JP3283251B2 - Resist processing apparatus - Google Patents

Resist processing apparatus

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JP3283251B2
JP3283251B2 JP2000158528A JP2000158528A JP3283251B2 JP 3283251 B2 JP3283251 B2 JP 3283251B2 JP 2000158528 A JP2000158528 A JP 2000158528A JP 2000158528 A JP2000158528 A JP 2000158528A JP 3283251 B2 JP3283251 B2 JP 3283251B2
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト処理装置に係り、とくに半導体ウエハの表面に形成されたフォトレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理装置に関する。 The present invention relates to relates to a resist processing apparatus, particularly relates to a developing apparatus for developing by supplying a developing solution to the photoresist film formed on the surface of the semiconductor wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処理体としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、 In the manufacture of semiconductor devices, coated with a photoresist on a semiconductor wafer as an object to be processed,
フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンをフォトレジストに転写し、これを現像処理することにより回路が形成される。 Transferring a circuit pattern on the photoresist by photolithography, the circuit is formed by developing this.

【0003】この現像処理においては、現像液を現像液供給ノズルから被処理体としての半導体ウエハ上に供給し、現像液をその表面張力によって液盛りして所定時間保持することにより、回路パターンの現像を行う方式が一般的に採用されている。 [0003] In this developing process, the developer is supplied from the developer supply nozzle onto the semiconductor wafer as an object to be processed, by maintaining a predetermined time by a puddle of developer by its surface tension, the circuit pattern method of performing development is generally employed.

【0004】そして、近時、現像液を均一に供給する観点から、このような方式として、例えば、多数のノズル孔を直線上に配列した現像液供給ノズルを用い、このノズルから現像液を滲み出させつつ半導体ウエハを低速回転させて現像液を半導体ウエハ全体に押し広げるパドル型が採用されている。 [0004] Then, in recent years, the developer from the uniform supply point of view, as such a method, for example, using a developer supply nozzle having an array of a large number of nozzle holes on a straight line, bleeding the developer from the nozzle paddle type push the issued allowed while the semiconductor wafer developer by low speed throughout the semiconductor wafer is employed.

【0005】ところで、タンク内の現像液を窒素ガスによりノズルに向けて圧送する方法を一般的に採用しているため、この圧送ガスの一部が現像液中に溶け込み、溶存ガス成分としてノズルまで到達し、ノズルから現像液を吐出させた途端に溶存ガス成分が気体として実体化し、これが気泡となって半導体ウェハ上の液盛り現像液中に出現するという問題がある。 Meanwhile, since the commonly employed methods of pumping toward the developer tank to the nozzle by a nitrogen gas, a portion of the pressurized gas dissolves in the developing solution, to the nozzle as a dissolved gas component reached, dissolved gas component as soon as is ejected developer from the nozzle materializes as a gas, which is a problem that appears in the puddle developing solution on the semiconductor wafer as bubbles. このような気泡が液盛りされた現像液中に存在すると、レジスト塗膜面に現像液が接触しない部分が生じ、この非現像部分が欠陥となる。 If such bubbles are present in the developing solution which is puddled, resist coating surface portion a developer does not contact the occurs, the non-development portion is defective.

【0006】このような問題を解決するために、従来、 [0006] In order to solve such a problem, conventionally,
現像液を減圧状態で脱泡する方法(実開昭62−379 How to degassing the developing solution under a reduced pressure (Japanese Utility Model 62-379
23号公報)や、破泡剤を用いて現像液中の気泡を消失させる方法(特開昭61−259523号公報)が提案されている。 23 JP) and a method of eliminating bubbles in the developer using a foam breaking agent (JP 61-259523 JP) have been proposed.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した実開昭62−37923号公報に記載された減圧状態で脱泡する方法では現像液中の水が蒸発することにより現像液の濃度が変化してしまう。 However [0005] In the method of degassing under a reduced pressure as described in Japanese Unexamined Utility Model Publication No. 62-37923 mentioned above the concentration of the developing solution changes by water in the developing solution is evaporated and will. また、最近の回路パターンの微細化に伴い、レジストがより高性能化つまり高解像度化されており、従来問題とならなかった微細気泡によっても現像不良がもたらされ、上述した従来の脱気方法ではこのような微細気泡を十分に除去することができない。 Further, with the miniaturization of recent circuit patterns, the resist has been higher performance, i.e. high resolution, development defect brought about by fine bubbles that could not become a conventional problem, the conventional degassing method described above in can not be sufficiently removed such fine air bubbles.

【0008】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、現像液の濃度を変化させずに現像液中に溶け込んでいる溶存ガス成分を除去することができ、現像欠陥を生じないレジスト処理装置を提供することを目的とする。 [0008] The present invention was made in view of such circumstances, it is possible to remove the dissolved gas component is dissolved in the developer without changing the concentration of the developing solution, no development defects and to provide a resist processing apparatus.

【0009】また、高解像度用レジストを現像する場合に問題となる微細気泡を発生させることなく高精度に現像処理を行うことができるレジスト処理装置を提供することを目的とする。 [0009] Another object of the invention is to provide a resist processing apparatus capable of performing a developing process with high accuracy without generating fine bubbles which becomes a problem when developing the high-resolution resist.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト処理装置は、基板に塗布されたレジスト塗膜に現像液を接触させて該レジスト塗膜を現像処理するレジスト処理装置であって、レジスト塗膜に現像液を吐出供給するノズルと、現像液供給源に加圧ガスを導入して現像液を前記ノズルに向けてガス圧送する現像液送出手段と、この現像液送出手段と前記ノズルとの間に設けられ、前記ノズルから吐出される前の現像液を脱気する処理液脱気機構とを具備し、前記処理液脱気機構は、第1の径を有し、 Resist processing apparatus according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION is a resist processing apparatus to resist coating film applied to a substrate by contacting the developer to developing the resist coating, resist coating a nozzle discharge for supplying a developing solution to the membrane, the developer sending means for gas pumping towards the nozzle the developer by introducing pressurized gas into the developing solution supply source, and said nozzle and the developing solution delivery means provided between, comprising a processing liquid degassing mechanism for degassing the developing solution before discharged from the nozzle, the treatment liquid degassing mechanism includes a first diameter,
多孔質材料製の第1チューブと、前記第1の径よりも大きい第2の径を有し、前記第1チューブとの間に現像液が通流する流路を形成する多孔質材料製の第2チューブと、前記第2の径よりも大きい第3の径を有し、非多孔質材料製の第3チューブと、前記第1チューブの内側に設けられた内側排気手段と、前記第2チューブと前記第3チューブとの間に設けられた外側排気手段と、を具備することを特徴とする。 A first tube of porous material-made, has the second diameter greater than the first diameter, a porous material made of the developing solution between the first tube to form a flow path for flowing a second tube having a third diameter larger than the second diameter, and made of the third tube nonporous material, and an inner exhaust means provided inside of the first tube, the second characterized in that it comprises a an outer exhaust means provided between the tube and the third tube.

【0011】また、本発明において、処理液脱気機構としては、多孔質材料製(例えば、平均孔径が0.2〜 [0011] In the present invention, the processing solution deaeration mechanism, a porous material made (e.g., an average pore size of 0.2
0.8μmのポリテトラフルオロエチレン製)の最小径の第1チューブと、中間径の第2チューブと、非多孔質材料製の最大径の第3チューブとを3重に配設して構成され、前記第1チューブの内側に内側排気手段が設けられ、前記第2チューブと前記第3チューブとの間に外側排気手段が設けられ、第1チューブと第2チューブとの間に形成される通路内を通液するものでもよい。 A first tube minimum diameter of 0.8μm made of polytetrafluoroethylene), a second tube intermediate diameter, is constructed by disposing a third tube with the largest diameter made of non-porous material in triplicate the inner exhaust means provided inside the first tube, wherein the outer gas exhaust means is provided between the second tube and the third tube, passage formed between the first tube and the second tube inner may be one passing liquid.

【0012】ここで、気泡とは、液中に溶解したガス成分(溶存ガス成分)および現像液を通流する管中の気体の両方を含む意味である。 [0012] Here, air bubbles are meant to include both gases in the tube flowing through the gas component (dissolved gas components) and a developing solution prepared by dissolving in the liquid.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】本発明のレジスト処理装置によれば、気液分離機能を有する部材を介して処理液を排気するので、処理液自体は排出されずにその中の気体のみが分離される。 According to the resist processing apparatus of the embodiment of the present invention, since the evacuated through the member processing solution having a gas-liquid separation function, the process liquid itself is only the gas therein without being discharged is separated that. 従って、処理液の濃度を極力変化させずにその中の気泡(気体成分)を除去することができる。 Therefore, it is possible to remove air bubbles (gas component) therein the concentration of the treatment liquid without utmost changed.

【0014】また、本発明によれば、気液分離機能を有し、管軸方向に沿って形成された複数の突出部を有する管状部材内または3重構造の多孔質/多孔質/非多孔質チューブ内に現像液を通流させ、その外部を排気することにより気液分離機能部材の壁部を介して気体成分(溶存ガス成分)を現像液から分離除去するので、気体成分が排出される表面積が大きくなり極めて効率良く現像液から気体成分のみを除去することができる。 Further, according to the present invention has a gas-liquid separation function, a porous / porous / non-porous tubular member or triple structure having a plurality of protrusions formed along the tube axis direction flowed through the developer in the quality tube, since the gas component (dissolved gas component) is separated and removed from the developing solution through the walls of the gas-liquid separation function member by evacuating the outside, the gas component is discharged only it can be removed gaseous component from very efficiently developer that surface area increases. 従って、現像液の濃度を変化させずにその中の溶存気体を除去することができ、かつ高解像度のレジストを現像する場合に問題となる微細気泡を発生させることなく高精度でレジスト処理を行うことができる。 Therefore, the developer density can remove dissolved gases therein without changing the, and the resist process with a high precision without generating fine bubbles which becomes a problem when developing the high-resolution resist be able to.

