JP3283208B2 - 自動焦点制御方法および自動焦点制御システム - Google Patents
自動焦点制御方法および自動焦点制御システムInfo
- Publication number
- JP3283208B2 JP3283208B2 JP14636397A JP14636397A JP3283208B2 JP 3283208 B2 JP3283208 B2 JP 3283208B2 JP 14636397 A JP14636397 A JP 14636397A JP 14636397 A JP14636397 A JP 14636397A JP 3283208 B2 JP3283208 B2 JP 3283208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- automatic focus
- pattern recognition
- processing
- focus control
- focus adjustment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/24—Base structure
- G02B21/241—Devices for focusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
- H01J2237/216—Automatic focusing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
- H01J2237/223—Fourier techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】光学顕微鏡や電子顕微鏡の自
動焦点制御に関する発明で、例えば、微細パターンの寸
法を測定する測長システム（寸法ＳＥＭ）などに使用さ
れるものである。
動焦点制御に関する発明で、例えば、微細パターンの寸
法を測定する測長システム（寸法ＳＥＭ）などに使用さ
れるものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造ラインには、微細パターンの
寸法を測定および管理するために、電子ビームを用いた
寸法ＳＥＭ装置が導入されている。この種の寸法ＳＥＭ
装置は現在では全自動化されており、ウエハ内の測定点
ごとに、まず自動焦点調整処理を行い、その後にパター
ンの寸法測定を行っている。測定点ごとに自動焦点調整
処理を行う理由は、主にウエハのそり量がＳＥＭの電子
ビームの焦点深度（約１μｍ）以上あるためである。
寸法を測定および管理するために、電子ビームを用いた
寸法ＳＥＭ装置が導入されている。この種の寸法ＳＥＭ
装置は現在では全自動化されており、ウエハ内の測定点
ごとに、まず自動焦点調整処理を行い、その後にパター
ンの寸法測定を行っている。測定点ごとに自動焦点調整
処理を行う理由は、主にウエハのそり量がＳＥＭの電子
ビームの焦点深度（約１μｍ）以上あるためである。
【０００３】自動焦点調整処理に時間がかかると、寸法
測定のスループットの向上が図れないことから、光測距
機構などを設けて自動焦点調整処理に要する時間を短縮
する検討も行われている。しかし、最終的な焦点調整に
は、電磁コイルなどで構成される対物レンズを制御する
必要があり、１回の焦点調整に１０秒程度の処理時間が
かかってしまう。したがって、測定点ごとに自動焦点調
整処理を行うとすると、ウエハ１枚当たり、１０秒×測
定点数の時間が必要となる。
測定のスループットの向上が図れないことから、光測距
機構などを設けて自動焦点調整処理に要する時間を短縮
する検討も行われている。しかし、最終的な焦点調整に
は、電磁コイルなどで構成される対物レンズを制御する
必要があり、１回の焦点調整に１０秒程度の処理時間が
かかってしまう。したがって、測定点ごとに自動焦点調
整処理を行うとすると、ウエハ１枚当たり、１０秒×測
定点数の時間が必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、測定点ご
とに自動焦点調整処理を行う限り、寸法測定のスループ
ットを上げることはできない。特に、将来的にウエハの
口径が大きくなった場合には、それに応じて測定点の数
も増えるため、ウエハ１枚当たりの測定時間が長くなっ
てしまう。
とに自動焦点調整処理を行う限り、寸法測定のスループ
ットを上げることはできない。特に、将来的にウエハの
口径が大きくなった場合には、それに応じて測定点の数
も増えるため、ウエハ１枚当たりの測定時間が長くなっ
てしまう。
【０００５】また、電子顕微鏡では、ウエハに電子ビー
ムを照射するため、ウエハ表面が一時的に帯電し、浮遊
している正イオンの不純物がウエハ表面に引き寄せられ
てウエハ表面が汚染されてしまう。したがって、電子ビ
ームの照射量はなるべく少ない方がよいが、自動焦点調
整処理にも電子ビームの照射が必要なため、測定点ごと
に自動焦点調整処理を行うとウエハ表面がかなり汚染さ
れる。
ムを照射するため、ウエハ表面が一時的に帯電し、浮遊
している正イオンの不純物がウエハ表面に引き寄せられ
てウエハ表面が汚染されてしまう。したがって、電子ビ
ームの照射量はなるべく少ない方がよいが、自動焦点調
整処理にも電子ビームの照射が必要なため、測定点ごと
に自動焦点調整処理を行うとウエハ表面がかなり汚染さ
れる。
【０００６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、パターン認識の精度を落とす
ことなく、自動焦点調整処理を行う頻度をできるだけ少
なくしてスループットの向上を図った自動焦点制御方法
および自動焦点制御システムを提供することにある。
ものであり、その目的は、パターン認識の精度を落とす
ことなく、自動焦点調整処理を行う頻度をできるだけ少
なくしてスループットの向上を図った自動焦点制御方法
および自動焦点制御システムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、顕微鏡にセットされた測定
対象に対して自動焦点調整処理を行うか否かを選択可能
な自動焦点制御方法であって、前記顕微鏡に取り込まれ
