JP3319774B2 - バイアス補償を用いた広帯域発振器及びその動作方法 - Google Patents
バイアス補償を用いた広帯域発振器及びその動作方法Info
- Publication number
- JP3319774B2 JP3319774B2 JP04330292A JP4330292A JP3319774B2 JP 3319774 B2 JP3319774 B2 JP 3319774B2 JP 04330292 A JP04330292 A JP 04330292A JP 4330292 A JP4330292 A JP 4330292A JP 3319774 B2 JP3319774 B2 JP 3319774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillator
- signal
- bias
- frequency
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1275—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having further means for varying a parameter in dependence on the frequency
- H03B5/129—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having further means for varying a parameter in dependence on the frequency the parameter being a bias voltage or a power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0062—Bias and operating point
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発振回路に関し、特
に、好適なバイアス条件を維持しながら広範囲の周波数
にわたって動作するように同調可能な発振回路に関す
る。
に、好適なバイアス条件を維持しながら広範囲の周波数
にわたって動作するように同調可能な発振回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】広帯域
発振器は、多様な電子技術において周知であり、電子式
同調を行う手段を備えていることが多い。すなわち、こ
のような発振器は、電子的周波数制御信号を加えること
により、発振器の動作周波数を変えるように制御可能な
回路要素を備えていることが多い。
発振器は、多様な電子技術において周知であり、電子式
同調を行う手段を備えていることが多い。すなわち、こ
のような発振器は、電子的周波数制御信号を加えること
により、発振器の動作周波数を変えるように制御可能な
回路要素を備えていることが多い。
【０００３】発振器の目的とする用途によって、発振器
の動作に関係する可能性のある多数の動作パラメータが
存在する。測定機器としての用途を目的とする発振器で
は、例えば「位相ノイズ」は、重大なパラメータとなる
ことが多い。他の重要なパラメータには、出力電力や圧
縮角が含まれることがある。これらのパラメータの多く
は、発振器が動作するバイアス条件（発振器トランジス
タのコレクタに印加される電圧等）により強く影響され
る。
の動作に関係する可能性のある多数の動作パラメータが
存在する。測定機器としての用途を目的とする発振器で
は、例えば「位相ノイズ」は、重大なパラメータとなる
ことが多い。他の重要なパラメータには、出力電力や圧
縮角が含まれることがある。これらのパラメータの多く
は、発振器が動作するバイアス条件（発振器トランジス
タのコレクタに印加される電圧等）により強く影響され
る。
【０００４】一定周波数動作を目的とする発振器では、
特に重要なパラメータを最適化するようにバイアス条件
を選択することは比較的簡単である。しかし、広い周波
数帯域にわたって動作するように同調させることができ
る発振器では、重大な問題が明らかになっている。それ
は、どんなバイアス条件を選択すべきであるか、という
ことである。
特に重要なパラメータを最適化するようにバイアス条件
を選択することは比較的簡単である。しかし、広い周波
数帯域にわたって動作するように同調させることができ
る発振器では、重大な問題が明らかになっている。それ
は、どんなバイアス条件を選択すべきであるか、という
ことである。
【０００５】普通の方法は、所望の周波数範囲にわたり
（最適ではなく）適切な発振器動作を可能にする一定
の、妥協的なバイアス条件を選定することである。しか
しながら、このような場合、発振器の最適性能は、それ
が存在するとしても、ある１つの周波数において達成さ
れるだけである。更に、一定のバイアス条件を使用する
と、可能な動作周波数の範囲が必然的に制限され、一定
の設計判定基準に合わないこともある。
（最適ではなく）適切な発振器動作を可能にする一定
の、妥協的なバイアス条件を選定することである。しか
しながら、このような場合、発振器の最適性能は、それ
が存在するとしても、ある１つの周波数において達成さ
れるだけである。更に、一定のバイアス条件を使用する
と、可能な動作周波数の範囲が必然的に制限され、一定
の設計判定基準に合わないこともある。
【０００６】その代りとなる方法が試みられ、周波数制
御信号が周波数の関数として変化するのと全く同一の様
式及び大きさで、最適バイアス電圧が周波数の関数とし
て変化するように発振回路が設計された。このような場
合、同一信号が周波数制御信号及びバイアス信号の双方
に使用される。しかし、このような１つの信号を二重に
使用することができる好適な状況は極めて稀であり、し
たがって、この方法の有用性は極めて限られている。
御信号が周波数の関数として変化するのと全く同一の様
式及び大きさで、最適バイアス電圧が周波数の関数とし
て変化するように発振回路が設計された。このような場
合、同一信号が周波数制御信号及びバイアス信号の双方
に使用される。しかし、このような１つの信号を二重に
使用することができる好適な状況は極めて稀であり、し
たがって、この方法の有用性は極めて限られている。
【０００７】時々使用される他の方法として、同調電圧
が変化する際に発振回路の構成を電子的に変更する、と
いう方法がある。これは、所定の同調電圧しきい値を越
える場合に、一定の回路要素を回路内または回路外に切
換えるＰＩＮダイオードのような手段により達成され
る。しかし、この方法は、その複雑さ、及び付加回路要
素に関連する寄生の問題を欠点として持つものである。
が変化する際に発振回路の構成を電子的に変更する、と
いう方法がある。これは、所定の同調電圧しきい値を越
える場合に、一定の回路要素を回路内または回路外に切
換えるＰＩＮダイオードのような手段により達成され
る。しかし、この方法は、その複雑さ、及び付加回路要
素に関連する寄生の問題を欠点として持つものである。
【０００８】発振器の最適バイアスを達成するという問
題は、最適バイアスポイントが温度変化と共に変化する
という事実により一層大きな問題となる。したがって、
