JP3284059B2 - 内燃機関排ガスの定流量希釈サンプリング装置 - Google Patents

内燃機関排ガスの定流量希釈サンプリング装置

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JP3284059B2 JP26283796A JP26283796A JP3284059B2 JP 3284059 B2 JP3284059 B2 JP 3284059B2 JP 26283796 A JP26283796 A JP 26283796A JP 26283796 A JP26283796 A JP 26283796A JP 3284059 B2 JP3284059 B2 JP 3284059B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関排ガスの
定流量希釈サンプリング装置(略称CVS装置)に関す
る。
【0002】
【従来の技術】このような定流量希釈サンプリング装置
では、メイン臨界流量ベンチュリを流通する希釈排ガス
の流量を、メイン臨界流量ベンチュリの上流側でのメイ
ン通路の絶対圧力、温度およびメイン臨界流量ベンチュ
リの流量係数に基づいて自動的に演算するようにしてい
るが、連続ガス分析のためにメイン通路から吸引した希
釈排ガスの流量すなわち連続ガス分析用臨界流量ベンチ
ュリを流通する希釈排ガス流量、ならびにバッグサンプ
リングのためにメイン通路から吸引した希釈排ガスの流
量すなわちバッグサンプリング用臨界流量ベンチュリを
流通する希釈排ガスの流量については、演算手段を持た
ないのが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、たとえば汎
用内燃機関を対象として排ガス測定を行なう際に、該汎
用内燃機関が比較的大型、大出力であって必要とされる
希釈排ガスがたとえば2m3 /分程度で比較的大流量で
ある場合には、連続ガス分析やバッグサンプリングに必
要とされる希釈排ガス流量がたとえば25リットル/分
程度であっても、全希釈排ガス流量に占める割合が1.
5%以下であり、無視しても大きな問題とはならない。
しかるに対象とする汎用内燃機関が比較的小型、小出力
のものである場合には、必要とされる希釈排ガスがたと
えば0.5m3 /分程度まで小さくなるものであり、こ
の場合に、連続ガス分析やバッグサンプリングに必要と
される希釈排ガス流量が上述のように25リットル/分
程度であるときには、全希釈排ガス流量に占める割合が
5%程度と大きくなり、無視できないだけでなく、連続
ガス分析やバッグサンプリングに用いた希釈排ガス流量
を正確に加算して希釈排ガスの全流量を基準にして、排
ガスの分析を行なう必要がある。
【0004】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、連続ガス分析やバッグサンプリングに応じて
希釈排ガスの全流量を自動的にかつ正確に算出し得るよ
うにした内燃機関排ガスの定流量希釈サンプリング装置
を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、連続ガス分析用電磁弁およびバッグサン
プリング用電磁弁のオン・オフ作動を制御する作動制御
手段と、連続ガス分析用電磁弁およびバッグサンプリン
グ用電磁弁がいずれもオフ状態であることを示す信号が
作動制御手段から入力されたときにはメイン臨界流量ベ
ンチュリの流量係数、圧力検出器および温度検出器の検
出値に基づいてメイン通路を流通する全希釈排ガスの流
量を演算するが連続ガス分析用電磁弁およびバッグサン
プリング電磁弁の少なくとも一方がオン状態となったこ
とを示す信号が作動制御手段から入力されたときにはオ
ン状態となっている電磁弁に対応する臨界流量ベンチュ
リおよびメイン臨界流量ベンチュリの流量係数、圧力検
出器および温度検出器の検出値に基づいて全希釈排ガス
の流量を演算する流量演算手段とを含むことを特徴とす
る。
【0006】かかる構成によれば、メイン臨界流量ベン
チュリの流量だけでなく、連続ガス分析やバッグサンプ
リングを行なったときには、希釈排ガスが流通している
全ての臨界流量ベンチュリの流量すなわち全希釈排ガス
の流量を自動的に得ることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面に示した本発明の一実施例に基づいて説明する。
【0008】図1および図2は本発明の一実施例を示す
