JP3297279B2 - Surface treatment end point detector - Google Patents

Surface treatment end point detector

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JP3297279B2
JP3297279B2 JP34576495A JP34576495A JP3297279B2 JP 3297279 B2 JP3297279 B2 JP 3297279B2 JP 34576495 A JP34576495 A JP 34576495A JP 34576495 A JP34576495 A JP 34576495A JP 3297279 B2 JP3297279 B2 JP 3297279B2
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liquid
measurement
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substrate surface
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用のガ
ラス基板や半導体ウエハなどの基板の表面に処理液(エ
ッチング液や現像液など)を供給して基板表面に形成さ
れている除去対象の層を除去する表面処理(エッチング
処理や現像処理など)の際、基板表面に対向して設けら
れた計測窓と基板表面との間の計測領域に前記処理液と
同じ液のカーテンを形成して表面処理の終了時点を検出
する表面処理終点検出装置に係り、特に、この表面処理
終点検出装置に備えられる液カーテン形成手段の改良技
術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing liquid (etching liquid, developing liquid, etc.) supplied to the surface of a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display or a semiconductor wafer to remove an object formed on the substrate surface. In the surface treatment for removing the layer (such as an etching treatment or a development treatment), a curtain of the same liquid as the treatment liquid is formed in a measurement region between the measurement window provided to face the substrate surface and the substrate surface. The present invention relates to a surface treatment end point detecting device for detecting the end point of surface treatment, and more particularly to an improved technique of a liquid curtain forming means provided in the surface treatment end point detecting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の表面処理終点検出装置と
しては、例えば、特開平5-322515号公報で本願出願人が
提案している装置などを挙げることができる。
2. Description of the Related Art As a conventional surface treatment end point detecting apparatus of this type, there is, for example, an apparatus proposed by the present applicant in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-322515.

【0003】この公報開示の従来装置は、所定の波長帯
域の計測光を基板表面に照射するとともに、この計測光
の基板表面からの反射光(基板表面に形成された表面層
の表面や表面層を構成する各膜の界面、表面層の最下層
の膜と基板表面との界面などからの各反射光の干渉光)
の光量を計測し、この反射光の光量の変化を解析してエ
ッチング処理の終了時点を検出するように構成してい
る。
The conventional apparatus disclosed in this publication irradiates measurement light in a predetermined wavelength band onto a substrate surface and reflects the measurement light reflected from the substrate surface (the surface of the surface layer formed on the substrate surface or the surface layer). Interference light of each reflected light from the interface of each film constituting the interface, the interface between the lowermost layer of the surface layer and the substrate surface)
The amount of reflected light is measured, and the change in the amount of reflected light is analyzed to detect the end point of the etching process.

【0004】また、この従来装置では、エッチング処理
中、基板を回転、あるいは水平方向に往復移動させなが
ら処理液の供給を行うので、これに起因して基板表面上
で処理液の脈流や気泡が発生し易く、これら脈流や気泡
が上記計測光束や反射光束内に存在すると、計測光束や
反射光束が散乱し、計測誤差が生じて終点検出の精度が
低下することを教示している。
Further, in this conventional apparatus, during the etching process, the processing liquid is supplied while rotating or reciprocating the substrate in the horizontal direction. As a result, a pulsating flow or bubbles of the processing liquid are generated on the substrate surface. Teaches that if the pulsating flow or bubbles are present in the measurement light beam or the reflected light beam, the measurement light beam or the reflected light beam is scattered, and a measurement error occurs, thereby lowering the accuracy of end point detection.

【0005】このような不都合を解決する有効な手段の
一つとして、従来装置では、いわゆる液カーテン形成手
段(液カーテン法)を採用している。この液カーテン形
成手段は、基板表面に対向して設けられ、計測光束を透
過させて基板に照射させるとともに、基板表面からの反
射光束を透過させて取り込むための計測窓(ガラス板)
と、基板表面との間の計測領域に処理液と同じ液を満た
すことで、外部から計測領域への脈流の進入を防止する
とともに、外部から計測領域への気泡の進入や計測領域
内での気泡の発生を抑制するようにしたものである。
As one of effective means for solving such inconveniences, a conventional apparatus employs a so-called liquid curtain forming means (liquid curtain method). The liquid curtain forming means is provided to face the substrate surface, and transmits a measurement light beam to irradiate the substrate, and a measurement window (glass plate) for transmitting and taking in a reflected light beam from the substrate surface.
By filling the measurement area between the substrate surface and the measurement area with the same liquid as the processing liquid, it is possible to prevent the pulsating flow from entering the measurement area from the outside, and to prevent air bubbles from entering the measurement area from the outside and the inside of the measurement area. The generation of bubbles is suppressed.

【0006】また、従来の液カーテン形成手段は、計測
窓と基板表面との間に処理液が満たされるように、計測
窓と基板表面との間隔や、液カーテン形成手段からの液
流出量などの基準値が実験的に求められていて、エッチ
ング装置(表面処理装置)にセッティングされる基板に
対して、計測窓と基板表面との間隔が基準間隔になるよ
うな位置に計測窓が固定設置され、液カーテン形成手段
から基準の液流出量で処理液を流出させて液カーテンを
形成している。
Further, the conventional liquid curtain forming means is designed to fill the space between the measuring window and the substrate surface with the processing liquid, the distance between the measuring window and the substrate surface, the amount of liquid flowing out of the liquid curtain forming means, and the like. The reference value is experimentally determined, and the measurement window is fixedly installed at a position where the distance between the measurement window and the substrate surface becomes the reference distance with respect to the substrate set in the etching device (surface treatment device). The processing liquid is discharged from the liquid curtain forming means at a reference liquid flow amount to form a liquid curtain.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の液カーテン形成手段では、計測
領域への脈流の進入は防止できているが、計測領域内に
気泡が存在する場合があり、それに起因して計測誤差が
生じるという事態が起こっていた。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, in the conventional liquid curtain forming means, it is possible to prevent the pulsating flow from entering the measurement area, but there is a case where bubbles exist in the measurement area, which causes a measurement error. Was.

【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、計測領域への脈流の進入を防止すると
ともに、計測領域への気泡の進入や計測領域内での気泡
の発生を好適に抑制し得る液カーテン形成手段を備えた
表面処理終点検出装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to prevent a pulsating flow from entering a measurement region, and to prevent a bubble from entering a measurement region and generate air bubbles in a measurement region. It is an object of the present invention to provide a surface treatment end point detecting device provided with a liquid curtain forming means capable of suitably suppressing the above.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来装置で
計測領域に気泡が存在する原因を調査したところ、以下
のような原因によることを突き止めた。
Means for Solving the Problems The present inventor investigated the cause of the presence of bubbles in the measurement area with the conventional apparatus, and found out that the cause was as follows.

【0010】すなわち、例えば、液晶表示器用のガラス
基板のエッチング装置においては、基板をローラ群に支
持させて水平方向に往復移動させながらエッチング処理
が行なわれるが、このローラ群の磨耗など機械の劣化に
よって基板が支持される基板表面の水平面が本来予定し
ている水平面とずれ、本来予定している水平面を基準に
して固定設置されている計測窓と実際の基板表面との間
隔が基準間隔になっていないことに起因して計測領域内
に気泡が存在するものと考えられる。
That is, for example, in an apparatus for etching a glass substrate for a liquid crystal display, an etching process is performed while the substrate is supported by a group of rollers and reciprocated in a horizontal direction. As a result, the horizontal plane of the substrate surface on which the substrate is supported deviates from the originally planned horizontal plane, and the distance between the measurement window fixedly installed and the actual substrate surface with respect to the originally planned horizontal plane becomes the reference distance. It is considered that air bubbles exist in the measurement region due to the absence of the air bubbles.

【0011】例えば、計測窓と基板表面との間隔が基準
間隔よりも広い場合には、液カーテン用の処理液が計測
領域に充分に満たされなくなり、外部から計測領域へ気
泡が進入してくることが考えられ、一方、計測窓と基板
表面との間隔が基準間隔よりも狭い場合には、液カーテ
ン用に流出させている処理液が基板表面に当たる水圧が
大きくなりそれに起因して計測領域内で気泡が発生する
ことが考えられる。
For example, when the distance between the measurement window and the substrate surface is wider than the reference distance, the processing area for the liquid curtain is not sufficiently filled in the measurement area, and bubbles enter the measurement area from outside. On the other hand, if the distance between the measurement window and the substrate surface is narrower than the reference distance, the processing liquid flowing out of the liquid curtain hits the substrate surface, and the water pressure on the substrate surface increases. It is conceivable that bubbles are generated at the time.

【0012】そこで、本発明者は、計測窓の取り付け位
置を手動で適宜に変更して、計測窓と基板表面との間隔
を調節してみたが、計測窓と基板表面との間隔を基準間
隔に調節するのは難しく、また、この種のエッチング装
置などでは有機溶剤や酸などを使用している関係で、装
置内には有機溶剤や酸などが付着しており、そのような
環境下で計測窓と基板表面との間隔を手動で調節するこ
とは人体への危険も懸念される。さらに、仮に計測窓と
基板表面との間隔を手動で調節できたとしても、機械の
劣化がいつ起こるかを予想することは困難で、前もって
計測窓と基板表面との間隔を調節しておくことは困難
で、その結果、処理不良となる基板を排出することは免
れない。
Therefore, the present inventor tried to adjust the distance between the measurement window and the surface of the substrate by manually changing the mounting position of the measurement window as needed, and to adjust the distance between the measurement window and the surface of the substrate. It is difficult to adjust the temperature, and in this type of etching equipment, etc., organic solvents and acids are used. Manually adjusting the distance between the measurement window and the substrate surface may pose a danger to the human body. Furthermore, even if the distance between the measurement window and the substrate surface can be adjusted manually, it is difficult to predict when the mechanical degradation will occur, and the distance between the measurement window and the substrate surface must be adjusted in advance. Is difficult, and as a result, it is inevitable to discharge a substrate which becomes a processing failure.

【0013】また、例えば、液晶表示器用のガラス基板
においては、これまでその厚みは一定であったが、近年
の技術改良などに伴い厚みの異なる基板が製造されるよ
うになってきており、このような厚みの異なる基板が連
続してエッチング装置などの表面処理装置に投入される
ようになると、厚みの異なる基板ごとに計測窓と基板表
面との間隔が変動するので、上述と同様の理由で計測領
域内に気泡が入り込んだり、気泡が発生することが予測
される。
Further, for example, a glass substrate for a liquid crystal display has a constant thickness so far, but substrates having different thicknesses have been manufactured due to recent technical improvements and the like. When substrates having different thicknesses are successively put into a surface treatment device such as an etching device, the distance between the measurement window and the substrate surface varies for each substrate having a different thickness, for the same reason as described above. It is predicted that bubbles enter the measurement area or generate bubbles.

【0014】この場合、表面処理装置などに投入される
基板の厚みは予めわかっているので、計測窓と基板表面
との間隔を基準間隔に手動で調節することはさほど難し
くないと考えられ、また、基板が表面処理装置に投入さ
れる前に上記調節をしておけばよいので、基板の処理不
良は防ぐことも可能と考えられる。しかしながら、人体
への危険は以前解消していないし、厚みの異なる基板ご
とに計測窓と基板表面との間隔を調節するのは手間であ
る。しかも、上述したような機械の劣化も加わることを
考慮すると、必ずしも気泡の発生などを抑制し得ないこ
とが考えられる。
In this case, it is considered that it is not so difficult to manually adjust the distance between the measurement window and the substrate surface to the reference distance because the thickness of the substrate to be put into the surface treatment device or the like is known in advance. Since the adjustment may be performed before the substrate is put into the surface treatment apparatus, it is considered that the processing failure of the substrate can be prevented. However, the danger to the human body has not been eliminated before, and it is troublesome to adjust the distance between the measurement window and the substrate surface for each substrate having a different thickness. In addition, in consideration of the above-described deterioration of the machine, it is considered that generation of bubbles and the like cannot always be suppressed.

【0015】また、本発明者は、上記気泡の発生などの
不都合の発生原因を調査研究中に、計測窓と基板表面と
の間隔が基準間隔になっており、基準の液流出量で液カ
ーテン形成用の処理液を流出しているにもかかわらず、
処理液の温度や濃度などが相違するだけでも計測領域に
気泡が存在していることを見出した。すなわち、計測領
域内に気泡が存在するのは、計測窓と基板表面との間隔
が基準間隔からずれていることのみによらず、処理液の
温度や濃度などその他の要因によっても起こり得ること
が判明した。
Further, the present inventor investigated and investigated the cause of the inconvenience such as the generation of the above-mentioned air bubbles, and found that the distance between the measurement window and the substrate surface was a reference distance. Despite flowing out of the processing solution for formation,
It has been found that bubbles exist in the measurement region even if the temperature, concentration, etc. of the processing liquid are different. In other words, the presence of bubbles in the measurement area can occur not only because the distance between the measurement window and the substrate surface is deviated from the reference distance, but also due to other factors such as the temperature and concentration of the processing liquid. found.

【0016】一方で、本発明者は、気泡の存在する要因
が何であるかにかかわらず、計測窓と基板表面との間隔
を適宜に調節したり、液カーテン形成用の処理液の液流
出量を適宜に調節することで、気泡の発生などを好適に
抑制し得ることを見出した。また、計測領域内に気泡が
存在していることで、計測光の基板表面からの反射光の
光量に特徴的な光量変化が現れることも見出した。
On the other hand, the inventor of the present invention adjusts the distance between the measurement window and the substrate surface as appropriate, irrespective of the cause of the presence of air bubbles, and determines the amount of the processing liquid for forming the liquid curtain. It has been found that by appropriately adjusting the value of, the generation of bubbles and the like can be suitably suppressed. Further, the present inventors have also found that the presence of bubbles in the measurement area causes a characteristic change in the amount of measurement light reflected from the substrate surface.

【0017】このような研究結果を基に、本発明者は、
計測領域内に気泡が存在するのを、自動的に抑制し得る
以下のような発明をなすに到った。
Based on the above research results, the present inventor:
The following invention which can automatically suppress the presence of bubbles in the measurement area has been made.