た前記測定対象の画像に対して一次元または二次元のフ
ーリエ変換処理を行った結果に基づいてパワースペクト
ルを求め、このパワースペクトルに所定の周波数以上の
周波数成分が含まれる割合が所定の基準値以上であれ
ば、前記自動焦点調整処理を行わずに前記測定対象のパ
ターン認識処理を行い、前記割合が前記基準値未満であ
れば、前記パターン認識処理を行う直前に前記自動焦点
調整処理を行う。
ために、請求項１の発明は、顕微鏡にセットされた測定
対象に対して自動焦点調整処理を行うか否かを選択可能
な自動焦点制御方法であって、前記顕微鏡に取り込まれ
た前記測定対象の画像に対して一次元または二次元のフ
ーリエ変換処理を行った結果に基づいてパワースペクト
ルを求め、このパワースペクトルに所定の周波数以上の
周波数成分が含まれる割合が所定の基準値以上であれ
ば、前記自動焦点調整処理を行わずに前記測定対象のパ
ターン認識処理を行い、前記割合が前記基準値未満であ
れば、前記パターン認識処理を行う直前に前記自動焦点
調整処理を行う。
【０００８】請求項２の発明は、顕微鏡にセットされた
測定対象に対して自動焦点調整を行う自動焦点調整手段
と、前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に基
づいて、前記測定対象のパターン認識処理を行うパター
ン認識手段とを備えた自動焦点制御システムにおいて、
前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に対して
一次元または二次元のフーリエ変換処理を行った結果に
基づいてパワースペクトルを求める周波数成分解析手段
と、前記パワースペクトルに所定の周波数以上の周波数
成分が含まれる割合が所定の基準値以上であれば、前記
自動焦点調整手段による自動焦点調整を行わずに前記パ
ターン認識手段によるパターン認識処理を行い、前記割
合が前記基準値未満であれば、前記パターン認識手段に
よるパターン認識処理を行う直前に前記自動焦点調整手
段による自動焦点調整を行う自動焦点制御手段とを備え
る。
測定対象に対して自動焦点調整を行う自動焦点調整手段
と、前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に基
づいて、前記測定対象のパターン認識処理を行うパター
ン認識手段とを備えた自動焦点制御システムにおいて、
前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に対して
一次元または二次元のフーリエ変換処理を行った結果に
基づいてパワースペクトルを求める周波数成分解析手段
と、前記パワースペクトルに所定の周波数以上の周波数
成分が含まれる割合が所定の基準値以上であれば、前記
自動焦点調整手段による自動焦点調整を行わずに前記パ
ターン認識手段によるパターン認識処理を行い、前記割
合が前記基準値未満であれば、前記パターン認識手段に
よるパターン認識処理を行う直前に前記自動焦点調整手
段による自動焦点調整を行う自動焦点制御手段とを備え
る。
【０００９】請求項３の発明は、請求項２に記載の自動
焦点制御システムにおいて、前記自動焦点制御手段は、
前記パターン認識手段によるパターン認識処理によって
得られたパターンの検出誤差量が前記顕微鏡の画像取り
込み単位である１画素以下になるように前記所定の基準
値を定める。
焦点制御システムにおいて、前記自動焦点制御手段は、
前記パターン認識手段によるパターン認識処理によって
得られたパターンの検出誤差量が前記顕微鏡の画像取り
込み単位である１画素以下になるように前記所定の基準
値を定める。
【００１０】請求項４の発明は、請求項２または３に記
載の自動焦点制御システムにおいて、前記顕微鏡は、走
査型電子顕微鏡であり、前記周波数成分解析手段は、前
記測定対象の異なる照射領域について、それぞれ前記パ
ワースペクトルを求め、前記自動焦点制御手段は、前記
照射領域のそれぞれについて、前記パワースペクトルに
前記所定の周波数以上の周波数成分が含まれる割合が前
記基準値以上か否かを判断し、前記割合が前記基準値以
上の箇所については、前記自動焦点調整手段による焦点
調整を行わずに前記パターン認識手段によるパターン認
識処理を行い、前記割合が前記基準値未満の箇所につい
ては、前記パターン認識手段によるパターン認識処理を
行う直前に前記自動焦点調整手段による焦点調整を行
う。
載の自動焦点制御システムにおいて、前記顕微鏡は、走
査型電子顕微鏡であり、前記周波数成分解析手段は、前
記測定対象の異なる照射領域について、それぞれ前記パ
ワースペクトルを求め、前記自動焦点制御手段は、前記
照射領域のそれぞれについて、前記パワースペクトルに
前記所定の周波数以上の周波数成分が含まれる割合が前
記基準値以上か否かを判断し、前記割合が前記基準値以
上の箇所については、前記自動焦点調整手段による焦点
調整を行わずに前記パターン認識手段によるパターン認
識処理を行い、前記割合が前記基準値未満の箇所につい
ては、前記パターン認識手段によるパターン認識処理を
行う直前に前記自動焦点調整手段による焦点調整を行
う。
【００１１】請求項５の発明は、請求項２〜４のいずれ
かに記載の自動焦点制御システムにおいて、前記所定の
周波数は３０Hz以上の周波数である。
かに記載の自動焦点制御システムにおいて、前記所定の
周波数は３０Hz以上の周波数である。
【００１２】請求項６の発明は、請求項２〜５のいずれ
かに記載の自動焦点制御システムにおいて、少なくとも
２つの演算処理装置を備え、そのうちの一つは前記周波
数成分解析手段による周波数解析専用に設けられる。
かに記載の自動焦点制御システムにおいて、少なくとも
２つの演算処理装置を備え、そのうちの一つは前記周波
数成分解析手段による周波数解析専用に設けられる。
【００１３】請求項２の発明を、例えば図７のフローチ
ャートに対応づけて説明すると、「自動焦点調整手段」
はステップＳ５７の処理に、「周波数成分解析手段」は
ステップＳ５２，Ｓ５３の処理に、「自動焦点制御手
段」はステップＳ５５の処理に、それぞれ対応する。
ャートに対応づけて説明すると、「自動焦点調整手段」
はステップＳ５７の処理に、「周波数成分解析手段」は
ステップＳ５２，Ｓ５３の処理に、「自動焦点制御手
