block 41a, a cleaning liquid discharge block 41b, and a plurality of pipes 42 connected between the cleaning liquid supply block 41a and the cleaning liquid discharge block 41b.
And Each pipe 42 is connected to the front wall 2 of the cleaning liquid tank 20.
0c and the rear wall 20d. The outlets 43 are formed in each pipe 42 so as to be arranged at predetermined intervals. Further, a supply pipe 45 is connected to the cleaning liquid supply block 41a, and a cleaning liquid having a predetermined pressure is supplied to the cleaning liquid supply block 41a from a water supply mechanism (not shown) via the supply pipe 45. Cleaning liquid supply block 4
1a and each pipe 42 are connected via a regulating valve,
An adjusting screw 44a for operating the adjusting valve is provided in the cleaning liquid supply block 41a. The cleaning liquid discharge block 41b and each pipe 42 are also connected via an adjustment valve, and an adjustment screw 44 for operating the adjustment valve is provided.
b is provided in the cleaning liquid discharge block 41b. A discharge pipe 46 is connected to the cleaning liquid discharge block 41, and the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge block 41b is returned to the water supply mechanism via the discharge pipe 46.
【００３４】上記のような噴出ユニット４０を備えた洗
浄液槽２０において、洗浄液供給ブロック４１ａ及び洗
浄液排出ブロック４１ｂに設けられた調整ネジ４４ａ，
４４ｂを調整することにより、パイプ４２の延びる方向
と垂直な平面内での洗浄液の噴出圧力が図１７に示すよ
うな正規分布となるようにする。即ち、中央に位置する
パイプ４２の噴出口４３から噴出される洗浄液の噴出圧
が最大となり、その中央のパイプ４２から離れるほど噴
出圧が小さくなる。また、パイプ４２に沿った方向の噴
出圧が均一となるように各パイプ４２の噴出口４３の径
が調整される。その結果、図１８に示すように、パイプ
４２と垂直な平面内では噴出圧力は中央で最大となって
そこから離れるほど小さくなり、また、パイプ４２と平
行で洗浄液槽２０の底面に垂直な平面内では噴出圧力が
均一となる。このような洗浄液の噴出圧力の分布によ
り、洗浄液の液面が図３及び図４に示すように盛り上が
る。そして、洗浄液の液面には、その盛り上がり部分か
ら洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向う流れ
が安定的に形成される。In the cleaning liquid tank 20 provided with the above-described ejection unit 40, the adjusting screws 44a provided on the cleaning liquid supply block 41a and the cleaning liquid discharge block 41b,
By adjusting 44b, the jet pressure of the cleaning liquid in a plane perpendicular to the direction in which the pipe 42 extends has a normal distribution as shown in FIG. That is, the ejection pressure of the cleaning liquid ejected from the ejection port 43 of the pipe 42 located at the center becomes the maximum, and the ejection pressure decreases as the distance from the pipe 42 at the center increases. Further, the diameter of the ejection port 43 of each pipe 42 is adjusted so that the ejection pressure in the direction along the pipes 42 becomes uniform. As a result, as shown in FIG. 18, in a plane perpendicular to the pipe 42, the ejection pressure becomes maximum at the center and decreases as the distance from the center increases, and a plane parallel to the pipe 42 and perpendicular to the bottom surface of the cleaning liquid tank 20. Inside, the jet pressure becomes uniform. Due to such a distribution of the jetting pressure of the cleaning liquid, the liquid level of the cleaning liquid rises as shown in FIGS. The flow of the cleaning liquid from the rising portion toward the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20 is stably formed.
【００３５】上記のような洗浄液槽２０に半導体ウェハ
１０は各パイプの延びる方向と垂直となるように投入さ
れる（図４，図５，図６，図７参照）。The semiconductor wafer 10 is put into the cleaning liquid tank 20 as described above so as to be perpendicular to the direction in which each pipe extends (see FIGS. 4, 5, 6, and 7).
【００３６】図１９は、更に他の噴出機構を示す。図１
９において、第一のパイプユニット７０の中央部にスペ
ースが形成され、このスペースに第二のパイプユニット
７２が設けられている。この第一のパイプユニット７０
及び第二のパイプユニット７２は、洗浄液槽２０の底面
に設置される。第一のパイプユニット７０は互いに連結
した複数のパイプ７０ａからなっており、第二のパイプ
ユニット７２も互いに連結した３本のパイプ７２ａから
なっている各パイプ７０ａ，７２ａ上には所定間隔で配
列される噴出口７１，７３が形成されている。第二のパ
イプユニット７２の各パイプ７２ａ上には整流器７４が
設けられている。整流器７４は、図２０（ａ），（ｂ）
に示すように、各パイプ７２ａ上の噴出口７３に対向す
る開口面７６を有する。また、整流器７４の両端部には
支持突起７５が形成され、整流器７４の各側面とパイプ
７２ａとの間にスリット７８が形成される。この整流器
７４の高さ（ａ）は例えば、約８〜１０ｍｍであり、ス
リット７８の幅（ｂ）は例えば、約５〜１０ｍｍであ
る。FIG. 19 shows still another ejection mechanism. FIG.
9, a space is formed in the center of the first pipe unit 70, and the second pipe unit 72 is provided in this space. This first pipe unit 70
And the second pipe unit 72 is installed on the bottom surface of the cleaning liquid tank 20. The first pipe unit 70 is composed of a plurality of pipes 70a connected to each other, and the second pipe unit 72 is also arranged at predetermined intervals on each of the pipes 70a, 72a composed of three connected pipes 72a. Ejection ports 71 and 73 are formed. A rectifier 74 is provided on each pipe 72a of the second pipe unit 72. The rectifier 74 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 7, each of the pipes 72a has an opening surface 76 facing the ejection port 73. Support projections 75 are formed at both ends of the rectifier 74, and a slit 78 is formed between each side surface of the rectifier 74 and the pipe 72a. The height (a) of the rectifier 74 is, for example, about 8 to 10 mm, and the width (b) of the slit 78 is, for example, about 5 to 10 mm.
