JP3309912B2 - スチリル化合物及びその製造方法 - Google Patents
スチリル化合物及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスチリル化合物及びその
製造方法に関し、詳しくは、エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子の発光材料あるいは正孔注入材料等に有用
な、薄膜性，耐熱性に優れた新規なスチリル化合物及び
その製造方法に関する。
製造方法に関し、詳しくは、エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子の発光材料あるいは正孔注入材料等に有用
な、薄膜性，耐熱性に優れた新規なスチリル化合物及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機化
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のＥＬ性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
Ｗ. Helfrish, Dresmer,Williamsらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を可能にした（J.Chem. Phys.,44, 29
02 (1966))。また、Vincett やBarlowらは、縮合多環芳
香族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行って
いる（Thin Solid Films, 99, 171(1982))。しかしいず
れも発光輝度，発光効率は低いものしか得られていな
い。最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用い
て１００cd／ｍ2 の青色発光を得たことが報告されてい
る（特開昭５９−１９４３９３号公報）。さらに、正孔
伝導性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アル
ミニウムキレート錯体を積層することにより、輝度１０
００cd／ｍ2 以上の緑色発光有機薄膜ＥＬ素子を開発し
たことが報告されている（Appl. Phys. Lett., 51, 913
(1987)）。また、レーザー色素として有名なジスチリル
ベンゼン系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有
し、これを発光材料として単層で８０cd／ｍ2 程度のＥ
Ｌ発光を得られたことが報告されている（欧州特許０３
１９８８１号明細書）。さらに、輝度１０００cd／ｍ2
以上の緑色発光材料もでに開示されている（コダック社
製，アルミニウムキレート錯体）。しかし、これらの発
光材料は耐熱性が低く、発光材料として用いるには問題
があった。
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のＥＬ性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
Ｗ. Helfrish, Dresmer,Williamsらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を可能にした（J.Chem. Phys.,44, 29
02 (1966))。また、Vincett やBarlowらは、縮合多環芳
香族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行って
いる（Thin Solid Films, 99, 171(1982))。しかしいず
れも発光輝度，発光効率は低いものしか得られていな
い。最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用い
て１００cd／ｍ2 の青色発光を得たことが報告されてい
る（特開昭５９−１９４３９３号公報）。さらに、正孔
伝導性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アル
ミニウムキレート錯体を積層することにより、輝度１０
００cd／ｍ2 以上の緑色発光有機薄膜ＥＬ素子を開発し
たことが報告されている（Appl. Phys. Lett., 51, 913
(1987)）。また、レーザー色素として有名なジスチリル
ベンゼン系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有
し、これを発光材料として単層で８０cd／ｍ2 程度のＥ
Ｌ発光を得られたことが報告されている（欧州特許０３
１９８８１号明細書）。さらに、輝度１０００cd／ｍ2
以上の緑色発光材料もでに開示されている（コダック社
製，アルミニウムキレート錯体）。しかし、これらの発
光材料は耐熱性が低く、発光材料として用いるには問題
があった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、上
記の欠点を解消すべく鋭意研究を重ねた。その結果、ホ
スホン酸エステルをホモカップリングして得られる新規
なスチリル化合物が、上記目的にかなうものであること
を見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。
記の欠点を解消すべく鋭意研究を重ねた。その結果、ホ
スホン酸エステルをホモカップリングして得られる新規
なスチリル化合物が、上記目的にかなうものであること
を見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。
【０００４】すなわち本発明は、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化３】
【０００６】〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ置換あるい
は無置換のフェニル基，置換あるいは無置換のナフチル
基，置換あるいは無置換のビフェニル基，置換あるいは
無置換のターフェニル基，置換あるいは無置換のアント
ラリル基，置換あるいは無置換のピレニル基又は置換あ
るいは無置換のペリレニル基である炭素数６〜２０のア
リール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基を示
す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素
数１〜６のアルコキシ基，フェノキシ基又はナフチルオ
キシ基である炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェ
ニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。こ
れらの置換基は単一でも複数でもよい。またＲ1 ，Ｒ2
はそれぞれ同一でも、また互いに異なっていてもよく、
Ｒ1 とＲ2 は置換している基と結合して、置換あるいは
無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員
環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換のフェ
ニレン基，置換あるいは無置換のナフチレン基，置換あ
るいは無置換のビフェニレン基，置換あるいは無置換の
ターフェニレン基，置換あるいは無置換のアントラセン
ジイル基，置換あるいは無置換のピレンジイル基又は置
換あるいは無置換のペリレンジイル基である炭素数６〜
２０のアリーレン基を表わし、単一置換されていても、
複数置換されていてもよく、また結合部位は、オルト，
パラ，メタいずれでもよい。なお置換基は前記と同じで
ある。また、アリーレン基の置換基同士が結合して、置
換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換
の飽和六員環を形成してもよい。〕で表わされるスチリ
ル化合物を提供すると共に、一般式（II）
は無置換のフェニル基，置換あるいは無置換のナフチル
基，置換あるいは無置換のビフェニル基，置換あるいは
無置換のターフェニル基，置換あるいは無置換のアント
ラリル基，置換あるいは無置換のピレニル基又は置換あ
るいは無置換のペリレニル基である炭素数６〜２０のア
リール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基を示
す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素
数１〜６のアルコキシ基，フェノキシ基又はナフチルオ
キシ基である炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェ
ニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。こ
れらの置換基は単一でも複数でもよい。またＲ1 ，Ｒ2
はそれぞれ同一でも、また互いに異なっていてもよく、
Ｒ1 とＲ2 は置換している基と結合して、置換あるいは
無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員
環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換のフェ
ニレン基，置換あるいは無置換のナフチレン基，置換あ
るいは無置換のビフェニレン基，置換あるいは無置換の
ターフェニレン基，置換あるいは無置換のアントラセン
ジイル基，置換あるいは無置換のピレンジイル基又は置
換あるいは無置換のペリレンジイル基である炭素数６〜
２０のアリーレン基を表わし、単一置換されていても、
複数置換されていてもよく、また結合部位は、オルト，
パラ，メタいずれでもよい。なお置換基は前記と同じで
ある。また、アリーレン基の置換基同士が結合して、置
換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換
の飽和六員環を形成してもよい。〕で表わされるスチリ
ル化合物を提供すると共に、一般式（II）
【０００７】
【化４】
【０００８】〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あ
るいはフェニル基を示し、Ｒ1 及びＲ2 ，Ａｒは前記と
同じである。〕で表わされるホスホン酸エステルを、塩
基の存在化でカップリングさせることを特徴とする上記
スチリル化合物の製造する方法を提供し、さらに、上記
スチリル化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス
素子（有機ＥＬ素子）を提供するものである。
るいはフェニル基を示し、Ｒ1 及びＲ2 ，Ａｒは前記と
同じである。〕で表わされるホスホン酸エステルを、塩
基の存在化でカップリングさせることを特徴とする上記
スチリル化合物の製造する方法を提供し、さらに、上記
スチリル化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス
素子（有機ＥＬ素子）を提供するものである。
【０００９】本発明のスチリル化合物を表した一般式
（Ｉ）中のＲ1 ，Ｒ2 は、前述の如く同一でも異なって
もよく、それぞれ炭素数６〜２０のアリール基（フェニ
ル基，ナフチル基，ビフェニル基，ターフェニル基，ア
ントラリル基，ピレニル基，ペリレニル基），置換ある
いは無置換のシクロヘキシル基を示し、Ａｒは炭素数６
〜２０のアリーレン基（フェニレン基，ナフチレン基，
ビフェニレン基，ターフェニレン基，アントラセンジイ
ル基，ピレンジイル基，ペリレンジイルを示し、単一置
換されていても複数置換されていてもよい。又、オレフ
ィン部位（＝Ｃ＝ＣＨ−）の結合位置はオルト，メタ，
パラ位のいずれでもよい。
（Ｉ）中のＲ1 ，Ｒ2 は、前述の如く同一でも異なって
もよく、それぞれ炭素数６〜２０のアリール基（フェニ
ル基，ナフチル基，ビフェニル基，ターフェニル基，ア
ントラリル基，ピレニル基，ペリレニル基），置換ある
いは無置換のシクロヘキシル基を示し、Ａｒは炭素数６
〜２０のアリーレン基（フェニレン基，ナフチレン基，
ビフェニレン基，ターフェニレン基，アントラセンジイ
ル基，ピレンジイル基，ペリレンジイルを示し、単一置
換されていても複数置換されていてもよい。又、オレフ
ィン部位（＝Ｃ＝ＣＨ−）の結合位置はオルト，メタ，
パラ位のいずれでもよい。
【００１０】置換基としては、炭素数１〜６のアルキル
基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピ
ル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル基，
tert−ブチル基，イソペンチル基，t-ペンチル基，ネオ
ペンチル基，イソヘキシル基），炭素数１〜６のアルコ
キシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ｉ−
プロポキシ基，ブチルオキシ基，ｉ−ブチルオキシ基，
sec −ブチルオキシ基，ｔ−ブチルオキシ基，イソペン
チルオキシ基，ｔ−ペンチルオキシ基），アリールオキ
シ基（フェノキシ基，ナフチルオキシ基等）フェニル
基，ニトロ基，ハロゲンであり、単一置換でも複数置換
されていてもよい。前記一般式（Ｉ）で表わされるスチ
リル化合物は、１分子中に１つの（−ＣＨ＝ＣＨ−）単
位と２つの（＝Ｃ＝ＣＨ−）単位を有し、この部位の幾
何異性によって、大きく別けてシス体，トランス体の組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。この一般式（Ｉ）で表わされるスチリル化合物
の具体例としては、以下の化学式（１）〜（１９）等が
挙げられる。
基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピ
ル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル基，
tert−ブチル基，イソペンチル基，t-ペンチル基，ネオ
ペンチル基，イソヘキシル基），炭素数１〜６のアルコ
キシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ｉ−
プロポキシ基，ブチルオキシ基，ｉ−ブチルオキシ基，
sec −ブチルオキシ基，ｔ−ブチルオキシ基，イソペン
チルオキシ基，ｔ−ペンチルオキシ基），アリールオキ
シ基（フェノキシ基，ナフチルオキシ基等）フェニル
基，ニトロ基，ハロゲンであり、単一置換でも複数置換
されていてもよい。前記一般式（Ｉ）で表わされるスチ
リル化合物は、１分子中に１つの（−ＣＨ＝ＣＨ−）単
位と２つの（＝Ｃ＝ＣＨ−）単位を有し、この部位の幾
何異性によって、大きく別けてシス体，トランス体の組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。この一般式（Ｉ）で表わされるスチリル化合物
の具体例としては、以下の化学式（１）〜（１９）等が
挙げられる。
【００１１】
【化５】
【００１２】
【化６】
【００１３】
【化７】
【００１４】
【化８】
【００１５】
【化９】
【００１６】
【化１０】
【００１７】
【化１１】
【００１８】
【化１２】
【００１９】
【化１３】
【００２０】
【化１４】
【００２１】
【化１５】
【００２２】
【化１６】
【００２３】
【化１７】
【００２４】
【化１８】
【００２５】
【化１９】
【００２６】
【化２０】
【００２７】
【化２１】
【００２８】
【化２２】
【００２９】
【化２３】
【００３０】本発明の上記スチリル化合物は、種々の方
法にて製造することができるが、以下の方法によれば効
率よく製造することができる。先ず、一般式（II）の化
合物を公知の方法で合成する（Arbusow-Michaelis 反
応）。例えば、一般式
法にて製造することができるが、以下の方法によれば効
率よく製造することができる。先ず、一般式（II）の化
合物を公知の方法で合成する（Arbusow-Michaelis 反
応）。例えば、一般式
【００３１】
【化２４】
【００３２】（式中、Ｘはハロゲンを示し、Ｒ1 ，
Ｒ2，Ａｒは前記と同じである。）で表される芳香族ハ
ロメチル化合物と、一般式 （ＲＯ）3 Ｐ （式中、Ｒは前記と同じである。）で表される亜リン酸
トリアルキルあるいは亜リン酸トリフェニルを反応させ
ることにより一般式（II）の化合物を得ることができ
る。このようにして得られた化合物を、塩基（縮合剤）
存在下でホモカップリングさせることにより上記スチリ
ル化合物を得ることができる。ここで用いる反応溶媒と
しては、炭化水素，アルコール類，エーテル類が好まし
い。具体的には、メタノール；エタノール；イソプロパ
ノール；ブタノール；２−メトキシエタノール；１，２
−ジメトキシエタン；ビス（２−メトキシエチル）エー
テル；ジオキサン；テトラヒドロフラン；トルエン；キ
シレン；ジメチルスルホキシド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド；Ｎ−メチルピロリドン；１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノンなどが挙げられる。中でもテトラ
ヒドロフラン，ジメチルスルホキシドが好適である。ま
た、縮合剤としては苛性ソーダ，苛性カリ，ナトリウム
アミド，水素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナト
リウムメチラート及びカリウム−ｔ−ブトキシド等のア
ルコラートが、好ましく、特に好ましくはｎ−ブチルリ
チウム，カリウム−ｔ−ブトキシドである。反応温度
は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一
義的に定めることはできないが、通常は室温〜約１００
℃まで広範囲に選択することができる。特に好ましくは
４０℃〜７０℃の範囲である。
Ｒ2，Ａｒは前記と同じである。）で表される芳香族ハ
ロメチル化合物と、一般式 （ＲＯ）3 Ｐ （式中、Ｒは前記と同じである。）で表される亜リン酸
トリアルキルあるいは亜リン酸トリフェニルを反応させ
ることにより一般式（II）の化合物を得ることができ
る。このようにして得られた化合物を、塩基（縮合剤）
存在下でホモカップリングさせることにより上記スチリ
ル化合物を得ることができる。ここで用いる反応溶媒と
しては、炭化水素，アルコール類，エーテル類が好まし
い。具体的には、メタノール；エタノール；イソプロパ
ノール；ブタノール；２−メトキシエタノール；１，２
−ジメトキシエタン；ビス（２−メトキシエチル）エー
テル；ジオキサン；テトラヒドロフラン；トルエン；キ
シレン；ジメチルスルホキシド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド；Ｎ−メチルピロリドン；１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノンなどが挙げられる。中でもテトラ
ヒドロフラン，ジメチルスルホキシドが好適である。ま
た、縮合剤としては苛性ソーダ，苛性カリ，ナトリウム
アミド，水素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナト
リウムメチラート及びカリウム−ｔ−ブトキシド等のア
ルコラートが、好ましく、特に好ましくはｎ−ブチルリ
チウム，カリウム−ｔ−ブトキシドである。反応温度
は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一
義的に定めることはできないが、通常は室温〜約１００
℃まで広範囲に選択することができる。特に好ましくは
４０℃〜７０℃の範囲である。
【００３３】このようにして得られる本発明のスチリル
化合物は、低電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子の材
料として有効に利用できるものである。この本発明のス
チリル化合物は、ＥＬ素子の発光層として不可欠な電子
注入機能，電子輸送機能及び発光機能を兼備し、しかも
耐熱性，薄膜性にすぐれている。さらに、このスチリル
化合物は、蒸着温度まで加熱しても、分解や変質するこ
となく、均一な微結晶粒からなる緻密な膜が形成できる
上、ピンホールが生成しないという長所がある。すでに
述べたように、本発明の前記一般式（Ｉ）で表されるス
チリル化合物は、ＥＬ素子における発光層として有効で
ある。この発光層は、例えば蒸着法，スピンコート法，
キャスト法などの公知の方法によって、一般式（Ｉ）の
化合物を薄膜化してことにより形成することができる
が、特に分子堆積膜とすることが好ましい。ここで分子
堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成され
た薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化
され形成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示
すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄
膜（分子累積膜）とは区別することができる。また、該
発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公報などに開示
されているように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、
溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法
などにより薄膜化し、形成することができる。このよう
にして形成された発光層の薄膜については特に制限はな
く、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常５ｎｍ
ないし５μｍの範囲で選定される。このＥＬ素子におけ
る発光層は、（１）電界印加時に、陽極又は正孔注入層
により正孔を注入することができ、かつ陰極又は電子注
入層より電子を注入することができる注入機能、（２）
注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸
送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を発光層内部に
提供し、これを発光につなげる発光機能などを有してい
る。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されや
すさに違いがあってもよいし、正孔と電子の移動度で表
わされる輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。この発光層に用いる
前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、一般にイオン
化エネルギーが6.０ｅＶ程度より小さいので、適当な陽
極金属又は陽極化合物を選べば、比較的正孔を注入しや
すい。また電子親和力は2.８ｅＶ程度より大きいので、
適当な陰極金属又は陰極化合物を選べば、比較的電子を
注入しやすい上、電子，正孔の輸送能力も優れている。
さらに固体状態の蛍光性が強いため、該化合物やその会
合体又は結晶などの電子と正孔の再結晶時に形成された
励起状態を光に変換する能力が大きい。
化合物は、低電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子の材
料として有効に利用できるものである。この本発明のス
チリル化合物は、ＥＬ素子の発光層として不可欠な電子
注入機能，電子輸送機能及び発光機能を兼備し、しかも
耐熱性，薄膜性にすぐれている。さらに、このスチリル
化合物は、蒸着温度まで加熱しても、分解や変質するこ
となく、均一な微結晶粒からなる緻密な膜が形成できる
上、ピンホールが生成しないという長所がある。すでに
述べたように、本発明の前記一般式（Ｉ）で表されるス
チリル化合物は、ＥＬ素子における発光層として有効で
ある。この発光層は、例えば蒸着法，スピンコート法，
キャスト法などの公知の方法によって、一般式（Ｉ）の
化合物を薄膜化してことにより形成することができる
が、特に分子堆積膜とすることが好ましい。ここで分子
堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成され
た薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化
され形成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示
すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄
膜（分子累積膜）とは区別することができる。また、該
発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公報などに開示
されているように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、
溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法
などにより薄膜化し、形成することができる。このよう
にして形成された発光層の薄膜については特に制限はな
く、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常５ｎｍ
ないし５μｍの範囲で選定される。このＥＬ素子におけ
る発光層は、（１）電界印加時に、陽極又は正孔注入層
により正孔を注入することができ、かつ陰極又は電子注
入層より電子を注入することができる注入機能、（２）
注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸
送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を発光層内部に
提供し、これを発光につなげる発光機能などを有してい
る。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されや
すさに違いがあってもよいし、正孔と電子の移動度で表
わされる輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。この発光層に用いる
前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、一般にイオン
化エネルギーが6.０ｅＶ程度より小さいので、適当な陽
極金属又は陽極化合物を選べば、比較的正孔を注入しや
すい。また電子親和力は2.８ｅＶ程度より大きいので、
適当な陰極金属又は陰極化合物を選べば、比較的電子を
注入しやすい上、電子，正孔の輸送能力も優れている。
さらに固体状態の蛍光性が強いため、該化合物やその会
合体又は結晶などの電子と正孔の再結晶時に形成された
励起状態を光に変換する能力が大きい。
【００３４】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極（陽
極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。介在の方法として、ポリマーへのまぜ込みや同
時蒸着がある。具体的には（１）陽極／発光層／陰極，
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極，（３）陽極／
正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極などの構成を挙
げることができる。該正孔注入層や電子注入層は、必ず
しも必要ではないが、これらの層があると発光性能が一
段と向上する。また、前記構成の素子においては、いず
れも基板に支持されていることが好ましく、該基板につ
いては特に制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されている
もの、例えばガラス，透明プラスチック，石英などから
成るものを用いることができる。このＥＬ素子における
陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，
合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質
とするものが好ましく用いられる。このような電極物質
の具体例としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，Ｓ
ｎＯ2 ，ＺｎＯなどの誘電性透明材料が挙げられる。該
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなど
の方法により、薄膜を形成させることにより作製するこ
とができる。この電極より発光を取り出す場合には、透
過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、電
極としてのシート抵抗は数百Ω／mm以下が好ましい。さ
らに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍないし１μ
ｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極（陽
極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。介在の方法として、ポリマーへのまぜ込みや同
時蒸着がある。具体的には（１）陽極／発光層／陰極，
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極，（３）陽極／
正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極などの構成を挙
げることができる。該正孔注入層や電子注入層は、必ず
しも必要ではないが、これらの層があると発光性能が一
段と向上する。また、前記構成の素子においては、いず
れも基板に支持されていることが好ましく、該基板につ
いては特に制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されている
もの、例えばガラス，透明プラスチック，石英などから
成るものを用いることができる。このＥＬ素子における
陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，
合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質
とするものが好ましく用いられる。このような電極物質
の具体例としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，Ｓ
ｎＯ2 ，ＺｎＯなどの誘電性透明材料が挙げられる。該
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなど
の方法により、薄膜を形成させることにより作製するこ
とができる。この電極より発光を取り出す場合には、透
過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、電
極としてのシート抵抗は数百Ω／mm以下が好ましい。さ
らに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍないし１μ
ｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００３５】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ2 ，インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／mm以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ2 ，インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／mm以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
【００３６】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注
入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。前記
正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を与え
られた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注入さ
れた場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合物で
あって、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／cmの電界印加時に、
少なくとも１０-6 cm2／Ｖ・秒の正孔移動度をもつもの
が好適である。このような正孔伝達化合物については、
前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はな
く、従来、光導電材料において、正孔の電荷輸送材とし
て慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層に使用さ
れる公知のものの中から任意のものを選択して用いるこ
とができる。
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注
入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。前記
正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を与え
られた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注入さ
れた場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合物で
あって、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／cmの電界印加時に、
少なくとも１０-6 cm2／Ｖ・秒の正孔移動度をもつもの
が好適である。このような正孔伝達化合物については、
前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はな
く、従来、光導電材料において、正孔の電荷輸送材とし
て慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層に使用さ
れる公知のものの中から任意のものを選択して用いるこ
とができる。