【0015】すなわち、従来の単に減圧状態で脱気する方法では、処理液内部まで完全に脱気されず、処理液が被処理体に衝突した際に処理液中に残存した気体が微細気泡となって被処理体に付着し、また破泡剤を用いて処理液中の気泡を消失させる方法の場合にも処理液を完全に脱気することはできず、残存した気体成分が微細気泡を形成するが、本発明では、気液分離機能を有する複数の管状体を介して効率良く気体のみを除去できるので、 [0015] That is, in the conventional method of simply deaerated under a reduced pressure, not completely degassed until the internal process liquid, the gas treatment liquid remained in the treatment solution when colliding with the object to be processed and the fine bubbles is attached to an object to be processed, also can not be completely deaerated processing solution in the case of a method of eliminating bubbles in the process liquid using a foam breaking agent, remaining gaseous components microbubbles It will form, in the present invention, it is possible only to remove efficiently the gas through a plurality of tubular bodies having a gas-liquid separating function,
処理液濃度を変化させることなく微細気泡の発生を略完全に防止することができるのである。 It substantially can be completely prevented the occurrence of fine bubbles without changing the processing solution concentration.

【0016】本発明のレジスト処理装置において、処理液脱気機構を3重構造を有する多孔質チューブで構成した場合、処理液は多孔質チューブ間を通流し、チューブの内側と外側とから同時に脱気することが可能であるので、単独かつ通路が短いチューブであっても、高い効率で脱気をすることができる。 [0016] In the resist processing apparatus of the present invention, when constituting the processing solution deaeration mechanism porous tube having a triple structure, the treatment liquid flows through the inter-porous tube, simultaneously with the inner and outer tubes de since it is possible to air, even alone and passage a short tube, it is possible to degassing at high efficiency. その結果、脱気機構を小型化できるとともに、処理の均一化が図れ、歩留まりも向上する。 As a result, it compact degassing mechanism, Hakare the uniformity of treatment is also improved yield.

【0017】また、3重構造を有する多孔質チューブの第1チューブ(最内層)と第2チューブ(中間層)とを蛇腹構造にすることにより、脱気用チュ−ブと処理液との接触面積を拡大することができるので、脱気効率をさらに高めることができる。 Further, by the first tube of porous tube having a triple structure (innermost layer) and a second tube (the intermediate layer) on the bellows structure, deaerating Ju - contact between blanking and processing liquid it is possible to increase the area, it is possible to further improve the degassing efficiency. そして、その際に通液経路、 Then, it passed through the route at that time,
すなわち脱気経路の略水平方向断面が略同一面積を有するように、すなわち蛇腹の山と山、谷と谷同士のピッチが合うように第1チューブと第2チューブとを配置することにより、安定した流路が確保でき、すなわち流量の乱れを防止し、処理液の安定供給が可能となる。 That way have substantially the same area substantially horizontal section of the degassing passage, namely bellows crests, by arranging the first tube and the second tube so that the pitch between the troughs fit, stable flow paths can be secured, namely to prevent flow disturbance, it is possible to stably supply the processing solution.

【0018】また、平均孔径0.2〜0.8μmを有するポリテトラフルオロエチレン製の多孔質チューブは優れた耐液圧性を有するので、この多孔質チューブを第1 Moreover, since polytetrafluoroethylene porous tube having an average pore size 0.2~0.8μm has excellent liquid-pressure property, the porous tube first
チューブおよび第2チューブとして使用することにより、脱気効率を高めるために液比(脱気膜を挟んで液側と真空側との間の圧力差)を上げることができる。 The use as a tube and the second tube, it is possible to raise the liquor ratio (pressure difference between the sides of the degassing membrane liquid side and the vacuum side) in order to increase the degassing efficiency.

【0019】以下、本発明の実施例について図面を参照して具体的に説明する。 [0019] will be specifically described with reference to the accompanying drawings embodiments of the present invention. 図1は、本発明の現像処理装置を組み込んだ基板の塗布・現像処理装置を示す概略図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing a coating and developing apparatus of the substrate incorporating the developing apparatus of the present invention. この塗布・現像処理装置は、主にロード・アンロード部94、第1処理部95、第2処理部96、および露光装置93から構成されている。 The coating and developing apparatus is composed primarily of load-unload portion 94, the first processing section 95, the second processing section 96, and the exposure device 93. 図1中71はロード・アンロード部94のキャリアステージを示す。 In FIG. 1, 71 shows the career stage of the load-unload section 94. このキャリアステージ71には、処理前の被処理体である基板を複数枚収納するキャリアC1および処理後の基板を収納するキャリアC2が載置されている。 This carrier stage 71, a carrier C2 for housing the substrate after the carrier C1 and the processing for accommodating a plurality of substrates to be processed body before treatment is placed. また、ロード・ In addition, the load
アンロード部94には、キャリアC1およびC2の開口部から基板の搬入・搬出を行うピンセット72が載置されている。 The unloading section 94, tweezers 72 through an opening of the carrier C1 and C2 perform the loading and unloading of the substrate is placed. 第1および第2処理部の中央部には、基板搬送用のメインアーム73,74がそれぞれ配置されている。 In the center of the first and second processing unit, the main arm 73, 74 for substrate transfer is arranged. また、第1処理部95と第2処理部96との間には、受け渡し台75が載置されている。 Further, the first processing unit 95 is provided between the second processing unit 96, delivery table 75 is placed.

【0020】メインアーム73の搬送路の両側には、ブラシ洗浄装置81、ジェット水洗部82、塗布装置8 [0020] On both sides of the transport path of the main arm 73, the brush cleaning apparatus 81, a jet water washing unit 82, the coating device 8
3、アドヒージョン処理部84、および冷却処理部85 3, an adhesion processing unit 84, and the cooling processing unit 85
が配置されており、メインアーム74の搬送路の両側には、加熱処理部86および現像処理部87が配置されている。 There are disposed on both sides of the transport path of the main arm 74, the heating unit 86 and the developing unit 87 is disposed. また、第2処理部96と露光装置93との間には、ピンセット91および受け渡し台92が配置されている。 Between the second processing unit 96 and the exposure device 93, the tweezers 91 and the delivery table 92 is arranged.

【0021】上記構成を有する塗布・現像処理装置において、カセットC1内に収容された未処理の基板は、ピンセット72によって取り出された後、メインアーム7 [0021] In the coating and developing apparatus with the above configuration, unprocessed substrate housed in the cassette C1, after being picked by forceps 72, the main arm 7
3に受け渡され、ブラシ洗浄部81内に搬送される。 Receiving passed to 3, it is transported into the brush cleaning unit 81. このブラシ洗浄部81内においてブラシ洗浄された基板は、必要に応じて引き続いてジェット水洗浄部82内において高圧ジェット水により洗浄される。 The substrate was brush cleaning in a brush cleaning unit 81 is cleaned by high-pressure jet water subsequently optionally in a jet water cleaning unit 82. その後、基板は、アドヒージョン処理部84において疎水化処理が施され、冷却処理部85において冷却された後、塗布装置85においてフォトレジスト膜、すなわち感光膜が塗布形成される。 Thereafter, the substrate, in the adhesion process unit 84 hydrophobic treatment is performed, after being cooled in the cooling processing unit 85, a photoresist film, i.e., a photosensitive film is formed by coating the coating apparatus 85. その後、露光装置93において露光処理が施されてフォトレジスト膜に所定のパターンが転写される。 Thereafter, a predetermined pattern is transferred to the photoresist film exposing process is performed in the exposure apparatus 93. そして、露光後の基板は現像処理部87内へ搬送され、処理液脱気機構300により脱気された現像液により現像された後、リンス液により現像液が洗い流され、 Then, the substrate after the exposure is transported to the development processing unit 87, after being developed by a developing solution which has been deaerated by the processing solution deaeration mechanism 300, the developing solution is washed away by the rinsing liquid,
これにより現像処理が終了する。 This development process is completed.

【0022】図2は本発明の現像処理装置の一実施例を示す模式図である。 [0022] FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of a developing apparatus of the present invention. 図2中1はタンクを示す。 2 in 1 indicates a tank. タンク1 Tank 1
には現像液2が貯留されており、タンク1には、例えば窒素ガス等の圧送ガスを貯蔵したガスボンベ3が配管4 And the developer 2 stored in, the tank 1, the gas cylinder 3 is piping 4 which stores a pressurized gas, for example nitrogen gas or the like
を介して接続されている。 It is connected via a. また、タンク1内の現像液2 The developing solution 2 in the tank 1
には、配管5の端部が浸漬されおり、配管5の途中には、中間タンク6および処理液脱気機構7が順に設けられている。 The end portion of the pipe 5 has been immersed, in the middle of the pipe 5, intermediate tank 6 and the treatment liquid deaeration mechanism 7 are provided in order. そして、タンク1内の現像液2は、ガスボンベ3内の圧送ガス、例えば窒素ガスが配管4を介してタンク1に供給されることにより、配管5を通ってノズル12に向けて圧送される。 Then, the developer 2 inside the tank 1 is pressurized gas in the gas cylinder 3, for example, by nitrogen gas is supplied to the tank 1 via the pipe 4, it is pumped towards the nozzle 12 through the pipe 5.

【0023】処理液脱気機構7の下流側で配管5は配管5aと配管5bとに分かれ、各配管には、ノズル12に至るまでに、それぞれフローメーター8a,8b、フィルター9a,9b、ウォータージャケット10a,10 [0023] The pipe 5 downstream of the processing solution deaeration mechanism 7 divided into a the pipe 5a pipe 5b, each pipe, to reach the nozzle 12, respectively flow meter 8a, 8b, filters 9a, 9b, Water jacket 10a, 10
b、エアオペレションバルブ11a,11bが順に設けられており、ノズル12には、これら2つの配管を介して2カ所から現像液が導入される。 b, the air operated les Deployment valves 11a, 11b are provided in this order, the nozzle 12, the developer is introduced from through these two pipes 2 places.

