JP3325932B2 - 高周波出力ネオン用電源装置 - Google Patents
高周波出力ネオン用電源装置Info
- Publication number
- JP3325932B2 JP3325932B2 JP29724592A JP29724592A JP3325932B2 JP 3325932 B2 JP3325932 B2 JP 3325932B2 JP 29724592 A JP29724592 A JP 29724592A JP 29724592 A JP29724592 A JP 29724592A JP 3325932 B2 JP3325932 B2 JP 3325932B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- neon
- power supply
- power
- transformer
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y02B20/183—
-
- Y02B20/202—
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、直流電力をインバー
タで高周波の方形波電力に変換し、その方形波電力をネ
オントランスに印加してそのネオントランスに接続され
たネオン管やアルゴン管などを点灯するために用いられ
る高周波出力ネオン用電源装置に関する。
タで高周波の方形波電力に変換し、その方形波電力をネ
オントランスに印加してそのネオントランスに接続され
たネオン管やアルゴン管などを点灯するために用いられ
る高周波出力ネオン用電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波点灯のネオン管の表示器において
は、そのネオン管の太さやガス圧などによって異なるが
その点灯状態に管軸方向において明暗の縞、いわゆるジ
ェリービーンズが生じることがあった。従来においてこ
のジェリービーンズが生じないようにすることができな
かった。
は、そのネオン管の太さやガス圧などによって異なるが
その点灯状態に管軸方向において明暗の縞、いわゆるジ
ェリービーンズが生じることがあった。従来においてこ
のジェリービーンズが生じないようにすることができな
かった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、直流
電力をインバータで高周波の方形波電力に変換し、その
高周波電力をネオントランスに供給するが、その供給す
る高周波電力のデューティ比は４５〜４８％あるいは５
２〜５５％になるようにインバータが構成される。
電力をインバータで高周波の方形波電力に変換し、その
高周波電力をネオントランスに供給するが、その供給す
る高周波電力のデューティ比は４５〜４８％あるいは５
２〜５５％になるようにインバータが構成される。
【０００４】
【実施例】図１にこの発明の実施例を示す、入力端子１
１，１２間に例えば商用交流電源１３が接続され、必要
に応じてスイッチ１４を通じてその交流電源の出力交流
電流が全波整流回路１５により整流され、その整流出力
は平滑回路１６で平滑される。つまり平滑回路１６に直
流電力が得られている。この平滑回路１６の両端間にコ
ンデンサ１７，１８が直列に接続される。またスイッチ
ング素子としてのＦＥＴ２１，２２が直列に接続され
る。コンデンサ１７，１８の接続点と、ＦＥＴ２１，２
２の接続点との間にネオントランス２３の一次巻き線２
４が接続される。ネオントランス２３の二次巻き線２５
間に、図に示していないがネオン管が接続され、そのネ
オン管を点灯するために用いられる。
１，１２間に例えば商用交流電源１３が接続され、必要
に応じてスイッチ１４を通じてその交流電源の出力交流
電流が全波整流回路１５により整流され、その整流出力
は平滑回路１６で平滑される。つまり平滑回路１６に直
流電力が得られている。この平滑回路１６の両端間にコ
ンデンサ１７，１８が直列に接続される。またスイッチ
ング素子としてのＦＥＴ２１，２２が直列に接続され
る。コンデンサ１７，１８の接続点と、ＦＥＴ２１，２
２の接続点との間にネオントランス２３の一次巻き線２
４が接続される。ネオントランス２３の二次巻き線２５
間に、図に示していないがネオン管が接続され、そのネ
オン管を点灯するために用いられる。
【０００５】平滑回路１６の正側の一端は抵抗器２９を
通じ、さらにコンデンサ３１を通じて平滑回路１６の負
側に接続される。コンデンサ３１の両端にツェナーダイ
