JP3324907B2 - Magnetron sputtering equipment - Google Patents

Magnetron sputtering equipment

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JP3324907B2
JP3324907B2 JP18727595A JP18727595A JP3324907B2 JP 3324907 B2 JP3324907 B2 JP 3324907B2 JP 18727595 A JP18727595 A JP 18727595A JP 18727595 A JP18727595 A JP 18727595A JP 3324907 B2 JP3324907 B2 JP 3324907B2
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target
backing plate
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知之 清野
光浩 亀井
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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンスパッタ
法により大面積の基板に薄膜を成膜するマグネトロンス
パッタ装置に係り、特に、ターゲットを冷却するバッキ
ングプレートの構造改良に関するものである。
The present invention relates to relates a thin film on a substrate having a large area by the magnetron sputtering deposition to luma grayed magnetron sputtering apparatus, and more particularly to an improved structure of a backing plate for cooling the target.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ガラス基板にマグネトロンスパ
ッタ法により成膜されるもの、例えば、液晶ディスプレ
イにあっては、コンピュータやテレビジョン等の画面表
示用に使用されている。液晶ディスプレイの基本構造
は、ガラス基板に液晶を挟み込んだものである。そのガ
ラス基板には、成膜,エッチング,フォトリソグラフィ
などの微細加工技術を用いることにより、電極やトラン
ジスタが形成される。そして、成膜に際しては、通常ス
パッタリング装置やCVD(化学気相成長)装置が用い
られている。
2. Description of the Related Art In general, a film formed on a glass substrate by a magnetron sputtering method, for example, a liquid crystal display is used for screen display of a computer, a television or the like. The basic structure of a liquid crystal display is a liquid crystal sandwiched between glass substrates. Electrodes and transistors are formed on the glass substrate by using fine processing techniques such as film formation, etching, and photolithography. For film formation, a sputtering apparatus or a CVD (chemical vapor deposition) apparatus is usually used.

【0003】ところで、スパッタリング装置において
は、膜特性や低発塵,稼働率の面から有利な枚葉式スパ
ッタリング装置が多く使用されてきている傾向にある。
この枚葉式スパッタ装置は、処理室に搬送されたガラス
基板を固定(静止)させ、その状態でガラス基板の表面
に処理するので、ターゲットとしてはガラス基板より
回り大きいサイズのものを用いることが必要となる。
[0003] In the sputtering apparatus, a single-wafer sputtering apparatus, which is advantageous in terms of film characteristics, low dust generation, and operation rate, tends to be used in many cases.
In this single-wafer sputtering apparatus, the glass substrate conveyed to the processing chamber is fixed (stationary), and the surface of the glass substrate is processed in that state. Therefore, a target having a size slightly larger than the glass substrate should be used. Is required.

【0004】また、膜厚分布を均一にするため、放電中
に磁石を移動させることも行われている。磁石を移動さ
せる従来技術のものとしては、例えば特開昭60−11
4568号公報(以下、第一の従来技術と云う),特願
平6−23960号(以下、第二の従来技術と云う)に
記載された技術のものがある。これら、第一,第二の従
来技術のものは何れも、基板及びターゲットに対し、マ
グネットが直線的に往復移動することにより、ターゲッ
トの使用効率を高め得たり、膜厚分布の均一化を図るこ
とが記載されている。これ以外にマグネットが回動する
ものも提案されている。
[0004] In order to make the film thickness distribution uniform, a magnet is also moved during discharge. The prior art for moving a magnet is disclosed in, for example, JP-A-60-11
There is a technique described in Japanese Patent No. 4568 (hereinafter referred to as a first prior art) and Japanese Patent Application No. 6-23960 (hereinafter referred to as a second prior art). In each of these first and second prior arts, the magnet can linearly reciprocate with respect to the substrate and the target, so that the use efficiency of the target can be increased and the film thickness distribution can be made uniform. It is described. In addition to the above, there have been proposed magnets in which a magnet rotates.

【0005】一方、今日の液晶ディスプレイは、大画面
化と高生産性との双方を図るため、成膜やエッチングな
どの処理をすべきガラス基板のサイズが大型化しつつあ
るが、ガラス基板の大型化に伴い、ターゲットも大型化
する必要がある。ターゲットは、通常、バッキングプレ
ートと云う平板に導電性の接着剤によって取付けられて
いる。その従来技術(以下、第三の従来技術と云う)
は、図9及び図10に示すように構成されている。
On the other hand, in today's liquid crystal displays, the size of glass substrates to be subjected to processes such as film formation and etching is increasing in order to achieve both a large screen and high productivity. As the size of the target increases, the size of the target also needs to be increased. The target is usually attached to a flat plate called a backing plate by a conductive adhesive. The prior art (hereinafter referred to as the third prior art)
Is configured as shown in FIG. 9 and FIG.

【0006】即ち、図9に示すように、真空容器1内に
はガラス基板2が配置され、ガラス基板2と対向する位
置にはバッキングプレート4に取付けられたターゲット
3が配置されている。また、バッキングプレート4の上
には磁石部5が設けられ、該磁石部5が駆動機構6,7
によりターゲット3及びガラス基板2と平行に移動する
ことにより、ターゲット3上に所定のマグネトロン磁場
を形成するようにしている。磁石部5は図9,図10に
示すように、長尺状の箱形に形成された第一マグネット
5aと、その内部に直線状に配置された第二のマグネト
ロン5bと、これらを装着したヨーク5cとを有してい
る。なお、8は直流電源、9はヒータ部である。
That is, as shown in FIG. 9, a glass substrate 2 is disposed in a vacuum vessel 1, and a target 3 attached to a backing plate 4 is disposed at a position facing the glass substrate 2. Further, a magnet unit 5 is provided on the backing plate 4, and the magnet unit 5 is
Thus, a predetermined magnetron magnetic field is formed on the target 3 by moving in parallel with the target 3 and the glass substrate 2. As shown in FIGS. 9 and 10, the magnet unit 5 is provided with a first magnet 5a formed in a long box shape, a second magnetron 5b linearly arranged inside the first magnet 5a, and these. And a yoke 5c. In addition, 8 is a DC power supply and 9 is a heater unit.

