JP3295124B2

JP3295124B2 - デバイス評価試験装置及びその方法

Info

Publication number: JP3295124B2
Application number: JP09063292A
Authority: JP
Inventors: 郁雄八重樫
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-02-21
Filing date: 1992-04-10
Publication date: 2002-06-24
Anticipated expiration: 2017-06-24
Also published as: JPH05299488A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、デバイス評価試験装置
及びその方法に係り、詳しくは、複数の物理量を変化さ
せて半導体集積回路等のデバイスを評価試験するデバイ
ス評価試験装置及びその方法に関する。近年、半導体デ
バイスに対する試験は、大別して、良否判定試験と評価
試験とに分類されている。

【０００２】良否判定試験は、決められた試験条件の下
で決められた規格を満たしているかどうかを判定するも
のであり、一方、評価試験は、デバイスの性能を評価す
るものである。そして、これらの評価に基づいて、良否
判定試験条件や規格が設定され、デバイスが不良になっ
た場合にはどの程度性能が不足しているかが評価され
る。

【０００３】このように、半導体デバイスメーカでは、
評価試験を日常的に行って製造部門へフィードバックす
ることにより高品質の維持に努めており、正確、かつ、
高速に評価試験を行う必要がある。

【０００４】

【従来の技術】従来のこの種のデバイス評価試験装置と
しては、例えば、図８に示すようなものがある。このデ
バイス評価試験装置は、２つの物理量Ｘ，Ｙの組で表さ
れる試験条件（Ｘｉ（ｉ＝１〜ｎ），Ｙｊ（ｊ＝１〜
ｍ））の各々の下で期待値が得られるかどうかの良否判
定試験、つまり、例えば、物理量Ｘは論理“１”の入力
電圧、物理量Ｙは論理“０”の入力電圧であるとする
と、これらの電圧でデバイスに入力パターンを与えたと
きに出力パターンが期待したパターンと一致するかどう
かといった良否判定試験を行うことで、そのデバイスの
性能を表す良否境界線Ｂを求めていた。

【０００５】すなわち、図８に示すように、Ｘ軸にｎ
個、Ｙ軸にｍ個の評価試験を行うための測定ポイントが
設けられると、ｎ×ｍ回の良否判定が行われることによ
り、良と判断された測定ポイントと、否と判断された測
定ポイントとの間に良否境界があるものと判断され、良
否境界線Ｂが求められる。図９は、この方法による評価
試験手順を示し、以下、括弧内の数値は図中のステップ
識別番号を表す。

【０００６】（９０）物理量Ｙに初期値Ｙ１を代入す
る。（９１）物理量Ｘに初期値Ｘ１を代入する。（９２）条件（Ｘ、Ｙ）の下でデバイスに対し試験を行
い、良否を判定する。（９３）物理量Ｘの値を△Ｘだけ増加させる。（９４）Ｘ≦Ｘｍであれば上記ステップ９２へ戻り、Ｘ
＞Ｘｍであれば次のステップ９５へ進む。

【０００７】（９５）物理量Ｙを△Ｙだけ増加させる。（９６）Ｙ≦Ｙｍであれば上記ステップ９１へ戻り、Ｙ
＞Ｙｍであれば処理を終了する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のデバイス評価試験装置にあっては、ｎ×ｍ個
の測定ポインタを設け、この測定ポイントに対して良否
判定を行うことで、良と判断された測定ポイントと、否
と判断された測定ポイントとの間に良否境界があるもの
と判断し、良否境界線を求めるという構成となっていた
ため、以下に述べるような問題点があった。

【０００９】すなわち、従来のデバイス評価試験では、
各測定ポイントの間隔が良否境界を求めるための精度
（分解能）を決定するものとなるため、詳細な実力を評
価したい場合、測定ポイントの間隔を小さくすると、測
定ポイント数が大幅に増加し、これに伴い良否判定回数
も増えるため、試験に要する時間が大幅に増大する。そ
こで、試験時間を短くするために測定ポイントの数を削
減すると、測定ポイントの間隔が大きくなるため、デバ
イスの正確な評価ができなくなる。