【0018】すなわち、本発明者がなした発明のうち、
請求項1に記載の発明は、基板表面に対向する計測窓を
有し、前記計測窓を介して前記基板表面へ計測光を照射
し、前記計測窓を介して前記計測光の前記基板表面から
の反射光の光量(反射光量)を計測する反射光量計測手
段と、前記反射光量計測手段で計測される反射光量の変
化を解析して前記基板表面に対する表面処理の終了時点
を検出する終点検出手段と、前記計測窓と前記基板表面
との間の計測領域に処理液を満たして前記計測領域にそ
の液のカーテンを形成する液カーテン形成手段と、を備
え、前記基板表面に前記処理液を供給して前記基板表面
に形成されている除去対象の層を除去する表面処理の
際、前記計測領域に前記処理液のカーテンを形成して前
記表面処理の終了時点を検出する表面処理終点検出装置
において、前記計測窓と前記基板表面とを接離させる接
離手段と、前記表面処理前の前記計測窓と前記基板表面
との間隔を含む処理条件を取り込む処理条件取込み手段
と、前記取り込まれた処理条件に基づき、前記計測窓と
前記基板表面との間隔を最適間隔にするように前記接離
手段を制御する制御手段と、を備えたものである。
That is, among the inventions made by the present inventors,
The invention according to claim 1 has a measurement window facing the substrate surface, irradiates measurement light to the substrate surface through the measurement window, and from the substrate surface of the measurement light through the measurement window. Reflected light quantity measuring means for measuring the quantity of reflected light (reflected light quantity), and end point detecting means for analyzing a change in the reflected light quantity measured by the reflected light quantity measuring means and detecting the end time of the surface treatment on the substrate surface And a liquid curtain forming means for filling a measurement area between the measurement window and the substrate surface with a processing liquid to form a curtain of the liquid in the measurement area, and supplying the processing liquid to the substrate surface. In a surface treatment for removing a layer to be removed formed on the surface of the substrate, a surface treatment end point detection device for forming a curtain of the treatment liquid in the measurement area and detecting an end point of the surface treatment. , The measurement And a contacting / separating unit for bringing the substrate surface into and out of contact with the substrate surface, a processing condition capturing unit for capturing a processing condition including an interval between the measurement window and the substrate surface before the surface processing, and Control means for controlling the contact / separation means so that the distance between the measurement window and the surface of the substrate is set to an optimum distance.

【0019】また、請求項2に記載の発明は、上記請求
項1に記載の表面処理終点検出装置において、前記液カ
ーテン形成手段からの処理液の液流出量を可変に調節す
る液流出量調節手段をさらに備え、かつ、前記制御手段
は、前記計測窓と前記基板表面との間隔を最適間隔にし
た後、さらに、前記計測領域内に存在する気泡によって
前記反射光量計測手段で計測される反射光量に現れる光
量変化(以下、「気泡光量変化」という)を調べなが
ら、その気泡光量変化が無くなるように前記液流出量調
節手段を制御して前記液カーテン形成手段からの処理液
の液流出量をフィードバック制御により調節することを
特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the surface treatment end point detecting device according to the first aspect, a liquid outflow amount adjusting variably the liquid outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means. Means for controlling the distance between the measurement window and the substrate surface to an optimum distance, and further, the reflection amount measured by the reflected light amount measurement means by bubbles present in the measurement area. While examining a change in the amount of light appearing in the amount of light (hereinafter, referred to as a "change in the amount of air bubbles"), the outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means is controlled by controlling the liquid outflow amount adjusting means so as to eliminate the change in the amount of air bubbles Is adjusted by feedback control.

【0020】また、請求項3に記載の発明は、基板表面
に対向する計測窓を有し、前記計測窓を介して前記基板
表面へ計測光を照射し、前記計測窓を介して前記計測光
の前記基板表面からの反射光の光量(反射光量)を計測
する反射光量計測手段と、前記反射光量計測手段で計測
される反射光量の変化を解析して前記基板表面に対する
表面処理の終了時点を検出する終点検出手段と、前記計
測窓と前記基板表面との間の計測領域に処理液を満たし
て前記計測領域にその液のカーテンを形成する液カーテ
ン形成手段と、を備え、前記基板表面に前記処理液を供
給して前記基板表面に形成されている除去対象の層を除
去する表面処理の際、前記計測領域に前記処理液のカー
テンを形成して前記表面処理の終了時点を検出する表面
処理終点検出装置において、前記計測窓と前記基板表面
とを接離させる接離手段と、前記計測領域内に存在する
気泡によって前記反射光量計測手段で計測される反射光
量に現れる光量変化(以下、「気泡光量変化」という)
を調べながら、その気泡光量変化が無くなるように前記
接離手段を制御して前記計測窓と前記基板表面との間隔
をフィードバック制御により調節する制御手段と、を備
えたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a measurement window facing a substrate surface, irradiating the substrate surface with measurement light through the measurement window, and measuring the measurement light through the measurement window. A reflected light quantity measuring means for measuring the quantity of reflected light (reflected light quantity) from the substrate surface, and analyzing a change in the reflected light quantity measured by the reflected light quantity measuring means to determine the end point of the surface treatment on the substrate surface. End point detecting means for detecting, and a liquid curtain forming means for forming a curtain of the liquid in the measurement area by filling the processing area in the measurement area between the measurement window and the substrate surface, At the time of surface treatment for supplying the treatment liquid and removing a layer to be removed formed on the surface of the substrate, a surface for forming a curtain of the treatment liquid in the measurement area and detecting an end point of the surface treatment Processing end point detection device A light amount change (hereinafter, referred to as a “bubble light amount”) that is included in the reflected light amount measured by the reflected light amount measuring unit due to bubbles existing in the measurement area; Change)
And control means for controlling the contact / separation means so as to eliminate the change in the amount of air bubbles while adjusting the distance between the measurement window and the substrate surface by feedback control.

【0021】また、請求項4に記載の発明は、上記請求
項3に記載の表面処理終点検出装置において、前記液カ
ーテン形成手段からの処理液の液流出量を可変に調節す
る液流出量調節手段をさらに備え、かつ、前記制御手段
は、前記気泡光量変化を調べながら、その気泡光量変化
が無くなるように、前記計測窓と前記基板表面との間隔
のフィードバック制御による調節と、前記液カーテン形
成手段からの処理液の液流出量のフィードバック制御に
よる調節とを行なうことを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the surface treatment end point detecting device according to the third aspect, wherein the outflow amount of the processing solution from the liquid curtain forming means is variably adjusted. Means for controlling the distance between the measurement window and the substrate surface by feedback control so as to eliminate the change in the amount of air bubbles while checking the change in the amount of air bubbles, and forming the liquid curtain. The amount of the processing liquid flowing out from the means is adjusted by feedback control.

【0022】また、請求項5に記載の発明は、上記請求
項3または4のいずれかに記載の表面処理終点検出装置
において、前記表面処理前の前記計測窓と前記基板表面
との間隔を含む処理条件を取り込む処理条件取込み手段
をさらに備え、かつ、前記制御手段は、前記計測窓と前
記基板表面との間隔のフィードバック制御による調節、
および、前記液カーテン形成手段からの処理液の液流出
量のフィードバック制御による調節に先立って、前記取
り込まれた処理条件に基づき、前記計測窓と前記基板表
面との間隔を最適間隔にするように前記接離手段を制御
することを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the surface treatment end point detecting device according to any one of the third and fourth aspects, the distance between the measurement window and the substrate surface before the surface treatment is included. The apparatus further includes processing condition capturing means for capturing processing conditions, and the control means adjusts the distance between the measurement window and the substrate surface by feedback control,
And, prior to the adjustment by the feedback control of the outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means, the distance between the measurement window and the substrate surface is set to an optimum distance based on the fetched processing conditions. It is characterized in that the contact / separation means is controlled.

【0023】[0023]

【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
請求項1に記載の発明によれば、処理条件取込み手段が
処理条件を取込み、制御手段は、取り込まれた処理条件
に基づき、計測窓と基板表面との間隔を最適間隔にする
ように接離手段を制御する。ここで、最適間隔とは、処
理条件に応じて計測領域内に気泡が存在しなくなるよう
な間隔であり、例えば、計測領域内に気泡が存在するの
が純粋に計測窓と基板表面との間隔が基準間隔からずれ
ていることに起因しているのであれば、上記最適間隔は
基準間隔になるし、それに加えて処理液の温度や濃度に
も起因している場合には、例えば、基準間隔から若干ず
れた間隔になる。また、取り込まれる処理条件には、表
面処理前の計測窓と基板表面との間隔を含んでおり、処
理液の温度や濃度などの他の処理条件が変動し得る場合
には、その他の処理条件も取り込まれ、計測窓と基板表
面との間隔がそれら処理条件に応じた最適間隔へと調節
される。
The operation of the present invention is as follows. That is,
According to the first aspect of the present invention, the processing condition capturing means captures the processing conditions, and the control means contacts and separates the distance between the measurement window and the substrate surface based on the captured processing conditions so that the distance between the measurement window and the substrate surface is an optimum distance. Control means. Here, the optimal interval is an interval at which bubbles do not exist in the measurement area according to the processing conditions. For example, the presence of bubbles in the measurement area is purely the interval between the measurement window and the substrate surface. The above-mentioned optimum interval is the reference interval if the deviation is caused by deviation from the reference interval. In addition, if the optimal interval is also caused by the temperature or concentration of the processing solution, for example, the reference interval The distance is slightly shifted from the above. In addition, the processing conditions to be taken in include the distance between the measurement window and the substrate surface before the surface processing, and when other processing conditions such as the temperature and concentration of the processing solution can vary, the other processing conditions The distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted to an optimum distance according to the processing conditions.

【0024】請求項2に記載の発明によれば、制御手段
は、計測窓と基板表面との間隔を最適間隔にした後、さ
らに、計測領域内に存在する気泡によって反射光量計測
手段で計測される気泡光量変化を調べながら、その気泡
光量変化が無くなるように液流出量調節手段を制御して
液カーテン形成手段からの処理液の液流出量をフィード
バック制御により調節する。すなわち、計測窓と基板表
面との間隔を最適間隔にしても、他の何らかの要因によ
って計測領域内に気泡が存在することも考えられ、この
ような場合であっても、その気泡によって反射光量計測
手段で計測される反射光量に現れる気泡光量変化を基
に、実際に気泡が無くなるように、フィードバック制御
することで、計測領域内に気泡が存在するのをより確実
に抑制することができる。
According to the second aspect of the present invention, after the control means sets the distance between the measurement window and the substrate surface to the optimum distance, the control means further measures the amount of reflected light by the bubbles present in the measurement area. While checking the change in the amount of air bubbles, the liquid outflow amount adjusting means is controlled so as to eliminate the change in the amount of air bubbles, and the amount of outflow of the processing liquid from the liquid curtain forming means is adjusted by feedback control. That is, even if the distance between the measurement window and the substrate surface is set to the optimum distance, bubbles may be present in the measurement area due to some other factor. Even in such a case, the reflected light amount measurement is performed by the bubbles. By performing feedback control on the basis of a change in the amount of air bubbles appearing in the amount of reflected light measured by the means so that the air bubbles actually disappear, the presence of air bubbles in the measurement area can be more reliably suppressed.

【0025】請求項3に記載の発明によれば、計測領域
内に存在する気泡によって反射光量計測手段で計測され
る気泡光量変化を基に、実際に気泡が無くなるように、
計測窓と基板表面との間隔をフィードバック制御により
調節する。これにより、どのような要件によって計測領
域内に気泡が存在しているかに無関係に実際に気泡が無
くなる計測窓と基板表面との最適間隔を自動的にさがす
ことが可能となる。
According to the third aspect of the present invention, the air bubbles are actually eliminated based on the change in the amount of air bubbles measured by the reflected light amount measuring means by the air bubbles existing in the measurement area.
The distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted by feedback control. This makes it possible to automatically search for the optimum distance between the measurement window and the substrate surface where bubbles are actually eliminated irrespective of what requirement causes bubbles to be present in the measurement region.

【0026】請求項4に記載の発明によれば、気泡光量
変化を基にしたフィードバック制御を、計測窓と基板表
面との間隔の調節に加えて、液カーテン形成手段からの
処理液の液流出量の調節でも行なえるようにしている。
計測窓と基板表面との間隔のフィードバック制御による
調節と、液カーテン形成手段からの処理液の液流出量の
フィードバック制御による調節は、いずれの制御を先
に、または、優先的に行なってもよい。
According to the fourth aspect of the invention, the feedback control based on the change in the amount of bubbles is performed in addition to the adjustment of the distance between the measurement window and the substrate surface, and the flow of the processing liquid from the liquid curtain forming means. It is possible to adjust the amount.
Any of the adjustment by feedback control of the distance between the measurement window and the substrate surface and the adjustment by feedback control of the flow-out amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means may be performed first or prioritized. .

【0027】請求項5に記載の発明によれば、上記請求
項3、4のフィードバック制御の前に、請求項1に記載
の発明と同様、処理条件に応じて計測窓と基板表面との
間隔を最適間隔にする制御を行なう。
According to the fifth aspect of the present invention, prior to the feedback control of the third and fourth aspects, similarly to the first aspect of the invention, the distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted according to the processing conditions. Is controlled to set the optimal interval.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図1は、本発明に係る表面処理終点
検出装置を備えた表面処理装置の一つであるエッチング
装置の概略全体構成図であり、図2は、計測ヘッドや第
1、第2の光源部、液カーテン制御部の詳細構成を示す
図、図3は、昇降駆動機構の概略構成を示す図である。
以下の実施例では、除去対象の層(膜)を含む所定の表
面層が形成された液晶表示器用のガラス基板の除去対象
の層(除去層)をエッチング除去する場合の終点検出を
例に採り説明するが、除去層を含む所定の表面層が形成
された半導体ウエハの除去層をエッチング除去する場合
の終点検出や、これら各種の基板の現像処理の終点検出
などにも本発明は同様に適用することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram of an etching apparatus, which is one of surface treatment apparatuses provided with a surface treatment end point detection device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a measurement head, first and second light source units, FIG. 3 is a diagram illustrating a detailed configuration of the liquid curtain control unit, and FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of a lifting drive mechanism.
In the following embodiment, an end point detection in a case where a layer (removal layer) to be removed of a glass substrate for a liquid crystal display on which a predetermined surface layer including a layer (film) to be removed is formed is removed by etching will be described as an example. As will be described, the present invention is similarly applied to the detection of the end point when the removal layer of the semiconductor wafer on which the predetermined surface layer including the removal layer is formed is removed by etching and the detection of the end point of the development processing of these various substrates. can do.

【0029】図1中、符号1はエッチング槽であり、そ
の中に基板Sを水平姿勢で保持して水平方向に往復移動
させる搬送ローラ群2が設けられている。搬送ローラ群
2の両端近傍には、マイクロスイッチなどで構成される
センサ3a、3bが配備されている。図1の右方向に搬
送された基板Sの一端が右側のセンサ3aに接触する
と、その検出信号が制御部4に与えられる。これにより
制御部4が搬送ローラ群2の図示しない駆動機構を逆転
し、基板Sが逆方向に搬送される。そして、基板Sの他
端が左側のセンサ3bに接触すると基板Sの搬送方向が
切り換えられる。以下、基板Sの両端部が左右のセンサ
3a、3bに交互に接触することにより、基板Sが一定
周期で水平方向に往復移動される。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an etching tank, in which a transport roller group 2 for holding a substrate S in a horizontal position and reciprocating in a horizontal direction is provided. In the vicinity of both ends of the transport roller group 2, sensors 3a and 3b composed of micro switches and the like are provided. When one end of the substrate S conveyed rightward in FIG. 1 comes into contact with the sensor 3a on the right side, a detection signal is given to the control unit 4. As a result, the control unit 4 reverses the drive mechanism (not shown) of the transport roller group 2, and the substrate S is transported in the reverse direction. Then, when the other end of the substrate S contacts the left sensor 3b, the transport direction of the substrate S is switched. Hereinafter, the substrate S is reciprocated in the horizontal direction at a constant cycle by alternately contacting the left and right ends of the substrate S with the left and right sensors 3a and 3b.