【0024】一方、現像部13は、基板、例えば半導体ウエハWを吸着保持するチャック14と、チャック14 On the other hand, the developing unit 13, a substrate, for example a chuck 14 for attracting and holding a semiconductor the wafer W, the chuck 14
を回転させるモータ15と、チャック14に保持された半導体ウエハWを囲繞するカップ16とを備えている。 A motor 15 for rotating the, and a cup 16 surrounding the wafer W held by the chuck 14.

【0025】上記中間タンク6の外側には、例えば静電容量センサからなるリミットセンサ6aおよびエンプティセンサ6bが設けられており、これらからの信号が図示しないコントローラに出力され、現像液の液面の位置が制御される。 [0025] On the outside of the intermediate tank 6, for example, limit sensors 6a and empty sensor 6b made of the electrostatic capacitance sensor is provided, signals from these are output to a controller (not shown), the liquid level of the developing solution position is controlled. そして、配管5a,5bを通流する現像液2は、フローメーター8a,8bにより流量が制御され、さらにフィルター9a,9bにより不純物等が除去される。 The developing solution 2 flowing through the pipe 5a, 5b are flow meters 8a, the flow rate is controlled by 8b, further filters 9a, impurities are removed by 9b. また、ウォータージャケット10a,10bには温度調節された水が循環され、これにより配管5a, Further, water jackets 10a, the water whose temperature is regulated is circulated to 10b, thereby the pipe 5a,
5bを通流する現像液2の温度が制御される。 Temperature of the developing solution 2 flowing through the 5b is controlled.

【0026】このようにして処理された現像液2はノズル12に送られ、ノズル12からチャック14上の半導体ウエハW上に供給されて現像処理が行われる。 The developer 2 which has been processed in this way is sent to the nozzle 12, the development processing is carried out is supplied from the nozzle 12 onto the semiconductor wafer W on the chuck 14. 次に、 next,
ノズル12について説明する。 Nozzle 12 will be described. このノズル12は、図3 The nozzle 12, Fig. 3
およびそのIV−IV線に沿う断面図である図4に示すように、側壁21および底壁22によって規定される現像液収容室23を有している。 And FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV, and a developer accommodating chamber 23 defined by sidewalls 21 and bottom wall 22. 収容室23の上部開口は、蓋部材24により閉塞されており、蓋部材24と側壁21 Upper opening of the receiving chamber 23 is closed by a lid member 24, the lid member 24 and the side wall 21
との間はパッキン25でシールされている。 Between it is sealed with packing 25 and. 蓋部材24 Lid member 24
には、2カ所に現像液供給口27が設けられており、配管5aおよび5bを通って送られてきた現像液2が2つの供給口27を介して現像液収容室23内に供給され、 The developing solution supply port 27 to the two positions is provided, it is supplied developer 2 sent through the pipe 5a and 5b via the two supply ports 27 in the developer accommodating chamber 23,
その中に収容される。 It contained therein. 底壁22には、その長手方向に沿って複数の液吐出孔28が形成されており、この液吐出孔28から現像液2が半導体ウエハW上に供給される。 The bottom wall 22, a plurality of liquid discharge holes 28 are formed along the longitudinal direction thereof, the developer 2 is supplied onto the semiconductor wafer W from the liquid discharge hole 28.
そして、このノズル12の水平方向の長さは、半導体ウエハWの直径とほぼ一致している。 The horizontal length of the nozzle 12 substantially coincides with the diameter of the semiconductor wafer W.

【0027】実際に、このノズル12から現像液2を半導体ウエハWに供給する際には、図5に示すように、ノズル12をウエハWの中央上方に位置させ、液吐出孔2 [0027] Indeed, when supplying the developing solution 2 on the semiconductor wafer W from the nozzle 12, as shown in FIG. 5, to position the nozzle 12 above the center of the wafer W, the liquid discharge hole 2
8から半導体ウエハW上に現像液を吐出させつつモータ15により半導体ウエハWを1/2回転させる。 8 1/2 to rotate the semiconductor wafer W by the motor 15 while discharging the developing solution on the semiconductor wafer W from. これにより、所定の厚さの現像液2が半導体ウエハ2の上に液盛りされる。 Thus, the developer 2 having a predetermined thickness is puddled on the semiconductor wafer 2.

【0028】なお、この現像液の液盛りの際に、現像液を吐出させる前に、純水を吐出させてフォトレジスト膜上に純水の液膜を形成することが好ましい。 [0028] Note that when the puddle of the developing solution, prior to discharge of the developer, it is preferable to form a pure liquid film on the photoresist film by ejecting pure water. このように、純水の液膜をあらかじめ形成することにより、現像液を吐出させることによるフォトレジスト膜への影響、 Thus, by previously forming a liquid film of the pure water, the impact on the photoresist film by ejecting a developing solution,
例えばファーストインパクトを緩和することができる。 For example, it is possible to mitigate the first impact.
この結果、ファーストインパクト等に起因する欠陥を少なくすることができる。 As a result, it is possible to reduce the defects due to first impact and the like.

【0029】次に、処理液脱気機構7について説明する。 [0029] Next, a description will be given of the processing solution deaeration mechanism 7. 図6は処理液脱気機構7の一例を示す断面図である。 6 is a sectional view showing an example of a processing solution deaeration mechanism 7. この処理液脱気機構7は、密閉容器31と、密閉容器31内に処理液2を導入する導入口32と、密閉容器31から処理液を送出する送出口33と、密閉容器31 The processing solution deaeration mechanism 7 includes a closed container 31, an inlet 32 ​​for introducing the treated liquid 2 into the closed vessel 31, a delivery port 33 for delivering the process liquid from the sealed container 31, sealed container 31
内の導入口32および送出口33の上方に容器内を水平に仕切るように設けられた気液分離機能を有する仕切り部材34と、密閉容器の上壁に接続された排気管35 A partition member 34 having a gas-liquid separation function provided to partition the horizontally above into the container inlet 32 ​​and outlet 33 of the inner, exhaust pipe 35 connected to the top wall of the sealed container
と、排気管35を介して容器31内を排気するための真空ポンプ36とを備えている。 When, and a vacuum pump 36 for evacuating the inside of the container 31 through the exhaust pipe 35.

【0030】気液分離機能を有する仕切り部材34は、 The partition member 34 having a gas-liquid separation function,
通常の多孔質体とは異なり、気体は通過するが液体は通過しない性質を有するいわゆる非多孔質体である。 Unlike regular porous body, the gas liquid but passes are so-called non-porous material having a property of not passing. このような材料としては、ポリテトラフルオロエチレン(P Such materials include polytetrafluoroethylene (P
TFE)、ポリエチレン、ポリカーボネート等が挙げられる。 TFE), polyethylene, polycarbonate, and the like.

【0031】そして、真空ポンプ36が作動されることにより容器31内が排気されると、導入口32から容器31の仕切り部材34の下の部分に導入された現像液は、気液分離機能を有する仕切り部材34を介して脱気され、その中に含有されている気体が分離される。 [0031] When the container 31 by the vacuum pump 36 is actuated is discharged, the developer introduced into the lower portion of the partition member 34 of the container 31 from the inlet 32, the gas-liquid separating function degassed via a partition member 34 having the gas that is contained therein is separated. 気体が分離された現像液2は送出口33からノズル12に向けて送出される。 Developer 2 that gas has been separated is sent toward the outlet port 33 to the nozzle 12.

【0032】このような処理液脱気機構を設けた場合には、気液分離機能を有する仕切り部材34を介して現像液を脱気するので、現像液自体は除去されず気体のみを除去することができる。 [0032] When provided with such a treatment solution deaeration mechanism, because degassing the developing solution through the partition member 34 having a gas-liquid separation function, the developer itself to remove only the gas not removed be able to. 従って、現像液の濃度を変化させることなく現像液を脱気することができる。 Therefore, it is possible to degas the developer without changing the concentration of the developing solution. また、このように現像液が除去されないことから、真空脱気をより強力にすることができ、従来よりも残存する気体量を少なくすることができ、被処理体としての半導体ウェハに微細気泡が付着する割合を低くすることができる。 Further, since the developing solution is not removed as can be more powerful vacuum degassing than conventional can be reduced amount of gas remaining fine bubbles into the semiconductor wafer as an object to be processed is it is possible to reduce the rate of deposition.

【0033】次に、より進んだ処理液脱気機構の例について図7を参照して説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 7 for an example of a more advanced processing solution deaeration mechanism. この例では、図6と同様の現像液2を導入する導入口32と、これを送出する送出口33とを備えた密閉容器31を有し、図6の機構と同様、排気管35および真空ポンプ36を有している。 In this example, it has an inlet 32 ​​for introducing the developer 2 similar to FIG. 6, a closed container 31 having a delivery port 33 and sends this, similar to the mechanism of Figure 6, the exhaust pipe 35 and a vacuum and it has a pump 36.
この例では、仕切り部材34の代わりに、導入口32から送出口33に至る複数の管部材38を備えている。 In this example, in place of the partition member 34 is provided with a plurality of tubular members 38 extending in the outlet port 33 from the inlet 32. この管部材38は、上述の仕切り部材34と同様の気液分離機能を有する材料、例えばPTFEで構成されている。 The tube member 38 is made of a material having a similar gas-liquid separation function and the partition member 34 described above, for example PTFE.

【0034】そして、真空ポンプ36が作動されることにより容器31内が排気されると、管部材38を通流する現像液は、その壁部を介して脱気され、その中に含有されている気体が分離される。 [0034] When the container 31 is evacuated by the vacuum pump 36 is actuated, the developer flowing through the pipe member 38 is deaerated through the wall portion, it is contained therein gas are are separated. 気体が分離された現像液2は送出口33からノズル12に向けて送出される。 Developer 2 that gas has been separated is sent toward the outlet port 33 to the nozzle 12.

