JP3023572B2 - 偏光素子 - Google Patents
偏光素子Info
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- JP3023572B2 JP3023572B2 JP3311977A JP31197791A JP3023572B2 JP 3023572 B2 JP3023572 B2 JP 3023572B2 JP 3311977 A JP3311977 A JP 3311977A JP 31197791 A JP31197791 A JP 31197791A JP 3023572 B2 JP3023572 B2 JP 3023572B2
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- Japan
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- substrate
- polarizing element
- groove
- dielectric layers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、偏光素子に関するもの
である。
である。
【０００２】
【従来技術】従来の偏光素子としては、複屈折性の大き
な結晶で構成されたグラントムソンプリズムやロション
プリズムに代表される偏光プリズムや、ブリュースター
条件を利用して偏光成分を分離するＰＢＳ（偏光ビーム
スプリッタ）や、高分子を一方向に配向させ一方向の偏
光成分を吸収する偏光フィルムが主流を占めていた。
な結晶で構成されたグラントムソンプリズムやロション
プリズムに代表される偏光プリズムや、ブリュースター
条件を利用して偏光成分を分離するＰＢＳ（偏光ビーム
スプリッタ）や、高分子を一方向に配向させ一方向の偏
光成分を吸収する偏光フィルムが主流を占めていた。
【０００３】また最近、誘電体媒質中に金属を分散させ
ることによって偏光を吸収させる偏光素子や、誘電体膜
と金属膜を積層させ金属膜による損失によって偏光を得
る偏光素子が報告されている。
ることによって偏光を吸収させる偏光素子や、誘電体膜
と金属膜を積層させ金属膜による損失によって偏光を得
る偏光素子が報告されている。
【０００４】また異なる２種類の誘電体を光の波長より
も十分短い距離で規則的に配列した場合に生じる複屈折
性と回折格子とを組み合わせた偏光素子もある。
も十分短い距離で規則的に配列した場合に生じる複屈折
性と回折格子とを組み合わせた偏光素子もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記偏光
プリズムにおいては、天然に存在する結晶は大型のもの
が得にくいため、偏光素子の大面積化が困難である上に
大変高価であった。またＰＢＳや偏光フイルムにおいて
は、安価であるが消光比が低く耐久性に問題があった。
プリズムにおいては、天然に存在する結晶は大型のもの
が得にくいため、偏光素子の大面積化が困難である上に
大変高価であった。またＰＢＳや偏光フイルムにおいて
は、安価であるが消光比が低く耐久性に問題があった。
【０００６】また金属を分散させた偏光素子において
は、一方の偏光成分を吸収するため波長依存性が大き
く、所望する波長帯に合わせて作製条件をその都度設定
しなければならない。また誘電体膜と金属膜を積層させ
た偏光素子においては、積層数に限りがあり、その大型
化が困難であった。
は、一方の偏光成分を吸収するため波長依存性が大き
く、所望する波長帯に合わせて作製条件をその都度設定
しなければならない。また誘電体膜と金属膜を積層させ
た偏光素子においては、積層数に限りがあり、その大型
化が困難であった。
【０００７】さらに２種類の誘電体を規則的に配列した
偏光素子においては、周期的な格子を精度良く作製しな
ければならず、大型の基板に一度に製作することが課題
となっていた。
偏光素子においては、周期的な格子を精度良く作製しな
ければならず、大型の基板に一度に製作することが課題
となっていた。
【０００８】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、安価で製造が容易で大面積化が図れる偏光素子を
提供するものである。
あり、安価で製造が容易で大面積化が図れる偏光素子を