【0030】搬送ローラ群2の上方には、エッチング液
を噴出するノズル5が配備されている。貯留槽6に貯留
されたエッチング液がポンプ7によってノズル5に送液
され、モーター8によってノズル5が揺動されながら、
水平方向に往復移動されている基板Sの表面(除去層が
形成されている面)にエッチング液が噴射されるように
なっている。ポンプ7やモーター8の駆動制御も制御部
4により行われる。
Above the transport roller group 2, a nozzle 5 for ejecting an etching solution is provided. The etching liquid stored in the storage tank 6 is sent to the nozzle 5 by the pump 7, and while the nozzle 5 is oscillated by the motor 8,
The etching liquid is sprayed on the surface of the substrate S (the surface on which the removal layer is formed) that is reciprocated in the horizontal direction. The drive control of the pump 7 and the motor 8 is also performed by the control unit 4.

【0031】基板Sの上方には計測ヘッド10が配備さ
れている。計測ヘッド10は、第1および第2の光源部
11、12と光ファイバ13a、13bを介して光学的
に接続されているとともに、終点検出部14、液カーテ
ン制御部15とケーブル16a、16bを介して電気的
に接続されている。
A measuring head 10 is provided above the substrate S. The measuring head 10 is optically connected to the first and second light source units 11 and 12 via optical fibers 13a and 13b, and connects an end point detecting unit 14, a liquid curtain control unit 15 and cables 16a and 16b. Are electrically connected via

【0032】第1の光源部11は、主にエッチング処理
の終点検出に用いられる計測光を投光するためのもの
で、図2に示すように、ハロゲンランプやキセノンラン
プなどで構成される光源11aや波長選択用のフィルタ
11b、11c、集光レンズ11dなどで構成されてい
る。光源11aから照射される計測光は、必要に応じて
フィルタ11b、11cで所定の波長または波長帯域の
光のみが取り出され、集光レンズ11dで集光されて光
ファイバ13aの入射口に導かれ、光ファイバ13aを
通って計測ヘッド10へと導光される。
The first light source section 11 mainly emits measurement light used for detecting the end point of the etching process. As shown in FIG. 2, the first light source section 11 includes a halogen lamp, a xenon lamp, and the like. 11a, filters 11b and 11c for wavelength selection, a condenser lens 11d, and the like. From the measurement light emitted from the light source 11a, only light of a predetermined wavelength or wavelength band is extracted by filters 11b and 11c as needed, collected by a condenser lens 11d, and guided to an entrance of an optical fiber 13a. Is guided to the measuring head 10 through the optical fiber 13a.

【0033】なお、フィルタ11bでは、例えば、190
〜500nm の波長帯域の光のみを取り出し、フィルタ11
cは、フィルタ11bで取り出した波長帯域のうちから
さらに最適な波長(例えば、430nm や460nm など)また
は波長帯域(430 〜460nm など)を選択的に取り出す。
例えば、液晶表示器用のガラス基板Sの表面にITO
(Indium-Thin-Oxide:酸化インジウム錫)膜が形成さ
れ、さらにその上に所定のパターンでレジスト膜が形成
された場合であって、レジスト膜が形成されていないエ
ッチング領域のITO膜をエッチング除去するときに
は、計測光として190〜500nm の波長帯域の光を用いる
と、ガラス基板SとITO膜との屈折率などの関係で基
板Sからの反射光の計測光量のS/N比が向上し、さら
に、190 〜500nm の波長帯域のうち、レジスト膜が形成
されているマスク領域での反射率を低下させるような波
長(例えば、430nm や460nm など)または波長帯域(43
0 〜460nm など)を計測光として用いれば、終点検出に
用いる反射光の計測光量のS/N比が一層向上する。こ
れら波長または波長帯域の取り出しを必要に応じてフィ
ルタ11b、11cで行う。
In the filter 11b, for example, 190
Filter out only the light in the wavelength band of
c selectively extracts a more optimal wavelength (for example, 430 nm or 460 nm) or a wavelength band (430 to 460 nm or the like) from the wavelength bands extracted by the filter 11b.
For example, the surface of a glass substrate S for a liquid crystal display is ITO
(Indium-Thin-Oxide: Indium Tin Oxide) film is formed, and then a resist film is formed in a predetermined pattern on the film, and the ITO film in the etching region where the resist film is not formed is removed by etching. When the light in the wavelength band of 190 to 500 nm is used as the measurement light, the S / N ratio of the measured light amount of the reflected light from the substrate S is improved due to the refractive index between the glass substrate S and the ITO film, etc. Furthermore, of the wavelength band of 190 to 500 nm, a wavelength (for example, 430 nm or 460 nm) or a wavelength band (43 nm) that reduces the reflectance in the mask region where the resist film is formed.
If 0 to 460 nm is used as the measurement light, the S / N ratio of the measurement light amount of the reflected light used for the end point detection is further improved. Extraction of these wavelengths or wavelength bands is performed by filters 11b and 11c as necessary.

【0034】第2の光源部12は、計測ヘッド10の計
測窓17と基板Sの表面との間隔Wを測定するために用
いられる測定光を投光するためのものであって、例え
ば、レーザーダイオードなどで構成される光源12aと
集光レンズ12bなどで構成され、光源12aから照射
される測定光が集光レンズ12bで集光されて光ファイ
バ13bの入射口に導かれ、光ファイバ13bを通って
計測ヘッド10へと導光される。
The second light source unit 12 is for projecting measurement light used for measuring a distance W between the measurement window 17 of the measurement head 10 and the surface of the substrate S. The measuring light emitted from the light source 12a is condensed by the condensing lens 12b and guided to the entrance of the optical fiber 13b, and the optical fiber 13b The light is guided to the measurement head 10 through the light source.

【0035】上記第1、第2の光源部11、12に対す
る駆動制御(光源11a、12aの点灯/消灯の制御な
ど)は制御部4によって行なわれる。
Driving control for the first and second light source units 11 and 12 (control of turning on / off the light sources 11a and 12a, etc.) is performed by the control unit 4.

【0036】計測ヘッド10には、主にエッチング処理
の終点を検出するための光学系(以下、モニタ光学系と
いう)20と、計測窓17と基板Sの表面との間隔Wを
検出するための光学系(以下、間隔検出光学系という)
30とが備えられている。モニタ光学系20は、スリッ
ト21、コリメータレンズ22、ハーフミラー23、ミ
ラー24、結像レンズ25、スリット26、受光素子2
7で構成され、間隔検出光学系30は、スリット31、
コリメータレンズ32、ハーフミラー33、対物レンズ
34、結像レンズ35、受光器36、間隔検出部37で
構成されている。
The measuring head 10 has an optical system (hereinafter referred to as a monitor optical system) 20 for mainly detecting the end point of the etching process, and an interval W between the measuring window 17 and the surface of the substrate S. Optical system (hereinafter referred to as interval detection optical system)
30 are provided. The monitor optical system 20 includes a slit 21, a collimator lens 22, a half mirror 23, a mirror 24, an imaging lens 25, a slit 26, and a light receiving element 2.
7, the interval detection optical system 30 includes a slit 31,
It comprises a collimator lens 32, a half mirror 33, an objective lens 34, an imaging lens 35, a light receiver 36, and an interval detector 37.

【0037】第1の光源部11からの計測光は、光ファ
イバ13aを通って計測ヘッド10内に導かれ、スリッ
ト21で光束が絞られ、コリメータレンズ22で平行光
束にされてハーフミラー23を透過し、さらに、ガラス
板などで構成される計測窓17を透過して基板Sの表面
に照射される。この計測光束は、基板Sの表面に形成さ
れた表面層の表面や、表面層を構成する各膜の界面、表
面層の最下層の膜と基板Sの表面と界面などで反射さ
れ、これら各反射光の干渉光束は、計測窓17を再び透
過し、ハーフミラー23、ミラー24で光路が変更され
て結像レンズ25で集光され、スリット26で光束が絞
られてフォトダイオードなどの受光素子27で受光され
その光量が計測される。受光素子27で計測された基板
Sの表面からの反射光(干渉光)の光量は、所定時間t
1 (例えば、10ms)ごとに、ケーブル16aを介して終
点検出部14、液カーテン制御部15に取り込まれる。
The measurement light from the first light source unit 11 is guided into the measurement head 10 through the optical fiber 13a, the light beam is narrowed down by the slit 21, the light is collimated by the collimator lens 22, and the half mirror 23 is The light passes through the measurement window 17 formed of a glass plate or the like, and is irradiated on the surface of the substrate S. This measurement light beam is reflected by the surface of the surface layer formed on the surface of the substrate S, the interface between the films constituting the surface layer, the lowermost layer of the surface layer and the interface between the surface of the substrate S, and the like. The interference light beam of the reflected light passes through the measurement window 17 again, the optical path is changed by the half mirror 23 and the mirror 24, and the light beam is condensed by the imaging lens 25, and the light beam is narrowed by the slit 26, and the light receiving element such as a photodiode is received. The light is received at 27 and its light quantity is measured. The amount of reflected light (interference light) from the surface of the substrate S measured by the light receiving element 27 is equal to a predetermined time t.
At every 1 (for example, 10 ms), it is taken into the end point detection unit 14 and the liquid curtain control unit 15 via the cable 16a.

【0038】第2の光源部12からの測定光は、光ファ
イバ13bを通って計測ヘッド10内に導かれ、スリッ
ト31で光束が絞られ、コリメータレンズ32で平行光
束にされてハーフミラー33を透過し、対物レンズ34
の光軸OAから外れた位置を通過し、計測窓17を透過
して基板Sの表面に照射される。この測定光の基板Sの
表面からの反射光は、計測窓17を再び透過し、対物レ
ンズ34の光軸OAから外れた位置を通過し、ハーフミ
ラー33で光路が変更されて結像レンズ35で集光さ
れ、一次元方向に複数個の受光素子が配列されたフォト
ダイオードアレイやCCDなどの受光器36の所定の位
置(受光素子)で受光される。
The measuring light from the second light source unit 12 is guided into the measuring head 10 through the optical fiber 13b, the light beam is narrowed down by the slit 31, the parallel light beam is converted by the collimator lens 32, and the half mirror 33 is moved. Transmission, objective lens 34
Pass through a position deviated from the optical axis OA, and pass through the measurement window 17 to irradiate the surface of the substrate S. The reflected light of the measurement light from the surface of the substrate S passes through the measurement window 17 again, passes through a position deviated from the optical axis OA of the objective lens 34, and the optical path is changed by the half mirror 33 to form the imaging lens 35. And is received at a predetermined position (light receiving element) of a light receiving device 36 such as a photodiode array or a CCD in which a plurality of light receiving elements are arranged in a one-dimensional direction.

【0039】計測窓17と基板Sの表面との間隔W(以
下、単に「間隔W」というときには、計測窓17と基板
Sの表面との間隔Wを意味するものとする。)が所定の
基準間隔Wxであるとき、測定光の基板S表面からの反
射光が受光器36の中央の位置(受光素子)Pxで受光
されるように間隔検出光学系30の各部品31〜36は
調節配備されている。この場合において、間隔Wが所定
の基準間隔Wxよりも広い場合(図では計測窓17に対
する基板Sの位置が、基準間隔Wxのときの位置よりも
下方にずれている場合)には、図2の想像線で示すよう
に、測定光の基板S表面からの反射光が受光器36で受
光される領域の重心は、上記Pxよりも図で下方にずれ
る。一方、間隔Wが所定の基準間隔Wxよりも狭い場合
(図では計測窓17に対する基板Sの位置が、基準間隔
Wxのときの位置よりも上方にずれている場合)には、
上記間隔Wが所定の基準間隔Wxよりも広い場合と逆
に、測定光の基板S表面からの反射光が受光器36で受
光される領域の重心は、上記Pxよりも図で上方にずれ
る。また、間隔Wの所定の基準間隔Wxからのずれ量
は、受光器36で受光される基板S表面からの反射光の
受光領域の重心のPxからのずれ量に対応する。間隔検
出部37は、上記原理に基づき、間隔Wが基準位置Wx
からどちらにどれだけずれているかを検出し、検出結果
をケーブル16bを介して液カーテン制御部15に与え
る。
The distance W between the measurement window 17 and the surface of the substrate S (hereinafter, simply referred to as “space W” means the distance W between the measurement window 17 and the surface of the substrate S) is a predetermined reference. When the distance is Wx, the components 31 to 36 of the distance detecting optical system 30 are adjusted and arranged so that the reflected light of the measurement light from the surface of the substrate S is received at the central position (light receiving element) Px of the light receiver 36. ing. In this case, if the interval W is wider than the predetermined reference interval Wx (in the case where the position of the substrate S with respect to the measurement window 17 is lower than the position at the time of the reference interval Wx in the figure), FIG. As shown by the imaginary line, the center of gravity of the region where the reflected light of the measurement light from the surface of the substrate S is received by the light receiver 36 is shifted downward in FIG. On the other hand, when the interval W is narrower than the predetermined reference interval Wx (in the case where the position of the substrate S with respect to the measurement window 17 is shifted above the position at the time of the reference interval Wx),
Contrary to the case where the interval W is wider than the predetermined reference interval Wx, the center of gravity of the region where the reflected light of the measurement light from the surface of the substrate S is received by the light receiver 36 is shifted upward in FIG. Further, the amount of deviation of the interval W from the predetermined reference interval Wx corresponds to the amount of deviation of the center of gravity of the light receiving area of the light received by the light receiver 36 from the surface of the substrate S from Px. The interval detection unit 37 determines that the interval W is the reference position Wx based on the above principle.
Is detected, and the detection result is provided to the liquid curtain control unit 15 via the cable 16b.

【0040】計測ヘッド10は、搬送ローラ群2に水平
姿勢で保持された基板Sに対して昇降可能(間隔Wを広
狭できるよう)に構成されている。この昇降のための昇
降駆動機構40は種々の構成で実現できるが、その一例
を図3に示している。すなわち、計測ヘッド10には昇
降ガイド41が付設され、この昇降ガイド41の長孔4
2が、エッチング槽1の内側面に回動自在に設けられた
円柱状の部材43に摺動自在に嵌め付けられ、計測ヘッ
ド10がエッチング槽1(搬送ローラ群2に水平姿勢で
保持された基板S)に対して昇降自在になっている。昇
降ガイド41の下端部は、部材44の傾斜面に受け止め
られている。部材44の基端部にはネジ軸45が付設さ
れ、このネジ軸45には、ステッピングモーター46で
回転される図示しないウォームギアが直交状態で噛合さ
れている。そして、ステッピングモーター46によって
ウォームギアを正逆方向に回転させることで、ネジ軸4
5、部材44が図の水平方向に変位され、部材44の傾
斜面に沿って昇降ガイド41が昇降され、計測ヘッド1
0が基板Sに対して昇降される。計測ヘッド10の昇降
の移動量はステッピングモーター46の駆動ステップ数
で制御され、このステッピングモーター46の駆動制御
は、液カーテン制御部15によって行われる。
The measuring head 10 is configured to be able to move up and down (so that the distance W can be widened and narrowed) with respect to the substrate S held by the transport roller group 2 in a horizontal posture. The lifting drive mechanism 40 for raising and lowering can be realized by various configurations, an example of which is shown in FIG. That is, an elevating guide 41 is attached to the measuring head 10, and the elongate hole 4 of the elevating guide 41 is
2 is slidably fitted to a cylindrical member 43 rotatably provided on the inner surface of the etching tank 1, and the measuring head 10 is held in the etching tank 1 (horizontal posture by the transport roller group 2). It can move up and down with respect to the substrate S). The lower end of the lifting guide 41 is received on the inclined surface of the member 44. A screw shaft 45 is attached to the base end of the member 44, and a worm gear (not shown) rotated by a stepping motor 46 is meshed with the screw shaft 45 in an orthogonal state. Then, the worm gear is rotated in the forward and reverse directions by the stepping motor 46, so that the screw shaft 4 is rotated.
5. The member 44 is displaced in the horizontal direction in the figure, and the elevating guide 41 is moved up and down along the inclined surface of the member 44,
0 is raised and lowered with respect to the substrate S. The moving amount of the elevation of the measuring head 10 is controlled by the number of driving steps of the stepping motor 46, and the driving control of the stepping motor 46 is performed by the liquid curtain control unit 15.