ものであり、図1は定流量希釈サンプリング装置の全体
構成を示す系統図、図2は作動制御手段および流量演算
手段の構成を示す図である。
【0009】先ず図1を参照して、メイン通路1は、混
合部2とメインガス吸引手段としてのブロワー3とを結
ぶものであり、混合部2には、エアフィルタ4を介して
外部から希釈空気が導入されるとともに、測定すべき内
燃機関からの排ガスがその内燃機関直後または内燃機関
の排気管直後からプローブ5およびフレキシブルホース
6を介して導入され、該混合部2において、排ガスおよ
び希釈空気が混合されて希釈排ガスが得られることにな
る。
【0010】混合部2およびブロワー3間のメイン通路
1には、その上流側から順に、サイクロン7、熱交換器
8およびメイン臨界流量ベンチュリ9が設けられる。熱
交換器8には、たとえば冷却水等の冷却媒体の熱交換器
8への供給量を調整する流量調整手段11が接続されて
おり、この流量調整手段11の作動は、温度検出器12
の検出値に応じて制御され、それにより、熱交換器8よ
りも下流側の希釈排ガスの温度が一定に調整される。
【0011】メイン臨界流量ベンチュリ9の上流側であ
って熱交換器8よりも下流側のメイン通路1には、該メ
イン通路1内の絶対圧力Pを検出する圧力検出器13
と、メイン通路1内の温度Tを検出する温度検出器14
とが付設される。
【0012】ブロワー3の吐出口には排出通路15が接
続されており、この排出通路15にはサイレンサー16
が設けられる。
【0013】熱交換器8およびメイン臨界流量ベンチュ
リ9間でメイン通路1には、連続ガス分析用臨界ベンチ
ュリ17が接続されており、この連続ガス分析用臨界ベ
ンチュリ17には、連続ガス分析用電磁弁19を有する
連続ガス分析用通路18の一端が接続される。また連続
ガス分析用通路18の他端は、ガス分析装置20に接続
されており、このガス分析装置20には、メイン通路1
から連続ガス分析用の希釈排ガスを連続ガス分析用通路
18に吸引するためのポンプ等の吸引手段(図示せず)
が付設されている。
【0014】また熱交換器8およびメイン臨界流量ベン
チュリ9間でメイン通路1には、バッグサンプリング用
臨界流量ベンチュリ21が接続されており、このバッグ
サンプリング用臨界流量ベンチュリ21には、バッグサ
ンプリング用通路22の一端が接続される。バッグサン
プリング用通路22には、その一端側から順に、バッグ
サンプリング用電磁弁23、フィルタ24、ポンプ25
およびバッファタンク26が設けられており、バッグサ
ンプリング用通路22の他端は、複数たとえば3つの電
磁弁27…に並列に接続され、それらの電磁弁27…に
はサンプルバッグ28…がそれぞれ接続される。したが
って、ポンプ25を作動せしめた状態でバッグサンプリ
ング用電磁弁23を開弁作動せしめたときには、電磁弁
27…の選択作動によってサンプルバッグ28…に希釈
排ガスが選択的に捕集されることになる。
【0015】また各電磁弁27…およびサンプルバッグ
28…間は、それぞれ電磁弁29…を介してガス分析装
置20に接続されており、サンプルバッグ28…への希
釈排ガスの捕集後に、電磁弁27…を閉弁した状態で電
磁弁29…を選択的に開弁作動せしめることにより、サ
ンプルバッグ28…の希釈排ガスを選択的にガス分析装
置20に導いて分析することが可能である。さらに、バ
ッファタンク26と各電磁弁27…との間は、メイン臨
界流量ベンチュリ9よりも下流側のメイン通路1に電磁
弁30を介して接続されており、バッファタンク26と
各電磁弁27…との間には、電磁弁27…,30の作動
制御を行なうための圧力スイッチ31が付設される。
【0016】排ガスを希釈する空気の濃度を測定するた
めに、エアフィルタ4および混合部2間に空気サンプリ
ング用通路34の一端が接続されており、この空気サン
プリング用通路34には、その一端側から順に、フィル
タ35、ポンプ36、調節弁37および流量計38が設
けられており、空気サンプリング用通路34の他端は、
複数たとえば3つの電磁弁39…に並列に接続され、そ
れらの電磁弁39…には空気サンプルバッグ40…がそ
れぞれ接続される。したがって、ポンプ36を作動せし
めるとともに調節弁37および流量計38で流量調節を
行なうようにして、電磁弁39…を選択作動せしめるこ
とにより、空気サンプルバッグ40…に希釈空気が選択
的に捕集されることになる。
【0017】各電磁弁39…および空気サンプルバッグ
