JP3298420B2 - Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing lead frame - Google Patents
Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing lead frameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをリ
ードフレームに安定に固定することができるリードフレ
ーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法に関
する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a lead frame, a semiconductor device, and a method of manufacturing a lead frame which can stably fix a semiconductor chip to a lead frame.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は半導体装置用リードフレーム１の
構成を示し、上下に平行なフレーム枠２間が左右のダム
バー３でつながれ、その左右のダムバー３に結合された
多数のリード４がフレーム枠２間の中央に対向配置され
ている。対向配置されたリード４のインナリード５に図
示しない半導体チップが固定される。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows the structure of a lead frame 1 for a semiconductor device. Vertically parallel frame frames 2 are connected by left and right dam bars 3, and a large number of leads 4 connected to the left and right dam bars 3 have a frame. Opposingly arranged at the center between the frames 2. A semiconductor chip (not shown) is fixed to the inner leads 5 of the leads 4 arranged to face each other.
【０００３】従来の半導体装置は、図３に示すように半
導体チップ固定領域１１のインナリード５に、両面に接
着剤を設けた絶縁性フィルム６を貼付け、半導体チップ
を加熱及び加圧することによりリードフレーム１に固定
していた。In a conventional semiconductor device, as shown in FIG. 3, an insulating film 6 provided with an adhesive on both sides is attached to an inner lead 5 of a semiconductor chip fixing region 11, and the semiconductor chip is heated and pressed to apply a lead. It was fixed to frame 1.
【０００４】リードフレーム１への絶縁性フィルム６の
接着方法は、例えばリール状に巻かれたフィルムを金型
で所定の形状に打抜き、それを半導体チップ固定領域１
１へ加熱及び加圧することにより貼付けている。[0004] The method of bonding the insulating film 6 to the lead frame 1 is, for example, punching a film wound in a reel shape into a predetermined shape with a mold, and then punching the film into a semiconductor chip fixing region 1.
1 by applying heat and pressure.
【０００５】この方法の欠点はフィルムを金型にて打抜
くことにより、インナリード５に貼付けるフィルムの形
状を決定しているので、フィルムの打抜いたあまりが発
生し、コスト的に無駄が多いことである。A disadvantage of this method is that the shape of the film to be attached to the inner lead 5 is determined by punching the film with a die, so that the film is excessively punched, resulting in cost reduction. That is a lot.
【０００６】そこで、材料を効率的に利用する方法とし
てワニス状の絶縁性接着剤をディスペンサで塗布して絶
縁性を確保しながら半導体チップを固定する方法が考え
られた。この方法は絶縁性接着剤を必要量リードフレー
ム上に塗布するだけなので、材料の余りは発生せず、か
つ高価な金型も必要としないのでコスト低減に効果大で
ある。Therefore, as a method of efficiently using the material, a method of applying a varnish-like insulating adhesive with a dispenser and fixing the semiconductor chip while securing insulation has been considered. In this method, since only a required amount of the insulating adhesive is applied onto the lead frame, no excess material is generated, and an expensive mold is not required, which is effective for cost reduction.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したリ
ードフレームにワニス状の絶縁性接着剤をディスペンサ
で塗布する方法には、次のような問題があった。絶縁性
接着剤をディスペンサで塗布するには、接着剤を入れた
容器に空気を送り込み、リードフレーム上を移動しなが
ら接着剤を吐出する。その際、接着剤の入った容器に空
気圧をかけても容器の先端に取り付けたニードルから接
着剤が吐出されるまである程度の時間がかかり、それは
容器中の接着剤量の変化に伴って変化する。また空気圧
をかけるのを止めても容器内の残圧等の影響で同時には
吐出は止まらないため、塗布開始部と終了部の塗布量が
不安定になってしまう。半導体チップ固定領域のインナ
リード上の塗布量のばらつきが大きいと、半導体装置の
薄形化に対応できず、半導体チップの固定やワイヤボン
ディングにも支障を来す。However, the above-described method of applying a varnish-like insulating adhesive to a lead frame with a dispenser has the following problems. To apply an insulating adhesive with a dispenser, air is sent into a container containing the adhesive, and the adhesive is discharged while moving on a lead frame. At that time, even if air pressure is applied to the container containing the adhesive, it takes some time until the adhesive is discharged from the needle attached to the tip of the container, and it changes with the change in the amount of the adhesive in the container. . Further, even if the application of the air pressure is stopped, the discharge does not stop at the same time due to the influence of the residual pressure in the container or the like, so that the application amount at the application start portion and the application end portion becomes unstable. If the variation in the amount of coating on the inner leads in the semiconductor chip fixing region is large, the semiconductor device cannot be made thinner, and the fixing of the semiconductor chip and the wire bonding will be hindered.
