JP3320509B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JP3320509B2 JP18787093A JP18787093A JP3320509B2 JP 3320509 B2 JP3320509 B2 JP 3320509B2 JP 18787093 A JP18787093 A JP 18787093A JP 18787093 A JP18787093 A JP 18787093A JP 3320509 B2 JP3320509 B2 JP 3320509B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は高周波加熱装置に関
し、特に、金属管の高周波電縫溶接に使用する高周波加
熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】製管溶接法には、サブマージアーク溶接
法、プラズマ溶接法、TIG溶接法、高周波電縫溶接法
などがあり、このうち高周波電縫溶接法は製管溶接プロ
セスの中で最も高能率なプロセスであることから、一般
に広く使用されている。高周波電縫溶接法は、図3に示
すように、金属帯の両溶接端面51,52がV字形を形
成するようにロールで連続的に管状に曲げ成形してオー
プンパイプ50となした後、高周波加熱装置Cからコン
タクトチップ56,56を介して両溶接端面51,52
に高周波電流を通じて加熱溶融させ、次いでスクイズロ
ール55によって側圧を加え、両溶接端面51,52を
衝合溶接して金属管54を製造する方法である。
【0003】図4はこのような高周波電縫溶接法におい
て従来から一般的に用いられている高周波加熱装置Cの
構成を示すブロック図である。この高周波加熱装置C
は、交流電圧調整回路32、変圧器33、整流回路3
4、フィルタ回路35および高周波回路36を含み、交
流電圧調整回路32は交流電源31に接続され、高周波
回路36は負荷回路37であるオープンパイプ50に接
続される。図において交流電圧調整回路32は、設定さ
れた高周波電力WRFに応じ内蔵するサイリスタの点弧位
相角を調整して、交流電源31から供給された商用周波
数の電圧の実効値を調整する。交流電圧調整回路32に
よって実効値を調整された交流電圧は、変圧器32によ
って昇圧された後、シリコンダイオードなどからなる整
流回路34で直流高電圧に変換され、コイルおよびコン
デンサよりなるフィルタ回路35で平滑化される。平滑
化された直流高電圧は、次の高周波回路36に直流電源
電圧V PPとして与えられる。
【0004】図5は高周波回路36の構成を示す電気回
路図である。図において真空管38はC級増幅動作を行
なうものであって、前述の直流電源電圧VPPが真空管3
8のプレートPとカソードKの間に与えられる。真空管
38のグリッドGとカソードKの間にはグリッド抵抗4
0が接続されており、これによりバイアス電圧が与えら
れる。真空管38のプレートPとカソードKの間には、
共振コイル44と共振コンデンサ43とが並列接続され
た共振回路45が結合コンデンサ39を介して接続され
ている。また、この共振回路45と並列にコンデンサ4
1,42を直列接続してなる分圧回路が接続されてお
り、コンデンサ41,42の接続点は真空管38のグリ
ッドGに接続されている。したがって、共振回路45で
発生した高周波電圧は分圧コンデンサ41,42によっ
て分圧され、真空管38のグリッドGに帰還される。こ
れによって真空管38は共振回路45で発生する高周波
電圧に同期してスイッチング動作をすることとなり、真
空管38の発振が行なわれる。このときの高周波電流は
種々の周波数成分を有する一種の脈流となっているが、
このうち共振回路45の共振周波数成分以外は減衰し、
共振周波数成分のみが残る。共振コイル44には二次側
コイル46がリンクされており、2つのコイル44,4
6はカレントトランスをなしている。この二次側コイル
46がコンタクトチップ56,56に接続され、共振回
路45で発生した高周波電流は負荷回路37であるオー
プンパイプ50に供給される。
【0005】また、最近では上述のような真空管38を
用いた高周波加熱装置Cに代わり、半導体素子(たとえ
ば、パワートランジスタ)を用いた高周波加熱装置が開
発・実用化されつつある。これは近年のパワーエレクト
ロニクス技術の進歩により、電縫管の溶接に用いられる
ような200〜500kHz程度の高周波かつ大出力に
耐え得る半導体素子が開発されるようになったためであ
り、また、半導体素子を用いた高周波加熱装置には、従
来の真空管方式に比べてエネルギロスが少なく、かつ設
備がコンパクトなため設置上の制約が少ないという利点
があるためである。半導体素子を用いた高周波加熱装置
