JP3320507B2 - 回折格子型偏光子とその製造方法 - Google Patents
回折格子型偏光子とその製造方法Info
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- JP3320507B2 JP3320507B2 JP17093893A JP17093893A JP3320507B2 JP 3320507 B2 JP3320507 B2 JP 3320507B2 JP 17093893 A JP17093893 A JP 17093893A JP 17093893 A JP17093893 A JP 17093893A JP 3320507 B2 JP3320507 B2 JP 3320507B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は斜め蒸着による回折格子
型偏光子とその製造方法に関する。
型偏光子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、回折現象を利用した偏光素子として
ＬｉＮｂＯ3 にプロトン交換で製作した回折格子型偏光
子が知られている（特開昭６３−５５５０１）。この偏
光子は薄型で且つ量産性をも有している。しかしなが
ら、ＬｉＮｂＯ3 という高価な単結晶基板を用いる必要
があり、従来と同様、他の光学素子と別個に偏光子を作
製しなければならず、光学装置全体の小型化を図ること
ができないという欠点があった。また、ファラデー回転
子の表面に光の波長の１／２よりも小さいピッチの位相
格子を形成することによりファラデー回転子に偏光子の
機能を付与した光アイソレータが知られている（特開平
２−１０３１１号）。この光アイソレータでは、偏光プ
リズムを必要としないため小型化に有利となる。しかし
ながら、非常に微細な溝を精度良くファラデー回転子の
表面に形成する必要があり、製作が困難であり実用化に
は不向きであるという欠点があった。
ＬｉＮｂＯ3 にプロトン交換で製作した回折格子型偏光
子が知られている（特開昭６３−５５５０１）。この偏
光子は薄型で且つ量産性をも有している。しかしなが
ら、ＬｉＮｂＯ3 という高価な単結晶基板を用いる必要
があり、従来と同様、他の光学素子と別個に偏光子を作
製しなければならず、光学装置全体の小型化を図ること
ができないという欠点があった。また、ファラデー回転
子の表面に光の波長の１／２よりも小さいピッチの位相
格子を形成することによりファラデー回転子に偏光子の
機能を付与した光アイソレータが知られている（特開平
２−１０３１１号）。この光アイソレータでは、偏光プ
リズムを必要としないため小型化に有利となる。しかし
ながら、非常に微細な溝を精度良くファラデー回転子の
表面に形成する必要があり、製作が困難であり実用化に
は不向きであるという欠点があった。
【０００３】この問題を解決するために、本発明者等は
特願平４−１４８９５１号において斜め蒸着による複屈
折膜と誘電体膜（等方性または複屈折膜とは異なる複屈
折性を有するもの）を利用して回折格子を形成し、屈折
率と厚さを所定の値及び相互関係となるようにに規定し
て偏光子を構成した。より具体的に述べると、１以上の
膜を積層してなる第１区画と１以上の膜を積層してなる
第２区画とを同一面上に交互に備えた回折格子を有し、
少なくとも一方の区画の少なくとも１層の膜が複屈折性
を有し且つ該複屈折性を有する膜が斜め蒸着法により形
成されてなる偏光子である。例えば、最も単純な場合に
は、基板の上に金属酸化物等の斜め蒸着により一定厚さ
の複屈折膜を形成し、次いでエッチングにより一定間隔
で基板に達する多数の溝を複屈折膜に形成し、これらの
溝に等方性の誘電体を充填する。第１、２区画の幅を同
一、厚さｄを同一とし、複屈折膜の屈折率をｎo 、ｎe
とし、また等方性誘電体の屈折率をｎとすると、次の関
係を満足すれば偏光子となる。
特願平４−１４８９５１号において斜め蒸着による複屈
折膜と誘電体膜（等方性または複屈折膜とは異なる複屈
折性を有するもの）を利用して回折格子を形成し、屈折
率と厚さを所定の値及び相互関係となるようにに規定し
て偏光子を構成した。より具体的に述べると、１以上の
膜を積層してなる第１区画と１以上の膜を積層してなる
第２区画とを同一面上に交互に備えた回折格子を有し、
少なくとも一方の区画の少なくとも１層の膜が複屈折性