【００３７】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明細書などに記
載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第３,1
８９,4４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール
誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３,6１
５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明細書，同３,5
４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５
１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報などに記載のも
の）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特
許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４6 号明細
書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６
５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１
０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８
８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−
１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報などに
記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第
３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１０５号公
報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公
報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５
３６号公報，同５４−１１９９２５号公報などに記載の
もの）、アリールアミン誘導体（米国特許第３,5６７,4
５0 号明細書，同３,1８０,7０3 号明細書，同３,2４
０,5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細書，同４,2
３２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明細書，同
４,0１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公
報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２
５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２
２４３７号公報，西独特許第１,1１０,5１8 号明細書な
どに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特
許第３,5２６,5０1 号明細書などに記載のもの）、オキ
サゾール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3 号明細書な
どに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開
昭５６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオ
レノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに
記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３,7１
７,4６2 号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同
５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，
同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公
報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９
号公報などに記載されているもの）、スチルベル誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４
５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２
２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３
６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−
３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０
−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同
６０−１７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。
ル誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明細書などに記
載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第３,1
８９,4４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール
誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３,6１
５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明細書，同３,5
４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５
１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報などに記載のも
の）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特
許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４6 号明細
書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６
５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１
０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８
８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−
１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報などに
記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第
３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１０５号公
報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公
報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５
３６号公報，同５４−１１９９２５号公報などに記載の
もの）、アリールアミン誘導体（米国特許第３,5６７,4
５0 号明細書，同３,1８０,7０3 号明細書，同３,2４
０,5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細書，同４,2
３２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明細書，同
４,0１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公
報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２
５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２
２４３７号公報，西独特許第１,1１０,5１8 号明細書な
どに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特
許第３,5２６,5０1 号明細書などに記載のもの）、オキ
サゾール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3 号明細書な
どに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開
昭５６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオ
レノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに
記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３,7１
７,4６2 号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同
５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，
同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公
報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９
号公報などに記載されているもの）、スチルベル誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４
５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２
２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３
６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−
３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０
−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同
６０−１７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。
【００３８】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。
【００３９】該ポリフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン；１，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）；１，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラフェニル−
４，４' −ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ' −ジフェニル
−Ｎ，Ｎ' −ジ（３−メチルフェニル）−４，４' −ジ
アミノビフェニル；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ
−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，
Ｎ',Ｎ' −テトラ−ｐ−トリル−４，４' −ジアミノビ
フェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフ
ェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジ
メチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメ
タン；Ｎ，Ｎ' −ジフェニル−Ｎ，Ｎ' −ジ（４−メト
キシフェニル）−４，４' −ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラフェニル−４，４' −ジアミノジ
フェニルエーテル；４，４' −ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミン）−４' −
〔４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリル〕スチルベン；
４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニ
ル）ベンゼン；３−メトキシ−４' −Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。
ポルフィリン；１，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）；１，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラフェニル−
４，４' −ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ' −ジフェニル
−Ｎ，Ｎ' −ジ（３−メチルフェニル）−４，４' −ジ
アミノビフェニル；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ
−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，
Ｎ',Ｎ' −テトラ−ｐ−トリル−４，４' −ジアミノビ
フェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフ
ェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジ
メチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメ
タン；Ｎ，Ｎ' −ジフェニル−Ｎ，Ｎ' −ジ（４−メト
キシフェニル）−４，４' −ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラフェニル−４，４' −ジアミノジ
フェニルエーテル；４，４' −ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミン）−４' −
〔４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリル〕スチルベン；
４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニ
ル）ベンゼン；３−メトキシ−４' −Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。
【００４０】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、
【００４１】
【化２５】
【００４２】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、
【００４３】
【化２６】
【００４４】などのチオピランジオキシド誘導体，
【００４５】
【化２７】
【００４６】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント(Polymer Preprints ），ジャパン」
第３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）など
に記載のもの〕、あるいは
ー・プレプリント(Polymer Preprints ），ジャパン」
第３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）など
に記載のもの〕、あるいは
【００４７】
【化２８】
【００４８】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（J.Apply.Phys. ）」第２７巻，
第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号
公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５１５
１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−１０
４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリデン
メタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１