【００３７】このような、噴出機構によれば、各パイプ
７２ａの噴出口７３から噴出された洗浄液は整流器７４
によってガイドされ、その開口面７６から上方に噴出す
る。そして、この開口面７６からの洗浄液の噴出作用に
より、図２１に示すように、整流器７４の側面に形成さ
れたスリット７８から洗浄液が整流器７４に引き込まれ
る。その結果、整流器７４を介して噴出される洗浄液の
勢いが増幅される。従って、パイプ７２ａから噴出され
た洗浄液は大きく広がることなく洗浄液の液面に達し、
その液面が安定的に盛り上げられる。According to such an ejection mechanism, the cleaning liquid ejected from the ejection port 73 of each pipe 72a is supplied to the rectifier 74.
And is ejected upward from the opening surface 76. Then, the cleaning liquid is drawn into the rectifier 74 from the slit 78 formed on the side surface of the rectifier 74 as shown in FIG. As a result, the momentum of the cleaning liquid ejected through the rectifier 74 is amplified. Therefore, the cleaning liquid ejected from the pipe 72a reaches the level of the cleaning liquid without greatly spreading,
The liquid level is stably raised.
【００３８】半導体ウェハを洗浄するに際して、まず、
第二のパイプユニット７２に洗浄液を供給して、洗浄液
の液面を図４に示すように盛り上げる。または、第一の
パイプユニット７０により洗浄液を満してから第二のパ
イプユニット７２に切換えて液面を盛り上げても良い。
この状態で、半導体ウェハを除々に洗浄液内に投入し、
半導体ウェハが完全に洗浄液内に浸漬した後に、第一の
パイプユニット７０に洗浄液を供給して半導体ウェハを
洗浄する。この第一のパイプユニット７０に洗浄液を供
給するときに第二のパイプユニット７２への洗浄液の供
給を断つようにしても良い。In cleaning a semiconductor wafer, first,
The cleaning liquid is supplied to the second pipe unit 72 to raise the level of the cleaning liquid as shown in FIG. Alternatively, the liquid level may be raised by switching to the second pipe unit 72 after the first pipe unit 70 has filled the cleaning liquid.
In this state, the semiconductor wafer is gradually poured into the cleaning liquid,
After the semiconductor wafer is completely immersed in the cleaning liquid, the cleaning liquid is supplied to the first pipe unit 70 to clean the semiconductor wafer. When the cleaning liquid is supplied to the first pipe unit 70, the supply of the cleaning liquid to the second pipe unit 72 may be cut off.
【００３９】次に、本発明に係る洗浄装置の実施例につ
いて説明する。Next, an embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention will be described.
【００４０】図２２は第一の実施例に係る洗浄装置を示
す。洗浄液槽２０の底面に複数のパイプ８２ａを有する
パイプユニット８２が設けられている。また、初期状態
において、洗浄液槽２０の前壁２０ｃと後壁２０ｄの間
の中央部でかつパイプユニット８２の上方に移動パイプ
８４が設けられている。この移動パイプ８４は、側壁２
０ａの上端を越えてキャリッジ８６に固定されている。
キャリッジ８６はモータを搭載しており、このモータの
駆動により、側面に沿って設置されるレール９４上を移
動可能となっている。パイプユニット８２は給水機構に
接続され、移動パイプ８４はフレキシブルホース８５を
介して給水機構に接続されている。パイプユニット８２
の各パイプ８２ａ及び移動パイプ８４には、所定間隔で
配列された噴出口が形成されている。複数の半導体ウェ
ハ１０を一括して支持するハンガー５は、キャリッジ９
２に固定されている。そして、キャリッジ９２はモータ
を搭載ており、このモータの駆動により水平及び垂直方
向に延びるレール９０上を移動可能となっている。移動
パイプ８４が固定されるキャリッジ８６のモータと、半
導体ウェハ１０を支持するハンガー５が固定されるキャ
リッジ９２とは夫々同期制御される。FIG. 22 shows a cleaning apparatus according to the first embodiment. A pipe unit 82 having a plurality of pipes 82 a is provided on the bottom surface of the cleaning liquid tank 20. In the initial state, a moving pipe 84 is provided at a central portion between the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20 and above the pipe unit 82. The moving pipe 84 is connected to the side wall 2.
Oa is fixed to the carriage 86 beyond the upper end.
The carriage 86 has a motor mounted thereon, and can be moved on a rail 94 provided along the side surface by driving the motor. The pipe unit 82 is connected to a water supply mechanism, and the moving pipe 84 is connected to the water supply mechanism via a flexible hose 85. Pipe unit 82
In each of the pipes 82a and the moving pipe 84, ejection ports arranged at predetermined intervals are formed. A hanger 5 that supports a plurality of semiconductor wafers 10 collectively includes a carriage 9
It is fixed to 2. The carriage 92 has a motor mounted thereon, and can be moved on rails 90 extending in the horizontal and vertical directions by driving the motor. The motor of the carriage 86 to which the moving pipe 84 is fixed and the carriage 92 to which the hanger 5 supporting the semiconductor wafer 10 is fixed are controlled synchronously.
【００４１】上記のような洗浄装置により半導体ウェハ
１０が次のように洗浄される。The semiconductor wafer 10 is cleaned by the above-described cleaning apparatus as follows.
