JP3310655B2 - 半導体デバイス用パッケージ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス用
パッケージに係り、特に、半導体デバイスが発生する１
ＧＨｚ以上の周波数における電磁妨害雑音をパッケージ
部分において抑圧可能な半導体デバイス用パッケージに
関する。
パッケージに係り、特に、半導体デバイスが発生する１
ＧＨｚ以上の周波数における電磁妨害雑音をパッケージ
部分において抑圧可能な半導体デバイス用パッケージに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等の情報
機器、携帯電話機等の通信機器の普及に伴い、これらの
機器内で使われる半導体デバイスから発生する高い周波
数の電磁波が電磁妨害雑音となり、テレビ放送の受信障
害をもたらしたり、デジタル機器の誤動作を誘発したり
する問題が生じてきている。この傾向は、半導体デバイ
スの動作の高速化に伴い、１ＧＨｚを超える周波数にま
で及ぶようになってきている。
機器、携帯電話機等の通信機器の普及に伴い、これらの
機器内で使われる半導体デバイスから発生する高い周波
数の電磁波が電磁妨害雑音となり、テレビ放送の受信障
害をもたらしたり、デジタル機器の誤動作を誘発したり
する問題が生じてきている。この傾向は、半導体デバイ
スの動作の高速化に伴い、１ＧＨｚを超える周波数にま
で及ぶようになってきている。
【０００３】このような半導体デバイスを発生源とする
電磁妨害雑音を抑圧するために、以下に述べるように半
導体デバイスのパッケージ材料に複合磁性材料を用いる
方法が提案されている。
電磁妨害雑音を抑圧するために、以下に述べるように半
導体デバイスのパッケージ材料に複合磁性材料を用いる
方法が提案されている。
【０００４】（１） 半導体素子が固着されている配線
樹脂基板を３５〜９５重量％（ｗｔ％）のフェライト粉
末を添加した熱膨張率１４〜２０ｐｐｍ／℃のモールド
樹脂によってモールドする（特開平１１−４０７０７号
公報、特開平１１−４０７０８号公報）。
樹脂基板を３５〜９５重量％（ｗｔ％）のフェライト粉
末を添加した熱膨張率１４〜２０ｐｐｍ／℃のモールド
樹脂によってモールドする（特開平１１−４０７０７号
公報、特開平１１−４０７０８号公報）。
【０００５】（２） 表面に酸化被膜を有する軟磁性体
粉末（扁平状又は針状の粉末）と有機結合材とを含む複
合磁性体で構成されているＥＭＩ対策部品で能動素子の
少なくとも一部を覆ったことを特徴とする（特開平１０
−６４７１４号公報）。
粉末（扁平状又は針状の粉末）と有機結合材とを含む複
合磁性体で構成されているＥＭＩ対策部品で能動素子の
少なくとも一部を覆ったことを特徴とする（特開平１０
−６４７１４号公報）。
【０００６】ところで、上述のような複合磁性材料を用
いた場合、つぎのような問題又は不具合な点が生じる。
いた場合、つぎのような問題又は不具合な点が生じる。
【０００７】（１）についての材料上の問題。 磁性体粉末に初透磁率１００で粒子サイズ１００μｍ以
下のＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を、結合材に熱可塑性
のポリエステル樹脂を用い、磁性体粉末の重量配合比率
を６５％とし、配合、混練して複合磁性材料を作製し
た。この複合磁性材料を用い、外径寸法が７mm、内径寸
法が３mm、長さ寸法５mmの円筒形状の複合磁性体（複合
磁性材料の成型物の意）をプラスチック成型法により作
製した。この複合磁性体の複素比透磁率の実数部（μ'
r）は図２中のフェライト：６５％に、複素比透磁率の
虚数部（μ"r）は図３中のフェライト：６５％にそれぞ
れ示した通りであり、μ'rは１.５ＧＨｚ近辺において
１に、μ"rは２.５ＧＨｚ近辺において１にそれぞれ漸
近をしており、１ＧＨｚを超える電磁妨害雑音を抑圧す
るに要する特性が欠落するきらいがある。なお、図８は
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末・ポリエステル樹脂より成
る複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合磁性体の
断面を電子顕微鏡で撮影した断面図であり、図９は使用
したＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末の形状を電子顕微鏡で
撮影した拡大断面図である。
下のＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を、結合材に熱可塑性
のポリエステル樹脂を用い、磁性体粉末の重量配合比率
を６５％とし、配合、混練して複合磁性材料を作製し
た。この複合磁性材料を用い、外径寸法が７mm、内径寸
法が３mm、長さ寸法５mmの円筒形状の複合磁性体（複合
磁性材料の成型物の意）をプラスチック成型法により作
製した。この複合磁性体の複素比透磁率の実数部（μ'
r）は図２中のフェライト：６５％に、複素比透磁率の
虚数部（μ"r）は図３中のフェライト：６５％にそれぞ
れ示した通りであり、μ'rは１.５ＧＨｚ近辺において
１に、μ"rは２.５ＧＨｚ近辺において１にそれぞれ漸
近をしており、１ＧＨｚを超える電磁妨害雑音を抑圧す
るに要する特性が欠落するきらいがある。なお、図８は
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末・ポリエステル樹脂より成
る複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合磁性体の
断面を電子顕微鏡で撮影した断面図であり、図９は使用
したＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末の形状を電子顕微鏡で
撮影した拡大断面図である。
【０００８】（２）についての材料上の問題。 磁性体粉末に長さ方向寸法が５０μｍ程度、厚さ寸法が
０.３μｍ程度のアスペクト比（長さ方向寸法／厚さ寸
法）２０以上のＦｅ−Ｓｉ軟磁性体粉末の偏平状粉末
を、結合材に熱可塑性のポリエステル樹脂を用い、磁性
体粉末の重量配合比率を６５％とし、配合、混練して複
合磁性材料を作製した。この複合磁性材料を用い、外径
寸法が７mm、内径寸法が３mm、長さ寸法が５mmの円筒形
状の複合磁性体をプラスチック成型法により作製した。
この複合磁性体の複素比透磁率の実数部（μ'r）は図２
中のＦｅ−Ｓｉ：６５％に、複素比透磁率の虚数部
（μ"r）は図３中のＦｅ−Ｓｉ：６５％にそれぞれ示し
た通りであり、μ'rは１.５ＧＨｚ近辺において１に、
μ"rは５ＧＨｚ近辺において１にそれぞれ漸近をしてお
り、１ＧＨｚから１０ＧＨｚを対象とするような電磁波
吸収体として特性不足のきらいがある。
