JP3306288B2 - Method of forming resist pattern - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体リソグラフ
ィー要素技術に用いられるレジストパターンの形成方法
に関する、更に詳しくは、ＢＰＳＧ（ボロンと燐を含む
シリコン酸化膜）下地基板上の酸発生化学増幅系レジス
トのパターン形成方法に係わるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a resist pattern used in a semiconductor lithography element technology, and more particularly, to an acid-generating chemically amplified resist on a BPSG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) base substrate. This is related to the pattern forming method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ポジ型の酸発生化学増幅系レジストは、
酸発生剤と、アルカリ可溶樹脂に溶解抑止基の導入或い
は溶解抑止剤の添加により構成されている。ポジ型の酸
発生化学増幅系レジストの場合は、露光により発生した
酸を触媒として溶解抑止基（剤）が分解してアルカリ可
溶となりポジパターンが得られる。一方、ネガ型の酸発
生化学増幅系レジストは、酸発生剤と、アルカリ可溶樹
脂に、架橋剤の添加により構成されている。ネガ型の酸
発生化学増幅系レジストは、露光により感光性酸発生剤
から発生した酸を触媒として、露光後ベーク（ＰＥＢ）
時に架橋不溶化し、アルカリ現像によってネガパターン
が得られる。2. Description of the Related Art Positive acid-generating chemically amplified resists are:
It is constituted by introducing an acid generator and a dissolution inhibiting group into an alkali-soluble resin or adding a dissolution inhibitor. In the case of a positive-type acid-generating chemically amplified resist, a dissolution inhibiting group (agent) is decomposed by using an acid generated by exposure as a catalyst, and becomes alkali-soluble to obtain a positive pattern. On the other hand, a negative-type acid-generating chemically amplified resist is constituted by adding a crosslinking agent to an acid generator and an alkali-soluble resin. Negative-type acid-generating chemically amplified resist is a post-exposure bake (PEB) using an acid generated from a photosensitive acid generator upon exposure as a catalyst.
Occasionally cross-linking is insolubilized and a negative pattern is obtained by alkali development.
【０００３】上記した酸発生化学増幅系ポジ型レジスト
を用いたパターン形成方法を図５Ａ〜図５Ｅに示す。図
５Ｂに示すようにＢＰＳＧ（ボロンと燐を含むシリコン
酸化膜）下地基板５０上に酸発生化学増幅系ポジ型レジ
スト５１を塗布した後、露光前ベークを行い選択的に露
光する。この露光による光強度を図５Ａに示す。この光
強度に応じて図５Ｃに示すように露光部５１Ａが形成さ
れる。次に露光後ベーク（ＰＥＢ）を行うと図５Ｄに示
すように可溶化部５１ａが形成され、図５Ｅに示すよう
にアルカリ現像により可溶化部５１ａが溶解しパターン
が形成される。FIGS. 5A to 5E show a pattern forming method using the above-mentioned acid-generating chemically amplified positive resist. As shown in FIG. 5B, an acid-generating chemically amplified positive resist 51 is applied on a BPSG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) base substrate 50, and is baked before exposure and selectively exposed. The light intensity due to this exposure is shown in FIG. 5A. An exposure portion 51A is formed according to the light intensity as shown in FIG. 5C. Next, when post-exposure bake (PEB) is performed, the solubilized portion 51a is formed as shown in FIG. 5D, and the solubilized portion 51a is dissolved by alkali development to form a pattern as shown in FIG. 5E.
