JP3287250B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法およびＴＡＢテープに関し、ＴＡＢテープを使用し
た半導体装置の製造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、配線基板として薄いテープを使用
するＴａｐｅ−ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）が開発されている。

【０００３】図８は、Ｔａｐｅ−ＢＧＡの断面図であ
る。このＴａｐｅ−ＢＧＡでは、５０μｍ程度の厚さの
ポリイミドフィルム６に、２５μｍ程度の厚さの銅箔を
張り合わせたものを使用している。銅箔にケミカルエッ
チングなどで配線を形成し、且つ半導体素子１と接続す
るためのインナリード８を形成させる。一般に、このよ
うな技術はＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）テープ形成技術と呼ばれているものであ
る。インナリード８に半導体素子１を搭載後、半導体素
子１の周囲とインナリード８との間に封止樹脂３で封止
している。そして、次にポリイミドフィルム６は薄いた
め、そのままでは強度的に弱い。そこで、強度を持たせ
るためポリイミドフィルム６の上面にスティフナ７を張
り合わせている。最後に、ボール端子５をインナリード
８の下面に取り付けている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような構成によっ
て、配線基板が薄くなって小型化されるが、ポリイミド
樹脂の吸水性が高い（通常、飽和吸水率は３％であり、
プラスチックの中では非常に高い部類に属する。）ため
に、ボール端子５の取り付けおよびスティフナ７張り付
けのための加熱工程で、ポリイミドフィルム６と封止樹
脂３との界面が容易に剥離する。

【０００５】また、封止樹脂３の吸湿が高い場合には、
封止樹脂にもクラックがはいる。スティフナ７は、薄い
ポリイミド樹脂を補強するために、封止完了後ボール端
子５の取り付け加工前に、エポキシ系の接着剤で張り付
けられているが、ポリイミド中に吸収水分が残存してい
る場合、接着剤とスティフナ７間でボール端子５の形成
リフロー時に剥離する。

【０００６】このため、半導体素子１を組み込み後に、
半田のボール端子を２３０℃から２５０℃の加熱リフロ
ー炉によって取り付ける場合には、充分な乾燥（相対湿
度１０％で２４時間以上：通常除湿乾燥および除湿梱包
と呼ばれ、乾燥後も乾燥窒素を充填して保管される。）
を行ってからボール端子５を取り付けていた。これによ
って、充分な乾燥に時間が掛かっていた。

【０００７】このようなことから、半導体素子に熱スト
レスを与えず、ポリイミドフィルムと封止樹脂との界面
が剥離せず、封止樹脂にクラックを生じさせず、複雑な
工程を採らなくても簡単な構成で比較的に容易に製造す
ることができる半導体装置の製造方法およびＴＡＢテー
プの実現が要請されている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明の半導体
装置の製造方法は、ポリイミドフィルムに銅箔を張り合
わせて配線を形成し、半導体素子と接続するためのイン
ナリードを形成したＴＡＢテープに、半導体素子と、テ
ープ補強用のスティフナと、ボール端子とを取り付け、
樹脂封止して半導体装置を製造する製造方法において、
半導体素子を取り付ける前に、スティフナと、ボール端
子とを取り付ける。すなわち、ＴＡＢテープにスティフ
ナを張り付け、半田ボール端子をフラックスを用いて搭
載し、リフロー炉に通してランドに接続することで、半
田ボール端子を取り付け、その後、インナリードとボー
ル端子形成ランドの洗浄と洗浄後の乾燥を行い、その後
に半導体素子を取り付ける（請求項１）。これによっ
て、スティフナの取り付けや、ボール端子の取り付けを
行うための加熱処理において、熱に半導体素子がさらさ
れることがなくなるので、半導体素子に熱ストレスを与
えることがなく、しかも半導体素子を封止するための樹
脂に熱を与えることがないので、封止樹脂の界面剥離や
クラックが発生することがなくなる。