０.３μｍ程度のアスペクト比（長さ方向寸法／厚さ寸
法）２０以上のＦｅ−Ｓｉ軟磁性体粉末の偏平状粉末
を、結合材に熱可塑性のポリエステル樹脂を用い、磁性
体粉末の重量配合比率を６５％とし、配合、混練して複
合磁性材料を作製した。この複合磁性材料を用い、外径
寸法が７mm、内径寸法が３mm、長さ寸法が５mmの円筒形
状の複合磁性体をプラスチック成型法により作製した。
この複合磁性体の複素比透磁率の実数部（μ'r）は図２
中のＦｅ−Ｓｉ：６５％に、複素比透磁率の虚数部
（μ"r）は図３中のＦｅ−Ｓｉ：６５％にそれぞれ示し
た通りであり、μ'rは１.５ＧＨｚ近辺において１に、
μ"rは５ＧＨｚ近辺において１にそれぞれ漸近をしてお
り、１ＧＨｚから１０ＧＨｚを対象とするような電磁波
吸収体として特性不足のきらいがある。
【０００９】さらに、その複合磁性体の円筒断面を電子
顕微鏡で観察してみると、図１０にみるようなボイドが
数多く発生していた。このようなボイドの発生は図１１
に示したＦｅ−Ｓｉ軟磁性体の偏平状粉末同士が結合材
のポリエステル樹脂で固められる際に、Ｆｅ−Ｓｉ軟磁
性体の偏平状粉末同士の間に結合材の樹脂が入りきれず
空気が多く残り、成型時の熱で残った空気が膨張して発
生するものと考えられる。このようなボイドの発生は複
合磁性体の磁気特性の劣化、磁気特性の不均一さ、磁気
特性の経時変化、さらには機械的強度の劣化をもたらす
原因ともなる問題である。
顕微鏡で観察してみると、図１０にみるようなボイドが
数多く発生していた。このようなボイドの発生は図１１
に示したＦｅ−Ｓｉ軟磁性体の偏平状粉末同士が結合材
のポリエステル樹脂で固められる際に、Ｆｅ−Ｓｉ軟磁
性体の偏平状粉末同士の間に結合材の樹脂が入りきれず
空気が多く残り、成型時の熱で残った空気が膨張して発
生するものと考えられる。このようなボイドの発生は複
合磁性体の磁気特性の劣化、磁気特性の不均一さ、磁気
特性の経時変化、さらには機械的強度の劣化をもたらす
原因ともなる問題である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体デバ
イスから発生する１ＧＨｚを超えるような高い周波数の
電磁妨害雑音をパッケージ部で抑圧させるために使われ
る複合磁性材料において、従来技術に内在している問題
を解決することを課題としている。すなわち、本発明の
目的は、フェライト粉末・樹脂複合磁性材料及びＦｅ−
Ｓｉ軟磁性体粉末・樹脂複合磁性材料において現れるよ
うな、１ＧＨｚを超える高い周波数における磁気特性
（μ'r、μ"r、tanδ）の劣化や、成型時のボイドの発
生を払拭できる複合磁性材料で形成された半導体デバイ
ス用パッケージを提供することにある。
イスから発生する１ＧＨｚを超えるような高い周波数の
電磁妨害雑音をパッケージ部で抑圧させるために使われ
る複合磁性材料において、従来技術に内在している問題
を解決することを課題としている。すなわち、本発明の
目的は、フェライト粉末・樹脂複合磁性材料及びＦｅ−
Ｓｉ軟磁性体粉末・樹脂複合磁性材料において現れるよ
うな、１ＧＨｚを超える高い周波数における磁気特性
（μ'r、μ"r、tanδ）の劣化や、成型時のボイドの発
生を払拭できる複合磁性材料で形成された半導体デバイ
ス用パッケージを提供することにある。
【００１１】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１に係る半導体デバイス用パッケージ
は、アスペクト比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子
サイズ１００μｍ以下のフェライト粉末と樹脂結合材と
を含む複合磁性材料で成型してなることを特徴としてい
る。
に、本願請求項１に係る半導体デバイス用パッケージ
は、アスペクト比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子
サイズ１００μｍ以下のフェライト粉末と樹脂結合材と
を含む複合磁性材料で成型してなることを特徴としてい
る。
【００１３】本願請求項２に係る半導体デバイス用パッ
ケージは、請求項１において、複合磁性材料が、アスペ
クト比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１０
０μｍ以下のフェライト粉末とで５０重量％から７５重
量％を占め、残りを前記樹脂結合材としたことを特徴と
している。
ケージは、請求項１において、複合磁性材料が、アスペ
クト比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１０
０μｍ以下のフェライト粉末とで５０重量％から７５重
量％を占め、残りを前記樹脂結合材としたことを特徴と
している。
【００１４】本願請求項３に係る半導体デバイス用パッ
ケージは、請求項１又は２において、前記偏平状軟磁性
体粉末はＦｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系の少なくとも
いずれかであり、前記フェライト粉末はＮｉ−Ｚｎ系、
Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｍｎ−Ｚｎ系の少なくともいずれかであ
ることを特徴としている。
ケージは、請求項１又は２において、前記偏平状軟磁性
体粉末はＦｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系の少なくとも
いずれかであり、前記フェライト粉末はＮｉ−Ｚｎ系、
Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｍｎ−Ｚｎ系の少なくともいずれかであ
ることを特徴としている。
【００１５】本願請求項４に係る半導体デバイス用パッ
ケージは、請求項１，２又は３において、前記樹脂結合
材はエポキシ系、フェノール系の熱硬化性樹脂あるいは
ポリエステル系、ポリフェニレンサルファイド系の熱可
塑性樹脂であることを特徴としている。
ケージは、請求項１，２又は３において、前記樹脂結合
材はエポキシ系、フェノール系の熱硬化性樹脂あるいは
ポリエステル系、ポリフェニレンサルファイド系の熱可
塑性樹脂であることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体デバイ
ス用パッケージの実施の形態を図面に従って説明する。
ス用パッケージの実施の形態を図面に従って説明する。
【００１７】図１は本発明に係る半導体デバイス用パッ
ケージの実施の形態の構造であって、一部を破断して示
す斜視図である。ダイパッド１上に固着された半導体チ
ップ２（ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等）上の各パッドと