【０００８】本発明の目的は、前記した従来技術の問題
点を解消し、半導体装置の薄形化に対応でき、半導体チ
ップの固定やワイヤボンディングを安定して行うことが
可能なリードフレーム及び半導体装置を提供することに
ある。また、本発明の目的は、半導体チップ固定領域に
均一な絶縁性接着剤をディスペンサで塗布することが可
能なリードフレームの製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to reduce the thickness of a semiconductor device, and to stably fix a semiconductor chip and perform wire bonding. It is to provide a device. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a lead frame that can apply a uniform insulating adhesive to a semiconductor chip fixing region with a dispenser.
【０００９】[0009]
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】 請求項１ に記載の発明
は、絶縁性接着剤が塗布される半導体チップ固定領域の
インナリードに半導体チップを固定するリードフレーム
において、前記半導体チップ固定領域の少なくとも外方
に、絶縁性接着剤の塗布量を整えるための塗布量調整用
リードを余分に設けたことを特徴とするリードフレーム
である。絶縁性接着剤をインナリードに塗布する際に、
絶縁性接着剤の塗布量が不安定になるときは、塗布量が
安定するまで塗布量調整用リードに絶縁性接着剤塗り付
ける。塗布量調整用リードが半導体チップ固定領域の外
方にあると、そこを開始点として順次インナーリードに
接着剤を塗布するとができるので、塗布作業をスムーズ
に行うことができる。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a lead frame for fixing a semiconductor chip to an inner lead of a semiconductor chip fixing region to which an insulating adhesive is applied, wherein at least the semiconductor chip fixing region is provided. A lead frame provided with extra coating amount adjustment leads for adjusting the application amount of the insulating adhesive outside. When applying the insulating adhesive to the inner lead,
If the applied amount of the insulating adhesive becomes unstable, apply the insulating adhesive to the lead for adjusting the applied amount until the applied amount becomes stable. If the coating amount adjustment lead is outside the semiconductor chip fixing region, the adhesive can be sequentially applied to the inner lead starting from that position as a starting point, so that the coating operation can be performed smoothly.
【００１１】請求項２に記載の発明は、ディスペンサに
より絶縁性接着剤が塗布される半導体チップ固定領域の
インナリードに半導体チップを固定するリードフレーム
において、前記ディスペンサ移動方向で半導体チップ固
定領域の少なくとも前方と後方に、ディスペンサから吐
出する絶縁性接着剤の塗布量を整えるための塗布量調整
用リードを余分に設けたことを特徴とするリードフレー
ムである。絶縁性接着剤の塗布を必要とする半導体チッ
プ固定領域のインナリードの前後に塗布量を整えるため
の塗布量調整用リードを余分に設けることにより、塗布
開始時と塗布終了時に吐出量が不安定になる絶縁性接着
剤を塗布量調整用リードに塗り付けることができるの
で、半導体チップ固定領域のインナーリード上へ絶縁性
接着剤を均一に塗布できるようになる。According to a second aspect of the present invention, in a lead frame for fixing a semiconductor chip to an inner lead of a semiconductor chip fixing region to which an insulating adhesive is applied by a dispenser, at least the semiconductor chip fixing region in the dispenser moving direction. The lead frame is characterized in that extra coating amount adjustment leads for adjusting the application amount of the insulating adhesive discharged from the dispenser are provided at the front and rear. Discharge volume is unstable at the start and end of coating by providing extra coating volume adjustment leads to adjust the coating volume before and after the inner lead in the semiconductor chip fixing area that requires application of insulating adhesive Can be applied to the application amount adjusting lead, so that the insulating adhesive can be uniformly applied onto the inner lead in the semiconductor chip fixing region.