【００１０】つまり、測定精度と測定時間とは相反する
ものであり、さらに、各測定ポイント間における良否境
界線の微妙な動きをみることもできなかった。［目的］そこで本発明は、高速に、かつ、正確にデバイ
スを評価できるデバイス評価試験装置を提供することを
目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によるデバイス評
価試験装置は上記目的達成のため、その原理図を図１に
示すように、複数の物理量Ｘ，Ｙの各々を座標軸とする
座標系上の基点Ｃ、該基点から延びる放射線の数ｍ、及
び該基点を中心とする試験条件範囲Ｔを入力する手段
と、該基点から等角度間隔で延び、端点Ａｉが該試験条
件範囲の境界上に存在する放射線Ｌｉを該放射線数だけ
設定する手段とを有する放射線設定手段１と、与えられ
た条件の下でデバイスＤに対し良否判定試験を行う良否
判定試験手段２と、各該放射線Ｌｉについて、該基点Ｃ
と端点Ａｉとの間を初期区間とし、区間端点で表される
条件を前記良否判定試験手段に与えて良否判定試験を実
行させ、区間端点の一方で試験結果が良になり他方で否
となるとき、該区間の中点で表される条件を前記良否判
定試験手段に与えて良否判定試験を実行させ、該中点の
試験結果と反対の試験結果となる前記区間端点の一方と
前記中点を端点とする区間を新たな区間とし、該区間端
点で表される条件を前記良否判定試験手段に与えて良否
判定試験を実行させ、上記処理を繰り返して該放射線Ｌ
ｉ上の良否境界点Ｂｉを検出する良否境界点検出手段３
と、を備えるように構成している。

【００１２】

【００１３】また、本発明によるデバイス評価試験装置
は上記目的達成のため、複数の物理量Ｘ，Ｙの各々を座
標軸とする座標系上の基点Ｃから延びた複数の放射線Ｌ
ｉを設定する放射線設定手段１と、与えられた条件の下
でデバイスＤに対し良否判定試験を行う良否判定試験手
段２と、前記基点Ｃで表される条件を前記良否判定試験
手段に与えて該良否判定試験を実行させ、その判定結果
が否であれば前記全放射線Ｌｉ上で否とみなし、該判定
結果が良であれば各該放射線Ｌｉについて、該放射線Ｌ
ｉ上の端点Ａｉで表される条件を該良否判定試験手段に
与えて該良否判定試験を実行させ、その判定結果が良で
あれば該放射線Ｌｉ上の全点で良とみなし、該判定結果
が否であれば、該基点Ｃと該端点Ａｉとの間を初期区間
とし、該区間の中点で表される条件を前記良否判定試験
手段に与えて良否判定試験を実行させ、該中点の試験結
果と反対の試験結果となる前記区間端点の一方と前記中
点を端点とする区間を新たな区間とし、該区間端点で表
される条件を前記良否判定試験手段に与えて良否判定試
験を実行させ、上記処理を繰り返して該放射線Ｌｉ上の
良否境界点Ｂｉを検出する良否境界点検出手段と、を備
えるように構成している。

【００１４】さらに、前記複数の放射線Ｌｉ上の各良否
境界点Ｂｉからラグランジェの補間法に基づいて該各良
否境界点間を補間する補間手段を備えることが望まし
い。

【００１５】

【作用】本発明では、基点Ｃを標準的な点とすれば、通
常、各放射線Ｌｉについて基点Ｃと端点Ａｉとの間に１
つの良否境界点Ｂｉが存在するため、放射線Ｌｉ上のｎ
点で良否判定試験が行われることにより、初期区間
〔Ｃ，Ａｉ〕の１／２^n-2の精度で良否境界点Ｂｉが検
出され、全放射線についてｎ×ｍ回の良否判定試験が行
われることにより、良否境界線Ｂが求められ、さらに、
補間手段により各良否境界点Ｂｉ間が補間される。

【００１６】すなわち、良否判定試験回数が低減されつ
つ、正確に良否境界点が求められるので、高速に、か
つ、正確にデバイス評価がなされる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２〜４は本発明に係るデバイス評価試験装置の一実施例
を示す図であり、図２は本実施例のデバイス評価試験装
置のハードウエア構成を示すブロック図、図３，４は本
実施例のデバイス評価試験手順を示すフローチャートで
ある。