リード端子３とをボンディングワイヤー４でそれぞれ接
続した後、後述する所定の複合磁性材料より成るパッケ
ージ材でモールドして半導体チップ２の周囲の少なくと
も一部を覆うパッケージ５を成型する。
ケージの実施の形態の構造であって、一部を破断して示
す斜視図である。ダイパッド１上に固着された半導体チ
ップ２（ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等）上の各パッドと
リード端子３とをボンディングワイヤー４でそれぞれ接
続した後、後述する所定の複合磁性材料より成るパッケ
ージ材でモールドして半導体チップ２の周囲の少なくと
も一部を覆うパッケージ５を成型する。
【００１８】本発明に係る半導体デバイス用パッケージ
は磁性体粉末と樹脂結合材を基本成分とするものである
が、本実施の形態では、前記磁性体粉末に配合、攪拌し
て用いる偏平状軟磁性体粉末としては、Ｆｅ−Ｓｉ系、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆ
ｅ−Ｃｒ−Ａｌ系のうちの少なくとも１つから選び得る
ものとする。
は磁性体粉末と樹脂結合材を基本成分とするものである
が、本実施の形態では、前記磁性体粉末に配合、攪拌し
て用いる偏平状軟磁性体粉末としては、Ｆｅ−Ｓｉ系、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆ
ｅ−Ｃｒ−Ａｌ系のうちの少なくとも１つから選び得る
ものとする。
【００１９】また、前記磁性体粉末に配合、攪拌して用
いるフェライト粉末としては、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍ
ｇ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のうちの少なくとも１つから選び得
るものとする。
いるフェライト粉末としては、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍ
ｇ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のうちの少なくとも１つから選び得
るものとする。
【００２０】また、上記の偏平状軟磁性体粉末及びフェ
ライト粉末を含む磁性体粉末との結合材には、熱硬化性
樹脂であるエポキシ系、フェノール系あるいは熱可塑性
樹脂であるポリエステル系、ポリフェニレンサルファイ
ド系のうちから選びうるものとする。
ライト粉末を含む磁性体粉末との結合材には、熱硬化性
樹脂であるエポキシ系、フェノール系あるいは熱可塑性
樹脂であるポリエステル系、ポリフェニレンサルファイ
ド系のうちから選びうるものとする。
【００２１】本実施の形態では、このような基本成分を
有する複合磁性材料において、偏平状軟磁性体粉末はア
スペクト比が２０以上の粉末を用いることを特徴として
いる。アスペクト比を２０以上とするのは、半導体デバ
イス用パッケージで対象とする高い周波数における電磁
妨害雑音を電磁波吸収機能で抑圧するために必要とされ
る複素比透磁率のμ'r、μ"r、tanδを相対的に大きく
得られることによる。
有する複合磁性材料において、偏平状軟磁性体粉末はア
スペクト比が２０以上の粉末を用いることを特徴として
いる。アスペクト比を２０以上とするのは、半導体デバ
イス用パッケージで対象とする高い周波数における電磁
妨害雑音を電磁波吸収機能で抑圧するために必要とされ
る複素比透磁率のμ'r、μ"r、tanδを相対的に大きく
得られることによる。
【００２２】また、フェライト粉末は粒子サイズ１００
μｍ以下としている。これは本発明に係る半導体デバイ
ス用パッケージをプラスチック成型法で形成する場合
に、成型性が損なわれないようにするため、及び偏平状
軟磁性体粉末単独の場合に見られたボイドの発生を解消
するために必要な条件である。フェライト粉末の粒子サ
イズが１００μｍを超えると、成型性が悪化しかつボイ
ドの発生の恐れがでてくる。
μｍ以下としている。これは本発明に係る半導体デバイ
ス用パッケージをプラスチック成型法で形成する場合
に、成型性が損なわれないようにするため、及び偏平状
軟磁性体粉末単独の場合に見られたボイドの発生を解消
するために必要な条件である。フェライト粉末の粒子サ
イズが１００μｍを超えると、成型性が悪化しかつボイ
ドの発生の恐れがでてくる。
【００２３】さらに、本実施の形態としては偏平状軟磁
性体粉末及びフェライト粉末を含む磁性体粉末の重量配
合比率を５０重量％から７５重量％とし残部が結合材か
ら成るものとしている。磁性体粉末の重量配合比率が５
０重量％未満の場合、本発明の意図とする半導体デバイ
ス用パッケージに必要な磁気特性が劣化する傾向にあ
り、また、磁性体粉末の重量配合比率が７５重量％を超
える場合、本発明に係る半導体デバイス用パッケージを
プラスチック成型法で形成するときに、複合磁性材料の
流動性が低下し、均一な成型に難を生じるためである。
性体粉末及びフェライト粉末を含む磁性体粉末の重量配
合比率を５０重量％から７５重量％とし残部が結合材か
ら成るものとしている。磁性体粉末の重量配合比率が５
０重量％未満の場合、本発明の意図とする半導体デバイ
ス用パッケージに必要な磁気特性が劣化する傾向にあ
り、また、磁性体粉末の重量配合比率が７５重量％を超
える場合、本発明に係る半導体デバイス用パッケージを
プラスチック成型法で形成するときに、複合磁性材料の
流動性が低下し、均一な成型に難を生じるためである。
【００２４】また、前記磁性体粉末に占める偏平状軟磁
性体粉末の割合が、前記フェライト粉末の割合よりも多
いことがいっそう望ましい。このように、高い周波数に
おける複素比透磁率のμ'r、μ"r、tanδが相対的に大
きく得られるアスペクト比２０以上の偏平状軟磁性体粉
末の割合をフェライト粉末よりも多くすることで、１Ｇ
Ｈｚを超える高い周波数での電磁波吸収をいっそう効果
的に行える。
性体粉末の割合が、前記フェライト粉末の割合よりも多
いことがいっそう望ましい。このように、高い周波数に
おける複素比透磁率のμ'r、μ"r、tanδが相対的に大
きく得られるアスペクト比２０以上の偏平状軟磁性体粉
末の割合をフェライト粉末よりも多くすることで、１Ｇ
Ｈｚを超える高い周波数での電磁波吸収をいっそう効果
的に行える。
【００２５】
【実施例】以下、本発明に係る半導体デバイス用パッケ
ージの実施例について説明するが本発明はこのような実
施例のみに限定されないことはいうまでもない。
ージの実施例について説明するが本発明はこのような実
施例のみに限定されないことはいうまでもない。
【００２６】本発明の実施例として、長さ方向寸法が５
０μｍ程度、厚さ寸法が０.３μｍ程度の（アスペクト
比で１６０程度）のＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末及