【0041】なお、図中、符号47は遮蔽壁であり、ス
テッピングモーター46などの駆動部品が、エッチング
槽1内に飛散しているエッチング液の雰囲気にさらされ
ないようにしている。
In the drawing, reference numeral 47 denotes a shielding wall which prevents driving components such as the stepping motor 46 from being exposed to the atmosphere of the etching solution scattered in the etching tank 1.

【0042】また、昇降駆動機構40は、上述した構成
以外にも、例えば、ネジ軸、ガイド軸、モーターなどで
構成される周知の1軸方向駆動機構などで構成してもよ
い。
The lifting drive mechanism 40 may be constituted by a well-known uniaxial drive mechanism including a screw shaft, a guide shaft, a motor, and the like, in addition to the above-described structure.

【0043】さらに、図3に示した昇降駆動機構40や
上記したその変形例において、モーターなどの駆動部品
をエッチング液雰囲気にさらさないようにするために、
駆動部品がエッチング槽1の外部に設けられるように設
計してもよい。
Further, in the lifting / lowering drive mechanism 40 shown in FIG. 3 and the above-mentioned modified example, in order to prevent the drive parts such as the motor from being exposed to the etching solution atmosphere,
The driving parts may be designed to be provided outside the etching tank 1.

【0044】本実施例には液カーテン形成機構50が備
えられている。この液カーテン形成機構50は、図2に
示すように、液流出部51、送液管52、流量調節弁5
3、液供給部54などで構成されている。液流出部51
は、計測ヘッド10の計測窓17近辺の壁面55を内壁
とし、その周囲に外壁56を設けて構成されている。内
壁55と外壁56との間の空間57の上部は閉止され、
一方、前記空間57の下部は開放されている。送液管5
2の一端は前記空間57に連通接続されており、他端は
液供給部54に連通接続されている。液供給部51から
供給されるエッチング液は送液管52を介して液流出部
51の前記空間57に送液され、この空間57の下部か
ら基板Sの表面に向けて流出されることで、計測窓17
と基板Sの表面の間の計測領域18にエッチング液EQ
が満たされるようになっている。なお、本実施例の液カ
ーテン形成機構50は、送液管52で送液される液量を
流量調節弁53で任意に調節できるように構成されてお
り、この調節により、液流出部51(空間57の下部)
から流出される液流出量を任意に変更調節できるように
なっている。流量調節弁53の流量制御は、液カーテン
制御部15によって行われる。また、液カーテンの形成
自体の制御、すなわち、液供給部54からの処理液の供
給とその停止の制御は制御部4によって行われる。
In this embodiment, a liquid curtain forming mechanism 50 is provided. As shown in FIG. 2, the liquid curtain forming mechanism 50 includes a liquid outlet 51, a liquid feed pipe 52, and a flow control valve 5.
3. The liquid supply unit 54 and the like. Liquid outlet 51
Is configured such that a wall surface 55 near the measurement window 17 of the measurement head 10 is an inner wall, and an outer wall 56 is provided therearound. The upper part of the space 57 between the inner wall 55 and the outer wall 56 is closed,
On the other hand, the lower part of the space 57 is open. Liquid supply pipe 5
One end of 2 is connected to the space 57, and the other end is connected to the liquid supply unit 54. The etching liquid supplied from the liquid supply unit 51 is supplied to the space 57 of the liquid outflow unit 51 via the liquid supply pipe 52, and flows out from the lower part of the space 57 toward the surface of the substrate S. Measurement window 17
In the measurement area 18 between the substrate and the surface of the substrate S, the etchant EQ
Is to be satisfied. The liquid curtain forming mechanism 50 of the present embodiment is configured such that the amount of liquid sent through the liquid sending pipe 52 can be arbitrarily adjusted by the flow control valve 53, and by this adjustment, the liquid outlet 51 ( (Below the space 57)
It is possible to arbitrarily change and adjust the amount of liquid flowing out of the apparatus. The flow control of the flow control valve 53 is performed by the liquid curtain control unit 15. The control of the formation of the liquid curtain itself, that is, the control of the supply of the processing liquid from the liquid supply unit 54 and the control of the stop thereof are performed by the control unit 4.

【0045】終点検出部14は、マイクロコンピュータ
やパーソナルコンピュータなどで構成されていて、計測
ヘッド10内のモニタ光学系20で計測された基板Sの
表面からの反射光の光量の変化を解析して従来周知の方
式でエッチングの終了時点を検出する。すなわち、先に
も述べたように、基板Sの表面からの反射光は、基板S
の表面に形成された表面層の表面や、表面層を構成する
各膜の界面、表面層の最下層の膜と基板Sの表面との界
面などで反射された反射光の干渉光であるから、除去層
が除去されている過程においては、この除去層の膜厚の
減少に応じて反射光の光量が変化するが、除去層が除去
された後は、表面槽を構成する各膜の膜厚が変化しなく
なるので、反射光の光量の変化がなくなり一定になる。
従って、反射光の光量が変化している状態から変化しな
くなる状態に変わる時点を特定し、この時点をエッチン
グ処理の終点とする。終点検出部14は、終点を検出す
ると終点検出信号を制御部4に与える。制御部4では終
点検出信号に基づき各部を停止させてエッチング処理を
終了させる。
The end point detecting section 14 is constituted by a microcomputer, a personal computer, or the like, and analyzes a change in the amount of reflected light from the surface of the substrate S measured by the monitor optical system 20 in the measuring head 10. The end point of the etching is detected by a conventionally known method. That is, as described above, the reflected light from the surface of the substrate S
The interference light reflected from the surface of the surface layer formed on the surface of the substrate, the interface between the films constituting the surface layer, and the interface between the lowermost layer of the surface layer and the surface of the substrate S. In the process of removing the removal layer, the amount of reflected light changes in accordance with the decrease in the thickness of the removal layer. After the removal layer is removed, the film of each film constituting the surface bath is removed. Since the thickness does not change, the amount of reflected light does not change and becomes constant.
Therefore, a point in time when the amount of reflected light changes from a state in which it changes to a state in which it does not change is specified, and this point is defined as the end point of the etching process. When detecting the end point, the end point detection unit 14 supplies an end point detection signal to the control unit 4. The control unit 4 stops each unit based on the end point detection signal, and ends the etching process.

【0046】液カーテン制御部15もマイクロコンピュ
ータやパーソナルコンピュータで構成されていて、CP
U(中央処理装置)61やメモリ62、プログラムメモ
リ63などを備えている。CPU61は、予め作成され
プログラムメモリ63に記憶されているプログラム(処
理手順)に従い、後述するように、間隔検出光学系30
から与えられる現在の間隔Wや、モニタ光学系20で計
測される反射光の光量などに基づき、計測ヘッド10の
昇降のための昇降駆動機構40のステッピングモーター
46や液カーテン形成機構50の流量調節弁53を適宜
に駆動制御して、計測領域18に満たされた処理液内の
気泡を好適に抑制し得る間隔Wと液流出量とを特定す
る。また、メモリ62には、基板Sの水平方向の往復移
動の1周期分の収集データ(基板Sの水平方向の往復移
動の1周期の間にモニタ光学系20で計測される反射光
の光量)を記憶しておくためのエリアM1、M2などを
設けている。エリアM1には今回の1周期分の収集デー
タが記憶され、エリアM2には前回の1周期分の収集デ
ータが記憶される。なお、この液カーテン制御部15に
は制御部4からセンサ3a、3bの検出情報も与えられ
ている。
The liquid curtain control unit 15 is also constituted by a microcomputer or a personal computer,
A U (central processing unit) 61, a memory 62, a program memory 63, and the like are provided. The CPU 61 follows the program (processing procedure) created in advance and stored in the program memory 63, as will be described later.
And the flow rate adjustment of the stepping motor 46 of the lifting drive mechanism 40 and the liquid curtain forming mechanism 50 for raising and lowering the measuring head 10 based on the current interval W given by the monitor and the amount of reflected light measured by the monitor optical system 20. By appropriately controlling the drive of the valve 53, an interval W and a liquid outflow amount that can appropriately suppress bubbles in the processing liquid filled in the measurement area 18 are specified. The memory 62 also stores collected data for one cycle of the horizontal reciprocation of the substrate S (the amount of reflected light measured by the monitor optical system 20 during one cycle of the horizontal reciprocation of the substrate S). Are stored in areas M1, M2, and the like. The area M1 stores the current one cycle of collected data, and the area M2 stores the previous one cycle of collected data. The liquid curtain control unit 15 is also provided with detection information of the sensors 3a and 3b from the control unit 4.

【0047】なお、計測ヘッド10内のモニタ光学系2
0や第1の光源部11は、本発明における反射光量計測
手段を構成し、終点検出部14は本発明における終点検
出手段に、液カーテン形成機構50は本発明における液
カーテン形成手段にそれぞれ相当する。また、昇降駆動
機構40は本発明における接離手段に相当し、計測ヘッ
ド10内の間隔検出光学系30や第2の光源部12は本
発明における処理条件取込み手段を構成する。さらに、
液カーテン制御部15は本発明における制御手段に、流
量調節弁53は本発明における液流出量調節手段に相当
する。
The monitor optical system 2 in the measuring head 10
0 and the first light source unit 11 constitute a reflected light amount measuring unit in the present invention, the end point detecting unit 14 corresponds to the end point detecting unit in the present invention, and the liquid curtain forming mechanism 50 corresponds to the liquid curtain forming unit in the present invention. I do. The lifting drive mechanism 40 corresponds to the contact / separation unit in the present invention, and the interval detection optical system 30 and the second light source unit 12 in the measurement head 10 constitute the processing condition capturing unit in the present invention. further,
The liquid curtain control unit 15 corresponds to a control unit in the present invention, and the flow control valve 53 corresponds to a liquid outflow amount adjusting unit in the present invention.

【0048】上述のような構成を有する実施例装置によ
るエッチング処理の終点検出は、液カーテン形成機構5
0により計測領域18にエッチング処理で用いられるエ
ッチング液が満たされた状態で行われる。
The end point detection of the etching process by the apparatus having the above-described configuration is performed by the liquid curtain forming mechanism 5.
0 is performed in a state where the measurement region 18 is filled with an etching solution used in the etching process.

【0049】先にも述べたように、間隔Wが基準間隔W
xからずれていたり、エッチング液(処理液)の温度や
濃度などの処理条件が相違するだけでも計測領域18内
に気泡が存在することがある。
As described above, the interval W is equal to the reference interval W
In some cases, bubbles may be present in the measurement area 18 even if the processing conditions such as the temperature and concentration of the etching liquid (processing liquid) deviate from x or the processing conditions are different.

【0050】そこで、計測領域18内の気泡が無くなる
ように、液カーテン制御部15が、間隔Wや、液カーテ
ン形成機構50からのエッチング液の液流出量(以下、
単に「液流出量」というときは、液カーテン形成機構5
0からのエッチング液の液流出量を意味するものとす
る。)を調節する。この動作を図4ないし図7に示すフ
ローチャートなどを参照して説明する。
Therefore, the liquid curtain control unit 15 determines the distance W and the amount of the etchant flowing out of the liquid curtain forming mechanism 50 (hereinafter, referred to as “outflow”) so as to eliminate bubbles in the measurement area 18.
The “liquid outflow amount” is simply referred to as the liquid curtain forming mechanism 5.
It means the amount of the etchant flowing out from zero. ). This operation will be described with reference to the flowcharts shown in FIGS.

【0051】なお、液流出量の初期値としては、従来装
置で決められている基準の液流出量に設定されているも
のとする。また、図4ないし図7のフローチャートは、
基板Sが揺動ローラ群2にセッテイングされ、ノズル5
からのエッチング液の噴射や、液カーテン形成機構50
による基準の液流出量での液カーテンの形成が開始され
た状態からの動作を示している。
It is assumed that the initial value of the liquid outflow amount is set to a reference liquid outflow amount determined in the conventional apparatus. In addition, the flowcharts of FIGS.
The substrate S is set on the swing roller group 2 and the nozzle 5
Of the etching liquid from the liquid curtain forming mechanism 50
5 shows the operation from the state where the formation of the liquid curtain at the reference liquid outflow amount is started.

【0052】まず、現在の(表面処理前の)間隔Wが基
準間隔Wxからずれているか否かを判定し、ずれていれ
ばステップS2の処理を実行し、ずれていなければステ
ップS3に進む(ステップS1)。現在の間隔Wが基準
間隔Wxからずれているか否かは、間隔検出光学系30
からの検出結果より判定する。
First, it is determined whether or not the current interval W (before surface treatment) is deviated from the reference interval Wx. If it is deviated, the process of step S2 is executed. If not, the process proceeds to step S3 ( Step S1). Whether the current interval W is deviated from the reference interval Wx is determined by the interval detection optical system 30.
It is determined from the detection result from.

【0053】ステップS2では、間隔Wを基準間隔Wx
にするように計測ヘッド10を昇降駆動する。なお、間
隔検出光学系30からの検出結果より、現在の間隔Wが
基準間隔Wxより広くずれているか狭くずれているか
や、そのずれ量が判別できるので、昇降駆動機構40の
駆動方向や移動量を決めることができ、この駆動方向と
移動量とを基に昇降駆動機構40のステッピングモータ
ー46を駆動制御する。
In step S2, the interval W is set to the reference interval Wx
The measurement head 10 is driven up and down so that In addition, from the detection result from the interval detecting optical system 30, it is possible to determine whether the current interval W is shifted widely or narrowly than the reference interval Wx, and the shift amount. The driving of the stepping motor 46 of the elevation drive mechanism 40 is controlled based on the driving direction and the moving amount.