【０００９】この請求項１の発明においては、半田ボー
ル端子をフラックスを用いて搭載し、リフロー炉に通し
てランドに接続することで、半田ボール端子を取り付
け、その後、インナリードとボール端子形成ランドの洗
浄と洗浄後の乾燥を行うため、汚染の点を心配すること
なしに、フラックスを使用して、半導体素子を取り付け
る前にボール端子を取り付けることができる。この効果
が得られる点は、次に述べる請求項２、３の発明につい
ても共通する。

【００１０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
ポリイミドフィルムに銅箔を張り合わせて配線を形成
し、半導体素子と接続するためのインナリードを形成し
たＴＡＢテープに、半導体素子と、テープ補強用のステ
ィフナと、ボール端子とを取り付け、樹脂封止して半導
体装置を製造する製造方法において、ＴＡＢテープにス
ティフナを接着剤で張り付け、その接着剤を硬化させ且
つポリイミドフィルム中の水分を乾燥させた後、一括巻
取りにより送出し機から半田ボール端子搭載機を通って
リフロー炉を経由して巻取り機に導く工程により、ＴＡ
Ｂテープに半田ボール端子をフラックスを用いて搭載
し、リフロー炉に通してランドに接続することで、半田
ボール端子を取り付け、その後、インナリードとボール
端子形成ランドの洗浄と洗浄後の乾燥を行い、その後に
半導体素子を取り付ける（請求項２）。

【００１１】この請求項２の発明においては、ＴＡＢテ
ープにスティフナを接着剤で張り付けた後、その接着剤
を硬化させ且つポリイミドフィルム中の水分を乾燥させ
てから、一括巻取りにより送出し機から半田ボール端子
搭載機を通ってリフロー炉を経由して巻取り機に導く工
程へと移行させているので、スティフナとポリイミドフ
ィルとの間の剥離をより完全に生じさせずに、ＴＡＢテ
ープに半田ボール端子を連続的に取り付けることができ
る。

【００１２】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、ポリイミドフィルムに銅箔を張り合わせて配線を形
成し、半導体素子と接続するためのインナリードを形成
したＴＡＢテープに、半導体素子と、テープ補強用のス
ティフナと、ボール端子とを取り付け、樹脂封止して半
導体装置を製造する方法において、半導体素子を取り付
ける前にボール端子を取り付け、半導体素子を取り付け
た後にスティフナを取り付ける。すなわち、半田ボール
端子をフラックスを用いて搭載し、リフロー炉に通して
ランドに接続することで、半田ボール端子を取り付け、
その後、インナリ ードとボール端子形成ランドの洗浄と
洗浄後の乾燥を行い、その後、半導体素子を取り付け、
その後にスティフナを接着剤で張り付ける（請求項
３）。これによって、ボール端子を加熱処理で取り付け
るときの熱が半導体素子や封止樹脂を損傷することがな
く、品質が向上し、半導体素子搭載後にスティフナを加
熱処理で取り付けても熱ストレスの影響が従来に比べ軽
減される。

【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
ボール端子を取り付ける代わりに、配線パターンを形成
するための金属箔を突起加工穴を通して部分的に突出し
て突起端子を形成する（請求項５）。これによって、加
熱処理を施す必要がないので、製造工程が非常に簡単に
なる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施の形態を
図面を用いて説明する。本実施の形態においては、半田
のボール端子や、スティフナなどを半導体素子の搭載前
のＴＡＢテープに取り付けておく。このようにすること
で、一切のパッケージクラックの発生と界面剥離の問題
を解決する。従来この考え方は、あとの組立工程でボー
ル端子が汚染されることを懸念して実行されなかった。
しかしながら、半導体素子の組立条件を最適化すること
によって解決することができる。