び初透磁率１００で粒子サイズ１００μｍ以下のＮｉ−
Ｚｎ系フェライト（組成：Ｎｉ０．６５Ｚｎ０．３５Ｆ
ｅ２Ｏ３）粉末を予め配合、攪拌した後、ポリエステル
樹脂の結合材と配合、混練し、複合磁性材料を作製し
た。この場合、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末、Ｎｉ
−Ｚｎ系フェライト粉末、ポリエステル樹脂の配合比率
は表１の通りとした。すなわち、磁性体粉末の重量配合
比率を６５％、結合材の重量配合比率を３０％と固定
し、複合磁性体の試料を成型、作製した。この場合、磁
性体粉末の重量配合比率６５％に占めるＦｅ−Ｓｉ系偏
平状軟磁性体粉末を１５，３５，５０％、Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト粉末を５０，３０，１５％と３種類の試料と
した。また、比較例として、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末６５％、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末０％の場合
と、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末０％、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト粉末６５％の場合の２種類の試料も成型、
作製した（表１参照）。
０μｍ程度、厚さ寸法が０.３μｍ程度の（アスペクト
比で１６０程度）のＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末及
び初透磁率１００で粒子サイズ１００μｍ以下のＮｉ−
Ｚｎ系フェライト（組成：Ｎｉ０．６５Ｚｎ０．３５Ｆ
ｅ２Ｏ３）粉末を予め配合、攪拌した後、ポリエステル
樹脂の結合材と配合、混練し、複合磁性材料を作製し
た。この場合、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末、Ｎｉ
−Ｚｎ系フェライト粉末、ポリエステル樹脂の配合比率
は表１の通りとした。すなわち、磁性体粉末の重量配合
比率を６５％、結合材の重量配合比率を３０％と固定
し、複合磁性体の試料を成型、作製した。この場合、磁
性体粉末の重量配合比率６５％に占めるＦｅ−Ｓｉ系偏
平状軟磁性体粉末を１５，３５，５０％、Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト粉末を５０，３０，１５％と３種類の試料と
した。また、比較例として、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末６５％、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末０％の場合
と、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末０％、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト粉末６５％の場合の２種類の試料も成型、
作製した（表１参照）。
【００２７】
【表１】
【００２８】なお、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末に
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を混入すると表面抵抗が高
くなる。Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末が６５％で約
１ＭΩ／mm、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末５０％で
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末１５％のとき約５ＭΩ／m
m、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末３５％でＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト粉末３０％のとき約１０ＭΩ／mm、Ｆｅ
−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末１５％でＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト粉末５０％のとき１０ＭΩ／mm以上となる。
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を混入すると表面抵抗が高
くなる。Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末が６５％で約
１ＭΩ／mm、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末５０％で
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末１５％のとき約５ＭΩ／m
m、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末３５％でＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト粉末３０％のとき約１０ＭΩ／mm、Ｆｅ
−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末１５％でＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト粉末５０％のとき１０ＭΩ／mm以上となる。
【００２９】１ＧＨｚを超えるような高い周波数におけ
る電磁妨害雑音を半導体デバイスのパッケージ部で抑圧
するために、この周波数帯域において、複素比透磁率の
μ'r及びμ"rが大きく、tanδが大きいこと等の特性が
必要とされるが、上述の実施例３種類、比較例２種類の
試料のμ'r及びμ"rを図示した図２及び図３をみると、
Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の重量配合比率が３
５、５０％（すなわちＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末の重
量配合比率が３０、１５％）の実施例の場合、磁性体粉
末がＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいはＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの比較例の場合に比べ