【0035】このような処理液脱気機構を設けた場合には、気液分離機能を有する複数の管部材38に現像液を通流させ、現像液をその壁部を介して排気することにより処理液から気体成分を分離するので、気体が排出される表面積が大きくなり極めて効率良く処理液から気体成分のみを除去することができる。 [0035] When provided with such a treatment solution deaeration mechanism, the plurality of tubular members 38 having a gas-liquid separation function flowed through the developing solution, the developing solution by evacuating through the wall portion since the separation of gaseous components from the treatment liquid, the gas can be removed only gaseous components from very efficiently processing solution increases the surface area to be discharged. 従って、処理液の濃度を変化させずにその中の気体成分を除去することはもちろんのこと、高解像度用レジストを現像する場合に問題となる微細気泡を発生させることなく高精度で現像処理を行うことができる。 Therefore, of course possible to remove the gaseous components therein without changing the concentration of the processing solution, a developing process with high precision without generating fine bubbles which becomes a problem when developing the high-resolution resist It can be carried out.

【0036】このような効果を奏する観点からは、気液分離機能を有する管部材38は、細くかつ本数が多いほど好ましく、内径1mm以下、本数は100本以上が好ましい。 [0036] From the viewpoint exert such an effect, the tube member 38 having a gas-liquid separation function, preferably the more thin and number, an inner diameter of 1mm or less, the number is preferably at least 100.

【0037】また、図11(A)および図11(B)に示すような管部材39を用いてもよい。 [0037] It is also possible to use a tubular member 39 as shown in FIG. 11 (A) and FIG. 11 (B). すなわち、図1 That is, FIG. 1
1に示す例では、仕切り部材34の代わりに、導入口3 In the example shown in 1, in place of the partition member 34, inlet 3
2から送出口33に至る断面において複数の突出部を有する管部材39を備えている。 And a tubular member 39 having a plurality of projections in the cross section leading to the outlet port 33 from 2. この管部材39は、上述の仕切り部材34と同様の気液分離機能を有する材料、 The tube member 39 is made of a material having a similar gas-liquid separation function and the partition member 34 described above,
例えばPTFEの多孔質体で構成されている。 For example constituted by a porous body of PTFE. このような構成にすることにより、上記管部材38(平坦な管材)に比べて脱気膜面積を飛躍的に増加させ、高い効率で気体成分の除去を行うことができる。 With such a configuration, the pipe member 38 greatly increases the degassing membrane area than the (flat tube), it can be removed gaseous component with high efficiency.

【0038】なお、図6、図7、図11の処理液脱気機構はいずれも、圧送ガス以外の他の不純物ガスを有効に除去することができる。 [0038] Note that FIG. 6, FIG. 7, the processing solution deaeration mechanism 11 both can effectively remove other impurity gases other than pressurized gas. 従って、不所望な反応が生じることを防止することができ、ゲル化等を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent the undesired reaction occurs, it is possible to prevent gelation and the like.

【0039】上記図7に示す処理液脱気機構を備えた現像処理装置と、従来の現像処理装置とを用いて、実際に高解像度レジストを塗布した8インチウエハに現像処理を施し、現像欠陥を観察した結果、従来の装置の場合には、ウエハの最初にノズルがあった位置に対応する部分を中心として数十個の現像欠陥があったのに対し、図7 [0039] Using the above 7 developing apparatus having a processing solution deaeration mechanism shown in, the conventional developing apparatus, the developing processing on the 8-inch wafer was actually applied to a high resolution resist, development defect the observed results are in the case of the conventional device, whereas there is dozens of development defect around the first portion corresponding to a position where there is a nozzle of the wafer, Fig. 7
の脱気機構を備えた実施例の現像処理装置では、現像欠陥が全く発生しなかった。 In the development processing apparatus of the embodiment having the degassing mechanism of development defect did not occur at all. このことから本発明の効果が確認された。 Effect of the present invention from this it was confirmed.

【0040】なお、上記例では処理液脱気機構を中間タンク6とフローメーター8a,8bとの間に設けたが、 [0040] Incidentally, intermediate tank 6 and flow meter 8a processing solution deaeration mechanism in the above example, is provided between the 8b,
その位置に限らず、フィルター9a,9bの下流側、例えば図8に示すように、ウォータージャケット10a, Is not limited to that position, the filter 9a, downstream of 9b, as shown in FIG. 8, the water jacket 10a,
10bとエアオペレーションバルブ11a,11bとの間に設けてもよい(図では参照符号7a,7bで示す)。 10b and the air operation valves 11a, may be provided between the 11b (in the figure indicated by reference numeral 7a, 7b). このように、処理液脱気機構をフィルターの下流側に設けることにより、フィルターを通過する時に大きな気泡をトラップすることができるため、脱気能力の向上が予測される。 Thus, by providing a process solution deaeration mechanism on the downstream side of the filter, it is possible to trap large bubbles when passing through the filter, improving deaeration capability is expected.

【0041】また、ノズルも上記構造のものに限らず、 [0041] In addition, the nozzle is also not limited to the above structure,
図9に示すようなストリームノズル42であってもよいし、図10に示すようにノズル本体43に複数のノズル44が設けられたマルチノズルタイプであってもよい。 May be a stream nozzle 42 as shown in FIG. 9, or may be a multi-nozzle type having a plurality of nozzles 44 in the nozzle body 43 is provided as shown in FIG. 10.
これらはいずれも被処理体としての半導体ウエハWを回転させつつ、ノズルを直線的に移動させる。 These are all while rotating the semiconductor wafer W as an object to be processed, moving the nozzle in a straight line.

【0042】これらストリームノズル、およびマルチノズルを用いた場合には、従来の現像装置では微細気泡が発生しやすいが、本発明の処理液脱気機構を用いることにより、微細気泡の発生をほぼ完全に防止することができ、高解像度のレジストを現像する場合にも現像欠陥を実質的になくすることができる。 [0042] in the case of using these streams nozzle, and a multi-nozzle, fine bubbles are likely to occur in the conventional developing apparatus, but the treatment liquid is used deaeration mechanism of the present invention, almost completely the occurrence of fine bubbles it is possible to prevent, even in the case of developing a high-resolution resist can be no development defects substantially.

【0043】ちなみに、ストリームノズルを用いて従来の現像処理装置によりウエハ上の高解像度レジストを現像した結果、数百個の現像欠陥が観察されたのに対し、 [0043] Incidentally, while the result of developing a high-resolution resist on the wafer by a conventional developing device using a stream nozzle, hundreds of development defects were observed,
図7の脱気機構を採用した現像処理装置で現像した場合には現像欠陥は全く発生しなかった。 Development defects when developed in the development processing apparatus employing an deaeration mechanism 7 did not occur at all. また、マルチノズルを用いて従来の現像処理装置によりウエハ上の高解像度レジストを現像した結果、1万個以上の現像欠陥が観察されたが、図7の脱気機構を採用した現像処理装置で現像した場合には現像欠陥は十数個程度であった。 As a result of developing a high-resolution resist on the wafer by a conventional developing apparatus using a multi-nozzle, but more than 10,000 development defects were observed, in the processing apparatus employs a degassing mechanism in FIG. 7 development defects when development was a dozen or so.

【0044】本発明の現像処理方法における処理液脱気機構の脱気条件は、減圧力、フォトレジストの種類、脱気時間、現像液濃度等を考慮して適宜選択することが望ましい。 The degassing condition of the processing solution deaeration mechanism in the development processing method of the present invention, the reduced pressure, the kind of the photoresist, degassing time, it is desirable to be suitably selected in consideration of the developer concentration, and the like. 例えば、あまり高い減圧力で脱気を行うと、現像液が環境温度以下で沸騰し始めて水蒸気化し、水分が膜を透過してしまい、現像液の濃度が高くなる。 For example, when the deaeration at too high vacuum force, the developer begins to boil below ambient temperature steam of, water will pass through the membrane, the concentration of the developing solution is increased. この場合、すなわち減圧力が高すぎると、図12に示すように、現像処理が不安定となり、図12に示すように、線幅が狭くなる現象が起きる。 In this case, i.e. when the vacuum force is too high, as shown in FIG. 12, the development processing becomes unstable, as shown in FIG. 12, it occurs a phenomenon that the line width is reduced. また、図13および図14 13 and 14
に示すように、フォトレジストの種類(X,Y,Z)、 As shown in, the type of photoresist (X, Y, Z),
脱気時間、および減圧力により、現像液濃度(図13) Degassing time, and the vacuum force, the developer concentration (Figure 13)
や最低露光時間(Eth)が変化することが分かる。 And the minimum exposure time (Eth) it can be seen to change.

【0045】なお、上記実施例では被処理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに限らず、例えば液晶表示基板であってもよい。 [0045] In the above embodiment has shown an example in which a semiconductor wafer as an object to be processed is not limited to this, for example, it may be a liquid crystal display substrate. その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。 Other can be variously modified without departing from the scope of the present invention.