提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明にかかる偏光素子は、等方性の基板１０上に断
面が三角形状の溝１１を入射光の波長の数倍程度以上の
間隔で周期的に多数個形成し、各溝１１の二つの側面の
内の一方の側面上のみに該側面と平行に屈折率の異なる
複数種類の誘電体層１３，１５を交互に積層し、且つ該
積層の周期を入射光の波長の１／２以下として複屈折性
を持たせて構成した。
め本発明にかかる偏光素子は、等方性の基板１０上に断
面が三角形状の溝１１を入射光の波長の数倍程度以上の
間隔で周期的に多数個形成し、各溝１１の二つの側面の
内の一方の側面上のみに該側面と平行に屈折率の異なる
複数種類の誘電体層１３，１５を交互に積層し、且つ該
積層の周期を入射光の波長の１／２以下として複屈折性
を持たせて構成した。
【００１０】
【作用】基板１０の溝１１に設けた誘電体層１３，１５
からなる積層構造部は、複屈折性を有している。従って
この積層構造部に光を入射すると、該入射光は直交する
２つの直線偏光に分離されてそれぞれの直線偏光に異な
った方向が与えられたり、異なった位相差が与えられた
りする。
からなる積層構造部は、複屈折性を有している。従って
この積層構造部に光を入射すると、該入射光は直交する
２つの直線偏光に分離されてそれぞれの直線偏光に異な
った方向が与えられたり、異なった位相差が与えられた
りする。
【００１１】そしてこの複屈折性は、基板１０の各溝１
１において生じる。つまり溝１１を設けた全ての部分で
複屈折性が生じ、結局、大面積の偏光素子が容易に実現
できる。
１において生じる。つまり溝１１を設けた全ての部分で
複屈折性が生じ、結局、大面積の偏光素子が容易に実現
できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明にかかる偏光素子の要部を示
す側面図である。同図に示すようにこの偏光素子は、基
板１０上に三角形状の溝１１を周期的に多数個形成し、
各溝１１内に屈折率の異なる２種類の誘電体層１３，１
５を交互に積層して構成されている。以下各構成部分に
ついて説明する。
に説明する。図１は本発明にかかる偏光素子の要部を示
す側面図である。同図に示すようにこの偏光素子は、基
板１０上に三角形状の溝１１を周期的に多数個形成し、
各溝１１内に屈折率の異なる２種類の誘電体層１３，１
５を交互に積層して構成されている。以下各構成部分に
ついて説明する。
【００１３】基板１０は等方性の材料、例えばＧＧＧ，
ＧａＡｓ，Ｓｉなどで構成されている。
ＧａＡｓ，Ｓｉなどで構成されている。
【００１４】またこの基板１０上に形成される溝１１
は、その断面形状が二等辺三角形の形状とされ、また溝
１１と溝１１の周期Ｌは、この基板１０に入射してくる
光の波長に対して十分長い長さ（該溝１１による複屈折
や回折が防止できる程度の長さであり、少なくとも光の
波長の数倍程度以上の長さで、通常百倍程度以上の長さ
である）に構成されている。なおこの溝１１の深さはｈ
とされ、また基板１０の法線に対する溝１１の角度はθ
とされている。
は、その断面形状が二等辺三角形の形状とされ、また溝
１１と溝１１の周期Ｌは、この基板１０に入射してくる
光の波長に対して十分長い長さ（該溝１１による複屈折
や回折が防止できる程度の長さであり、少なくとも光の
波長の数倍程度以上の長さで、通常百倍程度以上の長さ
である）に構成されている。なおこの溝１１の深さはｈ
とされ、また基板１０の法線に対する溝１１の角度はθ
とされている。
【００１５】ここで図２は１つの溝１１内における誘電
体層１３，１５の積層状態を示す拡大図である。同図に
示すように屈折率の異なる（即ち誘電率の異なる）２種
類の誘電体層１３，１５は、溝１１の左側の側面と平行
となるように、該側面上に交互に周期的に積層されてい
る。そして誘電体層１３，１５の積層の周期ｐは、入射
光の波長の１／２以下となるように構成されている。こ
のように構成すれば、この誘電体層の周期構造は複屈折
性を示す。なお誘電体層１３，１５としては、例えばＳ
ｉＯ2，ａ−Ｓｉ，ＴｉＯ2等を用いる。
体層１３，１５の積層状態を示す拡大図である。同図に
示すように屈折率の異なる（即ち誘電率の異なる）２種
類の誘電体層１３，１５は、溝１１の左側の側面と平行
となるように、該側面上に交互に周期的に積層されてい