【００１８】まず、構成を説明する。本実施例のデバイ
ス評価試験装置は、大別して、デバイスＤ、試験装置１
０、コンピュータ１１、キーボート１２、評価ファイル
１３、表示装置１４から構成され、コンピュータ１１内
には、放射線設定手段１、良否判定試験手段２、良否境
界点検出手段３が設けられている。

【００１９】デバイスＤは、例えば、半導体集積回路で
あり、試験装置１０により、条件（Ｘ，Ｙ）の下で試験
される。例えば、物理量Ｘは論理“１”の入力電圧、物
理量Ｙは論理“０”の入力電圧であるとすると、試験装
置１０は、これらの電圧でデバイスＤに入力パターンを
与え、デバイスＤからの出力パターンを取得する。

【００２０】一方、コンピュータ１１は、キーボード１
２から入力されたデータに基づいて、後述するように、
試験条件（Ｘ，Ｙ）を決定し、これを試験装置１０に与
えて試験を実行させ、その試験結果を試験装置１０から
受け取り、図５に示すような良否境界線Ｂを求め、これ
をキーボード１１から入力された試験条件と共に評価フ
ァイル１３に格納し、かつ、表示装置１４に表示するも
のである。

【００２１】次に、図５を参照しつつ、図３に基づいて
デバイス評価試験手順を説明する。なお、従来例の説明
と同様に、括弧内の数値は図中のステップ識別番号を表
す。（３０）キーボード１２を操作して、図５に示すよう
に、Ｘ−Ｙ座標系上の基点Ｃ、基点Ｃを中心とする試験
条件範囲Ｔ、及び、基点Ｃから伸びる放射線Ｌｉの本数
ｍ（この場合、ｍ＝１６）を入力する。

【００２２】基点Ｃは、デバイスＤに対する標準的な試
験条件（Ｘ，Ｙ）であり、試験条件範囲Ｔは、例えば、
基点Ｃの座標を（Ｘ_C，Ｙ_C）としたとき、０．９Ｘ_C
〜１．１Ｘ_C、かつ、０．９Ｙ_C〜１．１Ｙ_Cなる範囲
である。（３１）入力された基点Ｃ、試験条件範囲Ｔ及び放射線
数ｍに基づいて、等角度間隔の放射線Ｌｉ（ｉ＝１〜
ｍ）の式を求め、放射線Ｌｉの端点Ａｉの座標を計算す
る。

【００２３】（３２）放射線識別変数ｉに初期値１を代
入する。（３３）放射線Ｌｉ上の条件の下でデバイスＤに対し良
否判定試験を行い、放射線Ｌｉ上の良否境界点Ｂｉを検
出する。（３４）ｉをインクリメントする。（３５）ｉ≦ｍであれば上記ステップ３３へ戻り、ｉ＞
ｍであれば処理を終了する。

【００２４】次に、上記ステップ３３の詳細を図６を参
照しつつ、図４に基づいて説明する。なお、図６では、
ｊ番目のＲをＲｊ、ｊ＝１〜７で表している。（４０）試験条件Ｒを放射線Ｌｉ上の基点Ｃとする。（４１）条件Ｒを試験装置１０に与えて試験を実行させ
る。

【００２５】（４２）試験結果を試験装置１０から受け
取り、期待値と比較してその良否を判定する。（４３）判定結果が否の場合には、全放射線Ｌ１〜Ｌｍ
上の全点が否であると記憶し、処理を終了する。この場
合、例えばｉ＝ｍとして図３のステップ３５でｉ＞ｍと
判定させる。

【００２６】（４４）判定結果が良の場合には、試験条
件Ｒを放射線Ｌｉ上の端点Ａｉとする。（４５）試験条件Ｒを試験装置１０に与えて試験を実行
させる。（４６）試験結果を試験装置１０から受け取り、期待値
と比較してその良否を判定する。

【００２７】（４７）判定結果が良の場合には、放射線
Ｌｉ上の全点が良であると記憶し、処理を終了する。（４８）判定結果が否の場合には、放射線Ｌｉ上におい
て、良否境界点Ｂｉが存在する区間を［Ｐ，Ｑ］とし、
この区間の中点をＲとする。そして、Ｐ、Ｑ及びＲにそれぞれ初期値として基点Ｃ、
端点Ａｉ及び中点（Ｐ＋Ｑ）／２を代入する。