【0054】また、このフローチャートでは、最適間隔
を基準間隔Wxに固定している。例えば、揺動ローラ群
2の磨耗などの機械の劣化などによって、間隔Wが基準
間隔Wxからずれていることのみに起因して計測領域1
8内に気泡が存在しているのであれば、間隔Wを基準間
隔Wxにしてやれば、液流出量は基準の液流出量になっ
ているので、計測領域18内に気泡は存在しなくなるこ
とが予想される。なお、実際には、間隔Wが基準間隔W
xからずれていること以外の要因によっても計測領域1
8内に気泡が存在していることが考えられるので、その
ような場合に対処して、このフローチャートでは、以下
に説明するように、間隔Wや液流出量をフィードバック
制御により調節することで計測領域18内の気泡を無く
すようにしている。
In this flowchart, the optimum interval is fixed to the reference interval Wx. For example, the measurement area 1 is only due to the fact that the interval W is deviated from the reference interval Wx due to mechanical deterioration such as wear of the swing roller group 2 or the like.
If bubbles are present in the sample 8, if the interval W is set to the reference interval Wx, the amount of liquid flowing out is the reference amount of liquid flowing out. is expected. Actually, the interval W is equal to the reference interval W
measurement area 1 due to factors other than deviation from x
Since it is possible that bubbles are present in the nozzle 8, such a case is dealt with, and in this flowchart, as described below, measurement is performed by adjusting the interval W and the liquid outflow amount by feedback control. The bubbles in the area 18 are eliminated.

【0055】ステップ3では、基板Sの水平方向への往
復移動の1周期分の反射光の光量(反射光量)を所定時
間t1 ごとに取込み、図示しないA/D変換器でディジ
タルデータに変換してメモリ62の今回の1周期分の収
集データの記憶エリアM1に記憶する。
[0055] In step 3, the incorporation amount of one period of the reflected light of the reciprocating movement in the horizontal direction of the substrate S (the amount of reflected light) in a predetermined time interval t 1, the digital data by the A / D converter (not shown) converts Then, the data is stored in the storage area M1 of the collected data for the current one cycle in the memory 62.

【0056】基板Sの水平方向の往復移動の1周期の間
に、モニタ光学系20から基板Sの表面に照射される計
測光のスポットSPは、図8の想像線に示すように変位
する。反射光量の液カーテン制御部15への取込みは所
定時間t1 間隔でなされる。液カーテン制御部15は、
右側(または左側)のセンサ3a(または3b)に基板
Sが接触した信号を制御部4を介して受け取ってから、
同じセンサ3a(または3b)に基板Sが接触した信号
を制御部4を介して再び受け取るまでの間にモニタ光学
系20からの反射光量を所定時間t1 間隔で取り込んで
順次記憶エリアM1に記憶することで基板Sの水平方向
の往復移動の1周期分の反射光量の収集を行なう。
During one cycle of the horizontal reciprocation of the substrate S, the spot SP of the measurement light emitted from the monitor optical system 20 to the surface of the substrate S is displaced as shown by the imaginary line in FIG. Incorporation into the liquid curtain controller 15 of the reflected light amount is made at a predetermined time t 1 interval. The liquid curtain control unit 15
After receiving a signal that the substrate S has contacted the right (or left) sensor 3a (or 3b) via the control unit 4,
The same sensor 3a (or 3b) to store the amount of reflected light from the monitor optical system 20 to sequentially storage area M1 is taken at a predetermined time t 1 interval until it receives a signal substrate S is contacted again via the control unit 4 Thus, the amount of reflected light for one cycle of the horizontal reciprocation of the substrate S is collected.

【0057】なお、収集された1周期分の反射光量を図
9(a)、(b)に示す。図では、縦軸に反射光量をと
り、横軸に時間をとっている。また、図9(a)は、計
測領域18に気泡が存在していない場合のグラフであ
り、図9(b)は、計測領域18に気泡が存在している
場合のグラフである。
FIGS. 9A and 9B show the collected reflected light amounts for one cycle. In the figure, the vertical axis represents the amount of reflected light, and the horizontal axis represents time. FIG. 9A is a graph in a case where no air bubble exists in the measurement region 18, and FIG. 9B is a graph in a case where an air bubble exists in the measurement region 18.

【0058】図9(a)に示すように、基板Sの表面に
は、エッチングのためのパターンが形成されているの
で、モニタ光学系20で計測される領域にエッチングさ
れる領域(エッチング領域)とエッチングされない領域
(マスク領域)とが存在し、基板Sの表面の反射率がエ
ッチング領域とマスク領域とで相違している。図8に示
すように、モニタ光学系20から基板Sの表面に照射さ
れる計測光のスポットSPは同じ軌跡で移動するので、
図9(a)に示すグラフの反射光量の変化がこの基板S
の反射光量の変化のベースとなる。この反射光量の変化
のベースは、相前後する基板Sの1周期の往復移動で収
集される1周期分の収集データではほとんど変化しな
い。
As shown in FIG. 9A, since a pattern for etching is formed on the surface of the substrate S, a region to be etched by a region measured by the monitor optical system 20 (etched region). And a non-etched region (mask region), and the reflectance of the surface of the substrate S is different between the etched region and the mask region. As shown in FIG. 8, the spot SP of the measurement light emitted from the monitor optical system 20 to the surface of the substrate S moves along the same trajectory.
The change in the amount of reflected light in the graph shown in FIG.
Is the basis for the change in the amount of reflected light. The base of this change in the amount of reflected light hardly changes with the collected data for one cycle collected by one cycle of the reciprocating movement of the substrate S before and after.

【0059】また、図9(b)に示すように、計測領域
18に気泡が存在していると、上記図9(a)のグラフ
(反射光量の変化のベース)の任意の箇所に、気泡によ
る散乱光に起因して、微小時間に反射光量が急峻に変化
する、いわゆるスパイク状の光量変化(気泡光量変化)
SSが現れる。
As shown in FIG. 9B, if air bubbles are present in the measurement area 18, the air bubbles are displayed at an arbitrary position in the graph of FIG. So-called spike-like light quantity change (bubble light quantity change) in which the reflected light quantity changes sharply in a very short time due to scattered light due to
SS appears.

【0060】図4のフローチャートに戻って、ステップ
S3における今回の収集が1周期目のものか否かを判定
し、1周期目であればステップS5の処理を実行した後
ステップS3に戻り、2周期目以降のものであればステ
ップS6に進む(ステップS4)。
Returning to the flowchart of FIG. 4, it is determined whether or not the current collection in step S3 is for the first cycle. If the current cycle is for the first cycle, the process of step S5 is executed, and the process returns to step S3. If it is after the cycle, the process proceeds to step S6 (step S4).

【0061】今回の収集が1周期目の場合、ステップS
5で、エリアM1の記憶データをエリアM2(前回の収
集データの記憶エリア)に移替え、次の2周期目の収集
に備える。そして、上述と同様に、ステップS3で2周
期目(今回)の収集が行われ、ステップS4の判定でス
テップS6に進む。このとき、今回の収集データの記憶
エリアであるM1には今回収集された2周期目の1周期
分の収集データが記憶されており、前回の収集データの
記憶エリアであるM2には前回収集された1周期目の1
周期分の収集データが記憶されている。
If the current collection is the first cycle, step S
At 5, the storage data in the area M1 is transferred to the area M2 (storage area for the previously collected data) to prepare for the next second cycle of collection. Then, in the same manner as described above, the collection in the second cycle (this time) is performed in step S3, and the process proceeds to step S6 according to the determination in step S4. At this time, the collected data of one cycle of the second cycle collected this time is stored in M1 which is the storage area of the current collected data, and the data collected last time is stored in M2 which is the storage area of the previously collected data. 1 of the first cycle
The collected data for the cycle is stored.

【0062】ステップS6では、エリアM1の記憶デー
タとエリアM2の記憶データとの差分を求め、今回の1
周期分の収集データに現れた気泡光量変化SSの個数を
求める。図9(b)を前回(例えば、1周期目)の収集
データとし、今回(例えば、2周期目)の収集データを
図9(c)に示す。このステップS6では、図9(c)
のグラフから図9(b)のグラフ(t1 ごとに計測され
た各グラフの反射光量)を差し引く。その結果を図9
(d)に示す。
In step S6, the difference between the data stored in the area M1 and the data stored in the area M2 is obtained.
The number of bubble light quantity changes SS appearing in the collected data for the cycle is obtained. FIG. 9B shows the collected data of the previous cycle (for example, the first cycle), and FIG. 9C shows the collected data of the current cycle (for example, the second cycle). In this step S6, FIG.
The graph of FIG. 9B (the amount of reflected light of each graph measured at each t 1 ) is subtracted from the graph of FIG. The result is shown in FIG.
(D).

【0063】図からも明らかなように、今回の収集デー
タと前回の収集データとの差分の結果、各グラフの反射
光量の変化のベースは相殺される。一方、各グラフの気
泡光量変化SSは現れる箇所がランダムであるので、今
回のデータ収集と前回のデータ収集とで各々の気泡光量
変化SSが現れる箇所が一致しない。従って、図9
(d)に示すように、差分の結果には、今回のデータ収
集時に現れた気泡光量変化SSと、前回のデータ収集時
に現れた気泡光量変化SSとが残り、また、今回のデー
タ収集時に現れた気泡光量変化SS(SSn)は(+)
側に、前回のデータ収集時に現れた気泡光量変化SS
(SSp)は(−)側に残ることになる。
As is apparent from the figure, as a result of the difference between the current collected data and the previous collected data, the base of the change in the amount of reflected light in each graph is canceled. On the other hand, since the places where the bubble light amount changes SS appear in each graph are random, the places where the respective bubble light amount changes SS appear in the current data collection and the previous data collection do not match. Therefore, FIG.
As shown in (d), in the result of the difference, the bubble light amount change SS that appeared during the current data collection and the bubble light amount change SS that appeared during the previous data collection remain. The change in bubble light amount SS (SSn) is (+)
On the side, the change in the amount of bubble light SS that appeared during the previous data collection
(SSp) remains on the (-) side.

【0064】そして、図9(d)に示す結果を基に、今
回のデータ収集時に収集された気泡光量変化SSをさが
していきその個数を求める。例えば、図9(d)におい
て、図の左側から順に、t1 ごとの計測点ごとに隣合う
計測点の反射光量の差分を求めていき、その差分値が、
「0」付近から増加に転じ、次に増加から減少に転じ、
減少から「0」付近に転じる箇所をさがして、そのよう
な箇所を今回のデータ収集時に現れた気泡光量変化SS
としてその個数を求める。
Then, based on the results shown in FIG. 9D, the amount of change in the amount of air bubbles SS collected during the current data collection is searched, and the number thereof is obtained. For example, in FIG. 9D, the difference between the reflected light amounts of the adjacent measurement points is obtained for each measurement point at t 1 in order from the left side of the figure, and the difference value is
From around "0", it starts to increase, then from increase to decrease,
From the decrease, the location where the value changes to around “0” is searched, and such a location is referred to as the change in the amount of bubble light SS which appeared during the current data collection.
And find the number.

【0065】次に、今回のデータ収集時に現れた気泡光
量変化SS(SSn)の有無を判定し、気泡光量変化S
S(SSn)が無ければステップS8に進み、一方、気
泡光量変化SS(SSn)が有れば図5のステップS9
に進む(ステップS7)。
Next, it is determined whether or not there is a bubble light amount change SS (SSn) that has appeared during the current data collection.
If there is no S (SSn), the process proceeds to step S8. On the other hand, if there is a bubble light amount change SS (SSn), step S9 in FIG.
Go to (Step S7).

【0066】ステップS8では、液カーテン制御部15
による調節処理が終了したことを終点検出部14に通知
し、現在の間隔Wと、液流出量とが保持される。終点検
出部14では、液カーテン制御部15からの通知によ
り、通常の終点検出処理を行なうが、この際、計測領域
18に気泡が存在しないように調節された間隔Wと液流
出量との条件で形成される液カーテンのもとで終点検出
がなされるので、気泡などによる計測誤差を無くすこと
ができ、正確な終点検出が行なえる。
In step S8, the liquid curtain control unit 15
Is notified to the end point detection unit 14, and the current interval W and the liquid outflow amount are held. The end point detection unit 14 performs a normal end point detection process based on the notification from the liquid curtain control unit 15. At this time, the condition of the interval W and the liquid outflow amount adjusted so that no bubbles exist in the measurement area 18 is set. Since the end point is detected under the liquid curtain formed by the above, measurement errors due to bubbles and the like can be eliminated, and accurate end point detection can be performed.

【0067】なお、ステップS1で、表面処理前の間隔
Wが基準間隔Wxであった場合や、ステップS2の処理
で間隔Wを基準間隔Wxにした場合においては、計測領
域18内に気泡が実際にないことを1周期目と2周期目
の収集データで確かめてから液カーテン制御部15によ
る調節処理を終了することができる。
When the interval W before the surface treatment is the reference interval Wx in step S1 or when the interval W is set to the reference interval Wx in the processing in step S2, the bubbles actually exist in the measurement area 18. The adjustment process by the liquid curtain control unit 15 can be completed after confirming that there is no such error in the collected data in the first cycle and the second cycle.

【0068】ステップS9(図5参照)では、今回のデ
ータ収集時に現れた気泡光量変化SSの個数(今回値)
と、前回同様にして求めた、前回のデータ収集時に現れ
た気泡光量変化SSの個数(前回値)とを比較し、今回
値が前回値に比べて増加したか同じであればステップS
10に進み、一方、減少したのであればステップS11
に進む。ここでは、例えば、i(iは2以上の自然数)
周期目の収集データと(i−1)周期目の収集データと
により上記ステップS6で求めた気泡光量変化SSの個
数を前回値とし、(i+1)周期目の収集データとi周
期目の収集データとにより上記ステップS6で求めた気
泡光量変化SSの個数を今回値としてその比較を行う。
なお、1周期目の収集データと2周期目の収集データと
から求めた気泡光量変化SSが今回値である場合、それ
に対応する前回値が存在しないので、この場合「0」を
前回値としている。
In step S9 (see FIG. 5), the number (current value) of changes in the amount of bubble light SS that has appeared during the current data collection.
Is compared with the number (previous value) of the bubble light quantity change SS that appeared in the previous data collection, which was obtained in the same manner as the previous time. If the current value has increased or is the same as the previous value, step S
Proceed to step S10, while if it has decreased, step S11
Proceed to. Here, for example, i (i is a natural number of 2 or more)
The number of the change in the amount of bubble light SS determined in step S6 based on the collected data in the cycle and the collected data in the (i-1) cycle is set as the previous value, and the collected data in the (i + 1) cycle and the collected data in the i cycle Then, the number of the bubble light amount change SS obtained in step S6 is used as the current value and the comparison is performed.
If the bubble light quantity change SS obtained from the collected data in the first cycle and the collected data in the second cycle is the current value, there is no previous value corresponding thereto, and in this case, “0” is set as the previous value. .

【0069】ステップS10、S11では、計測ヘッド
10を予め決めておいた移動量だけ、基板Sの表面に対
して接離させる処理で、ステップS10では、前回の駆
動方向と逆の方向へ駆動し、ステップS11では、ステ
ップS10と逆に前回の駆動方向と同じ方向へ駆動す
る。なお、ステップS10またはS11が最初に実行さ
れるときには、予め決められた駆動方向を前回の駆動方
向として最初の駆動方向を決め、ステップS10または
S11が実行されると、実行された駆動方向を記憶して
おき、次にステップS10またはS11が実行されると
きには、その記憶している駆動方向を前回の駆動方向と
して今回の駆動方向を決める。また、ステップS10、
S11での計測ヘッド10の予め決められた移動量は、
昇降駆動機構40のステッピングモーター46の1駆動
パルス分に相当する移動量を十分小さく設定すること
で、間隔Wの接離による調節を細かく行なえるようにな
る。
In steps S10 and S11, the measuring head 10 is moved toward and away from the surface of the substrate S by a predetermined movement amount. In step S10, the head is driven in a direction opposite to the previous driving direction. In step S11, driving is performed in the same direction as the previous driving direction, contrary to step S10. When step S10 or S11 is executed for the first time, the first driving direction is determined by using the predetermined driving direction as the previous driving direction, and when step S10 or S11 is executed, the executed driving direction is stored. When the step S10 or S11 is executed next, the stored driving direction is determined as the previous driving direction and the current driving direction is determined. Step S10,
The predetermined moving amount of the measuring head 10 in S11 is:
By setting the amount of movement corresponding to one drive pulse of the stepping motor 46 of the elevating drive mechanism 40 to be sufficiently small, it is possible to finely adjust the distance W by approaching and separating.

