JP3303753B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

スイッチング電源装置

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JP3303753B2
JP3303753B2 JP33282097A JP33282097A JP3303753B2 JP 3303753 B2 JP3303753 B2 JP 3303753B2 JP 33282097 A JP33282097 A JP 33282097A JP 33282097 A JP33282097 A JP 33282097A JP 3303753 B2 JP3303753 B2 JP 3303753B2
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transformer
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征輝 五十嵐
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、直流電源をトラ
ンス等を介して負荷に電力を供給するスイッチング電源
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図9に、フライバック形スイッチング電
源の従来例を示す。すなわち、入力リアクトルL1とト
ランス一次巻線N1とスイッチQ1との直列回路を、直
流電源としての整流器Recに対して並列に接続し、ス
イッチQ1にはスナバコンデンサCsを並列に接続して
構成される。その動作は、スイッチQ1がオンのときに
一次巻線N1にエネルギーを蓄積し、Q1がオフのとき
に蓄積されたエネルギーを二次巻線N2から放出する。
このQ1のオン,オフを調整することにより出力電圧を
調整する。さらに、この回路では、トランス一次巻線N
1の漏れインダクタンスと、スイッチQ1に並列に接続
されているスナバコンデンサCsを共振させることで、
スナバコンデンサCsの電圧が最も低くなった時にスイ
ッチQ1をオンさせる、いわゆるソフトスイッチング
(零電圧スイッチング)を実現している。なお、ソフト
スイッチングを行なうのは、損失を低減し発生ノイズを
抑えるためである。
【0003】また、力率改善用スイッチQ3をオンする
ことにより、入力リアクトルL1を介して入力電源を短
絡し、入力電流を流す。力率改善用スイッチQ3をオフ
すると、入力リアクトルL1に蓄えられたエネルギー
は、コンデンサ(電解コンデンサ)C1に放出される。
このとき、力率改善用スイッチQ3を全領域でオン,オ
フすることにより、入力電圧が低いときにも入力電流を
流すことができるので、力率改善ができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9の
ようなスイッチング電源装置では、トランス一次巻線N
1の漏れインダクタンスと、スナバコンデンサCsとの
共振によりソフトスイッチングを行なっているため、ス
イッチQ1のオフ期間は、トランス一次巻線N1の漏れ
インダクタンスと、スナバコンデンサCsの共振周期に
より決定される一定時間にしなければならない。その結
果、出力電圧を調整するのにオン期間のみ調整すること
となり、スイッチング周波数が一定しないという問題が
生じる。また、テレビ(TV),ディスプレイ用電源と
して用いる場合には、スイッチング周波数を偏向周波数
と同期させるようにしているが、このような周波数可変
電源には適用できないという問題もある。
【0005】また、従来の方式では、力率改善用スイッ
チQ3と主スイッチQ1をそれぞれ個別にスイッチング
するため、スイッチング電源装置より発生するノイズが
増加するという問題が生じる。さらに、変換器が2直列
になるため効率が低下するといった問題がある。したが
って、この発明の課題は、ソフトスイッチング方式を維
持しつつ設定した任意の周波数でのスイッチングを可能
とし、かつ簡易な方法で力率改善を図ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項1の発明では、トランスの一次巻線と直