を有し且つ該複屈折性を有する膜が斜め蒸着法により形
成されてなる偏光子である。例えば、最も単純な場合に
は、基板の上に金属酸化物等の斜め蒸着により一定厚さ
の複屈折膜を形成し、次いでエッチングにより一定間隔
で基板に達する多数の溝を複屈折膜に形成し、これらの
溝に等方性の誘電体を充填する。第１、２区画の幅を同
一、厚さｄを同一とし、複屈折膜の屈折率をｎo 、ｎe
とし、また等方性誘電体の屈折率をｎとすると、次の関
係を満足すれば偏光子となる。
【数１】 （ただし、Ｎ1 、Ｎ2 は任意の整数、λは光の波長。２
つの式の右辺は入れ替わっても良い） これによると、従来の偏光子とは異なり、量産加工性及
び小スペース化に優れ且つ種々の光学素子の光の入射面
や出射面にも直接且つ簡単に付着させることができる等
の利点が得られる。
つの式の右辺は入れ替わっても良い） これによると、従来の偏光子とは異なり、量産加工性及
び小スペース化に優れ且つ種々の光学素子の光の入射面
や出射面にも直接且つ簡単に付着させることができる等
の利点が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の複屈折
性斜め蒸着膜をエッチングによって回折格子状に加工す
る技術においては、次の問題点がある。 （１）回折格子型偏光子として作用するために必要な膜
厚の程度においては、エッチング時の複屈折膜のアンダ
ーカットが激しい。 （２）斜め蒸着膜上にフォトレジストを塗布すると、レ
ジスト成分が膜中に入り込んで残留し、エッチング時に
おける選択比を著しく低下させる。 （３）膜と残留レジストのエッチング速度の差が大きい
ので所定の深さの溝形成が困難である。 （４）エッチングに異方性が存在する。 これらの要因により化学的エッチングによって斜め蒸着
膜を格子状に加工することはかなり困難である。 従って、本発明は複屈折性斜め蒸着膜に対してはエッチ
ングの必要がない、製造の容易な、斜め蒸着膜を用いた
回折格子型偏光子を提供することにある。
性斜め蒸着膜をエッチングによって回折格子状に加工す
る技術においては、次の問題点がある。 （１）回折格子型偏光子として作用するために必要な膜
厚の程度においては、エッチング時の複屈折膜のアンダ
ーカットが激しい。 （２）斜め蒸着膜上にフォトレジストを塗布すると、レ
ジスト成分が膜中に入り込んで残留し、エッチング時に
おける選択比を著しく低下させる。 （３）膜と残留レジストのエッチング速度の差が大きい
ので所定の深さの溝形成が困難である。 （４）エッチングに異方性が存在する。 これらの要因により化学的エッチングによって斜め蒸着
膜を格子状に加工することはかなり困難である。 従って、本発明は複屈折性斜め蒸着膜に対してはエッチ
ングの必要がない、製造の容易な、斜め蒸着膜を用いた
回折格子型偏光子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、斜め蒸着膜の
複屈折性が、蒸着角、基板温度などの蒸着条件の他に、
膜の応力、膜と基板の界面の状態等の要因、つまり下地
の材質に依存することを利用して複屈折膜の屈折率及び
複屈折性を制御することにより、複屈折膜のエッチング
などの加工を行わないで、所定の回折格子型偏光子を構
成できることができる。
複屈折性が、蒸着角、基板温度などの蒸着条件の他に、
膜の応力、膜と基板の界面の状態等の要因、つまり下地
の材質に依存することを利用して複屈折膜の屈折率及び
複屈折性を制御することにより、複屈折膜のエッチング
などの加工を行わないで、所定の回折格子型偏光子を構
成できることができる。
【０００６】より具体的に述べると、本発明は、基板
と、前記基板上に一定間隔で形成した格子状の誘電体膜
と、前記基板及び誘電体膜の全体に、斜め蒸着法で形成
した複屈折膜とよりなる回折格子型偏光子である。本発
明によると、基板との間に等方性または複屈折性誘電体
が介在する第１区画と複屈折膜が基板に直接接触する第
２区画とでは、常光、異常光の少なくとも一方に対する
複屈折膜の屈折率が異なってくる。第１区画及び第２区
画をそれぞれ透過した一方の偏光の位相はほぼ一致し、
第１区画及び第２区画をそれぞれ透過した他方の偏光の
位相はほぼ半波長位相ずれるように前記複屈折膜と誘電
体膜の材質及び厚さに選択することにより、所定の特性
を有する回折格子型偏光子が構成される。
と、前記基板上に一定間隔で形成した格子状の誘電体膜