【0070】次に、ステップS10、S11での間隔W
の調節の結果、間隔Wの許容範囲を越えたか否かをチェ
ックする(ステップS12)。すなわち、計測窓17が
基板Sの表面にあまりに近づき過ぎると、基板Sと計測
ヘッド10とが衝突する可能性があり、気泡の減少も望
めないし、また、計測窓17が基板Sの表面からあまり
に遠ざかり過ぎても気泡の減少は望めない。従って、間
隔Wの許容範囲を予め決めておいて、その範囲を越える
ときには、計測窓17と基板Wの表面との接離駆動(間
隔Wの調節)では気泡を無くすのは難しいものとして、
後述するように、液流出量の調節をも加えた調節処理を
行なうようにしている。なお、現在の間隔Wは、間隔検
出光学系30での検出結果で知ることができる。
Next, the interval W in steps S10 and S11
Then, it is checked whether or not the adjustment exceeds the allowable range of the interval W (step S12). That is, if the measurement window 17 is too close to the surface of the substrate S, the substrate S may collide with the measurement head 10, and it is not possible to reduce the number of bubbles. Even if the distance is too far, reduction of bubbles cannot be expected. Therefore, the allowable range of the interval W is determined in advance, and if the allowable range is exceeded, it is difficult to eliminate bubbles by the contact / separation drive (adjustment of the interval W) between the measurement window 17 and the surface of the substrate W.
As will be described later, an adjustment process including adjustment of a liquid outflow amount is performed. The current interval W can be known from the detection result of the interval detection optical system 30.

【0071】ステップS12において、現在の間隔Wが
許容範囲を越えていなければステップS13を実行し、
一方、許容範囲を越えていれば図6のステップS14を
実行する。
In step S12, if the current interval W does not exceed the allowable range, step S13 is executed, and
On the other hand, if it exceeds the allowable range, step S14 in FIG. 6 is executed.

【0072】ステップS13では、ステップS5と同様
に、エリアM1の記憶データをエリアM2に移替え、次
の周期のデータ収集に備える。そして、図4のステップ
S3に戻り、気泡光量変化SSの有無で計測領域18に
実際に気泡があるか否かを調べながら、間隔Wの調節を
行ない、この調節で計測領域18に気泡が無くなれば、
ステップS7からS8に進み、液カーテン制御部15に
よる調節処理を終了させる。
In step S13, as in step S5, the stored data in area M1 is transferred to area M2 to prepare for data collection in the next cycle. Then, returning to step S3 in FIG. 4, the interval W is adjusted while checking whether there is an actual bubble in the measurement area 18 based on the presence or absence of the bubble light amount change SS, and the bubble disappears in the measurement area 18 by this adjustment. If
Proceeding from step S7 to S8, the adjustment processing by the liquid curtain control unit 15 is terminated.

【0073】次に、ステップS14以降の処理を図6、
図7のフローチャートを参照して説明する。
Next, the processing after step S14 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0074】まず、ステップS2と同様に、間隔Wを基
準間隔Wxにするように昇降駆動機構40を駆動する
(ステップS14)。これは、ステップS12からこの
ステップS14に進むときには、現在の間隔Wが許容範
囲を越えている状態であるので、これを一旦基準間隔W
xに戻すためである。なお、このときの間隔Wは間隔検
出光学系30の検出結果からわかっているので、これに
基づき、この現在の間隔Wを基準間隔Wxにするための
駆動方向や移動量が決められる。
First, similarly to step S2, the elevation drive mechanism 40 is driven so that the interval W becomes the reference interval Wx (step S14). This is because when the process proceeds from step S12 to step S14, the current interval W exceeds the allowable range.
This is to return to x. Since the interval W at this time is known from the detection result of the interval detection optical system 30, the driving direction and the amount of movement for setting the current interval W to the reference interval Wx are determined.

【0075】次に、ステップS3と同様に、基板Sの水
平方向への往復移動の1周期分のデータ収集を行ない、
記憶エリアM1に記憶する(ステップS15)。そし
て、このステップS14以降の処理が実行されてから最
初のデータ収集であるか2回目以降であるかを判定し
(ステップS16)、最初のデータ収集であれば、ステ
ップS5やS13と同様にエリアM1の記憶データをエ
リアM2へ移替えて、次の2回目以降のデータ収集に備
えてからステップS15に戻り(ステップS17)、2
回目以降のデータ収集であればステップS18に進む。
なお、ステップS13までの処理において最後に収集さ
れた1周期分の収集データ(エリアM1に記憶されてい
る)を用いるときには、ステップS14の処理の前か後
で、エリアM1の記憶データをエリアM2に移替えれ
ば、ステップS16、S17を省略することができる。
Next, as in step S3, data for one cycle of the reciprocating movement of the substrate S in the horizontal direction is collected.
It is stored in the storage area M1 (step S15). Then, it is determined whether this is the first data collection or the second or later data collection since the processing after step S14 is executed (step S16). If it is the first data collection, the area is determined in the same manner as steps S5 and S13. The storage data of M1 is transferred to the area M2, and the process returns to step S15 in preparation for the next and subsequent data collection (step S17).
If the data is collected after the first time, the process proceeds to step S18.
When the last collected data of one cycle (stored in the area M1) is used in the processing up to step S13, the storage data of the area M1 is transferred to the area M2 before or after the processing of step S14. If it is changed to, steps S16 and S17 can be omitted.

【0076】ステップS18では、ステップS6と同様
に、エリアM1、M2の記憶データの差分をとって、そ
の差分結果に基づき今回の収集データに現れた気泡光量
変化SSの個数を求める。
In step S18, as in step S6, the difference between the stored data in the areas M1 and M2 is obtained, and the number of changes in the amount of bubble light SS appearing in the current collected data is obtained based on the difference.

【0077】そして、ステップS7と同様に、計測領域
18内の気泡の有無を、ステップS18で求めた気泡光
量変化SSの有無で判定し(ステップS19)、計測領
域18内に気泡光量変化SSが無ければ、図4のステッ
プS8に進んで液カーテン制御部15による調節処理を
終了する。一方、計測領域18内に気泡光量変化SSが
有れば、ステップS9と同様に、気泡光量変化SSの今
回値と前回値とを比較し、今回値が前回値よりも増えた
か、同じであればステップS21に進み、今回値が前回
値より減っていればステップS22に進む(ステップS
20)。なお、このステップS20を最初に実行すると
きの前回値は、図4、図5のステップS13までの処理
で求めた最後の気泡光量変化SSの個数を用いてもよい
し、単に「0」を用いてもよい。
Then, similarly to step S7, the presence / absence of bubbles in the measurement area 18 is determined based on the presence / absence of the bubble light quantity change SS obtained in step S18 (step S19). If not, the process proceeds to step S8 in FIG. 4 to end the adjustment process by the liquid curtain control unit 15. On the other hand, if there is a bubble light amount change SS in the measurement area 18, the current value and the previous value of the bubble light amount change SS are compared, as in step S9, and whether the current value is greater than the previous value or not. If the current value is smaller than the previous value, the process proceeds to step S22 (step S22).
20). As the previous value when this step S20 is first executed, the number of the last bubble light amount change SS obtained in the processing up to step S13 in FIGS. 4 and 5 may be used, or simply “0” may be used. May be used.

【0078】図5のステップS10、S11では、計測
ヘッド10を予め決めておいた移動量だけ基板Sの表面
に対して接離させるようにしたが、ステップS21、S
22では、液カーテン形成機構50からのエッチング液
の液流出量を予め決めておいた調節量だけ変更調節させ
る。また、ステップS21では、前回の調節方向(増や
す方向か減らす方向か)と逆の方向へ変更調節し、ステ
ップS22では、前回の調節方向と同じ方向へ変更調節
する。なお、ステップS21またはS22が最初に実行
されるときには、予め決められた調節方向を前回の調節
方向として最初の調節方向を決め、ステップS21また
はS22が実行されると、実行された調節方向を記憶し
ておき、次にステップS21またはS22が実行される
ときには、その記憶している調節方向を前回の調節方向
として今回の調節方向を決める。また、ステップS2
1、S22での液流出量の変更調節は、液カーテン形成
機構50の流量調節弁53を調節することで行い、その
調節量を十分小さく設定することで、液流出量での調節
を細かく行なえるようになる。
In steps S10 and S11 in FIG. 5, the measuring head 10 is moved toward and away from the surface of the substrate S by a predetermined moving amount.
In step 22, the amount of the etchant flowing out of the liquid curtain forming mechanism 50 is changed and adjusted by a predetermined adjustment amount. Further, in step S21, the change is adjusted in the direction opposite to the previous adjustment direction (increase or decrease), and in step S22, the change is adjusted in the same direction as the previous adjustment direction. When step S21 or S22 is executed for the first time, the first adjustment direction is determined using the predetermined adjustment direction as the previous adjustment direction, and when step S21 or S22 is executed, the executed adjustment direction is stored. In advance, when step S21 or S22 is executed next, the stored adjustment direction is determined as the previous adjustment direction and the current adjustment direction is determined. Step S2
1. The adjustment of the change of the liquid outflow amount in S22 is performed by adjusting the flow control valve 53 of the liquid curtain forming mechanism 50, and by setting the adjustment amount sufficiently small, the adjustment of the liquid outflow amount can be finely performed. Become so.

【0079】次に、図7のフローチャートに進んで、ス
テップS21、S22での液流出量の調節の結果、現在
の液流出量が液流出量の許容範囲を越えたか否かをチェ
ックする(ステップS23)。液流出量が余りに多くな
り過ぎたり、少なくなり過ぎると気泡の減少は望めな
い。また、液カーテン形成機構50で形成される液カー
テンは、図8の計測光束のスポットSPが移動する領域
とその近辺の領域で、基板Sの表面全面に液カーテンが
形成されるわけではない。従って、液カーテン形成の処
理液の液流出量が余りに多くなり過ぎると、基板Sの表
面の一部に多量のエッチング液が供給される状態にな
り、基板Sの表面の一部だけエッチング処理が進んでし
まい、基板Sの表面全面でエッチング処理を均一に行な
えないことにもなる。そこで、液流出量の許容範囲を予
め決めておいて、その許容範囲内で液流出量の調節を行
なうようにしている。
Next, proceeding to the flowchart of FIG. 7, it is checked whether or not the current outflow amount exceeds the permissible range of the outflow amount as a result of the adjustment of the outflow amount in steps S21 and S22 (step). S23). If the amount of liquid flowing out is too large or too small, the reduction of bubbles cannot be expected. In the liquid curtain formed by the liquid curtain forming mechanism 50, the liquid curtain is not formed on the entire surface of the substrate S in the area where the spot SP of the measurement light beam moves in FIG. Therefore, if the amount of the liquid flowing out of the processing liquid for forming the liquid curtain is too large, a large amount of the etching liquid is supplied to a part of the surface of the substrate S, and the etching process is performed only on a part of the surface of the substrate S. As a result, the etching process cannot be performed uniformly over the entire surface of the substrate S. Therefore, the allowable range of the liquid outflow amount is determined in advance, and the liquid outflow amount is adjusted within the allowable range.

【0080】ステップS23において、現在の液流出量
が許容範囲を越えていなければステップS24を実行
し、一方、許容範囲を越えていればステップS25を実
行する。
In step S23, if the current liquid outflow amount does not exceed the allowable range, step S24 is executed, while if it exceeds the allowable range, step S25 is executed.

【0081】ステップS24では、ステップS5やS1
3、S17と同様に、エリアM1の記憶データをエリア
M2に移替え、次の周期のデータ収集に備えてから図6
のステップS15に戻る。
In step S24, steps S5 and S1
3, as in S17, the storage data in the area M1 is transferred to the area M2, and the data is collected in preparation for the next cycle of data collection.
The process returns to step S15.

【0082】ステップS25では、ステップS23での
チェックの結果が、現在の液流出量が液流出量の許容範
囲の上限を越えているものであったか下限を越えていた
ものであったかを判定し、上限を越えたものであればス
テップS26の処理を実行し、下限を越えたものであれ
ばステップS27の処理を実行する。
In step S25, it is determined whether or not the result of the check in step S23 is that the current liquid outflow exceeds the upper limit or the lower limit of the allowable range of the liquid outflow. If the number exceeds the lower limit, the processing in step S26 is executed. If the number exceeds the lower limit, the processing in step S27 is executed.

【0083】ステップS26では、計測ヘッド10を基
板Sの表面に予め決められた移動量だけ近づけ、逆に、
ステップS27では、計測ヘッド10を基板Sの表面か
ら予め決められた移動量だけ遠ざける。これは、図5の
ステップS10、S11と同様に昇降駆動機構40のス
テッピングモーター46を駆動することで行なわれ、こ
こでの移動量は、例えば、ステップS10、S11の移
動量と同じ量に設定される。
In step S26, the measuring head 10 is brought closer to the surface of the substrate S by a predetermined moving amount.
In step S27, the measuring head 10 is moved away from the surface of the substrate S by a predetermined moving amount. This is performed by driving the stepping motor 46 of the lifting / lowering drive mechanism 40 in the same manner as in steps S10 and S11 in FIG. 5, and the amount of movement here is set to the same amount as the amount of movement in steps S10 and S11. Is done.

【0084】そして、ステップS26、S27での基板
Sの表面に対する計測ヘッド10の移動(間隔Wの調
節)の結果、現在の間隔Wが許容範囲(ステップS12
の許容範囲と同じ)を越えたか否かをチェックし、許容
範囲を越えていればステップS29に進み、一方、許容
範囲を越えていなければステップS30に進む(ステッ
プS28)。
Then, as a result of the movement of the measuring head 10 with respect to the surface of the substrate S (adjustment of the interval W) in steps S26 and S27, the current interval W is within the allowable range (step S12).
(Same as the allowable range) is checked, and if it is outside the allowable range, the process proceeds to step S29, while if not, the process proceeds to step S30 (step S28).

【0085】ステップS29では、計測領域18内の気
泡を無くす調節が不可能と判断して、異常ランプを点灯
させたり、異常ブザーを鳴動させるなどして異常終了を
作業者に報せ、異常終了したことを制御部4にも通知す
る。異常通知を受けると、制御部4は各部の動作を停止
させてエッチング処理を終了させる。
In step S29, it is determined that adjustment for eliminating bubbles in the measurement area 18 is impossible, and an abnormal end is reported to the operator by turning on an abnormal lamp or sounding an abnormal buzzer, and the abnormal end is made. This is also notified to the control unit 4. When receiving the abnormality notification, the control unit 4 stops the operation of each unit and ends the etching process.