−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報な
どに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１−２
２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報などに
記載のもの）などを挙げることができる。
ライド・フィジックス（J.Apply.Phys. ）」第２７巻，
第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号
公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５１５
１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−１０
４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリデン
メタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１
−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報な
どに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１−２
２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報などに
記載のもの）などを挙げることができる。
【００４９】また、次の一般式（III)及び（IV）
【００５０】
【化２９】
【００５１】（式中、Ａｒ1 〜Ａｒ3 及びＡｒ5 はそれ
ぞれ独立にアリール基を示し、Ａｒ4 はアリーレン基を
示す。これらのアリール基及びアリーレン基は置換され
ていても、置換されていなくてもよい。）で表される化
合物を挙げることができる。ここで、アリール基として
は、フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラ
ニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としては、フェニレン基，ナフチレン基，ビフ
ェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン基，ピ
レニレン基等が挙げられる。また、置換基としては、炭
素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキ
シ基又はシアノ基等が挙げられる。この一般式（III)及
び（IV）で表される化合物は、薄膜形成性のものが好ま
しい。この一般式（III)及び（IV）で表される化合物の
具体例としては、
ぞれ独立にアリール基を示し、Ａｒ4 はアリーレン基を
示す。これらのアリール基及びアリーレン基は置換され
ていても、置換されていなくてもよい。）で表される化
合物を挙げることができる。ここで、アリール基として
は、フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラ
ニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としては、フェニレン基，ナフチレン基，ビフ
ェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン基，ピ
レニレン基等が挙げられる。また、置換基としては、炭
素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキ
シ基又はシアノ基等が挙げられる。この一般式（III)及
び（IV）で表される化合物は、薄膜形成性のものが好ま
しい。この一般式（III)及び（IV）で表される化合物の
具体例としては、
【００５２】
【化３０】
【００５３】
【化３１】
【００５４】
【化３２】
【００５５】等が挙げられる。なお、正孔注入層及び電
子注入層は電子の注入性，輸送性，障害性のいずれかを
有する層であり、上記した有機材料の他にＳｉ系，Ｓｉ
Ｃ系，ＣｄＳ系等の結晶性ないし非結晶性材料を用いる
こともできる。有機材料を用いた正孔注入層及び電子注
入層は同様にして形成することができ、無機材料を用い
た正孔注入層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリ
ング等によりできるが、有機または無機のいずれの材料
を用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸
着法により形成することが好ましい。
子注入層は電子の注入性，輸送性，障害性のいずれかを
有する層であり、上記した有機材料の他にＳｉ系，Ｓｉ
Ｃ系，ＣｄＳ系等の結晶性ないし非結晶性材料を用いる
こともできる。有機材料を用いた正孔注入層及び電子注
入層は同様にして形成することができ、無機材料を用い
た正孔注入層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリ
ング等によりできるが、有機または無機のいずれの材料
を用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸
着法により形成することが好ましい。
【００５６】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式（Ｉ）で表わされる化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法，キャスト法，蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類，分子
堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１
０-5〜１０-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜５０ｎｍ／sec ，
基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５μｍ
の範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の形
成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるよ
うに、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得
られる。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製順
序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に作製すること
も可能である。
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式（Ｉ）で表わされる化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法，キャスト法，蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類，分子
堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１
０-5〜１０-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜５０ｎｍ／sec ，
基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５μｍ
の範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の形
成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるよ
うに、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得
られる。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製順
序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に作製すること
も可能である。
【００５７】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件
は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよ
い。次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光
層，正孔注入層，陽極の順に作製することも可能であ
る。また、一対の電極間に正孔注入材料，発光材料，電
子注入材料を混合させた形で電極間に挟持させ発光層と
した、陽極／発光層／陰極からなる素子の場合の作製方
法としては、例えば適当な基板の上に、陽極用物質から
なる薄膜を形成し、正孔注入材料，発光材料，電子注入
材料，ポリビニルカルバゾール等の結着剤等からなる溶
液を塗布するか、又はこの溶液から浸漬塗工法により薄
膜を形成させ発光層とし、その上に陰極用物質からなる
薄膜を形成させるものがある。ここで、作製した発光層
上に、さらに発光層の材料となる素子材料を真空蒸着
し、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよ
い。あるいは、正孔注入材料や電子注入材料とを同時蒸
着させ発光層とし、その上に陰極用物質からなる薄膜を
形成させてもよい。
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件
は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよ
い。次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光
層，正孔注入層，陽極の順に作製することも可能であ
る。また、一対の電極間に正孔注入材料，発光材料，電
子注入材料を混合させた形で電極間に挟持させ発光層と
した、陽極／発光層／陰極からなる素子の場合の作製方
法としては、例えば適当な基板の上に、陽極用物質から
なる薄膜を形成し、正孔注入材料，発光材料，電子注入
材料，ポリビニルカルバゾール等の結着剤等からなる溶
液を塗布するか、又はこの溶液から浸漬塗工法により薄
膜を形成させ発光層とし、その上に陰極用物質からなる
薄膜を形成させるものがある。ここで、作製した発光層
上に、さらに発光層の材料となる素子材料を真空蒸着
し、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよ
い。あるいは、正孔注入材料や電子注入材料とを同時蒸
着させ発光層とし、その上に陰極用物質からなる薄膜を
形成させてもよい。
【００５８】さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子
注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にし
て、陽極，正孔注入層，発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けるこ
とにより、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ
素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，電
子注入層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製しても
よい。このようにして得られたＥＬ素子に、直流電圧を
印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性として電
圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又は半透明
の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が＋，陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にし
て、陽極，正孔注入層，発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けるこ
とにより、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ
素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，電
子注入層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製しても
よい。このようにして得られたＥＬ素子に、直流電圧を
印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性として電
圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又は半透明
の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が＋，陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
【００５９】次に、該ＥＬ素子の発光メカニズムについ
て、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合
を例に挙げて説明する。前記陽極を＋、陰極を−の極性
として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入層内に電
界により注入される。この注入された正孔は、該正孔注
入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送され、この界
面から発光機能が発現される領域（例えば発光層）に注
入又は輸送される。一方、電子は、陰極から発光層内に
電界により注入され、さらに輸送され、正孔のいる領
域、すなわち、発光機能が発現される領域で正孔と再結
合する（この意味で、前記領域は再結合領域といっても
よい）。この再結合が行われると、分子、その会合体又
は結晶などの励起状態が形成され、これが光に変換され
る。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層と発光層との
界面でもよいし、発光層と陰極との界面でもよく、ある
いは両界面より離れた発光層中央部であってもよい。こ
れは使用する化合物の種類、その会合や結晶構造により
変わる。
て、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合
を例に挙げて説明する。前記陽極を＋、陰極を−の極性
として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入層内に電
界により注入される。この注入された正孔は、該正孔注
入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送され、この界
面から発光機能が発現される領域（例えば発光層）に注
入又は輸送される。一方、電子は、陰極から発光層内に
電界により注入され、さらに輸送され、正孔のいる領
域、すなわち、発光機能が発現される領域で正孔と再結
合する（この意味で、前記領域は再結合領域といっても
よい）。この再結合が行われると、分子、その会合体又
は結晶などの励起状態が形成され、これが光に変換され
る。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層と発光層との
界面でもよいし、発光層と陰極との界面でもよく、ある
いは両界面より離れた発光層中央部であってもよい。こ
れは使用する化合物の種類、その会合や結晶構造により
変わる。
【００６０】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。 実施例１ Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネート（分子
量Ｍｗ：３０2.３）５１ｇ（0.１６８モル）を、アルゴ
ンガス気流下、無水テトラヒドロフラン２００ミリリッ
トルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド１9.０ｇ（0.
１６９モル）を加えた。溶液は、ただちに黄色を呈し
た。その後、室温にてｐ−トルアルデヒド２1.０ｇ（0.
１７４モル）を１時間かけて滴下した。５０℃で５時間
加熱攪拌を行った後、メタノール１００ミリリットル，
水１００ミリリットルを加え、有機層を分取した。水層
はＣＨ2 Ｃｌ2 （１００ミリリットル）で１回抽出し、
有機層を合わせ、濃縮乾燥した。これをシリカゲルカラ
ムで精製し、３4.０４ｇの淡黄色粉末である式（Ａ）の
化合物を得た（収率７４％）。
する。 実施例１ Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネート（分子
量Ｍｗ：３０2.３）５１ｇ（0.１６８モル）を、アルゴ
ンガス気流下、無水テトラヒドロフラン２００ミリリッ
トルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド１9.０ｇ（0.