【００４２】まず、洗浄液槽２０内に洗浄液１００が満
される。そして、図２２に示す初期位置にある移動パイ
プ８４の各噴出口から洗浄液１００が噴出される。それ
により、洗浄液１００の液面中央部が移動パイプの延び
る方向に盛り上げられる（図２４（ａ）参照）。このと
き、液面には盛り上がった部位から前壁２０ｃ及び後壁
２０ｄに向う流れが形成される。この状態で、ハンガー
５が固定されたキャリッジ９２が垂直方向に延びるレー
ル９０上を下降し、ハンガー５に支持された半導体ウェ
ハ１０が洗浄液１００に投入される（図２４（ｂ）参
照）。半導体ウェハ１０の下端縁を支持するハンガーア
ーム５ｂが洗浄液１００に投入されてから半導体ウェハ
１０の側縁部を支持するハンガーアーム５ａ，５ｃが洗
浄液１００に投入されるまでの過程で、各ハンガーアー
ム５ａ，５ｂ，５ｃにたまったパーティクルが、前述し
たのと同様に、洗浄液１００の液面に形成された流れに
したがって、洗浄液槽２０から流出する。その後、パイ
プユニット８２の各パイプ８２ａから洗浄液１００が噴
出され、移動パイプ８４からの洗浄後１００の噴出が停
止される。そして、ハンガー５が固定されたキャリッジ
９２の下方への移動に同期して、移動パイプ８４に固定
されたキャリッジ８６がレール９４上を移動する。即
ち、半導体ウェハ１０が下降する過程で、移動パイプ８
４洗浄液槽２０の後壁２０ｄの方へ移動する（図２４
（ｃ）参照）。更に、ハンガー５が固定されたキャリッ
ジ９２が下降して最下点に達すると、半導体ウェハ１０
は図２３に示すように完全に洗浄液１００内に浸漬さ
れ、洗浄される。First, the cleaning liquid 100 is filled in the cleaning liquid tank 20. Then, the cleaning liquid 100 is spouted from each spout of the moving pipe 84 at the initial position shown in FIG. Thus, the central part of the cleaning liquid 100 is raised in the direction in which the moving pipe extends (see FIG. 24A). At this time, a flow is formed on the liquid surface from the raised portion toward the front wall 20c and the rear wall 20d. In this state, the carriage 92 to which the hanger 5 is fixed descends on the rail 90 extending in the vertical direction, and the semiconductor wafer 10 supported by the hanger 5 is poured into the cleaning liquid 100 (see FIG. 24B). In the process from when the hanger arm 5b supporting the lower edge of the semiconductor wafer 10 is supplied to the cleaning liquid 100 to when the hanger arms 5a and 5c supporting the side edges of the semiconductor wafer 10 are supplied to the cleaning liquid 100, each hanger arm is provided. The particles accumulated in 5a, 5b, and 5c flow out of the cleaning liquid tank 20 according to the flow formed on the surface of the cleaning liquid 100 in the same manner as described above. Thereafter, the cleaning liquid 100 is ejected from each pipe 82a of the pipe unit 82, and the ejection of the cleaning liquid 100 from the moving pipe 84 is stopped. The carriage 86 fixed to the moving pipe 84 moves on the rail 94 in synchronization with the downward movement of the carriage 92 to which the hanger 5 is fixed. That is, the moving pipe 8 is moved while the semiconductor wafer 10 descends.
4 Move toward the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20 (FIG. 24)
(C)). Further, when the carriage 92 to which the hanger 5 is fixed descends to reach the lowest point, the semiconductor wafer 10
Is completely immersed in the cleaning liquid 100 as shown in FIG.
【００４３】上記の洗浄装置によれば、半導体ウェハ１
０からパーティクルが除去されるまで、パイプユニット
８２の上方に位置する移動パイプ８４から洗浄液１００
が噴出される。即ち、洗浄液１００の表面が安定して盛
り上がった状態で、パーティクルが半導体ウェハ１０か
ら除去される。従って、半導体ウェハ１０から除去され
たパーティクルは直ちに洗浄液１００の液面に形成され
た流れに従って洗浄液槽２０から排出される。According to the above cleaning apparatus, the semiconductor wafer 1
From the moving pipe 84 located above the pipe unit 82 until particles are removed from the cleaning liquid 100.
Is squirted. That is, the particles are removed from the semiconductor wafer 10 with the surface of the cleaning liquid 100 stably raised. Therefore, the particles removed from the semiconductor wafer 10 are immediately discharged from the cleaning liquid tank 20 according to the flow formed on the liquid surface of the cleaning liquid 100.
【００４４】上記移動パイプ８４は、図２５（ａ）に示
すように、第一の移動パイプ８４ａと、第二の移動パイ
プ８４ｂとに分割することも可能である。この場合、図
２５（ｂ）に示すように、第一の移動パイプ８４ａは後
壁２０ｄの方に、また第二の移動パイプ８４ｂは前壁２
０ｃの方に夫々分かれて移動する。The moving pipe 84 can be divided into a first moving pipe 84a and a second moving pipe 84b as shown in FIG. In this case, as shown in FIG. 25B, the first moving pipe 84a is directed toward the rear wall 20d, and the second moving pipe 84b is positioned toward the front wall 2d.
It moves separately toward 0c.
【００４５】図２６（ａ），（ｂ）及び図２７（ａ），
（ｂ）は第二の実施例に係る洗浄装置を示す。FIGS. 26 (a) and 26 (b) and FIGS.
(B) shows a cleaning apparatus according to the second embodiment.
【００４６】図２６（ａ），（ｂ）において、パイプユ
ニット９６がリフター（図示略）に接続された支持アー
ム９５によって支持されていくパイプユニット９６の各
パイプには所定間隔で配列された噴出口９７が形成され
ている。パイプユニット９６は洗浄液槽２０の開口面Ｓ
0 に近い初期位置に位置している。パイプユニット９６
にはフレキシブルホース９６ａを介して給水機構から洗
浄液１００が供給される。半導体ウェハ１０を支持する
ハンガー５はリフターに固定され、このリフターはパイ
プユニット９６が固定されたリフタと同期して作動す
る。洗浄液槽２０に満された洗浄液１００は排水パイプ
９８から除々に排出されている。In FIGS. 26A and 26B, the pipe units 96 are supported by support arms 95 connected to a lifter (not shown). An outlet 97 is formed. The pipe unit 96 has an opening surface S of the cleaning liquid tank 20.
It is located at an initial position close to 0 . Pipe unit 96
Is supplied with a cleaning liquid 100 from a water supply mechanism via a flexible hose 96a. The hanger 5 supporting the semiconductor wafer 10 is fixed to a lifter, and the lifter operates in synchronization with the lifter to which the pipe unit 96 is fixed. The cleaning liquid 100 filled in the cleaning liquid tank 20 is gradually discharged from the drain pipe 98.