【0086】また、ステップS30では、液流出量を基
準の液流出量に戻し、ステップS24に進んで、ステッ
プS5やS13、S17と同様に、エリアM1の記憶デ
ータをエリアM2に移替え、次の周期のデータ収集に備
えてからステップS15に戻る。そして、気泡光量変化
SSの有無によって計測領域18に実際に気泡があるか
否かを調べながら、液流出量のフィードバック制御によ
る調節や、間隔Wのフィードバック制御による調節を行
ない、これら調節で計測領域18に気泡が無くなれば、
ステップS19からS8に進み、液カーテン制御部15
による調節処理を終了させる。
In step S30, the liquid outflow amount is returned to the reference liquid outflow amount, and the flow advances to step S24 to transfer the storage data in the area M1 to the area M2 as in steps S5, S13, and S17. The process returns to step S15 after preparing for data collection in the cycle of. Then, while checking whether there are actually bubbles in the measurement area 18 based on the presence or absence of the bubble light amount change SS, adjustment by feedback control of the liquid outflow amount and feedback control of the interval W are performed. If there are no bubbles in 18,
Proceeding from step S19 to S8, the liquid curtain control unit 15
Is terminated.

【0087】これにより、揺動ローラ群2の磨耗などの
機械の劣化により、揺動ローラ群2にセッテイングされ
た基板Sの表面と計測窓17との間隔Wが基準間隔Wx
からずれていてもそれを自動的に修正できるし、エッチ
ング処理前の間隔W以外のエッチング液の温度や濃度、
その他の処理条件によって計測領域18内に気泡が存在
していても、液流出量のフードバック制御による調節や
間隔Wのフィードバック制御による調節によって適宜に
是正される。
As a result, the distance W between the surface of the substrate S set on the oscillating roller group 2 and the measurement window 17 is reduced to the reference distance Wx due to mechanical deterioration such as wear of the oscillating roller group 2.
It can be corrected automatically even if it deviates from the temperature.
Even if bubbles are present in the measurement area 18 due to other processing conditions, the bubbles are properly corrected by adjusting the amount of outflow liquid by feedback control and adjusting the interval W by feedback control.

【0088】なお、上述の動作では、エッチング処理と
並行して、液カーテン制御部15による調節処理を実行
するように説明したが、例えば、基板Sを所定枚数エッ
チング処理するごとに、テスト基板を用いて液カーテン
制御部15による調節処理のみを実行し、これにより、
間隔Wや液流出量を計測領域18内に気泡が無くなるよ
うに調節しておいて、その状態を維持して以降の基板S
(所定枚数分)のエッチング処理を実行させるようにし
てもよい。
In the above-described operation, the adjustment processing by the liquid curtain control unit 15 is performed in parallel with the etching processing. However, for example, every time a predetermined number of substrates S are etched, the test substrate is changed. Only the adjustment process by the liquid curtain control unit 15 is executed using
The distance W and the liquid outflow amount are adjusted so that air bubbles do not exist in the measurement area 18, and the state is maintained and the subsequent substrate S
The etching process (for a predetermined number) may be executed.

【0089】なお、テスト基板としては、エッチング処
理される基板Sをテスト基板として用いてもよいが、例
えば、エッチング処理される基板Sと同じ厚みの基板で
あって表面層が形成されていないガラス基板を用いても
よい。表面層が形成されていないテスト基板の表面と計
測窓17との間隔は、エッチング処理される(表面層が
形成されている)基板Sと計測窓17の間隔に比べて表
面層の厚さだけ広くなるが、表面層の厚みはμm単位で
あり、この程度の差は誤差の範囲に吸収されるので、表
面層が形成されていないテスト基板を用いても充分に精
度良い調節が行なえる。
As the test substrate, the substrate S to be etched may be used as a test substrate. For example, a glass substrate having the same thickness as the substrate S to be etched and having no surface layer formed thereon may be used. A substrate may be used. The distance between the surface of the test substrate on which the surface layer is not formed and the measurement window 17 is smaller than the distance between the substrate S to be etched (having the surface layer) and the measurement window 17 by the thickness of the surface layer. Although it is wide, the thickness of the surface layer is on the order of μm, and such a difference is absorbed in the range of the error, so that a sufficiently accurate adjustment can be performed even when a test substrate having no surface layer is used.

【0090】また、表面層が形成されていないテスト基
板で図4ないし図7の調節処理を実行させると、エッチ
ング領域やマスク領域などの区分がないので、ステップ
3やS15で収集される1周期分の収集データは、図1
0(a)に示すように、反射光量の変化のベースが一定
になるが、図10(b)〜(c)に示すように、相前後
する周期の収集データを差分することで、各収集データ
の反射光量の変化のベースは相殺されるので、計測領域
18内の気泡による気泡光量変化SSの個数を求めるこ
とができる。なお、図10(a)〜(d)は、図9
(a)〜(d)に対応する図で、図10(a)は計測領
域18内に気泡が無い場合の1周期分の収集データを示
すグラフであり、図10(b)、(c)は計測領域18
内に気泡が有る場合の相前後する1周期分の収集データ
を示すグラフ、図10(d)は図10(c)から図10
(b)を差し引いた結果を示すグラフである。
When the adjustment process shown in FIGS. 4 to 7 is performed on a test substrate on which a surface layer is not formed, since there is no division such as an etching region or a mask region, one cycle collected in step 3 or S15 Figure 1 shows the collected data
As shown in FIG. 10A, the base of the change in the amount of reflected light is constant. However, as shown in FIGS. Since the base of the change in the amount of reflected light of the data is canceled, the number of changes in the amount of bubble light SS due to the bubbles in the measurement area 18 can be obtained. Note that FIGS. 10A to 10D correspond to FIGS.
FIGS. 10A to 10D are diagrams corresponding to FIGS. 10A and 10D, and FIG. 10A is a graph showing collected data for one cycle when there is no bubble in the measurement area 18, and FIGS. Is the measurement area 18
FIG. 10D is a graph showing collected data for one cycle before and after when air bubbles are present, and FIGS.
It is a graph which shows the result of having subtracted (b).

【0091】また、上記実施例によれば、厚みが異なる
基板Sを連続してエッチング処理する場合にも、各厚み
の基板Sに対して、計測領域18内に気泡が無くなるよ
うに間隔Wや液流出量を自動的に調節することも可能で
ある。なお、厚みが異なる基板Sを連続してエッチング
処理する場合、通常は、同じ種類(同じ厚み)の複数枚
の基板Sを一単位としたロットごとにエッチング処理さ
れる。すなわち、例えば、厚さ7mmの基板Sが複数枚エ
ッチング処理された後、次に、厚さ11mmの基板Sが複
数枚エッチング処理されるというように、同じ厚みの基
板Sが複数枚連続してエッチング処理される。従って、
各ロットの基板Sに対するエッチング処理に先立ち、テ
スト基板を用いて、液カーテン制御部15による調節処
理のみを実行し、これにより、計測領域18内に気泡が
無くなるように間隔Wや液流出量を調節しておいて、そ
の状態を維持してそのロットの基板S(複数枚数分)の
エッチング処理を実行させるようにしてもよい。なお、
テスト基板としては、そのロットの基板Sと同じ厚みの
基板で表面層が形成されていない基板を用いてもよい
し、そのロット内のエッチング処理される基板Sと同じ
基板(表面層も形成されている)を用いてもよい。ま
た、テスト基板を用いずにエッチングされる基板Wごと
に、エッチング処理と並行して液カーテン制御部15に
よる調節処理を実行してもよい。
Further, according to the above embodiment, even when the substrates S having different thicknesses are successively subjected to the etching process, the distance W or the distance between the substrates S having the respective thicknesses is reduced so that no bubbles are present in the measurement region 18. It is also possible to automatically adjust the liquid outflow. In the case where the substrates S having different thicknesses are successively etched, usually, the etching is performed for each lot of a plurality of substrates S of the same type (same thickness) as one unit. That is, for example, after a plurality of substrates S having a thickness of 7 mm are etched, then a plurality of substrates S having a thickness of 11 mm are etched, and a plurality of substrates S having the same thickness are continuously formed. Etching is performed. Therefore,
Prior to the etching process on the substrates S of each lot, only the adjustment process by the liquid curtain control unit 15 is performed using a test substrate, whereby the interval W and the amount of the liquid flowing out are set so that no bubbles are present in the measurement area 18. After the adjustment, the state may be maintained and the etching process may be performed on the substrates S (for a plurality of substrates) of the lot. In addition,
As the test substrate, a substrate having the same thickness as the substrate S of the lot and having no surface layer formed thereon may be used, or the same substrate as the substrate S to be etched in the lot (the surface layer is also formed). May be used. Further, the adjustment process by the liquid curtain control unit 15 may be executed in parallel with the etching process for each substrate W to be etched without using a test substrate.

【0092】次に、図4ないし図7で説明した液カーテ
ン制御部15による調節処理についての変形例をいくつ
か紹介する。
Next, some modified examples of the adjustment processing by the liquid curtain control unit 15 described with reference to FIGS. 4 to 7 will be introduced.

【0093】図4ないし図7では、取り込む処理条件
を、表面処理前の間隔Wのみとし、最適間隔を基準間隔
Wxとして、ステップS2やS14では間隔Wを基準間
隔Wxにするようにしていたが、例えば、エッチング液
の温度や濃度などの他の処理条件をも取り込んで、これ
ら各種の処理条件に対する最適間隔を予め求めておい
て、ステップS2やS14では、間隔Wをそのような最
適間隔にするようにしてもよい。
In FIGS. 4 to 7, the processing conditions to be taken are only the interval W before the surface treatment, the optimal interval is the reference interval Wx, and the interval W is the reference interval Wx in steps S2 and S14. For example, by taking in other processing conditions such as the temperature and concentration of the etching solution, the optimum intervals for these various processing conditions are obtained in advance, and in steps S2 and S14, the interval W is set to such an optimum interval. You may make it.

【0094】この場合、例えば、図1の点線で示すよう
に、エッチング処理時のエッチング液の温度や濃度など
の処理条件を作業者が設定するための設定部70(この
設定部70も処理条件取込み手段を構成し、キーボード
などで構成される)を設けておいて、この設定部70か
ら設定された処理条件を液カーテン制御部15が取り込
むように構成する。また、例えば、エッチング液の温度
がT1 でエッチング液の濃度がN1 のとき最適間隔がW
11、エッチング液の温度がT1 でエッチング液の濃度が
2 のとき最適間隔がW12、エッチング液の温度がT2
でエッチング液の濃度がN2 のとき最適間隔がW22とい
うように、各種の処理条件の組合わせに対して、計測領
域18内に気泡が存在しないような最適間隔を予め実験
的に求めておいてその結果をテーブルにして記憶してお
く。そして、ステップS2やS14では、液カーテン制
御部15が、取り込んだ処理条件を検索キーとして上記
テーブルを検索して取り込んだ処理条件に応じた最適間
隔を取り出して、間隔Wをその最適間隔にするように昇
降駆動機構40を制御する。
In this case, as shown by a dotted line in FIG. 1, for example, a setting section 70 for the operator to set processing conditions such as the temperature and concentration of the etching solution during the etching process (this setting section 70 is also a processing condition). The liquid curtain control unit 15 is configured so that the processing condition set by the setting unit 70 is fetched. Further, for example, when the temperature of the etching solution is T 1 and the concentration of the etching solution is N 1 , the optimum interval is W.
11. When the temperature of the etching solution is T 1 and the concentration of the etching solution is N 2 , the optimum interval is W 12 , and the temperature of the etching solution is T 2
For example, when the concentration of the etchant is N 2 , the optimum interval is W 22, and the optimum interval such that no bubbles exist in the measurement region 18 is experimentally obtained in advance for various combinations of processing conditions. The results are stored in a table. Then, in steps S2 and S14, the liquid curtain control unit 15 retrieves the table using the fetched processing conditions as a search key, extracts an optimum interval corresponding to the fetched processing conditions, and sets the interval W to the optimum interval. The lifting drive mechanism 40 is controlled as described above.

【0095】また、図4、図5のフローチャートでは、
まず、計測窓17と基板Sとの間隔Wを基準間隔Wxに
するようにしている(ステップS1、S2)が、その処
理を省略して、ステップS3からS13のフィードバッ
ク制御による間隔Wの調節により計測領域18内の気泡
を無くすようにしてもよい。
In the flowcharts of FIGS. 4 and 5,
First, the interval W between the measurement window 17 and the substrate S is set to the reference interval Wx (steps S1 and S2), but the processing is omitted and the interval W is adjusted by the feedback control from steps S3 to S13. The bubbles in the measurement area 18 may be eliminated.

【0096】また、同様に図6、図7のフローチャート
のステップS14からS30の処理において、ステップ
S14を省略して、ステップS15からS30のフィー
ドバック制御による液流出量の調節とフィードバック制
御による間隔Wの調節により計測領域18内の気泡を無
くすようにしてもよい。
Similarly, in the processing of steps S14 to S30 in the flowcharts of FIGS. 6 and 7, step S14 is omitted, and the adjustment of the liquid outflow amount by the feedback control of steps S15 to S30 and the interval W of the feedback control are performed. The bubbles in the measurement area 18 may be eliminated by the adjustment.

【0097】また、例えば、図4、図5のフローチャー
トにおいて、まず、間隔Wを基準間隔Wx(処理条件に
応じた最適間隔でもよい)にして、次に、フィードバッ
ク制御による間隔Wの調節によって計測領域18内の気
泡が無くなるか、または、計測領域18内の気泡の個数
が最少となるような間隔Wをさがし、計測領域18内の
気泡が無くなれば液カーテン制御部15による調節処理
を終了し(ステップS8の処理)、一方、計測領域18
内の気泡の個数が最少となる間隔Wが見つかれば、その
間隔Wにおいてフィードバック制御による液流出量の調
節によって計測領域18内の気泡を無くすようにしても
よい。
For example, in the flowcharts of FIGS. 4 and 5, first, the interval W is set to a reference interval Wx (an optimal interval may be set according to the processing conditions), and then the measurement is performed by adjusting the interval W by feedback control. The gap W is found so that the bubbles in the area 18 disappear or the number of bubbles in the measurement area 18 is minimized. When the bubbles in the measurement area 18 disappear, the adjustment processing by the liquid curtain control unit 15 ends. (Process of step S8) On the other hand, the measurement area 18
If an interval W at which the number of bubbles in the space is minimized is found, the bubbles in the measurement area 18 may be eliminated by adjusting the liquid outflow amount by feedback control at the interval W.

【0098】その他、間隔Wを基準間隔Wx(処理条件
に応じた最適間隔でもよい)にする調節処理、フィード
バック制御による間隔Wの調節処理を単独で実行させる
ことによって計測領域18内の気泡を無くすようにして
もよい。
In addition, air bubbles in the measurement area 18 are eliminated by independently executing the adjustment processing for setting the interval W to the reference interval Wx (which may be an optimum interval according to processing conditions) and the adjustment processing for the interval W by feedback control. You may do so.