【００１５】たとえば、図２において、リードフレーム
９では、金型などのパンチング抜き加工でインナリード
１３とアウタリード１２とが予め形成されており、アウ
タリード１２は、ＢＧＡのボールに相当し、インナリー
ド１３はＢＧＡの配線基板に相当することをあげること
ができる。ただし、ＢＧＡの場合、半田のボール端子を
先に付けておくためには、下記の配慮が必要である。

【００１６】（１）ボール端子形成時のリフローでＴＡ
Ｂテープの金めっきを汚染させない工夫が必要である。
ＴＡＢテープのインナリードには半導体素子の金バンプ
と接続するために０．５μｍ程度の厚さのニッケルめっ
き下地の上に、金めっきが１．０μｍ程度の厚さで施さ
れている。これが、事前のボール端子の形成の加熱工程
で汚染されると、半導体素子側の金のバンプとの接続で
障害が起こる。

【００１７】この問題に対しては、ボール端子の搭載に
使用したフラックスの洗浄工程で、フラックスの蒸気で
汚染されためっきを完全にクリーン化できることが判明
した。すなわち、フラックスの中に包含されている成分
は、ロジン、高級アルコール、ワックス、石油系溶剤、
パラフィン系炭化水素、界面活性剤、アミン系キレート
活性剤および微量の塩素化合物である。したがって、発
生蒸気は、幾分腐食性であり、また有機揮発成分を含む
ので、金めっき面を汚染させる。しかし、上記洗浄にお
いて、使用したフラックスに応じて充分洗浄できる水系
或いは溶剤系の洗浄剤を選定することによって汚染膜は
除去されることが判明した。

【００１８】（２）Ｔａｐｅ−ＢＧＡにおけるギャング
ボンディング（一括ボンディングと呼ばれ、数百本のリ
ードを５００℃の温度のツールによって、５秒程度の時
間で半導体素子の金めっきバンプ（２０μｍ程度の厚さ
の金めっきを施した突起）と接続する技術の工程では、
接続ツールは実際には半田ボールに接触しないので問題
は発生しない。また、めっき面は上述のように洗浄され
ているためボンディング性の低下もない。

【００１９】（３）ギャングボンディング後の封止にお
けるボール端子の溶融に配慮する必要がある。この問題
は、通常のエポキシ系の封止樹脂は１５０℃で硬化させ
るため、全く問題はない。

【００２０】そこで、本実施の形態の要点は、Ｔａｐｅ
−ＢＧＡのアッセンブル前のＴＡＢテープにボール端子
およびスティフナを取り付けておくことである。また、
どちらか一方を予め取り付けておき、残りの他方を半導
体素子搭載後に取り付けることもできる。

【００２１】「第１の実施の形態」： 図３は、ボール端子およびスティフナ付きＴａｐｅ−Ｂ
ＧＡ用のＴＡＢテープの平面図である。この図３におい
て、４００ピンのボール端子およびスティフナ付きＴａ
ｐｅ−ＢＧＡ用のＴＡＢテープ１５を次のような方法で
製造した。図４は、図３のＴＡＢテープ１５の拡大図で
ある。図１は、図４のＴＡＢテープの断面図である。

【００２２】先ず、３５mm幅の厚さ０．０７mmのポリイ
ミドフィルムを用意し、この表面にエポキシ系の接着剤
を０．０１mmの厚さに塗布してから半導体素子組み込み
用のデバイスホール１７と、両端の送り穴１６とをパン
チング金型によって形成し、その後厚さ０．０３５mmの
銅箔を、送り穴１６を除く全面に接着した。

【００２３】この後、ホトケミカルエッチングによって
配線パターンとボール形成用のランドおよび半導体素子
接続用のインナリード８を形成し、エポキシ系のソルダ
ーレジストをインナリード８とボール端子形成用のラン
ドを除く全面に印刷してから、０．５μｍの厚さのニッ
ケルめっき下地の上に１．０μｍの厚さの金めっきを施
した。

【００２４】この後、ＴＡＢテープ１５に対して、１．
０mm厚さの銅の金属板を窓枠状に加工したスティフナ７
を、エポキシ系の接着剤で張り付け加工した。張り付け
条件は、１６０℃の温度で３秒間、２０ＫＧ／ＣＭ²の
圧力を加えて行った。この時点では、半導体素子が接続
されていないため十分な熱と圧力とをかけることがで
き、製造における注意をそれほど要しない。

【００２５】また、銅製のスティフナ７には、張り付け
加工前に防錆のためのニッケルめっきを２μｍの厚さだ
け施した。張り付け加工の後、エポキシ系の接着剤を硬
化させるために、１５０℃の温度で５時間保持した。こ
の間にポリイミド樹脂中に含まれる水分も十分に乾燥さ
せた。これは、次のボール端子形成工程でのスティフナ
７の剥離を防ぐためである。

【００２６】この後、０．６mmφのＳｎ−３７Ｐｂ重量
％の共晶半田ボール端子を、低腐食性のロジン系ＲＭＡ
フラックス（塩素含有量０．３％）を用いて搭載してか
ら、（ボール端子を整列させた後にボール端子を置く前
にボール端子の片面搭載側にフラックスを付ける）２３
０℃のリフロー炉を５分間通してボール端子５をＴＡＢ
テープ１５のランドに接続した。ランドには、金めっき
がされており、半田との漏れ性は非常に良い。

【００２７】この半田ボール形成後、ボール端子形成に
使用したフラックスを洗浄した。洗浄には、ノニオン、
アニオン両性の界面活性剤添加の水系の洗浄剤を用い
た。この洗浄は、上述のようにフラックスから発生する
蒸発成分による汚染の除去が目的である。特に、インナ
リード８の金めっきとボール端子形成ランドの洗浄が目
的である。この洗浄は、常温で超音波を付加しながら３
０分間行った。洗浄は全て巻取り方式で行われ、洗浄後
の乾燥も同時に連結された乾燥炉を通して行われる。乾
燥時間は１２０℃で３０分間である。

【００２８】図１に示すように、ＴＡＢテープ１５に
は、既にボール端子５が半導体素子接続前に形成され
て、且つ洗浄が完了している。本実施の形態において
は、ボール端子５として、Ｓｎ−３７Ｐｂ重量％の共晶
半田ボール端子を用いた。

【００２９】このボール端子取り付けの製造方法は、図
５に示すように、送出し機１８から半田ボール端子搭載
機２１を通ってリフロー炉２０を経由して巻取り機１９
に導かれる工程から構成されている。このようにしてＴ
ＡＢテープ１５では、連続的にボール端子を搭載できる
ことが特徴である。

【００３０】半導体素子を接続してしまった場合には、
上述のパッケージのクラックおよび界面剥離などの点か
ら、除湿管理を行う必要があり、このような一括巻取り
によるボール端子形成は困難である。図１に示すよう
に、ＴＡＢテープ１５にはスティフナ７が、エポキシ接
着剤によって前もって張り付けられている。しかし、こ
のスティフナ７とポリイミドフィルム６とのあいだの剥
離は起こらなかった。

【００３１】この理由は、ポリイミドフィルム６が十分
に乾燥されているためである。パッケージ完成後に一つ
一つ個辺切断後に、自動張付機でスティフナ７を張り付
ける従来の方法では、相対湿度１０％の雰囲気から解放
して、接着剤でスティフナ７を張付け加工している段階
で、ポリイミドフィルム６の吸水が起こるが、本実施の
形態では、長尺のＴＡＢテープ１５にスティフナ７張り
付け後の接着剤の硬化加熱工程で乾燥でき、またＴＡＢ
テープ１５は連続的にボール端子５を形成するためにリ
フロー炉に送られるため、再度水分が吸収されることが
ない。

【００３２】従来の技術でも半導体素子を搭載して封止
を行った後に個辺切断しないで、長尺でボール端子を形
成することは可能である。しかし、リフロー炉のトラブ
ルおよびボール端子搭載機２１の停止などでマシン全体
が停止した場合、既に半導体素子が接続されている場合
には、半導体素子が長時間加熱されるため、機能不良発
生の問題が起きる。

【００３３】このようにして製造したボール端子付きＴ
ＡＢテープ１５に半導体素子をギャングボンディング方
式で接続した。ツールの温度は５００℃、時間は５秒で
あるが熱は直接ボールに伝わらないためボールの溶融は
起こらなかった。また、この後液状エポキシ樹脂で半導
体素子の部分を封止した。封止樹脂の温度は１２０℃、
時間は６０分である。このためボール端子の溶融の問題
は起こらなかった。

【００３４】「第２の実施の形態」： 本第２の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
てボール端子を取り付けた代わりに、ＴＡＢテープ１５
の銅箔を下側に押し出し加工して突起端子２５を形成さ
せた。その構造を図６に示す。図６の突起端子２５の拡
大を図７に示す。

【００３５】銅箔２３をソルダーレジスト２４の側に突
起加工穴２２を通して突起形状加工する。このことによ
って、ボール端子形成時のような加熱工程を必要としな
いため工程が非常に単純化される。突起端子２５は、金
型パンチングツールを用いて連続的に行うことができ
る。

【００３６】「第３の実施の形態」： 本第３の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、半田のボール端子の代わりに銅の金属球を用いた。
銅の金属球の取り付けには、共晶ペーストを印刷してか
ら、その上に金属球を搭載して同様にリフロー炉を通し
た。

【００３７】「第４の実施の形態」： 本第４の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、スティフナ７として、３１６のステンレス箔を使用
した。この場合めっき加工が不要となる特徴がある。

【００３８】「第５の実施の形態」： 本第５の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、スティフナ７にアルミ箔を用いた。上述の第４の実
施の形態と同様にめっき加工が不要となる。

【００３９】「第６の実施の形態」： 本第６の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、共晶半田ボール端子の代わりにＰｂ−１０重量％Ｓ
ｎの高温半田ボール端子を用いた。ボール端子の接続に
は、Ｐｂ−１０重量％のフラックス含有の半田ペースト
をテープのボール端子搭載ランドにメタルマスクを用い
て部分印刷してからボール端子を搭載し、これを２６０
℃の温度に保持されたリフロー炉を通した。ボール端子
は、フラックスと半田ペーストの作用で銅配線ランドに
接続された。

【００４０】「第７の実施の形態」： 本第７の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、半田のボール端子にＳｎ−３．５重量％Ａｇの高温
半田球を使用した。この高温半田球は、固相線２５℃の
耐熱性を持っている。ボール端子の接続には、Ｓｎ−
３．５重量％Ａｇのフラックス含有の半田ペーストをＴ
ＡＢテープ１５のボール端子搭載ランドにメタルマスク
を用いて部分印刷してからボール端子を搭載し、これを
２６０℃の温度に保持されたリフロー炉を通した。ボー
ル端子は、フラックスと半田ペーストとの作用で銅配線
ランドに接続された。

【００４１】「第８の実施の形態」： 本第８の実施の形態は、上述の第１の実施の形態におい
て、スティフナ７にガラスエポキシ基板（ＦＲ−４）を
使用する。このスティフナ７は、同様に金型で抜き加工
して製作することができる。

【００４２】「第９の実施の形態」： 本第９の実施の形態は、上述の第６の実施の形態の構成
において、ポリイミド樹脂の球体に蒸着によって銅の薄
膜を５００オングストロームの厚さに形成した後、電気
銅めっきを１０μｍのめっきし、さらにＳｎ／Ｐｂ共晶
半田めっきを１０μｍ施したボール端子を使用した。ポ
リイミド樹脂は、３００℃の耐熱性を持っているために
十分に組立工程の加熱条件に耐える他、表面に半田めっ
きをしているためにＴＡＢテープへ実装するときの半田
接続性にも優れている。

【００４３】「第１０の実施の形態」：本第１０の実施の形態は、 上述の第１の実施の形態の構
成において、半導体素子搭載前に、スティフナ７を取り
付けずに、ボール端子５だけを取り付けた。この場合、
半導体素子搭載前にスティフナ７が取り付けられていな
いために、ボール端子５取り付け時のリフロー炉でのテ
ープの平坦性が問題になった。この対策としては、リフ
ロー炉中でＴＡＢテープの平坦性を持たせるためのレー
ルガイドを設け、ＴＡＢテープに取り付ける半田のボー
ル端子が移動しないように配慮した。

【００４４】本実施の形態においては、スティフナ７
は、半導体素子搭載後に接着するが、ボール端子５は、
半導体素子搭載前に取り付けてあるため、ボール端子５
の取り付け加工による封入樹脂でのクラックの発生の問
題は解消される。

【００４５】（本発明の実施の形態の効果）： 以上の本発明の実施の形態の構成によれば、ＴＡＢテー
プ１５への半導体素子の搭載前に、ボール端子５および
テープ補強用のスティフナ７を取り付けておくことで、
取り付け加工時の熱による封止樹脂の界面剥離やクラッ
クの発生の問題が解消される。

【００４６】さらに、ＴＡＢテープ１５への半導体素子
搭載前に、ボール端子５だけを取り付け、半導体素子搭
載後にスティフナ７を取り付けることによって、ボール
端子５を取り付ける加熱工程での熱による封止樹脂のク
ラックの発生の問題が解消される。

【００４７】さらにまた、ボール端子５の取り付けに代
えて、ポリイミドフィルム６の片面に張り付けられてい
るパターン形成用の一部銅箔２３を突起加工穴２２を通
して突出成形して突起端子２５を設けることで、熱加工
を行うことなく突起端子２５の形成を行うことができ、
熱による封止樹脂の界面剥離やクラックの発生の問題が
解消され、製造工程も簡素化される。

【００４８】

【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体装置の
製造方法は、ＴＡＢテープに半導体素子を取り付ける前
に、予めＴＡＢテープにスティフナとボール端子とを取
り付け又はボール端子を取り付けておくことで、取り付
けが容易であり、加熱処理による熱の影響を半導体素子
や封止樹脂に与えることがない。したがって、ＴＡＢテ
ープのフィルムと封止樹脂との界面が剥離せず、封止樹
脂にクラックを生じさせず、複雑な工程を採らなくても
簡単な構成で比較的に容易に製造することができる。

【００４９】本発明においては、半田ボール端子をフラ
ックスを用いて搭載し、リフロー炉に通してランドに接
続することで、半田ボール端子を取り付け、その後、イ
ンナ リードとボール端子形成ランドの洗浄と洗浄後の乾
燥を行うため、汚染の点を心配することなしに、フラッ
クスを使用して、半導体素子を取り付ける前にボール端
子を取り付けることができる。

【００５０】特に請求項２の発明においては、ＴＡＢテ
ープにスティフナを接着剤で張り付けた後、その接着剤
を硬化させ且つポリイミドフィルム中の水分を乾燥させ
てから、一括巻取りにより送出し機から半田ボール端子
搭載機を通ってリフロー炉を経由して巻取り機に導く工
程へと移行させているので、スティフナとポリイミドフ
ィルとの間の剥離をより完全に生じさせずに、ＴＡＢテ
ープに半田ボール端子を連続的に取り付けることができ
る。

【００５１】また、本発明では、ＴＡＢテープの段階で
半導体素子が取り付けておらず、スティフナとボール端
子とが又はボール端子が取り付けられているだけである
ので、取り付けを容易に行うことができ、後に半導体素
子を取り付けたり、樹脂で封止した場合もこれらのもの
に熱ストレスを与えることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のボール端子および
スティフナ付きＴａｐｅ−ＢＧＡ用のＴＡＢテープの縦
断面図である。

【図２】実施の形態を説明するためのリードフレームの
構造図である。

【図３】第１の実施の形態の長尺のＴＡＢテープの平面
図である。

【図４】図３の拡大図である。

【図５】第１の実施の形態のＴＡＢテープにボール端子
を取り付けるための製造工程を示す図である。

【図６】第２の実施の形態の突起端子およびスティフナ
付きＴａｐｅ−ＢＧＡの縦断面図である。

【図７】図６の突起端子の拡大図である。

【図８】従来例のＴａｐｅ−ＢＧＡの断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体素子 ３ 封止樹脂 ５ ボール端子 ６ ポリイミドフィルム ７ スティフナ ８ ＴＡＢインナリード １５ ＴＡＢテープ １６ 送り孔 １７ デバイスホール １８ 送出し機 １９ 巻取り機 ２０ リフロー炉 ２１ ボール端子搭載機 ２２ 突起加工穴 ２３ 銅箔 ２４ ソルダーレジスト ２５ 突起端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新沢 正治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 岡部 則夫 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (56)参考文献 特開 平８−51128（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−64635（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−117436（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−252248（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−297152（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−246315（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−213400（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリイミドフィルムに銅箔を張り合わせて
   配線を形成し、半導体素子と接続するためのインナリー
   ドを形成したＴＡＢテープに、半導体素子と、テープ補
   強用のスティフナと、ボール端子とを取り付け、樹脂封
   止して半導体装置を製造する製造方法において、ＴＡＢテープにスティフナを張り付け、 半田ボール端子をフラックスを用いて搭載し、リフロー
   炉に通してランドに接続することで、半田ボール端子を
   取り付け、 その後、インナリードとボール端子形成ランドの洗浄と
   洗浄後の乾燥を行い、 その後に半導体素子を取り付ける、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】ポリイミドフィルムに銅箔を張り合わせて
   配線を形成し、半導体素子と接続するためのインナリー
   ドを形成したＴＡＢテープに、半導体素子と、テープ補
   強用のスティフナと、ボール端子とを取り付け、樹脂封
   止して半導体装置を製造する方法において、ＴＡＢテープにスティフナを接着剤で張り付け、 その接着剤を硬化させ且つポリイミドフィルム中の水分
   を乾燥させた後、 一括巻取りにより送出し機から半田ボール端子搭載機を
   通ってリフロー炉を経由して巻取り機に導く工程によ
   り、ＴＡＢテープに半田ボール端子をフラックスを用い
   て搭載し、リフロー炉に通してランドに接続すること
   で、半田ボール端子を取り付け、 その後、インナリードとボール端子形成ランドの洗浄と
   洗浄後の乾燥を行い、 その後に半導体素子を取り付ける、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】ポリイミドフィルムに銅箔を張り合わせて
   配線を形成し、半導体素子と接続するためのインナリー
   ドを形成したＴＡＢテープに、半導体素子と、テープ補
   強用のスティフナと、ボール端子とを取り付け、樹脂封
   止して半導体装置を製造する方法において、半田ボール端子をフラックスを用いて搭載し、リフロー
   炉に通してランドに接続することで、半田ボール端子を
   取り付け、 その後、インナリードとボール端子形成ランドの洗浄と
   洗浄後の乾燥を行い、 その後、半導体素子を取り付け、 その後にスティフナを接着剤で張り付ける、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】上記インナリードとボール端子形成ランド
   の洗浄と洗浄後の乾燥を巻取り方式にて行う ことを特徴
   とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】上記ボール端子を取り付ける代わりに、配
   線パターンを形成するための金属箔を突起加工穴を通し
   て部分的に突出して突起端子を形成したことを特徴とす
   る請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】上記ＴＡＢテープへの上記スティフナの取
   り付けを複数半導体素子搭載用の長尺テープの状態で行
   うことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の
   半導体装置の製造方法。