て、より高い周波数までより大きな値を維持しているこ
とが判る。また、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の重
量配合比率が１５％の実施例の場合、Ｎｉ−Ｚｎ系フェ
ライト粉末のみの比較例の場合に比べて良好な特性とな
っている。
る電磁妨害雑音を半導体デバイスのパッケージ部で抑圧
するために、この周波数帯域において、複素比透磁率の
μ'r及びμ"rが大きく、tanδが大きいこと等の特性が
必要とされるが、上述の実施例３種類、比較例２種類の
試料のμ'r及びμ"rを図示した図２及び図３をみると、
Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の重量配合比率が３
５、５０％（すなわちＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末の重
量配合比率が３０、１５％）の実施例の場合、磁性体粉
末がＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいはＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの比較例の場合に比べ
て、より高い周波数までより大きな値を維持しているこ
とが判る。また、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の重
量配合比率が１５％の実施例の場合、Ｎｉ−Ｚｎ系フェ
ライト粉末のみの比較例の場合に比べて良好な特性とな
っている。
【００３０】１ＧＨｚを超えるような高い周波数におけ
る電磁妨害雑音を電磁波吸収体で抑圧する評価方法とし
て、７mmの同軸管（外径寸法が７mm、内径寸法が３.０
４mm、長さ寸法５mm）内に、上述の実施例（３種類）及
び比較例（２種類）の複合磁性材料を用いて図４に示し
たような円筒形状に成型した試料を挿入した。図５に示
した測定系により、パッケージ材料として用いた場合の
電磁妨害雑音の抑圧効果の目処となる複合磁性体の吸収
特性を求めた（Ｓパラメーターを測定し、これから算出
した）結果を図６に示す。ここで、Ｓパラメーターの反
射分：Ｓ１１、透過分：Ｓ２１とすると、 吸収比率＝
１−（｜Ｓ１１｜２＋｜Ｓ２１｜２）である。
る電磁妨害雑音を電磁波吸収体で抑圧する評価方法とし
て、７mmの同軸管（外径寸法が７mm、内径寸法が３.０
４mm、長さ寸法５mm）内に、上述の実施例（３種類）及
び比較例（２種類）の複合磁性材料を用いて図４に示し
たような円筒形状に成型した試料を挿入した。図５に示
した測定系により、パッケージ材料として用いた場合の
電磁妨害雑音の抑圧効果の目処となる複合磁性体の吸収
特性を求めた（Ｓパラメーターを測定し、これから算出
した）結果を図６に示す。ここで、Ｓパラメーターの反
射分：Ｓ１１、透過分：Ｓ２１とすると、 吸収比率＝
１−（｜Ｓ１１｜２＋｜Ｓ２１｜２）である。
【００３１】図５の測定系は同軸法による減衰特性の測
定を行うもので、この図では図４の円筒形状の試料を同
軸管に挿入したものをネットワークアナライザに接続
し、このネットワークアナライザの出力をＧＰ−ＩＢボ
ードを介してパーソナルコンピュータＰＣに入力してい
る。
定を行うもので、この図では図４の円筒形状の試料を同
軸管に挿入したものをネットワークアナライザに接続
し、このネットワークアナライザの出力をＧＰ−ＩＢボ
ードを介してパーソナルコンピュータＰＣに入力してい
る。
【００３２】図６は測定で得られた実施例（３種類）及
び比較例（２種類）の試料の吸収量（相対値）を示し
た。なお、参考として、同図に結合材のポリエステル樹
脂の成型品での吸収特性も併せて図示してある。図６に
みる通り、実施例のうち特にＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末の重量配合比率が３５、５０％（すなわちＮｉ−
Ｚｎ系フェライト粉末の重量配合比率が３０、１５％の
場合）、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末のみ、あるい
はＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの比較例に比べて、
より大きな吸収特性を示し（主に２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ
の周波数範囲に於いて）、特に、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟
磁性体粉末の重量配合比率が５０％（すなわちＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト粉末の重量配合比率が１５％の場合）、
磁性体粉末中にフェライト粉末を配合した効果が大きく
現れている。
び比較例（２種類）の試料の吸収量（相対値）を示し
た。なお、参考として、同図に結合材のポリエステル樹
脂の成型品での吸収特性も併せて図示してある。図６に
みる通り、実施例のうち特にＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末の重量配合比率が３５、５０％（すなわちＮｉ−
Ｚｎ系フェライト粉末の重量配合比率が３０、１５％の
場合）、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末のみ、あるい
はＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの比較例に比べて、
より大きな吸収特性を示し（主に２ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ
の周波数範囲に於いて）、特に、Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟
磁性体粉末の重量配合比率が５０％（すなわちＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト粉末の重量配合比率が１５％の場合）、
磁性体粉末中にフェライト粉末を配合した効果が大きく
現れている。
【００３３】また図６の測定結果からは、主に２ＧＨｚ
〜１０ＧＨｚの周波数範囲に於いてＦｅ−Ｓｉ系偏平状
軟磁性体粉末のみ６５％とした比較例よりも大きな吸収
量を得るために、少なくともＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末の重量配合比率が３５％以上あることが望ましい
ことが判る。
〜１０ＧＨｚの周波数範囲に於いてＦｅ−Ｓｉ系偏平状