【0007】そして、真空容器1が所定のガス雰囲気状
態にあって、かつ真空容器1内に所定のマイクロトロン
磁場が形成された状態にあるとき、該容器1内のガラス
基板2が所定の温度に達すると共に、ターゲット3に直
流電源8によって負の電位が印加されると、ターゲット
3の内部表面上に放電が起こってプラズマを発生させ、
発生したプラズマ中のイオンがターゲット3に衝突して
該ターゲット3の金属粒子を飛散させ、その飛散粒子が
大画面のガラス基板2の表面に所望の膜厚で成膜され
る。
When the vacuum container 1 is in a predetermined gas atmosphere state and a predetermined microtron magnetic field is formed in the vacuum container 1, the glass substrate 2 in the container 1 is heated to a predetermined temperature. When a negative potential is applied to the target 3 by the DC power supply 8, a discharge occurs on the inner surface of the target 3 to generate plasma,
Ions in the generated plasma collide with the target 3 and scatter metal particles of the target 3, and the scattered particles are formed into a desired film thickness on the surface of the glass substrate 2 having a large screen.

【0008】このスパッタ処理時、バッキングプレート
4は、上述の如く、ターゲット3を取付けていることか
ら、ターゲット3を冷却する機能と、大気圧によるター
ゲット3の変形をも抑える機能とを有していなければな
らず、その材質としては熱電導率の点から銅系の金属材
料から構成されている。そして、このバッキングプレー
ト4は大気圧によるターゲット3の変形を抑える必要か
ら、ある程度板厚を厚くしなければならない。
During the sputtering process, the backing plate 4 has a function of cooling the target 3 and a function of suppressing deformation of the target 3 due to atmospheric pressure, since the target 3 is attached as described above. It must be made of a copper-based metal material in terms of thermal conductivity. Since the backing plate 4 needs to suppress the deformation of the target 3 due to the atmospheric pressure, the plate thickness must be increased to some extent.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の如
く、液晶ディスプレイの大画面化のため、ガラス基板を
大型化しようとすると、ターゲット及びこれを取付ける
バッキングプレートも大面積化する必要があるが、上記
に示す第一〜第三の従来技術のものは何れも、大面積化
することに伴う問題について配慮していない。
As described above, in order to increase the size of the glass substrate in order to increase the screen size of the liquid crystal display, it is necessary to increase the area of the target and the backing plate on which the target is mounted. None of the first to third prior arts shown above takes account of the problem associated with increasing the area.

【0010】即ち、バッキングプレート4を大面積化す
る場合、大気圧による応力がそれだけ大きくなるので、
変形量を減らすためにバッキングプレート4をより厚肉
にしなければならない。そのため、ターゲット3及びバ
ッキングプレート4は消耗品であり、頻繁に交換を行う
ので、特に、バッキングプレート4のように重量が極め
て大きくなってしまうと、その取扱いが困難となる問題
がある。
That is, when the area of the backing plate 4 is increased, the stress due to the atmospheric pressure increases accordingly.
The backing plate 4 must be made thicker to reduce the amount of deformation. For this reason, the target 3 and the backing plate 4 are consumables and are frequently replaced. Therefore, when the weight becomes extremely large as in the case of the backing plate 4, there is a problem that the handling becomes difficult.

【0011】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、バッキングプレートを厚肉にしなくとも、該バッ
キングプレートの強度を充分維持することができるマ
ネトロンスパッタ装置を提供することにある。
An object of the present invention, in view of the problems of the prior art, even without the backing plate thicker, the luma grayed <br/> magnetron sputtering apparatus can be sufficiently maintain the strength of the backing plate To provide.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明では、内部に成膜
すべき基板を配置した真空容器と、基板と対向する位置
に配置されたターゲットと、ターゲットを取付けたバッ
キングプレートと、該バッキングプレート上で基板及び
ターゲットに対して平行に移動可能であり、且つ当該タ
ーゲットの表面上にマグネトロン磁場を形成する磁石部
と、この磁石部を移動させる駆動機構とを有している。
そしてさらに、バッキングプレートに、前記磁石部の移
動方向に沿って少なくとも一つの補強手段を設け、且つ
その磁石部を、前記補強手段の両側に当該補強手段に沿
って移動可能となるよう配置していることを特徴とする
ものである。
According to the present invention, there is provided a vacuum vessel in which a substrate to be formed is disposed, a target disposed in a position facing the substrate, a backing plate on which the target is mounted, and the backing plate. are movable parallel to the substrate and the target above, and the data
A magnet portion for forming a magnetron magnetic field on the surface of Getto, and a drive mechanism for moving the magnet portion.
Further, the magnet portion is transferred to the backing plate.
Providing at least one reinforcing means along the direction of movement, and
The magnet section is provided along both sides of the reinforcing means along the reinforcing means.
In such a manner as to be movable .

【0013】[0013]

【作用】本発明では、上述の如く、真空容器,ターゲッ
ト,バッキングプレート,磁石部,駆動機構を有すると
共に、バッキングプレート自体の剛性を高め得る補強手
段を有しているので、該補強手段により、バッキングプ
レートの剛性を高めることができ、バッキングプレート
自体の厚みを薄く形成することができる。従って、バッ
キングプレートを薄型化かつ軽量化してもその剛性を保
つことができる結果、ターゲット及びバッキングプレー
トを大画面対応の大きさとなっても、容易に対処するこ
とができ、大画面用としてのスパッタ処理を確実に実現
し得る効果がある。
According to the present invention, as described above, in addition to having the vacuum vessel, the target, the backing plate, the magnet section, and the driving mechanism, the reinforcing means for increasing the rigidity of the backing plate itself is provided. The rigidity of the backing plate can be increased, and the thickness of the backing plate itself can be reduced. Therefore, even if the backing plate is made thinner and lighter, its rigidity can be maintained. As a result, even if the target and the backing plate have a size corresponding to a large screen, it can be easily dealt with. There is an effect that the processing can be surely realized.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を図1乃至図8により
説明する。図1は本発明の第一の実施例を示す全体構成
図、図2は全体の外観斜視図、図3はマグネットを示す
斜視図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an external perspective view of the whole, and FIG. 3 is a perspective view showing a magnet.