固定バイアスを用いた発振器は、周囲温度が高過ぎまた
は低過ぎる場合には一定周波数で発振することができな
くなることがある。
題は、最適バイアスポイントが温度変化と共に変化する
という事実により一層大きな問題となる。したがって、
固定バイアスを用いた発振器は、周囲温度が高過ぎまた
は低過ぎる場合には一定周波数で発振することができな
くなることがある。
【０００９】温度変化による発振周波数の変化に対する
補償は既知であるが、温度変化による発振器最適バイア
スの変化を補償するものはこれまでなかった。
補償は既知であるが、温度変化による発振器最適バイア
スの変化を補償するものはこれまでなかった。
【００１０】上述の「単一信号の二重使用」補償法を拡
張して温度補償をも包含させることが提案されるかもし
れないが、このような方法は利用できないであろう。こ
れは、温度の影響を考慮するように発振器のバイアスを
調節すると、発振周波数の不必要な変化が必然的に生じ
るからである。
張して温度補償をも包含させることが提案されるかもし
れないが、このような方法は利用できないであろう。こ
れは、温度の影響を考慮するように発振器のバイアスを
調節すると、発振周波数の不必要な変化が必然的に生じ
るからである。
【００１１】したがって、本質的に、広帯域発振器は一
般に、周波数の関数としての発振器バイアスについての
折衷案、及び温度の関数としての発振器バイアスについ
ての折衷案からなる、複合折衷案を包含するものであ
る。その結果として得られる発振器は、そのほとんどの
動作条件下で不充分にしか働かないものとなる。
般に、周波数の関数としての発振器バイアスについての
折衷案、及び温度の関数としての発振器バイアスについ
ての折衷案からなる、複合折衷案を包含するものであ
る。その結果として得られる発振器は、そのほとんどの
動作条件下で不充分にしか働かないものとなる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上述の
従来の欠点は、発振器の周波数及び／または周囲温度の
変化に応じて発振器のバイアスを調節する回路によって
対処され、同一信号をバイアス制御信号及び周波数制御
信号として使用するという手段を用いずに対処される。
こうすることにより、発振器の周波数範囲及び温度範囲
を共に拡大させることができ、同時に発振器の性能を向
上させることができる。
従来の欠点は、発振器の周波数及び／または周囲温度の
変化に応じて発振器のバイアスを調節する回路によって
対処され、同一信号をバイアス制御信号及び周波数制御
信号として使用するという手段を用いずに対処される。
こうすることにより、発振器の周波数範囲及び温度範囲
を共に拡大させることができ、同時に発振器の性能を向
上させることができる。
【００１３】本発明の上述その他の特徴及び長所は、図
面を参照して進める以下の詳細な説明から一層容易に明
らかになるであろう。
面を参照して進める以下の詳細な説明から一層容易に明
らかになるであろう。
【００１４】
【実施例】図１の簡略ブロック図は、本発明の一実施例
による発振器システム10を示すものであり、発振器12、
周波数制御ライン14、周波数補償回路16、温度センサ／
補償回路18、併合（combiner）回路20、及びバイアスラ
イン22を包含する。
による発振器システム10を示すものであり、発振器12、
周波数制御ライン14、周波数補償回路16、温度センサ／
補償回路18、併合（combiner）回路20、及びバイアスラ
イン22を包含する。
【００１５】発振器12は、従来と同様の構成を有するも
のでよく、能動デバイス及び共振回路の双方を備えたも
のである。共振回路は、能動デバイスと協働して所望の
発振周波数で共振を生成する。広帯域発振器において
は、この共振回路は、周波数制御ライン14上の周波数制
御信号に応じて発振器12の共振周波数を変える周波数制
御要素を備えている。バイアスライン22上の信号は、発
振器の能動デバイスの静止動作パラメータ（装置がトラ
ンジスタの場合にはコレクタ電圧）を確定する。
のでよく、能動デバイス及び共振回路の双方を備えたも
のである。共振回路は、能動デバイスと協働して所望の
発振周波数で共振を生成する。広帯域発振器において
は、この共振回路は、周波数制御ライン14上の周波数制
御信号に応じて発振器12の共振周波数を変える周波数制
御要素を備えている。バイアスライン22上の信号は、発
振器の能動デバイスの静止動作パラメータ（装置がトラ
ンジスタの場合にはコレクタ電圧）を確定する。
【００１６】周波数補償回路16は、バイアスライン22に
接続されており、周波数制御信号の変動に応じて能動デ
バイスに加えられるバイアス信号を変化させる手段を備
えるものである。
接続されており、周波数制御信号の変動に応じて能動デ
バイスに加えられるバイアス信号を変化させる手段を備
えるものである。
【００１７】温度センサ／補償回路18もまた、バイアス
ライン22に接続されており、周囲温度の変動に応じてバ
イアス信号を変化させる手段を備えるものである。
ライン22に接続されており、周囲温度の変動に応じてバ
イアス信号を変化させる手段を備えるものである。
【００１８】上記補償回路16,18 の機能は、可能バイア
ス電圧の範囲を周波数の関数として、それぞれ、−２０
℃、１０℃、４０℃、及び７０℃の周囲温度について示
す図２ないし図５を吟味することにより更に明らかにな
るであろう。
ス電圧の範囲を周波数の関数として、それぞれ、−２０
℃、１０℃、４０℃、及び７０℃の周囲温度について示
す図２ないし図５を吟味することにより更に明らかにな
るであろう。
【００１９】図２を参照すると、その横軸に、周波数で
はなく、ＶＣＯ（電圧制御発振器）同調電圧に対応する
スケールが設けられていることがまず注目される。しか
しこれは、各ＶＣＯ同調電圧が発振器の動作周波数に一
義的に対応するので便宜上そうしただけであり実質的な
ものではない。電圧スケールを選択したのは、回路10の
動作を決定するのがＶＣＯ同調電圧信号の大きさであ
り、ＶＣＯ同調電圧に対応する周波数ではないからであ
る。図示した実施例では、４ボルトのＶＣＯ同調電圧が
約５００ＭＨｚの発振器周波数に対応し、２２ボルトの
ＶＣＯ同調電圧が約１．０ＧＨｚの発振器周波数に対応
する。従って、図示する発振器は、ＵＨＦ周波数範囲
（一般には３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚと考えられる）で動
作する。
はなく、ＶＣＯ（電圧制御発振器）同調電圧に対応する
スケールが設けられていることがまず注目される。しか
しこれは、各ＶＣＯ同調電圧が発振器の動作周波数に一
義的に対応するので便宜上そうしただけであり実質的な
ものではない。電圧スケールを選択したのは、回路10の
動作を決定するのがＶＣＯ同調電圧信号の大きさであ
り、ＶＣＯ同調電圧に対応する周波数ではないからであ
る。図示した実施例では、４ボルトのＶＣＯ同調電圧が
約５００ＭＨｚの発振器周波数に対応し、２２ボルトの
ＶＣＯ同調電圧が約１．０ＧＨｚの発振器周波数に対応
する。従って、図示する発振器は、ＵＨＦ周波数範囲
（一般には３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚと考えられる）で動