【0046】(実施例2)図15は、本発明の現像処理装置の他の例を示す概略構成図である。 [0046] (Embodiment 2) FIG. 15 is a schematic diagram showing another example of the developing apparatus of the present invention. この現像処理装置は、主に現像液供給系100、現像処理部200、および脱気機構300とから構成されている。 The developing apparatus is composed mainly of a developer supply system 100, developing unit 200, and degassing mechanism 300.. 図15に示すように、現像液供給系100は、現像液が貯留されるタンク102と、現像液の流量を測定する流量計103 As shown in FIG. 15, the developer supply system 100 includes a tank 102 for developer is stored, a flow meter 103 for measuring the flow rate of the developing solution
と、現像液を濾過するフィルタ104と、現像液の温度を調節する温度調節器105と、現像液中の微細な気泡を除去する脱気機構300と、バルブ106とから構成されている。 When a filter 104 for filtering the developer, a temperature controller 105 for controlling the temperature of the developing solution, and deaeration mechanism 300 to remove fine bubbles in the developer, and a valve 106.. タンク102内に貯留された現像液は、窒素ガスの圧力により押し出されて、流量計103、フィルタ104、温度調節器105を経て、脱気機構300 Developer stored in the tank 102 is pushed out by the pressure of the nitrogen gas, the flow meter 103, a filter 104, via the temperature controller 105, deaeration mechanism 300
において脱気された後、バルブ106を介して現像処理部200に供給される。 After being degassed in, it supplied to the development processing unit 200 through a valve 106.

【0047】図16は現像処理部を示す概略図である。 [0047] FIG. 16 is a schematic diagram showing a developing unit.
図中202は、上面が開口し、垂直軸を中心に回転自在な回転カップを示す。 Figure 202, the upper surface is opened, showing a rotatable rotary cup about a vertical axis. この回転カップ202の上面開口部202Aには、この開口部202Aを開閉するための蓋体204が設けられている。 The upper opening 202A of the rotary cup 202 is provided with a lid 204 for opening and closing the opening 202A. また、上記回転カップ2 Further, the rotating cup 2
02の底面中央部には、開口部202Bが形成されおり、その開口縁には、上記回転カップ202を回転するための回転カラー202Cの上縁が接続されている。 The center of the bottom portion 02, opening portion 202B are formed, on its opening edges, the upper edge of the rotating color 202C for rotating the rotary cup 202 is connected. なおこの実施例では、回転カップ202および蓋体204 Incidentally, in this embodiment, the rotary cup 202 and the lid 204
は回転容器をなすものである。 Are those which form a rotating vessel.

【0048】上記回転カップ202内には、上記垂直軸を中心に回転自在な回転載置台、例えばスピンチャック206が、周縁部裏面で回転カップ202の底面の開口部202BをOリング等のシール部材208によりシールするように設けられている。 The above is the rotary cup 202, rotatable rotary mounting table about a said perpendicular axis, for example, the spin chuck 206, a seal member such as an O-ring opening 202B of the bottom surface of the rotary cup 202 at the periphery backside It is provided to seal the 208. このスピンチャック20 The spin chuck 20
6は、例えばエアシリンダ等の昇降機構212により昇降する昇降軸214の頂部に取り付けられている。 6, for example, attached to the top section of the elevator shaft 214 to lift by the lifting mechanism 212 such as an air cylinder. また、上記昇降軸214は、スプライン軸受216、従動プーリ218、および駆動ベルト220を介して駆動プーリ222に接続されており、スピンモータ224により昇降軸214に回転駆動力を付与することにより、上記スピンチャック206を回転させることができる。 Further, the elevating shaft 214 is splined bearing 216, is connected to a driving pulley 222 via a driven pulley 218, and a drive belt 220, by applying a rotational driving force to the elevation shaft 214 by a spin motor 224, the You can rotate a spin chuck 206.

【0049】同様に、上記回転カラー202Cは、従動プーリ226および駆動ベルト228を介して共通の駆動プーリ230に接続されている。 [0049] Similarly, the rotary collar 202C is connected to a common drive pulley 230 via the driven pulley 226 and drive belt 228. そして、駆動プーリ222と駆動プーリ230は共通軸232に配されており、共通のスピンモータ224により回転駆動力が付与されることにより、上記スピンチャック206と回転カラー202C(従って、回転カップ202を含む回転容器)とが同期して回転する。 Then, the drive pulley 222 and drive pulley 230 are arranged on a common shaft 232, by the rotational driving force is applied by a common spin motor 224, and the spin chuck 206 rotating collar 202C (hence, the rotary cup 202 rotary vessel) and containing rotate synchronously.

【0050】さらに、上記スピンチャック206は上面部にバキュームチャック(図示せず)を備えており、被処理体234、例えばLCD基板(液晶ディスプレイ用のガラス基板)をチャックする機能を有している。 [0050] Furthermore, the spin chuck 206 has provided with a vacuum chuck (not shown) on the upper surface, the workpiece 234, for example, a function for chucking the LCD substrate (glass substrate for a liquid crystal display) . なお、バキュームチャックは、昇降軸214内に形成された図示しないバキューム通路を介して外部のバキューム装置に接続されている。 Incidentally, the vacuum chuck is connected to an external vacuum device via a vacuum passage (not shown) formed in the elevating shaft 214.

【0051】また、上記蓋体204の中心部には、現像液を供給するためのノズル236がベアリング238を介して、上記蓋体204に対して上記回転チャック20 [0051] Further, in the center of the lid 204, a nozzle 236 for supplying a developing solution through the bearing 238, the rotating chuck 20 relative to the cover member 204
2の回転軸の回りに相対的に回転できるように装着されている。 It is mounted so as to be relatively rotated about the second rotational axis. 従って、後述する脱気機構300により脱気された現像液は、バルプ106を介して上記ノズル236 Therefore, the developer that has been deaerated by the deaeration mechanism 300 to be described later, the nozzle 236 via the Barupu 106
から上記スピンチャック206上に載置された被処理体234の表面に所定量だけ供給される。 Supplied by a predetermined amount to the surface of the workpiece 234 placed on the spin chuck 206 from.

【0052】さらに、上記回転カップ202の外側には、回転カップ202を囲むようにドレンカップ250 [0052] Further, on the outside of the rotary cup 202, drain cup 250 so as to surround the rotary cup 202
が図示しない固定部に固定して設けられている。 There is provided fixed to a fixed portion (not shown). このドレンカップ250は、回転カップ202の底部外縁および側部に設けられた排液孔252A、252Bから排出された排液を外部に排出するドレン孔254と、径方向内側に向かって屈曲した排気経路256と、この排気経路256に連通し図示しない排気装置に接続される排気口258とを備えている。 The drain cup 250 includes a bottom edge and a drainage hole 252A provided on the side of the rotary cup 202, a drain hole 254 for discharging the waste liquid discharged from 252B to the outside, it is bent radially inward exhaust a path 256, and an exhaust port 258 which is connected to an exhaust device (not shown) communicating with the exhaust path 256. また、上記排気経路256 Further, the exhaust path 256
は、上記ドレン孔254よりも高い位置を通るように形成されて、排液が上記排気口258に回り込まないように構成されている。 Is formed so as to pass through the position higher than the drain hole 254, drainage is configured not go around to the exhaust port 258.

【0053】また、上記蓋体204は、図18に示すように、昇降部240により昇降するアーム242に挿着されており、アーム242の昇降により回転カップ20 [0053] Further, the cover body 204, as shown in FIG. 18, are inserted into the arm 242 to lift the lifting portion 240, rotating cup 20 by the lifting of the arm 242
2の上面開口部202Aが開閉されるように構成されている。 2 of upper opening 202A is configured to be opened and closed. なお、上記ノズル236の途中一部は、例えばこのアーム242に固定される。 Incidentally, the middle portion of the nozzle 236 is fixed for example to the arm 242. また、被処理体234の搬入・搬出用に搬送アーム244が別途設けられており、スピンチャック200と被処理体の搬送アーム24 Further, a transfer arm 244 is separately provided for the loading and unloading of the workpiece 234, the transport arm 24 of the spin chuck 200 workpiece
4との間の被処理体234の受け渡しは、蓋体204が上昇し上面開口部202Aが開放されたときに、スピンチャック206が昇降手段212により回転カップ20 Passing of the workpiece 234 between the 4, when the lid 204 is opened is increased upper opening 202A, rotating cup 20 spin chuck 206 by the elevating unit 212
2の上面より上方し、アーム244がスピンチャック2 And above the second upper surface, the arm 244 is spin chuck 2
06にチャッキングされた被処理体206の下面より低いレベルでスピンチャック206側に進入することにより行われる。 06 in chucked lower level than the lower surface of the workpiece 206 is performed by entering the spin chuck 206 side.

【0054】次に、図17を参照しながら、脱気機構3 Next, with reference to FIG. 17, the degassing mechanism 3
00の一例について説明する。 An example of the 00 will be described. 図17に示すように、脱気機構300は、マニホルド部302と脱気チューブ部304とから主に構成されている。 As shown in FIG. 17, deaeration mechanism 300 is mainly configured from the manifold unit 302 and the deaeration tube portion 304.. マニホルド部302 Manifold section 302
と脱気チューブ部304とは、係合部306を介して着脱自在に接続されており、長期間の使用により目詰まり等が生じた脱気チューブを容易に交換することができる。 And the degassing tube portion 304 are detachably connected through the engagement portion 306 can be easily replaced prolonged degassing tube clogging is caused by use.

【0055】脱気チューブ部304は、撓み可能な3重管構造を有している。 [0055] deaeration tube portion 304 has a triple tube structure capable deflection. この3重管構造は、可撓性を有する多孔質材料の最小径の第1チューブ308と、中間径の第2チューブ310と、可撓性を有する非多孔質材料製の最大径の第3チューブ312とから構成される。 This triple tube structure, flexibility and first tube 308 of the smallest diameter of the porous material with a second tube 310 of the intermediate diameter, a third maximum diameter made of non-porous material having flexibility consisting of tube 312.. このように、第1〜第3のチューブ308、310、31 Thus, the first to third tube 308,310,31
2は、いずれも可撓性を有する材料から構成されるので、配置場所に応じて自由に撓ませることが可能であり、高い設計の自由度を有している。 2, since both are composed of a material having flexibility, it is possible to bend freely in accordance with the location, and has a degree of freedom of high design.