段」はステップＳ５５の処理に、それぞれ対応する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した自動焦点
制御システムについて、図面を参照しながら具体的に説
明する。
制御システムについて、図面を参照しながら具体的に説
明する。
【００１５】図１は自動焦点制御システムの一実施形態
のブロック構成図である。図１に示す自動焦点制御シス
テムは、走査型電子顕微鏡（SEM:Scanning Electron Mi
croscopy) を用いた測長システムを構成しており、大き
く分けて、電子ビーム鏡筒１と、本体制御装置２と、ホ
ストコンピュータ３とに分けられる。試料室の内部に
は、試料（測定対象）の出し入れを行うロードロック室
１１と、試料が載置されるＸＹステージ１２と、試料に
電子ビームを照射する電子ビーム照射装置１３と、電子
ビームの照射方向を制御する偏向器１４と、試料からの
二次電子を検出する二次電子検出器１５とが設けられて
いる。
のブロック構成図である。図１に示す自動焦点制御シス
テムは、走査型電子顕微鏡（SEM:Scanning Electron Mi
croscopy) を用いた測長システムを構成しており、大き
く分けて、電子ビーム鏡筒１と、本体制御装置２と、ホ
ストコンピュータ３とに分けられる。試料室の内部に
は、試料（測定対象）の出し入れを行うロードロック室
１１と、試料が載置されるＸＹステージ１２と、試料に
電子ビームを照射する電子ビーム照射装置１３と、電子
ビームの照射方向を制御する偏向器１４と、試料からの
二次電子を検出する二次電子検出器１５とが設けられて
いる。
【００１６】本体制御装置２は、偏向器１４および二次
電子検出器１５を制御するＳＥＭ制御部２１と、ＸＹス
テージ１２の移動方向および移動速度を制御するステー
ジ制御部２２とを備える。ＳＥＭ制御部２１は、二次電
子検出器１５で検出された二次電子の量に応じたアナロ
グ信号（ＳＥＭ画像）を出力する。
電子検出器１５を制御するＳＥＭ制御部２１と、ＸＹス
テージ１２の移動方向および移動速度を制御するステー
ジ制御部２２とを備える。ＳＥＭ制御部２１は、二次電
子検出器１５で検出された二次電子の量に応じたアナロ
グ信号（ＳＥＭ画像）を出力する。
【００１７】ホストコンピュータ３は、本システム全体
の制御を行う主制御部３１と、測定対象の画像解析を行
う画像処理部３２と、表示装置４の表示制御やＸＹステ
ージ１２の制御などを行う周辺制御部３３と、記憶装置
３４とを備える。
の制御を行う主制御部３１と、測定対象の画像解析を行
う画像処理部３２と、表示装置４の表示制御やＸＹステ
ージ１２の制御などを行う周辺制御部３３と、記憶装置
３４とを備える。
【００１８】図２は、図１に示したホストコンピュータ
３内部の画像処理部３２の詳細構成を示すブロック構成
図である。画像処理部３２は、ＳＥＭ制御部２１から出
力されたＳＥＭ画像をデジタルデータに変換するＡ／Ｄ
変換器５１と、変換されたデジタルデータを格納するフ
レームメモリ５２と、フィルター処理などを行う画像処
理演算部５３と、表示装置４に表示する画像データの生
成等を行う表示制御部５４とを備える。
３内部の画像処理部３２の詳細構成を示すブロック構成
図である。画像処理部３２は、ＳＥＭ制御部２１から出
力されたＳＥＭ画像をデジタルデータに変換するＡ／Ｄ
変換器５１と、変換されたデジタルデータを格納するフ
レームメモリ５２と、フィルター処理などを行う画像処
理演算部５３と、表示装置４に表示する画像データの生
成等を行う表示制御部５４とを備える。
【００１９】図３は図１に示した自動焦点制御システム
の処理動作を示すメインフローチャートであり、以下こ
のフローチャートに基づいて本システムの動作を説明す
る。まず、測定対象であるウエハを試料室内のＸＹステ
ージ１２上に載置する（ステップＳ１）。次に、ウエハ
内に予め設定した基準点で自動焦点調整処理を行うべ
く、ＸＹステージ１２を移動させ（ステップＳ２）、こ
の基準点で自動焦点調整処理を行う（ステップＳ３）。
best_focus状態（合焦状態）になると、次に、基準点の
画像を取り込んでパターンマッチング処理を行い（ステ
ップＳ４）、基準点での位置合わせ（アライメント調
整）を行う。このパターンマッチング処理の詳細につい
ては後述する。
の処理動作を示すメインフローチャートであり、以下こ
のフローチャートに基づいて本システムの動作を説明す
る。まず、測定対象であるウエハを試料室内のＸＹステ
ージ１２上に載置する（ステップＳ１）。次に、ウエハ
内に予め設定した基準点で自動焦点調整処理を行うべ
く、ＸＹステージ１２を移動させ（ステップＳ２）、こ
の基準点で自動焦点調整処理を行う（ステップＳ３）。
best_focus状態（合焦状態）になると、次に、基準点の
画像を取り込んでパターンマッチング処理を行い（ステ
ップＳ４）、基準点での位置合わせ（アライメント調
整）を行う。このパターンマッチング処理の詳細につい
ては後述する。
【００２０】次に、予め定めた基準点すべてについてパ
ターンマッチング処理を行ったか、すなわちアライメン
ト調整が終了したか否かを判断し（ステップＳ５）、ま
だ調整を行っていない基準点があればステップＳ２に戻
る。
ターンマッチング処理を行ったか、すなわちアライメン
ト調整が終了したか否かを判断し（ステップＳ５）、ま
だ調整を行っていない基準点があればステップＳ２に戻
る。
【００２１】このように、ステップＳ１〜Ｓ５では、ウ
エハ内に予め設定された複数の基準点のそれぞれについ
てアライメント調整を行う。このような調整は、一般に
グローバルアライメント調整と呼ばれる。
エハ内に予め設定された複数の基準点のそれぞれについ
てアライメント調整を行う。このような調整は、一般に
グローバルアライメント調整と呼ばれる。
【００２２】すべての基準点についてパターンマッチン
グ処理を行うと、ステップＳ６以降の測長処理を行う。
測長処理では、まず、予め定めた測定点にＸＹステージ
１２を移動させる（ステップＳ６）。次に、この測定点
で自動焦点調整処理を行うか否かを判断する処理（自動
焦点実行可否判断処理）を行う（ステップＳ７）。
グ処理を行うと、ステップＳ６以降の測長処理を行う。
測長処理では、まず、予め定めた測定点にＸＹステージ