と、前記基板及び誘電体膜の全体に、斜め蒸着法で形成
した複屈折膜とよりなる回折格子型偏光子である。本発
明によると、基板との間に等方性または複屈折性誘電体
が介在する第１区画と複屈折膜が基板に直接接触する第
２区画とでは、常光、異常光の少なくとも一方に対する
複屈折膜の屈折率が異なってくる。第１区画及び第２区
画をそれぞれ透過した一方の偏光の位相はほぼ一致し、
第１区画及び第２区画をそれぞれ透過した他方の偏光の
位相はほぼ半波長位相ずれるように前記複屈折膜と誘電
体膜の材質及び厚さに選択することにより、所定の特性
を有する回折格子型偏光子が構成される。
【０００７】また本発明は、基板上に一定間隔で格子状
の誘電体膜を形成し、前記基板及び誘電体膜上の全体
に、斜め蒸着法で複屈折材料を蒸着することにより複屈
折膜を形成することよりなる、回折格子型偏光子の製造
方法である。誘電体層を格子状に形成するには任意の方
法が可能であり、例えばリフトオフ法により格子状に誘
電体膜を形成し、前記基板及び誘電体膜上の全体に、斜
め蒸着法で複屈折材料を蒸着することにより複屈折膜を
形成することができる。その際に、完成品の回折格子型
偏光子の第１区画及び第２区画をそれぞれ透過した一方
の偏光の位相はほぼ一致し、第１区画及び第２区画をそ
れぞれ透過した他方の偏光の位相はほぼ半波長位相ずれ
るように前記複屈折膜と誘電体膜の材質及び厚さが選択
される。
の誘電体膜を形成し、前記基板及び誘電体膜上の全体
に、斜め蒸着法で複屈折材料を蒸着することにより複屈
折膜を形成することよりなる、回折格子型偏光子の製造
方法である。誘電体層を格子状に形成するには任意の方
法が可能であり、例えばリフトオフ法により格子状に誘
電体膜を形成し、前記基板及び誘電体膜上の全体に、斜
め蒸着法で複屈折材料を蒸着することにより複屈折膜を
形成することができる。その際に、完成品の回折格子型
偏光子の第１区画及び第２区画をそれぞれ透過した一方
の偏光の位相はほぼ一致し、第１区画及び第２区画をそ
れぞれ透過した他方の偏光の位相はほぼ半波長位相ずれ
るように前記複屈折膜と誘電体膜の材質及び厚さが選択
される。
【０００８】基板は、レンズ、プリズム、ガラス板、磁
気光学素子（ファラデー回転子等）、電気光学素子、ビ
ームスプリッター、ビームイクスパンダー、光ファイバ
等の光学素子であり得る。それにより、一体型の光アイ
ソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、光磁界セン
サ、光変調器等が構成できる。
気光学素子（ファラデー回転子等）、電気光学素子、ビ
ームスプリッター、ビームイクスパンダー、光ファイバ
等の光学素子であり得る。それにより、一体型の光アイ
ソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、光磁界セン
サ、光変調器等が構成できる。
【０００９】複屈折膜として使用する複屈折性の材料
は、斜め蒸着法により成膜することが可能な材料、例え
ば、Ｔａ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳ等を挙げ
ることができるが、特にこれらに限定されず、斜め蒸着
法により複屈折性をもたらすことができる材料ならば種
々の材料を使用できる。斜め蒸着法は金属酸化物等の無
機材料を基板に対して斜めの方向から蒸着させる蒸着方
法である。この方法により形成された蒸着膜は基板に対
して傾いた繊維状の柱状構造、すなわち異方性の構造を
有し、傾斜方向の直線偏光に対する屈折率と直交する方
向の直線偏光に対する屈折率との間に差が生じる。これ
によって形成された蒸着膜は複屈折性を帯びる。この方
法に用いる装置は電子ビーム加熱による真空蒸着装置な
どの通常の真空装置を用いることができ、該装置内に基
板を傾けて設置して蒸着操作を行う。かかる蒸着法は、
例えば、Ｔ．ＭＯＴＯＨＩＲＯ及びＹ．ＴＡＧＡにより
APPLIED OPTICS、Vol.28, NO.13,2466-2482 頁(1989
年）に詳細に議論されているので詳細は省略する。
は、斜め蒸着法により成膜することが可能な材料、例え
ば、Ｔａ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳ等を挙げ
ることができるが、特にこれらに限定されず、斜め蒸着