【００１２】請求項３に記載の発明は、前記半導体チッ
プ固定領域のインナリードに絶縁性接着剤が均一に塗布
されている請求項１または２に記載のリードフレームで
ある。半導体チップ固定領域内のリードに絶縁性接着剤
が均一に塗布されているので、半導体チップの固定やワ
イヤボンディングが安定して行なえる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the lead frame according to the first or second aspect, wherein an insulating adhesive is uniformly applied to the inner leads of the semiconductor chip fixing region. Since the insulating adhesive is uniformly applied to the leads in the semiconductor chip fixing region, the fixing of the semiconductor chip and the wire bonding can be performed stably.
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載のリードフレームの半導体チップ固
定領域内のリードに前記絶縁性接着剤を介して半導体チ
ップが固定され、該半導体チップと前記塗布量調整用リ
ードを除いた半導体チップ固定領域のインナリードとが
ワイヤボンディングされ、かつ樹脂封止されている半導
体装置である。均一に塗布された絶縁性接着剤を介して
リードフレームに半導体チップが固定されているので、
薄形化と信頼性に優れる。[0013] The invention described in claim 4 provides the invention according to claims 1 to
3. The semiconductor chip is fixed to the lead in the semiconductor chip fixing area of the lead frame according to any one of the items 3 through the insulating adhesive, and the semiconductor chip fixing area excluding the semiconductor chip and the coating amount adjustment lead is removed. This is a semiconductor device in which an inner lead is wire-bonded and sealed with a resin. Since the semiconductor chip is fixed to the lead frame via the uniformly applied insulating adhesive,
Excellent in thinness and reliability.
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項２に記載
のリードフレーム上を移動しながらディスペンサから絶
縁性接着剤を吐出して半導体チップ固定領域のインナリ
ードに絶縁性接着剤を塗布するに際して、半導体チップ
固定領域の前方に設けた塗布量調整用リードから塗布を
開始し、半導体チップ固定領域のインナリードへの塗布
を経由して、半導体チップ固定領域の後方に設けた塗布
量調整用リードで塗布を終了するようにしたリードフレ
ームの製造方法である。塗布開始後の吐出量は安定する
が、ディスペンサに圧をかけたばかりの塗布開始時と、
圧を解除した塗布終了時にはディスペンサから吐出され
る絶縁性接着剤の吐出量は不安定になる。したがって、
一連の塗布工程において、塗布開始時と塗布終了時の絶
縁性接着剤を半導体チップ固定領域の前方と後方に設け
た塗布量調整用リードにも塗布するようにすると、塗布
量調整用リード間に挟まれた半導体チップ固定領域のイ
ンナリードには均一な絶縁性接着剤を再現性よく塗布す
ることができるようになる。According to a fifth aspect of the present invention, the insulating adhesive is discharged from the dispenser while moving on the lead frame according to the second aspect, and the insulating adhesive is applied to the inner leads in the semiconductor chip fixing area. At the time of application, the application is started from the coating amount adjustment lead provided in front of the semiconductor chip fixing region, and is applied to the coating amount adjustment provided after the semiconductor chip fixing region through the application to the inner lead of the semiconductor chip fixing region. This is a method for manufacturing a lead frame in which coating is completed with leads. The discharge rate after the start of application is stable, but at the start of application just after applying pressure to the dispenser,
At the end of the application where the pressure is released, the discharge amount of the insulating adhesive discharged from the dispenser becomes unstable. Therefore,
In a series of application steps, if the insulating adhesive at the start and end of application is also applied to the application amount adjustment leads provided in front of and behind the semiconductor chip fixing area, the distance between the application amount adjustment leads is reduced. A uniform insulating adhesive can be applied with good reproducibility to the inner leads in the semiconductor chip fixing region sandwiched therebetween.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】図１は、本実施の形態によるリードフレー
ム１の平面図を示す。基本的構成は、図２に示す従来の
リードフレーム１と同じであり、異なる点は、ディスペ
ンサ（図示略）から吐出する絶縁性接着剤の塗布量を整
えるための塗布量調整用リード７、８を余分に設けた点
である。FIG. 1 is a plan view of a lead frame 1 according to the present embodiment. The basic configuration is the same as that of the conventional lead frame 1 shown in FIG. 2, and the difference is that the application amount adjusting leads 7 and 8 for adjusting the application amount of the insulating adhesive discharged from a dispenser (not shown). Is an extra point.