【0015】実施例の装置は、真空容器21が所定のガ
ス雰囲気状態にあって、かつ真空容器21内に所定のマ
グネトロン磁場が形成された状態にあるとき、該容器2
1内のガラス基板10が所定の温度に達し、かつターゲ
ット16に直流電源27によって負の電位が印加される
と、ターゲット16の内部表面に放電が起こってプラズ
マを発生させ、発生したプラズマ中のイオンがターゲッ
ト16に衝突して該ターゲット16の金属粒子を飛散さ
せ、その飛散粒子がガラス基板10の表面に所望の膜厚
で成膜されるように構成している。
When the vacuum vessel 21 is in a predetermined gas atmosphere state and a predetermined magnetron magnetic field is formed in the vacuum vessel 21, the apparatus 2
When the glass substrate 10 in 1 reaches a predetermined temperature and a negative potential is applied to the target 16 by the DC power supply 27, a discharge occurs on the inner surface of the target 16 to generate plasma, and the generated plasma contains The ions collide with the target 16 to scatter the metal particles of the target 16, and the scattered particles are formed into a desired film thickness on the surface of the glass substrate 10.

【0016】そして、この装置は、大別すると図1及び
図2に示すように、真空容器21と、スパッタすべき金
属粒子を飛散させるターゲット16と、分割形成された
磁石部11,11と、該磁石部11,11を移動させる
駆動機構30とを有している。
This device is roughly divided into FIG. 1 and FIG.
As shown in FIG. 2 , a vacuum vessel 21, a target 16 for scattering metal particles to be sputtered, magnets 11 formed separately, and a drive mechanism 30 for moving the magnets 11, 11 are provided. are doing.

【0017】真空容器21は、上部を開口した箱形形状
をなしており、その内部にヒータ部24の上にセットさ
れたガラス基板10が配置されている。ヒータ部24は
ヒータ移動シャフト25に支持され、該シャフト25が
上下方向に進退移動することにより、ガラス基板10を
所望位置に位置決めする。また、真空容器21内にはア
ースシールド22が取付けられると共に、該絶縁材から
なる防着板23が取付けられている。該防着板23は、
内径側の先端が基板10の外周まで延設されており、ス
パッタ処理時、ターゲット16からの飛散粒子がガラス
基板10の必要以外の部分に付着するのを防止する。
The vacuum vessel 21 has a box shape with an open top, and the glass substrate 10 set on the heater 24 is disposed inside the vacuum vessel 21. The heater unit 24 is supported by a heater moving shaft 25, and the glass substrate 10 is positioned at a desired position by moving the shaft 25 up and down. An earth shield 22 is mounted in the vacuum vessel 21, and a deposition-preventing plate 23 made of the insulating material is mounted. The deposition-preventing plate 23 includes
The tip on the inner diameter side is extended to the outer periphery of the substrate 10 to prevent particles scattered from the target 16 from adhering to unnecessary parts of the glass substrate 10 during the sputtering process.

【0018】ターゲット16は、スパッタ粒子を飛散さ
せる成膜金属材料からなるものであって、真空容器21
の開口部とほぼ同じ大きさをなし、その外表面がバッキ
ングプレート15に取付けられている。
The target 16 is made of a film-forming metal material that scatters sputtered particles.
And the outer surface thereof is attached to the backing plate 15.

【0019】バッキングプレート15は、その内面に導
電性の接着剤によりターゲット16を取付けており、そ
の外周部が絶縁シール26を介し真空容器21の開口端
部に装着されている。このバッキングプレート15の材
質としては、ターゲット16の支持強度及び冷却効率を
考慮し、例えば銅材で形成されている。従って、バッキ
ングプレート15は、大気圧によるターゲット16の変
形を抑えなければならず、そのための剛性をもつ必要が
ある。
The backing plate 15 has a target 16 attached to the inner surface thereof by a conductive adhesive, and the outer peripheral portion thereof is attached to the opening end of the vacuum vessel 21 via an insulating seal 26. The material of the backing plate 15 is formed of, for example, a copper material in consideration of the supporting strength of the target 16 and the cooling efficiency. Therefore, the backing plate 15 must suppress deformation of the target 16 due to the atmospheric pressure, and must have rigidity for that purpose.

【0020】そこで、実施例においては、図1及び図2
に示すように、バッキングプレート15の外表面の中央
部に補強リブ15aが突設されている。この補強リブ1
5aは、分割形成された各磁石部11の間に配置される
如く、バッキングプレート15の外表面中央部に一様の
厚みをもつと共に、適宜の高さをもって形成されてい
る。従って、このバッキングプレート15はT字状をな
している。なお、ターゲット16には負の電位を印加す
ると共に、真空容器21及アースシールド22に正の電
位を印加するための直流電源27が設置されている。
Therefore, in the embodiment, FIGS.
As shown in (1), a reinforcing rib 15a protrudes from the center of the outer surface of the backing plate 15. This reinforcing rib 1
5a has a uniform thickness at the center of the outer surface of the backing plate 15 and is formed with an appropriate height so as to be arranged between the divided magnet parts 11. Therefore, the backing plate 15 has a T shape. A DC power supply 27 for applying a negative potential to the target 16 and for applying a positive potential to the vacuum vessel 21 and the earth shield 22 is provided.

【0021】一方、前記磁石部11,11は、上述の如
く、これら両者の間にバッキングプレート15の補強リ
ブ15aが配置されることから、該補強リブ15aを挟
み、長手方向に沿って二分割に形成されている。これら
二組の磁石部11,11は相互の磁力により、ターゲッ
ト16上に対し該ターゲットの長さ方向に沿った大きさ
のレーストラック状のプラズマを発生させ、これによっ
てターゲット16上に所望のマグネトロン磁場を形成し
得るようにしている。そのため、各磁石部11は図1乃
至図3に示すように、永久磁石からなる第一マグネット
12と、その間に配置された第二マグネット13と、こ
れらと組み付けられるヨーク14とを有して構成され、
従って、一方の第一マグネット12の分割端部と他方の
第一マグネットの分割端部との間のギャップdが、分割
補強リブ15aより若干大きめの寸法になっている。
On the other hand, since the reinforcing ribs 15a of the backing plate 15 are disposed between the magnet portions 11 and 11 as described above, the magnet portions 11 are divided into two along the longitudinal direction with the reinforcing ribs 15a interposed therebetween. Is formed. These two sets of magnet parts 11, 11 generate a racetrack-shaped plasma of a size along the length of the target 16 on the target 16 by mutual magnetic force, whereby a desired magnetron is formed on the target 16. A magnetic field can be formed. For this reason, as shown in FIGS. 1 to 3, each magnet section 11 includes a first magnet 12 made of a permanent magnet, a second magnet 13 disposed therebetween, and a yoke 14 assembled with these. And
Therefore, the gap d between the divided end of one first magnet 12 and the divided end of the other first magnet is slightly larger than the divided reinforcing rib 15a.