【００４７】上記洗浄装置においては、洗浄液槽２０に
洗浄液１００が満された状態で、パイプユニット９６が
初期位置にて洗浄液１００を噴出する。このとき、パイ
プユニット９６は洗浄液槽２０の開口面Ｓ0 近くに位置
するので、洗浄液１００の液面が安定的に盛り上げられ
る。そして、パイプユニット９６が固定されたリフター
と半導体ウェハ１０を支持するハンガー５が固定された
リフターが同期して作動し、パイプユニット９６及びハ
ンガー５が除々に下降する。その結果、半導体ウェハ１
０が除々に洗浄液１００内に投入され、パイプユニット
９６が最下位置に達すると、半導体ウェハ１０が、図２
７に示すように、洗浄液１００内に完全に浸漬される。
この状態で、半導体ウェハ１０が洗浄される。In the above-described cleaning apparatus, the pipe unit 96 ejects the cleaning liquid 100 at the initial position in a state where the cleaning liquid tank 20 is filled with the cleaning liquid 100. At this time, since the pipe unit 96 is located near the opening surface S 0 of the cleaning liquid tank 20, the liquid level of the cleaning liquid 100 is stably raised. Then, the lifter to which the pipe unit 96 is fixed and the lifter to which the hanger 5 supporting the semiconductor wafer 10 is fixed operate synchronously, and the pipe unit 96 and the hanger 5 gradually descend. As a result, the semiconductor wafer 1
0 is gradually introduced into the cleaning liquid 100 and the pipe unit 96 reaches the lowermost position.
7, it is completely immersed in the cleaning liquid 100.
In this state, the semiconductor wafer 10 is cleaned.
【００４８】図２８は、洗浄液槽の更に他の実施例を示
す。FIG. 28 shows still another embodiment of the cleaning liquid tank.
【００４９】図２８において、洗浄液槽２０の前壁２０
ｃ及び後壁２０ｄにパイプ５２，５３が設けられてい
る。パイプ５２，５３は洗浄液槽２０の底面と開口面Ｓ
0 のほぼ中央部に位置し、互いにほぼ平行となってい
る。各パイプ５２，５３には所定の間隔で噴出口５３が
形成されている。また、噴出口５３が開口面Ｓ0 の前後
壁２０ｃ，２０ｄと平行となる中心線に向くように各パ
イプ５２，５３の向きが調整されている。In FIG. 28, the front wall 20 of the cleaning liquid tank 20 is
Pipes 52 and 53 are provided on c and the rear wall 20d. The pipes 52 and 53 are connected to the bottom surface and the opening surface S of the cleaning liquid tank 20.
It is located almost at the center of 0 and is almost parallel to each other. Spout ports 53 are formed at predetermined intervals in each of the pipes 52 and 53. Further, spout 53 is front and rear walls 20c of the opening surface S 0, the orientation of each pipe 52 and 53 to face the center line as the 20d parallel are adjusted.
【００５０】各パイプ５２，５３に洗浄液１００を供給
し、そして、洗浄液槽２０の開口面Ｓ0 の上記中心線に
沿って洗浄液１００の液面が図２９に示すように盛り上
がるように、噴出口５３からの洗浄液１００の噴出圧力
が調整される。この状態において、上述したのと同様
に、洗浄液１００の液面が盛り上がった部分に半導体ウ
ェハ１０が投入される。これにより、半導体ウェハ１０
表面に付着したパーティクルが液面の流れにより洗浄液
槽２０の外部に排出される。[0050] supplying the cleaning liquid 100 to each pipe 52 and 53, and, along the center line of the opening surface S 0 of the cleaning liquid tank 20 so that the liquid level of the cleaning solution 100 swells as shown in FIG. 29, spout The ejection pressure of the cleaning liquid 100 from 53 is adjusted. In this state, as described above, the semiconductor wafer 10 is put into a portion where the level of the cleaning liquid 100 rises. Thereby, the semiconductor wafer 10
Particles adhering to the surface are discharged out of the cleaning liquid tank 20 by the flow of the liquid surface.
【００５１】次に、更に安定した洗浄液１００の液面で
の流れが得られる洗浄液槽の例を図３０，図３１，図３
２に基づいて説明する。Next, FIGS. 30, 31, and 3 show examples of the cleaning liquid tank in which a more stable flow of the cleaning liquid 100 on the liquid surface can be obtained.
2 will be described.
【００５２】第一の例が図３０，図３１に示される。図
３０において、洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及び後壁２ｄ
の高さが側壁２０ａ，２０ｂより低くなっている。この
ような構造により、側面２０ａ，２０ｂから洗浄液１０
０が流出することが防止される。従って、パイプ１２を
含み開口面Ｓ0 に垂直な面Ｓ1 と該開口面Ｓ0 との交線
ｌに沿って洗浄液１００の液面が盛り上げられると、図
５３に示すように、洗浄液１００の表面には、一方の側
壁２０ａから他方の側壁２０ｂに渡って、平面Ｓ1 から
遠ざかる方向の安定した流れが得られる。これにより、
半導体ウェハ１０から流れ落とされたパーティクルが半
導体ウェハ１０に再度付着する確率が更に低下する。A first example is shown in FIGS. In FIG. 30, the front wall 20c and the rear wall 2d of the cleaning liquid tank 20 are shown.
Is lower than the side walls 20a and 20b. With such a structure, the cleaning liquid 10 is applied from the side surfaces 20a and 20b.
0 is prevented from flowing out. Therefore, the liquid level of the cleaning liquid 100 is raised along the intersecting line l of the opening surface S 0 to a plane perpendicular S 1 and the rotor surface S 0 comprises a pipe 12, as shown in Figure 53, the cleaning liquid 100 on the surface, the one side wall 20a over the other side wall 20b, the direction of the steady flow away from the plane S 1 is obtained. This allows
The probability that the particles that have flowed down from the semiconductor wafer 10 adhere to the semiconductor wafer 10 again decreases.
【００５３】第二の例が図３２に示される。図３２にお
いて、前壁２０ｃ及び後壁２０ｄの上端部に溝４８が所
定の間隔で形成されている。この第二の例でも、洗浄液
１００は主に前壁２０ｃ、後壁２０ｄに形成された溝４
８から流出する。従って、上記第一の例と同様に、洗浄
液１００の液面には平面Ｓ1 から遠ざかる方向の安定し
た流れが得られる。また、図４２及び図４３に示す機構
であっても上記と同様の効果が得られる。次に、本発明
に係る洗浄方法の他の実施例を図３３，図３４，図３５
に基づいて説明する。A second example is shown in FIG. In FIG. 32, grooves 48 are formed at upper ends of the front wall 20c and the rear wall 20d at predetermined intervals. Also in the second example, the cleaning liquid 100 mainly includes the grooves 4 formed in the front wall 20c and the rear wall 20d.