軟磁性体粉末のみ６５％とした比較例よりも大きな吸収
量を得るために、少なくともＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性
体粉末の重量配合比率が３５％以上あることが望ましい
ことが判る。
【００３４】Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の重量配
合比率が５０％（すなわちＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末
の重量配合比率が１５％の場合）の円筒成型した複合磁
性体の断面を電子顕微鏡で観察してみると、図７に示し
たようになっており、図１０にみたようなボイドの発生
もなく、均一な成型状態を示している。
合比率が５０％（すなわちＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末
の重量配合比率が１５％の場合）の円筒成型した複合磁
性体の断面を電子顕微鏡で観察してみると、図７に示し
たようになっており、図１０にみたようなボイドの発生
もなく、均一な成型状態を示している。
【００３５】上記実施例によれば、以下に列記するよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００３６】(1) 半導体デバイス用パッケージでの電
磁妨害雑音抑圧特性の向上
磁妨害雑音抑圧特性の向上
【００３７】 １ＧＨｚ以上の周波数帯での磁気特性
が改善される。Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末、Ｎｉ
−Ｚｎ系フェライト粉末及びポリエステル樹脂の結合材
よりなる複合磁性材料をプラスチック成型法にて成型し
た複合磁性体において、磁性体粉末の重量配合比率６５
％に占めるＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末を３５、５
０％、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末磁性体粉末を３０、
１５％とすることにより、磁性体粉末がＦｅ−Ｓｉ系偏
平状軟磁性体粉末のみ、あるいはＮｉ−Ｚｎ系フェライ
ト粉末のみの時に比べて、より高い周波数まで複素比透
磁率のμ'r及びμ"rが大きく、tanδが大きい値を維持
している。
が改善される。Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末、Ｎｉ
−Ｚｎ系フェライト粉末及びポリエステル樹脂の結合材
よりなる複合磁性材料をプラスチック成型法にて成型し
た複合磁性体において、磁性体粉末の重量配合比率６５
％に占めるＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末を３５、５
０％、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末磁性体粉末を３０、
１５％とすることにより、磁性体粉末がＦｅ−Ｓｉ系偏
平状軟磁性体粉末のみ、あるいはＮｉ−Ｚｎ系フェライ
ト粉末のみの時に比べて、より高い周波数まで複素比透
磁率のμ'r及びμ"rが大きく、tanδが大きい値を維持
している。
【００３８】 １ＧＨｚ以上の周波数帯での吸収特性
が改善される。上記の結果として、複合磁性体におい
て磁性体粉末の重量配合比率６５％に占めるＦｅ−Ｓｉ
系偏平状軟磁性体粉末を３５、５０％、Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライト粉末磁性体粉末を３０、１５％とすることによ
り、磁性体粉末がＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の
み、あるいはＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの時に比
べて、より大きな吸収特性を示す。
が改善される。上記の結果として、複合磁性体におい
て磁性体粉末の重量配合比率６５％に占めるＦｅ−Ｓｉ
系偏平状軟磁性体粉末を３５、５０％、Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライト粉末磁性体粉末を３０、１５％とすることによ
り、磁性体粉末がＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の
み、あるいはＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末のみの時に比
べて、より大きな吸収特性を示す。
【００３９】(2) パッケージを構成する複合磁性体中
のボイドの発生の抑圧
のボイドの発生の抑圧
【００４０】 磁気特性が改善される。複合磁性材料
の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末に加え
てＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を使用した場合、複合磁
性体中に生じるボイドがなくなり、ボイドのあった箇所
が複合磁性材料で埋め尽くされるために、磁気特性が改
善される。
の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末に加え
てＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を使用した場合、複合磁
性体中に生じるボイドがなくなり、ボイドのあった箇所
が複合磁性材料で埋め尽くされるために、磁気特性が改
善される。
【００４１】 磁気特性の均一性が実現される。ボイ
ドの生じた複合磁性体における磁気特性は、複合磁性体
中の複合磁性材料部分ではμ'r＞１、μ"r＞０であるが
（磁性体としての共鳴現象を除いた表現）、空気のみの
ボイド部分はμ'r＝１、μ"r＝０であり、複合磁性材料
部分とボイド部分の占める割合で磁気特性が左右される
ことになる。すなわち、製造上制御できないボイドは複
合磁性体毎にその発生割合が変わり、磁気特性の不均一
性をもたらす。複合磁性材料の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ
系偏平状軟磁性体粉末に加えてＮｉ−Ｚｎ系フェライト
粉末を使用することにより、ボイド部分が複合磁性材料
で埋め尽くされるために、磁気特性の均一性が実現され
る。
ドの生じた複合磁性体における磁気特性は、複合磁性体
中の複合磁性材料部分ではμ'r＞１、μ"r＞０であるが
（磁性体としての共鳴現象を除いた表現）、空気のみの
ボイド部分はμ'r＝１、μ"r＝０であり、複合磁性材料
部分とボイド部分の占める割合で磁気特性が左右される