【0022】駆動機構30は、図2に示すように、モー
タ部31と、このモータ部31及び分割形成された各磁
石部11,11を連結する連結部34と、各磁石部1
1,11の移動をガイドするガイド部材(符示せず)と
を有している。
As shown in FIG. 2, the drive mechanism 30 includes a motor section 31, a connecting section 34 for connecting the motor section 31 and the divided magnet sections 11 and 11, and a
And a guide member (not shown) for guiding the movement of the first and the eleventh.

【0023】詳しく述べると、モータ部31は、バッキ
ングプレート15の一端の側面部に設置されており、そ
の出力軸32が例えば外周に螺旋状のネジ部を設けたス
クリュー軸などで形成され、かつ該出力軸32の先端
が、バッキングプレート15の他端の側面部に設置され
た軸保持具33に対し軸周りに回転可能に保持されてい
る。連結部34は、前記バッキングプレート15の補強
リブ15aを跨げるようにコ字形をなしており、その中
央部が出力軸32と係合すると共に該出力軸32を挿通
し、しかもその両端に各磁石部11,11の一端部が連
結されている。前記ガイド部材は、各磁石部11の他端
部に夫々装着された保持具35と、該夫々の保持具35
を挿通する二本のガイド棒36と、各ガイド棒36の両
端を保持し、かつバッキングプレート15の両端の側面
部に設置された棒保持具37とを有している。
More specifically, the motor unit 31 is installed on a side surface of one end of the backing plate 15, and its output shaft 32 is formed of, for example, a screw shaft provided with a spiral screw portion on the outer periphery, and The tip of the output shaft 32 is rotatably held around a shaft by a shaft holder 33 installed on the side surface of the other end of the backing plate 15. The connecting portion 34 has a U-shape so as to straddle the reinforcing rib 15a of the backing plate 15, and a central portion thereof is engaged with the output shaft 32 and is inserted through the output shaft 32. One end of each of the magnets 11, 11 is connected. The guide member includes a holder 35 attached to the other end of each magnet 11, and a holder 35.
, And rod holders 37 that hold both ends of each of the guide rods 36 and are installed on the side surfaces of both ends of the backing plate 15.

【0024】そして、モータ部31により出力軸32が
軸周りに回転すると、その回転により連結部34が移動
すると共に、該連結部34と共に各磁石部11,11が
図2に示す如き矢印方向に移動し、その際、各磁石部1
1,11が、ガイド棒36を挿通する保持具35によっ
てガイドされることにより、双方の磁石部11,11が
同時にバッキングプレート15上を直線移動できるよう
に、即ち、各磁石部11,11を共に補強リブ15aに
沿って移動させるようにしている。
When the output shaft 32 is rotated around the axis by the motor 31, the connecting portion 34 is moved by the rotation, and the magnets 11, 11 are moved together with the connecting portion 34 in the direction of the arrow as shown in FIG. Move, and at this time, each magnet part 1
The magnets 11, 11 are guided by the holder 35 inserted through the guide rod 36, so that the two magnets 11, 11 can simultaneously move linearly on the backing plate 15, that is, each magnet 11, 11 is moved. Both are moved along the reinforcing ribs 15a.

【0025】実施例の装置は、バッキングプレート15
上を移動する各磁石11,11が、上述の如く、その移
動方向と直交する方向に沿って二分割に形成され、バッ
キングプレート15に二分割形成された各磁石11,1
1の間に配置される補強リブ15aが突設されているの
で、補強リブ15aにより、バッキングプレート15の
剛性を高めることができるので、バッキングプレート1
5自体の厚みを薄く形成することができ、そのため、バ
ッキングプレート15を薄型化かつ軽量化してもその剛
性を保つことができる。
The apparatus of the embodiment has a backing plate 15
As described above, each of the magnets 11, 11 moving upward is formed in two parts along the direction orthogonal to the moving direction, and each magnet 11, one part formed on the backing plate 15 is divided into two parts.
1, the reinforcing ribs 15a protruding therefrom can increase the rigidity of the backing plate 15 by the reinforcing ribs 15a.
Since the thickness of the backing plate 5 itself can be reduced, the rigidity can be maintained even if the backing plate 15 is reduced in thickness and weight.

【0026】実験によれば、バッキングプレートとして
970mm×970mmのものを用いた場合、第三の従
来技術ではその重量が290kgであったが、上述の如
き実施例のバッキングプレート15を同寸法で用いたと
ころ、210kgの重量となることが確認できた。この
ような重量差は、補強リブ15aの大きさ(厚さ,高
さ)によって若干相違するものの、大幅な重量軽減を図
ることが確実に行える。
According to an experiment, when a backing plate having a size of 970 mm × 970 mm was used, the weight was 290 kg in the third prior art, but the backing plate 15 of the above-described embodiment was used in the same size. It was confirmed that the weight was 210 kg. Although such a difference in weight slightly differs depending on the size (thickness, height) of the reinforcing rib 15a, it is possible to surely reduce the weight significantly.

【0027】また、各磁石11は分割形成されているも
のの、それらが駆動機構30によって共に移動するの
で、ターゲット16上に形成されるプラズマを従来技術
とほぼ同様にレーストラック状に発生させることがで
き、これにより所望のマグネトロン共鳴磁場を形成する
ことができる。その結果、ターゲット16及びバッキン
グプレート15を大画面対応の大きさに形成しても、容
易に対処することができ、大画面用としてのスパッタ処
理を実現し得る。
Although the magnets 11 are formed separately, they are moved together by the drive mechanism 30, so that the plasma formed on the target 16 can be generated in a race track shape in substantially the same manner as in the prior art. Thus, a desired magnetron resonance magnetic field can be formed. As a result, even if the target 16 and the backing plate 15 are formed in a size corresponding to a large screen, it can be easily dealt with, and a sputtering process for a large screen can be realized.