１２を移動させる（ステップＳ６）。次に、この測定点
で自動焦点調整処理を行うか否かを判断する処理（自動
焦点実行可否判断処理）を行う（ステップＳ７）。
【００２３】上述した自動焦点調整処理の目的は、試料
からのＳＥＭ画像をもとに行われるパターン認識の精度
や信頼性を高めることにあるが、パターン認識の精度に
影響のないレベルにすでに焦点が合っていることも少な
くなく、一律に自動焦点調整処理を行うと、時間がかか
るだけであまり意味がない。そこで、自動焦点実行可否
判断処理では、自動焦点調整処理を行う必要があるか否
かを事前に判断する処理を行う。この自動焦点実行可否
判断処理の詳細については後述する。
からのＳＥＭ画像をもとに行われるパターン認識の精度
や信頼性を高めることにあるが、パターン認識の精度に
影響のないレベルにすでに焦点が合っていることも少な
くなく、一律に自動焦点調整処理を行うと、時間がかか
るだけであまり意味がない。そこで、自動焦点実行可否
判断処理では、自動焦点調整処理を行う必要があるか否
かを事前に判断する処理を行う。この自動焦点実行可否
判断処理の詳細については後述する。
【００２４】ステップＳ７の処理が終了すると、次に、
測定点での画像を取り込んで画像解析（パターン認識処
理）を行い（ステップＳ８）、その結果に基づいてパタ
ーン幅の測長を行う（ステップＳ９）。次に、すべての
測定点について測長を行ったか否かを判定し（ステップ
Ｓ１０）、まだ測長を行っていない測定点があればステ
ップＳ６に戻り、すべての測定点について測長を行った
ら、ウエハの搬出を行う（ステップＳ１１）。
測定点での画像を取り込んで画像解析（パターン認識処
理）を行い（ステップＳ８）、その結果に基づいてパタ
ーン幅の測長を行う（ステップＳ９）。次に、すべての
測定点について測長を行ったか否かを判定し（ステップ
Ｓ１０）、まだ測長を行っていない測定点があればステ
ップＳ６に戻り、すべての測定点について測長を行った
ら、ウエハの搬出を行う（ステップＳ１１）。
【００２５】このように、図３のステップＳ６〜Ｓ１１
では、ウエハ内の各測定点のＳＥＭ画像に基づいてパワ
ースペクトルを求め、パワースペクトルに高周波成分が
所定の基準値以上含まれている場合には自動焦点調整を
省略するようにしたため、自動焦点調整処理を行う頻度
を軽減でき、測定時のスループットを向上できる。
では、ウエハ内の各測定点のＳＥＭ画像に基づいてパワ
ースペクトルを求め、パワースペクトルに高周波成分が
所定の基準値以上含まれている場合には自動焦点調整を
省略するようにしたため、自動焦点調整処理を行う頻度
を軽減でき、測定時のスループットを向上できる。
【００２６】図４は図３のステップＳ４におけるパター
ンマッチング処理の詳細フローチャートである。まず、
基準点に対応する基準画像データをホストコンピュータ
３内の記憶装置３４からダウンロードする（ステップＳ
２１）。次に、ウエハ内の基準点からのＳＥＭ画像（以
下、測定画像データと呼ぶ）をＳＥＭ制御部２１を介し
てホストコンピュータ３内の画像処理部３２に取り込む
（ステップＳ２２）。取り込まれる測定画像データは、
二次電子検出器１５で検出されたウエハからの二次電子
に対応するアナログデータである。
ンマッチング処理の詳細フローチャートである。まず、
基準点に対応する基準画像データをホストコンピュータ
３内の記憶装置３４からダウンロードする（ステップＳ
２１）。次に、ウエハ内の基準点からのＳＥＭ画像（以
下、測定画像データと呼ぶ）をＳＥＭ制御部２１を介し
てホストコンピュータ３内の画像処理部３２に取り込む
（ステップＳ２２）。取り込まれる測定画像データは、
二次電子検出器１５で検出されたウエハからの二次電子
に対応するアナログデータである。
【００２７】次に、空間フィルタリング処理と線形画像
強調処理を行う（ステップＳ２３）。空間フィルタリン
グ処理はノイズを含む周波数成分を除去する処理であ
り、線形画像強調処理はパターンのコントラストを強調
する処理である。
強調処理を行う（ステップＳ２３）。空間フィルタリン
グ処理はノイズを含む周波数成分を除去する処理であ
り、線形画像強調処理はパターンのコントラストを強調
する処理である。
【００２８】次に、ステップＳ２１でダウンロードした
基準画像データ（テンプレート）に対して、フーリエ変
換処理（ＦＦＴ処理）を行う（ステップＳ２４）。基準
画像データに対応する関数をｇ（ｍ，ｎ）、ＦＦＴ処理
後の関数をＧ（ｍ，ｎ）とすると、（１）式の関係が成
り立つ。ただし、（ｍ，ｎ）は、図５に示すように画素
位置を示し、０≦ｍ≦５１１、０≦ｎ≦５１１である。
基準画像データ（テンプレート）に対して、フーリエ変
換処理（ＦＦＴ処理）を行う（ステップＳ２４）。基準
画像データに対応する関数をｇ（ｍ，ｎ）、ＦＦＴ処理
後の関数をＧ（ｍ，ｎ）とすると、（１）式の関係が成
り立つ。ただし、（ｍ，ｎ）は、図５に示すように画素
位置を示し、０≦ｍ≦５１１、０≦ｎ≦５１１である。
【００２９】
【数１】 次に、ステップＳ２２で取り込んだ測定画像データに対
してフーリエ変換処理（ＦＦＴ処理）を行う（ステップ
Ｓ２５）。測定画像データに対応する関数をｆ（ｍ，
ｎ）、ＦＦＴ処理後の関数をＦ（ｍ，ｎ）とすると、
（２）式の関係が成り立つ。
してフーリエ変換処理（ＦＦＴ処理）を行う（ステップ
Ｓ２５）。測定画像データに対応する関数をｆ（ｍ，
ｎ）、ＦＦＴ処理後の関数をＦ（ｍ，ｎ）とすると、
（２）式の関係が成り立つ。
【００３０】
【数２】 次に、ＦＦＴ処理後の基準画像データＧ（ｍ，ｎ）と測
定画像データ（Ｆ（ｍ，ｎ）を合成する処理（コンボリ
ューション処理）を行う（ステップＳ２６）。合成後の
関数をＲ（ｍ，ｎ）とすると、（３）式の関係が成り立
つ。
定画像データ（Ｆ（ｍ，ｎ）を合成する処理（コンボリ
ューション処理）を行う（ステップＳ２６）。合成後の
関数をＲ（ｍ，ｎ）とすると、（３）式の関係が成り立
つ。
【００３１】
【数３】 次に、（４）式に示すように、関数Ｒ（ｍ，ｎ）を逆Ｆ
ＦＴ処理して相互相関ｒ（ｍ，ｎ）を求める（ステップ
Ｓ２７）。
ＦＴ処理して相互相関ｒ（ｍ，ｎ）を求める（ステップ
Ｓ２７）。
【００３２】
【数４】 この相互相関ｒ（ｍ，ｎ）はパターンマッチング結果を