【０００４】また、上記した酸発生化学増幅系ネガ型レ
ジストを用いたパターン形成方法を図６Ａ〜図６Ｅに示
す。図６Ｂに示すようにＢＰＳＧ下地基板６０上に酸発
生化学増幅系ネガ型レジスト６１を塗布した後、露光前
ベークを行い選択的に露光する。この露光による光強度
を図６Ａに示す。この光強度に応じて図６Ｃに示すよう
に露光部６１Ａが形成される。次に露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ）を行うと図６Ｄに示すように不溶化部６１ａが形成
され、図６Ｅに示すようにアルカリ現像によりパターン
が形成される。FIGS. 6A to 6E show a pattern forming method using the above-mentioned acid-generating chemically amplified negative resist. As shown in FIG. 6B, after applying an acid generating chemical amplification type negative resist 61 on a BPSG base substrate 60, a pre-exposure bake is performed to selectively expose. FIG. 6A shows the light intensity due to this exposure. An exposed portion 61A is formed according to the light intensity as shown in FIG. 6C. Next, post-exposure bake (PE
By performing B), an insolubilized portion 61a is formed as shown in FIG. 6D, and a pattern is formed by alkali development as shown in FIG. 6E.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが上記したよう
な酸発生化学増幅系レジストを用いたレジストパターン
形成方法に於いては、ＢＰＳＧ下地基板表面の影響によ
りレジストパターン形状が劣化する問題がある。図５Ｅ
に示すようにポジ型では裾引き、図６Ｅに示すようにネ
ガ型では裾の括れがおこる。その結果、サブミクロンレ
ベルの微細なパターンを形成する場合、パターン寸法の
制御性が悪いという問題がある。However, in the above-described method of forming a resist pattern using an acid-generating chemically amplified resist, there is a problem in that the shape of the resist pattern is deteriorated due to the influence of the surface of the BPSG base substrate. FIG. 5E
As shown in FIG. 6, in the positive type, hem pulling occurs, and as shown in FIG. 6E, in the negative type, hem constriction occurs. As a result, when forming a fine pattern on a submicron level, there is a problem that controllability of the pattern dimension is poor.
【０００６】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
め、ＢＰＳＧ下地基板上での酸発生化学増幅系レジスト
を用いたレジストパターンの断面形状を改善する方法を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a method for improving the cross-sectional shape of a resist pattern using an acid-generating chemically amplified resist on a BPSG base substrate in order to solve the above problems.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】これまでに特開平７−９
２６９４号公報では、ＳｉＮ下地基板上の酸発生化学増
幅系レジストの裾の形状異常は、ＳｉＮ下地基板を酸素
プラズマ処理又はシリコン酸化膜を成膜することによ
り、改善できることが報告されている。ところが、本発
明者の検討の結果、ＢＰＳＧ下地基板上では、ＳｉＮ下
地基板上と全く同じ効果は得られないことがわかった。Means for solving the problems Japanese Patent Laid-Open No. 7-9 / 1990
No. 2694 reports that the abnormal shape of the bottom of the acid-generating chemically amplified resist on the SiN base substrate can be improved by subjecting the SiN base substrate to oxygen plasma treatment or forming a silicon oxide film. However, as a result of a study by the present inventors, it was found that the same effect as on a SiN undersubstrate could not be obtained on a BPSG undersubstrate.
【０００８】そこで本発明者は、ＢＰＳＧ下地基板上で
の酸発生学増幅系レジストを用いたレジストパターンの
断面形状を改善する方法を研究し、本発明に至った。Therefore, the present inventor studied a method of improving the cross-sectional shape of a resist pattern using an acidogenetic amplification resist on a BPSG base substrate, and reached the present invention.
【０００９】本発明は、酸発生化学増幅系レジストパタ
ーンの形成方法であって、ＢＰＳＧ下地基板に対し硫
酸、リン酸、ほう酸、または硝酸のいずれかを用いて酸
洗浄を行った後、前記ＢＰＳＧ下地基板上にシリコン酸
化膜の成膜を行い、酸発生化学増幅系レジストを塗布
し、選択的に露光を行った後、露光後ベークを行い、そ
の後現像を行って略垂直なレジスト形状を形成すること
を特徴とする。 The present invention relates to an acid-generating chemically amplified resist pattern.
A method of forming a sulfuric acid on a BPSG substrate.
Acid using any of acid, phosphoric acid, boric acid, or nitric acid
After cleaning, silicon oxide is placed on the BPSG substrate.
Film and then apply acid-generating chemically amplified resist
After selective exposure, bake after exposure and
Post-development to form a substantially vertical resist shape
It is characterized by.
【００１０】また、本発明は、前記シリコン酸化膜の膜
厚が１００Å以上であることを特徴とするものである。 The present invention also relates to the silicon oxide film.
The thickness is not less than 100 °.