列に半導体スイッチを接続した直列回路には、これと並
列に電解コンデンサと交流電圧を直流電圧にする整流器
とを接続し、トランスの二次巻線には整流・平滑回路を
接続し、前記半導体スイッチをオン,オフして負荷に直
流電力を供給するスイッチング電源装置において、前記
整流器と電解コンデンサとの接続点間にトランスの三次
巻線と逆回復用のダイオードの直列回路を接続するよう
にしている。こうすることで、半導体スイッチがオンし
たとき、トランス三次巻線には逆回復用のダイオードと
逆極性の電圧が発生し、その結果、逆回復用のダイオー
ドが逆回復し、電流を遮断するので、整流器としては一
般の整流ダイオードで構成でき、低コスト化が図れる。
【0007】請求項2の発明では、トランスの一次巻線
と直列に第1の半導体スイッチを接続した直列回路に
は、これと並列に電解コンデンサと交流電圧を直流電圧
にする整流器とを接続し、トランスの二次巻線には整流
・平滑回路を接続し、前記第1の半導体スイッチをオ
ン,オフして負荷に直流電力を供給するスイッチング電
源装置において、前記電解コンデンサと直列にトランス
の四次巻線とダイオードとの直列回路を接続し、電解コ
ンデンサと並列にトランスの三次巻線と第2の半導体ス
イッチとの直列回路を接続するようにしている。
【0008】請求項2のようにすることで、トランスの
四次巻線の放電は、ダイオード,電解コンデンサ,整流
器,交流電源を介して行なわれるため、入力電圧が電解
コンデンサ電圧より低い場合でも入力電流が流れ、その
結果、導通角が広がり力率が改善される。このとき、電
解コンデンサには電源電圧とトランスの四次巻線に発生
した電圧が加わるので、電解コンデンサを電源電圧ピー
ク値よりも高い電圧で充電できる。さらに、電源電圧が
低くトランスの四次巻線に発生する電圧を加えても電解
コンデンサの電圧に達せず、その充電が行なわれない期
間においても、トランスの一次巻線と第1の半導体スイ
ッチとの直列回路は整流器に直接接続されているため、
電流を流すことができ、その結果、導通角を広げること
ができる。
【0009】請求項3の発明では、直流電源と直列にト
ランスの一次巻線と半導体スイッチとを接続したスイッ
チング電源装置の前記半導体スイッチに、その駆動,制
御を行なう制御用集積回路を接続して運転中の電力供給
を行なうメイン電源と、同じく直流電源と直列にトラン
スの一次巻線と半導体スイッチとを直列に接続したスイ
ッチング電源装置の前記半導体スイッチに、その駆動,
制御を行なう制御用集積回路を接続して待機時の電力供
給を行なうサブ電源とを設け、前記メイン電源,サブ電
源の少なくとも一方のスイッチング電源装置として前記
請求項1または2のいずれかに記載のスイッチング電源
装置を用い、かつ、前記メイン電源の半導体スイッチと
その制御用集積回路および前記サブ電源の半導体スイッ
チとその制御用集積回路を集積化して同一のパッケージ
に収納するようにしている。
【0010】請求項4の発明では、直流電源と直列にト
ランスの一次巻線と半導体スイッチとを接続したスイッ
チング電源装置をメイン電源,サブ電源として設け、こ
れらメイン電源,サブ電源の少なくとも一方のスイッチ
ング電源装置として前記請求項1または2のいずれかに
記載のスイッチング電源装置を用い、かつ、前記メイン
電源の半導体スイッチと前記サブ電源の半導体スイッチ
とを制御する共通の制御用集積回路を、これらの半導体
スイッチとともに集積化して同一のパッケージに収納す
るようにしている。
【0011】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の第1の実施の形
態を示す回路図である。同図の回路は、交流電圧を直流
電圧にする整流器Recに接続されたトランス三次巻線
N3と高速な逆回復(リカバリー)用ダイオードD2の
直列回路と、トランス一次巻線N1とトランス三次巻線
N3とダイオードD2の直列回路の間に接続された電解
コンデンサC1と、トランス一次巻線N1と直列に接続
された半導体スイッチQ1と、この半導体スイッチQ1
に逆並列に接続されたダイオードD1とから構成され
る。