【００１７】図示するように、一方の塗布量調整用リー
ド７は、ディスペンサの矢印で示す移動方向からみて半
導体チップ固定領域１１の前方と後方に左右１対づつ設
けられる。この塗布量調整用リード７は、半導体チップ
固定領域１１の最外側にあるインナリード５から分岐さ
せ、その分岐させた塗布量調整用リード７の接着剤１０
を塗布する先端部の形状は、半導体チップ固定領域１１
のインナリード５の接着剤９を塗布する先端部に対して
２倍の面積に形成してある。また、インナリード５との
間隔は、塗布条件を同じにするためインナリード５間と
同じ間隔にしてある。As shown in the figure, one application amount adjusting lead 7 is provided in a pair on the left and right sides in front of and behind the semiconductor chip fixing area 11 when viewed from the direction of movement of the dispenser indicated by the arrow. The coating amount adjusting lead 7 is branched from the inner lead 5 on the outermost side of the semiconductor chip fixing region 11 and the adhesive 10 of the branched coating amount adjusting lead 7 is formed.
The shape of the tip portion to which is applied is the semiconductor chip fixing region 11.
The inner lead 5 is formed to have an area twice as large as the tip of the inner lead 5 to which the adhesive 9 is applied. The distance between the inner leads 5 is the same as that between the inner leads 5 in order to make the coating conditions the same.
【００１８】他方の塗布量調整用リード８は、半導体チ
ップ固定領域１１の中央に左右１対設けられる。この塗
布量調整用リード８は、半導体チップ固定領域１１の中
央にあるインナリード５から分岐させ、その分岐させた
塗布量調整用リード８の接着剤１０を塗布する先端部の
形状は、半導体チップ固定領域１１のインナリード５の
接着剤９を塗布する先端部と同じ面積に形成してある。
また、インナリード５との間隔もインナリード５間と同
じ間隔にしてある。The other coating amount adjusting lead 8 is provided in a pair on the left and right at the center of the semiconductor chip fixing region 11. The coating amount adjusting lead 8 is branched from the inner lead 5 at the center of the semiconductor chip fixing region 11, and the tip of the branched coating amount adjusting lead 8 to which the adhesive 10 is applied has a shape of a semiconductor chip. The fixed area 11 is formed in the same area as the tip of the inner lead 5 to which the adhesive 9 is applied.
The distance between the inner leads 5 is the same as that between the inner leads 5.
【００１９】本実施の形態で使用した接着剤９はガラス
転移温度が２２０℃の熱可塑性の絶縁性接着剤９（例え
ばＨＭ−１：五井化学社製）を溶媒でワニス状に溶かし
たものである。リードフレーム１への接着剤９の塗布方
法は、従来と同じく、ワニス状の絶縁性接着剤９を入れ
た容器に空気を送り込み、リードフレーム１上を定速移
動しながらワニス状の絶縁性接着剤９を吐出する方法で
ある。The adhesive 9 used in the present embodiment is obtained by dissolving a thermoplastic insulating adhesive 9 having a glass transition temperature of 220 ° C. (for example, HM-1: manufactured by Goi Chemical Co., Ltd.) in a varnish form with a solvent. is there. The method of applying the adhesive 9 to the lead frame 1 is the same as in the prior art, by blowing air into a container containing the varnish-like insulating adhesive 9 and moving the varnish-like insulating adhesive 9 at a constant speed over the lead frame 1. This is a method of discharging the agent 9.