【００１１】また、本発明は、前記シリコン酸化膜は、
ＣＶＤ装置を用いて形成されてなることを特徴とする。 Further , the present invention provides the above-mentioned silicon oxide film,
It is characterized by being formed using a CVD apparatus.
【００１２】以下に、本発明に至る詳細な説明を記す。The following is a detailed description leading to the present invention.
【００１３】これまでに特開平７−９２６９４号公報で
は、Ｓｉ下地基板上あるいはＳｉＮ下地基板上の酸発生
化学増幅系レジストの裾の形状異常は、該下地基板を酸
素プラズマ処理すること又は該下地基板上にシリコン酸
化膜を成膜することにより、改善できることが報告され
ている。そこで、酸発生化学増幅系レジストパターン形
状異常の改善の為にＢＰＳＧ下地基板を酸素プラズマで
処理したが全く効果が現れなかった。一方、ＳｉＮ下地
基板を酸素プラズマで処理すると特開平７−９２６９４
号公報で報告されている効果が現れた。次に、膜厚３０
Åのシリコン酸化膜をそれぞれＢＰＳＧ下地基板上とＳ
ｉＮ下地基板上に成膜した。酸発生化学増幅系レジスト
の形状異常は、ＳｉＮ下地基板上のシリコン酸化膜上で
は改善されたが、ＢＰＳＧ下地基板上のシリコン酸化膜
上ではほとんど改善されなかった。更に、膜厚１００Å
のシリコン酸化膜をそれぞれＢＰＳＧ下地基板上とＳｉ
Ｎ下地基板上に成膜した。ＢＰＳＧ下地基板上のシリコ
ン酸化膜上と、ＳｉＮ下地基板上のシリコン酸化膜上で
は垂直なレジスト形状を得ることができた。また、Ｓｉ
下地基板上においても、ＳｉＮ下地基板上と同様の結果
であった。In Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-92694, an abnormal shape of the bottom of an acid-generating chemically amplified resist on a Si undersubstrate or a SiN undersubstrate may be caused by subjecting the undersubstrate to oxygen plasma treatment or the undersubstrate. It is reported that improvement can be achieved by forming a silicon oxide film on a substrate. Thus, the BPSG substrate was treated with oxygen plasma to improve the shape of the acid-generating chemically amplified resist pattern, but no effect was obtained. On the other hand, when the SiN base substrate is treated with oxygen plasma,
The effect reported in the official gazette appeared. Next, the film thickness 30
シ リ コ ン silicon oxide film on the BPSG base substrate and S
A film was formed on an iN base substrate. The shape abnormality of the acid-generating chemically amplified resist was improved on the silicon oxide film on the SiN base substrate, but was hardly improved on the silicon oxide film on the BPSG base substrate. Furthermore, a film thickness of 100 °
Silicon oxide films on the BPSG base substrate and Si
A film was formed on an N base substrate. Vertical resist shapes could be obtained on the silicon oxide film on the BPSG undersubstrate and on the silicon oxide film on the SiN undersubstrate. In addition, Si
The results on the underlying substrate were the same as those on the SiN underlying substrate.
【００１４】図４に各下地基板上のシリコン酸化膜の膜
厚と該ポジ型レジストの裾引き量の関係を示す。図４か
ら、ＳｉＮ下地基板上のシリコン酸化膜の膜厚が１０Å
以上、より好ましくは３０Å以上であれば、該ポジ型レ
ジストの裾の形状異常が改善できる。一方、ＢＰＳＧ下
地基板上のシリコン酸化膜の膜厚が５０Å以上、より好
ましくは１００Å程度以上でないと、該ポジ型レジスト
の裾の形状異常が改善できないことを示している。該ネ
ガ型レジストの裾の形状異常が改善できる条件は、該ポ
ジ型レジストの各下地基板上のシリコン酸化膜厚とほぼ
同じである。FIG. 4 shows the relationship between the thickness of the silicon oxide film on each base substrate and the amount of footing of the positive resist. FIG. 4 shows that the thickness of the silicon oxide film on the SiN base substrate is 10 °.