【００２８】また、放射線Ｌｉ上での良否判定試験がｊ
回目であることを表す変数ｉに３を代入する。（４９）条件Ｒを試験装置１０に与えて試験を実行させ
る。（５０）試験結果を試験装置１０から受け取り、期待値
と比較してその良否を判定する。

【００２９】（５１）判定結果が良の場合には、ＰにＲ
を代入して区間端点を更新する。（５２）判定結果が否の場合には、ＱにＲを代入して区
間端点を更新する。（５３）Ｒに（Ｒ＋Ｑ）／２を代入して区間中点を更新
し、また、ｊをインクリメントする。（５４）ｊ≦ｎであれば上記ステップ４９へ戻り、ｊ＞
ｎであれば次のステップ５５へ進む。

【００３０】（５５）良否境界点ＢｉにＲを代入してこ
れを記憶し、処理を終了する。図５は、このようにして検出した放射線Ｌｉ上の良否境
界点Ｂｉ、ｉ＝１〜１６、及び、隣合う良否境界点Ｂｉ
間を直線で結んで得られる良否境界点Ｂを示している。
すなわち、例えば、試験装置１０の測定精度が１０ｍ
Ｖ、放射線Ｌｉの長さが６００ｍＶの場合、ｎ＝８とす
ると、（８Ｒ−Ｒ７）＝６００／２⁶＝９．４ｍＶとな
り、充分な精度で良否境界点Ｂｉを検出することができ
る。

【００３１】また、ｍ＝１６とすると、良否境界線Ｂを
得るのに全部で８×１６＝１２８回良否判定試験を行え
ばよいこととなり、図８に示す従来法により本実施例と
同一精度で良否境界線Ｂを得ようとすると、必要な良否
判定試験回数は、（６００×２／１０）²＝１４，４０
０となり、本実施例によれば評価試験所要時間を従来の
１／１１２に短縮することができる。

【００３２】一方、良否判定試験回数を従来と同じにす
ると、良否境界線Ｂの検出精度は従来の（６００×２／
１２８^1/2）／１０＝１０．６倍となる。このように、
本実施例では、従来よりも少ない良否判定試験回数で放
射線Ｌｉ上の良否境界点Ｂｉを正確に検出することがで
きる。

【００３３】図７は本発明に係るデバイス評価試験装置
の他の実施例を示す図であり、図７は本実施例の動作例
を説明するための図である。本実施例は、コンピュータ
１１内に、前述の一実施例に追加して補間手段４を設け
たものである。補間手段４は、前述のデバイス評価試験
手順により求められた複数の放射線Ｌｉにおける各良否
境界点Ｂｉの値に基づいて各良否境界点Ｂｉ間の補間を
行うものであり、具体的には、ラグランジェの補間法に
基づいて補間が行われる。

【００３４】すなわち、実数値ｘ₀，ｘ₁，・・・，ｘ
_nと、この実数値に対する関数値ｆ（ｘ₀），ｆ
（ｘ₁），・・・，ｆ（ｘ_n）が与えられたとき、この
ｎ＋１個の点を通るｎ次多項式は、

【００３５】

【数１】

【００３６】となる。ここで、

【００３７】

【数２】

【００３８】で一意に与えられる。この場合のＰ（ｘ）
をラグランジェの補間多項式、Ｌ_k（ｘ）をラグランジ
ェの補間係数という。ここで、良否境界点として、図７
（ａ）に示すような点Ｃ₁〜Ｃ₄が得られた場合を例に
採り、実際の補間演算を説明する。

【００３９】なお、点Ｃ₁〜Ｃ₄におけるＸ座標、及
び、Ｙ座標の値は表１に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】すなわち、この場合の補間係数は、