【0056】第1チューブ308と第2チューブ310 [0056] The first tube 308 and second tube 310
とは、ピッチがほぼ一致するように構成された蛇腹構造を有し、それぞれのチューブの、山と山、谷と谷同士が対向するように位置決めされており、これら両チューブ間に現像液流通経路314が形成されている。 And has a configured bellows structure so that the pitch substantially coincide, each of the tubes, crests, troughs each other are positioned so as to face the developing solution flowing between these two tubes path 314 is formed. したがって、第1チューブ308の外側と第2チューブ310の内側とで囲まれた現像液流通経路314の、略水平方向断面、すなわちチューブの中心軸を垂線とするような断面の面積が、蛇腹部分においても略同一面積を有しているため、現像液はスムーズに流通し、流量の乱れを防止し、安定供給が可能となる。 Therefore, the outside and the developer circulation path 314 which is surrounded by an inner second tube 310 of first tube 308, a substantially horizontal cross section, that is, the area of ​​the cross-section such that a perpendicular to the central axis of the tube, the bellows portion since it has substantially the same area even in the developing solution is circulated smoothly, and prevent the flow disturbance, it is possible to stably supply. 本実施例では、同じ長さの流通行程であっても、チューブの表面積をより大きくすることができ、第1および第2チューブ308、310 In this embodiment, even circulation path of the same length, it is possible to increase the surface area of ​​the tube, the first and second tubes 308, 310
と現像液との接触面積をより拡大することが可能なように、蛇腹構造を採用しているが、本発明はかかる実施例に限定されず、単に管状に構成された第1および第2のチューブを配置することも可能である。 And a contact area with the developing solution so as to more can be expanded adopts the bellows structure, the present invention is not limited to such an embodiment, first and second, which are simply configured tubular it is also possible to arrange the tubes.

【0057】また、第1チューブ308の内側には、中空の第1の脱気経路316が形成され、第2チューブ3 [0057] Further, inside the first tube 308, the first degassing path 316 of the hollow is formed, the second tube 3
10と第3チューブ312との間には、管状の第2の脱気経路318が形成されている。 10 and between the third tube 312, the second degassing path 318 of the tubular is formed. また、上記第1チューブ308と上記第2チューブ310とは、平均孔径が0.2〜0.8μmであるポリテトラフルオロエチレン製の多孔質チューブで構成される。 Further, the a first tube 308 and the second tube 310, and an average pore size of 0.2~0.8μm polytetrafluoroethylene porous tube. なお、本実施例においては、多孔質材料としてポリテトラフルオロエチレンを用いているが、これはポロテトラフルオロエチレンが、比較的簡単な圧延、延伸工程により高い精度の多孔質が得られるからである。 In the present embodiment uses a polytetrafluoroethylene as the porous material, which is because Polo tetrafluoroethylene, relatively simple rolling, porous high accuracy by drawing process is obtained . しかしながら、第1および第2チューブを構成する材料としては、ポリテトラフルオロエテレンに限定されず、市販されている様々な多孔質材料を使用することが可能である。 However, as the material constituting the first and second tubes, not limited to polytetrafluoroethylene ete lens, it is possible to use various porous materials are commercially available.

【0058】さらに、上記実施例においては、平均孔径が0.2〜0.8μmのポリテトラフルオロエチレン製の多孔質チューブを使用している。 [0058] Further, in the above embodiment, the average pore diameter is using polytetrafluoroethylene porous tube 0.2 to 0.8 [mu] m. 平均孔径があまり大き過ぎると、脱気効率を上げるために高い液圧をかけた場合にチューブが変形し易く、十分な耐液圧性を得ることができない傾向が認められる。 If the average pore size is too large, easy tube is deformed when subjected to high fluid pressure in order to increase the degassing efficiency, it is observed a tendency that it is impossible to obtain a sufficient liquid-pressure properties. また、平均孔径が小さ過ぎると、通気性が妨げられ、十分な脱気を行うことができない傾向が認められる。 When the average pore diameter is too small, breathability is prevented, is observed a tendency that it is impossible to perform sufficient deaeration. これらを考慮すると、平均孔径0.2〜0.8μmの範囲が好適である。 In view of these, the range of the average pore diameter 0.2~0.8μm are preferred.

【0059】これに対して最も外側に配置される第3チューブ312は、可撓性は有するが通気する必要はなく、脱気の際に、変形しないような強度を有する非多孔質の材料、例えばΡΤFE以外のポリ塩化ビニル(PV [0059] The third tube 312 which is disposed outermost on the other hand, flexibility is not necessary to vent has, during the degassing, non-porous material having a strength so as not to deform, for example polyvinyl chloride other than ΡΤFE (PV
C)、ステンレス鋼(SUS)、アクリル樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体(PFΑ)等の気体不透過性の材料から構成される。 C), stainless steel (SUS), acrylic resin, tetrafluoroethylene - composed of perfluoroalkoxy ethylene copolymer (PFΑ) gas impermeable material, such as.

【0060】次に、マニホルド部302の構成について説明する。 [0060] Next, the configuration of the manifold 302. 図示のようにマニホルド部302には、現像液が流通する第1の経路320と、それぞれ独立に構成された第2および第3の経路322、324とが形成されている。 The manifold portion 302 as shown includes a first path 320 which developer flows, a second and third paths 322, 324 are configured independently are formed. マニホルド部302の一方の側部には、第1 On one side of the manifold portion 302, first
の継手326が設置されている。 Of the joint 326 is installed. この第1の継手326 The first of the joint 326
は、上記第1の経路320と図示しない現像液タンクに連通するPFAチューブ328とを接続するためのものである。 Is for connecting the PFA tube 328 which communicates with the developer tank (not shown) and the first path 320.

【0061】また、マニホルド部302の中央下方には、第2の継手330が設置されている。 [0061] Further, in the lower center of the manifold part 302, the second joint 330 is installed. この第2の継手330は、図示しない排気手段、例えば真空吸引装置と上記第2の経路322とを接続するためのものである。 The second joint 330, an exhaust means (not shown), such as those for connecting the vacuum suction device and the second path 322. この第2の経路322は、上記脱気チューブ部30 The second path 322, the degassing tube portion 30
4の第1チューブ308の内側に形成された第1の脱気経路316に連通するものであり、この第2の経路32 The first first degassing path 316 formed inside the tube 308 of 4 is intended to communicate, the second path 32
2、従って第1の脱気経路316内を排気することにより、第1チューブ308の外側に形成された現像液流通経路314内を流通する現像液を内側から脱気し現像液中の気泡を除去することが可能である。 2, by evacuating the first degassing path 316 therefore bubbles developing solution deaerated from the inside in the developer circulating in the developer circulation path 314 formed outside the first tube 308 it is possible to remove.

【0062】さらに、マニホルド部302の他方の側には、第3の継手332が設置されている。 [0062] Further, on the other side of the manifold part 302, the third joint 332 is installed. この第3の継手332は、図示しない排気手段と上記第3の経路32 The third joint 332, an exhaust means (not shown) and the third path 32
4とを接続するためのものである。 It is intended for connecting the 4. そして、この第3の経路324は、上記脱気チューブ304の第2チューブ310と第3チューブ312との間に形成された第2の脱気通路318に連通するもので、この第3の経路32 Then, the third path 324 is for communicating with the second degassing passage 318 formed between the second tube 310 and the third tube 312 of the degassing tube 304, the third path 32
4、従って第2の脱気経路318内を排気することにより、第2チューブ310の内側に形成された現像液流通経路314内を流通する現像液を外側から脱気することが可能である。 4, therefore by evacuating the second degassing path 318, it is possible to degas the developer from the outside circulating in the developer circulation path 314 formed inside the second tube 310.

【0063】このように、本発明の現像処理装置における脱気機構によれば、脱気チューブ内を流通する現像液等の処理液を実質的に円箇状に形成された流通経路の内側と外側の両側から同時に脱気することが可能であるので、従来の脱気機構と比較して脱気効率を高めることが可能である。 [0063] Thus, according to the deaeration mechanism in the development processing apparatus of the present invention, the inner substantially flow path formed in a circular 箇状 treatment liquid developer or the like flowing through the degassing tube since both sides of the outer can be deaerated at the same time, it is possible as compared with the conventional degassing mechanism enhance degassing efficiency. なお、図示の実施例では、単一のマニホルド部302を介して、脱気チューブ部304に現像液を送るとともに脱気チューブ部304から排気を行う構成を示したが本発明はかかる構成に限定されない。 In the illustrated embodiment, through a single manifold portion 302, limited to the developing solution is shown a configuration for performing exhaust from degassing tube portion 304 the present invention and sends the configuration to the degassing tube portion 304 not. 例えば現像液を供給するマニホルド部と排気を行うマニホルド部とを別体に構成することも可能であり、あるいは排気を複数箇所から行うように構成することも可能である。 For example it is also possible to construct a manifold unit which performs an exhaust manifold unit for supplying a developing solution to separate, or can be configured to perform exhaust from a plurality of locations.
なお、マニホルド部302を、図17に示す脱気チューブ304の他端側にも設け、両端から排気することもできる。 Incidentally, the manifold portion 302 is also provided on the other end side of the degassing tube 304 shown in FIG. 17 can also be evacuated from both ends.

【0064】次に、図15に示す現像処理装置全体の動作について説明する。 [0064] Next, the operation of the entire developing apparatus shown in FIG. 15. まず、図18に示すように、蓋体204を回転カップ202から上昇させて開いておき、 First, as shown in FIG. 18, it is open so that raises the lid 204 from the rotary cup 202,
スピンチャック206を上昇させて搬送アーム244から被処理体234、例えばLCD基板をスピンチャック206に受け渡し、スピンチャック206にバキューム吸着させる。 Workpiece 234 from the transfer arm 244 to raise the spin chuck 206, for example, transferring the LCD substrate on the spin chuck 206, thereby vacuum adsorbing the spin chuck 206. 次いで、スピンチャック206を降下させてスピンチャック206を回転カップ202の底部に密着させる。 Then, lowering the spin chuck 206 is brought into close contact with the spin chuck 206 at the bottom of the rotary cup 202. この状態で、タンク102に窒素ガスを供給し、そのガス圧により現像液を現像液供給系100に送り込む。 In this state, the nitrogen gas was supplied to the tank 102, feed the developer to the developer supply system 100 by its gas pressure. 送り出された現像液は、流量計103において流量制御され、フィルタ104において濾過され、さらに温度調節手段105において最適な温度に調整された後、脱気機構300に送り込まれる。 The fed developer is flow controlled at flow meter 103, is filtered in the filter 104, after being adjusted to more optimal temperature in the temperature adjusting means 105, it is fed into the degassing mechanism 300.