は図4に示した従来のものとほぼ同様の構成をしている
が、従来の高周波加熱装置Cが真空管38の発振作用を
利用して高周波電力WRFを発生させているのに対し、半
導体方式では素子のスイッチング動作を高速で行なうこ
とによって高周波電力WRFを発生させているところが異
なる。このときのスイッチング周波数は半導体素子のス
イッチング周期を変更することによって任意に変更する
ことができるが、共振回路45内での減衰を避けるため
に共振コンデンサ43や共振コイル44などによって決
まる共振周波数と一致させるのが普通である。
【0006】ところで、金属管54の品質を最良に保つ
ためには、金属管54の肉厚や溶接速度、溶接端面5
1,52の突合せ状態などに応じて高周波電力WRFを最
適値に調整する必要がある。すなわち、高周波電力WRF
が低い場合は両溶接端面51,52が十分に溶融しない
ため溶接部強度が不十分な冷接欠陥が発生し、逆に高周
波電力WRFが高い場合はペネトレータと呼ばれる微小な
酸化物欠陥が両溶接端面51,52間に在留する。
【0007】そのため実生産においては、溶接作業者が
溶接後のビード外観、赤熱状態およびスパッタ(飛散溶
鋼)の発生状態などを観察して高周波電力WRFの過不足
を経験的に判断し、高周波電力WRFを調整していた。し
かしながら、このような作業者の経験的判断に基づいた
方法では個人差が大きく、正確な電力設定を行なうこと
は困難であり、その上作業者に高い熟練度が要求される
などの問題点があった。
【0008】このため最近では、高周波電力WRFの自動
制御が種々試みられており、それらは特公昭54−33
784号公報や特公昭54−40454号公報に開示さ
れている。これらに開示されているごとく、一般的に電
縫溶接における溶接点53は、溶接線方向に周期的に変
動する。これは両溶接端面51,52を流れる溶接電流
によって誘起される電磁力で溶融金属が溶接端面51,
52の外側へ押出され、両溶接端面51,52の接近速
度が遅くなることによって生ずるものである。このよう
に溶接点53の周期的変動は高周波電流パスを変化させ
るため、インピーダンスが周期的に増減するとともに高
周波電圧および高周波電流も同様に変化する。これらは
上述のような溶接点53の周期的な変動現象と溶接品質
との関係を見出し、溶接点53の変動を溶接現象特性値
として検出して、この特性値に基づいたフィードバック
制御を行なうものである。具体的には、溶接点53の周
期的変動を示す特性値から高周波電力WRFの過不足を検
知し、これに基づいて交流電圧調整回路32のサイリス
タの点弧位相角を調整している。これにより高周波回路
36の真空管38のプレート電圧が調整され、高周波電
力WRFが最適値に調整される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法では、フィードバックによる制御対象が交流電圧
調整回路32のサイリスタであるために過渡応答の点で
商用周波数に起因する限界があり、制御応答性が悪かっ
た。そのため従来の方法では数百msec程度の比較的
長いピッチで変動する溶接現象を制御することが可能で
あるが、数msec〜数十msec程度、あるいはそれ
以下の短い時間間隔で変動する溶接現象そのものをリア
ルタイムで制御することは困難であった。
【0010】この発明はかかる従来の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、溶接現象を
高速で制御することができる高周波加熱装置を提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の高周波加熱装
置は、所定の共振周波数を有する共振手段と、前記共振
周波数に応じた所定の直流電圧を発生する直流電圧発生
手段と、前記直流電圧に応じた周波数で直流電源電圧を
スイッチングし、前記共振手段に印加して高周波電力を
発生させるスイッチング手段と、前記高周波電力の周期
的変動分を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結
果に応じて前記直流電圧を増減させる直流電圧増減手段
とを含めて構成される。
【0012】
【作用】この発明に係る高周波加熱装置は、直流電源電
圧をスイッチングして共振手段に印加し、高周波電力を
発生させるスイッチング手段と、高周波電力の周期的変
動分を検出する検出手段とを備えており、検出した高周
波電力の周期的変動分に応じてスイッチング手段のスイ
ッチング周波数を制御するようになっている。スイッチ
ング周波数が共振手段の共振周波数に等しいとき高周波
電力は最大となり、スイッチング周波数が共振周波数か
ら外れるほどに高周波電力は小さくなるので、スイッチ