ことになる。すなわち、製造上制御できないボイドは複
合磁性体毎にその発生割合が変わり、磁気特性の不均一
性をもたらす。複合磁性材料の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ
系偏平状軟磁性体粉末に加えてＮｉ−Ｚｎ系フェライト
粉末を使用することにより、ボイド部分が複合磁性材料
で埋め尽くされるために、磁気特性の均一性が実現され
る。
【００４２】 磁気特性の劣化が緩和される。ボイド
部分には除去しきれない湿気を抱え込み長時間の間に、
Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の酸化を促進する等の
現象が生じ、その結果、磁気特性を劣化させるようなこ
とになるが、複合磁性材料の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ系
偏平状軟磁性体粉末に加えてＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉
末を使用することにより、ボイド部分が複合磁性材料で
埋め尽くされるために、このような劣化を伴う現象を払
拭できる。
部分には除去しきれない湿気を抱え込み長時間の間に、
Ｆｅ−Ｓｉ系偏平状軟磁性体粉末の酸化を促進する等の
現象が生じ、その結果、磁気特性を劣化させるようなこ
とになるが、複合磁性材料の磁性体粉末にＦｅ−Ｓｉ系
偏平状軟磁性体粉末に加えてＮｉ−Ｚｎ系フェライト粉
末を使用することにより、ボイド部分が複合磁性材料で
埋め尽くされるために、このような劣化を伴う現象を払
拭できる。
【００４３】なお、半導体デバイス用パッケージの形状
は任意であり、図１の構造に限定されないことは勿論で
ある。
は任意であり、図１の構造に限定されないことは勿論で
ある。
【００４４】以上本発明の実施の形態及び実施例につい
て説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく
請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能
なことは当業者には自明であろう。
て説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく
請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能
なことは当業者には自明であろう。
【００４５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る半
導体デバイス用パッケージによれば、以下に列記するよ
うな効果を奏することができる。
導体デバイス用パッケージによれば、以下に列記するよ
うな効果を奏することができる。
【００４６】(1) 半導体デバイス用パッケージでの電
磁妨害雑音抑圧特性の向上
磁妨害雑音抑圧特性の向上
【００４７】 １ＧＨｚ以上の周波数帯での磁気特性
が改善される。電磁波吸収用複合磁性体は、アスペクト
比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１００μ
ｍ以下のフェライト粉末と樹脂結合材とを含む構成であ
り、磁性体粉末が偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいはフ
ェライト粉末のみの時に比べて、より高い周波数まで複
素比透磁率のμ'r及びμ"rを大きく、tanδを大きい値
とすることが可能であり、１ＧＨｚ以上の周波数帯での
磁気特性の改善を図ることができる。
が改善される。電磁波吸収用複合磁性体は、アスペクト
比２０以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１００μ
ｍ以下のフェライト粉末と樹脂結合材とを含む構成であ
り、磁性体粉末が偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいはフ
ェライト粉末のみの時に比べて、より高い周波数まで複
素比透磁率のμ'r及びμ"rを大きく、tanδを大きい値
とすることが可能であり、１ＧＨｚ以上の周波数帯での
磁気特性の改善を図ることができる。
【００４８】 １ＧＨｚ以上の周波数帯での減衰特性
が改善される。上記の結果として、アスペクト比２０
以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１００μｍ以下
のフェライト粉末を配合した複合磁性体としたことで、
半導体デバイス用パッケージに当該複合磁性体を用いる
場合に磁性体粉末が偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいは
フェライト粉末のみの時に比べて、より大きな吸収量を
得ることができる。
が改善される。上記の結果として、アスペクト比２０
以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１００μｍ以下
のフェライト粉末を配合した複合磁性体としたことで、
半導体デバイス用パッケージに当該複合磁性体を用いる
場合に磁性体粉末が偏平状軟磁性体粉末のみ、あるいは
フェライト粉末のみの時に比べて、より大きな吸収量を
得ることができる。
【００４９】(2) 電磁波吸収用複合磁性体中のボイドの
発生の抑圧
発生の抑圧
【００５０】 磁気特性が改善される。複合磁性材
料の磁性体粉末にアスペクト比２０以上の偏平状軟磁性
体粉末に加えて粒子サイズ１００μｍ以下のフェライト
粉末を使用したので、複合磁性体中に生じるボイドの発
生を回避し、ボイドのあった箇所が複合磁性材料で埋め
尽くされるようにして、磁気特性の改善を図ることがで
きる。
料の磁性体粉末にアスペクト比２０以上の偏平状軟磁性
体粉末に加えて粒子サイズ１００μｍ以下のフェライト
粉末を使用したので、複合磁性体中に生じるボイドの発
生を回避し、ボイドのあった箇所が複合磁性材料で埋め
尽くされるようにして、磁気特性の改善を図ることがで
きる。
【００５１】 磁気特性の均一性が実現される。ボイ
ドの生じた複合磁性体における磁気特性は、複合磁性体
中の複合磁性材料部分ではμ'r＞１、μ"r＞０であるが
（磁性体としての共鳴現象を除いた表現）、空気のみの
ボイド部分はμ'r＝１、μ"r＝０であり、複合磁性材料
部分とボイド部分の占める割合で磁気特性が左右される
ことになる。すなわち、製造上制御できないボイドは複
合磁性体毎にその発生割合が変わり、磁気特性の不均一
性をもたらす。複合磁性材料の磁性体粉末に偏平状軟磁
性体粉末に加えてフェライト粉末を使用することによ
り、ボイド部分が複合磁性材料で埋め尽くされるため
に、磁気特性の均一性が実現可能である。
ドの生じた複合磁性体における磁気特性は、複合磁性体
中の複合磁性材料部分ではμ'r＞１、μ"r＞０であるが
（磁性体としての共鳴現象を除いた表現）、空気のみの
ボイド部分はμ'r＝１、μ"r＝０であり、複合磁性材料
部分とボイド部分の占める割合で磁気特性が左右される
ことになる。すなわち、製造上制御できないボイドは複
合磁性体毎にその発生割合が変わり、磁気特性の不均一
性をもたらす。複合磁性材料の磁性体粉末に偏平状軟磁
性体粉末に加えてフェライト粉末を使用することによ
り、ボイド部分が複合磁性材料で埋め尽くされるため
に、磁気特性の均一性が実現可能である。
【００５２】 磁気特性の劣化が緩和される。ボイド
部分には除去しきれない湿気を抱え込み長時間の間に、
偏平状軟磁性体粉末の酸化を促進する等の現象が生じ、
その結果、磁気特性を劣化させるようなことになるが、
複合磁性材料の磁性体粉末に偏平状軟磁性体粉末に加え
てフェライト粉末を使用することにより、ボイド部分が
複合磁性材料で埋め尽くされるようにして、このような
劣化を伴う現象を払拭できる。
部分には除去しきれない湿気を抱え込み長時間の間に、
偏平状軟磁性体粉末の酸化を促進する等の現象が生じ、
その結果、磁気特性を劣化させるようなことになるが、
複合磁性材料の磁性体粉末に偏平状軟磁性体粉末に加え
てフェライト粉末を使用することにより、ボイド部分が
複合磁性材料で埋め尽くされるようにして、このような
劣化を伴う現象を払拭できる。
【図１】本発明に係る半導体デバイス用パッケージの実
施の形態であって、パッケージ形状の１例を示す一部を
破断した斜視図である。
施の形態であって、パッケージ形状の１例を示す一部を
破断した斜視図である。
【図２】複合磁性体のμ'rを示す特性図である。
【図３】複合磁性体のμ"rを示す特性図である。
【図４】吸収特性評価に用いた円筒状複合磁性体の斜視
図である。
図である。
【図５】円筒状複合磁性体のＳパラメータの測定法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図６】円筒状複合磁性体の吸収特性を示す特性図であ
る。
る。
【図７】Ｆｅ−Ｓｉ系軟磁性体粉末・Ｎｉ−Ｚｎ系フェ
ライト粉末・ポリエステル樹脂よりなる複合磁性材料を
用いて円筒状に成型した複合磁性体の断面を示す拡大断
面図である。
ライト粉末・ポリエステル樹脂よりなる複合磁性材料を
用いて円筒状に成型した複合磁性体の断面を示す拡大断
面図である。
【図８】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末・ポリエステル樹
脂よりなる複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合
磁性体の断面を示す拡大断面図である。
脂よりなる複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合
磁性体の断面を示す拡大断面図である。
【図９】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を示す拡大図であ
る。
る。
【図１０】Ｆｅ−Ｓｉ系軟磁性体粉末・ポリエステル樹
脂よりなる複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合
磁性体の断面で見られるボイドを示す拡大断面図であ
る。
脂よりなる複合磁性材料を用いて円筒状に成型した複合
磁性体の断面で見られるボイドを示す拡大断面図であ
る。
【図１１】Ｆｅ−Ｓｉ系軟磁性体粉末の形状を示す拡大
図である。
図である。
１ ダイパッド ２ 半導体チップ ３ リード端子 ５ パッケージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−204695（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−38240（ＪＰ，Ａ) 実開 平７−3195（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 C08K 3/22,7/00
Claims (4)
- 【請求項１】 アスペクト比２０以上の偏平状軟磁性体
粉末と粒子サイズ１００μｍ以下のフェライト粉末と樹
脂結合材とを含む複合磁性材料で成型してなる半導体デ
バイス用パッケージ。 - 【請求項２】 前記複合磁性材料は、アスペクト比２０
以上の偏平状軟磁性体粉末と粒子サイズ１００μｍ以下
のフェライト粉末とで５０重量％から７５重量％を占
め、残りを前記樹脂結合材としたものである請求項１記
載の半導体デバイス用パッケージ。 - 【請求項３】 前記偏平状軟磁性体粉末はＦｅ−Ｓｉ
系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ
系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系の少なくともいずれかであり、
前記フェライト粉末はＮｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｍ
ｎ−Ｚｎ系の少なくともいずれかである請求項１又は２
記載の半導体デバイス用パッケージ。 - 【請求項４】 前記樹脂結合材はエポキシ系、フェノー
ル系の熱硬化性樹脂あるいはポリエステル系、ポリフェ
ニレンサルファイド系の熱可塑性樹脂である請求項１，
２又は３記載の半導体デバイス用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295720A JP3310655B2 (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 半導体デバイス用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295720A JP3310655B2 (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 半導体デバイス用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110863A JP2002110863A (ja) | 2002-04-12 |
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ID=18778100
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3310655B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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