【0065】脱気機構300において、図17に示すように、現像液は第1チューブ308と第2チューブ31 [0065] In deaeration mechanism 300, as shown in FIG. 17, the developer and the first tube 308 second tube 31
0との間を蛇行しながら流通する間に、内側と外側の両側から効率的に脱気され、現像液中の気泡が除去される。 While flowing while meandering between 0, effectively degassed from both inside and outside, air bubbles in the developer are removed. このように脱気機構300により脱気された現像液は、バルブ106を介して、被処理体234の上方のノズル236から被処理体の中央部からスプレー等の供給方式により所定量滴下される(図19参照)。 Developing solution degassed by such degassed mechanism 300, via the valve 106, it is dropped a predetermined amount by the supply system of the spray and the like from the central portion of the specimen from the upper nozzle 236 of the workpiece 234 (see FIG. 19).

【0066】次いで、モータ224を駆動すると、ベルト220、228により回転カラ−202Cと昇降軸2 [0066] Then, when driving the motor 224, a belt 220, 228 and the rotary collar -202C elevator shaft 2
14とが同じ回転速度で低速回転する。 14 and is rotated at a low speed at the same rotational speed. その結果、回転カップ202とスピンチャック206とが同じ回転速度で同期して回転し、被処理体234上の現像液が遠心力により引き延ばされて被処理体234の表面を覆い、これにより被処理体の現像処理が行われる。 As a result, the rotary cup 202 and the spin chuck 206 is rotated synchronously at the same rotational speed, to cover the surface of the object 234 developing solution on the target object 234 is stretched by the centrifugal force, thereby development processing of the object is performed. その後、高速回転しつつ、リンス液を供給し、現像液を洗い流して現像処理を終了する。 Thereafter, while high speed, supplying the rinsing liquid, and ends the developing processing wash away the developing solution.

【0067】かかる処理時に、遠心力により吹き飛ばされた残余の現像液は、回転カップ202の底部外縁および側部に設けられた排液孔252Α、252Bを介してドレンカッブ250内に排出され、ドレンカップ250 [0067] In such a process when, developer residual blown away by centrifugal force, the bottom edge and the drainage hole 252Α provided on the side of the rotary cup 202 is discharged to Dorenkabbu 250 through 252B, drain cup 250
の底部に設けられたドレン口254より外部に排出される。 It is discharged through the drain port 254 provided at the bottom of the.

【0068】なお、上述した実施例における各部の構造、形状等は一例であって種々の変更および修正が可能である。 [0068] The structure of each part in the embodiment described above, the shape or the like is susceptible to various changes and modifications an example. 例えば、上記実施例はLCD基板に現像液を塗布する装置を例に挙げて説明したが、本発明は、半導体ウェハ等の他の被処理体に対して種々の処理液、例えば塗布液を塗布する装置にも適用可能である。 For example, the above embodiment has been described by way of example an apparatus for applying a developing solution to the LCD substrate, the invention various processing liquid to the other object to be processed such as a semiconductor wafer, for example, a coating liquid coating to apparatus for applicable. また、上述した実施例では、現像装置200の構成として回転カップ202と被処理体234とが同時に回転するカップ回転式のものについて説明したが、カップは固定で被処理体が回転する、スピナー式で構成することもできる。 Further, in the above embodiment, although the rotary cup 202 as the structure of the developing device 200 and the workpiece 234 has been described as a cup rotary to rotate simultaneously, the cup workpiece is rotated at a fixed, spinner type in can also be configured.

【0069】このように、本実施例によれば、処理液は3重構造に構成された多孔質チューブの中間部を流通し、脱気用チューブの内側と外側とから同時に脱気することが可能であるので、単独かつ経路が短いチューブであっても、高い効率で脱気をすることができる。 [0069] Thus, according to this embodiment, that the treatment liquid flows through the intermediate portion of the porous tube configured to triple structure, degassed simultaneously from the inside and the outside of the deaeration tube since possible, also alone and route a short tube, it is possible to degassing at high efficiency. その結果、脱気機構を小型化できるとともに、処理の均一化が図れ、歩留まりも向上する。 As a result, it compact degassing mechanism, Hakare the uniformity of treatment is also improved yield.

【0070】なお、上記実施例1および2は、適宜組み合わせて実施することができる。 [0070] The above Examples 1 and 2 can be implemented in appropriate combination. また、上記実施例においては、処理液として現像液を用いた場合について説明しているが、本発明は、処理液がレジスト液である場合にも適用することができる。 Further, in the above embodiment has described the case of using a developing solution as a processing solution, the present invention may be processing liquid is applied in the case of the resist solution. この場合、レジスト液には揮発性液体が含まれているので、脱気によりレジスト液の濃度や粘度を調整することもできる。 In this case, since the resist solution contains volatile liquid, it is also possible to adjust the concentration and viscosity of the resist solution by degassing.

【0071】 [0071]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
気液分離機能を有する部材を介して処理液を排気するので、処理液自体は排出されずにその中の気体成分のみが分離される。 Since evacuating the processing liquid through the member having a gas-liquid separation function, the process liquid itself is only the gas components therein without being discharged are separated. 従って、処理液の濃度を変化させずにその中の気泡を除去することができるレジスト処理装置およびレジスト処理方法が提供される。 Thus, a resist processing apparatus and resist processing method capable of removing bubbles therein without changing the concentration of the treatment liquid is provided.

【0072】また、本発明によれば、気液分離機能を有する複数の管状部材内に処理液を通流させ、処理液をその壁部を介して排気することにより処理液から気体を分離するので、気体が排出される表面積が大きくなり極めて効率良く処理液から気体のみを除去することができる。 Further, according to the present invention, it flowed through the process liquid into the plurality of tubular members having a gas-liquid separation function, to separate the gas from the processing liquid by evacuating the processing liquid through the wall portion since, it is possible to remove only the gas from the extremely efficiently processing solution surface which the gas is discharged is increased. 従って、処理液の濃度を変化させずにその中の気泡を除去することができ、かつ高解像度のレジストを現像する場合に問題となる微細気泡を発生させることなく高精度でレジスト処理を行うことができるレジスト処理装置およびレジスト処理方法が提供される。 Therefore, the treatment liquid concentration can remove air bubbles therein without changing the and carrying out the resist process with a high precision without generating fine bubbles which becomes a problem when developing the high-resolution resist resist processing apparatus and resist processing method which can is provided.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のレジスト処理装置(現像処理装置)を組み込んだ塗布・現像処理装置を示す概略図。 Resist processing apparatus schematic diagram illustrating a (developing apparatus) coating and developing treatment apparatus incorporating the present invention; FIG.

【図2】本発明のレジスト処理装置(現像処理装置)を示す模式図。 Schematic view showing a resist processing apparatus (developing apparatus) of the present invention; FIG.

【図3】図2に示す現像処理装置に用いられるノズルの構造を示す断面図。 3 is a cross-sectional view showing a structure of a nozzle used in the developing apparatus shown in FIG.

【図4】図3に示すノズルのIV−IV線に沿う断面図。 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of the nozzle shown in FIG.

【図5】ノズルの現像液供給動作を説明するための図。 5 is a diagram for explaining a developer supply operation of the nozzle.

【図6】図2に示す現像処理装置に用いられる処理液脱気機構の一例を示す断面図。 6 is a sectional view showing an example of a processing solution deaeration mechanism used in the development device shown in FIG.

【図7】図2に示す現像処理装置に用いられる処理液脱気機構の一例を示す断面図。 7 is a cross-sectional view showing an example of a processing solution deaeration mechanism used in the development device shown in FIG.

【図8】本発明の現像処理装置を示す模式図。 Figure 8 is a schematic view showing a developing device of the present invention.

【図9】本発明の現像処理装置に用いられるノズルの他の例を示す図。 Diagram showing another example of a nozzle used in the developing apparatus of the present invention; FIG.

【図10】本発明の現像処理装置に用いられるノズルの他の例を示す図。 Diagram showing another example of a nozzle used in the developing apparatus of the present invention; FIG.

【図11】(A)は図2に示す現像処理装置に用いられる処理液脱気機構の他の例を示す断面図、(B)は(A)に示す処理液脱気機構の XIB−XIB 線に沿う断面図。 11 (A) is a sectional view showing another example of the processing solution deaeration mechanism used in the development device shown in FIG. 2, (B) is XIB-XIB of the processing solution deaeration mechanism shown in (A) sectional view taken along a line.

【図12】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱気機構における脱気時間と線幅との間の関係を示すグラフ。 Graph showing the relationship between the degassing time and the line width in the treating solution deaerated mechanism used in the developing apparatus of the present invention; FIG.

【図13】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱気機構における脱気時間と現像液濃度との間の関係を示すグラフ。 Graph showing the relationship between the degassing time and developer concentration in the processing solution deaeration mechanism used in the developing apparatus of FIG. 13 the present invention.

【図14】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱気機構における脱気時間と最低露光時間との間の関係を示すグラフ。 Graph showing the relationship between the degassing time and minimum exposure time in the processing solution deaeration mechanism used in the developing apparatus of FIG. 14 the present invention.