作する。
【００２０】図２は、ＶＣＯ同調電圧の各値について、
その対応するバイアス電圧（上側及び下側の実線の曲線
24,26 により示されている）の範囲を示すものである。
上側の曲線26は、能動デバイスの出力が不安定になる前
の最大バイアス電圧を示す。下側の曲線24は、最大より
10ｄＢ低い出力信号電力（ここで発振器の動作がほぼ停
止する）を生じるコレクタ電圧を示す。「最適」動作点
は、これら２つの極限の間のどこかにある。
その対応するバイアス電圧（上側及び下側の実線の曲線
24,26 により示されている）の範囲を示すものである。
上側の曲線26は、能動デバイスの出力が不安定になる前
の最大バイアス電圧を示す。下側の曲線24は、最大より
10ｄＢ低い出力信号電力（ここで発振器の動作がほぼ停
止する）を生じるコレクタ電圧を示す。「最適」動作点
は、これら２つの極限の間のどこかにある。
【００２１】広帯域発振器に関する Leesonの法則 及び
Kurokowaの解析 を含む理論的演習により、この広帯域
発振器の最適バイアスポイントが、上側の曲線26のほん
のわずか下にあることがわかる。同様な結果は実験的に
も実証することができる。しかし、上側の曲線で表され
る不安定動作領域への遷移は突然に生じ、避けなければ
ならないものである。その結果、所望のバイアス曲線
（図２の破線の曲線28）は曲線26より約１ボルト下に選
定され、これにより、回路許容差の期待範囲にわたって
適切な安全マージンが得られる。
Kurokowaの解析 を含む理論的演習により、この広帯域
発振器の最適バイアスポイントが、上側の曲線26のほん
のわずか下にあることがわかる。同様な結果は実験的に
も実証することができる。しかし、上側の曲線で表され
る不安定動作領域への遷移は突然に生じ、避けなければ
ならないものである。その結果、所望のバイアス曲線
（図２の破線の曲線28）は曲線26より約１ボルト下に選
定され、これにより、回路許容差の期待範囲にわたって
適切な安全マージンが得られる。
【００２２】次いで、ＶＣＯ同調電圧が変化するにつれ
て曲線28を近似するように発振器のバイアス電圧を変化
させることが問題となる。これは周波数補償回路16の機
能である。周波数補償回路16による所望バイアス曲線28
の近似は、図２に31と記した直線近似曲線である。
て曲線28を近似するように発振器のバイアス電圧を変化
させることが問題となる。これは周波数補償回路16の機
能である。周波数補償回路16による所望バイアス曲線28
の近似は、図２に31と記した直線近似曲線である。
【００２３】注記したとおり、発振器の最適バイアスポ
イントは温度によっても変化する。これを図３ないし図
５に示す。これらの図は、10℃、40℃、及び70℃の温度
での最適バイアス条件をそれぞれ示したものであること
を除けば図２と同じである。図２の直線近似曲線31は、
図示する周波数（すなわち、ＶＣＯ同調電圧）範囲にわ
たって９．５ボルトから１１．５ボルトまでの範囲にあ
るが、図３の対応する曲線は、１０．５から１２．５ボ
ルトまでの範囲にあり、直線近似曲線31と１ボルトの差
がある。この１Ｖ／30℃の同一オフセットは、図３と図
４との間（10℃から40℃）及び図４と図５との間（40℃
から70℃）でも真であることがわかる。このバイアス電
圧の漸進的オフセットを温度の関数として生成するの
が、温度センサ／補償回路18の機能である。
イントは温度によっても変化する。これを図３ないし図
５に示す。これらの図は、10℃、40℃、及び70℃の温度
での最適バイアス条件をそれぞれ示したものであること
を除けば図２と同じである。図２の直線近似曲線31は、
図示する周波数（すなわち、ＶＣＯ同調電圧）範囲にわ
たって９．５ボルトから１１．５ボルトまでの範囲にあ
るが、図３の対応する曲線は、１０．５から１２．５ボ
ルトまでの範囲にあり、直線近似曲線31と１ボルトの差
がある。この１Ｖ／30℃の同一オフセットは、図３と図
４との間（10℃から40℃）及び図４と図５との間（40℃
から70℃）でも真であることがわかる。このバイアス電
圧の漸進的オフセットを温度の関数として生成するの
が、温度センサ／補償回路18の機能である。
【００２４】図２ないし図５を吟味することにより、固
定バイアス信号を使用する従来技術の欠点が容易にわか
る。単一のバイアス値では、図示する温度の範囲にわた
って４ボルトから２４ボルトのすべての同調電圧に対し
てこの発振器を動作させることは出来ない。更に、１
０．５ボルトのバイアス信号では、この範囲の大部分に
わたり発振させることができるが、この値はより高い同
調電圧（別称は周波数）及びより高い温度において下側
の曲線24に近いため、これらの条件下では出力電力及び
位相ノイズが大きく劣化する。この劣化は、発振器のほ
とんどの用途において許容不可能なものである。
定バイアス信号を使用する従来技術の欠点が容易にわか
る。単一のバイアス値では、図示する温度の範囲にわた
って４ボルトから２４ボルトのすべての同調電圧に対し
てこの発振器を動作させることは出来ない。更に、１
０．５ボルトのバイアス信号では、この範囲の大部分に
わたり発振させることができるが、この値はより高い同
調電圧（別称は周波数）及びより高い温度において下側
の曲線24に近いため、これらの条件下では出力電力及び
位相ノイズが大きく劣化する。この劣化は、発振器のほ
とんどの用途において許容不可能なものである。
【００２５】図６は、本発明の一実施例によるバイアス
電圧の温度補償を採用している発振器10’の詳細概要図
である。同図よりわかるように、発振器10’は、能動デ
バイスとしてバイポーラトランジスタ30を備えている。
トランジスタ30には、トランジスタのコレクタにバイア
ス電圧を供給するコレクタバイアス回路32が接続されて
いる。このバイアス電圧の特定の値は、温度センサ34及
び関連ドライバ回路36を備えている温度センサ／補償回
路18’によりセットされる。
電圧の温度補償を採用している発振器10’の詳細概要図
である。同図よりわかるように、発振器10’は、能動デ
バイスとしてバイポーラトランジスタ30を備えている。
トランジスタ30には、トランジスタのコレクタにバイア
ス電圧を供給するコレクタバイアス回路32が接続されて
いる。このバイアス電圧の特定の値は、温度センサ34及
び関連ドライバ回路36を備えている温度センサ／補償回
路18’によりセットされる。
【００２６】温度センサ34は、ここでは、ナショナル・
セミコンダクタのＬＭ335 のような温度検知ツェナーダ
イオードから構成されている。このツェナーダイオード
は、温度が１°Ｋ増すごとに１０ミリボルト大きくなる
電圧降下を生じる。例えば、このツェナーダイオード
は、１０℃で２．８３ボルトの電圧降下を生じ、４０℃
で３．１３ボルトの電圧降下を生じる。
セミコンダクタのＬＭ335 のような温度検知ツェナーダ
イオードから構成されている。このツェナーダイオード
は、温度が１°Ｋ増すごとに１０ミリボルト大きくなる
電圧降下を生じる。例えば、このツェナーダイオード
は、１０℃で２．８３ボルトの電圧降下を生じ、４０℃
で３．１３ボルトの電圧降下を生じる。
【００２７】温度センサ34に関連するドライバ回路36は