【0028】なお、実験では、ガラス基板10として6
00mm×700mmのものを、またアルミニウム製の
ターゲット16を夫々用い、スパッタガス圧力0.3P
a,スパッタパワー22kWでスパッタ処理を行ったと
ころ、1分間のスパッタ時間で膜厚250nmのアルミ
ニウム薄膜を形成することができ、また膜厚分布に関し
てはガラス基板10の面内で±5%程度の範囲に収まる
均一なものが得られた。
In the experiment, the glass substrate 10 was 6
A target having a size of 00 mm × 700 mm and an aluminum target 16 each having a sputtering gas pressure of 0.3 P
a, When a sputtering process was performed at a sputtering power of 22 kW, an aluminum thin film having a film thickness of 250 nm could be formed in a sputtering time of 1 minute, and the film thickness distribution was about ± 5% within the plane of the glass substrate 10. A uniform product within the range was obtained.

【0029】さらに、磁石部11が二個に分割形成され
ても、それらが駆動機構30により共に同期的に移動で
きるので、ターゲット16上においてトラックレース状
のプラズマを確実に発生させることができ、成膜の均一
化が損なわれるおそれがない。しかも駆動機構30がモ
ータ部31,連結部34,ガイド部材を有して構成され
ているので、双方の磁石部11を互いに連結すると云う
簡単な連結構造で済むことができる。
Furthermore, even if the magnet portion 11 is divided into two parts, they can be moved synchronously by the driving mechanism 30, so that a track race-like plasma can be reliably generated on the target 16. There is no possibility that the uniformity of the film is impaired. In addition, since the drive mechanism 30 includes the motor section 31, the connection section 34, and the guide member, a simple connection structure in which the two magnet sections 11 are connected to each other can be achieved.

【0030】図4は本発明の第二の実施例を示してい
る。この実施例において前記第一の実施例と異なるの
は、磁石部11を三分割に形成する一方、バッキングプ
レート15に、その三分割した各磁石部11の間に突設
する補強リブ15a,15bを突設したものである。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that the magnet part 11 is formed into three parts and the backing plate 15 has reinforcing ribs 15a, 15b projecting between the three part magnet parts 11. Is protruding.

【0031】即ち、磁石部11は、その長手方向に沿っ
て三分割形成されており、これらが共に駆動機構30に
連結されている。この場合、駆動機構30の連結部34
は、ヨの字形に形成されており、その中央部34aが第
一の実施例と同様、モータ部31の出力軸32と係合す
ると共に、これを挿通している。そして、連結部34の
両端部34b,34cが二本のガイド棒36を挿通する
ように構成されている。
That is, the magnet portion 11 is formed into three parts along the longitudinal direction, and these are both connected to the drive mechanism 30. In this case, the connecting portion 34 of the driving mechanism 30
Is formed in a Y-shape, and the central portion 34a engages with and passes through the output shaft 32 of the motor portion 31, as in the first embodiment. Further, both end portions 34b and 34c of the connecting portion 34 are configured to penetrate the two guide rods 36.

【0032】そのため、連結部34の両端部34b,3
4cは三分割された磁石11のうち、両側に配置された
二組の磁石11の上部中央部に夫々取付けられると共
に、二本のガイド棒36を挿通している。ガイド棒36
のバッキングプレート15に対する取付けは第一の実施
例と同様である。
Therefore, both ends 34b, 3 of the connecting portion 34
4c is attached to the upper central part of two sets of magnets 11 arranged on both sides of the three divided magnets 11, and two guide rods 36 are inserted therethrough. Guide rod 36
Is attached to the backing plate 15 in the same manner as in the first embodiment.

【0033】従って、この連結部30は、モータ部31
によって出力軸32が軸周りに回転すると、連結部34
により、中央に位置する磁石部11が出力軸32に沿っ
て移動すると共に、両側に位置する二組の磁石部11,
11がガイド棒36にガイドされるので、三組の磁石部
11が同時に移動することとなる。
Therefore, the connecting portion 30 is connected to the motor portion 31
When the output shaft 32 rotates around the axis, the connecting portion 34
As a result, the magnet unit 11 located at the center moves along the output shaft 32, and two sets of magnet units 11,
Since 11 is guided by the guide bar 36, the three sets of magnet units 11 move simultaneously.

【0034】一方、バッキングプレート15の外表面に
は、一端側の磁石11と中央に配置される磁石11との
間に向かって突出する第一の補強リブ15aと、中央の
磁石11と他端に配置された磁石11との間に向かって
突出する第二の補強リブ15bとを有している。
On the other hand, on the outer surface of the backing plate 15, a first reinforcing rib 15a projecting between the magnet 11 at one end and the magnet 11 arranged at the center, And a second reinforcing rib 15b protruding toward the magnet 11 disposed in the second direction.

【0035】この実施例によれば、ターゲット16のよ
り大面積化に伴いバッキングプレート15がいっそう大
型しても、上述の如く、磁石11の分割個数を増やすと
共に補強リブ15a,15bの数を増やすと、補強リブ
の分だけバッキングプレート15の剛性を保つことがで
きるので、バッキングプレート15がより厚くなること
によって重量化するのを低減することができる。
According to this embodiment, as described above, even if the backing plate 15 becomes larger due to the larger area of the target 16, the number of divided magnets 11 and the number of reinforcing ribs 15a and 15b are increased as described above. Since the rigidity of the backing plate 15 can be maintained by the amount of the reinforcing ribs, the weight of the backing plate 15 can be reduced by increasing the thickness.

【0036】また実施例では、磁石部11が三分割され
ても、その駆動機構が第一の実施例と概略的ては同様の
形態となり、一つの駆動部だけで全ての磁石部11を共
に駆動できるので、磁石部11の分割個数の増加に伴っ
て構成が複雑になったり、駆動部が複数となるなどのお
それがなく、構成の簡素化を図ることもできる。
In this embodiment, even if the magnet unit 11 is divided into three parts, the driving mechanism is substantially the same as that of the first embodiment, and all the magnet units 11 are connected together by only one driving unit. Since the driving can be performed, there is no danger that the configuration becomes complicated with the increase in the number of divisions of the magnet unit 11 or the number of driving units becomes plural, and the configuration can be simplified.