【００４２】

【数３】

【００４３】

【数４】

【００４４】

【数５】

【００４５】

【数６】

【００４６】

【数７】

【００４７】ここで、Ｃ₃とＣ₄との中間点Ｃ₃ ^'を求め
てみると、

【００４８】

【数８】

【００４９】Ｐ（２２．５）＝０．３８２６８６が得ら
れる。以上の処理を繰り返すことにより、点Ｃ₁ ^'〜Ｃ₄ ^'
・・・が求められ、図７（ｂ）に示すように、点Ｃ₁〜
Ｃ₄の間が補間される。したがって、本実施例では、前
述の実施例では放射線Ｌｉの数を増やさなければ不可能
であった各測定ポイント間における良否境界線Ｂの微妙
な動きをもみることができ、より正確にデバイスの評価
が行える。

【００５０】なお、上記実施例では、試験条件（Ｘ，
Ｙ）が二次元である場合を説明したが、本発明は三次元
以上の試験条件に対しても同様に適用できる。この場
合、三次元の試験条件としては、例えば、（ｔ，Ｖ_CC,
Ｖ_IH）が挙げられる。なお、ｔは入力信号間のずれ時
間、Ｖ_CCは電源電圧、Ｖ_IHは論理“１”の入力電圧を示
す。また、放射線Ｌｉは直線に限らず、曲線であっても
構わない。

【００５１】

【発明の効果】本発明では、少ない良否判定試験回数で
各放射線における良否境界点を求めることができるた
め、良否判定試験回数を低減でき、また、良否境界点は
測定ポイントの間隔に影響されない正確な値を得ること
ができる。さらに、補間手段によって各良否境界点間を
補間することにより、より正確な良否境界線を求めるこ
とができる。

【００５２】したがって、良否判定試験回数を低減で
き、正確に良否境界線を求めることができるため、高速
に、かつ、正確にデバイス評価を行うことができ、試験
コストの低減、及び、デバイスの品質維持に寄与するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るデバイス評価試験装置の原理構成
を示す図である。

【図２】本実施例のデバイス評価試験装置のハードウエ
ア構成を示すブロック図である。

【図３】本実施例のデバイス評価試験手順を示すフロー
チャートである。

【図４】本実施例のデバイス評価試験手順を示すフロー
チャートである。

【図５】本実施例の評価試験方法を説明するための図で
ある。

【図６】バイナリサーチ法による良否境界点Ｂｉの検出
を説明するための図である。

【図７】他の実施例の動作例を説明するための図であ
る。

【図８】従来の評価試験方法説明図である。

【図９】従来の評価試験手順を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

１放射線設定手段２良否判定試験手段３良否境界点検出手段４補間手段１０試験装置１１コンピュータ１２キーボート１３評価ファイル１４表示装置ＤデバイスＸ，Ｙ物理量Ｃ基点Ｔ試験条件範囲Ｌ１〜Ｌｍ放射線Ａ１〜Ａｍ端点Ｂ１〜Ｂｍ良否境界点Ｂ良否境界線