【図15】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構の他の例を示す概略図。 Schematic diagram showing another example of the processing solution deaeration mechanism of the development processing apparatus of the present invention; FIG.

【図16】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構の他の例を示す概略図。 Schematic diagram showing another example of the processing solution deaeration mechanism of the development processing apparatus of FIG. 16 the present invention.

【図17】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構部分の拡大図。 Figure 17 is an enlarged view of the processing solution deaeration mechanism portion of the developing apparatus of the present invention.

【図18】本発明の現像処理装置の蓋体の開閉および被処理体の受け渡しを説明するための図。 Figure 18 is a diagram illustrating the transfer of closing and workpiece of the lid of the developing apparatus of the present invention.

【図19】本発明の現像処理装置の作用を説明するための図。 Diagram for explaining the action of the developing apparatus of FIG. 19 the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

102…タンク、2…現像液、3…ガスボンベ、4, 102 ... tank, 2 ... developer, 3 ... gas cylinder, 4,
5,5a,5b…配管、6…中間タンク、6a…リミットセンサ、6b…エンプティセンサ、7…処理液脱気機構、8a,8b…フローメーター、9a,9b,104 5, 5a, 5b ... pipe, 6 ... intermediate tank, 6a ... limit sensor, 6b ... empty sensor, 7 ... treatment liquid degassing mechanism, 8a, 8b ... flow meter, 9a, 9b, 104
…フィルタ、10a,10b…ウォータージャケット、 ... filter, 10a, 10b ... the water jacket,
11a,11b…エアオペレションバルブ、12…ノズル、13…現像部、14…チャック、15…モータ、1 11a, 11b ... air operated les Deployment valve, 12 ... nozzle, 13 ... developing unit, 14 ... chuck, 15 ... motor, 1
6…カップ、21…側壁、22…底壁、23…現像液収容室、24…蓋部材、25…パッキン、27…現像液供給口、28…液吐出孔、31…密閉容器、32…導入口、33…送出口、34…仕切り部材、35…排気管、 6 ... cup, 21 ... side wall, 22 ... bottom wall 23 ... developer accommodating chamber, 24 ... cover member, 25 ... packing, 27 ... developer supply port, 28 ... liquid discharge hole 31 ... closed container, 32 ... introduction mouth, 33 ... feed port, 34 ... partitioning member, 35 ... exhaust pipe,
36…真空ポンプ、38,39…管部材、42…ストリームノズル、43…ノズル本体、44,236…ノズル、72,91…ピンセット、73,74…基板搬送用のメインアーム、75,92…受け渡し台、81…ブラシ洗浄装置、82…ジェット水洗部、83…塗布装置、 36 ... vacuum pump, 38, 39 ... tubular member, 42 ... stream nozzle, 43 ... nozzle body 44,236 ... nozzle, 72,91 ... tweezers, 73, 74 ... main arm for substrate transport, 75,92 ... delivery base, 81 ... brush cleaning device, 82 ... jet water washing unit, 83 ... coating apparatus,
84…アドヒージョン処理部、85…冷却処理部、86 84 ... adhesion processing unit, 85 ... cooling processing unit, 86
…加熱処理部、87…現像処理部、93…露光装置、9 ... heating section, 87 ... developing unit, 93 ... exposure apparatus 9
4…ロード・アンロード部、95…第1処理部、96… 4 ... loading and unloading unit, 95 ... the first processing unit, 96 ...
第2処理部、100…現像液供給系、103…流量計、 The second processing section, 100 ... developer supply system, 103 ... flow meter,
105…温度調節器、106…バルブ、200…現像処理部、202…回転カップ、202A,202B…開口部、202C…回転カラー、204…蓋体、206…スピンチャック、208…シール部材、212…昇降機構、214…昇降軸、216…スプライン軸受、21 105 ... temperature control, 106 ... valve, 200 ... developing unit, 202 ... rotary cup, 202A, 202B ... opening, 202C ... rotating collar 204 ... lid, 206 ... spin chuck, 208 ... sealing member, 212 ... elevating mechanism, 214 ... elevator shaft, 216 ... spline bearing, 21
8,226…従動プーリ、220,228…駆動ベルト、222,230…駆動プーリ、224…スピンモータ、232…共通軸、234…被処理体、238…ベアリング、240…昇降部、242…アーム、244…搬送アーム、250…ドレンカップ、252A,252B 8,226 ... driven pulley, 220, 228 ... driving belt, 222, 230 ... driving pulley, 224 ... spin motor, 232 ... common axis, 234 ... object to be processed, 238 ... bearing, 240 ... lifting unit, 242 ... arm, 244 ... transport arm, 250 ... drain cup, 252A, 252B
…排液孔、254…ドレン孔、256…排気経路、25 ... drain holes, 254 ... drain hole, 256 ... exhaust path, 25
8…排気口、300…脱気機構、302…マニホルド部、304…脱気チューブ部、306…係合部、308 8 ... outlet, 300 ... degassing mechanism, 302 ... manifold portion, 304 ... degassing tube portion, 306 ... engaging portion 308
…第1チューブ、310…第2チューブ、312…第3 ... first tube, 310 ... second tube, 312 ... third
チューブ、314…現像液流通経路、316…第1の脱気経路、318…第2の脱気経路、320…第1の経路、322…第2の経路、324…第3の経路、326 Tube, 314 ... developer circulation path, 316 ... first degassing path, 318 ... second degassing path, 320 ... first path, 322 ... second path, 324 ... third path, 326
…第1の継手、328…PFAチューブ、330…第2 ... first joint, 328 ... PFA tube, 330 ... second
の継手。 Fittings.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千場 教雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (56)参考文献 特開 平6−254304(JP,A) 特開 平5−267149(JP,A) 特開 平3−196517(JP,A) 特開 平4−197434(JP,A) 特開 平4−363015(JP,A) 特開 平3−1341(JP,A) 特開 平8−153675(JP,A) 特開 平8−51065(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/027 G03F 7/30 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor WASH Norio Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto in the office (72) inventor Kimura Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi Yoshio make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto in the office (56) reference Patent flat 6-254304 (JP, a) JP flat 5-267149 (JP, a) JP flat 3-196517 (JP, a) Patent Rights 4-197434 (JP, A) Patent Rights 4-363015 (JP, A) Patent Rights 3-1341 (JP, A) Patent Rights 8-153675 (JP, A) Patent Rights 8-51065 (JP, a) (58) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/027 G03F 7/30

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 基板に塗布されたレジスト塗膜に現像液を接触させて該レジスト塗膜を現像処理するレジスト処理装置であって、レジスト塗膜に現像液を吐出供給するノズルと、現像液供給源に加圧ガスを導入して現像液を前記ノズルに向けてガス圧送する現像液送出手段と、この現像液送出手段と前記ノズルとの間に設けられ、前記ノズルから吐出される前の現像液を脱気する処理液脱気機構とを具備し、 前記処理液脱気機構は、 第1の径を有し、多孔質材料製の第1チューブと、 前記第1の径よりも大きい第2の径を有し、前記第1チューブとの間に現像液が通流する流路を形成する多孔質材料製の第2チューブと、 前記第2の径よりも大きい第3の径を有し、非多孔質材料製の第3チューブと、 前記第1チューブの内側に設けられた 1. A substrate developer is contacted to the resist coating film applied to it a resist processing apparatus for developing the resist coating, a nozzle discharge for supplying a developing solution to the resist coating, developing solution a developer sending means to a supply source by introducing pressurized gas to the gas pumping towards the developing solution to the nozzle, is provided between the nozzle and the developing solution delivery means, before discharged from the nozzle the developing solution and a processing solution deaeration mechanism degassing, the treatment liquid degassing mechanism includes a first diameter, a large and a first tube made of porous material, than the first diameter a second diameter, and a second tube of a porous material made of a developing solution to form a flow path for flowing between said first tube, said third diameter larger than the second diameter a nonporous and materials made of the third tube, provided inside of the first tube 側排気手段と、 前記第2チューブと前記第3チューブとの間に設けられた外側排気手段と、を具備することを特徴とするレジスト処理装置。 Resist processing apparatus characterized by comprising a side exhaust means, and an outer exhaust means that is provided between the second tube and the third tube.
  2. 【請求項2】 前記多孔質材料の平均孔径が0.2〜 Wherein the average pore diameter of the porous material is 0.2
    0.8ミクロンであることを特徴とする請求項1記載の装置。 The apparatus of claim 1, wherein the 0.8 micron.
  3. 【請求項3】 前記多孔質材料がポリテトラフルオロエチレン樹脂であることを特徴とする請求項1記載の装置。 3. A device according to claim 1, wherein the porous material is polytetrafluoroethylene resin.
  4. 【請求項4】 前記非多孔質材料がポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ステンレス鋼、アクリル樹脂、およびテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体からなる群より選ばれた材料である請求項1記載の装置。 Wherein said non-porous material is polytetrafluoroethylene, polyvinyl chloride, stainless steel, acrylic resins, and tetrafluoroethylene - claims a material selected from the group consisting of perfluoroalkoxy ethylene copolymer 1 device as claimed.
  5. 【請求項5】 前記第1チューブと前記第2チューブとを、それぞれ蛇腹構造としたことを特徴とする請求項1 Wherein said first tube and said second tube, respectively, characterized in that the bellows structure according to claim 1
    記載のレジスト処理装置。 Resist processing apparatus according.
  6. 【請求項6】 前記第1チューブの蛇腹の山と前記第2 Wherein said the mountain of the bellows of the first tube second
    チューブの蛇腹の山、前記第1チューブの蛇腹の谷と前記第2チューブの蛇腹の谷同士が対向するように位置決めされたことを特徴とする請求項5記載のレジスト処理装置。 Mountain bellows tube, resist processing apparatus according to claim 5, wherein the troughs between the bellows and the valleys of the bellows of the first tube and the second tube, characterized in that it is positioned to face.
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