第１及び第２のトランジスタ38,40を備えている。温度
センサ34の両端に生じる温度依存性の電圧降下は、第１
のトランジスタ38内を流れる電流を制御するのに使用さ
れ、その電流は、次いで第２のトランジスタ40のエミッ
タ電圧を確定する。この後者の電圧は、今度は、バイア
ス制御トランジスタ42を通る電流を制御し、これによ
り、発振器トランジスタ30のコレクタに印加されるバイ
アス電圧を確定する。これら３つのトランジスタ38,40,
42が一緒に、周囲温度が30℃上昇する毎に約１ボルト増
大するコレクタバイアス信号を生成する。
第１及び第２のトランジスタ38,40を備えている。温度
センサ34の両端に生じる温度依存性の電圧降下は、第１
のトランジスタ38内を流れる電流を制御するのに使用さ
れ、その電流は、次いで第２のトランジスタ40のエミッ
タ電圧を確定する。この後者の電圧は、今度は、バイア
ス制御トランジスタ42を通る電流を制御し、これによ
り、発振器トランジスタ30のコレクタに印加されるバイ
アス電圧を確定する。これら３つのトランジスタ38,40,
42が一緒に、周囲温度が30℃上昇する毎に約１ボルト増
大するコレクタバイアス信号を生成する。
【００２８】また図６には、ここでは関係ないが、発振
器の発振周波数を制御する共振器回路44が示されてい
る。この共振器は主として４個のバラクタダイオード46
及び印刷回路インダクタ48から構成されている。このバ
ラクタダイオードは、ＶＣＯ同調入力50に印加されるＤ
Ｃ電圧と共に変化する分路キャパシタンスをインダクタ
の両端に与える。ＶＣＯ同調入力50に印加される電圧を
変えることにより、印刷回路インダクタ48及びバラクタ
ダイオード46により形成されるＬＣ回路の共振周波数が
変化する。図６には、発振器トランジスタ30のＤＣエミ
ッタバイアスをセットするエミッタバイアス回路52も示
されている。
器の発振周波数を制御する共振器回路44が示されてい
る。この共振器は主として４個のバラクタダイオード46
及び印刷回路インダクタ48から構成されている。このバ
ラクタダイオードは、ＶＣＯ同調入力50に印加されるＤ
Ｃ電圧と共に変化する分路キャパシタンスをインダクタ
の両端に与える。ＶＣＯ同調入力50に印加される電圧を
変えることにより、印刷回路インダクタ48及びバラクタ
ダイオード46により形成されるＬＣ回路の共振周波数が
変化する。図６には、発振器トランジスタ30のＤＣエミ
ッタバイアスをセットするエミッタバイアス回路52も示
されている。
【００２９】図７は、本発明により温度及び周波数が共
に補償されるバイアス信号を採用する発振器10”を示す
ものである。
に補償されるバイアス信号を採用する発振器10”を示す
ものである。
【００３０】この発振器10”は、多くの点で図６の発振
器10’と類似するものである。例えば、発振器10”は、
発振器トランジスタ30’、温度センサ／補償回路18”
（温度センサ34’を含む)、共振器回路44’(バラクタダ
イオード46’及び印刷回路インダクタ48’を含む）、及
びエミッタバイアス回路52’を備えている。
器10’と類似するものである。例えば、発振器10”は、
発振器トランジスタ30’、温度センサ／補償回路18”
（温度センサ34’を含む)、共振器回路44’(バラクタダ
イオード46’及び印刷回路インダクタ48’を含む）、及
びエミッタバイアス回路52’を備えている。
【００３１】コレクタバイアス回路32’は、温度補償信
号を周波数補償信号と併合させる回路のため、図７では
図６より幾分精巧である。コレクタバイアス回路32’は
また、単一トランジスタ構成に特有のベータ変動からト
ランジスタ54のベースに与えられるバイアス制御信号を
バッファするため、２つのトランジスタ54,56 を備えて
いる。
号を周波数補償信号と併合させる回路のため、図７では
図６より幾分精巧である。コレクタバイアス回路32’は
また、単一トランジスタ構成に特有のベータ変動からト
ランジスタ54のベースに与えられるバイアス制御信号を
バッファするため、２つのトランジスタ54,56 を備えて
いる。
【００３２】図６の場合のように、温度センサ／補償回
路18”はコレクタバイアス回路32’に温度補償信号を供
給する。この回路は、周囲温度が30℃上昇する毎にコレ
クタバイアス電圧が１ボルト増大するように構成されて
いる。
路18”はコレクタバイアス回路32’に温度補償信号を供
給する。この回路は、周囲温度が30℃上昇する毎にコレ
クタバイアス電圧が１ボルト増大するように構成されて
いる。
【００３３】図７に使用されている周波数補償回路16’
は、トランジスタ54をバイアスしてＶＣＯ同調電圧の増
大にともなってコレクタバイアスを直線的に増大させる
回路網である。図２で示される発振器のように、周波数
補償回路16’はここでは、ＶＣＯ同調電圧が４ボルトか
ら２４ボルトに増大するにつれてコレクタバイアス電圧
を全体で２ボルトだけ直線的に増大させる。同様の２Ｖ
／２０Ｖの比が図３〜図５で保持されている。
は、トランジスタ54をバイアスしてＶＣＯ同調電圧の増
大にともなってコレクタバイアスを直線的に増大させる
回路網である。図２で示される発振器のように、周波数
補償回路16’はここでは、ＶＣＯ同調電圧が４ボルトか
ら２４ボルトに増大するにつれてコレクタバイアス電圧
を全体で２ボルトだけ直線的に増大させる。同様の２Ｖ
／２０Ｖの比が図３〜図５で保持されている。
【００３４】周波数補償回路16’の入力58に入力される
信号は、実際には、共振器回路44’の入力50’に印加さ
れるＶＣＯ同調電圧ではないことが注目される。その代
わりに、ＶＣＯバイアス同調と記してある、この信号の
変種が使用される。この信号は、ＶＣＯ同調電圧と同一
のＤＣ値を有するが、受けている濾波はより少ない。Ｖ
ＣＯ同調電圧を濾波する（及びそのＦＭ変調を可能とす
る）回路60を図８に示す。
信号は、実際には、共振器回路44’の入力50’に印加さ
れるＶＣＯ同調電圧ではないことが注目される。その代
わりに、ＶＣＯバイアス同調と記してある、この信号の
変種が使用される。この信号は、ＶＣＯ同調電圧と同一
のＤＣ値を有するが、受けている濾波はより少ない。Ｖ
ＣＯ同調電圧を濾波する（及びそのＦＭ変調を可能とす
る）回路60を図８に示す。
【００３５】このフィルタ回路60は、共振器の同調電圧
のノイズ要件が補償回路の同調電圧のノイズ要件よりは
るかにきびしいために採用されている。望ましくは、周
波数補償回路16’は、フィルタ回路60が共振器の同調電
圧に与えるのと同様の時定数特性をバイアス制御信号に
与えるので、両信号は同調変化に協同して応答する。
（更に簡単な装置では、バラクタダイオード46’のＶＣ
Ｏ同調電圧入力50’に印加されるのと同一の周波数制御
信号をコレクタバイアス回路32’のＶＣＯバイアス同調
電圧入力58に印加することもできる。）周波数補償信号
及び温度補償信号は、図７の加算ノード62で併合され
る。これにより、発振器のコレクタバイアス信号が温度
及び周波数の双方の関数になる。本発明の原理をその２
つの好適実施例を参照して説明し、図解してきたが、本
発明の構成及び細目をその原理から逸脱することなく修
正することができるということは明らかである。例え