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の物理量（Ｘ，Ｙ）の各々を座標軸と
する座標系上の基点（Ｃ）、該基点から延びる放射線の
数（ｍ）、及び該基点を中心とする試験条件範囲（Ｔ）
を入力する手段と、該基点から等角度間隔で延び、端点
（Ａｉ）が該試験条件範囲の境界上に存在する放射線
（Ｌｉ）を該放射線数だけ設定する手段とを有する放射
線設定手段（１）と、与えられた条件の下でデバイス（Ｄ）に対し良否判定試
験を行う良否判定試験手段（２）と、各該放射線（Ｌｉ）について、該基点（Ｃ）と端点（Ａ
ｉ）との間を初期区間とし、区間端点で表される条件を
前記良否判定試験手段に与えて良否判定試験を実行さ
せ、区間端点の一方で試験結果が良になり他方で否とな
るとき、該区間の中点で表される条件を前記良否判定試
験手段に与えて良否判定試験を実行させ、該中点の試験
結果と反対の試験結果となる前記区間端点の一方と前記
中点を端点とする区間を新たな区間とし、該区間端点で
表される条件を前記良否判定試験手段に与えて良否判定
試験を実行させ、上記処理を繰り返して該放射線（Ｌ
ｉ）上の良否境界点（Ｂｉ）を検出する良否境界点検出
手段（３）と、を備えることを特徴とするデバイス評価試験装置。
【請求項２】複数の物理量（Ｘ，Ｙ）の各々を座標軸と
する座標系上の基点（Ｃ）から延びた複数の放射線（Ｌ
ｉ）を設定する放射線設定手段（１）と、与えられた条件の下でデバイス（Ｄ）に対し良否判定試
験を行う良否判定試験手段（２）と、前記基点（Ｃ）で表される条件を前記良否判定試験手段
に与えて該良否判定試験を実行させ、その判定結果が否
であれば前記全放射線（Ｌｉ）上で否とみなし、該判定
結果が良であれば各該放射線（Ｌｉ）について、該放射
線（Ｌｉ）上の端点（Ａｉ）で表される条件を該良否判
定試験手段に与えて該良否判定試験を実行させ、その判
定結果が良であれば該放射線（Ｌｉ）上の全点で良とみ
なし、該判定結果が否であれば、該基点（Ｃ）と該端点
（Ａｉ）との間を初期区間とし、該区間の中点で表され
る条件を前記良否判定試験手段に与えて良否判定試験を
実行させ、該中点の試験結果と反対の試験結果となる前
記区間端点の一方と前記中点を端点とする区間を新たな
区間とし、該区間端点で表される条件を前記良否判定試
験手段に与えて良否判定試験を実行させ、上記処理を繰
り返して該放射線（Ｌｉ）上の良否境界点（Ｂｉ）を検
出する良否境界点検出手段と、を備えることを特徴とするデバイス評価試験装置。
【請求項３】前記複数の放射線（Ｌｉ）上の各良否境界
点（Ｂｉ）からラグランジェの補間法に基づいて該各良
否境界点間を補間する補間手段を備えることを特徴とす
る請求項１に記載のデバイス評価試験装置。
【請求項４】複数の物理量（Ｘ，Ｙ）の各々を座標軸と
する座標系上の基点（Ｃ）、該基点から延びる放射線の
数（ｍ）、及び該基点を中心とする試験条件範囲（Ｔ）
を入力する工程と、該基点から等角度間隔で延び、端点（Ａｉ）が該試験条
件範囲の境界上に存在する放射線（Ｌｉ）を該放射線数
だけ設定する工程と、各該放射線（Ｌｉ）について、該基点（Ｃ）と端点（Ａ
ｉ）との間を初期区間とし、区間端点で表される条件で
デバイス（Ｄ）に対し良否判定試験を行い、区間端点の
一方で試験結果が良になり他方で否となるとき、該区間
の中点で表される条件でデバイス（Ｄ）に対し良否判定
試験を実行し、該中点の試験結果と反対の試験結果とな
る前記区間端点の一方と前記中点を端点とする区間を新
たな区間とし、該区間端点で表される条件でデバイス
（Ｄ）に対し良否判定試験を実行し、この処理を繰り返
して該放射線（Ｌｉ）上の良否境界点（Ｂｉ）を検出す
る工程と、を備えたことを特徴とするデバイス評価試験方法。
【請求項５】複数の物理量（Ｘ，Ｙ）の各々を座標軸と
する座標系上の基点（Ｃ）から延びた複数の放射線（Ｌ
ｉ）を設定する工程と、前記基点（Ｃ）で表される条件を前記良否判定試験手段
に与えて該良否判定試験を実行させ、その判定結果が否
であれば前記全放射線（Ｌｉ）上で否とみなす工程と、該判定結果が良であれば各該放射線（Ｌｉ）について、
該放射線（Ｌｉ）上の端点（Ａｉ）で表される条件を該
良否判定試験手段に与えて該良否判定試験を実行させ、
その判定結果が良であれば該放射線（Ｌｉ）上の全点で
良とみなし、該判定結果が否であれば、該基点（Ｃ）と
該端点（Ａｉ）との間を初期区間とし、該区間の中点で
表される条件を前記良否判定試験手段に与えて良否判定
試験を実行させ、該中点の試験結果と反対の試験結果と
なる前記区間端点の一方と前記中点を端点とする区間を
新たな区間とし、該区間端点で表される条件を前記良否
判定試験手段に与えて良否判定試験を実行させ、この処
理を繰り返して該放射線（Ｌｉ）上の良否境界点（Ｂ
ｉ）を検出する工程と、を備えたことを特徴とするデバイス評価試験方法。