40…間は、それぞれ電磁弁41…を介してガス分析装
置20に接続されており、空気サンプルバッグ40…へ
の希釈空気の捕集後に、電磁弁39…を閉弁した状態で
電磁弁41…を選択的に開弁作動せしめることにより、
空気サンプルバッグ40…の希釈空気を選択的にガス分
析装置20に導いて分析することが可能である。
【0018】バッグサンプリング用通路22側におい
て、各電磁弁27…およびサンプルバッグ28…間には
それぞれ電磁弁42…が接続され、また空気サンプリン
グ用通路34側において、各電磁弁39…および空気サ
ンプルバッグ40…間にはそれぞれ電磁弁43…が接続
される。而して電磁弁42…,43…は、切換制御弁回
路45を介してポンプ44に接続されており、切換制御
弁回路45の切換作動により、サンプルバッグ28…の
捕集希釈ガスおよび空気サンプルバッグ40…の捕集希
釈空気をメイン臨界流量ベンチュリ9よりも下流側のメ
イン通路1に排出したり、エアフィルタ46を介して吸
引した空気をサンプルバッグ28…に導入したりするこ
とができる。
【0019】連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサ
ンプリング用電磁弁23の作動、ならびにブロワー3お
よびポンプ25の作動は作動制御手段47により制御さ
れる。また希釈排ガスの流量は、コンピュータから成る
流量演算手段48により演算されるものであり、この流
量演算手段48には、圧力検出器13で得られた絶対圧
力Pおよび温度検出器14で得られた温度Tが入力され
るとともに、連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサ
ンプリング用電磁弁23のオン・オフいずれの状態にあ
るかを示す信号が作動制御手段47から入力される。
【0020】なお、電磁弁27…,29…,39…,4
1…,42…,43…および切換制御回路45を構成す
る各電磁弁の作動、ならびにポンプ44の作動も作動制
御手段47により制御されるのであるが、図1では簡略
化のために信号線が省略されている。
【0021】図2において、作動制御手段47は、自動
的な作動制御プログラムが設定されているシーケンサ5
1と、手動操作によって希釈排ガスの流量を定めるメイ
ン流量設定回路52と、手動操作によってバッグサンプ
リングの時期を定めるサンプリング設定回路53と、シ
ーケンサ51で定められた自動制御プログラムにメイン
流量設定回路52およひサンプリング設定回路53によ
る手動設定プログラムを加味して最終的な制御プログラ
ムを定める統合回路54と、該統合回路54で定められ
たプログラムに従って、連続ガス分析用電磁弁19、バ
ッグサンプリング用電磁弁23、ブロワー3およびポン
プ25を駆動するための信号を出力する駆動回路55と
を備える。なお駆動回路55からは、電磁弁27…,2
9…,39…,41…,42…,43…、切換制御回路
45を構成する各電磁弁およびポンプ44を駆動する信
号も当然出力されるが、図2では、電磁弁27…,29
…,39…,41…,42…,43…、切換制御回路4
5を構成する各電磁弁およびポンプ44が省略されてい
る。
【0022】流量演算手段48は、加算回路60および
積算制御回路51を備える演算部56と、流量係数設定
部57と、瞬時流量表示器58と、積算流量表示器59
とを備える。
【0023】流量係数設定部57には、メイン臨界流量
ベンチュリ9の流量係数、連続ガス分析用臨界流量ベン
チュリ17の流量係数およびバッグサンプリング用臨界
流量ベンチュリ21の流量係数が予め設定されており、
それらのベンチュリ9,17,21が交換されるもので
あるときには、交換予定のものに対応して複数ずつ流量
係数が設定される。この流量係数設定部57で設定され
た流量係数は演算部56に入力される。
【0024】演算部56では、圧力検出器13で得られ
た絶対圧力P、温度検出器14で得られた温度T、流量
係数設定部57からの流量係数、ならびに作動制御手段
47からの連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサン
プリング用電磁弁23がオン・オフのいずれの状態にあ
るかを示す信号の入力に応じて希釈排ガスの流量が演算
される。
【0025】ところで、臨界流量ベンチュリを流通する
流量Qは、絶対圧力P、温度Tおよび流量係数Kに基づ
いて、次式 Q=K・P/T1/2 により演算されるものであり、メイン臨界流量ベンチュ