ば、コレクタ電圧の制御によってバイアスがセットされ
るバイポーラトランジスタの発振器を参照して本発明を
説明してきたが、他の発振回路を他のバイアス制御信号
で使用することができるということが理解されよう。同
様に、可変周波数発振器を参照して本発明を説明してき
たが、温度補償を行うという点では、固定周波数発振器
を用いても同等に良好に実施することができるというこ
とが理解されるであろう。
のノイズ要件が補償回路の同調電圧のノイズ要件よりは
るかにきびしいために採用されている。望ましくは、周
波数補償回路16’は、フィルタ回路60が共振器の同調電
圧に与えるのと同様の時定数特性をバイアス制御信号に
与えるので、両信号は同調変化に協同して応答する。
（更に簡単な装置では、バラクタダイオード46’のＶＣ
Ｏ同調電圧入力50’に印加されるのと同一の周波数制御
信号をコレクタバイアス回路32’のＶＣＯバイアス同調
電圧入力58に印加することもできる。）周波数補償信号
及び温度補償信号は、図７の加算ノード62で併合され
る。これにより、発振器のコレクタバイアス信号が温度
及び周波数の双方の関数になる。本発明の原理をその２
つの好適実施例を参照して説明し、図解してきたが、本
発明の構成及び細目をその原理から逸脱することなく修
正することができるということは明らかである。例え
ば、コレクタ電圧の制御によってバイアスがセットされ
るバイポーラトランジスタの発振器を参照して本発明を
説明してきたが、他の発振回路を他のバイアス制御信号
で使用することができるということが理解されよう。同
様に、可変周波数発振器を参照して本発明を説明してき
たが、温度補償を行うという点では、固定周波数発振器
を用いても同等に良好に実施することができるというこ
とが理解されるであろう。
【００３６】本発明を直線補償モデルを使用する発振器
を参照して説明してきたが、用途が許せば、より高次の
補償モデルを採用することができるということが理解さ
れよう。同様に、本発明をＵＨＦ発振器を参照して説明
してきたが、本発明の原理はあらゆる高周波発振器に好
適に適用することができるものであるということが理解
されるであろう。（本発明は３０ＭＨｚより高い周波数
で動作する発振器に特に好適であると考えられる。）最
後に、純然たるアナログ装置を参照して本発明を説明し
てきたが、同様のバイアス制御法をディジタル制御シス
テムを使用して実施することができるということが理解
されるであろう。
を参照して説明してきたが、用途が許せば、より高次の
補償モデルを採用することができるということが理解さ
れよう。同様に、本発明をＵＨＦ発振器を参照して説明
してきたが、本発明の原理はあらゆる高周波発振器に好
適に適用することができるものであるということが理解
されるであろう。（本発明は３０ＭＨｚより高い周波数
で動作する発振器に特に好適であると考えられる。）最
後に、純然たるアナログ装置を参照して本発明を説明し
てきたが、同様のバイアス制御法をディジタル制御シス
テムを使用して実施することができるということが理解
されるであろう。
【００３７】本発明の原理を適用可能な広く多種多様な
実施例を考慮すると、上述の詳細な実施例は単なる例示
に過ぎず、本発明の範囲を限定するものと取るべきでは
ないことは明らかである。特許請求の範囲における記述
及びその等価なものの範囲内及び思想中に含まれるあら
ゆる変形例を本発明として主張することを意図する。
実施例を考慮すると、上述の詳細な実施例は単なる例示
に過ぎず、本発明の範囲を限定するものと取るべきでは
ないことは明らかである。特許請求の範囲における記述
及びその等価なものの範囲内及び思想中に含まれるあら
ゆる変形例を本発明として主張することを意図する。
【００３８】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、発
振器の周波数及び／または周囲温度の変化に応じて発振
器のバイアスを調節することが可能となり、これによ
り、同一信号をバイアス制御信号及び周波数制御信号と
して使用するという手段を用いる必要をなくし、発振器
の周波数範囲及び温度範囲を共に拡大させると同時に発
振器の性能を向上させることができる。
振器の周波数及び／または周囲温度の変化に応じて発振
器のバイアスを調節することが可能となり、これによ
り、同一信号をバイアス制御信号及び周波数制御信号と
して使用するという手段を用いる必要をなくし、発振器
の周波数範囲及び温度範囲を共に拡大させると同時に発
振器の性能を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例としての発振器を示すブロック
図である。
図である。
【図２】−２０℃の周囲温度についての同調電圧とバイ
アス電圧との間の関係を例示するグラフである。
アス電圧との間の関係を例示するグラフである。
【図３】１０℃の周囲温度についての同調電圧とバイア
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
【図４】４０℃の周囲温度についての同調電圧とバイア
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
【図５】７０℃の周囲温度についての同調電圧とバイア
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
ス電圧との間の関係を例示するグラフである。
【図６】本発明の一実施例に従って温度補償されるバイ
アス信号を用いた発振器の概要を示す回路図である。
アス信号を用いた発振器の概要を示す回路図である。
【図７】本発明のもう１つの実施例に従って温度補正及
び周波数補正の双方が行われるバイアス信号を用いた発
振器の概要を示す回路図である。
び周波数補正の双方が行われるバイアス信号を用いた発
振器の概要を示す回路図である。
【図８】ＶＣＯ同調信号、及び ＶＣＯバイアス同調信
号を図４の発振器に供給する調整回路の概要を示す回路
図である。
号を図４の発振器に供給する調整回路の概要を示す回路
図である。
10 発振器システム 12 発振器 14 周波数制御ライン 16,16' 周波数補償回路 18,18’,18” 温度センサ／補償回路 20 併合回路 22 バイアスライン 30,30’ 発振器トランジスタ 32 コレクタバイアス回路 34,34’ 温度センサ 36 関連ドライバ回路 38,40,42 トランジスタ 44,44’ 共振器回路 46,46’ バラクタダイオード 48,48’ 印刷回路インダクタ 50 ＶＣＯ同調入力 52’ エミッタバイアス回路 54,56 トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎ ｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (56)参考文献 特開 平２−100502（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−49406（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298203（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−80905（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−85928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−142624（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−137737（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−40911（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−161411（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−48109（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03L 1/02 H03J 3/04 H03L 5/00