示しており、図６のような波形で表される。次に、図６
のピーク点の値とそのときの座標（ｍ，ｎ）を検出し、
検出結果をホストコンピュータ３の主制御部３１に送る
（ステップＳ２８）。
示しており、図６のような波形で表される。次に、図６
のピーク点の値とそのときの座標（ｍ，ｎ）を検出し、
検出結果をホストコンピュータ３の主制御部３１に送る
（ステップＳ２８）。
【００３３】このように、パターンマッチング処理で
は、基準点に対応する基準画像データを予め用意してお
き、測定画像データと基準画像データのそれぞれをＦＦ
Ｔ処理した後に比較を行う。なお、パターンマッチング
処理は、複雑な数値演算を必要とするため、ホストコン
ピュータ３内の主制御部３１ではなく、画像処理部３２
で行うのが望ましい。画像処理部３２で行えば、画像処
理部３２が演算中でも主制御部３１は他の処理を行うこ
とができ、システム全体の処理効率が向上する。図７は
図３のステップＳ７の自動焦点実行可否判断処理の詳細
フローチャートである。まず、測定点に対応するＳＥＭ
画像を取り込む（ステップＳ５１）。取り込まれたＳＥ
Ｍ画像はアナログデータであるため、Ａ／Ｄ変換器５１
でデジタル変換された後に、フレームメモリ５２に格納
される。
は、基準点に対応する基準画像データを予め用意してお
き、測定画像データと基準画像データのそれぞれをＦＦ
Ｔ処理した後に比較を行う。なお、パターンマッチング
処理は、複雑な数値演算を必要とするため、ホストコン
ピュータ３内の主制御部３１ではなく、画像処理部３２
で行うのが望ましい。画像処理部３２で行えば、画像処
理部３２が演算中でも主制御部３１は他の処理を行うこ
とができ、システム全体の処理効率が向上する。図７は
図３のステップＳ７の自動焦点実行可否判断処理の詳細
フローチャートである。まず、測定点に対応するＳＥＭ
画像を取り込む（ステップＳ５１）。取り込まれたＳＥ
Ｍ画像はアナログデータであるため、Ａ／Ｄ変換器５１
でデジタル変換された後に、フレームメモリ５２に格納
される。
【００３４】次に、フレームメモリ５２に格納された画
像データに対して、二次元フーリエ変換処理を行う（ス
テップＳ５２）。次に、二次元フーリエ変換処理結果に
基づいて、周波数分布（パワースペクトル）を求める
（ステップＳ５３）。
像データに対して、二次元フーリエ変換処理を行う（ス
テップＳ５２）。次に、二次元フーリエ変換処理結果に
基づいて、周波数分布（パワースペクトル）を求める
（ステップＳ５３）。
【００３５】焦点が合っていないdefocus 状態では、試
料からのＳＥＭ画像はビーム径の広がりによってみかけ
上平滑化され、ＳＥＭ画像をフーリエ変換して得られる
フーリエ変換画像中の高周波成分は少なくなる。一方、
合焦(best _focus) 状態のフーリエ変換画像には、主に
低周波成分からなるパターンからの信号成分と、主に高
周波成分からなるノイズ成分とが混在している。したが
って、フーリエ変換画像の周波数成分を解析することに
より、defocus 状態とbest_focus状態とを判別すること
ができる。
料からのＳＥＭ画像はビーム径の広がりによってみかけ
上平滑化され、ＳＥＭ画像をフーリエ変換して得られる
フーリエ変換画像中の高周波成分は少なくなる。一方、
合焦(best _focus) 状態のフーリエ変換画像には、主に
低周波成分からなるパターンからの信号成分と、主に高
周波成分からなるノイズ成分とが混在している。したが
って、フーリエ変換画像の周波数成分を解析することに
より、defocus 状態とbest_focus状態とを判別すること
ができる。
【００３６】そこで、上述した図７のステップＳ５３で
は、二次元フーリエ変換処理によって得られたフーリエ
変換画像の各周波数成分の実数部と虚数部の二乗和の平
方根から周波数分布（パワースペクトル）を求め、パワ
ースペクトル中に含まれる高周波成分の割合を検出する
（ステップＳ５４）。
は、二次元フーリエ変換処理によって得られたフーリエ
変換画像の各周波数成分の実数部と虚数部の二乗和の平
方根から周波数分布（パワースペクトル）を求め、パワ
ースペクトル中に含まれる高周波成分の割合を検出する
（ステップＳ５４）。
【００３７】図８（ａ）はbest_focus状態（あるいはそ
の近傍）におけるパワースペクトルを示す図であり、横
軸は周波数[Hz]、縦軸は強度である。図示の３０Hz以下
の成分はウエハのパターン形状を反映したものであり、
５０〜６０Hzの成分は電源からのノイズによるものであ
る。また、その他の高周波成分はＳＥＭ特有のノイズ
（ごま塩ノイズとも呼ばれる）によるもので、この中に
は、例えばサンプリングに伴うノイズが含まれる。
の近傍）におけるパワースペクトルを示す図であり、横
軸は周波数[Hz]、縦軸は強度である。図示の３０Hz以下
の成分はウエハのパターン形状を反映したものであり、
５０〜６０Hzの成分は電源からのノイズによるものであ
る。また、その他の高周波成分はＳＥＭ特有のノイズ
（ごま塩ノイズとも呼ばれる）によるもので、この中に
は、例えばサンプリングに伴うノイズが含まれる。
【００３８】一方、図８（ｂ）はdefocus 状態における
パワースペクトルを示す図である。defocus 状態では、
ビーム径の広がりによる効果として、ＳＥＭ画像をみか
け上平滑化したような像が得られ、図８（ａ）に示した
高周波成分のごま塩ノイズが少なくなる。defocus 状態
でパターン認識処理を行うと、パターン認識ができなか
ったり、誤ったパターン認識を行うおそれがあるため、
パターン認識を行う前に自動焦点調整処理を行うのが望
ましい。
パワースペクトルを示す図である。defocus 状態では、
ビーム径の広がりによる効果として、ＳＥＭ画像をみか
け上平滑化したような像が得られ、図８（ａ）に示した
高周波成分のごま塩ノイズが少なくなる。defocus 状態
でパターン認識処理を行うと、パターン認識ができなか
ったり、誤ったパターン認識を行うおそれがあるため、
パターン認識を行う前に自動焦点調整処理を行うのが望
ましい。
【００３９】このため、図７のステップＳ５５では、３
０Hz以上で、かつ、電源周波数（５０／６０Hz）以外の
高周波成分が所定の基準値以上含まれている場合には、
best_focus状態と判断して自動焦点調整処理を省略す