【００２０】塗布開始時、ディスペンサのニードルを半
導体チップ固定領域１１の前方に設けた塗布量調整用リ
ード７の先端部上にセットし、この塗布量調整用リード
７から塗布を開始する。塗布開始と同時に接着剤の入っ
た容器に空気圧をかける。すると、容器の先端に取り付
けたニードルからワニス状の絶縁性接着剤９が吐出され
る。塗布開始時の吐出はやや遅れるため吐出量が不安定
になるが、その不安定な接着剤１０は、半導体チップ固
定領域１１の前方に設けた塗布量調整用リード７に塗布
される。この場合、塗布量調整用リード７のリード先端
部は、余裕をもってインナリード５のリード先端部の２
倍の面積に形成してあるので、ディスペンサ中のワニス
量により吐出遅延時間が変化しても、その変化を十分吸
収できる。そして、ディスペンサの定速移動により、デ
ィスペンサが塗布量調整用リード７から半導体チップ固
定領域１１のインナリード５に乗り移るときには、ディ
スペンサから吐出される接着剤の吐出量は十分安定化す
る。したがって、半導体チップ固定領域１１のインナリ
ード５への接着剤９の塗布量が安定する。At the start of coating, the needle of the dispenser is set on the tip of the coating amount adjusting lead 7 provided in front of the semiconductor chip fixing area 11, and the coating is started from the coating amount adjusting lead 7. Air pressure is applied to the container containing the adhesive simultaneously with the start of application. Then, the varnish-like insulating adhesive 9 is discharged from the needle attached to the tip of the container. Although the discharge at the start of the application is slightly delayed, the discharge amount becomes unstable. The unstable adhesive 10 is applied to the application amount adjusting lead 7 provided in front of the semiconductor chip fixing region 11. In this case, the leading end of the coating amount adjusting lead 7 has a margin with the leading end of the inner lead 5.
Since the area is twice as large, even if the discharge delay time changes due to the amount of varnish in the dispenser, the change can be sufficiently absorbed. When the dispenser moves from the coating amount adjusting lead 7 to the inner lead 5 in the semiconductor chip fixing region 11 by the constant speed movement of the dispenser, the discharge amount of the adhesive discharged from the dispenser is sufficiently stabilized. Therefore, the amount of the adhesive 9 applied to the inner leads 5 in the semiconductor chip fixing region 11 is stabilized.
【００２１】リードへの塗布は半導体チップ固定領域１
１で終了させずに、半導体チップ固定領域１１の後方に
設けた塗布量調整用リード７まで延長する。半導体チッ
プ固定領域１１を経由した時点で容器にかけていた空気
圧を解除する。空気圧を解除しても容器内の残圧によ
り、すぐには絶縁性接着剤９の吐出が停止されず、停止
されるまでの間、吐出量が不安定になる。その不安定な
吐出は、半導体チップ固定領域１１の後方に設けた塗布
量調整用リード７で吸収させる。この場合、塗布量調整
用リード７のリード先端部は、余裕をもってインナリー
ド５のリード先端部の２倍の面積に形成してあるので、
ディスペンサ中のワニス量により吐出停止時間が変化し
ても、その変化に十分に対応できる。半導体チップ固定
領域１１の後方に設けた塗布量調整用リード７への塗布
は、ディスペンサのニードルに残った接着剤を拭取る意
味合いもあり、液垂れが生じて次の塗布開始時に支障が
生じるのを有効に防止できる。The coating on the lead is performed in the semiconductor chip fixing region 1
The process is extended to the application amount adjusting lead 7 provided behind the semiconductor chip fixing region 11 without terminating at 1. The air pressure applied to the container when passing through the semiconductor chip fixing area 11 is released. Even when the air pressure is released, the discharge of the insulating adhesive 9 is not stopped immediately due to the residual pressure in the container, and the discharge amount becomes unstable until the discharge is stopped. The unstable ejection is absorbed by the coating amount adjustment lead 7 provided behind the semiconductor chip fixing region 11. In this case, the lead end of the coating amount adjusting lead 7 is formed with a margin twice as large as the lead end of the inner lead 5.
Even if the discharge stop time changes depending on the amount of varnish in the dispenser, the change can be sufficiently coped with. The application to the application amount adjusting lead 7 provided behind the semiconductor chip fixing region 11 also has the meaning of wiping the adhesive remaining on the needle of the dispenser, which causes liquid dripping and causes trouble at the start of the next application. Can be effectively prevented.
【００２２】また本実施の形態では、半導体チップ固定
領域１１の中央にも塗布量調整用リード８を設けてある
ので、塗布量調整用リード８の両脇のインナリード５上
の塗布量も安定化する。In this embodiment, since the coating amount adjusting leads 8 are also provided at the center of the semiconductor chip fixing region 11, the coating amount on the inner leads 5 on both sides of the coating amount adjusting leads 8 is also stable. Become
【００２３】このように絶縁性接着剤９を塗布した半導
体チップ固定領域１１のインナリード５に半導体チップ
を固定し、半導体チップとインナリードとをボンディン
グワイヤで接続し、樹脂封止することにより半導体装置
が作製される。ここで、ボンディングワイヤで接続する
時、塗布量調整用リード７、８は、半導体チップとは電
気的に接続しない。The semiconductor chip is fixed to the inner lead 5 in the semiconductor chip fixing region 11 to which the insulating adhesive 9 has been applied as described above, and the semiconductor chip and the inner lead are connected by a bonding wire and sealed with a resin. The device is made. Here, when connecting with the bonding wire, the application amount adjusting leads 7 and 8 are not electrically connected to the semiconductor chip.