Above, more preferably 30 ° or more, the abnormal shape of the bottom of the positive resist can be improved. On the other hand, if the thickness of the silicon oxide film on the BPSG undersubstrate is not more than 50 °, more preferably not more than about 100 °, it indicates that the abnormal shape of the bottom of the positive resist cannot be improved. The conditions under which the abnormal shape of the skirt of the negative resist can be improved are substantially the same as the thickness of the silicon oxide film on each base substrate of the positive resist.
【００１５】さらに、本発明者はＢＰＳＧ下地基板上に
存在するボロンの酸化物及び燐の酸化物が、露光により
発生した酸をレジスト底面において捕獲してしまうこと
が、レジスト底部の酸の濃度を下げ、そのためにレジス
トパターンの裾の形状異常が発生することに着目した。
そして、レジスト塗布前にこれらの酸化物を除し、か
つ、ＢＰＳＧ下地基板にダメージを与える事なく除去す
ることを試みた。その結果、該レジストパターンの形成
方法において、ＢＰＳＧ（ボロンと燐を含むシリコン酸
化膜）下地基板の硫酸洗浄を行った後、該レジストを塗
布し、選択的に露光を行った後、露光後ベークを行い、
その後現像を行うことにより、垂直なレジスト形状を形
成できた。Further, the present inventor has found that the oxide of boron and the oxide of phosphorus existing on the BPSG base substrate trap the acid generated by exposure on the bottom surface of the resist, and the concentration of the acid at the bottom of the resist is reduced. We paid attention to the occurrence of abnormal shape at the bottom of the resist pattern.
Then, an attempt was made to remove these oxides before applying the resist and to remove them without damaging the BPSG base substrate. As a result, in the method of forming a resist pattern, after performing a sulfuric acid cleaning of a BPSG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) base substrate, applying the resist, selectively exposing, and then performing a post-exposure bake. Do
Thereafter, by performing development, a vertical resist shape could be formed.
【００１６】さらに、より確実な効果をねらった結果、
該レジストパターンの形成方法において、ＢＰＳＧ下地
基板の硫酸洗浄を行った後、膜厚５０Å以上の、より好
ましくは膜厚１００Å以上のシリコン酸化膜の成膜を行
い、その後該レジストを塗布し、選択的に露光を行った
後、露光後ベークを行い、その後現像を行うことによっ
ても、垂直なレジスト形状を形成できた。Further, as a result of aiming for a more reliable effect,
In the method for forming a resist pattern, after performing a sulfuric acid cleaning of the BPSG base substrate, a silicon oxide film having a film thickness of 50 ° or more, more preferably a film thickness of 100 ° or more is formed, and then the resist is applied and selected. A vertical resist shape could also be formed by performing post-exposure baking after the specific exposure, followed by development.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係わるレジスト
パターンの形成方法の詳細を図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the method for forming a resist pattern according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】《第１の実施例》（参考例） 図１Ａ〜図１Ｅは、第１の実施例を示している。<< First Embodiment >> (Reference Example) FIGS. 1A to 1E show a first embodiment.
【００１９】図１Ｂに示すように、ＢＳＰＧ（ボロンと
燐を含むシリコン酸化膜）下地基板１０上に膜厚５０Å
以上の、より好ましくは１００Å以上の膜厚のシリコン
酸化膜１１をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置あるいは酸化炉を用いて形
成する。この際、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）法で形成したシリコン酸化膜は膜質が悪く本発明の
効果が充分に得られないため、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置あるいは
酸化炉を用いて形成する。As shown in FIG. 1B, a 50 Å thick film is formed on a BSPG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) base substrate 10.
The silicon oxide film 11 having a film thickness of 100 ° or more, more preferably 100 ° or more is formed by CVD (Chemical Vapor).
It is formed using a deposition apparatus or an oxidation furnace. At this time, SOG (Spin On Glass)
s) The silicon oxide film formed by the method has a poor film quality and the effect of the present invention cannot be sufficiently obtained.