【0012】その動作につき、説明する。図1で半導体
スイッチQ1がオンすると、トランス三次巻線N3には
高速なリカバリーダイオードD2と逆極性に電圧が発生
し、これによってダイオードD2が逆回復し、電流を遮
断する。そのため、整流器Recには、ダイオードD2
の逆回復によって電流が流れず、したがって、整流器R
ecとしては高速な逆回復特性を持たせる必要がなくな
り、一般的な低速の整流ダイオードで十分となり、コス
トダウンを図ることができる。
【0013】図2はこの発明の第2の実施の形態を示す
回路図である。同図の回路は、トランス一次巻線N1と
直列に接続された第1の半導体スイッチQ1と、この半
導体スイッチQ1に逆並列に接続されたダイオードD1
と、トランス一次巻線N1と第1の半導体スイッチQ1
との直列回路に並列に接続されたトランス四次巻線N4
とダイオードD3と電解コンデンサC1の直列回路と、
電解コンデンサC1に並列に接続されたトランス三次巻
線N3と第2の半導体スイッチQ2との直列回路と、第
2の半導体スイッチQ2に逆並列に接続されたダイオー
ドD2とから構成される。
【0014】まず、半導体スイッチQ1のスイッチング
による動作について、説明する。トランス一次巻線N1
と直列に接続された第1の半導体スイッチQ1をオンす
ると、トランス一次巻線N1にエネルギーが蓄積され
る。このとき、トランス四次巻線N4には、整流器Re
c側を正,電解コンデンサC1側を負とする極性に電圧
が発生し、電解コンデンサC1の充電を妨げる。半導体
スイッチQ1をオフすると、トランス一次巻線N1に蓄
積されたエネルギーは、トランスTrの二次巻線N2と
四次巻線N4に放出される。そして、トランス二次巻線
N2に放出されたエネルギーは、整流器Rec1を介し
て負荷に供給される。また、トランス四次巻線N4に
は、整流器Rec側を負,電解コンデンサC1側を正と
する極性に電圧が発生し、ダイオードD3を介して電解
コンデンサC1にエネルギーを放出し、これを充電す
る。
【0015】次に、第2の半導体スイッチQ2のスイッ
チングによる動作について、説明する。半導体スイッチ
Q2をオンすると、電解コンデンサC1はトランス三次
巻線N3を介して放電される。この放電電流により、ト
ランス三次巻線N3にエネルギーが蓄積される。このと
き、トランス四次巻線N4には、整流器Rec側を正,
電解コンデンサC1側を負とする極性に電圧が発生し、
電解コンデンサC1の充電を妨げる。半導体スイッチQ
2をオフすると、トランス三次巻線N3に蓄積されたエ
ネルギーは、トランスTrの二次巻線N2と四次巻線N
4に放出される。そして、トランス二次巻線N2に放出
されたエネルギーは、整流器Rec1を介して負荷に供
給される。また、トランス四次巻線N4には、整流器R
ec側を負,電解コンデンサC1側を正とする極性に電
圧が発生し、ダイオードD3を介して電解コンデンサC
1にエネルギーを放出し、これを充電する。
【0016】第1の半導体スイッチQ1または第2の半
導体スイッチQ2のスイッチングによるトランス四次巻
線N4の放電は、トランス四次巻線N4→ダイオードD
3→電解コンデンサC1→整流器Rec→交流電源AC
の経路を介して行なわれるため、交流電源ACの電圧が
電解コンデンサC1より低い場合でも入力電流が流れる
結果、導通角が広がり力率を改善することができる。こ
のとき、電解コンデンサC1には、入力電圧にトランス
四次巻線N4に発生した電圧が加わり、電解コンデンサ
C1を入力電圧ピーク値よりも高い電圧で充電すること
ができる。また、交流電源ACの電圧が低く、トランス
四次巻線N4に発生する電圧を加えても、電解コンデン
サC1の電圧に達せず、電解コンデンサC1の充電が行
なわれない期間においても、トランス一次巻線N1と第
1の半導体スイッチQ1の直列回路は、整流器Recに
直接接続しているため、電流を流すことができ、その結
果、導通角を広げることが可能となる。なお、第1の半
導体スイッチQ1と第2の半導体スイッチQ2のスイッ
チング動作を個別に説明したが、第1の半導体スイッチ
Q1と第2の半導体スイッチQ2を同時にスイッチング
(オン,オフ)させても、何ら問題ないものである。
【0017】ところで、TVや携帯機器などには、定格