る。そして誘電体層１３，１５の積層の周期ｐは、入射
光の波長の１／２以下となるように構成されている。こ
のように構成すれば、この誘電体層の周期構造は複屈折
性を示す。なお誘電体層１３，１５としては、例えばＳ
ｉＯ2，ａ−Ｓｉ，ＴｉＯ2等を用いる。
【００１６】なおここでこの周期構造の屈折率は、これ
に入射する２つの直交する偏光成分に対して異なるが、
この実施例においては、常光線ａ（図２に示す紙面に垂
直な方の偏光成分）に対する屈折率ｎaと、異常光線ｂ
（紙面に対して平行な方向の偏光成分）に対する屈折率
ｎbは、以下のようになる。 ｎa＝〔ｎ1 2ｑ＋ｎ2 2（１−ｑ）〕1/2 ・・・(1) ｎb＝〔（１／ｎ1 2）ｑ＋（１／ｎ2 2）（１−ｑ）〕 -1/2 ・・・(2) ただし、ｎ1：誘電体層１３の屈折率 ｎ2：誘電体層１５の屈折率 ｑ：積層の周期ｐに対する誘電体層１３の充填率
に入射する２つの直交する偏光成分に対して異なるが、
この実施例においては、常光線ａ（図２に示す紙面に垂
直な方の偏光成分）に対する屈折率ｎaと、異常光線ｂ
（紙面に対して平行な方向の偏光成分）に対する屈折率
ｎbは、以下のようになる。 ｎa＝〔ｎ1 2ｑ＋ｎ2 2（１−ｑ）〕1/2 ・・・(1) ｎb＝〔（１／ｎ1 2）ｑ＋（１／ｎ2 2）（１−ｑ）〕 -1/2 ・・・(2) ただし、ｎ1：誘電体層１３の屈折率 ｎ2：誘電体層１５の屈折率 ｑ：積層の周期ｐに対する誘電体層１３の充填率
【００１７】そしてこの実施例の場合は、常光線ａに対
する屈折率ｎaが基板１０の屈折率ｎ0と同一になるよう
に、ｎ1とｎ2とｑを定めることとした。
する屈折率ｎaが基板１０の屈折率ｎ0と同一になるよう
に、ｎ1とｎ2とｑを定めることとした。
【００１８】一方この偏光素子の製造は、図１に示すよ
うに、基板１０に設けた各溝１１に矢印Ａで示す方向か
ら斜め蒸着を行い、該溝１１内に誘電体層１３，１５を
積層・充填し、その後基板１０の表面を光学研磨するこ
とによって行なわれる。
うに、基板１０に設けた各溝１１に矢印Ａで示す方向か
ら斜め蒸着を行い、該溝１１内に誘電体層１３，１５を
積層・充填し、その後基板１０の表面を光学研磨するこ
とによって行なわれる。
【００１９】次にこの偏光素子の作用について説明す
る。ここで図３は１つの溝１１に上方から垂直に光が入
射した場合の状態を示す図である。同図に示すように基
板１０に対して垂直上方から光が入射した場合、常光線
ａは、積層した誘電体層１３，１５からなる周期構造
と、基板１０をそのまま直進していく。該周期構造と基
板１０の境界面を光が直進するのは、該周期構造の常光
線ａに対する屈折率ｎaを基板１０の屈折率ｎ0と同一と
したからである。
る。ここで図３は１つの溝１１に上方から垂直に光が入
射した場合の状態を示す図である。同図に示すように基
板１０に対して垂直上方から光が入射した場合、常光線
ａは、積層した誘電体層１３，１５からなる周期構造
と、基板１０をそのまま直進していく。該周期構造と基
板１０の境界面を光が直進するのは、該周期構造の常光
線ａに対する屈折率ｎaを基板１０の屈折率ｎ0と同一と
したからである。
【００２０】一方、異常光線ｂは、積層した誘電体層１
３，１５からなる周期構造に入射した際、該周期構造は
異常光線ｂに対して所定角度θだけ傾いているので屈折
し（分離角φ）、常光線ａとは分離されて基板１０に入
射し（このとき屈折するが図３では省略している）該基
板１０から出射される。なおこの分離角φは、前記
ｎ1，ｎ2，ｑ，θのパラメータによって異なるので、こ
れらのパラメータを適当に選ぶことによって所望の分離
角φが得られる。
３，１５からなる周期構造に入射した際、該周期構造は
異常光線ｂに対して所定角度θだけ傾いているので屈折
し（分離角φ）、常光線ａとは分離されて基板１０に入
射し（このとき屈折するが図３では省略している）該基
板１０から出射される。なおこの分離角φは、前記
ｎ1，ｎ2，ｑ，θのパラメータによって異なるので、こ
れらのパラメータを適当に選ぶことによって所望の分離
角φが得られる。
【００２１】以上の現象（複屈折性）は、図１に示す基
板１０の上方から光を入射した場合、各溝１１において
生じる。つまり溝１１を設けた全ての部分で上記現象が
生じ、結局、大面積の偏光素子が容易に実現できるので
ある。
板１０の上方から光を入射した場合、各溝１１において