【００２４】なお、上述した塗布量調整用リード７、８
は、インナリード５と類似したリード形状としたが、こ
れに限定されない。特に吐出量が不安定となる半導体チ
ップ固定領域１１の前後に設ける塗布量調整用リード７
は、量の不安定な接着剤を吸収できればその形状は任意
でよく、またインナリード５から分岐させず、ダムバー
３やフレーム枠２から直接延出してもよい。The leads 7 and 8 for adjusting the coating amount described above.
Has a lead shape similar to the inner lead 5, but is not limited thereto. Particularly, a coating amount adjusting lead 7 provided before and after the semiconductor chip fixing region 11 where the ejection amount becomes unstable.
Any shape may be used as long as the adhesive can absorb an unstable amount of the adhesive, and the adhesive may extend directly from the dam bar 3 or the frame 2 without branching from the inner lead 5.
【００２５】また、リードフレーム１はプレスまたはエ
ッチングのいずれによって形成されたものでもよい。ま
た、使用するワニス状の絶縁性接着剤には、塗布後の厚
さを得るためにＳｉＯ2 やシリコーン樹脂等のフィラー
を混入させることも有効である。また、接着剤９の塗布
に際しては、マルチニードル、マルチヘッドにより左右
のインナリード５に同時に接着剤を塗布すると塗布が効
率よく行なえる。The lead frame 1 may be formed by either pressing or etching. It is also effective to mix a filler such as SiO 2 or a silicone resin into the varnish-like insulating adhesive used in order to obtain a thickness after application. In addition, when applying the adhesive 9, if the adhesive is simultaneously applied to the left and right inner leads 5 using a multi-needle and a multi-head, the application can be performed efficiently.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明のリードフレームによれば、半導
体チップ固定領域内に絶縁性接着剤の塗布量を整えるた
めの塗布量調整用リードを設けたので、絶縁性接着剤の
塗布を必要とするインナーリード上に絶縁性接着剤を均
一に塗布でき、半導体装置の薄形化に対応できる。また
半導体チップ固定領域のインナリード上の絶縁性接着剤
が均一に塗布されているので、半導体チップの固定やワ
イヤボンディングが安定して行なえる。また本発明の半
導体装置によれば、信頼性に優れ薄型化できる。また、
本発明のリードフレームの製造方法によれば、吐出量の
不安定な塗布開始時と塗布終了時の絶縁性接着剤を、半
導体チップ固定領域の前後に設けた塗布量調整用リード
に塗布して吸収するようにしたので、半導体チップ固定
領域には常に均一な絶縁性接着剤を塗布することができ
る。According to the lead frame of the present invention, since the application amount adjusting lead for adjusting the application amount of the insulating adhesive is provided in the semiconductor chip fixing area, the application of the insulating adhesive is required. Insulating adhesive can be uniformly applied on the inner leads to be used, and it is possible to cope with thinning of semiconductor devices. Further, since the insulating adhesive on the inner leads in the semiconductor chip fixing area is uniformly applied, the fixing of the semiconductor chip and the wire bonding can be performed stably. Further, according to the semiconductor device of the present invention, it is possible to reduce the thickness and the reliability. Also,
According to the method for manufacturing a lead frame of the present invention, the insulating adhesive at the time of application start and at the end of application where the ejection amount is unstable is applied to the application amount adjustment lead provided before and after the semiconductor chip fixing region. Since absorption is performed, a uniform insulating adhesive can always be applied to the semiconductor chip fixing region.
【図１】本発明の実施の形態によるリードフレームの平
面図である。FIG. 1 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来のリードフレームの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a conventional lead frame.
【図３】従来のインナリードに半導体チップ固定用フィ
ルムを貼付けたリードフレームの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a conventional lead frame in which a semiconductor chip fixing film is attached to inner leads.