Flow out of 8. Therefore, as in the first embodiment, the direction of the steady flow away from the plane S 1 resulting in the liquid level of the cleaning liquid 100. Also, the mechanism shown in FIGS. 42 and 43 can provide the same effects as described above. Next, another embodiment of the cleaning method according to the present invention will be described with reference to FIGS.
It will be described based on.
【００５４】図３３は、本実施例に係る洗浄方法におい
て使用される洗浄方法の概略を示す。図３３において、
洗浄液槽２０の底面の上方所定位置に多数の噴出口６３
が形成れた仕切板６４が設けられている。洗浄液槽２０
の側壁２０ａには供給パイプ６２が接続され、洗浄液槽
２０の底面と仕切板６４との間のスペースに洗浄液１０
０が供給されるようになっている。そして、該スペース
に供給された洗浄液１００は仕切板６４上に形成された
噴出口６３から上方に向って噴出される。この洗浄液槽
１００に満された洗浄液は洗浄液槽１００の上部開口面
Ｓ0 から流出する。洗浄液槽１００の前壁２０ｃの上部
には第一の折れ壁２０ｃ（１）及び第二の折れ壁２０ｃ
（２）が形成されている。第一の折れ壁２０ｃ（１）は
該第一の折れ壁２０ｃ（１）と第二の折れ壁２０ｃ
（２）との境界線を軸に洗浄液槽１００の外側に折れ
る。第二の折れ壁２０ｃ（２）は該第二の折れ壁２０ｃ
（２）と前壁２０ｃの下部との境界線を軸に洗浄液槽１
００の外側に折れる。洗浄液槽１００の後壁２０ｄの上
部にも前壁２０ｃと同様に第一の折れ壁２０ｄ（１）及
び第二の折れ壁２０Ｃ（２）が形成され、この第一の折
れ壁２０ｄ（１）及び第二の折れ壁２０ｄ（２）も前壁
２０ｃに設けたものと同様に洗浄液槽１００の外側に折
れる。FIG. 33 schematically shows a cleaning method used in the cleaning method according to this embodiment. In FIG.
A large number of jets 63 are provided at predetermined positions above the bottom of the cleaning liquid tank 20.
Is provided. Cleaning liquid tank 20
A supply pipe 62 is connected to the side wall 20 a of the cleaning liquid 10, and the cleaning liquid 10 is provided in a space between the bottom surface of the cleaning liquid tank 20 and the partition plate 64.
0 is supplied. Then, the cleaning liquid 100 supplied to the space is ejected upward from an ejection port 63 formed on the partition plate 64. The cleaning liquid fully into the cleaning solution tank 100 flows out from the upper opening surface S 0 of the cleaning liquid tank 100. A first folded wall 20c (1) and a second folded wall 20c are provided above the front wall 20c of the cleaning liquid tank 100.
(2) is formed. The first fold wall 20c (1) is composed of the first fold wall 20c (1) and the second fold wall 20c.
Folds out of the cleaning liquid tank 100 around the boundary with (2). The second broken wall 20c (2) is
Washing liquid tank 1 around the boundary between (2) and the lower part of front wall 20c
Fold outside 00. A first bent wall 20d (1) and a second bent wall 20C (2) are formed above the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 100 in the same manner as the front wall 20c, and the first bent wall 20d (1) is formed. The second folded wall 20d (2) also folds out of the cleaning liquid tank 100 similarly to the one provided on the front wall 20c.
【００５５】上述したように、洗浄液１００が洗浄液槽
２０の開口面Ｓ0 （オーバーフロー面）から流出してい
る状態で、ロボットハンガー５の各ハンガーアーム５
ａ，５ｂ，５ｃに支持された所定枚数の半導体ウェハ１
００が徐々に下がっていく。そして、半導体ウェハ１０
０の下縁部を支持するハンガーアーム５ｂが洗浄液１０
０の液面に達する直前に、洗浄液槽２０の前壁２０ｃ及
び後壁２０ｄの第一の折れ壁２０ｃ（１）及び２０ｄ
（１）が、図３４に示すように折れる。すると、洗浄液
槽２０のオーバーフロー面が初期の開口面Ｓ0 から第一
の折れ壁２０ｃ（１），２０ｄ（１）で決まる開口面Ｓ
01に低下する。このオーバーフロー面の低下により、洗
浄液１００の液面には、前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向
う一様な流れが形成される。そして、この流れが形成さ
れている間、半導体ウェハ１０は徐々に洗浄液１００に
投入されてゆく。この間、ハンガーアーム５ｂ付近に付
着したパーティクルは、洗浄液１００の液面に形成され
た流れに従って洗浄液槽２０の開口面Ｓ01から流出す
る。洗浄液１００の液面がほぼ開口面Ｓ01に達すると、
洗浄液１００の液面の流れは図３３に示す初期の状態と
ほぼ同様の状態となる。更に、この状態で半導体ウェハ
１０が千以上液１００に沈む。そして、半導体ウェハ１
０の側縁部を支持するハンガーアーム５ａ，５ｃが洗浄
液１００の液面に達する直前に、洗浄液槽２０の前壁２
０ｃ及び後壁２０ｄの第二の折れ壁２０ｃ（２）及び２
０ｄ（２）が図３５に示すように折れる。すると、洗浄
液槽２０のオーバーフロー面が開口面Ｓ01から更に第二
の折れ壁２０ｃ（２），、２０ｄ（２）で決まる開口面
Ｓ02に低下する。このオーバーフロー面の更なる低下に
より、洗浄液１００の液面には、前壁２０ｃ及び後壁２
０ｄに向う一様な流れが再度形成される。そして、この
流れが形成されている間、半導体ウェハ１０は再度徐々
に洗浄液１００に投入されていく。この間、ハンガーア
ーム５ａ，５ｃ付近に付着したパーティクルは、洗浄液
１００の液面に形成された流れに従って洗浄液槽２０の
開口面Ｓ02から流出する。その後半導体ウェハ１０は洗
浄液１００中に完全に浸漬され、洗浄液１００中で洗浄
される。As described above, with the cleaning liquid 100 flowing out of the opening surface S 0 (overflow surface) of the cleaning liquid tank 20, each of the hanger arms 5 of the robot hanger 5 is moved.
a, a predetermined number of semiconductor wafers 1 supported by 5b, 5c
00 gradually decreases. Then, the semiconductor wafer 10
Hanger arm 5b supporting the lower edge of cleaning solution 10
Immediately before reaching the liquid level of 0, the first bent walls 20c (1) and 20d of the front wall 20c and the rear wall 20d of the cleaning liquid tank 20 are formed.