生じる。つまり溝１１を設けた全ての部分で上記現象が
生じ、結局、大面積の偏光素子が容易に実現できるので
ある。
【００２２】なおここで上記実施例の具体例を示す。即
ち基板１０の材料としてＹＩＧ（ｎsub＝２．２）、誘
電体層１３，１５の材料としてそれぞれＭｇＦ2（ｎ1＝
１．３８），ＧａＡｓ（ｎ2＝３．４２）を用いる。そ
して誘電体層１３の充填率ｑをｑ＝０．７とする。
ち基板１０の材料としてＹＩＧ（ｎsub＝２．２）、誘
電体層１３，１５の材料としてそれぞれＭｇＦ2（ｎ1＝
１．３８），ＧａＡｓ（ｎ2＝３．４２）を用いる。そ
して誘電体層１３の充填率ｑをｑ＝０．７とする。
【００２３】これによって常光線ａの屈折率ｎaは、前
記式(1) より、ｎa＝２．２０、異常光線ｂの屈折率ｎb
は、前記式(2) より、ｎb＝１．５９となる。
記式(1) より、ｎa＝２．２０、異常光線ｂの屈折率ｎb
は、前記式(2) より、ｎb＝１．５９となる。
【００２４】従って、常光線ａはその屈折率ｎaが基板
１０の屈折率ｎsubと同一なので直進する。
１０の屈折率ｎsubと同一なので直進する。
【００２５】一方この基板１０に設けた溝１１の角度θ
をθ＝５４．０°とすると、異常光線ｂの分離角φはφ
＝１８．１°となる（計算式は省略する）。そして基板
１０の厚みを５００μｍとすると、該基板１０から出射
する常光線ａと異常光線ｂの離間距離ｌはｌ≒２０９．
７μｍとなる。
をθ＝５４．０°とすると、異常光線ｂの分離角φはφ
＝１８．１°となる（計算式は省略する）。そして基板
１０の厚みを５００μｍとすると、該基板１０から出射
する常光線ａと異常光線ｂの離間距離ｌはｌ≒２０９．
７μｍとなる。
【００２６】なお上記実施例においては、常光線ａが誘
電体層１３，１５と基板１０を直進するように構成した
が、本発明はこれに限られない。つまり本発明において
は２つの偏光成分が分離できれば良く、必ずしも一方の
偏光成分が直進しなくても良いのである。
電体層１３，１５と基板１０を直進するように構成した
が、本発明はこれに限られない。つまり本発明において
は２つの偏光成分が分離できれば良く、必ずしも一方の
偏光成分が直進しなくても良いのである。
【００２７】図４は本発明の他の実施例にかかる偏光素
子の要部を示す拡大側面図である。同図に示すようにこ
の偏光素子の場合は、基板１０′に設ける溝１１′の形
状を直角三角形とし、基板１０′の面に垂直な側面上に
該側面と平行に誘電体層１３′，１５′を交互に周期的
に積層して構成されている。その他の条件は上記図１に
示す実施例と同様である。
子の要部を示す拡大側面図である。同図に示すようにこ
の偏光素子の場合は、基板１０′に設ける溝１１′の形
状を直角三角形とし、基板１０′の面に垂直な側面上に
該側面と平行に誘電体層１３′，１５′を交互に周期的
に積層して構成されている。その他の条件は上記図１に
示す実施例と同様である。
【００２８】この実施例においては、この基板１０′の
上方から垂直に光を入射した場合、積層した誘電体層１
３′，１５′は該入射光の入射方向に対して平行とな
る。このため、該入射光の直交する２つの偏光成分は、
そのまままっすぐこの誘電体層１３′，１５′を通過し
ていく。但し、この場合２つの偏光成分には位相のズレ
が生じる。なおこの位相のズレの量は、この溝１１の深
さｈ′や基板１０の法線に対する溝１１の角度θ′等に
よって調整できる。従ってこの偏光素子は例えば１／２
波長板や１／４波長板として利用できる。
上方から垂直に光を入射した場合、積層した誘電体層１
３′，１５′は該入射光の入射方向に対して平行とな
る。このため、該入射光の直交する２つの偏光成分は、
そのまままっすぐこの誘電体層１３′，１５′を通過し
ていく。但し、この場合２つの偏光成分には位相のズレ
が生じる。なおこの位相のズレの量は、この溝１１の深
さｈ′や基板１０の法線に対する溝１１の角度θ′等に
よって調整できる。従ってこの偏光素子は例えば１／２
波長板や１／４波長板として利用できる。
【００２９】この偏光素子も図４に示す矢印Ｂ方向から
斜め蒸着を行って溝１１′内に誘電体層１３′，１５′
を設け、該基板１０′の表面を光学研磨して製造され
る。
斜め蒸着を行って溝１１′内に誘電体層１３′，１５′
を設け、該基板１０′の表面を光学研磨して製造され
る。
【００３０】図５は本発明にかかる偏光素子の他の製造
方法を示す図である。偏光素子を製造するには、同図に