1 Vapor Deposition) device or an oxidation furnace.
【００２０】次に、図１Ｃに示すようにポジ型の酸発生
化学増幅系レジスト１２（ＡＰＥＸ−Ｅ；シプレイ・フ
ァーイースト社製）を０．７５μｍ程度の膜厚に塗布
し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間の露光前ベ
ークを行った。続いて、クロムマスク（図示せず）を用
いて、図１Ａに示した光強度プロファイルを有する露光
光（波長は２４８ｎｍ）により露光量２０ｍＪ／ｃｍ2
で、図１Ｄに示すように選択的に露光部１２Ａを形成す
る。その後、９０℃、６０秒間の露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ）及び現像液（ＭＦ−３１９；シプレイ・ファーイー
スト社製）によるアルカリ現像を行うことにより、図１
Ｅに示すように可溶化部１２ａが溶解し、更にリンス
（水洗）することにより、裾引き無く垂直なレジストパ
ターン１２の形成を完了した。Next, as shown in FIG. 1C, a positive-type acid-generating chemically amplified resist 12 (APEX-E; manufactured by Shipley Far East Co.) is applied to a thickness of about 0.75 μm, and is applied on a hot plate. Pre-exposure bake was performed at 100 ° C. for 60 seconds. Subsequently, by using a chromium mask (not shown), an exposure amount 20 mJ / cm 2 by the exposure light (wavelength 248 nm) having a light intensity profile shown in FIG. 1A
Then, as shown in FIG. 1D, the exposed portions 12A are selectively formed. Thereafter, a post-exposure bake (PE
B) and a developing solution (MF-319; manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.)
As shown in E, the solubilized portion 12a was dissolved and further rinsed (washed with water) to complete the formation of the vertical resist pattern 12 without tailing.
【００２１】《第２の実施例》（参考例） 図２Ａ〜図２Ｅは、第２の実施例を示している。<< Second Embodiment >> (Reference Example) FIGS. 2A to 2E show a second embodiment.
【００２２】図２Ｂに示すように、ＢＰＳＧ（ボロンと
燐を含むシリコン酸化膜）下地基板２０を硫酸で洗浄す
る。次に、図２Ｃに示すようにネガ型の酸発生化学増幅
系レジスト２１（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７；シプレイ・フ
ァーイースト社製）を０．７０μｍ程度の膜厚に塗布
し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間の露光前ベ
ークを行った。続いて、Ｘ線マスク（図示せず）を用い
て、図２Ａに示した光強度プロファイルを有する放射光
Ｘ線（ピーク波長は０．７ｎｍ）により露光量３００ｍ
Ｊ／ｃｍ2で、図２Ｄに示すように選択的に露光部２１
Ａを形成する。このとき、上記したように全面露光によ
り発生した酸が基板２０に捕獲されないので、露光部２
１Ａに於いてレジスト底面付近の酸濃度が変化しない。
１０５℃、７分間の露光後ベーク（ＰＥＢ）及び現像液
（ＭＦ−３１９；シプレイ・ファーイースト社製）によ
るアルカリ現像を行うことにより、図２Ｅに示すよう
に、不溶化部２１ａを残したレジストパターンの形成を
行い、更にリンス（水洗）することにより、裾の括れの
無い、垂直なレジストパターンの形成を完了した。As shown in FIG. 2B, the BPSG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) base substrate 20 is washed with sulfuric acid. Next, as shown in FIG. 2C, a negative-type acid-generating chemically amplified resist 21 (SAL601-ER7; manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) is applied to a thickness of about 0.70 μm, and heated to 100 ° C. on a hot plate. A 60 second pre-exposure bake was performed. Subsequently, using an X-ray mask (not shown), an exposure dose of 300 m was obtained using synchrotron radiation X-rays (peak wavelength 0.7 nm) having the light intensity profile shown in FIG. 2A.
In J / cm 2 , as shown in FIG.
Form A. At this time, since the acid generated by the entire surface exposure is not captured by the substrate 20 as described above, the exposed portion 2
At 1A, the acid concentration near the bottom of the resist does not change.
By performing post-exposure bake (PEB) at 105 ° C. for 7 minutes and alkali development using a developer (MF-319; manufactured by Shipley Far East Co.), a resist pattern leaving an insolubilized portion 21a as shown in FIG. 2E. Was formed, followed by rinsing (washing with water) to complete formation of a vertical resist pattern without clogging of the skirt.
【００２３】《第３の実施例》 図３Ａ〜図３Ｆは、第３の実施例を示している。<< Third Embodiment >> FIGS. 3A to 3F show a third embodiment.