ング周波数を制御することにより、高周波電力を制御す
ることができる。したがって、商用周波数の交流電圧の
実効値をサイリスタで制御することによって高周波電力
を制御していた従来に比べ、高周波電力を高速で制御す
ることができ、溶接現象を高速で制御することができ
る。
【0013】
【実施例】図1はこの発明の一実施例による高周波加熱
装置Aの構成を示すブロック図、図2はそのスイッチン
グ回路7および共振回路8の電気回路図を含む高周波回
路6のブロック図である。この高周波加熱装置Aは、交
流電圧調整回路2、変圧器3、整流回路4、フィルタ回
路4および高周波回路6を含み、さらに高周波回路6
は、スイッチング回路7、共振回路8、高周波電流検出
回路9、演算回路10、直流電圧発生回路11、加減算
器12およびスイッチング制御回路13を含む。交流電
圧調整回路2は交流電源1に接続され、共振回路8は負
荷回路14である図3で説明したオープンパイプ50に
接続される。
【0014】溶接作業者が溶接しようとするオープンパ
イプ50に応じた高周波電力WRFをたとえばダイアルに
より設定すると、交流電圧調整回路2は、それに応じて
内蔵するサイリスタの点弧位相角を調整し、交流電源1
から供給された商用周波数の交流電圧の実効値を調整す
る。交流電圧調整回路32によって実効値を調整された
交流電圧は、変圧器3によって昇圧され、さらには整流
回路4によって直流高電圧に変換される。この直流高電
圧は幾分脈流を含んでいるため、次のコンデンサなどよ
りなるフィルタ回路5で平滑化され、高周波回路6に直
流電源電圧VCCとして与えられる。
【0015】高周波回路6は、直流電源電圧VCCに応じ
た大きさの高周波電力WRFを発生して負荷回路14であ
るオープンパイプ50に供給する。詳しく説明すると直
流電源電圧VCCは、図2に示すように、スイッチング回
路7の入力端子7a,7b間に印加される。スイッチン
グ回路7にあっては、NPNパワートランジスタ15,
17のエミッタが、それぞれノードN1,N2を介して
NPNパワートランジスタ16,18のコレクタに接続
されており、NPNパワートランジスタ15,17のコ
レクタは一方入力端子7aに接続され、NPNパワート
ランジスタ16,18のエミッタは他方入力端子7bに
接続されている。また、NPNパワートランジスタ1
5,16,17,18のベースはスイッチング制御回路
13に接続されている。
【0016】共振回路8は共振コンデンサ19および共
振コイル20が並列に接続されたものであり、スイッチ
ング回路7のノードN1,N2間に接続されている。共
振コイル20には二次側コイル21がリンクされてお
り、2つのコイル20,21はカレントトランスをなし
ている。二次側コイル21はコンタクトチップ56,5
6を介してオープンパイプ50に接続される。
【0017】直流電圧発生回路11は、共振回路8の共
振周波数f0 に応じた所定の直流電圧VS を加減算器1
2を介してスイッチング制御回路13に出力する。スイ
ッチング制御回路13は、直流電圧VS に応じた周波数
f=f0 でパワートランジスタ15,18;16,17
を交互にオンオフする。パワートランジスタ15,18
をオンし、パワートランジスタ17,18をオフする
と、図中矢印イで示すように、入力端子7a、パワート
ランジスタ15、ノードN1、共振回路8、ノードN
2、パワートランジスタ18、入力端子7bの経路で電
流が流れる。また、パワートランジスタ17,16をオ
ンし、パワートランジスタ15,18をオフすると、図
中矢印ロで示すように、入力端子7a、パワートランジ
スタ17、ノードN2、共振回路8、ノードN1、パワ
ートランジスタ16、入力端子7bの経路で電流が流れ
る。以上の動作を高速で繰り返すことで共振回路8内に
高周波電流IRFを発生させることができる。この高周波
電流IRFは、パワートランジスタ15,18;16,1
7をオンオフする周波数fが共振回路8の共振周波数f
0 に等しいときに最大となり、パワートランジスタ1
5,18;16,17をオンオフする周波数fが共振周
波数f0 から外れるほどに小さくなる。
【0018】高周波電流検出回路9は、負荷回路14に
おいて変動する溶接現象を検出するため、共振回路8に
おける高周波電流IRFを検出する。前述のように、電縫
溶接における溶接点53は、溶接点方向に周期的に変動
しており、この現象によって溶接電流パスが変化し、イ
ンピーダンスが増減するため高周波電流IRFも同様に変
化する。本来は負荷回路14において高周波電流IRF
検出するのが望ましいが、計測の困難性から本実施例で
は共振回路8内の高周波電流IRFを計測することとし
た。
【0019】演算回路10は、高周波電流検出回路9で
検出された高周波電流IRFの変動分ΔIRFを検出し、そ