示すように、まず基板１０″を斜めに固定する。これに
よって溝１１″の左側の側面を水平にする。そしてこの
状態で同図に矢印Ｃで示す方向から真空蒸着を行って、
溝１１″内の水平とした側面上に誘電体層１３″，１
５″の積層周期構造を形成していく。そして最後に基板
１０″の上面が水平となるようにＤ−Ｄ線上を光学研磨
すれば、この偏光素子が完成するのである。
方法を示す図である。偏光素子を製造するには、同図に
示すように、まず基板１０″を斜めに固定する。これに
よって溝１１″の左側の側面を水平にする。そしてこの
状態で同図に矢印Ｃで示す方向から真空蒸着を行って、
溝１１″内の水平とした側面上に誘電体層１３″，１
５″の積層周期構造を形成していく。そして最後に基板
１０″の上面が水平となるようにＤ−Ｄ線上を光学研磨
すれば、この偏光素子が完成するのである。
【００３１】なお誘電体層１３″，１５″を積層してい
く時に、各誘電体層１３″，１５″の一端は溝１１″の
水平でない側の側面（右側の側面）に支えられる。この
ため同図に矢印Ｅで示す方向の膜応力が緩和され、これ
によって誘電体層１３″，１５″の積層数を増加させる
ことが可能となる。なおこの効果は上記図１，図４にお
いて斜め蒸着を行った場合にも同様に生じる。なお従来
の薄膜を積層して構成する偏光素子は、該薄膜を平らな
広い基板面に対して垂直方向に積層していたため膜応力
がかかり、その積層数に限界が生じ、且つ膜厚の制御も
困難となっていた。
く時に、各誘電体層１３″，１５″の一端は溝１１″の
水平でない側の側面（右側の側面）に支えられる。この
ため同図に矢印Ｅで示す方向の膜応力が緩和され、これ
によって誘電体層１３″，１５″の積層数を増加させる
ことが可能となる。なおこの効果は上記図１，図４にお
いて斜め蒸着を行った場合にも同様に生じる。なお従来
の薄膜を積層して構成する偏光素子は、該薄膜を平らな
広い基板面に対して垂直方向に積層していたため膜応力
がかかり、その積層数に限界が生じ、且つ膜厚の制御も
困難となっていた。
【００３２】なお上記実施例においては誘電体層を積層
する方法として蒸着手段を用いたが、本発明においては
他の積層手段、例えばスパッタリングを用いて積層して
もよい。
する方法として蒸着手段を用いたが、本発明においては
他の積層手段、例えばスパッタリングを用いて積層して
もよい。
【００３３】また基板に設ける溝は三角形状のものであ
れば、上記各実施例と異なる形状であってもよい。すな
わち例えば他の形状ののこぎり形格子やブレーズド格子
であってもよい。
れば、上記各実施例と異なる形状であってもよい。すな
わち例えば他の形状ののこぎり形格子やブレーズド格子
であってもよい。
【００３４】また上記実施例においては２種類の誘電体
層を交互に積層したが、本発明はこれに限られず、屈折
率の異なる３種類以上の誘電体層を交互に積層してもよ
い。
層を交互に積層したが、本発明はこれに限られず、屈折
率の異なる３種類以上の誘電体層を交互に積層してもよ
い。
【００３５】また上記図１に示す実施例においては、基
板１０の屈折率ｎ0を積層した誘電体層１３，１５の常
光線ａに対する屈折率ｎaと同一としたが、該基板１０
の屈折率ｎ0は異常光線ｂに対する屈折率ｎbと同一にし
てもよい。
板１０の屈折率ｎ0を積層した誘電体層１３，１５の常
光線ａに対する屈折率ｎaと同一としたが、該基板１０
の屈折率ｎ0は異常光線ｂに対する屈折率ｎbと同一にし
てもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる偏光素子によれば、以下のような優れた効果を有す
る。 誘電体層を積層する溝は各々小区間に分割されている
ので、基板の面積を大きくして該基板に設ける溝の数を
増やすことによって容易に偏光素子の大面積化が図れ
る。
かる偏光素子によれば、以下のような優れた効果を有す
る。 誘電体層を積層する溝は各々小区間に分割されている
ので、基板の面積を大きくして該基板に設ける溝の数を
増やすことによって容易に偏光素子の大面積化が図れ
る。
【００３７】基板に設けた溝内に誘電体層を積層した
ので、誘電体層の片側が該溝の側面に支えられ、該誘電
体層の膜応力を緩和できるばかりか膜厚の制御も容易と
なり、その積層数が容易に増加できる。
ので、誘電体層の片側が該溝の側面に支えられ、該誘電