【００２４】図３Ｂに示すように、ＢＳＰＧ（ボロンと
燐を含むシリコン酸化膜）下地基板３０上を硫酸で洗浄
する。次に、図３Ｃに示すように、膜厚５０Å以上の、
より好ましくは１００Å以上の膜厚のシリコン酸化膜３
１を形成する。この際、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法で形成したシリコン酸化膜は膜質が悪く、本
発明の効果が充分得られないため、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置あるい
は酸化炉を用いて形成する。As shown in FIG. 3B, the surface of BSPG (silicon oxide film containing boron and phosphorus) substrate 30 is washed with sulfuric acid. Next, as shown in FIG.
More preferably, a silicon oxide film 3 having a thickness of 100 ° or more
Form one. At this time, SOG (Spin On Gl)
The silicon oxide film formed by the (ass) method has a poor film quality and the effect of the present invention cannot be sufficiently obtained.
(Cal Vapor Deposition) apparatus or an oxidation furnace.
【００２５】更に、図３Ｄに示すようにポジ型の酸発生
化学増幅系レジスト３２（ＡＰＥＸ−Ｅ；シプレイ・フ
ァーイースト社製）を０．７５μｍ程度の膜厚に塗布
し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間の露光前ベ
ークを行った。続いて、クロムマスク（図示せず）を用
いて、図３Ａに示した光強度プロファイルを有する露光
光（波長は２４８ｎｍ）により露光量２０ｍＪ／ｃｍ2
で、図３Ｅに示すように選択的に露光部３２Ａを形成す
る。その後、９０℃、６０秒間の露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ）及び現像液（ＭＦ−３１９；シプレイ・ファーイー
スト社製）によるアルカリ現像を行うことにより、図３
Ｆに示すように可溶化部３２ａが溶解し、更にリンス
（水洗）することにより、裾引き無く、垂直なレジスト
パターン３２の形成を完了した。Further, as shown in FIG. 3D, a positive-type acid-generating chemically amplified resist 32 (APEX-E; manufactured by Shipley Far East Co.) is applied to a thickness of about 0.75 μm, and 100 μm on a hot plate. Pre-exposure bake was performed at 60 ° C. for 60 seconds. Subsequently, using a chrome mask (not shown), exposure light having a light intensity profile shown in FIG. 3A (wavelength: 248 nm) and an exposure amount of 20 mJ / cm 2.
Then, as shown in FIG. 3E, the exposed portions 32A are selectively formed. Thereafter, a post-exposure bake (PE
B) and a developing solution (MF-319; manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.)
As shown in F, the solubilized portion 32a was dissolved and rinsed (washed with water) to complete the formation of the vertical resist pattern 32 without tailing.
【００２６】上記いずれの実施例の記載に於いても、硫
酸の代わりに、リン酸、ほう酸、硝酸等を用いても同様
に効果がある。In any of the above embodiments, phosphoric acid, boric acid, nitric acid or the like is used in place of sulfuric acid, and the same effect can be obtained.
【００２７】上記いずれの実施例の記載に於いても、酸
発生化学増幅系レジストとしては、一般にフォトリソグ
ラフィ工程に於いて使用することができる全てのポジ型
又はネガ型の化学増幅系レジストを用いることができ
る。また、露光光は、特に限定されるものではなく、ｇ
線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマレー
ザ（ＫｒＦ：２４８ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）、電子
ビーム又はＸ線（１０-2〜数１００Å）等を用いること
ができる。In any of the above embodiments, as the acid-generating chemically amplified resist, any positive or negative chemically amplified resist that can be generally used in a photolithography process is used. be able to. Further, the exposure light is not particularly limited, and g
Line (436 nm), i-line (365 nm), excimer laser (KrF: 248 nm, ArF: 193 nm), electron beam, X-ray (10 -2 to several hundreds of degrees), or the like can be used.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、膜厚５０Å以上の、よ
り好ましくは１００Å以上の膜厚のシリコン酸化膜をＢ
ＰＳＧ上に形成しているため、酸化膜化学増幅系レジス
トがポジ型又はネガ型であっても、ＢＰＳＧ下地基板の
影響を受けることなく、垂直なパターン形状を形成でき
る。そのため、微細レジストパターンの寸法制御が可能
となる。According to the present invention, a silicon oxide film having a thickness of 50 ° or more, more preferably 100 ° or more, is
Since it is formed on the PSG, a vertical pattern can be formed without being affected by the BPSG base substrate even if the oxide film chemically amplified resist is a positive type or a negative type. Therefore, it is possible to control the size of the fine resist pattern.