(1) is broken as shown in FIG. Then, the overflow surface is first broken wall 20c from the initial opening surface S 0 of the cleaning liquid tank 20 (1), the opening surface S determined by 20d (1)
Drops to 01 . Due to the decrease in the overflow surface, a uniform flow toward the front wall 20c and the rear wall 20d is formed on the liquid surface of the cleaning liquid 100. Then, while this flow is being formed, the semiconductor wafer 10 is gradually charged into the cleaning liquid 100. During this time, particles attached to the vicinity of the hanger arm 5b flows out from the opening surface S 01 of the cleaning liquid tank 20 according to the flow which is formed on the liquid surface of the cleaning liquid 100. When the liquid level of the cleaning liquid 100 substantially reaches the opening surface S01 ,
The flow of the cleaning liquid 100 is almost the same as the initial state shown in FIG. Further, in this state, the semiconductor wafer 10 sinks more than 1,000 in the liquid 100. And the semiconductor wafer 1
Immediately before the hanger arms 5a, 5c supporting the side edges of the cleaning liquid 100 reach the level of the cleaning liquid 100, the front wall 2 of the cleaning liquid tank 20
0c and the second broken wall 20c (2) and 2c of the rear wall 20d.
0d (2) is broken as shown in FIG. Then, decrease in the opening surface S 02 an overflow level of the cleaning solution tank 20 is determined by the further second folding wall 20c from the opening surface S 01 (2) ,, 20d ( 2). Due to the further decrease in the overflow surface, the liquid level of the cleaning liquid 100 is changed to the front wall 20c and the rear wall 2.
A uniform flow towards 0d is again formed. Then, while this flow is being formed, the semiconductor wafer 10 is gradually again charged into the cleaning liquid 100. During this time, particles attached hanger arms 5a, near 5c flows out from the opening surface S 02 of the cleaning liquid tank 20 according to the flow which is formed on the liquid surface of the cleaning liquid 100. Thereafter, the semiconductor wafer 10 is completely immersed in the cleaning liquid 100 and cleaned in the cleaning liquid 100.
【００５６】上記実施例によれば、洗浄液槽２０におけ
る洗浄液１００が流出するオーバーフロー面が順次低下
し、そのオーバーフロー面の低下の都度、洗浄液１００
の液面には前壁２０ｃ及び後壁２０ｄに向う一様な流れ
が形成される。従って、この流れによって半導体ウェハ
１０に付着したパーティクルは洗浄液槽２０から流出さ
れ、洗浄液１００の液面に残留するパーティクルはほと
んどない。According to the above embodiment, the overflow surface of the cleaning liquid tank 20 into which the cleaning liquid 100 flows out gradually decreases.
A uniform flow is formed on the liquid surface toward the front wall 20c and the rear wall 20d. Therefore, particles adhered to the semiconductor wafer 10 by this flow are discharged from the cleaning liquid tank 20, and almost no particles remain on the liquid surface of the cleaning liquid 100.
【００５７】−実験例− 図４０，図４１に示す従来の洗浄方法により半導体ウェ
ハを洗浄した場合、洗浄後に半導体ウェハの表面に付着
していた粒径０．３μｍ以上のパーティクルが８６２個
であった。これに対して、図２乃至図７に示す本発明に
係る洗浄方法により半導体ウェハを洗浄した場合、洗浄
後に半導体表面に付着していたパーティクルは２３個で
あった。-Experimental Example- When the semiconductor wafer is cleaned by the conventional cleaning method shown in FIGS. 40 and 41, 862 particles having a particle diameter of 0.3 μm or more adhere to the surface of the semiconductor wafer after the cleaning. Was. On the other hand, when the semiconductor wafer was cleaned by the cleaning method according to the present invention shown in FIGS. 2 to 7, 23 particles adhered to the semiconductor surface after the cleaning.
【００５８】本発明は上述した実施例に限定されること
はない。例えば、半導体装置の製造に用いられるマス
ク、レティクル、あるいはＬＣＤ基板の洗浄にも本発明
に係る洗浄方法は適用可能である。The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, the cleaning method according to the present invention can be applied to cleaning of a mask, a reticle, or an LCD substrate used for manufacturing a semiconductor device.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、洗浄液の表面の流れが洗浄液槽のオーバーフロー面
にほぼ垂直となる所定の面から主に遠ざかる方向に進む
ように洗浄液をオーバーフロー面から流出させ、このよ
うな状態で、板状物がその所定の面と交わりかつ板状物
の表面が洗浄液表面の主な流れとほぼ平行となるように
該板状物を洗浄液に投入するようにしたので、板状物を
洗浄液中に沈めていく過程で板状物の表面のパーティク
ルが洗浄液表面の流れに従って、洗浄液槽の外部に流出
される。従って、洗浄液の種面に残留するパーティクル
はほとんどなくなり、板状物表面にはパーティクルがほ
とんど再度付着すくことはない。As described above, according to the present invention, the cleaning liquid flows over the overflow surface so that the flow on the surface of the cleaning liquid mainly moves away from a predetermined surface substantially perpendicular to the overflow surface of the cleaning liquid tank. And in such a state, the plate-like object is inserted into the cleaning liquid such that the plate-like object intersects the predetermined surface and the surface of the plate-like object is substantially parallel to the main flow of the cleaning liquid surface. Therefore, during the process of submerging the plate-like object in the cleaning liquid, particles on the surface of the plate-like object flow out of the cleaning liquid tank according to the flow of the surface of the cleaning liquid. Therefore, particles remaining on the seed surface of the cleaning liquid are almost eliminated, and the particles hardly adhere to the plate-like material surface again.