体層の膜応力を緩和できるばかりか膜厚の制御も容易と
なり、その積層数が容易に増加できる。
【００３８】本発明によれば、誘電体の積層方向を基
板の面に対して容易に傾けることができ、従って、基板
に垂直に入射した光を容易に誘電体に対して斜めに入射
させることができる。従って、従来の偏光プリズムのよ
うに結晶軸を考慮してカットする工程は不必要となる。
板の面に対して容易に傾けることができ、従って、基板
に垂直に入射した光を容易に誘電体に対して斜めに入射
させることができる。従って、従来の偏光プリズムのよ
うに結晶軸を考慮してカットする工程は不必要となる。
【００３９】製造が容易で量産性に優れ、安価に製造
できる。
できる。
【００４０】複屈折性を有する誘電体の積層部分に入
射した光をそれぞれの偏光成分に分離する分離角が溝形
状や誘電体の種類や誘電体の充填率等により様々に設定
できる。つまり自由度がある。
射した光をそれぞれの偏光成分に分離する分離角が溝形
状や誘電体の種類や誘電体の充填率等により様々に設定
できる。つまり自由度がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる偏光素子の要部を示す側面図で
ある。
ある。
【図２】１つの溝１１内における誘電体層１３，１５の
積層状態を示す拡大図である。
積層状態を示す拡大図である。
【図３】１つの溝１１に上方から光が入射した場合の状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例にかかる偏光素子の要部を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図５】本発明にかかる偏光素子の他の製造方法を示す
図である。
図である。
１０ 基板 １１ 溝 １３，１５ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/18 G02B 5/30 G02B 5/32
Claims (1)
- 【請求項１】 等方性の基板上に断面が三角形状の溝を
入射光の波長の数倍程度以上の間隔で周期的に多数個形
成し、各溝の二つの側面の内の一方の側面上のみに該側
面と平行に屈折率の異なる複数種類の誘電体層を交互に
積層し、且つ該積層の周期を入射光の波長の１／２以下
として複屈折性を持たせたことを特徴とする偏光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311977A JP3023572B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 偏光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311977A JP3023572B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 偏光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127020A JPH05127020A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3023572B2 true JP3023572B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=18023718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311977A Expired - Fee Related JP3023572B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 偏光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023572B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3311977A patent/JP3023572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05127020A (ja) | 1993-05-25 |
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