１６９モル）を加えた。溶液は、ただちに黄色を呈し
た。その後、室温にてｐ−トルアルデヒド２1.０ｇ（0.
１７４モル）を１時間かけて滴下した。５０℃で５時間
加熱攪拌を行った後、メタノール１００ミリリットル，
水１００ミリリットルを加え、有機層を分取した。水層
はＣＨ2 Ｃｌ2 （１００ミリリットル）で１回抽出し、
有機層を合わせ、濃縮乾燥した。これをシリカゲルカラ
ムで精製し、３4.０４ｇの淡黄色粉末である式（Ａ）の
化合物を得た（収率７４％）。
【００６１】
【化３３】
【００６２】上記式（Ａ）の化合物２5.０ｇ（0.０９１
７モル）とＮ−ブロモこはく酸イミド１6.０ｇ（0.０９
モル）と過酸化ベンゾイル1.６ｇ（0.００６モル）を四
塩化炭素２００ミリリットルに懸濁し、強力な攪拌下に
加熱した。外温１００℃で泡立てながら反応し、６時間
還流攪拌を行った。生成した白色沈澱を濾取し、メタノ
ールで洗浄し２1.６ｇの淡黄色粉末である式（Ｂ）の化
合物を得た（Ｍｗ：３４9.２７，収率６７％）。
７モル）とＮ−ブロモこはく酸イミド１6.０ｇ（0.０９
モル）と過酸化ベンゾイル1.６ｇ（0.００６モル）を四
塩化炭素２００ミリリットルに懸濁し、強力な攪拌下に
加熱した。外温１００℃で泡立てながら反応し、６時間
還流攪拌を行った。生成した白色沈澱を濾取し、メタノ
ールで洗浄し２1.６ｇの淡黄色粉末である式（Ｂ）の化
合物を得た（Ｍｗ：３４9.２７，収率６７％）。
【００６３】
【化３４】
【００６４】上記式（Ｂ）の化合物２8.５ｇ（0.０８１
５モル）と亜リン酸トリエチル３5.０ｇ（0.２１１モ
ル）をアルゴンガス雰囲気下，外温１２０℃で５時間加
熱攪拌した。一晩放置後、過剰の亜リン酸トリエチルを
減圧留去すると、３2.０ｇのペースト状物である式
（Ｃ）の化合物を得た（Ｍｗ：４０6.４６，収率９７
％）。
５モル）と亜リン酸トリエチル３5.０ｇ（0.２１１モ
ル）をアルゴンガス雰囲気下，外温１２０℃で５時間加
熱攪拌した。一晩放置後、過剰の亜リン酸トリエチルを
減圧留去すると、３2.０ｇのペースト状物である式
（Ｃ）の化合物を得た（Ｍｗ：４０6.４６，収率９７
％）。
【００６５】
【化３５】
【００６６】上記式（Ｃ）の化合物1.０ｇ（0.００２５
モル）とアルゴンガス気流下、ジメチルスルホキシド５
０ミリリットルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド0.
３ｇ（0.００２７モル）を加えた。溶液は直ちに赤褐色
を呈した。内温４０〜５０℃にて６時間加熱攪拌した
後、得られた黄色沈澱にメタノール５０ミリリットル，
水５０ミリリットルを加え、濾取した。これをシリカゲ
ルカラム（溶媒：ＣＨ2 Ｃｌ2 ）にて精製し、0.３ｇの
黄色粉末を得た（Ｍｗ：５３6.７２，収率２２％）。得
られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であった。ま
た、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テ
トラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣｌ 3 ），マ
ススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢ
ｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３２Ｈ，芳香環，=C=CH-,-
CH=CH-） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝５３６ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.１２％（９3.９９％） Ｈ： 5.９７％（6.０１％） 組成式 Ｃ42Ｈ32 ＩＲ νc=c １６００ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス体であることを示
す。） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１）で表される化合物であることを確認した。
モル）とアルゴンガス気流下、ジメチルスルホキシド５
０ミリリットルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド0.
３ｇ（0.００２７モル）を加えた。溶液は直ちに赤褐色
を呈した。内温４０〜５０℃にて６時間加熱攪拌した
後、得られた黄色沈澱にメタノール５０ミリリットル，
水５０ミリリットルを加え、濾取した。これをシリカゲ
ルカラム（溶媒：ＣＨ2 Ｃｌ2 ）にて精製し、0.３ｇの
黄色粉末を得た（Ｍｗ：５３6.７２，収率２２％）。得
られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であった。ま
た、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テ
トラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣｌ 3 ），マ
ススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢ
ｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３２Ｈ，芳香環，=C=CH-,-
CH=CH-） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝５３６ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.１２％（９3.９９％） Ｈ： 5.９７％（6.０１％） 組成式 Ｃ42Ｈ32 ＩＲ νc=c １６００ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス体であることを示
す。） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１）で表される化合物であることを確認した。
【００６７】実施例２ Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネート（Ｍ
ｗ：３０2.３）１1.２ｇ（0.０３７モル）と４−メチル
−４’−ホルミルビフェミル7.２ｇ（0.０３６モル）
を、アルゴンガス気流下、無水ジメチルスルホキシド２
００ミリリットルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド
4.１ｇ（0.０３６モル）を加えた。その後、室温にて６
時間加熱攪拌を行った後、メタノール２００ミリリット
ルを加え、析出した白色粉末8.０ｇ（収率６４％）を得
た。得られた黄色粉末の融点は、１２８〜１２９℃であ
った。また、 1Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：
ＣＤＣｌ3 ）の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.４ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環，-CH=C=） δ＝2.３ｐｐｍ（ｓ；３Ｈ，-CH3） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｄ）
ｗ：３０2.３）１1.２ｇ（0.０３７モル）と４−メチル
−４’−ホルミルビフェミル7.２ｇ（0.０３６モル）
を、アルゴンガス気流下、無水ジメチルスルホキシド２
００ミリリットルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド
4.１ｇ（0.０３６モル）を加えた。その後、室温にて６
時間加熱攪拌を行った後、メタノール２００ミリリット
ルを加え、析出した白色粉末8.０ｇ（収率６４％）を得
た。得られた黄色粉末の融点は、１２８〜１２９℃であ
った。また、 1Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：
ＣＤＣｌ3 ）の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.４ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環，-CH=C=） δ＝2.３ｐｐｍ（ｓ；３Ｈ，-CH3） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｄ）
【００６８】
【化３６】
【００６９】で表される化合物であることを確認した。
上記式（Ｄ）の化合物6.５ｇ（0.０１８モル）とＮ−ブ
ロモこはく酸イミド3.５ｇ（0.０１９モル）と過酸化ベ
ンゾイル0.７ｇ（0.００ モル）を四塩化炭素１５０ミ
リリットルに懸濁し、強力な攪拌下に加熱した。外温１
００℃で泡立てながら反応し、４時間還流攪拌を行った
後、溶媒を留去し黄色粉末１０ｇを得た。これをシリカ
ゲルカラム（溶媒：ＣＨ2 Ｃｌ2 ）にて精製し、5.３ｇ
の白色粉末を得た（収率７０％）。得られた黄色粉末の
融点は、１２7.０〜１２8.０℃以上であった。また、 1
Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ3 ）の
測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝7.６〜6.９ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環，-CH=C=） δ＝4.５ｐｐｍ（ｓ；２Ｈ，-CH2Ｂｒ） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｅ）
上記式（Ｄ）の化合物6.５ｇ（0.０１８モル）とＮ−ブ
ロモこはく酸イミド3.５ｇ（0.０１９モル）と過酸化ベ
ンゾイル0.７ｇ（0.００ モル）を四塩化炭素１５０ミ
リリットルに懸濁し、強力な攪拌下に加熱した。外温１
００℃で泡立てながら反応し、４時間還流攪拌を行った
後、溶媒を留去し黄色粉末１０ｇを得た。これをシリカ
ゲルカラム（溶媒：ＣＨ2 Ｃｌ2 ）にて精製し、5.３ｇ
の白色粉末を得た（収率７０％）。得られた黄色粉末の
融点は、１２7.０〜１２8.０℃以上であった。また、 1
Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ3 ）の
測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝7.６〜6.９ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環，-CH=C=） δ＝4.５ｐｐｍ（ｓ；２Ｈ，-CH2Ｂｒ） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｅ）
【００７０】
【化３７】
【００７１】で表される化合物であることを確認した。
上記式（Ｅ）の化合物5.３ｇ（0.０１２５モル）と亜リ
ン酸トリエチル１3.０ｇ（0.０７９モル）をアルゴンガ
ス雰囲気下，外温１１０℃で６時間加熱攪拌した。一晩
放置後、過剰の亜リン酸トリエチルを減圧留去すると、
黄色のペースト状物である化合物を得た。このペースト
をシリカゲルカラム（溶媒：１回目は塩化メチレン，２
回目は塩化メチレンとアセトン（容量比１：１）で精製
を行い、淡黄色粉末6.０ｇ（定量的）を得た。得られた
淡黄色粉末の融点は、６２〜６４℃以上であった。ま
た、 1Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ
3 ）の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝7.０〜7.４ｐｐｍ（ｍ；１８Ｈ，芳香環） δ＝6.９ｐｐｍ（ｓ；１Ｈ，-CH=C=） δ＝4.０ｐｐｍ（ｑ；４Ｈ，-CH2- ） δ＝3.１ｐｐｍ（ｄ；２Ｈ，-CH2-P ,J=16Hz） δ＝1.３ｐｐｍ（ｔ；６Ｈ，-CH3） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｆ）
上記式（Ｅ）の化合物5.３ｇ（0.０１２５モル）と亜リ
ン酸トリエチル１3.０ｇ（0.０７９モル）をアルゴンガ
ス雰囲気下，外温１１０℃で６時間加熱攪拌した。一晩
放置後、過剰の亜リン酸トリエチルを減圧留去すると、
黄色のペースト状物である化合物を得た。このペースト
をシリカゲルカラム（溶媒：１回目は塩化メチレン，２
回目は塩化メチレンとアセトン（容量比１：１）で精製
を行い、淡黄色粉末6.０ｇ（定量的）を得た。得られた
淡黄色粉末の融点は、６２〜６４℃以上であった。ま
た、 1Ｈ−ＮＭＲ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ
3 ）の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝7.０〜7.４ｐｐｍ（ｍ；１８Ｈ，芳香環） δ＝6.９ｐｐｍ（ｓ；１Ｈ，-CH=C=） δ＝4.０ｐｐｍ（ｑ；４Ｈ，-CH2- ） δ＝3.１ｐｐｍ（ｄ；２Ｈ，-CH2-P ,J=16Hz） δ＝1.３ｐｐｍ（ｔ；６Ｈ，-CH3） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、式（Ｆ）
【００７２】
【化３８】
【００７３】で表される化合物であることを確認した。
上記式（Ｆ）の化合物1.０ｇ（0.００２１モル）とアル
ゴンガス気流下、ジメチルスルホキシド５０ミリリット
ルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド0.３ｇ（0.００
２７モル）を加えた。溶液は直ちに赤橙褐色を呈した。
内温５０〜６０℃にて６時間加熱攪拌した後、得られた
黄色沈澱にメタノール５０ミリリットル，水５０ミリリ
ットルを加え、濾取した。これをシリカゲルカラム（溶
媒：ＣＨ 2 Ｃｌ2 ）にて精製し、0.３ｇの黄色粉末を得
た（Ｍｗ：６８8.９１，収率３５％）。得られた黄色粉
末の融点は、３００℃以上であった。また、 1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ3 ），マススペ
クトル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤
法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.５ｐｐｍ（ｍ；４０Ｈ，芳香環，=C=CH-,-
CH=CH-） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝６８８ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.３２％（９4.１５％） Ｈ： 5.８９％（5.８５％） 組成式 Ｃ54Ｈ40 ＩＲ νc=c １６００ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス体であることを示
す。） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（２）で表される化合物であることを確認した。
上記式（Ｆ）の化合物1.０ｇ（0.００２１モル）とアル
ゴンガス気流下、ジメチルスルホキシド５０ミリリット
ルに溶解させカリウム−ｔ−ブトキシド0.３ｇ（0.００
２７モル）を加えた。溶液は直ちに赤橙褐色を呈した。
内温５０〜６０℃にて６時間加熱攪拌した後、得られた
黄色沈澱にメタノール５０ミリリットル，水５０ミリリ
ットルを加え、濾取した。これをシリカゲルカラム（溶
媒：ＣＨ 2 Ｃｌ2 ）にて精製し、0.３ｇの黄色粉末を得
た（Ｍｗ：６８8.９１，収率３５％）。得られた黄色粉
末の融点は、３００℃以上であった。また、 1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（標準試薬：ＴＭＳ，溶媒：ＣＤＣｌ3 ），マススペ
クトル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤
法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.８〜7.５ｐｐｍ（ｍ；４０Ｈ，芳香環，=C=CH-,-
CH=CH-） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝６８８ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.３２％（９4.１５％） Ｈ： 5.８９％（5.８５％） 組成式 Ｃ54Ｈ40 ＩＲ νc=c １６００ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス体であることを示
す。） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（２）で表される化合物であることを確認した。
【００７４】実施例３ ４−メチル−４’−ホルミルビフェミルの代わりに３，
３’−ジメトキシ−４−メチル−４’−ホルミルビフェ
ミルを用いた以外は、実施例２と同様の操作を行い、0.
４ｇの黄色粉末を得た（Ｍｗ：８０9.０２，収率３０
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.３ｐｐｍ（ｍ；３６Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝3.８ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，-OCH3 ） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝８０８ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：８5.８１％（８6.１１％） Ｈ： 6.０３％（5.９８％） 組成式 Ｃ58Ｈ48Ｏ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1（トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（３）で表される化合物であることを確認した。
３’−ジメトキシ−４−メチル−４’−ホルミルビフェ
ミルを用いた以外は、実施例２と同様の操作を行い、0.
４ｇの黄色粉末を得た（Ｍｗ：８０9.０２，収率３０
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.３ｐｐｍ（ｍ；３６Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝3.８ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，-OCH3 ） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝８０８ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：８5.８１％（８6.１１％） Ｈ： 6.０３％（5.９８％） 組成式 Ｃ58Ｈ48Ｏ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1（トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（３）で表される化合物であることを確認した。
【００７５】実施例４ ４−メチル−４’−ホルミルビフェミルの代わりに３，
３’−ジクロロ−４−メチル−４’−ホルミルビフェミ
ルを用いた以外は、実施例２と同様の操作を行い、0.５
ｇの黄色粉末を得た（Ｍｗ：８２6.６９，収率３５
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３６Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝８２４ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：７8.５６％（７8.４６％） Ｈ： 4.１５％（4.３９％） 組成式 Ｃ54Ｈ36Ｃｌ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（９）で表される化合物であることを確認した。
３’−ジクロロ−４−メチル−４’−ホルミルビフェミ
ルを用いた以外は、実施例２と同様の操作を行い、0.５
ｇの黄色粉末を得た（Ｍｗ：８２6.６９，収率３５
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３６Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝８２４ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：７8.５６％（７8.４６％） Ｈ： 4.１５％（4.３９％） 組成式 Ｃ54Ｈ36Ｃｌ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（９）で表される化合物であることを確認した。
【００７６】実施例５ ４−メチル−４’−ホルミルビフェミルの代わりに３，
３’−ジメトキシ−４−メチル−４’−ホルミルビフェ
ミルを用い、Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホ
ネートの代わりにＯ，Ｏ−ジエチル（４，４’−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）メチルホスホネートを用いた以外
は、実施例２と同様の操作を行い、0.３ｇの黄色粉末を
得た（Ｍｗ：１０３3.４５，収率２１％）。得られた黄
色粉末の融点は、３００℃以上であった。また、プロト
ン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テトラメチル
シラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣｌ 3 ），マススペクト
ル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤
法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３２Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝3.８ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，芳香環，-OCH3 ） δ＝1.３ｐｐｍ（ｓ；３６Ｈ，ターシャルブチル基） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝１０３２ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：８6.３１％（８6.００％） Ｈ： 7.６３％（7.８０％） 組成式 Ｃ74Ｈ80Ｏ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（４）で表される化合物であることを確認した。
３’−ジメトキシ−４−メチル−４’−ホルミルビフェ
ミルを用い、Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホ
ネートの代わりにＯ，Ｏ−ジエチル（４，４’−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）メチルホスホネートを用いた以外
は、実施例２と同様の操作を行い、0.３ｇの黄色粉末を
得た（Ｍｗ：１０３3.４５，収率２１％）。得られた黄
色粉末の融点は、３００℃以上であった。また、プロト
ン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テトラメチル
シラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣｌ 3 ），マススペクト
ル測定，赤外線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤
法），元素分析の測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；３２Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝3.８ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，芳香環，-OCH3 ） δ＝1.３ｐｐｍ（ｓ；３６Ｈ，ターシャルブチル基） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝１０３２ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：８6.３１％（８6.００％） Ｈ： 7.６３％（7.８０％） 組成式 Ｃ74Ｈ80Ｏ4 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（４）で表される化合物であることを確認した。
【００７７】実施例６ Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネートの代わ
りにＯ，Ｏ−ジエチル（２−メチルフェニルフェニル）
メチルホスホネートを用いた以外は、実施例１と同様の
操作を行い、0.６ｇの淡黄色粉末を得た（Ｍｗ：７１6.