リ9の流量係数をKM とし、連続ガス分析用臨界流量ベ
ンチュリ17の流量係数をKC とし、バッグサンプリン
グ用臨界流量ベンチュリ21の流量係数をKS としたと
きに、メイン臨界流量ベンチュリ9の希釈排ガス流量Q
M 、連続ガス分析用臨界流量ベンチュリ17の希釈排ガ
ス流量QC およびバッグサンプリング用臨界流量ベンチ
ュリ21の希釈排ガス流量QS は、それぞれ次のように
なる。
【0026】QM =KM ・P/T1/2 C =KC ・P/T1/2 S =KS ・P/T1/2 したがって、連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサ
ンプリング用電磁弁23をともに閉弁して連続ガス分析
およびバッグサンプリングを実行していないときの全希
釈排ガス流量QT は、 QT =QM =KM ・P/T1/2 であり、連続ガス分析用電磁弁19を開弁するがバッグ
サンプリング用電磁弁23を閉弁して連続ガス分析を実
行するがバッグサンプリングを実行しないときの全希釈
排ガス流量QT は、 QT =QM +QC =(KM +KC )・P/T1/2 であり、連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサンプ
リング用電磁弁23をともに開弁して連続ガス分析およ
びバッグサンプリングをともに実行するときの全希釈排
ガス流量QT は、 QT =QM +QC +QS =(KM +KC +KS )・P/T1/2 である。すなわち全希釈排ガス流量QT は、各臨界流量
ベンチュリ9,17,21のうち希釈排ガスが流通して
いるベンチュリの流量係数の加算値と、絶対圧力Pおよ
び温度Tに基づいて演算することが可能であり、演算部
56は、連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサンプ
リング用電磁弁23がオン・オフのいずれの状態にある
かを示す信号が作動制御手段47から入力されるのに応
じて加算回路60で対応する流量係数の加算を行なっ
て、全希釈排ガス流量QT の演算を行なうことになる。
【0027】このようにして、演算部56では、連続ガ
ス分析用電磁弁19およびバッグサンプリング用電磁弁
23がいずれもオフ状態であることを示す信号が作動制
御手段47から入力されたときにはメイン臨界流量ベン
チュリ9の流量係数KM 、絶対圧力Pおよび温度Tに基
づいてメイン通路1を流通する全希釈排ガス流量QT
演算し、連続ガス分析用電磁弁19およびバッグサンプ
リング電磁弁23の少なくとも一方がオン状態となった
ことを示す信号が作動制御手段47から入力されたとき
には連続ガス分析用臨界流量ベンチュリ17の流量係数
C ならびにバッグサンプリング用臨界流量ベンチュリ
21の流量係数KS のうちオン状態となっている電磁弁
に対応する流量係数、絶対圧力Pおよび温度Tに基づい
てメイン通路1を流通する全希釈排ガス流量QT を演算
することになり、その演算結果としての全希釈排ガス流
量QT の瞬時値が瞬時流量表示器58に表示され、また
積算制御回路61によって積算された全希釈排ガス流量
T の積算流量が積算流量表示器59に表示される。
【0028】このようにして、流量演算手段48では、
メイン臨界流量ベンチュリ9の流量だけでなく、連続ガ
ス分析やバッグサンプリングを行なったときには、連続
ガス分析用臨界流量ベンチュリ17およびバッグサンプ
リング用臨界流量ベンチュリ21の流量を加算して、全
希釈排ガスの流量が自動的に得られるので、連続ガス分
析やバッグサンプリングに必要とされる希釈排ガス流量
の全希釈排ガス流量に占める割合が比較的大きいときで
も、希釈排ガスの全流量を容易にかつ自動的に得ること
ができ、排ガス分析の精度向上に寄与することができ
る。
【0029】以上、本発明の実施例を詳述したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計
変更を行なうことが可能である。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、流量演算
手段では、臨界流量ベンチュリの流量だけでなく、連続
ガス分析やバッグサンプリングを行なったときには、希
釈排ガスが流通している全ての臨界流量ベンチュリの流
量すなわち全希釈排ガスの流量を自動的に得ることがで
き、排ガス分析精度の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】定流量希釈サンプリング装置の全体構成を示す