【0099】[0099]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、所定の処理条件と取り込み、
この取り込んだ処理条件に基づいて、計測窓と基板表面
との間隔が最適間隔に自動的に調節されるので、作業者
への負担や手間を無くすことができるし、作業者(人
体)への有機溶剤や酸による危険を回避することもでき
る。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, a predetermined processing condition,
The distance between the measurement window and the substrate surface is automatically adjusted to the optimum distance based on the acquired processing conditions, so that the burden and labor on the operator can be reduced, and the operator (human body) can be saved. Danger from organic solvents and acids can also be avoided.

【0100】また、例えば、機械の劣化などによって計
測窓と基板表面との間隔が基準間隔からずれた場合で
も、表面処理を始める前に、表面処理前の計測窓と基板
表面との間隔を含む処理条件を取り込んで、この処理条
件に基づいて、計測窓と基板表面との間隔を最適間隔
(例えば、基準間隔)に自動的に調節することができる
し、厚みが異なる基板が連続的に表面処理装置に投入さ
れたとしても、各基板ごとに、表面処理前の計測窓と基
板表面との間隔を含む処理条件を取り込んで、この処理
条件に基づいて、計測窓と基板表面との間隔を最適間隔
(例えば、基準間隔)に自動的に調節することができ
る。
Further, even when the distance between the measurement window and the substrate surface is deviated from the reference distance due to, for example, deterioration of the machine, the distance between the measurement window and the substrate surface before the surface treatment is included before starting the surface treatment. By taking in the processing conditions, the distance between the measurement window and the substrate surface can be automatically adjusted to an optimum distance (for example, a reference distance) based on the processing conditions, and the substrates having different thicknesses can be continuously surfaced. Even when the substrate is put into the processing apparatus, the processing conditions including the distance between the measurement window and the substrate surface before the surface treatment are taken in for each substrate, and the distance between the measurement window and the substrate surface is determined based on this processing condition. It can be automatically adjusted to an optimal interval (eg, a reference interval).

【0101】さらに、表面処理前の計測窓と基板表面と
の間隔以外の処理液の温度や濃度などのその他の処理条
件をも加味して計測窓と基板表面との間隔をそれに応じ
た最適間隔に自動的に調節することもできる。
Furthermore, taking into account other processing conditions such as the temperature and concentration of the processing liquid other than the distance between the measurement window and the substrate surface before the surface treatment, the distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted to the optimum distance according to the other conditions. It can also be adjusted automatically.

【0102】また、請求項2に記載の発明によれば、計
測窓と基板表面との間隔を最適間隔にした後、計測領域
内の実際の気泡の有無を調べながら液カーテン形成手段
からの処理液の液流出量をフィードバック制御で調節す
るので、計測領域内に気泡が存在するのをより確実に抑
制することができる。
According to the second aspect of the present invention, after the distance between the measurement window and the substrate surface is set to the optimum distance, the processing from the liquid curtain forming means is performed while checking for the presence or absence of actual bubbles in the measurement area. Since the outflow amount of the liquid is adjusted by the feedback control, the presence of bubbles in the measurement area can be more reliably suppressed.

【0103】また、請求項3に記載に発明によれば、計
測領域内の実際の気泡の有無を調べながら計測窓と基板
表面との間隔をフィードバック制御で調節するので、ど
のような要因によって計測領域内に気泡が存在している
のかに無関係に実際に気泡が無くなる計測窓と基板表面
との最適間隔を自動的にさがすことができる。
According to the third aspect of the present invention, the distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted by feedback control while checking for the presence or absence of actual bubbles in the measurement area. It is possible to automatically find the optimum distance between the measurement window and the substrate surface where bubbles actually disappear regardless of the presence of bubbles in the region.

【0104】また、請求項4に記載に発明によれば、請
求項3に記載の発明に加えて、さらに、液カーテン形成
手段からの処理液の液流出量をフィードバック制御で調
節するので、計測領域内の気泡をより適切、かつ、確実
に無くすことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, in addition to the third aspect of the present invention, the amount of the processing liquid flowing out from the liquid curtain forming means is adjusted by feedback control. Air bubbles in the region can be more appropriately and reliably eliminated.

【0105】また、請求項5に記載に発明によれば、最
初に計測窓と基板表面との間隔を最適間隔にし、その
後、計測領域内の実際の気泡の有無を調べながら、計測
窓と基板表面との間隔のフィードバック制御による調節
や、液カーテン形成手段からの処理液の液流出量のフィ
ードバック制御による調節を行なうことができるように
なり、フィードバック制御のみで調節するよりも、処理
時間を短縮することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the distance between the measurement window and the substrate surface is first set to an optimum distance, and then the measurement window and the substrate are checked while checking for the presence or absence of actual bubbles in the measurement area. Adjustment of the distance from the surface by feedback control and adjustment of the amount of processing solution flowing out from the liquid curtain forming means by feedback control can be performed, reducing the processing time as compared with adjustment using only feedback control. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る表面処理終点検出装置を備えた表
面処理装置の一つであるエッチング装置の概略全体構成
図である。
FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram of an etching apparatus which is one of surface treatment apparatuses provided with a surface treatment end point detection apparatus according to the present invention.

【図2】計測ヘッドや第1、第2の光源部、液カーテン
制御部の詳細構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of a measurement head, first and second light source units, and a liquid curtain control unit.

【図3】昇降駆動機構の概略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a lifting drive mechanism.

【図4】液カーテン制御部による調節処理を示すフロー
チャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating an adjustment process performed by a liquid curtain control unit.

【図5】同じく、液カーテン制御部による調節処理を示
すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an adjustment process by the liquid curtain control unit.

【図6】同じく、液カーテン制御部による調節処理を示
すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing an adjustment process by the liquid curtain control unit.

【図7】同じく、液カーテン制御部による調節処理を示
すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing an adjustment process by the liquid curtain control unit.

【図8】エッチング処理中の計測光束のスポットが変位
する軌跡を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a locus of displacement of a spot of a measurement light beam during an etching process.

【図9】表面層が形成されている基板の水平方向の往復
移動の1周期分の収集データから気泡光量変化の個数を
求める方法を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of calculating the number of changes in the amount of bubble light from collected data for one cycle of a horizontal reciprocal movement of a substrate on which a surface layer is formed.

【図10】表面層が形成されていないテスト基板の水平
方向の往復移動の1周期分の収集データから気泡光量変
化の個数を求める方法を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a method of calculating the number of changes in the amount of bubble light from collected data for one cycle of a horizontal reciprocation of a test substrate on which a surface layer is not formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 … 計測ヘッド 11 … 第1の光源部 12 … 第2の光源部 14 … 終点検出部 15 … 液カーテン制御部 17 … 計測窓 18 … 計測領域 20 … モニタ光学系 30 … 間隔検出光学系 40 … 昇降駆動機構 50 … 液カーテン形成機構 53 … 流量調節弁 S … 基板 SS … 気泡光量変化 Reference Signs List 10 measuring head 11 first light source unit 12 second light source unit 14 end point detecting unit 15 liquid curtain control unit 17 measuring window 18 measuring region 20 monitor optical system 30 interval detecting optical system 40 Elevating drive mechanism 50 Liquid curtain forming mechanism 53 Flow rate control valve S Substrate SS Bubble light quantity change

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/66 H01L 21/306 E (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 H01L 21/306 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 21/66 H01L 21/306 E (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01B 11/00 H01L 21 / 306

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板表面に対向する計測窓を有し、前記
計測窓を介して前記基板表面へ計測光を照射し、前記計
測窓を介して前記計測光の前記基板表面からの反射光の
光量(反射光量)を計測する反射光量計測手段と、 前記反射光量計測手段で計測される反射光量の変化を解
析して前記基板表面に対する表面処理の終了時点を検出
する終点検出手段と、 前記計測窓と前記基板表面との間の計測領域に処理液を
満たして前記計測領域にその液のカーテンを形成する液
カーテン形成手段と、 を備え、前記基板表面に前記処理液を供給して前記基板
表面に形成されている除去対象の層を除去する表面処理
の際、前記計測領域に前記処理液のカーテンを形成して
前記表面処理の終了時点を検出する表面処理終点検出装
置において、 前記計測窓と前記基板表面とを接離させる接離手段と、 前記表面処理前の前記計測窓と前記基板表面との間隔を
含む処理条件を取り込む処理条件取込み手段と、 前記取り込まれた処理条件に基づき、前記計測窓と前記
基板表面との間隔を最適間隔にするように前記接離手段
を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする表面処理終点検出装置。
A measurement window facing the substrate surface, irradiating measurement light to the substrate surface through the measurement window, and measuring a reflected light of the measurement light from the substrate surface through the measurement window. Reflected light quantity measuring means for measuring the light quantity (reflected light quantity); end point detecting means for analyzing a change in the reflected light quantity measured by the reflected light quantity measuring means to detect the end time of the surface treatment on the substrate surface; Liquid curtain forming means for filling the measurement area between the window and the substrate surface with the processing liquid to form a curtain of the liquid in the measurement area, and supplying the processing liquid to the substrate surface to supply the processing liquid to the substrate. In a surface treatment end point detection device for forming a curtain of the treatment liquid in the measurement area and detecting an end point of the surface treatment during a surface treatment for removing a layer to be removed formed on the surface, the measurement window And said Contacting / separating means for bringing the substrate surface into and out of contact; processing condition capturing means for capturing processing conditions including an interval between the measurement window and the substrate surface before the surface processing; and measuring based on the captured processing conditions. Control means for controlling the contact / separation means so that the distance between the window and the surface of the substrate is set to an optimum distance.
【請求項2】 請求項1に記載の表面処理終点検出装置
において、 前記液カーテン形成手段からの処理液の液流出量を可変
に調節する液流出量調節手段をさらに備え、かつ、 前記制御手段は、前記計測窓と前記基板表面との間隔を
最適間隔にした後、さらに、前記計測領域内に存在する
気泡によって前記反射光量計測手段で計測される反射光
量に現れる光量変化(以下、「気泡光量変化」という)
を調べながら、その気泡光量変化が無くなるように前記
液流出量調節手段を制御して前記液カーテン形成手段か
らの処理液の液流出量をフィードバック制御により調節
することを特徴とする表面処理終点検出装置。
2. The surface treatment end point detecting device according to claim 1, further comprising a liquid outflow amount adjusting means for variably adjusting a liquid outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means, and the control means. After the distance between the measurement window and the substrate surface is set to an optimum distance, the light amount change (hereinafter, “bubble”) that appears in the reflected light amount measured by the reflected light amount measuring unit due to bubbles existing in the measurement area. Change in light intensity)
Surface treatment end point detection, characterized in that the liquid outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means is adjusted by feedback control by controlling the liquid outflow amount adjusting means so as to eliminate the change in the bubble light amount while checking apparatus.
【請求項3】 基板表面に対向する計測窓を有し、前記
計測窓を介して前記基板表面へ計測光を照射し、前記計
測窓を介して前記計測光の前記基板表面からの反射光の
光量(反射光量)を計測する反射光量計測手段と、 前記反射光量計測手段で計測される反射光量の変化を解
析して前記基板表面に対する表面処理の終了時点を検出
する終点検出手段と、 前記計測窓と前記基板表面との間の計測領域に処理液を
満たして前記計測領域にその液のカーテンを形成する液
カーテン形成手段と、 を備え、前記基板表面に前記処理液を供給して前記基板
表面に形成されている除去対象の層を除去する表面処理
の際、前記計測領域に前記処理液のカーテンを形成して
前記表面処理の終了時点を検出する表面処理終点検出装
置において、 前記計測窓と前記基板表面とを接離させる接離手段と、 前記計測領域内に存在する気泡によって前記反射光量計
測手段で計測される反射光量に現れる光量変化(以下、
「気泡光量変化」という)を調べながら、その気泡光量
変化が無くなるように前記接離手段を制御して前記計測
窓と前記基板表面との間隔をフィードバック制御により
調節する制御手段と、 を備えたことを特徴とする表面処理終点検出装置。
3. A measurement window facing the substrate surface, irradiating the substrate surface with measurement light through the measurement window, and measuring light reflected from the substrate surface through the measurement window. Reflected light quantity measuring means for measuring the light quantity (reflected light quantity); end point detecting means for analyzing a change in the reflected light quantity measured by the reflected light quantity measuring means to detect the end time of the surface treatment on the substrate surface; Liquid curtain forming means for filling the measurement area between the window and the substrate surface with the processing liquid to form a curtain of the liquid in the measurement area, and supplying the processing liquid to the substrate surface to supply the processing liquid to the substrate. In a surface treatment end point detection device for forming a curtain of the treatment liquid in the measurement area and detecting an end point of the surface treatment during a surface treatment for removing a layer to be removed formed on the surface, the measurement window And said And moving means for contacting and separating the sheet surface, the amount of light changes appearing in the reflected light amount measured by the reflected light amount measuring means by bubbles present in the measuring region (hereinafter,
Control means for controlling the contact / separation means so as to eliminate the change in the amount of air bubbles while checking the change in the amount of air bubbles, and adjusting the distance between the measurement window and the substrate surface by feedback control. A surface treatment end point detecting device, characterized in that:
【請求項4】 請求項3に記載の表面処理終点検出装置
において、 前記液カーテン形成手段からの処理液の液流出量を可変
に調節する液流出量調節手段をさらに備え、かつ、 前記制御手段は、前記気泡光量変化を調べながら、その
気泡光量変化が無くなるように、前記計測窓と前記基板
表面との間隔のフィードバック制御による調節と、前記
液カーテン形成手段からの処理液の液流出量のフィード
バック制御による調節とを行なうことを特徴とする表面
処理終点検出装置。
4. The surface treatment end point detecting device according to claim 3, further comprising a liquid outflow amount adjusting means for variably adjusting a liquid outflow amount of the processing liquid from the liquid curtain forming means, and the control means. While examining the change in the light amount of the bubbles, the distance between the measurement window and the substrate surface is adjusted by feedback control so as to eliminate the change in the light amount of the bubbles, and the amount of the outflow of the processing liquid from the liquid curtain forming means is adjusted. A surface treatment end point detection device, wherein the adjustment is performed by feedback control.
【請求項5】 請求項3または4のいずれかに記載の表
面処理終点検出装置において、 前記表面処理前の前記計測窓と前記基板表面との間隔を
含む処理条件を取り込む処理条件取込み手段をさらに備
え、かつ、 前記制御手段は、前記計測窓と前記基板表面との間隔の
フィードバック制御による調節、および、前記液カーテ
ン形成手段からの処理液の液流出量のフィードバック制
御による調節に先立って、前記取り込まれた処理条件に
基づき、前記計測窓と前記基板表面との間隔を最適間隔
にするように前記接離手段を制御することを特徴とする
表面処理終点検出装置。
5. The surface treatment end point detecting device according to claim 3, further comprising a processing condition capturing unit configured to capture processing conditions including an interval between the measurement window and the substrate surface before the surface processing. And the control means adjusts the distance between the measurement window and the substrate surface by feedback control, and prior to the adjustment by feedback control of the amount of the processing liquid flowing out of the liquid curtain forming means, A surface treatment end point detecting device, wherein the contact / separation means is controlled so that an interval between the measurement window and the substrate surface is set to an optimum interval based on the taken-in processing conditions.
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