９７，収率４５％）。得られた淡黄色粉末の融点は、２
５７〜２５９℃以上であった。また、プロトン核磁気共
鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テトラメチルシラン（Ｔ
ＭＳ），溶媒ＣＤＣｌ3 ），マススペクトル測定，赤外
線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の
測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；５０Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝1.３ｐｐｍ（ｓ；６Ｈ，-CH3） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝７１６ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.５０％（９3.８１％） Ｈ： 5.９１％（6.１９％） 組成式 Ｃ56Ｈ44 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１９）で表される化合物であることを確認した。
りにＯ，Ｏ−ジエチル（２−メチルフェニルフェニル）
メチルホスホネートを用いた以外は、実施例１と同様の
操作を行い、0.６ｇの淡黄色粉末を得た（Ｍｗ：７１6.
９７，収率４５％）。得られた淡黄色粉末の融点は、２
５７〜２５９℃以上であった。また、プロトン核磁気共
鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試薬 テトラメチルシラン（Ｔ
ＭＳ），溶媒ＣＤＣｌ3 ），マススペクトル測定，赤外
線吸収スペクトル（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の
測定結果は次の通りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.４ｐｐｍ（ｍ；５０Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝1.３ｐｐｍ（ｓ；６Ｈ，-CH3） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝７１６ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９4.５０％（９3.８１％） Ｈ： 5.９１％（6.１９％） 組成式 Ｃ56Ｈ44 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１９）で表される化合物であることを確認した。
【００７８】実施例７ Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネートの代わ
りにＯ，Ｏ−ジエチル（ｐ−テルフェニルシクロヘキシ
ル）メチルホスホネートを用い、ｐ−トルアルデヒドの
代わりに９−メチル−１０アントラセニルアルデヒドを
用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、0.３ｇの
淡黄色粉末を得た（Ｍｗ：１１４9.５３，収率２５
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.８ｐｐｍ（ｍ；７０Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝1.０〜2.０ｐｐｍ（ｍ；２０Ｈ，シクロヘキサン
環） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝１１５０ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９3.８１％（９4.０４％） Ｈ： 6.２１％（5.９６％） 組成式 Ｃ90Ｈ68 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１４）で表される化合物であることを確認した。
りにＯ，Ｏ−ジエチル（ｐ−テルフェニルシクロヘキシ
ル）メチルホスホネートを用い、ｐ−トルアルデヒドの
代わりに９−メチル−１０アントラセニルアルデヒドを
用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、0.３ｇの
淡黄色粉末を得た（Ｍｗ：１１４9.５３，収率２５
％）。得られた黄色粉末の融点は、３００℃以上であっ
た。また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ：標準試
薬 テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒 ＣＤＣ
ｌ 3 ），マススペクトル測定，赤外線吸収スペクトル
（ＩＲ，ＫＢｒ錠剤法），元素分析の測定結果は次の通
りである。 1 Ｈ−ＮＭＲ δ＝6.７〜7.８ｐｐｍ（ｍ；７０Ｈ，芳香環，=CH=CH-,
-CH=CH- ） δ＝1.０〜2.０ｐｐｍ（ｍ；２０Ｈ，シクロヘキサン
環） マススペクトル測定 ｍ／Ｚ＝１１５０ 元素分析（括弧内は理論値） Ｃ：９3.８１％（９4.０４％） Ｈ： 6.２１％（5.９６％） 組成式 Ｃ90Ｈ68 ＩＲ νc=c １５２０ｃｍ-1 νc=c １６１０ｃｍ-1 δC-H ９８０ｃｍ-1 （トランス） 以上の測定結果より得られた黄色粉末は、前記化学式
（１４）で表される化合物であることを確認した。
【００７９】実施例８ 膜厚１００ｎｍのガラス基板（２５mm×７５mm×1.１m
m，ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄しイ
ソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さらにＵＶイ
オン洗浄器（サムコインターナショナル社製）にて洗浄
した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して市販
の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに
固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブテン製ボートに
実施例１で得られた化学式（１）で表される化合物（Ｄ
ＰＢ）を２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブテン製ボー
トに前記ｔ−ＢｕＰＢＤを２００ｍｇ入れ真空蒸着装置
に取り付けた。次いで、真空層を４×１０-6Ｐａまで減
圧した後、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して２
２０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.７ｎｍ／sec で透
明支持基板上に蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を設
けた。そして、ＤＰＢの入った前記加熱ボートに通電し
て２２０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／sec
で上記正孔注入層の上に蒸着して膜厚６０ｎｍの発光層
を設けた。さらに、ｔ−ＢｕＰＢＤの入った前記加熱ボ
ートに通電して１６０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.
４ｎｍ／sec で発光層上に蒸着して膜厚２０ｎｍの電子
注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であっ
た。次に、真空槽を開け、該電子注入層上にステンレス
鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボ
ートにマグネシウム３ｇを入れ、かつ別の抵抗加熱フィ
ラメントにインジウムを入れ、再び真空槽を２×１０-6
Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電
して蒸着速度４〜７ｎｍ／sec でマグネシウムを蒸着し
た。同時にインジウムを加熱して、蒸着速度0.２〜0.３
ｎｍ／sec で蒸着し、前記マグネシウムとインジウムの
混合物からなる対向電極とし、目的とするＥＬ素子を作
製した。この素子のＩＴＯ電極を陽極とし、マグネシウ
ムとインジウムの混合物からなる対向電極を陰極とし
て、直流5.０Ｖを印加したところ、電流密度が３５ミリ
アンペア／ｃｍ2 の電流が流れ、ピーク波長４８８ｎｍ
のＢｌｕｅ Ｇｒｅｅｎの発光を得た。このときの輝度
は５０ｃｄ／ｍ2 であった。
m，ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄しイ
ソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さらにＵＶイ
オン洗浄器（サムコインターナショナル社製）にて洗浄
した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して市販
の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに
固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブテン製ボートに
実施例１で得られた化学式（１）で表される化合物（Ｄ
ＰＢ）を２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブテン製ボー
トに前記ｔ−ＢｕＰＢＤを２００ｍｇ入れ真空蒸着装置
に取り付けた。次いで、真空層を４×１０-6Ｐａまで減
圧した後、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して２
２０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.７ｎｍ／sec で透
明支持基板上に蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を設
けた。そして、ＤＰＢの入った前記加熱ボートに通電し
て２２０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／sec
で上記正孔注入層の上に蒸着して膜厚６０ｎｍの発光層
を設けた。さらに、ｔ−ＢｕＰＢＤの入った前記加熱ボ
ートに通電して１６０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.