【図１】本発明の原理を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.
【図２】本発明の実施例に係る洗浄方法に用いられる洗
浄装置の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a cleaning apparatus used in a cleaning method according to an embodiment of the present invention.
【図３】洗浄液面に形成される流れを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a flow formed on a cleaning liquid surface.
【図４】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。FIG. 4 is a view showing a cleaning procedure according to the cleaning method according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cleaning procedure according to the cleaning method according to the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a cleaning procedure according to the cleaning method according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例に係る洗浄方法に従って洗浄の
手順を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cleaning procedure according to the cleaning method according to the embodiment of the present invention.
【図８】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 8 is a view showing an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図９】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図１０】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図１１】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図１２】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図１３】洗浄液槽の実施例を示す図である。FIG. 13 is a view showing an embodiment of a cleaning liquid tank.
【図１４】洗浄液槽の他の実施例を示す図である。FIG. 14 is a view showing another embodiment of the cleaning liquid tank.
【図１５】パイプからの洗浄液の噴出圧力分布を示す図
である。FIG. 15 is a view showing a pressure distribution of a jet of a cleaning liquid from a pipe.
【図１６】洗浄液槽の更に他の実施例を示す図である。FIG. 16 is a view showing still another embodiment of the cleaning liquid tank.
【図１７】図１６に示す洗浄液槽内での洗浄液の噴出圧
力分布を示す図である。17 is a view showing a pressure distribution of a jet of a cleaning liquid in the cleaning liquid tank shown in FIG. 16;
【図１８】図１６に示す洗浄液槽内での洗浄液の噴出圧
力分布を示す図である。FIG. 18 is a view showing a pressure distribution of a jet of the cleaning liquid in the cleaning liquid tank shown in FIG. 16;
【図１９】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図２０】洗浄液の噴出機構の例を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating an example of a cleaning liquid ejection mechanism.
【図２１】図１９及び図２０に示す噴出機構の作用を示
す図である。FIG. 21 is a view showing the operation of the ejection mechanism shown in FIGS. 19 and 20.
【図２２】洗浄装置の実施例を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing an embodiment of a cleaning device.
【図２３】洗浄装置の実施例を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing an embodiment of a cleaning device.
【図２４】図２２及び図２３で示す洗浄装置を用いた洗
浄方法を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing a cleaning method using the cleaning device shown in FIGS. 22 and 23.
【図２５】図２２及び図２３に示す洗浄装置の変形例を
示す図である。FIG. 25 is a view showing a modification of the cleaning device shown in FIGS. 22 and 23.
【図２６】洗浄装置の他の実施例を示す図である。FIG. 26 is a view showing another embodiment of the cleaning apparatus.
【図２７】図２６に示す洗浄装置を用いた洗浄方法を示
す図である。FIG. 27 is a view showing a cleaning method using the cleaning apparatus shown in FIG. 26;
【図２８】洗浄液槽の例を示す図である。FIG. 28 is a diagram illustrating an example of a cleaning liquid tank.
【図２９】洗浄液の噴出状態を示す図である。FIG. 29 is a view showing a state in which the cleaning liquid is ejected.
【図３０】洗浄液槽の例を示す図である。FIG. 30 is a diagram showing an example of a cleaning liquid tank.
【図３１】洗浄液槽の例を示す図である。FIG. 31 is a diagram showing an example of a cleaning liquid tank.
【図３２】洗浄液槽の例を示す図である。FIG. 32 is a diagram showing an example of a cleaning liquid tank.
【図３３】洗浄方法の他の実施例を示す図である。FIG. 33 is a view showing another embodiment of the cleaning method.
【図３４】洗浄方法の他の実施例を示す図である。FIG. 34 is a view showing another embodiment of the cleaning method.
【図３５】洗浄方法の他の実施例を示す図である。FIG. 35 is a view showing another embodiment of the cleaning method.
【図３６】半導体ウェハのキャリアにおいてパーティク
ルが発生するメカニズムを示す図である。FIG. 36 is a diagram illustrating a mechanism of generating particles in a carrier of a semiconductor wafer.
【図３７】パーティクルが半導体ウェハの表面に付着す
るメカニズムを示す図である。FIG. 37 is a diagram showing a mechanism by which particles adhere to the surface of a semiconductor wafer.
【図３８】半導体ウェハを支持するロボットハンガーを
示す図である。FIG. 38 is a view showing a robot hanger supporting a semiconductor wafer.
【図３９】半導体ウェハを支持するロボットハンガーを
示す図である。FIG. 39 is a view showing a robot hanger supporting a semiconductor wafer.
【図４０】従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す図であ
る。FIG. 40 is a view showing a conventional semiconductor wafer cleaning method.
【図４１】従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す図であ
る。FIG. 41 is a view showing a conventional semiconductor wafer cleaning method.
【図４２】従来洗浄液面に形成される流を示す図であ
る。FIG. 42 is a diagram showing a flow formed on a conventional cleaning liquid surface.
【図４３】洗浄液槽の他の実施例を示す図である。FIG. 43 is a view showing another embodiment of the cleaning liquid tank.
【図４４】洗浄装置の他の実施例を示す図である。FIG. 44 is a view showing another embodiment of the cleaning apparatus.
