JP3303606B2 - 多層薄膜の成膜方法 - Google Patents
多層薄膜の成膜方法Info
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- JP3303606B2 JP3303606B2 JP14703595A JP14703595A JP3303606B2 JP 3303606 B2 JP3303606 B2 JP 3303606B2 JP 14703595 A JP14703595 A JP 14703595A JP 14703595 A JP14703595 A JP 14703595A JP 3303606 B2 JP3303606 B2 JP 3303606B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜太陽電池などの製
造のために複数の真空反応室でのプラズマＣＶＤ法など
によって行う多層薄膜の成膜方法に関する。
造のために複数の真空反応室でのプラズマＣＶＤ法など
によって行う多層薄膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層薄膜の成膜は、基板を装着し
た導電性サセプタ（保持体）を一つの電極とし、これに
対向させた高電圧電極に高電圧を印加して真空反応室で
放電を起こし、プラズマＣＶＤもしくはスパッタにより
薄膜を基板上に堆積していた。図２は従来のアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池製造用成膜装置を示
し、搬入室１１と搬出室１６の間にはさまれた四つの真
空反応室１２ないし１５で多層薄膜を成膜する。反応室
１２は、透明電極を形成したガラス基板１の上にプラズ
マＣＶＤによりｐ形のアモルファスシリコンオキサイド
あるいはｐ形のアモルファスシリコンカーバイトを成膜
する室である。反応室１３は、プラズマＣＶＤによりｉ
質ａ−Ｓｉを成膜する室である。反応室１４は、プラズ
マＣＶＤによりｎ形ａ−Ｓｉを成膜する室である。反応
室１５はスパッタにより金属電極を成膜する室である。
ガラス基板１は、ステンレス鋼などよりなる導電性のサ
セプタ２の上に絶縁材２１を介して装着し、ゲートバル
ブ１７を開いて搬入室１１の基板台１８の上に置き、各
室を真空排気してから各室間のゲートバルブ１７を開閉
して各反応室１２〜１５のヒータ３１で加熱される支持
台３上にサセプタ２ごと順次移動させる。プラズマＣＶ
Ｄ室１２，１３，１４では、高周波電極４に接続された
高電圧電極５に電圧を印加して室によって異なる反応ガ
ス中にプラズマを発生させる。スパッタ室１５では、高
周波電源４に接続されたＡｇあるいはＡｌなどのターゲ
ット６に高電圧を印加してスパッタリングさせる。成膜
を終った基板１をサセプタごと搬出室１６へ移動し、真
空を破ったのちゲートバルブ１７を開いて外部に取出
す。基板１を各反応室１２〜１５の間を移動させるとき
には真空を破ることがないので、界面の良好な多層薄膜
が成膜できる。
た導電性サセプタ（保持体）を一つの電極とし、これに
対向させた高電圧電極に高電圧を印加して真空反応室で
放電を起こし、プラズマＣＶＤもしくはスパッタにより
薄膜を基板上に堆積していた。図２は従来のアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池製造用成膜装置を示
し、搬入室１１と搬出室１６の間にはさまれた四つの真
空反応室１２ないし１５で多層薄膜を成膜する。反応室
１２は、透明電極を形成したガラス基板１の上にプラズ
マＣＶＤによりｐ形のアモルファスシリコンオキサイド
あるいはｐ形のアモルファスシリコンカーバイトを成膜
する室である。反応室１３は、プラズマＣＶＤによりｉ
質ａ−Ｓｉを成膜する室である。反応室１４は、プラズ
マＣＶＤによりｎ形ａ−Ｓｉを成膜する室である。反応
室１５はスパッタにより金属電極を成膜する室である。
ガラス基板１は、ステンレス鋼などよりなる導電性のサ
セプタ２の上に絶縁材２１を介して装着し、ゲートバル
ブ１７を開いて搬入室１１の基板台１８の上に置き、各
室を真空排気してから各室間のゲートバルブ１７を開閉
して各反応室１２〜１５のヒータ３１で加熱される支持
台３上にサセプタ２ごと順次移動させる。プラズマＣＶ
Ｄ室１２，１３，１４では、高周波電極４に接続された
高電圧電極５に電圧を印加して室によって異なる反応ガ
ス中にプラズマを発生させる。スパッタ室１５では、高
周波電源４に接続されたＡｇあるいはＡｌなどのターゲ
ット６に高電圧を印加してスパッタリングさせる。成膜
を終った基板１をサセプタごと搬出室１６へ移動し、真
空を破ったのちゲートバルブ１７を開いて外部に取出
す。基板１を各反応室１２〜１５の間を移動させるとき
には真空を破ることがないので、界面の良好な多層薄膜
が成膜できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにして成膜さ
れた薄膜の特性は、基板に入射するイオンに影響され
る。しかし、基板に入射するイオンの量やエネルギー
は、電極形状や圧力、反応ガスの種類などで決まり、放
電状態と独立に制御することができなかった。そこで、
一つの真空反応室だけをもつ成膜装置では、導電性基板
に外部から電圧導入端子により、例えば１００Ｖの直流
バイアス電圧を印加して基板に入射するイオンの量やエ
ネルギーを制御することが試みられてきた。しかし、図
２のように複数の真空反応室を導電性基板が移動する多
層薄膜成膜装置では、真空反応室を移動するごとに導電
性端子の基板への取り外し、取付けを真空中で行う必要
があり、基板への直流バイアス電圧の印加が困難であっ
た。また、１０-8〜１０-11 Ｓ／ｃｍの低い導電率をも
つａ−Ｓｉなどの膜を基板に堆積した後は、基板の露出
面に導電性端子を接触させても電気的接続をとることが
できない問題があった。さらに、基板およびサセプタが
ヒータにより高温になるため、基板への電気的接続が不
安定になる問題があった。
れた薄膜の特性は、基板に入射するイオンに影響され
る。しかし、基板に入射するイオンの量やエネルギー
は、電極形状や圧力、反応ガスの種類などで決まり、放
電状態と独立に制御することができなかった。そこで、
一つの真空反応室だけをもつ成膜装置では、導電性基板
に外部から電圧導入端子により、例えば１００Ｖの直流
バイアス電圧を印加して基板に入射するイオンの量やエ
ネルギーを制御することが試みられてきた。しかし、図
２のように複数の真空反応室を導電性基板が移動する多
層薄膜成膜装置では、真空反応室を移動するごとに導電
性端子の基板への取り外し、取付けを真空中で行う必要
があり、基板への直流バイアス電圧の印加が困難であっ
た。また、１０-8〜１０-11 Ｓ／ｃｍの低い導電率をも
つａ−Ｓｉなどの膜を基板に堆積した後は、基板の露出
面に導電性端子を接触させても電気的接続をとることが
できない問題があった。さらに、基板およびサセプタが
ヒータにより高温になるため、基板への電気的接続が不
安定になる問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上述の問題を解決し、基
板に安定した直流バイアス電源を印加して基板に入射す
るイオンの量やエネルギーを制御し、所期の特性をもつ
薄膜を積層することのできる多層薄膜の成膜方法を提供
することにある。
板に安定した直流バイアス電源を印加して基板に入射す
るイオンの量やエネルギーを制御し、所期の特性をもつ
薄膜を積層することのできる多層薄膜の成膜方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、被成膜基板を導電性保持体上に装着し、複数の真
空反応室を通過させ、各反応室で導電性保持体と対向す
る電極との間に高周波電圧を印加し、所定の温度に加熱
された基板上に順次薄膜を堆積する多層薄膜の成膜方法
において、請求項１記載の第一の本発明は、基板を絶縁
体を介して保持体上に装着し、保持体上に耐高温直流電
源を備え、基板と保持体との間に所定の直流バイアス電
圧を印加しながら保持体を各反応室を通過させるものと
する。また、請求項２記載の第二の本発明は、互いに絶
縁された複数の基板を絶縁体を介して保持体上に装着
し、保持体上に耐高温直流電源を備え、基板間に所定の
直流バイアス電圧を印加しながら保持体を各反応室を通
過させるものとする。いずれの場合も、真空反応室内で
基板と対向電極との間に放電を発生させてプラズマＣＶ
Ｄにより基板上に薄膜を堆積することが有効である。耐
高温直流電源に蓄電池を用いることも良く、特に固体電
解質蓄電池を用いることが良い。耐高温直流電源に太陽
電池を用いることが良く、特にａ−Ｓｉ太陽電池を用い
ることが良い。耐高温直流電源に熱電気発電器を用いる
ことも良く、特にその熱電材料に半導体を用いることが
良い。
めに、被成膜基板を導電性保持体上に装着し、複数の真
空反応室を通過させ、各反応室で導電性保持体と対向す
る電極との間に高周波電圧を印加し、所定の温度に加熱
された基板上に順次薄膜を堆積する多層薄膜の成膜方法
において、請求項１記載の第一の本発明は、基板を絶縁
体を介して保持体上に装着し、保持体上に耐高温直流電
源を備え、基板と保持体との間に所定の直流バイアス電
圧を印加しながら保持体を各反応室を通過させるものと
する。また、請求項２記載の第二の本発明は、互いに絶
縁された複数の基板を絶縁体を介して保持体上に装着
し、保持体上に耐高温直流電源を備え、基板間に所定の
直流バイアス電圧を印加しながら保持体を各反応室を通
過させるものとする。いずれの場合も、真空反応室内で
基板と対向電極との間に放電を発生させてプラズマＣＶ
Ｄにより基板上に薄膜を堆積することが有効である。耐
高温直流電源に蓄電池を用いることも良く、特に固体電
解質蓄電池を用いることが良い。耐高温直流電源に太陽
電池を用いることが良く、特にａ−Ｓｉ太陽電池を用い
ることが良い。耐高温直流電源に熱電気発電器を用いる
ことも良く、特にその熱電材料に半導体を用いることが
良い。
【０００６】
【作用】保持体上に耐高温直流電源を備え、その電源を
絶縁体を介して被成膜基板を装着した保持体および対向
電極の間あるいは保持体上に互いに絶縁して装着した複
数の被成膜基板間に基板に入射するイオンを制御する直
流バイアス電圧を印加すれば、保持体および基板をその
状態のまま各真空反応室を通過させながら各真空反応室
において成膜する薄膜の膜質が制御される。入射するイ
オンの制御による膜質の制御は、プラズマＣＶＤによる
成膜の際に有効であることが知られている。耐高温直流
電源には、蓄電池、特に１３０℃程度までの温度に耐え
る固体電解質蓄電池を用いる。あるいは、太陽電池、特
に製造の際に２００℃程度の温度を用いるａ−Ｓｉ太陽
電池、熱電気発電器、特にその熱電材料に半導体を用い
ることにより熱起電力が高く、材料により２５０℃から
１１００℃までの温度に耐える熱電気発電器を用いる。
絶縁体を介して被成膜基板を装着した保持体および対向
電極の間あるいは保持体上に互いに絶縁して装着した複
数の被成膜基板間に基板に入射するイオンを制御する直
流バイアス電圧を印加すれば、保持体および基板をその
状態のまま各真空反応室を通過させながら各真空反応室
において成膜する薄膜の膜質が制御される。入射するイ
オンの制御による膜質の制御は、プラズマＣＶＤによる
成膜の際に有効であることが知られている。耐高温直流
電源には、蓄電池、特に１３０℃程度までの温度に耐え
る固体電解質蓄電池を用いる。あるいは、太陽電池、特
に製造の際に２００℃程度の温度を用いるａ−Ｓｉ太陽
電池、熱電気発電器、特にその熱電材料に半導体を用い
ることにより熱起電力が高く、材料により２５０℃から
１１００℃までの温度に耐える熱電気発電器を用いる。
【０００７】
【実施例】以下、図２と共通の部分に同一の符号を付し
た図を引用して本発明の実施例について述べる。図１は
本発明の一実施例のａ−Ｓｉ太陽電池製造用多層薄膜の
成膜方法を示す。図２と同様搬入室１１と搬出室１６の
間にプラズマＣＶＤを行う真空反応室１２、１３、１４
およびスパッタリングを行う真空反応室１５を備える。
絶縁材２１を介して基板１を装着した導電性サセプタ２
は、図２と同様に各室１１ないし１６を通じて移動する
が、サセプタ２上に直流電源７が設置されている。この
直流電源７の一方の端子は接地された支持台３と同電位
のサセプタ２に、他方の端子は基板１にそれぞれバイア
スポート８を介して接続されている。
た図を引用して本発明の実施例について述べる。図１は
本発明の一実施例のａ−Ｓｉ太陽電池製造用多層薄膜の
成膜方法を示す。図２と同様搬入室１１と搬出室１６の
間にプラズマＣＶＤを行う真空反応室１２、１３、１４
およびスパッタリングを行う真空反応室１５を備える。
絶縁材２１を介して基板１を装着した導電性サセプタ２
は、図２と同様に各室１１ないし１６を通じて移動する
が、サセプタ２上に直流電源７が設置されている。この
直流電源７の一方の端子は接地された支持台３と同電位
のサセプタ２に、他方の端子は基板１にそれぞれバイア
スポート８を介して接続されている。
【０００８】そして、直流電源７により、基板に入射す
るイオンの量やエネルギーが最適になるように予め選ん
だ例えば５Ｖ程度のバイアス電圧を印加する。例えば、
ａ−Ｓｉ系半導体をプラズマＣＶＤで成膜する際、基板
温度を２００℃程度に上げるため、サセプタ２は支持台
３のヒータ３１により加熱されるので、直流電源７は耐
高温性であることを要する。
るイオンの量やエネルギーが最適になるように予め選ん
だ例えば５Ｖ程度のバイアス電圧を印加する。例えば、
ａ−Ｓｉ系半導体をプラズマＣＶＤで成膜する際、基板
温度を２００℃程度に上げるため、サセプタ２は支持台
３のヒータ３１により加熱されるので、直流電源７は耐
高温性であることを要する。
【０００９】図３に示す本発明の別の実施例では、サセ
プタ２の上の絶縁材２１を介して２枚の基板を４１，５
１を装着し、耐高温直流電源７により両基板間に直流バ
イアス電圧を印加する。これにより、放電を発生させる
高電圧電極５とサセプタ２に対して基板４１、５１を電
位的に浮かせた状態で、各基板に入射するイオンの制御
を行うことができる。
プタ２の上の絶縁材２１を介して２枚の基板を４１，５
１を装着し、耐高温直流電源７により両基板間に直流バ
イアス電圧を印加する。これにより、放電を発生させる
高電圧電極５とサセプタ２に対して基板４１、５１を電
位的に浮かせた状態で、各基板に入射するイオンの制御
を行うことができる。
【００１０】図４ないし図６には種々の耐高温直流電源
を用いた実施例を示す。図４に示した実施例では、耐高
温直流電源に高温に耐える蓄電池７１を用いている。耐
高温蓄電池７１としては、８５℃以下では塩化チオニー
ル・リチウム電池でよいが、それ以上の高温ではよう化
リチウム固体電界質電池、１３０℃程度ではポリエチレ
ンオキサイド、ＬｉＦＣＯ3 固体電界質電池などの固体
電界質蓄電池を用いる。
を用いた実施例を示す。図４に示した実施例では、耐高
温直流電源に高温に耐える蓄電池７１を用いている。耐
高温蓄電池７１としては、８５℃以下では塩化チオニー
ル・リチウム電池でよいが、それ以上の高温ではよう化
リチウム固体電界質電池、１３０℃程度ではポリエチレ
ンオキサイド、ＬｉＦＣＯ3 固体電界質電池などの固体
電界質蓄電池を用いる。
【００１１】図５に示した実施例では、耐高温直流電源
に２００℃以上の温度で製造されるａ−Ｓｉ太陽電池７
２を用いている。太陽電池７２の裏面は負電極なってお
りサセプタ２と接触している。基板としては、ガラス板
４２の上に透明電極４３をつけたものを用いている。こ
の透明電極４３がバイアスポート８により太陽電池７２
の表面の正電極と接続される。この場合、ガラス板４２
が絶縁物を兼ねる。プラズマの発光を光源として基板７
を透過した光により太陽電池が発電して耐高温直流電源
として働く。太陽電池７２の大きさを基板５１と同じも
しくは小さくすれば、太陽電池７２の表面に薄膜があま
り形成されることなく、太陽電池７２を繰り返し利用す
ることができる。
に２００℃以上の温度で製造されるａ−Ｓｉ太陽電池７
２を用いている。太陽電池７２の裏面は負電極なってお
りサセプタ２と接触している。基板としては、ガラス板
４２の上に透明電極４３をつけたものを用いている。こ
の透明電極４３がバイアスポート８により太陽電池７２
の表面の正電極と接続される。この場合、ガラス板４２
が絶縁物を兼ねる。プラズマの発光を光源として基板７
を透過した光により太陽電池が発電して耐高温直流電源
として働く。太陽電池７２の大きさを基板５１と同じも
しくは小さくすれば、太陽電池７２の表面に薄膜があま
り形成されることなく、太陽電池７２を繰り返し利用す
ることができる。
【００１２】図６に示した実施例では、耐高温直流電源
に熱電気発電器７３を用いている。熱電気発電器は、異
種の半導体または導体をその両端で接合し、接合点問に
温度等を与えたときの熱電効果を利用して発電する装置
である。基板１は、ｐ形半導体などの正極用熱電材料７
４に接続され、サセプタ５はｎ形半導体などの負極用熱
電材料７５とバイアスポート８により接続されている。
正極用熱電材料７４と負極用熱電材料７５の他側の接合
部はヒータ３で加熱されるサセプタ２に接触することに
より高温になるため、基板１とサセプタ２の間に直流バ
イアス電圧が印加される。正極用電熱材料７４あるいは
負極用熱電材料７５に用いられる熱電能の大きい半導体
としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 、Ｂｉ2 （Ｔｅ・Ｓｅ）3 、Ｂ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｂｉ88Ｓｂ12、Ｓｂ2 Ｔｅ3 、Ｂ
ｉ3 、Ｓｅ2 、ＰｂＴｅ、Ｃｕ1.97Ａｇ0.03Ｓ
ｅ1.0045、ＧｅＴｅ、Ｇｅ3 Ｓｉ7 、ＦｅＳｉ、α−Ａ
ｌＢ12などがあげられ、これらを単独もしくは混合物と
して用いる。従来熱電対の材料によく用いられる物質の
Ｐｔに対する熱電能は、コンスタンタンで−３５．０μ
Ｖ／Ｋ、アルメルで−１２．９μＶ／Ｋ、Ｃｕで＋７．
７μＶ／Ｋ、クロメルで＋２８．１μＶ／Ｋ、である。
これに対して、上記半導体のＰｔに対する熱電能は、例
えば、Ｂｉ2 （Ｔｅ・Ｓｅ）3 で−１８４μＶ／Ｋ、ｎ
形Ｂｉ2 Ｔｅ3 で−１６６μＶ／Ｋ、ｐ形Ｂｉ2 Ｔｅ3
で＋２４３μＶ／Ｋ、Ｇｅで３３９μＶ／Ｋ、Ｔｅで＋
４４８μＶ／Ｋで、１桁から２桁従来の熱電対材料に対
して大きい。そして例えばＢｉＴｅ系材料は２５０℃、
ＰｂＴｅ系材料は６００℃、ＧｅＳｉ系材料は１１００
℃まで使用可能であり、必要に応じて複数対を直列接続
することにより、耐高温直流電源として使用可能な起電
力を得られる。
に熱電気発電器７３を用いている。熱電気発電器は、異
種の半導体または導体をその両端で接合し、接合点問に
温度等を与えたときの熱電効果を利用して発電する装置
である。基板１は、ｐ形半導体などの正極用熱電材料７
４に接続され、サセプタ５はｎ形半導体などの負極用熱
電材料７５とバイアスポート８により接続されている。
正極用熱電材料７４と負極用熱電材料７５の他側の接合
部はヒータ３で加熱されるサセプタ２に接触することに
より高温になるため、基板１とサセプタ２の間に直流バ
イアス電圧が印加される。正極用電熱材料７４あるいは
負極用熱電材料７５に用いられる熱電能の大きい半導体
としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 、Ｂｉ2 （Ｔｅ・Ｓｅ）3 、Ｂ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｂｉ88Ｓｂ12、Ｓｂ2 Ｔｅ3 、Ｂ
ｉ3 、Ｓｅ2 、ＰｂＴｅ、Ｃｕ1.97Ａｇ0.03Ｓ
ｅ1.0045、ＧｅＴｅ、Ｇｅ3 Ｓｉ7 、ＦｅＳｉ、α−Ａ
ｌＢ12などがあげられ、これらを単独もしくは混合物と
して用いる。従来熱電対の材料によく用いられる物質の
Ｐｔに対する熱電能は、コンスタンタンで−３５．０μ
Ｖ／Ｋ、アルメルで−１２．９μＶ／Ｋ、Ｃｕで＋７．
７μＶ／Ｋ、クロメルで＋２８．１μＶ／Ｋ、である。
これに対して、上記半導体のＰｔに対する熱電能は、例
えば、Ｂｉ2 （Ｔｅ・Ｓｅ）3 で−１８４μＶ／Ｋ、ｎ
形Ｂｉ2 Ｔｅ3 で−１６６μＶ／Ｋ、ｐ形Ｂｉ2 Ｔｅ3
で＋２４３μＶ／Ｋ、Ｇｅで３３９μＶ／Ｋ、Ｔｅで＋
４４８μＶ／Ｋで、１桁から２桁従来の熱電対材料に対
して大きい。そして例えばＢｉＴｅ系材料は２５０℃、
ＰｂＴｅ系材料は６００℃、ＧｅＳｉ系材料は１１００
℃まで使用可能であり、必要に応じて複数対を直列接続
することにより、耐高温直流電源として使用可能な起電
力を得られる。
【００１３】
【発明の効果】被成膜基板の保持体上に耐高温直流電源
を備えたことにより、基板を加熱した状態で、直流バイ
アス印加のための接続を外すことなく、基板を保持体と
共に真空中で各反応室間を移動することが可能となっ
た。これにより、放電を利用した複数の真空反応室を備
えた多層薄膜成膜装置の各室で、基板に直流バイアス電
圧を印加することが可能となり、基板に入射するイオン
の量やエネルギーの制御して薄膜膜質の改善が可能とな
った。
を備えたことにより、基板を加熱した状態で、直流バイ
アス印加のための接続を外すことなく、基板を保持体と
共に真空中で各反応室間を移動することが可能となっ
た。これにより、放電を利用した複数の真空反応室を備
えた多層薄膜成膜装置の各室で、基板に直流バイアス電
圧を印加することが可能となり、基板に入射するイオン
の量やエネルギーの制御して薄膜膜質の改善が可能とな
った。
【図１】第一の本発明の多層薄膜の成膜方法を実施でき
るａ−Ｓｉ太陽電池製造装置の断面図
るａ−Ｓｉ太陽電池製造装置の断面図
【図２】従来のａ−Ｓｉ太陽電池製造装置の断面図
【図３】第二の本発明のを実施例の多層薄膜の成膜方法
に用いられるサセプタ部の断面図
に用いられるサセプタ部の断面図
【図４】第一の本発明の実施例の多層薄膜の成膜方法に
用いられるサセプタ部の一例の断面図
用いられるサセプタ部の一例の断面図
【図５】第一の本発明の実施例の多層薄膜の成膜方法に
用いられるサセプタ部の他の例の断面図
用いられるサセプタ部の他の例の断面図
【図６】第一の本発明の実施例の多層薄膜の成膜方法に
用いられるサセプタ部の他の例の断面図
用いられるサセプタ部の他の例の断面図
１、４１、５１ 基板 ２ サセプタ ２１ 絶縁材 ３ 支持台 ３１ ヒータ ４ 高周波電源 ５ 高電圧電源 ６ ターゲット ７ 耐高温直流電源 ８ バイアスポート １１ 搬入室 １２、１３、１４ プラズマＣＶＤ室 １５ スパッタ室 １６ 搬出室 １７ ゲートバルブ ４２ ガラス板 ４３ 透明電極 ７１ 耐高温蓄電池 ７２ 太陽電池 ７３ 熱電気発電器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−65120（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267861（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−149119（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−41757（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−162874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229841（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−103828（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63223（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 C23C 16/54
Claims (9)
- 【請求項１】被成膜基板を保持体上に装着し、複数の真
空反応室を通過させ、各反応室内で保持体と対向する電
極との間に高周波電圧を印加して所定の温度に加熱され
た基板上に順次薄膜を堆積する多層薄膜の成膜方法にお
いて、基板を絶縁体を介して保持体上に装着し、保持体
上に耐高温直流電源を備え、基板と保持体との間に所定
の直流バイアス電圧を印加しながら保持体を各反応室を
通過させることを特徴とする多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項２】被成膜基板を保持体上に装着し、複数の真
空反応室を通過させ、各反応室内で保持体と対向する電
極との間に高周波電圧を印加して所定の温度に加熱され
た基板上に順次薄膜を堆積する多層薄膜の成膜方法にお
いて、互いに絶縁された複数の基板を絶縁体を介して保
持体上に装着し、保持体上に耐高温直流電源を備え、基
板間に所定の直流バイアス電圧を印加しながら保持体を
各反応室を通過させることを特徴とする多層薄膜の成膜
方法。 - 【請求項３】真空反応室内で基板と対向電極との間に放
電を発生させてプラズマＣＶＤにより基板上に薄膜を堆
積する請求項１あるいは２記載の多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項４】耐高温直流電源に蓄電池を用いる請求項１
ないし３のいずれかに記載の多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項５】固体電解質蓄電池を用いる請求項４記載の
多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項６】耐高温直流電源に太陽電池を用いる請求項
１ないし３のいずれかに記載の多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項７】アモルファスシリコン太陽電池を用いる請
求項６記載の多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項８】耐高温直流電源に熱電気発電器を用いる請
求項１ないし３のいずれかに記載の多層薄膜の成膜方
法。 - 【請求項９】熱電気発電器の熱電材料に半導体を用いる
請求項８記載の多層薄膜の成膜方法。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14703595A JP3303606B2 (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 多層薄膜の成膜方法 |
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