系統図である。
【図2】作動制御手段および流量演算手段の構成を示す
図である。
【符号の説明】
1・・・メイン通路 2・・・混合部 3・・・メインガス吸引手段としてのブロワー 9・・・メイン臨界流量ベンチュリ 13・・・圧力検出器 14・・・温度検出器 17・・・連続ガス分析用臨界流量ベンチュリ 18・・・連続ガス分析用通路 19・・・連続ガス分析用電磁弁 21・・・バッグサンプリング用臨界流量ベンチュリ 22・・・バッグサンプリング用通路 23・・・バッグサンプリング用電磁弁 47・・・作動制御手段 48・・・流量演算手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 恭輔 東京都世田谷区玉堤1丁目19番4号 株 式会社司測研内 (56)参考文献 特開 平4−310822(JP,A) 特開 平6−3232(JP,A) 特開 平7−218339(JP,A) 特開 平10−107134(JP,A) 実開 平6−7047(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 1/22 JICSTファイル(JOIS)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内燃機関の排ガスおよび希釈空気を混合
    して希釈排ガスを得る混合部(2)およびメインガス吸
    引手段(3)間を結ぶメイン通路(1)と、該メイン通
    路(1)の途中に設けられるメイン臨界流量ベンチュリ
    (9)と、メイン臨界流量ベンチュリ(9)の上流側で
    メイン通路(1)から連続ガス分析用の希釈排ガスを吸
    引可能である連続ガス分析用通路(18)と、前記連続
    ガス分析用の希釈排ガスを流通せしめる連続ガス分析用
    臨界流量ベンチュリ(17)と、メイン臨界流量ベンチ
    ュリ(9)の上流側でメイン通路(1)からバッグサン
    プリング用の希釈排ガスを吸引可能であるバッグサンプ
    リング用通路(22)と、前記バッグサンプリング用の
    希釈排ガスを流通せしめるバッグサンプリング用臨界流
    量ベンチュリ(21)と、メインガス通路(1)から連
    続ガス分析用通路(18)への希釈排ガスの吸引をオン
    ・オフ制御する連続ガス分析用電磁弁(19)と、メイ
    ンガス通路(1)からバッグサンプリング用通路(2
    2)への希釈排ガスの吸引をオン・オフ制御するバッグ
    サンプリング用電磁弁(23)と、メイン臨界流量ベン
    チュリ(9)の上流側でのメイン通路(1)の絶対圧力
    を検出する圧力検出器(13)と、メイン臨界流量ベン
    チュリ(9)の上流側でのメイン通路(1)の温度を検
    出する温度検出器(14)とを備える内燃機関排ガスの
    定流量希釈サンプリング装置において、連続ガス分析用
    電磁弁(19)およびバッグサンプリング用電磁弁(2
    3)のオン・オフ作動を制御する作動制御手段(47)
    と、連続ガス分析用電磁弁(19)およびバッグサンプ
    リング用電磁弁(23)がいずれもオフ状態であること
    を示す信号が作動制御手段(47)から入力されたとき
    にはメイン臨界流量ベンチュリ(9)の流量係数、圧力
    検出器(13)および温度検出器(14)の検出値に基
    づいてメイン通路(1)を流通する全希釈排ガスの流量
    を演算するが連続ガス分析用電磁弁(19)およびバッ
    グサンプリング電磁弁(23)の少なくとも一方がオン
    状態となったことを示す信号が作動制御手段(47)か
    ら入力されたときにはオン状態となっている電磁弁に対
    応する臨界流量ベンチュリおよびメイン臨界流量ベンチ
    ュリ(9)の流量係数、圧力検出器(13)および温度
    検出器(14)の検出値に基づいて全希釈排ガスの流量
    を演算する流量演算手段(48)とを含むことを特徴と
    する内燃機関排ガスの定流量希釈サンプリング装置。
JP26283796A 1996-10-03 1996-10-03 内燃機関排ガスの定流量希釈サンプリング装置 Expired - Fee Related JP3284059B2 (ja)

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