負荷の1/100程度以下の待機モードと呼ばれる非常
に小さい負荷条件がある。このような軽負荷の条件にお
いて図9に示すような従来の回路で電力を調整すると、
下記のような問題により、変換装置の軽負荷時の効率が
著しく低下する。定格負荷相当のスイッチで駆動する
ため、1/100程度の負荷に対してはスイッチの駆動
電力が大きい。定格負荷時と同じようにトランスを矩
形波で励磁するため、オン期間の短いピーク値の大きい
電流が流れるため、トランスの銅損失などが1/100
程度の負荷に対しては大きくなる。以上のように、従来
回路の待機モードにおける駆動電力や銅損失が大きくな
ると、携帯機器の場合などではバッテリの消耗が激し
く、動作期間が短くなる。また、TVなどの機器の場
合、消費電力規制を満足しないなどの問題がある。
【0018】図3は上記のような問題に対処可能な第3
の実施の形態を示す回路図である。この例は、スイッチ
Q1に対して並列に共振リアクトルL1,共振コンデン
サC2および補助スイッチQ2の直列回路を接続した点
が特徴である。この補助スイッチQ2としては、主スイ
ッチQ1の定格の1/10程度のものを使用することと
する。その動作につき、説明する。すなわち、定格負荷
運転時には、トランスTrへの電力の蓄積は主スイッチ
Q1のスイッチングにより行なう。その際、補助スイッ
チQ2を主スイッチQ1のオンより先にオンさせること
により、主スイッチQ1に並列に接続されたコンデンサ
Csの電荷を共振コンデンサC2および共振リアクトル
L1を介して放電させることができるため、主スイッチ
Q1を電圧のない状態からオンさせることができる。
【0019】待機モードなどの軽負荷時には、補助スイ
ッチQ2のみスイッチングを行ない、主スイッチQ1は
オフしたままとする。このとき、補助スイッチQ2に
は、トランスTrの一次巻線N1に加え共振コンデンサ
C2と共振リアクトルL1との直列回路を通して電流が
流れる。この場合、共振コンデンサC2が補助スイッチ
Q2と直列に接続された運転となるため、電流共振回路
での運転となる。そして、補助スイッチQ2がオンする
と、トランス一次巻線N1→共振リアクトルL1→共振
コンデンサC2→補助スイッチQ2の経路で電流が流れ
る。このとき、共振コンデンサC2の電圧上昇に伴いト
ランス一次巻線N1の電圧が減少する。コンデンサC2
の電圧が入力電圧より上昇すると電流が現象し始め、ト
ランス一次巻線N1への印加電圧極性が反転する。トラ
ンス二次電圧が出力電圧Voよりも大きくなるとダイオ
ードD1が導通し、トランスに蓄えられたエネルギーが
負荷に放出される。
【0020】主スイッチQ1がオンする定格運転時は、
トランス一次巻線N1には入力電圧がそのまま印加さ
れ、三角波の電流を流す。補助スイッチQ2のみ運転の
場合は、共振コンデンサC2とトランス励磁インダクタ
ンスと共振リアクトルL1のインピーダンスで決まる電
流に抑えられる。この方式の場合、共振コンデンサは、
1/100倍程度の負荷に合わせた小さな容量のものに
することで、三角波のピーク値よりも小さな電流を流す
ことができる。したがって、主スイッチを用いるよりピ
ーク値の小さな電流で出力できることから、トランスの
損失,素子の通電損失を小さくすることが可能となる。
また、補助スイッチQ2の定格は主スイッチの定格1/
10倍程度のため、この軽負荷運転時における駆動電力
は、定格運転時の1/10倍程度で済むことになる。
【0021】図4は第4の実施の形態を示す回路図であ
る。図3との相違点は、共振リアクトルL1の代わりに
トランスの三次巻線N3に置き換えた点にある。この回
路の動作は図3とほぼ同じであるが、異なる点は補助ス
イッチQ2をオンした時、トランス一次巻線N1と三次
巻線N3が直列となる点である。すなわち、励磁インダ
クタンスは巻数の二乗に比例するので、三次巻線をわず
かに巻くだけで励磁インダクタンスが大幅に増加し、こ
れによって電流ピーク値を簡単に軽減できることを利用
するものである。つまり、図3の場合、L1は軽負荷運
転時の共振リアクトルとしての部品であるが、図4では
これをトランスに数回の巻線を追加するだけで代用で
き、部品を軽減できることになる。