法により複屈折性をもたらすことができる材料ならば種
々の材料を使用できる。斜め蒸着法は金属酸化物等の無
機材料を基板に対して斜めの方向から蒸着させる蒸着方
法である。この方法により形成された蒸着膜は基板に対
して傾いた繊維状の柱状構造、すなわち異方性の構造を
有し、傾斜方向の直線偏光に対する屈折率と直交する方
向の直線偏光に対する屈折率との間に差が生じる。これ
によって形成された蒸着膜は複屈折性を帯びる。この方
法に用いる装置は電子ビーム加熱による真空蒸着装置な
どの通常の真空装置を用いることができ、該装置内に基
板を傾けて設置して蒸着操作を行う。かかる蒸着法は、
例えば、Ｔ．ＭＯＴＯＨＩＲＯ及びＹ．ＴＡＧＡにより
APPLIED OPTICS、Vol.28, NO.13,2466-2482 頁(1989
年）に詳細に議論されているので詳細は省略する。
【００１０】誘電体膜を形成するための材料は、基板と
誘電体膜とでその上に形成される斜め蒸着による複屈折
膜の複屈折率を変えるようなものでなければならない。
屈折率としては斜め蒸着による複屈折膜のそれに近い方
が反射の抑制等に有利である。また、誘電体の膜厚は基
板面との間に大きな段差ができると境界付近の膜質が劣
化するのでできるだけ薄くすることが望ましい。誘電体
膜として使用する材料は、例えば、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＺｒＯ2 、ＺｎＳ等の材料を
挙げることができる。通常の蒸着法、スパッタ法等が考
えられるが、これらに限らず上記のような効果が得られ
るものであれば種々の材料、作製方法を用いることがで
きる。
誘電体膜とでその上に形成される斜め蒸着による複屈折
膜の複屈折率を変えるようなものでなければならない。
屈折率としては斜め蒸着による複屈折膜のそれに近い方
が反射の抑制等に有利である。また、誘電体の膜厚は基
板面との間に大きな段差ができると境界付近の膜質が劣
化するのでできるだけ薄くすることが望ましい。誘電体
膜として使用する材料は、例えば、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 、Ｙ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＺｒＯ2 、ＺｎＳ等の材料を
挙げることができる。通常の蒸着法、スパッタ法等が考
えられるが、これらに限らず上記のような効果が得られ
るものであれば種々の材料、作製方法を用いることがで
きる。
【００１１】更に、必要に応じて、反射防止、位相調整
等の機能を偏光子または種々の光学素子に付与すること
ができる。これらは上に誘電体膜として述べた材料から
選択し、通常の蒸着法、スパッタ法等により成膜でき
る。
等の機能を偏光子または種々の光学素子に付与すること
ができる。これらは上に誘電体膜として述べた材料から
選択し、通常の蒸着法、スパッタ法等により成膜でき
る。
【００１２】図１は本発明の回折格子型偏光子を製造す
る方法の一例を示すのもので、まず（Ａ）のように基板
１を用意し、その上に例えばリフトオフ法を用いて格子
状の誘電体膜３を形成し、（Ｂ）〜（Ｅ）のようにその
上に斜め蒸着により複屈折膜４を形成する。
る方法の一例を示すのもので、まず（Ａ）のように基板
１を用意し、その上に例えばリフトオフ法を用いて格子
状の誘電体膜３を形成し、（Ｂ）〜（Ｅ）のようにその
上に斜め蒸着により複屈折膜４を形成する。
【００１３】図１の（Ｆ）の第１区画ａでは、複屈折膜
４は誘電体膜２の材質に依存した複屈折性を有し、第２
区画ｂでは、複屈折膜４は基板１の材質に依存した複屈
折性を有する。そのため、第１区画と第２区画の複屈折
率の差△ｎ＝ｎe −ｎo は同じにならず△ｎ1 ≠△ｎ2
となる。第１区画と第２区画の幅を同一にし、複屈折膜
の厚さを一定のｄとし、第１区画の複屈折膜の屈折率を
ｎ1e、ｎ1oとし第２区画のそれをｎ2e、ｎ2oとし、誘電
体膜の厚さをｄd 及び屈折率をｎd とし、また空気の屈
折率をｎo とすれば、回折格子として作用するための条
件は次のようになる。
４は誘電体膜２の材質に依存した複屈折性を有し、第２
区画ｂでは、複屈折膜４は基板１の材質に依存した複屈
折性を有する。そのため、第１区画と第２区画の複屈折
率の差△ｎ＝ｎe −ｎo は同じにならず△ｎ1 ≠△ｎ2
となる。第１区画と第２区画の幅を同一にし、複屈折膜