【0037】なお、これまで前述した第一,第二の実施
例では、補強リブ15a(或いは15aと15b)がバ
ッキングプレート15と一体的に形成された例を示した
が、バッキングプレート本体15と別個に形成して溶接
などにより取付けても良く、何れにしろ、バッキングプ
レート本体15の厚みが増加しない程度に該プレート自
体の剛性を高め得る程度の大きさ,形状であればよい。
また、補強リブがバッキングプレート15において磁石
部11の分割された間にのみ突設された例を示したが、
バッキングプレート15の両端部に形成すれば、それだ
けより補強することができるので、いっそうの剛性アッ
プを図ることもできる。
In the first and second embodiments described above, an example is shown in which the reinforcing ribs 15a (or 15a and 15b) are formed integrally with the backing plate 15. The backing plate body 15 may be formed separately and attached by welding or the like, and in any case, the size and the shape may be such that the rigidity of the backing plate body 15 can be increased to the extent that the thickness of the plate itself does not increase.
Also, an example is shown in which the reinforcing rib protrudes only between the divided portions of the magnet portion 11 in the backing plate 15,
If it is formed at both ends of the backing plate 15, it is possible to further reinforce it, and it is possible to further increase the rigidity.

【0038】図5乃至図8は本発明の他の実施例を夫々
示している。前述したこれまでの実施例では、磁石部1
1が長手方向に複数に分割され、ギャップdを有するよ
うに構成したが、このように、ギャップdを有するよう
に分割形成すると、図7に示すように、ターゲット16
上に発生するプラズマ91がレーストラック状に発生す
るものの、そのプラズマ91は、ギャップdに相当する
部分91aが若干ながら幅のせまい状態となるので、タ
ーゲット16の表面上におけるマグネトロン磁場の強度
が、磁石部を分割しない場合よりすこし小さくなってし
まう。
FIGS. 5 to 8 show other embodiments of the present invention. In the above-described embodiments, the magnet unit 1
1 is divided into a plurality of parts in the longitudinal direction and has a gap d. In this manner, when the division is formed so as to have the gap d, as shown in FIG.
Although the plasma 91 generated above is generated in the shape of a race track, the plasma 91 has a narrow portion 91a corresponding to the gap d while the width thereof is slightly small, so that the intensity of the magnetron magnetic field on the surface of the target 16 is reduced. The size is slightly smaller than when the magnet is not divided.

【0039】このギャップdの大きさとターゲット16
の表面における平行磁場強度との関係について図8によ
り説明する。図8において、横軸は磁石部間のギャップ
dを、縦軸はターゲット表面における平行磁場強度を夫
々示し、実線Aにより、ギャップdの大きさに伴い平行
磁場強度が小さくなることを表している。
The size of the gap d and the target 16
The relationship with the parallel magnetic field strength on the surface of the surface will be described with reference to FIG. In FIG. 8, the horizontal axis indicates the gap d between the magnet parts, and the vertical axis indicates the parallel magnetic field intensity on the target surface. The solid line A indicates that the parallel magnetic field intensity decreases with the size of the gap d. .

【0040】図8によれば、磁石部11間のギャップd
が0mmのとき、即ち、磁石部が分割されていない場
合、平行磁場強度は約40mTである。一方、磁石部が
第一の実施例の如く二分割され、そのギャップdが10
mmとした場合、平行磁場強度は約35mTの大きさと
なり、若干小さくなる。但し、これはマグネトロンスパ
ッタにおける放電としては、充分な磁場強度である。
According to FIG. 8, the gap d between the magnet portions 11
Is 0 mm, that is, when the magnet part is not divided, the parallel magnetic field strength is about 40 mT. On the other hand, the magnet part is divided into two as in the first embodiment, and the gap d is 10
mm, the parallel magnetic field strength is about 35 mT, which is slightly smaller. However, this is a sufficient magnetic field strength for discharge in magnetron sputtering.

【0041】しかしながら、充分な磁場強度であって
も、図7に示すように、プラズマ91のギャップdに相
当する部分91aの幅が若干でも違い、この形状のプラ
ズマ91が磁石部11によって矢印方向92に移動する
と、ターゲット16からの飛散粒子の均一性がその分劣
るので、膜厚分布のより均一化が図り難い。
However, even if the magnetic field intensity is sufficient, the width of the portion 91a corresponding to the gap d of the plasma 91 is slightly different as shown in FIG. Moving to 92, the uniformity of the scattered particles from the target 16 is inferior, and it is difficult to achieve a more uniform film thickness distribution.

【0042】そこで、本実施例では、磁石部11が分割
することによってギャップdを有していても、そのギャ
ップdに相当する部分の平行磁場強度が減少するのを防
ぐようにしたものである。
Therefore, in the present embodiment, even if the magnet portion 11 has a gap d due to the division, the intensity of the parallel magnetic field at a portion corresponding to the gap d is prevented from decreasing. .

【0043】即ち、図5に示す実施例では、二個に分割
形成された各磁石部11において、第一マグネット1
2,第二マグネット13の互いに分割された分割端部に
磁束補強突起12a,13aが夫々突設されている。こ
の磁束補強突起12a,13aは、第一マグネット1
2,第二マグネット13と同様の材質から成る永久磁石
を、第一マグネット12,第二マグネット13の分割端
部に突設させ、これにより、夫々のマグネットの分割端
部の面積が増大するようにしている。
That is, in the embodiment shown in FIG. 5, the first magnet 1
2, magnetic flux reinforcing projections 12a and 13a are provided at the divided end portions of the second magnet 13, respectively. The magnetic flux reinforcing projections 12a and 13a are
2, a permanent magnet made of the same material as the second magnet 13 is protruded from the divided end of the first magnet 12 and the second magnet 13, so that the area of the divided end of each magnet is increased. I have to.

【0044】このように、第一,第二マグネット12,
13の分割端部にこれらと全く同様の磁束密度からなる
磁束補強突起12a,13aを突設し、分割端部の面積
を増大させるので、ギャップd部分における平行磁場強
度が減少するのをそれだけ抑えることができる。
Thus, the first and second magnets 12,
The magnetic flux reinforcing projections 12a and 13a having the same magnetic flux density as these are protrudingly provided at the divided end of 13 to increase the area of the divided end, so that the decrease in the parallel magnetic field strength at the gap d is suppressed accordingly. be able to.