【0022】図3,図4は1つの回路で軽負荷(待機モ
ード)運転も可能な例であるが、一般的には2つの回路
が利用される。図5はかかる例を示す回路図である。こ
れは、整流器Recの出力にコンデンサC1、トランス
Tr1、集積回路(パワーIC1ともいう)、ダイオー
ドD5,D6、コンデンサC3,C4からなるメイン電
源と、コンデンサC11、トランスTr2、パワーIC
2、ダイオードD7、コンデンサC4からなるサブ電源
とから構成したものである。なお、パワーIC1はMO
SFETQ1と制御用IC1とから構成され、パワーI
C2はMOSFETQ11と制御用IC2とから構成さ
れる。
【0023】上記のような構成において、図示されない
装置が動作しているときはMOSFETQ1をオン,オ
フし、トランスTr1に交流電圧を印加してダイオード
D5とコンデンサC3とからなる主回路電源と、ダイオ
ードD6とコンデンサC4とからなるCPU電源に直流
電源を供給する。なお、制御用IC1は出力電圧を検出
し、その指令値との比較結果にもとづきMOSFETQ
1のオン,オフ比を調整することで、主回路電源を一定
に制御する。一方、装置が動作せずCPUのみが動作し
ている待機モード時には、MOSFETQ1は駆動せず
にMOSFETQ11のみをオン,オフし、トランスT
r2に交流電圧を印加して、ダイオードD7とコンデン
サC5とからなるCPU電源にのみ直流電力を供給す
る。このようにすることで、CPUのみが動作している
待機モード時の消費電力を数W以下とし、種々のエネル
ギー規制などをクリアするようにしている。
【0024】図6に図5のパワーICの構成例を示す。
同図(a)はパワーIC1、同(b)はパワーIC2を
それぞれ示すが、絶縁基板上に銅パターンを形成したチ
ップを搭載している。この例では、端子台とチップ,ケ
ースとチップの絶縁を各パッケージ毎に行なう必要があ
る。そこで、図7のようにする。図7はこの発明による
パワーICの構成例を示す。同図からも明らかなよう
に、パワーIC1とパワーIC2とを同一の絶縁基板上
に構成して絶縁基板を共通化し、小形にして低価格化を
図るようにしたものである。図7ではパワーIC1とパ
ワーIC2とを同一の絶縁基板上に構成するようにした
が、図8のようにすることができる。すなわち、制御用
IC1,IC2は機能的にはほぼ同じ構成にし得ること
に着目し、制御用IC1,IC2をまとめて1つに(共
通化)したものである。
【0025】上記では集積化の対象となる電源を、図5
に示すような一般的なスイッチング電源としたが、図1
〜図4で説明した各種のスイッチング電源を利用できる
ことは言うまでもない。また、図3,4のように補助ス
イッチで待機モード運転ができる場合は、制御用ICを
主スイッチと補助スイッチに対応して設けたり、これら
と共通に設けたりして対処できるのは勿論である。
【0026】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、トランス一次
側は高速リカバリーダイオード1個で構成でき、整流器
は一般の整流ダイオードで構成できる。その結果、安価
となる。請求項2の発明によれば、全領域で入力電流を
流すことができ、力率を改善できる。また、電解コンデ
ンサ電圧を入力電圧ピーク値よりも高くできるため、瞬
停時の出力電圧補償が容易にできる。
【0027】請求項3,4の発明によれば、メイン電源
用スイッチとその制御用ICおよびサブ電源用スイッチ
とその制御用ICを同一のパッケージに収納するように
したので、個別に設ける場合に比べて絶縁基板などのパ
ッケージ部材が省略でき、小形化と低価格化が実現でき
る。また、制御用ICを1つとしメイン電源用とサブ電
源用で共用することで、請求項1及び2による上記効果
のほかに、小形化,低価格化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図2】この発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図3】補助スイッチを用いた形態を示す回路図であ
る。
【図4】補助スイッチを用いた形態を示す回路図であ
る。