４ｎｍ／sec で発光層上に蒸着して膜厚２０ｎｍの電子
注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であっ
た。次に、真空槽を開け、該電子注入層上にステンレス
鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボ
ートにマグネシウム３ｇを入れ、かつ別の抵抗加熱フィ
ラメントにインジウムを入れ、再び真空槽を２×１０-6
Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電
して蒸着速度４〜７ｎｍ／sec でマグネシウムを蒸着し
た。同時にインジウムを加熱して、蒸着速度0.２〜0.３
ｎｍ／sec で蒸着し、前記マグネシウムとインジウムの
混合物からなる対向電極とし、目的とするＥＬ素子を作
製した。この素子のＩＴＯ電極を陽極とし、マグネシウ
ムとインジウムの混合物からなる対向電極を陰極とし
て、直流5.０Ｖを印加したところ、電流密度が３５ミリ
アンペア／ｃｍ2 の電流が流れ、ピーク波長４８８ｎｍ
のＢｌｕｅ Ｇｒｅｅｎの発光を得た。このときの輝度
は５０ｃｄ／ｍ2 であった。
【００８０】実施例９ ＤＰＢの代わりに実施例２で得られた化学式（２）で表
される化合物を用いた以外は、実施例８と同様にしてＥ
Ｌ素子を作製した。この素子のＩＴＯ電極を陽極とし、
マグネシウムとインジウムの混合物からなる対向電極を
陰極として、直流7.５Ｖを印加したところ、電流密度が
４９ミリアンペア／ｃｍ2 の電流が流れ、ピーク波長４
８７ｎｍのＢｌｕｅ Ｇｒｅｅｎの発光を得た。このと
きの輝度は８０ｃｄ／ｍ2 であった。
される化合物を用いた以外は、実施例８と同様にしてＥ
Ｌ素子を作製した。この素子のＩＴＯ電極を陽極とし、
マグネシウムとインジウムの混合物からなる対向電極を
陰極として、直流7.５Ｖを印加したところ、電流密度が
４９ミリアンペア／ｃｍ2 の電流が流れ、ピーク波長４
８７ｎｍのＢｌｕｅ Ｇｒｅｅｎの発光を得た。このと
きの輝度は８０ｃｄ／ｍ2 であった。
【００８１】実施例１０ 膜厚１００ｎｍのガラス基板（２５mm×７５mm×1.１m
m，ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄しイ
ソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さらにＵＶイ
オン洗浄器（サムコインターナショナル社製）にて洗浄
した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して市販
の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに
固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに実施例３で生
成したＤＰＭｅＢｉを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリ
ブテン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウム（Ａｌｑ3 ）錯体
m，ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄しイ
ソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さらにＵＶイ
オン洗浄器（サムコインターナショナル社製）にて洗浄
した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して市販
の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに
固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに実施例３で生
成したＤＰＭｅＢｉを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリ
ブテン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウム（Ａｌｑ3 ）錯体
【００８２】
【化３９】
【００８３】を２００ｍｇ入れ真空蒸着装置に取り付け
た。次いで、真空層を１×１０-4Ｐａまで減圧した後、
ＤＰＭｅＢｉの入った前記加熱ボートに通電して３６０
℃まで加熱し、蒸着速度0.２〜0.４ｎｍ／sec で透明支
持基板上に蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を設け
た。そして、Ａｌｑ3 の入った前記加熱ボートに通電し
て２８５℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.２ｎｍ／sec
で上記正孔注入層の上に蒸着して膜厚６０ｎｍの発光層
を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。次
に、真空槽を開け、該発光層上にステンレス鋼製のマス
クを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにマグ
ネシウム１ｇを入れ、かつ別の抵抗加熱フィラメントに
インジウム５００ｍｇを入れ、再び真空槽を１×１０-4
Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電
して蒸着速度0.１ｎｍ／sec でインジウムを蒸着した。
同時にマグネシウムを加熱して、蒸着速度1.７〜2.８ｎ
ｍ／sec で膜厚１００ｎｍになるまで蒸着して対向電極
とした。蒸着原温度は、インジウム，マグネシウム各々
８００℃，５００℃程度であった。この素子のＩＴＯ電
極を陽極とし、マグネシウムとインジウムの混合物から
なる対向電極を陰極として、直流１０Ｖを印加したとこ
ろ、電流密度が１００ミリアンペア／ｃｍ2 の電流が流
れ、発光波長域が４５０〜７００ｎｍでピーク波長５５
０ｎｍの緑色の発光を得た。このときの輝度は８００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。得られた発光は、Ａｌｑ3 の蛍光と
一致することよりＤＰＭｅＢｉにより陽極から正孔が発
光層であるＡｌｑ3 へ注入され、その注入された正孔が
陰極から注入された電子と再結合した結果、ＥＬ発光が
生じていると考えられる。この発光は、低電圧でかつ極
めて安定していた。
た。次いで、真空層を１×１０-4Ｐａまで減圧した後、
ＤＰＭｅＢｉの入った前記加熱ボートに通電して３６０
℃まで加熱し、蒸着速度0.２〜0.４ｎｍ／sec で透明支
持基板上に蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を設け
た。そして、Ａｌｑ3 の入った前記加熱ボートに通電し
て２８５℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.２ｎｍ／sec
で上記正孔注入層の上に蒸着して膜厚６０ｎｍの発光層
を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。次
に、真空槽を開け、該発光層上にステンレス鋼製のマス
クを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにマグ
ネシウム１ｇを入れ、かつ別の抵抗加熱フィラメントに
インジウム５００ｍｇを入れ、再び真空槽を１×１０-4
Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電
して蒸着速度0.１ｎｍ／sec でインジウムを蒸着した。
同時にマグネシウムを加熱して、蒸着速度1.７〜2.８ｎ
ｍ／sec で膜厚１００ｎｍになるまで蒸着して対向電極
とした。蒸着原温度は、インジウム，マグネシウム各々
８００℃，５００℃程度であった。この素子のＩＴＯ電
極を陽極とし、マグネシウムとインジウムの混合物から
なる対向電極を陰極として、直流１０Ｖを印加したとこ
ろ、電流密度が１００ミリアンペア／ｃｍ2 の電流が流
れ、発光波長域が４５０〜７００ｎｍでピーク波長５５
０ｎｍの緑色の発光を得た。このときの輝度は８００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。得られた発光は、Ａｌｑ3 の蛍光と
一致することよりＤＰＭｅＢｉにより陽極から正孔が発
光層であるＡｌｑ3 へ注入され、その注入された正孔が
陰極から注入された電子と再結合した結果、ＥＬ発光が
生じていると考えられる。この発光は、低電圧でかつ極
めて安定していた。
【００８４】
【発明の効果】本発明のスチリル化合物は、新規な化合
物であり、発光材料又は正孔注入材料としてＥＬ素子に
用いることにより、薄膜性かつ耐熱性に優れた青緑〜緑
色の発光が可能なＥＬ素子を得ることができる。したが
って、本発明のスチリル化合物は、ＥＬ素子の発光材料
及び正孔注入材料，蛍光色素，電子写真の正孔注入材料
等に利用することが可能である。
物であり、発光材料又は正孔注入材料としてＥＬ素子に
用いることにより、薄膜性かつ耐熱性に優れた青緑〜緑
色の発光が可能なＥＬ素子を得ることができる。したが
って、本発明のスチリル化合物は、ＥＬ素子の発光材料
及び正孔注入材料，蛍光色素，電子写真の正孔注入材料
等に利用することが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 17/26 Ｃ０７Ｃ 17/26 25/24 25/24 41/30 41/30 43/215 43/215 Ｃ０９Ｋ 11/06 ６１５ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６１５ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｃ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 13/58 C07C 1/32 C07C 13/567 C07C 15/52 C07C 15/56 C07C 17/26 C07C 25/24 C07C 41/30 C07C 43/215 C09K 11/06 615 H05B 33/14 H05B 33/22 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ置換あるいは無置換のフ
ェニル基，置換あるいは無置換のナフチル基，置換ある
いは無置換のビフェニル基，置換あるいは無置換のター
フェニル基，置換あるいは無置換のアントラリル基，置
換あるいは無置換のピレニル基又は置換あるいは無置換
のペリレニル基である炭素数６〜２０のアリール基，置
換あるいは無置換のシクロヘキシル基を示す。ここで、
置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のア
ルコキシ基，フェノキシ基又はナフチルオキシ基である
炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，ニト
ロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基
は単一でも複数でもよい。またＲ1 ，Ｒ2 は同一でも、
また互いに異なっていてもよく、Ｒ1 とＲ2 は置換して
いる基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又
は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。
Ａｒは置換あるいは無置換のフェニレン基，置換あるい
は無置換のナフチレン基，置換あるいは無置換のビフェ
ニレン基，置換あるいは無置換のターフェニレン基，置
換あるいは無置換のアントラセンジイル基，置換あるい
は無置換のピレンジイル基又は置換あるいは無置換のペ
リレンジイル基である炭素数６〜２０のアリーレン基を
表わし、単一置換されていても、複数置換されていても
よく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいずれでも
よい。なお置換基は前記と同じである。また、アリーレ
ン基の置換基同士が結合して、置換あるいは無置換の飽
和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成し
てもよい。〕で表わされるスチリル化合物。 - 【請求項２】 Ｒ1 ，Ｒ2 がそれぞれ置換あるいは無置
換のフェニル基，ビフェニル基，ナフチル基，シクロヘ
キシル基を示し、Ａｒが置換あるいは無置換のフェニレ
ン基，ナフチレン基，ビフェニレン基，ｐ−テルフェニ
レン基，アントラセンジイル基を示す請求項１記載のス
チリル化合物。 - 【請求項３】 一般式（II） 【化２】 〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あるいはフェニ
ル基を示し、Ｒ1 及びＲ2 ，Ａｒは前記と同じであ
る。〕で表わされるホスホン酸エステルを、塩基の存在
下でカップリングさせることを特徴とする請求項１又は
２記載のスチリル化合物の製造方法。 - 【請求項４】 陽極と陰極の間に、請求項１又２は記載
のスチリル化合物を挟持してなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項５】 発光材料が請求項１又は２記載のスチリ
ル化合物からなることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項６】 正孔注入材料が請求項１又は２記載のス
チリル化合物からなることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28309891A JP3309912B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | スチリル化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28309891A JP3309912B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | スチリル化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121168A JPH05121168A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3309912B2 true JP3309912B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=17661192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28309891A Expired - Fee Related JP3309912B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | スチリル化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309912B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140365A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| CN114230509A (zh) * | 2021-04-19 | 2022-03-25 | 闽都创新实验室 | 一种含有氟取代联苯的二苯乙烯衍生物及其制备方法、应用 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28309891A patent/JP3309912B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121168A (ja) | 1993-05-18 |
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