の厚さを一定のｄとし、第１区画の複屈折膜の屈折率を
ｎ1e、ｎ1oとし第２区画のそれをｎ2e、ｎ2oとし、誘電
体膜の厚さをｄd 及び屈折率をｎd とし、また空気の屈
折率をｎo とすれば、回折格子として作用するための条
件は次のようになる。
【数２】 （ただしλは光の波長、Ｎは任意の整数であり、これら
の式の右辺は入れ替ってもよい） 上の式で屈折率が決まっているとすると、膜厚は次式に
より算出できる。
の式の右辺は入れ替ってもよい） 上の式で屈折率が決まっているとすると、膜厚は次式に
より算出できる。
【数３】 （ただし、△ｎ2 ＝｜ｎ2e−ｎ2o｜、△ｎ1 ＝｜ｎ1e−
ｎ1o｜）
ｎ1o｜）
【００１４】図２は本発明のより実際的な偏光子の構成
例を示し、基板１の上に反射防止用の積層体５を形成
し、その上に厚さｄd 誘電体膜３を格子状に形成し、斜
め蒸着による厚さｄの複屈折膜４を形成し、更にその上
に反射防止用の積層体６を形成したものである。この場
合に積層体５の最上層になる部分は複屈折膜４の形成を
考慮した材質とする。
例を示し、基板１の上に反射防止用の積層体５を形成
し、その上に厚さｄd 誘電体膜３を格子状に形成し、斜
め蒸着による厚さｄの複屈折膜４を形成し、更にその上
に反射防止用の積層体６を形成したものである。この場
合に積層体５の最上層になる部分は複屈折膜４の形成を
考慮した材質とする。
【００１５】
【実施例】基板としてガラス基板を使用し、誘電体とし
てＳｉＯ2 （ｎd ＝１．４５）を蒸着とリフトオフ法に
よって格子状に形成した。次いで斜め蒸着法によりＴａ
2Ｏ5 を蒸着して複屈折膜を形成した。第１区画におい
て誘電体膜上に形成される複屈折膜の屈折率はｎ1o＝
１．８５、ｎ1e＝１．７７、第２区画において基板上に
形成される複屈折膜の屈折率はｎ2o＝１．８１、ｎ2e＝
１．７８であった。そこで、複屈折膜の厚さをｄ＝１３
μｍ誘電体膜の厚さをｄd ＝２９０ｎｍとすることによ
り偏光子が構成できた。
てＳｉＯ2 （ｎd ＝１．４５）を蒸着とリフトオフ法に
よって格子状に形成した。次いで斜め蒸着法によりＴａ
2Ｏ5 を蒸着して複屈折膜を形成した。第１区画におい
て誘電体膜上に形成される複屈折膜の屈折率はｎ1o＝
１．８５、ｎ1e＝１．７７、第２区画において基板上に
形成される複屈折膜の屈折率はｎ2o＝１．８１、ｎ2e＝
１．７８であった。そこで、複屈折膜の厚さをｄ＝１３
μｍ誘電体膜の厚さをｄd ＝２９０ｎｍとすることによ
り偏光子が構成できた。
【００１６】
【効果】本発明によると、斜め蒸着膜の複屈折性が、応
力、界面の状態等の要因、つまり下地の材質にも依存す
ることを利用して複屈折膜の屈折率及び複屈折率を制御
することにより、複屈折膜のエッチングを行わないで、
所定の回折格子型偏光子を構成できることができる。
力、界面の状態等の要因、つまり下地の材質にも依存す
ることを利用して複屈折膜の屈折率及び複屈折率を制御
することにより、複屈折膜のエッチングを行わないで、
所定の回折格子型偏光子を構成できることができる。
【図１】本発明の回折格子型偏光子の製造工程を示す。
【図２】本発明の回折格子型偏光子の構造を示す断面図
である。
である。
１ 基板 ３ 誘電体膜 ４ 斜め蒸着複屈折膜 ５、６ 反射防止用積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/30 G02B 5/18
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に一定間隔で形成し
た格子状の誘電体膜と、前記基板及び誘電体膜の全体
に、斜め蒸着法で形成した複屈折膜とよりなる回折格子
型偏光子。 - 【請求項２】 前記複屈折膜は、誘電体膜上に形成され
た第１区画と、基体上に形成された第２区画で、異なっ
た複屈折率を有する請求項１に記載の回折格子型偏光
子。 - 【請求項３】 第１区画及び第２区画をそれぞれ透過し
た一方の偏光の位相はほぼ一致し、第１区画及び第２区
画をそれぞれ透過した他方の偏光の位相はほぼ半波長ず
れるように前記複屈折膜と誘電体膜の材質及び厚さが選
択されている請求項１または２に記載の回折格子型偏光
子。 - 【請求項４】 基板上に一定間隔で格子状の誘電体膜を
蒸着し、前記基板及び誘電体膜上の全体に、斜め蒸着法
で蒸着することにより複屈折膜を形成することよりな