１ 液槽 ２，１００ 洗浄液 ３ 板状物 ５ ロボットハンガー １０ 半導体ウェハ １２ パイプ １３ 噴出口 ２０ 洗浄液槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid tank 2,100 Cleaning liquid 3 Plate-like object 5 Robot hanger 10 Semiconductor wafer 12 Pipe 13 Jet port 20 Cleaning liquid tank
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早見 由香 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 市橋 精二 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−229339（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291228（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−58529（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuka Hayami 1015 Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Seiji Ichihashi 2-844-2 Kozoji-cho, Kasugai-shi, Aichi Prefecture Fujitsu VSI (56) References JP-A-60-229339 (JP, A) JP-A-5-291228 (JP, A) JP-A-4-58529 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/04
Claims (9)
を有した液槽と、 該液槽内に満たされた洗浄液の表面に、該オーバーフロ
ー面にほぼ垂直となる所定の面から遠ざかる方向に液流
を発生させる液流発生手段とを有し、 上記液流発生手段は、複数の噴出口が所定間隔で直線上
に配列されるように形成され、該噴出口から洗浄液を噴
出するパイプと、パイプの噴出口に対向するように設け
られ、噴出口から噴出する洗浄液の流れを絞る整流機構
とを有し、整流機構を介して上方に噴出する洗浄液によ
り液面が盛り上げられ、その洗浄液表面の盛り上げによ
り、洗浄液表面に、該オーバーフロー面にほぼ垂直とな
る所定の面から遠ざかる方向に液流が発生させられるよ
うにした洗浄液槽。 1. An overflow surface into which a cleaning liquid flows out.
A liquid tank having a liquid tank, and the surface of the cleaning liquid filled in the liquid tank,
Liquid flow in a direction away from the specified surface that is almost perpendicular to the surface.
And a liquid flow generating means for generating a liquid flow, wherein the liquid flow generating means
The cleaning liquid is ejected from the ejection port.
Provided so as to face the pipe to be ejected and the spout of the pipe
Rectification mechanism that restricts the flow of the cleaning solution
And a cleaning liquid that is ejected upward through a rectifying mechanism.
The liquid level rises, and the
The surface of the cleaning liquid is almost perpendicular to the overflow surface.
Liquid flow in a direction away from the predetermined surface
Washing solution bath.
の流れを徐々に絞りながら上方に案内するガイド機構
と、ガイド機構に続いて設けられ、洗浄液の流れを規制
するスリットが形成されたスリット板とを有する洗浄液
槽。 2. The cleaning liquid tank according to claim 1, wherein the rectification mechanism includes a cleaning liquid ejected from an outlet of a pipe.
Guide mechanism that guides upward while gradually narrowing the flow of
Is provided following the guide mechanism to regulate the flow of the cleaning solution.
Liquid having a slit plate having a slit formed therein
Tank.
対向するように形成されたスリットを有する板部材にて
構成された洗浄液槽。 3. The cleaning liquid tank according to claim 1 , wherein the rectification mechanism is provided above a pipe.
With a plate member having slits formed to face each other
The configured cleaning solution tank.
はさむようにパイプ上に設けられた２枚の壁体を少なく
とも有し、該壁体間の領域に洗浄液を導くための開口が
各壁体に形成された洗浄液槽。 4. The cleaning liquid tank according to claim 1, wherein the rectifying mechanism includes a plurality of jet ports arranged in a line on a pipe.
Reduce the two walls provided on the pipe so as to sandwich
And an opening for guiding the cleaning liquid to the region between the walls.
A cleaning liquid tank formed on each wall.
体の該パイプに沿って延びる壁体である洗浄液槽。 5. A cleaning liquid tank according to claim 4, wherein said wall is a rectangular parallelepiped frame provided on a pipe.
A wash tank that is a wall extending along the pipe of the body.
れるスリットである洗浄液槽。 6. The cleaning liquid tank according to claim 4 , wherein the opening formed in each wall is formed at a lower end of each wall.
Cleaning liquid tank that is a slit.
を有した液槽と、該液槽内に満たされた洗浄液の表面
に、該オーバーフロー面にほぼ垂直な所定の面 から遠ざ
かる方向に液流を発生させる液流発生手段とを有した洗
浄液槽と、板状物が該所定の面と交わりかつ板状物の表
面が上記液流発生手段にて発生された洗浄液表面の流れ
にほぼ平行となるように板状物を液槽内を満たす洗浄液
に投入する被洗浄物投入機構とを備え、 上記液流発生手段は、複数の噴出口が所定間隔で直線上
に配列されるように形成され、該噴出口から洗浄液を噴
出するパイプを有し、パイプ上の噴出口から上方に噴出
する洗浄液により液面が盛り上げられ、その洗浄液面の
盛り上がりにより洗浄液表面に、該オーバーフロー面と
ほぼ垂直となる所定の面から遠ざかる方向に液流が発生
させられるようにすると供に、 上記パイプが液槽の底面より上方に設けられ、該被洗浄
物投入機構により板状物が所定の位置まで洗浄液に投入
されたときに該パイプを退避させるパイプ移動機構を備
えた洗浄装置。 7. An overflow surface for discharging a cleaning liquid to an upper portion.
And a surface of the cleaning liquid filled in the liquid tank
Away from a predetermined surface substantially perpendicular to the overflow surface.
Washing having a liquid flow generating means for generating a liquid flow in the direction
A liquid tank and a plate-like object intersecting with the predetermined surface and
The flow of the cleaning liquid surface generated by the liquid flow generation means
Cleaning liquid that fills the liquid tank with a plate-like object so that it is almost parallel to
And a cleaning object shooting mechanism put into, the liquid flow generating means, a straight line a plurality of ejection ports are at predetermined intervals
The cleaning liquid is ejected from the ejection port.
Has a pipe that ejects, and ejects upward from the spout on the pipe
The liquid level rises due to the cleaning liquid
The rising surface and the overflow surface
Liquid flow is generated in a direction away from a predetermined surface that is almost vertical
In addition, the pipe is provided above the bottom of the liquid tank, and
The plate-like object is poured into the cleaning liquid to the specified position by the object charging mechanism
Equipped with a pipe moving mechanism for retracting the pipe when
Cleaning equipment.
ほぼ水平方向に移動させる水平移動機構である洗浄装
置。 8. The cleaning device according to claim 7, wherein the pipe moving mechanism moves the pipe to an overflow surface of the liquid tank.
Cleaning device that is a horizontal movement mechanism that moves almost horizontally
Place.
る垂直移動機構である洗浄装置。 9. The cleaning apparatus according to claim 7, wherein the pipe moving mechanism moves the pipe toward the bottom of the liquid tank.
Cleaning device that is a vertical moving mechanism.
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- 1993-04-05 JP JP7833593A patent/JP3327981B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH06291101A (en) | 1994-10-18 |
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