の変動分ΔIRFに基づいてオープンパイプ50に与えて
いる高周波電力WRFの過不足を検知し、高周波電力WRF
の過不足を補正するのに必要な直流電圧ΔVS を加減算
器12に出力する。加減算器12は、直流電圧発生回路
11から入力された直流電圧VS と、演算回路10から
入力された直流電圧ΔVS とを加減算してスイッチング
制御回路13に出力する。スイッチング制御回路13
は、補正された直流電圧VS +ΔVS に応じた周波数f
=f0 +Δf0 でパワートランジスタ15,18;1
7,16をオンオフさせ、共振回路8内に高周波電流I
RFを発生させる。したがって、高周波電力WRFは適値に
補正される。
【0020】表1は種々の条件下(外径、肉厚、製管速
度)で製管を行なった場合の溶接欠陥発生率、スパッタ
発生による表面疵発生率および同原因によるミル停機回
数を、本実施例の高周波加熱装置Aを使用した場合と従
来の高周波加熱装置Cを使用した場合とで比較したもの
である。表1では、従来の高周波加熱装置Cを使用した
場合の溶接欠陥発生率などを1とし、本実施例の高周波
加熱装置Aを使用した場合のそれを1に対する比率で示
している。
【0021】
【表1】
【0022】表1に示すように、本実施例の高周波加熱
装置Aを使用すれば、溶接欠陥発生率などを従来の2割
ないし4割程度に減少させられることがわかった。
【0023】このように本実施例の高周波加熱装置Aを
使用すれば、溶接現象が安定化して溶接欠陥が減少する
だけでなく、スパッタ発生も抑制され、スパッタ押し込
みによる表面品質の悪化や内面ビード切削治具への堆積
によるミル停機などの生産性悪化が防止される。
【0024】なお、この実施例では、スイッチング回路
7におけるスイッチング用の半導体素子としてNPNパ
ワートランジスタを用いたが、これに限るものではな
く、PNPパワートランジスタを用いてもよいし、、M
OSパワートランジスタを用いてもよい。
【0025】また、負荷回路14において変動する溶接
現象を検出するために共振回路8の高周波電流IRFを検
出したが、これに限るものではなく、高周波電圧や周波
数や位相差などを検出してもよい。また、1つに限らず
複数を検出してもよい。
【0026】
【発明の効果】以上のように、この発明にあっては、ス
イッチング手段のスイッチング周波数を制御することに
より高周波電力を制御するので、商用周波数の交流電圧
の実効値をサイリスタで制御することにより高周波電力
を制御していた従来に比べ、高周波電力を高速で制御す
ることができ、溶接現象を高速で制御することができ
る。また、溶接現象の高速制御が可能となって溶接現象
が安定化し、溶接欠陥の発生率が激減することは無論、
入熱管理も容易となって溶接作業者の負荷が軽減され
る。また、スパッタ発生をも抑制可能となるため、スパ
ッタ押込みによる表面品質の悪化や、内面ビード切削治
具への堆積による停機がなくなるなど、優れた効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による高周波加熱装置の構
成を示すブロック図である。
【図2】図1で示した高周波加熱装置におけるスイッチ
ング回路および共振回路の電気回路図を含む高周波回路
のブロック図である。
【図3】高周波加熱装置が使用される高周波電縫溶接法
を示す一部破断した正面図である。
【図4】従来の高周波加熱装置の構成を示すブロック図
である。
【図5】図4に示した高周波加熱装置の高周波回路の電
気回路図である。
【符号の説明】
A 高周波加熱装置 7 スイッチング回路 8 共振回路 9 高周波電流検出回路 10 演算回路 11 直流電圧発生回路 12 加減算器 13 スイッチング制御回路 50 オープンパイプ 51,52 溶接端面 53 溶接点 54 金属管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 13/00 B21C 37/08 B23K 13/08 H02M 7/48 H05B 6/10

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の共振周波数を有する共振手段と、 前記共振周波数に応じた所定の直流電圧を発生する直流
    電圧発生手段と、 前記直流電圧に応じた周波数で直流電源電圧をスイッチ
    ングし、前記共振手段に印加して高周波電力を発生させ
    るスイッチング手段と、 前記高周波電力の周期的変動分を検出する検出手段と、 前記検出手段の検出結果に応じて前記直流電圧を増減さ
    せる直流電圧増減手段とを含むことを特徴とする、高周
    波加熱装置。
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