る。一方、３０Hz以上の高周波成分が基準値未満の場合
には、defocus 状態と判断して自動焦点調整処理を行う
（ステップＳ５６）。
０Hz以上で、かつ、電源周波数（５０／６０Hz）以外の
高周波成分が所定の基準値以上含まれている場合には、
best_focus状態と判断して自動焦点調整処理を省略す
る。一方、３０Hz以上の高周波成分が基準値未満の場合
には、defocus 状態と判断して自動焦点調整処理を行う
（ステップＳ５６）。
【００４０】ここで、ステップＳ５５における基準値
は、パターン認識処理を行うホストコンピュータ３や画
像処理部３２等のハードウエアの性能に依存するため、
使用するハードウエアによって最適な値を設定する必要
がある。一例として、画像処理部３２が正規化相関係数
の最大値を検出するアルゴリズムを採用している場合に
は、パワースペクトル強度の総和の１０％程度、好まし
くは１０〜１５％が基準値として設定される。
は、パターン認識処理を行うホストコンピュータ３や画
像処理部３２等のハードウエアの性能に依存するため、
使用するハードウエアによって最適な値を設定する必要
がある。一例として、画像処理部３２が正規化相関係数
の最大値を検出するアルゴリズムを採用している場合に
は、パワースペクトル強度の総和の１０％程度、好まし
くは１０〜１５％が基準値として設定される。
【００４１】ステップＳ５４またはＳ５５の処理が終了
すると、図３のステップＳ８のパターン認識処理を行
う。
すると、図３のステップＳ８のパターン認識処理を行
う。
【００４２】上述した実施形態では、グローバルアライ
メント処理（図３のステップＳ１〜Ｓ５）の最中には、
図７に示した自動焦点実行可否判断処理を行わずに、強
制的に自動焦点調整処理を行っているが、グローバルア
ライメント処理の最中にも、自動焦点実行可否判断処理
を行ってもよい。これにより、さらに測定時間を短縮で
き、いっそうのスループット向上が図れる。
メント処理（図３のステップＳ１〜Ｓ５）の最中には、
図７に示した自動焦点実行可否判断処理を行わずに、強
制的に自動焦点調整処理を行っているが、グローバルア
ライメント処理の最中にも、自動焦点実行可否判断処理
を行ってもよい。これにより、さらに測定時間を短縮で
き、いっそうのスループット向上が図れる。
【００４３】上述した実施形態では、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いた例を説明したが、本発明は、ＳＥＭ
以外の電子顕微鏡や光学顕微鏡にも適用できる。
（ＳＥＭ）を用いた例を説明したが、本発明は、ＳＥＭ
以外の電子顕微鏡や光学顕微鏡にも適用できる。
【００４４】上述したように、自動焦点調整処理を行う
か否かを判断する基準となる基準値は、使用するハード
ウェア等の動作条件によって変化するため、基準値の値
をキーボード等により任意に変更および設定できるよう
にしてもよい。基準値の大体の目安としては、パターン
認識を行った結果が基準パターンに対してサブピクセル
以下の誤差となるように設定するのが望ましい。
か否かを判断する基準となる基準値は、使用するハード
ウェア等の動作条件によって変化するため、基準値の値
をキーボード等により任意に変更および設定できるよう
にしてもよい。基準値の大体の目安としては、パターン
認識を行った結果が基準パターンに対してサブピクセル
以下の誤差となるように設定するのが望ましい。
【００４５】また、図７に示した自動焦点実行可否判断
処理を行うか否かを任意に選択できるようにしてもよ
い。さらに、自動焦点調整処理を行う代わりに、手動に
よって焦点調整を行うモードを設けてもよい。
処理を行うか否かを任意に選択できるようにしてもよ
い。さらに、自動焦点調整処理を行う代わりに、手動に
よって焦点調整を行うモードを設けてもよい。
【００４６】上述した実施形態では、ＳＥＭ画像を二次
元フーリエ変換処理する例を説明したが、一次元フーリ
エ変換処理した結果に基づいてパワースペクトルを求め
てもよい。
元フーリエ変換処理する例を説明したが、一次元フーリ
エ変換処理した結果に基づいてパワースペクトルを求め
てもよい。
【００４７】また、上述した実施形態では、ウエハ内の
微細パターンの寸法測定を行う例を説明したが、本発明
の測定対象はウエハに限定されず、例えばプリント基板
上のパターンの欠陥検査等にも適用できる。
微細パターンの寸法測定を行う例を説明したが、本発明
の測定対象はウエハに限定されず、例えばプリント基板
上のパターンの欠陥検査等にも適用できる。
【００４８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、顕微鏡で取り込んだ画像に対応するパワースペク
トルに所定の周波数以上の周波数成分が含まれる割合が
所定の基準値未満であれば、自動焦点調整処理を行わず
に測定対象のパターン認識処理を行うようにしたため、
測定対象の測定時間を短縮でき、スループットを向上で
きる。特に、大口径のウエハなどのように、測定対象当
たりの測定点の数が多い場合等に、本発明は絶大な効果
を発揮する。
れば、顕微鏡で取り込んだ画像に対応するパワースペク
トルに所定の周波数以上の周波数成分が含まれる割合が
所定の基準値未満であれば、自動焦点調整処理を行わず
に測定対象のパターン認識処理を行うようにしたため、
測定対象の測定時間を短縮でき、スループットを向上で
きる。特に、大口径のウエハなどのように、測定対象当
たりの測定点の数が多い場合等に、本発明は絶大な効果
を発揮する。
【００４９】また、顕微鏡として電子顕微鏡を用いた場
合には、測定対象に電子ビームを照射する必要があるこ
とから、測定対象の表面に不純物が付着しやすくなる
が、本発明によれば、自動焦点調整処理を行う回数を減
らせるため、電子ビームの照射量を少なくでき、測定対
象の表面の汚染も少なくなる。
合には、測定対象に電子ビームを照射する必要があるこ
とから、測定対象の表面に不純物が付着しやすくなる
が、本発明によれば、自動焦点調整処理を行う回数を減
らせるため、電子ビームの照射量を少なくでき、測定対
象の表面の汚染も少なくなる。
【図１】自動焦点制御システムの一実施形態のブロック
構成図。
構成図。
【図２】図１に示したホストコンピュータ内部の画像処