Claims (11)
- 【請求項１】能動デバイスを備えると共に電子的に同調
可能で３０ＭＨｚより高い周波数の発振器信号を生成す
るよう動作可能な広帯域発振器の動作方法であって、こ
の方法が、 前記能動デバイスにバイアス信号を加えることと、 発振器の動作のパラメータに関連するパラメータ信号を
受信することと、 前記パラメータ信号に応じて前記能動デバイスに加えら
れる前記バイアス信号を変化させることより成り、 前記バイアス信号が発振器の周波数以外の発振器信号の
特性を改善すべく前記パラメータ信号に応じて自動的に
調節される方法。 - 【請求項２】前記パラメータ信号の変化に伴って前記バ
イアス信号を直線的に変化させることを含む請求項１の
方法。 - 【請求項３】前記発振器の動作のパラメータが周囲温度
である請求項１又は２の方法。 - 【請求項４】前記発振器の動作のパラメータが発振器の
周波数である請求項１又は２の方法。 - 【請求項５】前記パラメータ信号に応じて能動デバイス
のコレクタ電圧を変化させることを含む請求項１から４
の何れかの方法。 - 【請求項６】能動デバイスと、 バイアス信号を加えるために前記能動デバイスと結合さ
れたバイアス回路と、 前記能動デバイスと結合され、且つこれと協働して発振
周波数で共振を生成し、周波数制御信号に応じて発振器
の共振周波数を変化させる周波数制御要素を備える共振
回路と、 所望の発振周波数に対応する周波数制御信号を受信し、
前記周波数制御信号を周波数制御要素に加える入力と、
及び前記バイアス回路に結合され、周波数制御信号の変
動に応じて能動デバイスに加えられる前記バイアス信号
を変化させる手段を備える補償回路とから成り、 前記バイアス信号と前記周波数制御信号が別個の信号で
ある発振器。 - 【請求項７】能動デバイスがコレクタを備えるトランジ
スタであり、補償回路が周波数制御信号の変動に応じて
前記トランジスタのコレクタに印加される電圧を変化さ
せる手段を備える請求項６の発振器。 - 【請求項８】バイアス回路に結合された温度補償回路を
さらに含み、前記温度補償回路が、周囲温度の変動に応
じて能動デバイスに加えられるバイアス信号を変化させ
る温度反応回路要素を備える請求項６又は７の発振器。 - 【請求項９】発振器の周波数が３０ＭＨｚより高い周波
数で同調可能な請求項６から８の何れかの発振器。 - 【請求項１０】能動デバイスと、 バイアス信号を加えるために前記能動デバイスと結合さ
れたバイアス回路と、 周囲温度に関連する電気信号を供給する温度センサと、 前記温度センサと前記バイアス回路の両方に結合され、
周囲温度の変動に応じて能動デバイスに印加されるバイ
アス信号を温度に起因する周波数シフトを修正すること
なしに調節し、周波数以外の発振器信号の特性を改善す
る手段を備える補償回路から成る発振器。 - 【請求項１１】３０ＭＨｚより高い周波数で発振器を動
作可能とする共振回路をさらに含む請求項１０の発振
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/662,666 US5097228A (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Wideband oscillator with bias compensation |
| US662666 | 1991-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590955A JPH0590955A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3319774B2 true JP3319774B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=24658663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04330292A Expired - Fee Related JP3319774B2 (ja) | 1991-02-28 | 1992-02-28 | バイアス補償を用いた広帯域発振器及びその動作方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5097228A (ja) |
| EP (1) | EP0501620B1 (ja) |
| JP (1) | JP3319774B2 (ja) |
| DE (1) | DE69218482T2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5175884A (en) * | 1990-06-01 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator with current control |
| US5241286A (en) * | 1991-08-28 | 1993-08-31 | Fred Mirow | FET oscillator using voltage and temperature compensated amplifier |
| US5373264A (en) * | 1993-01-21 | 1994-12-13 | Hewlett-Packard Company | Negative resistance oscillator with electronically tunable base inductance |
| US5373259A (en) * | 1993-05-05 | 1994-12-13 | Qualcomm Incorporated | Voltage controlled oscillator with dissimilar varactor diodes |
| US5477197A (en) * | 1994-10-24 | 1995-12-19 | At&T Corp. | Voltage controlled oscillator with improved voltage versus frequency characteristic |