る、回折格子型偏光子の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に誘電体膜を格子状に形成し、前
記基板及び誘電体膜の上に、斜め蒸着法によって複屈折
膜を形成することよりなる、回折格子型偏光子の製造方
法。 - 【請求項６】 第１区画及び第２区画をそれぞれ透過し
た一方の偏光の位相はほぼ一致し、第１区画及び第２区
画をそれぞれ透過した他方の偏光の位相はほぼ半波長位
相ずれるように前記複屈折膜と誘電体膜の材質及び厚さ
が選択されている請求項４または５に記載の回折格子型
偏光子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17093893A JP3320507B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 回折格子型偏光子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17093893A JP3320507B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 回折格子型偏光子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075316A JPH075316A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3320507B2 true JP3320507B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=15914159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17093893A Expired - Fee Related JP3320507B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 回折格子型偏光子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3320507B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3371846B2 (ja) | 1999-04-06 | 2003-01-27 | 日本電気株式会社 | ホログラム素子 |
| JP2002169010A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Minolta Co Ltd | 回折光学素子 |
| GB0106050D0 (en) * | 2001-03-12 | 2001-05-02 | Suisse Electronique Microtech | Polarisers and mass-production method and apparatus for polarisers |
| US20050275944A1 (en) | 2004-06-11 | 2005-12-15 | Wang Jian J | Optical films and methods of making the same |
| US7670758B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-02 | Api Nanofabrication And Research Corporation | Optical films and methods of making the same |
| WO2005101112A2 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Nanoopto Corporation | Optical films and methods of making the same |
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1993
- 1993-06-18 JP JP17093893A patent/JP3320507B2/ja not_active Expired - Fee Related
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