理部の詳細構成を示すブロック構成図。
理部の詳細構成を示すブロック構成図。
【図３】自動焦点制御システムの処理動作を示すメイン
フローチャート。
フローチャート。
【図４】図３のステップＳ４におけるパターンマッチン
グ処理の詳細フローチャート。
グ処理の詳細フローチャート。
【図５】基準画像データの座標を説明する図。
【図６】相互相関ｒ（ｍ，ｎ）の波形図。
【図７】図３のステップＳ７の自動焦点実行可否判断処
理の詳細フローチャート。
理の詳細フローチャート。
【図８】（ａ）はbest_focus状態におけるパワースペク
トル図、（ｂ）はdefocus 状態におけるパワースペクト
ル図。
トル図、（ｂ）はdefocus 状態におけるパワースペクト
ル図。
１ 電子ビーム鏡筒 ２ 本体制御装置 ３ ホストコンピュータ ４ 表示装置 １１ ロードロック室 １２ ＸＹステージ １３ 電子ビーム照射装置 １４ 偏向器 １５ 二次電子検出器 ２１ ＳＥＭ制御部 ２２ ステージ制御部 ３１ 主制御部 ３２ 画像処理部 ３３ 周辺制御部 ３４ 記憶装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 7/28 - 7/40 G03B 13/36
Claims (6)
- 【請求項１】顕微鏡にセットされた測定対象に対して自
動焦点調整処理を行うか否かを選択可能な自動焦点制御
方法であって、 前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に対して
一次元または二次元のフーリエ変換処理を行った結果に
基づいてパワースペクトルを求め、このパワースペクト
ルに所定の周波数以上の周波数成分が含まれる割合が所
定の基準値以上であれば、前記自動焦点調整処理を行わ
ずに前記測定対象のパターン認識処理を行い、前記割合
が前記基準値未満であれば、前記パターン認識処理を行
う直前に前記自動焦点調整処理を行うことを特徴とする
自動焦点制御方法。 - 【請求項２】顕微鏡にセットされた測定対象に対して自
動焦点調整を行う自動焦点調整手段と、 前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に基づい
て、前記測定対象のパターン認識処理を行うパターン認
識手段とを備えた自動焦点制御システムにおいて、 前記顕微鏡に取り込まれた前記測定対象の画像に対して
一次元または二次元のフーリエ変換処理を行った結果に
基づいてパワースペクトルを求める周波数成分解析手段
と、 前記パワースペクトルに所定の周波数以上の周波数成分
が含まれる割合が所定の基準値以上であれば、前記自動
焦点調整手段による自動焦点調整を行わずに前記パター
ン認識手段によるパターン認識処理を行い、前記割合が
前記基準値未満であれば、前記パターン認識手段による
パターン認識処理を行う直前に前記自動焦点調整手段に
よる自動焦点調整を行う自動焦点制御手段とを備えたこ
とを特徴とする自動焦点制御システム。 - 【請求項３】前記自動焦点制御手段は、前記パターン認
識手段によるパターン認識処理によって得られたパター
ンの検出誤差量が前記顕微鏡の画像取り込み単位である
１画素以下になるように前記所定の基準値を定めること
を特徴とする請求項２に記載の自動焦点制御システム。 - 【請求項４】前記顕微鏡は、走査型電子顕微鏡であり、 前記周波数成分解析手段は、前記測定対象の異なる複数
箇所について、それぞれ前記パワースペクトルを求め、 前記自動焦点制御手段は、前記複数箇所のそれぞれにつ
いて、前記パワースペクトルに前記所定の周波数以上の
周波数成分が含まれる割合が前記基準値以上か否かを判
断し、前記割合が前記基準値以上の箇所については、前
記自動焦点調整手段による焦点調整を行わずに前記パタ
ーン認識手段によるパターン認識処理を行い、前記割合
が前記基準値未満の箇所については、前記パターン認識
手段によるパターン認識処理を行う直前に前記自動焦点
調整手段による焦点調整を行うことを特徴とする請求項
２または３に記載の自動焦点制御システム。 - 【請求項５】前記所定の周波数は３０Hz以上の周波数で
あることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の
自動焦点制御システム。 - 【請求項６】少なくとも２つの演算処理装置を備え、そ
のうちの一つは前記周波数成分解析手段による周波数解
析専用に設けられることを特徴とする請求項２〜５のい
ずれかに記載の自動焦点制御システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636397A JP3283208B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 自動焦点制御方法および自動焦点制御システム |
| TW087108325A TW473765B (en) | 1997-06-04 | 1998-05-28 | Method for controlling focus automatically and system for controlling focus automatically |
| US09/090,249 US6114681A (en) | 1997-06-04 | 1998-06-04 | Automatic focus control method and automatic focus control system having in focus and out of focus states detection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636397A JP3283208B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 自動焦点制御方法および自動焦点制御システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333020A JPH10333020A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3283208B2 true JP3283208B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=15406035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14636397A Expired - Fee Related JP3283208B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 自動焦点制御方法および自動焦点制御システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114681A (ja) |