| US5534826A (en) * | 1994-10-24 | 1996-07-09 | At&T Corp. | Oscillator with increased reliability start up |
| US5650754A (en) * | 1995-02-15 | 1997-07-22 | Synergy Microwave Corporation | Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits |
| US5504459A (en) * | 1995-03-20 | 1996-04-02 | International Business Machines Corporation | Filter network for phase-locked loop circuit |
| JPH0918234A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Seiko Epson Corp | 温度補償圧電発振器 |
| JP2850830B2 (ja) * | 1996-02-16 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | マイクロ波発振器 |
| US5714912A (en) * | 1996-08-22 | 1998-02-03 | Lsi Logic Corporation | VCO supply voltage regulator |
| US5909150A (en) * | 1997-10-23 | 1999-06-01 | Cirrus Logic, Inc. | System and method for improving the regulation of a supply voltage for a controllable oscillator using feed forward control techniques |
| GB2336491A (en) * | 1998-04-15 | 1999-10-20 | Motorola Gmbh | Oscillator circuit |
| US6363102B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-03-26 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for frequency offset correction |
| US6353370B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-03-05 | Micro Linear Corporation | Method and apparatus for modulation of a voltage controlled oscillator |
| US6560452B1 (en) * | 2000-11-27 | 2003-05-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Oscillator having a transistor formed of a wide bandgap semiconductor material |
| US6570461B1 (en) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Cts Corporation | Trim effect compensation circuit |
| US6489853B1 (en) * | 2002-03-19 | 2002-12-03 | Z-Communications, Inc. | Low phase noise oscillator |
| FR2849725A1 (fr) * | 2003-01-06 | 2004-07-09 | Thomson Licensing Sa | Oscillateur a resonateur dielectrique commande en tension |
| US7167058B2 (en) * | 2003-12-11 | 2007-01-23 | Seiko Epson Corporation | Temperature compensation for a variable frequency oscillator without reducing pull range |
| US7161440B2 (en) * | 2003-12-11 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Temperature compensation circuit |
| US7504899B2 (en) * | 2004-03-22 | 2009-03-17 | Mobius Microsystems, Inc. | Inductor and capacitor-based clock generator and timing/frequency reference |
| WO2005092042A2 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Mobius Microsystems, Inc. | Transconductance and current modulation for resonant frequency control and selection |
| US7649426B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-01-19 | Cts Corporation | Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators |
| US8188802B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-05-29 | Qualcomm Incorporated | System and method for efficiently generating an oscillating signal |
| EP4020798A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-29 | Carrier Corporation | Oscillator circuit comprising surface integrated waveguide resonator |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3360746A (en) * | 1963-11-19 | 1967-12-26 | Datacom Inc | Crystal controlled frequency modulated oscillator |
| US3388344A (en) * | 1966-06-09 | 1968-06-11 | United Aircraft Corp | Temperature compensation of oscillators and the like |