オード３２が接続されていると共に矩形波発振器３３が
接続される。この矩形波発振器３３としては例えば三菱
電機製のスイッチングレギュレータコントロール用のＩ
ＣであってＭ５１９９６Ｐが使用される。そのＩＣ３３
の１１番端子と平滑回路１６の負側（以下負端子と記
す）との間に可変抵抗器３４が接続され、１０番端子と
負端子との間にコンデンサ３５が接続される。またＩＣ
３３の２番端子と負端子との間に抵抗器３６、コンデン
サ３７を通じて巻き線３８が接続される。この巻き線３
８は巻き線２６，２７と結合してパルストランスを構成
している。さらにネオントランス２３と結合した巻き線
３９が設けられ、その巻き線３９の両端はダイオード４
１、抵抗器４２を通じてコンデンサ３１の両端に接続さ
れる。巻き線２６，２７はそれぞれＦＥＴ２１，２２の
ソース、ゲート間に接続される。
通じ、さらにコンデンサ３１を通じて平滑回路１６の負
側に接続される。コンデンサ３１の両端にツェナーダイ
オード３２が接続されていると共に矩形波発振器３３が
接続される。この矩形波発振器３３としては例えば三菱
電機製のスイッチングレギュレータコントロール用のＩ
ＣであってＭ５１９９６Ｐが使用される。そのＩＣ３３
の１１番端子と平滑回路１６の負側（以下負端子と記
す）との間に可変抵抗器３４が接続され、１０番端子と
負端子との間にコンデンサ３５が接続される。またＩＣ
３３の２番端子と負端子との間に抵抗器３６、コンデン
サ３７を通じて巻き線３８が接続される。この巻き線３
８は巻き線２６，２７と結合してパルストランスを構成
している。さらにネオントランス２３と結合した巻き線
３９が設けられ、その巻き線３９の両端はダイオード４
１、抵抗器４２を通じてコンデンサ３１の両端に接続さ
れる。巻き線２６，２７はそれぞれＦＥＴ２１，２２の
ソース、ゲート間に接続される。
【０００６】スイッチ１４がオンにされて平滑回路１６
の電圧が所定値に達するとコンデンサ３１の両端の電圧
が所定値になって矩形波発振器３３が動作を開始し、巻
き線３８にその発振出力が供給され、従ってその発振出
力の矩形波の立ち上がりパルスでＦＥＴ２１がオンにさ
れ、立ち下がりパルスでＦＥＴ２２がオンにされ、ＦＥ
Ｔ２１，２２が交互にオンとされる。ＦＥＴ２１がオン
にされるとコンデンサ１７に貯えられた電荷がそのＦＥ
Ｔ２１を通り、さらに巻き線２４を通って放電され、Ｆ
ＥＴ２２がオンとされた場合はコンデンサ１８の電荷が
巻き線２４を通りＦＥＴ２２を通って放電され、つまり
巻き線２４には交互に逆方向に電流が流れ、矩形波電流
が流れることになる。このようにして発振が開始される
と巻き線３９に誘起された電圧がダイオード４１により
整流されて抵抗器４２を通じてコンデンサ３１に充電さ
れ、発振器３３に対する電源電圧が保持される。これに
より抵抗器２９はコンデンサ３１の初期充電電流のみを
供給すればよく、高抵抗で小容量とできる。発振器３３
の発振周波数は例えば２０ｋＨｚ〜３０ｋＨｚ程度とさ
れる。
の電圧が所定値に達するとコンデンサ３１の両端の電圧
が所定値になって矩形波発振器３３が動作を開始し、巻
き線３８にその発振出力が供給され、従ってその発振出
力の矩形波の立ち上がりパルスでＦＥＴ２１がオンにさ
れ、立ち下がりパルスでＦＥＴ２２がオンにされ、ＦＥ
Ｔ２１，２２が交互にオンとされる。ＦＥＴ２１がオン
にされるとコンデンサ１７に貯えられた電荷がそのＦＥ
Ｔ２１を通り、さらに巻き線２４を通って放電され、Ｆ
ＥＴ２２がオンとされた場合はコンデンサ１８の電荷が
巻き線２４を通りＦＥＴ２２を通って放電され、つまり
巻き線２４には交互に逆方向に電流が流れ、矩形波電流
が流れることになる。このようにして発振が開始される
と巻き線３９に誘起された電圧がダイオード４１により
整流されて抵抗器４２を通じてコンデンサ３１に充電さ
れ、発振器３３に対する電源電圧が保持される。これに
より抵抗器２９はコンデンサ３１の初期充電電流のみを
供給すればよく、高抵抗で小容量とできる。発振器３３
の発振周波数は例えば２０ｋＨｚ〜３０ｋＨｚ程度とさ
れる。
【０００７】矩形波発振器３３の可変抵抗器３４の抵抗
値とコンデンサ３５の容量値との積によって出力矩形波
のオフ区間が決まる。そこでこの発明ではそのオフ区間
が抵抗器３４により調整され、矩形波出力のデューティ
比が５０％からずらされ、即ちデューティ比を４５ない
し４８％あるいは５２ないし５５％程度にされる。この
ように矩形波つまりＦＥＴ２１，２２のオン、オフのデ
ューティ比が５０％からずらされることによってネオン
トランス２３の二次側の両端間に接続されたネオン管に
おいてジェリービーンズの発生を防止することができ
る。なおこの場合このネオントランス２３を介してネオ
ン管が点灯されるため、ネオン管に対しては矩形波では
なく正弦波状の電圧が印加される。
値とコンデンサ３５の容量値との積によって出力矩形波
のオフ区間が決まる。そこでこの発明ではそのオフ区間
が抵抗器３４により調整され、矩形波出力のデューティ
比が５０％からずらされ、即ちデューティ比を４５ない
し４８％あるいは５２ないし５５％程度にされる。この
ように矩形波つまりＦＥＴ２１，２２のオン、オフのデ
ューティ比が５０％からずらされることによってネオン
トランス２３の二次側の両端間に接続されたネオン管に
おいてジェリービーンズの発生を防止することができ
る。なおこの場合このネオントランス２３を介してネオ
ン管が点灯されるため、ネオン管に対しては矩形波では
なく正弦波状の電圧が印加される。
【０００８】この抵抗器３４として可変抵抗器を用いる
ことなく固定抵抗で、その矩形波出力のデューティ比が
５０％からずれた値としてもよい。あるいはこのように
可変抵抗器とすることによってこれを調整することでジ
ェリービーンズの発生を防止したり、積極的にジェリー
ビーンズを発生させて特殊な照明効果、あるいはネオン
表示をさせるようにすることもできる。また抵抗器３４
の抵抗値を連続的に変えることくなく二つの抵抗値を切
り変えるようにしてもよい。抵抗器３４の代りにコンデ
ンサ３５として二つの容量値のものを切り替えるように
してもよい。
ことなく固定抵抗で、その矩形波出力のデューティ比が
５０％からずれた値としてもよい。あるいはこのように
可変抵抗器とすることによってこれを調整することでジ
ェリービーンズの発生を防止したり、積極的にジェリー
ビーンズを発生させて特殊な照明効果、あるいはネオン
表示をさせるようにすることもできる。また抵抗器３４
の抵抗値を連続的に変えることくなく二つの抵抗値を切
り変えるようにしてもよい。抵抗器３４の代りにコンデ
ンサ３５として二つの容量値のものを切り替えるように
してもよい。
【０００９】このようにデューティ比が５０％からずれ
た高周波の矩形波電力をネオントランス２３に印加する
ため、その磁心（鉄心）が偏磁する恐れがある。この偏
磁によってＦＥＴ２６，２７の駆動が不均衡となって一
方のみオン、オフされ、他方が制御されなくなり、つま
り飽和して大電流がＦＥＴに流れ、そのＦＥＴを壊す恐
れがある。このような問題を避けるには例えば図２に示
すようにネオントランス２３としてコ字型の磁心５１，
５２を組み合わせて閉磁路を構成し、その両脚部の間に
わたって、それぞれ一次巻き線２４、二次巻き線２５が
巻かれ、磁心５１，５２の間に間隔をわずか設けること
によって形成し主磁路５３に磁気空隙５４を設け、磁心
５１，５２が磁気飽和しないようにされる。なおこの例
では一次巻き線２４、二次巻き線２５の間において磁心
５１，５２によりこれと連結した漏洩鉄芯５５，５６を
突出させ、いわゆるリーケイジトランスとした場合であ
る。
た高周波の矩形波電力をネオントランス２３に印加する
ため、その磁心（鉄心）が偏磁する恐れがある。この偏
磁によってＦＥＴ２６，２７の駆動が不均衡となって一
方のみオン、オフされ、他方が制御されなくなり、つま
り飽和して大電流がＦＥＴに流れ、そのＦＥＴを壊す恐
れがある。このような問題を避けるには例えば図２に示
すようにネオントランス２３としてコ字型の磁心５１，
５２を組み合わせて閉磁路を構成し、その両脚部の間に
わたって、それぞれ一次巻き線２４、二次巻き線２５が
巻かれ、磁心５１，５２の間に間隔をわずか設けること
によって形成し主磁路５３に磁気空隙５４を設け、磁心
５１，５２が磁気飽和しないようにされる。なおこの例
では一次巻き線２４、二次巻き線２５の間において磁心
５１，５２によりこれと連結した漏洩鉄芯５５，５６を
突出させ、いわゆるリーケイジトランスとした場合であ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上述べた様にこの発明によれば、高周
波矩形波電力のデューティ比を４５〜４８％あるいは５
２〜５５％にし、その電力をネオントランスに供給する
ようにすることによって、そのネオントランスに接続さ
れたネオン管にジェリービーンズが発生しないようにす
ることができる。
波矩形波電力のデューティ比を４５〜４８％あるいは５
２〜５５％にし、その電力をネオントランスに供給する
ようにすることによって、そのネオントランスに接続さ
れたネオン管にジェリービーンズが発生しないようにす