【００２９】さらに、本発明によれば、ＢＰＳＧ下地基
板上のボロンの酸化物及び燐の酸化物が、除去されるた
め、露光により発生した酸をレジスト底面において捕獲
してしまうことがなくなり、化学増幅系レジストがポジ
型又はネガ型であっても、ＢＰＳＧ下地基板上に垂直な
パターン形状を形成できる。そのため、微細なレジスト
パターンの寸法制御が可能となる。Furthermore, according to the present invention, the oxide of boron and the oxide of phosphorus on the BPSG base substrate are removed, so that the acid generated by the exposure is not captured on the bottom surface of the resist, and the chemical reaction is prevented. Even if the amplification type resist is a positive type or a negative type, a vertical pattern shape can be formed on the BPSG base substrate. Therefore, it is possible to control the size of the fine resist pattern.
【図１】本発明の第１の実施例の、レジストパターン形
成方法を表す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for forming a resist pattern according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例の、レジストパターン形
成方法を表す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of forming a resist pattern according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例の、レジストパターン形
成方法を表す図である。FIG. 3 is a view illustrating a method of forming a resist pattern according to a third embodiment of the present invention.
【図４】ＳｉＮ基板とＢＰＳＧ基板上のシリコン酸化膜
の膜厚と酸発生化学増幅系ポジ型レジストの裾引き量の
関係をあらわすグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the thickness of a silicon oxide film on a SiN substrate and a BPSG substrate and the amount of footing of an acid-generating chemically amplified positive resist.
【図５】従来技術でポジ型の酸発生化学増幅系レジスト
を用いた場合のレジストパターン形成方法を表す図であ
る。FIG. 5 is a diagram illustrating a method of forming a resist pattern when a positive-type acid-generating chemically amplified resist is used in the related art.
【図６】従来技術でネガ型の酸発生化学増幅系レジスト
を用いた場合のレジストパターン形成方法を表す図であ
る。FIG. 6 is a diagram illustrating a method of forming a resist pattern when a negative-type acid-generating chemically amplified resist is used in the related art.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 重恭 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−84774（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92694（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−245252（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor: Shigeyasu Mori 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (56) References JP-A-6-84774 (JP, A) JP-A-7 -92694 (JP, A) JP-A-7-245252 (JP, A)
Claims (3)
成方法であって、ＢＰＳＧ下地基板に対し硫酸、リン
酸、ほう酸、または硝酸のいずれかを用いて酸洗浄を行
った後、前記ＢＰＳＧ下地基板上にシリコン酸化膜の成
膜を行い、酸発生化学増幅系レジストを塗布し、選択的
に露光を行った後、露光後ベークを行い、その後現像を
行って略垂直なレジスト形状を形成することを特徴とす
るレジストパターンの形成方法。 1. A resist pattern of an acid-generating chemical amplification system
A BPSG substrate with sulfuric acid and phosphorus.
Perform acid cleaning using either acid, boric acid, or nitric acid.
After that, a silicon oxide film is formed on the BPSG base substrate.
Film, apply acid-generating chemically amplified resist, and selectively
After exposure, bake after exposure and then develop
To form a substantially vertical resist shape.
Method of forming a resist pattern.
上であることを特徴とする請求項１に記載のレジストパ
ターンの形成方法。 2. The method according to claim 1, wherein said silicon oxide film has a thickness of 100 ° or less.
2. The resist pattern according to claim 1, wherein
How to make turns.
いて形成されてなることを特徴とする請求項１または２
に記載のレジストパターンの形成方法。 3. The method according to claim 1, wherein the silicon oxide film is formed using a CVD apparatus.
3. The method according to claim 1, wherein
3. The method for forming a resist pattern according to item 1.
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| JPH09219352A JPH09219352A (en) | 1997-08-19 |
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