【0045】実験によれば、実施例1の場合と同様、6
00mm×700mmのガラス基板10、アルミニウム
製のターゲット16を夫々用い、スパッタガス圧力0.
3Pa,スパッタパワー22kWでスパッタ処理を行っ
たところ、1分間のスパッタ時間で膜厚250nmのア
ルミニウム薄膜を形成できた。そして、膜厚分布に関し
てはガラス基板10の面内で±4%以内の範囲に収まる
ことができた。従って、この膜厚分布は、磁束補強突起
12a,13aの突出する割合によっても変わるが、第
一の実施例に比較し、より均一な膜厚を得ることができ
る結果、特に大面積化した場合でも、高品質を維持し得
る。
According to the experiment, as in the case of the first embodiment, 6
A glass substrate 10 of 00 mm × 700 mm and a target 16 made of aluminum were used, respectively, and the sputtering gas pressure was 0.1 mm.
When a sputtering process was performed at 3 Pa and a sputtering power of 22 kW, an aluminum thin film having a thickness of 250 nm could be formed with a sputtering time of 1 minute. The film thickness distribution could be kept within ± 4% within the plane of the glass substrate 10. Accordingly, although this film thickness distribution varies depending on the ratio of the protrusions of the magnetic flux reinforcing projections 12a and 13a, as compared with the first embodiment, a more uniform film thickness can be obtained. But high quality can be maintained.

【0046】図6に示す実施例において、図5に示す実
施例と異なるのは、第一マグネット12,第二マグネッ
ト13の分割端部12b,13bそのものを、残留磁束
密度の大きい材質で形成したものである。
The embodiment shown in FIG. 6 is different from the embodiment shown in FIG. 5 in that the divided ends 12b and 13b of the first magnet 12 and the second magnet 13 are formed of a material having a large residual magnetic flux density. Things.

【0047】即ち、本実施例において、第一マグネット
12の分割端部12bは、残留磁束密度が第一マグネッ
ト12の材質より大きいものを用いており、第二マグネ
ット13の分割端部13bも、残留磁束密度が第二マグ
ネット13の材質より大きいものを用い、これによって
夫々の分割端部12b,13bにおけるギャップd部分
の平行磁場強度が減少するのを抑えるようにしている。
この場合、分割端部12b,13bは、第一,第二マグ
ネット12,13を構成する材質自体を変えてもよい
が、変えなくともよい。
That is, in this embodiment, the divided end portion 12b of the first magnet 12 has a residual magnetic flux density larger than that of the material of the first magnet 12, and the divided end portion 13b of the second magnet 13 is also used. A material having a residual magnetic flux density larger than that of the material of the second magnet 13 is used to suppress a decrease in the parallel magnetic field strength at the gap d at each of the divided ends 12b and 13b.
In this case, the material constituting the first and second magnets 12, 13 may be changed for the divided ends 12b, 13b, but it is not necessary to change them.

【0048】実験では、第一,第二マグネット12,1
3自体が残留磁束密度Brとして0.9TからなるSm
−Coで形成されたとき、残留磁束密度Brとして1.
1TのSm−Coで形成された分割端部12b,13b
を用い、第一の実施例と同様にしてスパッタ処理を行っ
たところ、600mm×700mmのガラス基板10に
おいて膜厚分布が±4%以内になることが確認された。
In the experiment, the first and second magnets 12, 1
3 itself has a residual magnetic flux density Br of 0.9T.
-Co, the residual magnetic flux density Br is 1.
Divided ends 12b, 13b made of 1T Sm-Co
Was performed in the same manner as in the first example, and it was confirmed that the film thickness distribution of the glass substrate 10 of 600 mm × 700 mm was within ± 4%.

【0049】従って、図5及び図6に示す実施例によれ
ば、磁石部11が分割形成されても、第一,第二マグネ
ットの分割端部によって平行磁場強度が減少するのを抑
え、より均一な膜厚を得ることができるので、大面積化
した場合でも、高品質を維持し得る。
Therefore, according to the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, even if the magnet portion 11 is formed in a divided manner, the decrease in the parallel magnetic field strength due to the divided end portions of the first and second magnets is suppressed. Since a uniform film thickness can be obtained, high quality can be maintained even when the area is increased.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項1〜
3によれば、バッキングプレートが有する補強手段によ
り、バッキングプレートの剛性を高めることができ、バ
ッキングプレート自体の厚みを薄く形成することがで
き、従って、バッキングプレートを薄型化かつ軽量化し
てもその剛性を保つことができる結果、ターゲット及び
バッキングプレートを大画面対応の大きさとなっても、
容易に対処することができ、大画面用としてのスパッタ
処理を確実に実現し得る効果がある。
As described above, claims 1 to 5 of the present invention.
According to No. 3, the rigidity of the backing plate can be increased by the reinforcing means of the backing plate, and the thickness of the backing plate itself can be reduced. Therefore, even if the backing plate is reduced in thickness and weight, its rigidity can be improved. As a result, even if the target and the backing plate are large enough for a large screen,
There is an effect that it can be easily dealt with and the sputter processing for a large screen can be surely realized.

【0051】また、請求項4によれば、補強手段を介し
て配置される各磁石部の補強手段側の端部に磁束補強突
起を突設し、請求項5によれば、補強手段を介して配置
される各磁石部の補強手段側の端部そのものを磁束密度
の高い材質で形成したので、膜厚分布のより均一化を図
ることができ、高品質の成膜を得ることができると云う
効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, it is preferable that the reinforcing means
A magnetic flux reinforcing projection is protruded from an end of each magnet portion disposed on the reinforcing means side according to claim 5, and is arranged via the reinforcing means.
Since the end portion of each magnet portion on the reinforcing means side is formed of a material having a high magnetic flux density, the film thickness distribution can be made more uniform, and a high quality film can be obtained. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施例を示す全体構成の断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of the overall configuration showing a first embodiment of the present invention.

【図2】同じく全体の外観斜視図。FIG. 2 is an external perspective view of the whole.

【図3】分割形成された磁石部のマグネットを示す斜視
図。
FIG. 3 is a perspective view showing a magnet of a divided magnet unit.

【図4】本発明の第二の実施例を示す全体構成の断面
図。
FIG. 4 is a sectional view of the overall configuration showing a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施例を示す磁石部のマグネット
の斜視図。
FIG. 5 is a perspective view of a magnet of a magnet unit according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のさらに他の実施例を示す磁石部のマグ
ネットの斜視図。
FIG. 6 is a perspective view of a magnet of a magnet section showing still another embodiment of the present invention.

【図7】ターゲット上に発生するプラズマを示す説明
図。
FIG. 7 is an explanatory view showing plasma generated on a target.

【図8】各磁石部間のギャップの大きさとターゲット表
面における平行磁場強度の大きさとの関係を示す説明
図。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing the relationship between the size of the gap between the magnet units and the magnitude of the parallel magnetic field intensity on the target surface.