ることができる。
【図１】この発明の実施例を示すブロック図。
【図２】Ａはネオントランスを示す正面図、Ｂはその磁
心を示す正面図である。
心を示す正面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 矩形発振器の発振出力によりインバータ
を駆動して、直流電力を高周波の方形波電力に変換し、
その方形波電力をネオントランスに印加し、そのネオン
トランスの二次側の両端間にネオン管またはアルゴン管
を接続する高周波出力ネオン用電源装置において、 上記矩形発振器の発振出力のデューティ比が４５〜４８
％あるいは５２〜５５％にされ、ジェリービーンズを防
止することを特徴とする高周波出力ネオン用電源装置。 - 【請求項２】 上記インバータの出力のデューティ比を
変更する手段が設けられていることを特徴とする請求項
１記載の高周波出力ネオン用電源装置。 - 【請求項３】 上記ネオントランスの磁束通路に磁気空
隙が設けられていることを特徴とする請求項１または２
記載の高周波出力ネオン用電源装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29724592A JP3325932B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 高周波出力ネオン用電源装置 |
| US08/143,740 US5497310A (en) | 1992-11-06 | 1993-11-01 | High-frequency power unit for neon tubes |
| DE69325773T DE69325773T2 (de) | 1992-11-06 | 1993-11-02 | Hochfrequente Leistungsversorgung für Neon-Röhre |
| EP93117693A EP0598271B1 (en) | 1992-11-06 | 1993-11-02 | High-frequency power unit for neon tubes |
| ES93117693T ES2134235T3 (es) | 1992-11-06 | 1993-11-02 | Unidad de potencia de alta frecuencia para tubos de neon. |
| CA002102466A CA2102466C (en) | 1992-11-06 | 1993-11-04 | High-frequency power unit for neon tubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29724592A JP3325932B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 高周波出力ネオン用電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151078A JPH06151078A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3325932B2 true JP3325932B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=17844046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29724592A Expired - Lifetime JP3325932B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 高周波出力ネオン用電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325932B2 (ja) |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP29724592A patent/JP3325932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151078A (ja) | 1994-05-31 |
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Legal Events
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