【図5】軽負荷運転を行なうスイッチング電源の一般的
な例を示す回路図である。
【図6】図5の集積化例を示す構成図である。
【図7】この発明による集積化例を示す構成図である。
【図8】この発明による集積化の他の例を示す構成図で
ある。
【図9】従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
Rec,Rec1…整流器、L1,L2,L3…リアク
トル、C1,C2,C3,C4,C5,C11,Cs…
コンデンサ、Q1,Q2,Q3,Q11…半導体スイッ
チ、D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7…ダイ
オード、Tr,Tr1,Tr2…トランス、N1…トラ
ンス一次巻線、N2…トランス二次巻線、N3…トラン
ス三次巻線、N4…トランス四次巻線、DC…直流電
源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 3/28 H02M 7/21

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】トランスの一次巻線と直列に半導体スイッ
    チを接続した直列回路には、これと並列に電解コンデン
    サと交流電圧を直流電圧にする整流器とを接続し、トラ
    ンスの二次巻線には整流・平滑回路を接続し、前記半導
    体スイッチをオン,オフして負荷に直流電力を供給する
    スイッチング電源装置において、 前記整流器と電解コンデンサとの接続点間にトランスの
    三次巻線と逆回復用のダイオードの直列回路を接続した
    ことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 【請求項2】トランスの一次巻線と直列に第1の半導体
    スイッチを接続した直列回路には、これと並列に電解コ
    ンデンサと交流電圧を直流電圧にする整流器とを接続
    し、トランスの二次巻線には整流・平滑回路を接続し、
    前記第1の半導体スイッチをオン,オフして負荷に直流
    電力を供給するスイッチング電源装置において、 前記電解コンデンサと直列にトランスの四次巻線とダイ
    オードとの直列回路を接続し、電解コンデンサと並列に
    トランスの三次巻線と第2の半導体スイッチとの直列回
    路を接続したことを特徴とするスイッチング電源装置。
  3. 【請求項3】直流電源と直列にトランスの一次巻線と半
    導体スイッチとを接続したスイッチング電源装置の前記
    半導体スイッチに、その駆動,制御を行なう制御用集積
    回路を接続して運転中の電力供給を行なうメイン電源
    と、同じく直流電源と直列にトランスの一次巻線と半導
    体スイッチとを接続したスイッチング電源装置の前記半
    導体スイッチに、その駆動,制御を行なう制御用集積回
    路を接続して待機時の電力供給を行なうサブ電源とを設
    け、前記メイン電源,サブ電源の少なくとも一方のスイ
    ッチング電源装置として前記請求項1または2のいずれ
    かに記載のスイッチング電源装置を用い、かつ、前記メ
    イン電源の半導体スイッチとその制御用集積回路および
    前記サブ電源の半導体スイッチとその制御用集積回路を
    集積化して同一のパッケージに収納したことを特徴とす
    るスイッチング電源装置。
  4. 【請求項4】直流電源と直列にトランスの一次巻線と半
    導体スイッチとを接続したスイッチング電源装置をメイ
    ン電源,サブ電源として設け、これらメイン電源,サブ
    電源の少なくとも一方のスイッチング電源装置として前
    記請求項1または2のいずれかに記載のスイッチング電
    源装置を用い、かつ、前記メイン電源の半導体スイッチ
    と前記サブ電源の半導体スイッチとを制御する共通の制
    御用集積回路を、これらの半導体スイッチとともに集積
    化して同一のパッケージに収納したことを特徴とするス
    イッチング電源装置。
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