【図9】第三の従来技術の一構成例を示す全体構成の説
明図。
FIG. 9 is an explanatory diagram of an overall configuration showing a configuration example of a third conventional technique.

【図10】第三の従来技術における磁石部のマグネット
を示す斜視図。
FIG. 10 is a perspective view showing a magnet of a magnet unit according to a third conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ガラス基板、11…分割形成された磁石部、12
…第一マグネット、12a…磁束補強突起、12b…第
一マグネットの分割端部、13…第二マグネット、13
a…磁束補強突起、13b…第二マグネットの分割端
部、21…真空容器、15…バッキングプレート、15
a,15b…補強リブ、16…ターゲット、30…駆動
機構。
10: glass substrate, 11: divided magnet part, 12
... First magnet, 12a Flux reinforcing projection, 12b Divided end of first magnet, 13 Second magnet, 13
a: magnetic flux reinforcing protrusion, 13b: divided end of the second magnet, 21: vacuum vessel, 15: backing plate, 15
a, 15b: reinforcing ribs, 16: target, 30: drive mechanism.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−305961(JP,A) 特開 平4−314857(JP,A) 特開 平6−172988(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 Continuation of the front page (56) References JP-A-2-305611 (JP, A) JP-A-4-314857 (JP, A) JP-A-6-172988 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14/58

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 内部に成膜すべき基板を配置した真空容
器と、前記基板と対向する位置に配置されたターゲット
と、該ターゲットを取付けたバッキングプレートと、該
バッキングプレート上で前記基板及びターゲットに対し
て平行に移動可能であり、且つ当該ターゲットの表面上
にマグネトロン磁場を形成する磁石部と、該磁石部を移
動させる駆動機構とを有するマグネトロンスパッタ装置
であって、 前記バッキングプレートに、前記磁石部の移動方向に沿
って少なくとも一つの補強手段を設け、且つ前記磁石部
を、前記補強手段の両側に当該補強手段に沿って移動可
能となるよう配置したことを特徴とするマグネトロンス
パッタ装置。
1. A vacuum vessel in which a substrate on which a film is to be formed is disposed, a target disposed in a position facing the substrate, a backing plate on which the target is mounted, and the substrate and target on the backing plate A magnetron sputtering apparatus that is movable in parallel with respect to and has a magnet unit that forms a magnetron magnetic field on the surface of the target, and a drive mechanism that moves the magnet unit. A magnetron sputtering apparatus, wherein at least one reinforcing means is provided along a moving direction of the magnet part, and the magnet part is arranged on both sides of the reinforcing means so as to be movable along the reinforcing means.
【請求項2】 内部に成膜すべき基板を配置した真空容
器と、前記基板と対向する位置に配置されたターゲット
と、ターゲットを取付けたバッキングプレートと、該
バッキングプレート上で前記基板及びターゲットに対し
平行に移動可能であり、且つ当該ターゲットの表面上
にマグネトロン磁場を形成する磁石部と、該磁石部を移
動させる駆動機構とを有するマグネトロンスパッタ装置
であって、 前記バッキングプレートの外表面に、前記磁石部の移動
方向に沿った当該バッキングプレートの補強手段たる少
なくとも一つの補強リブを一体的に突設し、且つ前記磁
石部を、前記補強リブの両側に当該補強リブに沿って移
動可能となるよう配置した ことを特徴とするマグネトロ
ンスパッタ装置。
2. A vacuum container in which a substrate to be formed is placed.
Vessels,SaidTarget placed at a position facing the substrate
When,TheA backing plate with a target attached,
On the backing plateSaidSubstrate and targetAgainst
handCan be moved in parallelAnd on the surface of the target
A magnetron magnetic fieldA magnet section,The magnetIshibe moved
Drive mechanism to moveMagnetron sputtering device
And Movement of the magnet section on the outer surface of the backing plate
Along the direction of the backing plate
At least one reinforcing rib is integrally protruded, and
A stone part is transferred along both sides of the reinforcing ribs.
Arranged to be movable Characterized byRumaGuntro
Sputtering equipment.
【請求項3】 前記駆動機構は、前記磁石部を連結する
連結部と、該連結部と係合し且つ回転に伴い当該連結部
を前記磁石部の移動方向に沿って移動させる出力軸と、
該出力軸を回転させるモータ部と、前記磁石部を当該磁
石部の移動方向にガイドするガイド手段とを備えてなる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のマグネトロン
スパッタ装置。
3. A driving mechanism comprising : a connecting portion for connecting the magnet portion; an output shaft engaging with the connecting portion and moving the connecting portion along a moving direction of the magnet portion with rotation;
3. The magnetron sputtering apparatus according to claim 1, further comprising: a motor unit for rotating the output shaft; and a guide unit for guiding the magnet unit in a moving direction of the magnet unit.
【請求項4】 前記各磁石部は、各々第一マグネットと
第二マグネットとを有し、該各磁石部を前記補強手段の
両側に夫々の第一及び第二のマグネットを相対向させて
配置すると共に、該第一及び第二のマグネットにおける
前記補強手段側に、該第一及び第二のマグネットの夫々
と同様の磁束密度を有する材質からなる磁束補強突起を
突設したことを特徴とする請求項1,2又は3に記載
グネトロンスパッタ装置。
4. Before SL each magnet unit includes a respective first magnet and a second magnet, said reinforcing means respective magnet unit
With the first and second magnets facing each other on both sides
Place and in the first and second magnets
Said reinforcing means side, according to claim 1, 2 or 3, characterized in that projecting from the magnetic flux reinforcing projections made of a material having the same magnetic flux density and each of said first and second magnet
Ma grayed magnetron sputtering device.
【請求項5】 前記各磁石部は、各々第一マグネットと
第二マグネットとを有し、該各磁石部を前記補強手段の
両側に夫々の第一及び第二のマグネットを相対向させて
配置すると共に、該第一及び第二のマグネットにおける
前記補強手段側を、該第一及び第二のマグネットの夫々
より大きい磁束密度を有する材質で形成したことを特徴
とする請求項1,2又は3に記載のマグネトロンスパッ
タ装置。
5. Before SL each magnet unit includes a respective first magnet and a second magnet, said reinforcing means respective magnet unit
With the first and second magnets facing each other on both sides
Place and in the first and second magnets
Said reinforcing means side, Ma grayed magnetron sputtering apparatus according to claim 1, 2 or 3, characterized in that formed of a material having a respectively larger magnetic flux density of said first and second magnet.
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