１ リードフレーム ５ インナーリード ７ 塗布量調整用リード ８ 塗布量調整用リード ９ 絶縁性接着剤 １０ 絶縁性接着剤 １１ 半導体チップ固定領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 5 Inner lead 7 Application amount adjustment lead 8 Application amount adjustment lead 9 Insulating adhesive 10 Insulating adhesive 11 Semiconductor chip fixing area
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (56)参考文献 特開 平３−173464（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Ryuji Yonemoto 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture, Hitachi, Ltd. System Materials Research Laboratory (56) References JP-A-3-173464 (JP, A) ( 58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50
Claims (5)
定領域のインナリードに半導体チップを固定するリード
フレームにおいて、前記半導体チップ固定領域の少なく
とも外方に、絶縁性接着剤の塗布量を整えるための塗布
量調整用リードを余分に設けたことを特徴とするリード
フレーム。In a lead frame for fixing a semiconductor chip to an inner lead of a semiconductor chip fixing region to which an insulating adhesive is applied, an application amount of the insulating adhesive is adjusted at least outside the semiconductor chip fixing region. A lead frame provided with extra coating amount adjustment leads for use.
れる半導体チップ固定領域のインナリードに半導体チッ
プを固定するリードフレームにおいて、前記ディスペン
サ移動方向で半導体チップ固定領域の少なくとも前方と
後方に、ディスペンサから吐出する絶縁性接着剤の塗布
量を整えるための塗布量調整用リードを余分に設けたこ
とを特徴とするリードフレーム。2. A lead frame insulating adhesive by a dispenser to fix the semiconductor chip to the inner leads of the semiconductor chip fixing area to be coated, said dispenser
At least in front of the semiconductor chip fixing area in the
A lead frame, further comprising a coating amount adjusting lead for adjusting the coating amount of the insulating adhesive discharged from the dispenser at the rear .
に絶縁性接着剤が均一に塗布されている請求項１または
２に記載のリードフレーム。3. An inner lead in the semiconductor chip fixing area.
2. An insulating adhesive is uniformly applied to the substrate.
3. The lead frame according to 2 .
ドフレームの半導体チップ固定領域のインナリードに前
記絶縁性接着剤を介して半導体チップが固定され、該半
導体チップと前記塗布量調整用リードを除いた半導体チ
ップ固定領域のインナリードとがワイヤボンディングさ
れ、かつ樹脂封止されている半導体装置。 4. The lead according to claim 1, wherein
Before the inner lead of the semiconductor chip fixing area of the frame
The semiconductor chip is fixed via the insulating adhesive.
Semiconductor chip excluding the conductor chip and the coating amount adjustment lead
Wire bonding with the inner lead in the
Semiconductor device which is sealed with resin.
しながらディスペンサから絶縁性接着剤を吐出して半導
体チップ固定領域のインナリードに絶縁性接着剤を塗布
するに際して、半導体チップ固定領域の前方に設けた塗
布量調整用リードから塗布を開始し、半導体チップ固定
領域のインナリードへの塗布を経由して、半導体チップ
固定領域の後方に設けた塗布量調整用リードで塗布を終
了するようにしたリードフレームの製造方法。 5. Moving on the lead frame according to claim 2.
While discharging the insulating adhesive from the dispenser, semi-conductive
Apply insulating adhesive to the inner leads in the body chip fixing area
When coating, the coating provided in front of the semiconductor chip fixing area
Start application from the cloth amount adjustment lead and fix the semiconductor chip
Semiconductor chip via coating on the inner lead of the area
Finish coating with the coating amount adjustment lead provided behind the fixed area.
Lead frame manufacturing method.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP20475796A JP3298420B2 (en) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing lead frame |
| TW086107993A TW335545B (en) | 1996-06-12 | 1997-06-10 | Lead frame, method of making the same and semiconductor device using the same |
| KR1019970024122A KR100474843B1 (en) | 1996-06-12 | 1997-06-11 | Lead frame, method of making the same, and semiconductor device using the same |
| US08/873,704 US6107675A (en) | 1996-06-12 | 1997-06-12 | Lead frame |
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| JP20475796A JP3298420B2 (en) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing lead frame |
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| JPH1050924A JPH1050924A (en) | 1998-02-20 |
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| Country | Link |
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-
1996
- 1996-08-02 JP JP20475796A patent/JP3298420B2/en not_active Expired - Fee Related
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