| US3624541A (en) * | 1969-11-03 | 1971-11-30 | Moisture Register Co | Oscillator circuit |
| US4015218A (en) * | 1974-05-06 | 1977-03-29 | Inventronics, Inc. | Temperature compensated solid-state oscillator |
| GB1593723A (en) * | 1977-03-14 | 1981-07-22 | Lignes Telegraph Telephon | Ultra high frequency oscillators |
| FR2633466B1 (fr) * | 1988-06-28 | 1990-09-21 | Alcatel Thomson Faisceaux | Oscill ateur a quartz modulable et compense en temperature |
| US4968952A (en) * | 1989-06-02 | 1990-11-06 | Motorola, Inc. | Voltage control oscillator with automatic current control |
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,666 patent/US5097228A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-04 DE DE69218482T patent/DE69218482T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-04 EP EP92300951A patent/EP0501620B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-28 JP JP04330292A patent/JP3319774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0501620A1 (en) | 1992-09-02 |
| DE69218482D1 (de) | 1997-04-30 |
| US5097228A (en) | 1992-03-17 |
| EP0501620B1 (en) | 1997-03-26 |
| JPH0590955A (ja) | 1993-04-09 |
| DE69218482T2 (de) | 1997-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3319774B2 (ja) | バイアス補償を用いた広帯域発振器及びその動作方法 | |
| US4970472A (en) | Compensated phase locked loop circuit | |
| CA2019778C (en) | Charge pump circuit | |
| US5898345A (en) | Oscillator circuit with first and second frequency control elements | |
| US6882237B2 (en) | Capture range control mechanism for voltage controlled oscillators | |
| US20030227341A1 (en) | Voltage-controlled oscillator and frequency synthesizer | |
| JP3974497B2 (ja) | 受信機、デジタル−アナログ変換器および同調回路 | |
| US4667170A (en) | Voltage controlled oscillator with self-adjustment of operating point | |
| EP2009783A1 (en) | Local oscillator, reception device and electronic device using the same | |
| US20070146082A1 (en) | Frequency synthesizer, wireless communications device, and control method | |
| JPH06350337A (ja) | 発振器 | |
| JP2003046335A (ja) | 温度補償水晶発振器 | |
| US4990866A (en) | Voltage controlled microwave oscillator using a varactor as inductance | |
| JP3522283B2 (ja) | 周波数変化可能な発振器装置 | |
| US5164685A (en) | Phase-locked loop with circuit for adjusting a phase comparator's output amplitude | |
| US4990872A (en) | Variable reactance circuit producing negative to positive varying reactance | |
| JPH10150321A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US20040090278A1 (en) | Voltage-controlled oscillator and integrated circuit device provided with it | |
| US6181217B1 (en) | VCXO with reduced PWM effects high slew rate conditions | |
| US6812801B2 (en) | Crystal oscillator circuit having capacitors for governing the resonant circuit | |
| CN101162889A (zh) | 压控振荡器及其控制方法 | |
| US6268776B1 (en) | Digitally tuned and linearized low voltage crystal oscillator circuit | |
| US6816024B2 (en) | Oscillator circuit with switchable compensated amplifiers | |
| JPH0738533B2 (ja) | 発振装置 | |
| JPH0846427A (ja) | 電圧制御型水晶発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080621 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |