JP3284340B2 - Oscillator circuit - Google Patents

Oscillator circuit

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JP3284340B2
JP3284340B2 JP31301997A JP31301997A JP3284340B2 JP 3284340 B2 JP3284340 B2 JP 3284340B2 JP 31301997 A JP31301997 A JP 31301997A JP 31301997 A JP31301997 A JP 31301997A JP 3284340 B2 JP3284340 B2 JP 3284340B2
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JP
Japan
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power supply
cmos inverter
current limiting
transistor
load
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邦彦 塚越
悟 宮部
和久 大山
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日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0082Lowering the supply voltage and saving power

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の技術分野】本発明は、発振回路に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、低消費電流を実現するための発振
回路としては図12に示すような構成が採用されてい
る。同図を参照して具体的に説明すると、CMOSイン
バータ101はそれぞれ低消費電流化を実現するための
電流制限素子102を介して高電位側電源103および
低電位側電源104に接続されている。負荷容量105
はその一方の電極がCMOSインバータ101の入力側
に接続され、他方の電極が低電位側電源104に接続さ
れている。負荷容量106はその一方の電極がCMOS
インバータ101の出力側に接続され、他方の電極が低
電位側電源104に接続されている。なお、同図におい
て、107は水晶振動子、108は帰還抵抗である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a configuration as shown in FIG. 12 has been adopted as an oscillation circuit for realizing low current consumption. Referring specifically to FIG. 1, the CMOS inverter 101 is connected to a high-potential power supply 103 and a low-potential power supply 104 via a current limiting element 102 for realizing low current consumption. Load capacity 105
Has one electrode connected to the input side of the CMOS inverter 101 and the other electrode connected to the low potential side power supply 104. The load capacitor 106 has one electrode of a CMOS
The other electrode is connected to the output side of the inverter 101 and the other electrode is connected to the low potential side power supply 104. Note that, in the figure, reference numeral 107 denotes a quartz oscillator, and reference numeral 108 denotes a feedback resistor.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ものでは負荷容量105、106が直接電源に接続され
ているため、発振に同期して電源電圧が大きく変動して
しまうという問題点を有していた。したがって、この発
振回路と電源を共通にしている回路は、動作が不安定と
なってしまう不都合があった。また逆に、発振と関係な
く何らかの作用により電源電圧が変動している場合、そ
の変動が発振回路に悪影響を及ぼすという不都合もあっ
た。
However, since the load capacitors 105 and 106 are directly connected to the power supply in the above-mentioned configuration, there is a problem that the power supply voltage fluctuates greatly in synchronization with the oscillation. Was. Therefore, there is a disadvantage that the operation of the circuit that shares the power supply with the oscillation circuit becomes unstable. Conversely, when the power supply voltage fluctuates due to some action irrespective of the oscillation, the fluctuation adversely affects the oscillation circuit.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、CMOSイン
バータの入力側と一方の電源電位との間に第1の負荷容
量を接続するとともに、CMOSインバータの入力側と
他方の電源電位との間に第2の負荷容量を、CMOSイ
ンバータの出力側と一方の電源電位との間に第3の負荷
容量を、CMOSインバータの出力側と他方の電源電位
との間に第4の負荷容量を接続することにより、低消費
電流化を実現しつつ発振に同期した電源電圧の変動を低
減できるものである。
According to the present invention, a first load capacitance is connected between an input side of a CMOS inverter and one power supply potential, and a first load capacitance is connected between the input side of the CMOS inverter and the other power supply potential. , A third load capacitance between the output side of the CMOS inverter and one power supply potential, and a fourth load capacitance between the output side of the CMOS inverter and the other power supply potential. By doing so, it is possible to reduce fluctuations in the power supply voltage synchronized with oscillation while realizing low current consumption.

【0005】上記第1、第3の負荷容量および上記CM
OSインバータの一方の電源側を第1の電流制限素子を
介して上記一方の電源電圧と接続し、上記第2、第4の
負荷容量および上記CMOSインバータの他方の電源側
を第2の電流制限素子を介して他方の電源電圧と接続し
てあるので、低消費電流化を実現しつつ発振に同期した
電源電圧の変動をさらに低減できる第1および第2の電
流制限素子を抵抗としてもよい。
The first and third load capacitances and the CM
One power supply side of the OS inverter is connected to the one power supply voltage via a first current limiting element, and the second and fourth load capacitors and the other power supply side of the CMOS inverter are connected to a second current limiter. Since the power supply voltage is connected to the other power supply voltage via the element, the first and second current limiting elements that can further reduce the fluctuation of the power supply voltage synchronized with the oscillation while realizing low current consumption may be resistance.

【0006】第1および第2の電流制限素子をトランジ
スタとしてもよい。
[0006] The first and second current limiting elements may be transistors.

【0007】第1および第2の電流制限素子を定電流回
路としてもよい。
The first and second current limiting elements may be constant current circuits.

【0008】第1および第2の電流制限素子を複数のス
イッチング素子を並列接続したものとし、CMOSイン
バータの出力に応じて制御回路によりこれらスイッチン
グ素子を制御するので、電流制限素子の調整が可能とな
り、最適な調整が可能となる。また、例えば発振開始時
はこれらスイッチング素子を介して多くの電流が流れる
ようにスイッチング素子を制御し、発振が安定してきた
ら所定の値の電流が流れるようにスイッチング素子を制
御すれば、発振開始から発振が安定するまでに要する時
間を短くでき、応答性の向上が図れる。
The first and second current limiting elements are formed by connecting a plurality of switching elements in parallel, and these switching elements are controlled by a control circuit according to the output of the CMOS inverter, so that the current limiting elements can be adjusted. , Optimal adjustment becomes possible. Also, for example, when the oscillation starts, the switching element is controlled so that a large amount of current flows through these switching elements, and when the oscillation becomes stable, the switching element is controlled so that a current of a predetermined value flows. The time required for the oscillation to stabilize can be shortened, and the responsiveness can be improved.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本願の請求項1に係る発明は、C
MOSインバータと、上記CMOSインバータの入出力
端子間にそれぞれ接続された圧電素子および帰還抵抗
と、上記CMOSインバータの入力側と一方の電源電位
との間に接続した第1の負荷容量と、上記CMOSイン
バータの入力側と他方の電源電位との間に接続した第2
の負荷容量と、上記CMOSインバータの出力側と上記
一方の電源電位との間に接続した第3の負荷容量と、上
記CMOSインバータの出力側と上記他方の電源電位と
の間に接続した第4の負荷容量とを備えている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present application is
A MOS inverter, a piezoelectric element and a feedback resistor respectively connected between input and output terminals of the CMOS inverter, a first load capacitance connected between an input side of the CMOS inverter and one power supply potential, A second terminal connected between the input side of the inverter and the other power supply potential
A third load capacitance connected between the output side of the CMOS inverter and the one power supply potential, and a fourth load capacitance connected between the output side of the CMOS inverter and the other power supply potential. And load capacity.

【0010】本願の請求項2に係る発明は、上記第1、
第3の負荷容量および上記CMOSインバータの一方の
電源側を第1の電流制限素子を介して上記一方の電源電
圧と接続し、上記第2、第4の負荷容量および上記CM
OSインバータの他方の電源側を第2の電流制限素子を
介して他方の電源電圧と接続してある。
[0010] The invention according to claim 2 of the present application is the first,
A third load capacitance and one power supply side of the CMOS inverter are connected to the one power supply voltage via a first current limiting element, and the second and fourth load capacitances and the CM are connected.
The other power supply side of the OS inverter is connected to the other power supply voltage via the second current limiting element.

【0011】本願の請求項3に係る発明は、上記第1お
よび第2の電流制限素子を抵抗としている。
In the invention according to claim 3 of the present application, the first and second current limiting elements are resistors.

【0012】本願の請求項4に係る発明は、上記第1お
よび第2の電流制限素子をトランジスタとしている。
In the invention according to claim 4 of the present application, the first and second current limiting elements are transistors.

【0013】本願の請求項5に係る発明は、上記第1お
よび第2の電流制限素子を定電流回路としている。
In the invention according to claim 5 of the present application, the first and second current limiting elements are constant current circuits.

【0014】本願の請求項6に係る発明は、上記第1お
よび第2の電流制限素子を複数のスイッチング素子を並
列接続したものとし、上記CMOSインバータの出力に
応じて上記スイッチング素子を制御する制御回路を備え
ている。
According to a sixth aspect of the present invention, the first and second current limiting elements are obtained by connecting a plurality of switching elements in parallel, and the control for controlling the switching elements in accordance with the output of the CMOS inverter. It has a circuit.

【0015】本願の請求項7に係る発明は、上記スイッ
チング素子をトランジスタとしている。
In the invention according to claim 7 of the present application, the switching element is a transistor.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below based on embodiments shown in the drawings.

【0017】(実施例1)図1において、1はCMOS
インバータ、2は圧電素子を構成する水晶振動子、3は
帰還抵抗で、水晶振動子2および帰還抵抗3はCMOS
インバータ1の入出力端子間にそれぞれ接続してある。
CMOSインバータ1の一方の電源端子は、電流制限素
子を構成するPチャネルMOSトランジスタ4を介して
電源の高電位側5に接続してあり、他方の電源端子は、
電流制限素子を構成するNチャネルMOSトランジスタ
6を介して電源の低電位側7に接続してある。トランジ
スタ4のゲートは電源の低電位側7に、トランジスタ6
のゲートは電源の高電位側5に接続してあり、トランジ
スタ4、6はそれぞれ電流制限素子を構成する。第1の
負荷容量8はCMOSインバータ1の入力側に一方の電
極を接続し、他方の電極は高電位側5と接続してある。
第2の負荷容量9はCMOSインバータ1の入力側に一
方の電極を接続し、他方の電極は低電位側7と接続して
ある。第3の負荷容量10はCMOSインバータ1の出
力側に一方の電極を接続し、他方の電極は高電位側5と
接続してある。第4の負荷容量11はCMOSインバー
タ1の出力側に一方の電極を接続し、他方の電極は低電
位側7と接続してある。なお、本例では負荷容量8と9
の静電容量の大きさを等しくしてあり、負荷容量10と
11の静電容量の大きさも等しくしてある。
(Embodiment 1) In FIG.
Inverter, 2 is a crystal oscillator constituting a piezoelectric element, 3 is a feedback resistor, and crystal oscillator 2 and feedback resistor 3 are CMOS
It is connected between the input and output terminals of the inverter 1.
One power supply terminal of the CMOS inverter 1 is connected to the high potential side 5 of the power supply via a P-channel MOS transistor 4 constituting a current limiting element, and the other power supply terminal is
It is connected to the low potential side 7 of the power supply via an N-channel MOS transistor 6 constituting a current limiting element. The gate of the transistor 4 is connected to the low potential side 7 of the power supply,
Are connected to the high potential side 5 of the power supply, and the transistors 4 and 6 each constitute a current limiting element. The first load capacitance 8 has one electrode connected to the input side of the CMOS inverter 1 and the other electrode connected to the high potential side 5.
The second load capacitor 9 has one electrode connected to the input side of the CMOS inverter 1 and the other electrode connected to the low potential side 7. The third load capacitor 10 has one electrode connected to the output side of the CMOS inverter 1 and the other electrode connected to the high potential side 5. The fourth load capacitor 11 has one electrode connected to the output side of the CMOS inverter 1 and the other electrode connected to the low potential side 7. In this example, the load capacities 8 and 9 are used.
And the load capacitors 10 and 11 have the same capacitance.

【0018】図2は、図1の構成で発振(30MHz)
を行う場合の電源電圧波形シュミレーション図である。
なお、同図中a〜cは図1に示した端子a〜cの電圧波
形を示したものである。図3は図2の比較例で、図12
に示した従来の構成で図2と同様の発振(30MHz)
を行う場合の電圧波形シュミレーションである。なお、
同図中a〜cは図12に示した端子a〜cの電圧波形を
示したものであり、負荷容量105、106の静電容量
はそれぞれ10pFとしてある。また、図2の場合、負
荷容量8〜11の静電容量の大きさをそれぞれ5pFと
してある。すなわち、図12の負荷容量105の静電容
量を負荷容量8、9で受け持ち、負荷容量106の静電
容量を負荷容量10、11で受け持つよう構成してあ
る。
FIG. 2 shows an oscillation (30 MHz) in the configuration of FIG.
FIG. 7 is a power supply voltage waveform simulation diagram in the case of performing.
Note that a to c in the figure show voltage waveforms at the terminals a to c shown in FIG. FIG. 3 is a comparative example of FIG.
Oscillation (30 MHz) similar to that of FIG. 2 with the conventional configuration shown in FIG.
Is a voltage waveform simulation in the case of performing. In addition,
In the figure, a to c show voltage waveforms at the terminals a to c shown in FIG. 12, and the capacitances of the load capacitors 105 and 106 are each set to 10 pF. Further, in the case of FIG. 2, the magnitudes of the capacitances of the load capacitances 8 to 11 are each set to 5 pF. That is, the configuration is such that the capacitance of the load capacitance 105 in FIG. 12 is covered by the load capacitances 8 and 9, and the capacitance of the load capacitance 106 is covered by the load capacitances 10 and 11.

【0019】図2、3の比較から明らかな通り、CMO
Sインバータ1の出力(b)をほぼ同じレベルにした場
合、電源電圧(a、c)の揺れの大きさは図2の方が小
さくなっている。
As is clear from the comparison of FIGS.
When the output (b) of the S inverter 1 is at substantially the same level, the magnitude of the fluctuation of the power supply voltage (a, c) is smaller in FIG.

【0020】具体的には、従来例の図3a(電源の高電
位側)では揺れの大きさが最大0.0004Vであるの
に対して、本実施例の図2a(電源の高電位側)では最
大0.00007Vとなり、その揺れの大きさが小さく
なっている。また、従来例の図3c(電源の低電位側)
では揺れの大きさが最大0.45mVであるのに対し
て、本実施例の図2f(電源の低電位側)では最大0.
1mVとなり、その揺れの大きさが小さくなっている。
More specifically, in FIG. 3A (the high potential side of the power supply) of the conventional example, the magnitude of the fluctuation is 0.0004 V at the maximum, whereas FIG. 2A (the high potential side of the power supply) of the present embodiment. In this case, the maximum is 0.00007 V, and the magnitude of the fluctuation is small. FIG. 3C of the conventional example (low potential side of the power supply)
In FIG. 2f (low-potential side of the power supply) in the present embodiment, the maximum amplitude is 0.45 mV.
1 mV, and the magnitude of the fluctuation is small.

【0021】このように、CMOSインバータ1の入力
側と高電位側5との間に第1の負荷容量8を接続し、C
MOSインバータ1の入力側と低電位側7との間に第2
の負荷容量9を、CMOSインバータ1の出力側と高電
位側5との間に第3の負荷容量10を、CMOSインバ
ータ1の出力側と低電位側7との間に第4の負荷容量1
1をそれぞれ接続しているので、発振に同期した電源電
圧の変動を低減できる。
As described above, the first load capacitance 8 is connected between the input side of the CMOS inverter 1 and the high potential side 5,
The second between the input side of the MOS inverter 1 and the low potential side 7
, A third load capacitor 10 between the output side of the CMOS inverter 1 and the high potential side 5, and a fourth load capacitor 1 between the output side of the CMOS inverter 1 and the low potential side 7.
1 are connected, the fluctuation of the power supply voltage synchronized with the oscillation can be reduced.

【0022】また、一般に発振回路は外部の回路と接続
する場合、その高電位側5と低電位側7にバイパスコン
デンサを接続する。したがって、上記実施例のように第
1の負荷容量8と第2の負荷容量9、第3の負荷容量1
0と第4の負荷容量11の静電容量の大きさを等しくし
てあれば、それぞれの負荷容量を介して接続する高電位
側および低電位側の電圧変動をバイパスコンデンサの働
きによって相殺でき、さらなる電源電圧の安定が図れ
る。
In general, when the oscillation circuit is connected to an external circuit, a bypass capacitor is connected to the high potential side 5 and the low potential side 7 thereof. Therefore, the first load capacitance 8 and the second load capacitance 9 and the third load capacitance 1
If the capacitances of 0 and the fourth load capacitance 11 are made equal, voltage fluctuations on the high potential side and the low potential side connected via the respective load capacitances can be offset by the function of the bypass capacitor, Further stabilization of the power supply voltage can be achieved.

【0023】なお、上記では電流制限素子としてトラン
ジスタを用いたが、これに限らず、抵抗や定電流回路等
を用いても同様の効果が得られる。
Although a transistor is used as the current limiting element in the above description, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by using a resistor, a constant current circuit, or the like.

【0024】(実施例2)図1に示した実施例1では負
荷容量8〜11の他方の電極を直接電源電圧に接続する
ようにしたが、図4に示すようにそれぞれ電流制限素子
4または6を介して電源電圧に接続するようにしてもよ
い。なお、同図において、図1と同一番号のものは同一
のものとする。
(Embodiment 2) In the embodiment 1 shown in FIG. 1, the other electrodes of the load capacitors 8 to 11 are connected directly to the power supply voltage. However, as shown in FIG. 6 may be connected to the power supply voltage. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are the same.

【0025】図4を具体的に説明すると、負荷容量8、
10の他方の電極は電流制限素子を構成するトランジス
タ4を介して高電位側5と接続し、負荷容量9、11の
他方の電極は電流制限素子を構成するトランジスタ6を
介して低電位側7と接続してある。
FIG. 4 is specifically explained.
The other electrode 10 is connected to the high potential side 5 via the transistor 4 constituting the current limiting element, and the other electrodes of the load capacitors 9 and 11 are connected to the low potential side 7 via the transistor 6 constituting the current limiting element. Connected to

【0026】図5は、図4の構成で実際に発振(30M
Hz)を行った場合の電源電圧波形を示した説明図であ
る。なお、同図中a〜cは図4に示した端子a〜cの電
圧波形を示したものである。
FIG. 5 shows an actual oscillation (30M) in the configuration of FIG.
(Hz) is an explanatory diagram showing a power supply voltage waveform when performing the above. Note that a to c in the figure show voltage waveforms at the terminals a to c shown in FIG.

【0027】先に示した実施例1の波形図である図2と
比べると、CMOSインバータ1の出力(c)をほぼ同
じレベルにした場合、電源電圧の揺れの大きさは図5の
方が小さくなっている。
Compared with FIG. 2, which is the waveform diagram of the first embodiment, when the output (c) of the CMOS inverter 1 is set to substantially the same level, the magnitude of the fluctuation of the power supply voltage is larger in FIG. It is getting smaller.

【0028】具体的には、先の実施例1の図2a(電源
の高電位側)では揺れの大きさが最大0.00007V
であるのに対して、実施例2の図5a(電源の高電位
側)では最大0.00004Vとなり、その揺れの大き
さが小さくなっている。また、先の実施例1の図2c
(電源の低電位側)では揺れの大きさが最大0.1mV
であるのに対して、実施例2の図5c(電源の低電位
側)では最大0.05mVとなり、その揺れの大きさが
小さくなっている。
More specifically, in FIG. 2A (the high potential side of the power supply) in the first embodiment, the magnitude of the fluctuation is 0.00007 V at the maximum.
On the other hand, in FIG. 5A (the high potential side of the power supply) in the second embodiment, the maximum is 0.00004V, and the magnitude of the fluctuation is small. FIG. 2C of the first embodiment.
(Low potential side of the power supply) The magnitude of the swing is 0.1 mV at maximum.
On the other hand, in FIG. 5C (the low potential side of the power supply) of the second embodiment, the maximum is 0.05 mV, and the magnitude of the fluctuation is small.

【0029】このように、負荷容量8、10の他方の電
極をトランジスタ4を介して高電位側5と接続し、負荷
容量9、11の他方の電極をトランジスタ6を介して低
電位側7と接続しているので、すなわち負荷容量が電源
電圧に直接接続していないので、実施例1の場合よりも
発振に同期した電源電圧の変動を低減できる。また、負
荷容量8〜11を電源電圧に接続する際、新たな容量素
子を介さずに電流制限素子のみを介して接続しているの
で、電源側から発生するノイズが発振に悪影響を及ぼす
ことを低減できる。
As described above, the other electrodes of the load capacitors 8 and 10 are connected to the high potential side 5 via the transistor 4, and the other electrodes of the load capacitors 9 and 11 are connected to the low potential side 7 via the transistor 6. Since it is connected, that is, the load capacitance is not directly connected to the power supply voltage, the fluctuation of the power supply voltage synchronized with the oscillation can be reduced as compared with the case of the first embodiment. In addition, when connecting the load capacitors 8 to 11 to the power supply voltage, the noise generated from the power supply side adversely affects the oscillation because the load capacitors 8 to 11 are connected via only the current limiting element without using a new capacitive element. Can be reduced.

【0030】なお、上記では電流制限素子としてトラン
ジスタを用いたが、これに限らず、実施例1と同様に抵
抗や定電流回路等を用いても同様の効果が得られる。
Although a transistor is used as a current limiting element in the above description, the present invention is not limited to this, and similar effects can be obtained by using a resistor or a constant current circuit as in the first embodiment.

【0031】(実施例3)次に、電流制限素子を複数の
スイッチング素子が並列接続したものとし、CMOSイ
ンバータ1の出力に応じてこれらスイッチング素子を制
御する場合の例を図6を参照して説明する。
(Embodiment 3) Next, an example in which a plurality of switching elements are connected in parallel to a current limiting element and these switching elements are controlled in accordance with the output of the CMOS inverter 1 will be described with reference to FIG. explain.

【0032】同図において、12、13は電流制限素子
で、並列接続した複数のトランジスタ14〜14からな
る。なお、トランジスタ14〜14はスイッチング素子
を構成する。15は制御回路で、後述する検出回路16
が検出するCMOSインバータ1の出力に応じてトラン
ジスタ14〜14のオンオフを制御する。16は検出回
路で、CMOSインバータ1からの発振出力の振幅を検
出するもので、規定値以上の振幅が得られているときと
そうでないときとで出力値が異なる。
Referring to FIG. 1, reference numerals 12 and 13 denote current limiting elements, each comprising a plurality of transistors 14 to 14 connected in parallel. Note that the transistors 14 to 14 constitute a switching element. A control circuit 15 is a detection circuit 16 described later.
On / off of the transistors 14 to 14 is controlled in accordance with the output of the CMOS inverter 1 detected by the inverter. Reference numeral 16 denotes a detection circuit for detecting the amplitude of the oscillation output from the CMOS inverter 1. The output value differs between when an amplitude equal to or larger than a specified value is obtained and when it is not.

【0033】上記構成によれば、オンとするトランジス
タ14〜14の数によってCMOSインバータ1に供給
される電流を適宜調整でき、最適な電流調整が可能とな
る。例えば発振開始時、すなわちCMOSインバータ1
の発振出力の振幅が小さいとき、これらトランジスタ1
4〜14をすべてオンし、多くの電流が発振回路に流れ
るようにし、発振が安定してきてある程度の大きさの振
幅が持続してきたことを検出回路16が検出したら、所
定の値の電流が流れるようにトランジスタ14〜14の
オンオフを所定の状態に設定するようにすれば、発振開
始から発振が安定するまでに要する時間を短くでき、応
答性の向上が図れる。
According to the above configuration, the current supplied to the CMOS inverter 1 can be appropriately adjusted according to the number of the transistors 14 to 14 to be turned on, and the optimal current adjustment can be performed. For example, when oscillation starts, that is, when the CMOS inverter 1
When the amplitude of the oscillation output of the
4 to 14 are turned on so that a large amount of current flows to the oscillation circuit. When the detection circuit 16 detects that oscillation has become stable and a certain magnitude of amplitude has been maintained, a current of a predetermined value flows. By setting the on / off states of the transistors 14 to 14 in a predetermined state as described above, the time required from the start of oscillation to the stabilization of oscillation can be shortened, and the responsiveness can be improved.

【0034】なお、上記では電流制限素子を構成するス
イッチング素子として並列接続した複数のトランジスタ
を用いたが、これに限らず、例えば複数のトランジスタ
で構成される定電流回路を複数並列接続するようにして
もよい。この場合、定電流回路を構成するトランジスタ
のゲート電圧を制御回路15で制御すれば、上記と同様
な効果が生じる。また、並列接続した複数の抵抗で電流
制限をする場合、それらの抵抗のそれぞれにスイッチン
グ素子を直列に設け、このスイッチング素子のオンオフ
を制御回路15で制御すれば、上記と同様な効果が生じ
る。
In the above description, a plurality of transistors connected in parallel are used as switching elements constituting a current limiting element. However, the present invention is not limited to this. For example, a plurality of constant current circuits each including a plurality of transistors may be connected in parallel. You may. In this case, if the gate voltage of the transistor constituting the constant current circuit is controlled by the control circuit 15, the same effect as described above can be obtained. Further, in the case where the current is limited by a plurality of resistors connected in parallel, a switching element is provided in series with each of the resistors, and the on / off of the switching element is controlled by the control circuit 15, thereby producing the same effect as described above.

【0035】また、上記では複数のスイッチング素子を
並列接続し、検出回路16の出力により適宜スイッチン
グ素子を制御するようにしたが、設計要求等によっては
電流制限素子を1つとし、検出回路16の出力によりこ
の1つの素子の例えばゲート電圧値を連続的に変化させ
ることで制御するようにしても同様の効果が得られる。
In the above description, a plurality of switching elements are connected in parallel, and the switching elements are appropriately controlled by the output of the detection circuit 16. However, depending on design requirements and the like, one current limiting element may be used, and The same effect can be obtained even if control is performed by continuously changing, for example, the gate voltage value of this one element by the output.

【0036】検出回路16としては例えば図7や図8に
示したものを用いればよい。図7に示したものは端子X
よりCMOSインバータ1の出力を入力し、端子Yから
制御回路15へ検出信号を出力するものである。具体的
にはインバータ17の反転電位(しきい値)により検出
する電圧レベルを設定するものであり、その動作につい
ては特開平7−193428号公報に詳細に開示されて
いるので省略する。なお、同図において、18はPチャ
ネルMOSトランジスタ、19は抵抗、20はコンデン
サ、21はインバータである。
As the detection circuit 16, for example, those shown in FIGS. 7 and 8 may be used. FIG. 7 shows the terminal X
The input of the output of the CMOS inverter 1 is input from the terminal Y, and a detection signal is output to the control circuit 15 from the terminal Y. More specifically, a voltage level to be detected is set based on the inversion potential (threshold) of the inverter 17, and its operation is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-193428, and a description thereof will be omitted. In the figure, 18 is a P-channel MOS transistor, 19 is a resistor, 20 is a capacitor, and 21 is an inverter.

【0037】なお、図7では、端子Xから入力するCM
OSインバータ1の発振出力電圧が大振幅である場合、
インバータ17に貫通電流が流れる時間は短い。しかし
ながら、端子Xから入力するCMOSインバータ1の発
振出力電圧が小振幅である場合、インバータ17に貫通
電流が流れる時間が長くなり、設計上低消費電流化が求
められる場合に問題となる。
In FIG. 7, the CM input from the terminal X is used.
When the oscillation output voltage of the OS inverter 1 has a large amplitude,
The time during which a through current flows through the inverter 17 is short. However, when the oscillation output voltage of the CMOS inverter 1 input from the terminal X has a small amplitude, the time required for the through current to flow through the inverter 17 becomes long, which causes a problem when low current consumption is required in design.

【0038】また、一般にインバータ17のしきい値は
それを構成するトランジスタの大きさにより決まるの
で、しきい値を変更する場合、トランジスタの大きさを
変更して対応しなければならなかった。
Further, since the threshold value of the inverter 17 is generally determined by the size of the transistor constituting the same, when changing the threshold value, the size of the transistor must be changed.

【0039】図8は図7のインバータ17が抱える上記
問題点を解消するために、インバータ17に代えて差動
増幅回路を用い、それに電流制限手段を接続した例を示
している。すなわち、差動増幅回路の一方の入力に発振
出力を入力し、他方の入力に発振レベル判定に用いる比
較基準電圧を入力するようにして、かつ電流制御手段を
介して電源と接続することにより、同一の構成で異なる
レベルの発振出力を検出可能となり、また消費電流の低
減が図れる。
FIG. 8 shows an example in which a differential amplifier circuit is used in place of the inverter 17 and current limiting means is connected to the inverter 17 in order to solve the above-mentioned problem of the inverter 17 shown in FIG. That is, by inputting the oscillation output to one input of the differential amplifier circuit and inputting the comparison reference voltage used for determining the oscillation level to the other input, and connecting to the power supply via the current control means, Oscillation outputs of different levels can be detected with the same configuration, and current consumption can be reduced.

【0040】図8(a)は図7のインバータ17の代わ
りに用いる差動増幅回路の一例を示している。
FIG. 8A shows an example of a differential amplifier circuit used in place of the inverter 17 in FIG.

【0041】図8(a)において、22はカレントミラ
ー回路で、一対のPチャネルMOSトランジスタ23、
24からなる。トランジスタ23、24のソースはそれ
ぞれ高電位側5に接続してある。トランジスタ23のド
レインは、トランジスタ23、24のゲートと接続し、
かつNチャネルMOSトランジスタ25のドレインと接
続してある。トランジスタ25のゲートには、端子Aを
介して入力する電圧レベルを判断するためのしきい値を
設定する比較基準電圧が入力する。トランジスタ25の
ソースはNチャネルMOSトランジスタ26のソースと
接続し、かつトランジスタ等からなる定電流源としての
電流制限手段27を介して低電位側7と接続してある。
トランジスタ26のドレインはトランジスタ24のドレ
インと接続するとともに端子Zを介して図7に示したト
ランジスタ18のゲートに接続し、トランジスタ26の
ゲートは端子XよりCMOSインバータ1の出力を入力
する。
In FIG. 8A, reference numeral 22 denotes a current mirror circuit, which includes a pair of P-channel MOS transistors 23;
24. The sources of the transistors 23 and 24 are connected to the high potential side 5 respectively. The drain of the transistor 23 is connected to the gates of the transistors 23 and 24,
Further, it is connected to the drain of the N-channel MOS transistor 25. To the gate of the transistor 25, a comparison reference voltage for setting a threshold value for judging a voltage level inputted via the terminal A is inputted. The source of the transistor 25 is connected to the source of the N-channel MOS transistor 26 and to the low potential side 7 via current limiting means 27 as a constant current source composed of a transistor or the like.
The drain of the transistor 26 is connected to the drain of the transistor 24 and to the gate of the transistor 18 shown in FIG. 7 via the terminal Z. The output of the CMOS inverter 1 is input to the gate of the transistor 26 from the terminal X.

【0042】図8(a)の動作を簡単に説明する。端子
Aを介してトランジスタ25のゲートに供給される比較
基準電圧が入力すると、その電圧に応じたしきい値が設
定され、端子Xを介して入力する発振出力の電圧レベル
が比較され、発振出力電圧がしきい値を越えた場合、端
子Zの電圧が下がる。また、端子Xを介して入力する発
振出力の電圧レベルがそのしきい値を越えない場合、端
子Zは高電位に保持される。
The operation of FIG. 8A will be briefly described. When a comparison reference voltage supplied to the gate of the transistor 25 is input via the terminal A, a threshold value according to the voltage is set, and the voltage level of the oscillation output input via the terminal X is compared. If the voltage exceeds the threshold, the voltage at terminal Z drops. If the voltage level of the oscillation output input via the terminal X does not exceed the threshold value, the terminal Z is kept at a high potential.

【0043】よって、図7に示した検出回路においてイ
ンバータ17を図8(a)に示した差動増幅回路に置き
換えた場合、端子Xを介して入力する発振出力の電圧レ
ベルがしきい値を繰り返し越えると、コンデンサ20は
徐々に充電されインバータ21の出力が反転し検出出力
“0”が発生する。逆に、端子Xを介して入力する発振
出力の電圧レベルがそのしきい値を越えない場合、端子
Zは高電位に保持されトランジスタ18はオフとなり、
コンデンサ20は充電されず、インバータ21は検出出
力“0”を出力しない。
Therefore, when the inverter 17 is replaced with the differential amplifier circuit shown in FIG. 8A in the detection circuit shown in FIG. 7, the voltage level of the oscillation output input via the terminal X is lower than the threshold value. When it repeatedly exceeds, the capacitor 20 is gradually charged, the output of the inverter 21 is inverted, and the detection output “0” is generated. Conversely, if the voltage level of the oscillation output input via terminal X does not exceed its threshold, terminal Z is held at a high potential and transistor 18 is turned off,
The capacitor 20 is not charged, and the inverter 21 does not output the detection output “0”.

【0044】図8(b)は図8(a)に示した差動増幅
回路を用いた検出回路16の他の一例である。この例で
は端子Bに入力される信号により、図8(a)に示した
差動増幅回路に流れる電流を制御してこの差動増幅回路
のオンオフを制御するとともに、コンデンサ20に充電
されている電荷の放電も制御するものである。なお、同
図において前図と同一番号のものは同一のものとする。
FIG. 8B shows another example of the detection circuit 16 using the differential amplifier circuit shown in FIG. 8A. In this example, the signal input to the terminal B controls the current flowing through the differential amplifier circuit shown in FIG. 8A to control ON / OFF of the differential amplifier circuit, and the capacitor 20 is charged. It also controls the discharge of charges. In the figure, those having the same numbers as those in the previous figure are the same.

【0045】同図において、28は電圧源で、トランジ
スタ25のゲートに比較基準電圧を出力する。29はイ
ンバータ、30はPチャネルMOSトランジスタ、3
1、32はNチャネルMOSトランジスタである。
In the figure, reference numeral 28 denotes a voltage source, which outputs a comparison reference voltage to the gate of the transistor 25. 29 is an inverter, 30 is a P-channel MOS transistor, 3
Reference numerals 1 and 32 are N-channel MOS transistors.

【0046】簡単に動作を説明すると、スタンバイ時に
は端子Bに信号“1”が入力し、これにより電圧源28
内のPチャネルMOSトランジスタ28aがオフすると
ともに、トランジスタ32がオンし、コンデンサ20に
充電されている電荷を放電してコンデンサ20を初期化
する。したがって、このとき、すなわちスタンバイ時、
インバータ21の入力が“0”になるので、その出力側
の端子Yは“1”を出力する。なお、このとき、インバ
ータ29からの反転出力“0”によりトランジスタ27
がオフし、図8(a)に示した差動増幅回路に電流が流
れなくなる。よって、スタンバイ時に図8(a)に示し
た回路に無駄な電流が流れなくなり低消費電流化が図れ
る。また、インバータ29からの反転出力“0”により
トランジスタ30がオンし、これに伴いトランジスタ1
8がオフする。また、電圧源28がオフしているのでト
ランジスタ31もオフとなる。よって、コンデンサ20
への充電動作は停止する。したがって、スタンバイ時に
コンデンサ20を無駄に充電してしまう不都合が解消で
き、低消費電流化が図れる。
In brief, the operation is as follows. At the time of standby, a signal "1" is input to the terminal B, whereby the voltage source 28
The P-channel MOS transistor 28a is turned off, and the transistor 32 is turned on, thereby discharging the charge stored in the capacitor 20 to initialize the capacitor 20. Therefore, at this time, that is, during standby,
Since the input of the inverter 21 becomes "0", the output terminal Y outputs "1". At this time, the inverted output “0” from the inverter 29 causes the transistor 27
Is turned off, and no current flows through the differential amplifier circuit shown in FIG. Therefore, at the time of standby, unnecessary current does not flow through the circuit shown in FIG. 8A, so that current consumption can be reduced. Further, the transistor 30 is turned on by the inverted output “0” from the inverter 29, and accordingly, the transistor 1
8 turns off. Further, since the voltage source 28 is off, the transistor 31 is also off. Therefore, the capacitor 20
The charging operation to is stopped. Therefore, the disadvantage that the capacitor 20 is unnecessarily charged at the time of standby can be solved, and the current consumption can be reduced.

【0047】作動状態になり端子Bに信号“0”が入力
すると、トランジスタ32がオフし、コンデンサ20の
初期化が停止し、また電圧源28がオンしてトランジス
タ25のゲートに比較基準電圧を出力するとともにトラ
ンジスタ31をオンする。インバータ29からの反転出
力“1”によりトランジスタ27が動作し、トランジス
タ30がオフするので、図8(a)に示した回路が動作
可能な状態となる。この状態で端子XからCMOSイン
バータ1の出力が入力すると、上記と同様な動作を行
う。
When a signal "0" is inputted to the terminal B in the operating state, the transistor 32 is turned off, the initialization of the capacitor 20 is stopped, and the voltage source 28 is turned on to apply the comparison reference voltage to the gate of the transistor 25. At the same time, the transistor 31 is turned on. The transistor 27 is operated by the inverted output “1” from the inverter 29 and the transistor 30 is turned off, so that the circuit shown in FIG. When the output of the CMOS inverter 1 is input from the terminal X in this state, the same operation as described above is performed.

【0048】このように、図8(a)に示した差動増幅
回路を採用した場合、トランジスタ25のゲートに入力
する比較基準電圧を変えることにより、簡単にしきい値
を変更できる。さらに比較基準電圧はICの他の回路ブ
ロックからの信号により調整することも可能であるし、
IC外部から直接電圧を与えて電圧を調整するようにし
てもよい。例えば、図9に示したように電源間に複数の
抵抗33〜33を直列に接続し、その抵抗33同士の接
続点の中の1つ端子を図8に示したトランジスタ25の
ゲートに接続するようにし、他の接続点はそれぞれトラ
ンジスタ34〜34を介して電源と接続し、トランジス
タ34のゲートをIC内の他の回路ブロックからの2値
信号またはIC外部からの2値信号で制御することによ
りデジタル的に調整するようにしてもよい。また、図1
0に示すように電源間に抵抗35とトランジスタ36と
を接続し、その接続点を図8に示したトランジスタ25
のゲートに接続するようにし、トランジスタ36のゲー
トをIC内の他の回路ブロックからのアナログ信号また
はIC外部からのアナログ信号で制御することにより、
アナログ的に比較基準電圧を調整するようにしてもよ
い。
As described above, when the differential amplifier circuit shown in FIG. 8A is employed, the threshold value can be easily changed by changing the comparison reference voltage input to the gate of the transistor 25. Further, the comparison reference voltage can be adjusted by a signal from another circuit block of the IC,
The voltage may be adjusted by applying a voltage directly from outside the IC. For example, as shown in FIG. 9, a plurality of resistors 33 to 33 are connected in series between the power supplies, and one of the connection points of the resistors 33 is connected to the gate of the transistor 25 shown in FIG. In this way, the other connection points are connected to a power supply via the transistors 34 to 34, respectively, and the gate of the transistor 34 is controlled by a binary signal from another circuit block in the IC or a binary signal from outside the IC. May be adjusted digitally. FIG.
0, a resistor 35 and a transistor 36 are connected between the power sources, and the connection point is connected to the transistor 25 shown in FIG.
By controlling the gate of the transistor 36 with an analog signal from another circuit block in the IC or an analog signal from outside the IC,
The comparison reference voltage may be adjusted in an analog manner.

【0049】なお、上記では差動増幅回路として図8
(a)に示したものを用いたが、差動増幅回路はこれに
限るものではない。例えば図11(a)(b)(c)に
示したようなものを用いてもよい。なお、同図におい
て、37は能動負荷、38、39は抵抗、40、41は
PチャネルMOSトランジスタ、42、43はNチャネ
ルMOSトランジスタであり、前図と同一番号のもの
は、同一のものとする。
In the above description, the differential amplifier circuit shown in FIG.
Although the circuit shown in FIG. 1A was used, the differential amplifier circuit is not limited to this. For example, those shown in FIGS. 11A, 11B, and 11C may be used. In the figure, 37 is an active load, 38 and 39 are resistors, 40 and 41 are P-channel MOS transistors, and 42 and 43 are N-channel MOS transistors. I do.

【0050】また、上記実施例2、3では、高電位側と
低電位側の両方に電流制限素子を設けたが、設計要求等
に応じていずれか一方のみに設けるようにしてもよい。
In the second and third embodiments, the current limiting elements are provided on both the high potential side and the low potential side, but they may be provided on only one of them according to design requirements.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明によれば、低消費電流化を実現し
つつ発振に同期した電源電圧の変動を低減できる。
According to the present invention, the fluctuation of the power supply voltage synchronized with the oscillation can be reduced while realizing low current consumption.

【0052】一方の電極がCMOSインバータの入力側
と接続している第1の負荷容量と一方の電極がCMOS
インバータの出力側と接続している第3の負荷容量およ
びCMOSインバータの一方の電源側を第1の電流制限
素子を介して一方の電源電圧と接続し、一方の電極がC
MOSインバータの入力側と接続している第2の負荷容
量と一方の電極がCMOSインバータの出力側と接続し
ている第4の負荷容量およびCMOSインバータの他方
の電源側を第2の電流制限素子を介して他方の電源電圧
と接続してあるので、低消費電流化を実現しつつ発振に
同期した電源電圧の変動をさらに低減できる第1および
第2の電流制限素子を複数のスイッチング素子を並列接
続したものとし、CMOSインバータの出力に応じて制
御回路によりこれらスイッチング素子を制御するので、
電流制限素子の調整が可能となり、最適な調整が可能と
なる。また、例えば発振開始時はこれらスイッチング素
子を介して多くの電流が流れるようにスイッチング素子
を制御し、発振が安定してきたら所定の値の電流が流れ
るようにスイッチング素子を制御すれば、発振開始から
発振が安定するまでに要する時間を短くでき、応答性の
向上が図れる。
One electrode has a first load capacitance connected to the input side of the CMOS inverter and one electrode has a CMOS
A third load capacitance connected to the output side of the inverter and one power supply side of the CMOS inverter are connected to one power supply voltage via the first current limiting element, and one electrode is connected to C
The second load capacitance connected to the input side of the MOS inverter, the fourth load capacitance whose one electrode is connected to the output side of the CMOS inverter, and the other power supply side of the CMOS inverter are connected to a second current limiting element. Is connected to the other power supply voltage via the first and second current limiting elements which can further reduce fluctuations of the power supply voltage synchronized with oscillation while realizing low current consumption. These switching elements are controlled by a control circuit in accordance with the output of the CMOS inverter.
The adjustment of the current limiting element becomes possible, and the optimum adjustment becomes possible. Also, for example, when the oscillation starts, the switching element is controlled so that a large amount of current flows through these switching elements, and when the oscillation becomes stable, the switching element is controlled so that a current of a predetermined value flows. The time required for the oscillation to stabilize can be shortened, and the responsiveness can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示した回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の回路を動作させた際の電圧波形を示した
説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing voltage waveforms when the circuit of FIG. 1 is operated.

【図3】図12の回路を動作させた際の電圧波形を示し
た説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing voltage waveforms when the circuit of FIG. 12 is operated.

【図4】本発明の他の実施例を示した回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.

【図5】図4の回路を動作させた際の電圧波形を示した
説明図。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing voltage waveforms when the circuit of FIG. 4 is operated.

【図6】本発明の他の実施例を示した回路図。FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.

【図7】図6の検出回路を示した回路図。FIG. 7 is a circuit diagram showing the detection circuit of FIG. 6;

【図8】図6の他の検出回路の要部を示した回路図。FIG. 8 is a circuit diagram showing a main part of another detection circuit in FIG. 6;

【図9】図7、8の電圧源の他の例を示した回路図。FIG. 9 is a circuit diagram showing another example of the voltage sources of FIGS.

【図10】図7、8の電圧源の他の例を示した回路図。FIG. 10 is a circuit diagram showing another example of the voltage sources of FIGS.

【図11】図6の他の検出回路の要部を示した回路図。FIG. 11 is a circuit diagram showing a main part of another detection circuit in FIG. 6;

【図12】従来の発振回路の構成を示した回路図。FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional oscillation circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 CMOSインバータ 2 圧電素子 3 帰還抵抗 4 第1の電流制御素子 5 一方の電源電圧 6 第2の電流制御素子 7 他方の電源電圧 8 第1の負荷容量 9 第2の負荷容量 10 第3の負荷容量 11 第4の負荷容量 12 電流制限素子 13 電流制限素子 14 スイッチング素子 15 制御回路 Reference Signs List 1 CMOS inverter 2 Piezoelectric element 3 Feedback resistor 4 First current control element 5 One power supply voltage 6 Second current control element 7 The other power supply voltage 8 First load capacitance 9 Second load capacitance 10 Third load Capacitance 11 Fourth load capacitance 12 Current limiting element 13 Current limiting element 14 Switching element 15 Control circuit

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−193428(JP,A) 特開 昭57−55601(JP,A) 特開 平2−107008(JP,A) 特開 平1−94704(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 5/32 H03B 5/04 Continuation of the front page (56) References JP-A-7-193428 (JP, A) JP-A-57-55601 (JP, A) JP-A-2-107008 (JP, A) JP-A-1-94704 (JP) , A) (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03B 5/32 H03B 5/04

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 CMOSインバータと、上記CMOSイ
ンバータの入出力端子間にそれぞれ接続された圧電素子
および帰還抵抗と、上記CMOSインバータの入力側と
一方の電源電位との間に接続した第1の負荷容量と、上
記CMOSインバータの入力側と他方の電源電位との間
に接続した第2の負荷容量と、上記CMOSインバータ
の出力側と上記一方の電源電位との間に接続した第3の
負荷容量と、上記CMOSインバータの出力側と上記他
方の電源電位との間に接続した第4の負荷容量とを備え
たことを特徴とする発振回路。
1. A CMOS inverter, a piezoelectric element and a feedback resistor respectively connected between input and output terminals of the CMOS inverter, and a first load connected between an input side of the CMOS inverter and one power supply potential. Capacitance, a second load capacitance connected between the input side of the CMOS inverter and the other power supply potential, and a third load capacitance connected between the output side of the CMOS inverter and the one power supply potential And a fourth load capacitor connected between the output side of the CMOS inverter and the other power supply potential.
【請求項2】 請求項1において、上記第1、第3の負
荷容量および上記CMOSインバータの一方の電源側は
第1の電流制限素子を介して上記一方の電源電圧と接続
し、上記第2、第4の負荷容量および上記CMOSイン
バータの他方の電源側は第2の電流制限素子を介して他
方の電源電圧と接続してあることを特徴とする発振回
路。
2. The power supply according to claim 1, wherein the first and third load capacitors and one power supply side of the CMOS inverter are connected to the one power supply voltage via a first current limiting element. An oscillator circuit, wherein the fourth load capacitance and the other power supply side of the CMOS inverter are connected to the other power supply voltage via a second current limiting element.
【請求項3】 請求項2において、上記第1および第2
の電流制限素子は抵抗であることを特徴とする発振回
路。
3. The method of claim 2, wherein the first and second
Wherein the current limiting element is a resistor.
【請求項4】 請求項2において、上記第1および第2
の電流制限素子はトランジスタであることを特徴とする
発振回路。
4. The method according to claim 2, wherein the first and second
The current limiting element is a transistor.
【請求項5】 請求項2において、上記第1および第2
の電流制限素子は定電流回路であることを特徴とする発
振回路。
5. The method according to claim 2, wherein
Wherein the current limiting element is a constant current circuit.
【請求項6】 請求項2において、上記第1および第2
の電流制限素子は複数のスイッチング素子を並列接続し
たものであり、上記CMOSインバータの出力に応じて
上記スイッチング素子を制御する制御回路を備えたこと
を特徴とする発振回路。
6. The method according to claim 2, wherein
Wherein the current limiting element comprises a plurality of switching elements connected in parallel, and further comprises a control circuit for controlling the switching elements according to the output of the CMOS inverter.
【請求項7】 請求項6において、上記スイッチング素
子はトランジスタであることを特徴とする発振回路。
7. The oscillation circuit according to claim 6, wherein the switching element is a transistor.
JP31301997A 1997-10-30 1997-11-14 Oscillator circuit Expired - Lifetime JP3284340B2 (en)

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