| JP (1) | JP3283208B2 (ja) |
| TW (1) | TW473765B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452677B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-09-17 | Micron Technology Inc. | Method and apparatus for detecting defects in the manufacture of an electronic device |
| US6740889B1 (en) * | 1998-09-28 | 2004-05-25 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam microscope with minicolumn |
| US6517669B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
| US6477685B1 (en) * | 1999-09-22 | 2002-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for yield and failure analysis in the manufacturing of semiconductors |
| DE10108827C2 (de) | 2001-02-23 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Messverfahren zur Bestimmung der Breite einer Struktur auf einer Maske |
| JP4199939B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2008-12-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体検査システム |
| JP4752138B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-08-17 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置 |
| US6864493B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-03-08 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus |
| US6979820B2 (en) * | 2003-07-29 | 2005-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CD SEM automatic focus methodology and apparatus for constant electron beam dosage control |
| US7075077B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-07-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of observing a specimen using a scanning electron microscope |
| US7173259B2 (en) * | 2004-06-09 | 2007-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Automatically aligning objective aperture for a scanning electron microscope |
| JP2006301270A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法 |
| US7662648B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inspection system |
| JP2007281084A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査装置及び方法 |
| JP2009098132A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の検査，測定方法、及び荷電粒子線装置 |
| JP5438982B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2014-03-12 | 株式会社日立製作所 | 走査透過電子顕微鏡、及び収差補正方法 |
| US8495527B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Pattern recognition with edge correction for design based metrology |
| US8429570B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-04-23 | International Business Machines Corporation | Pattern recognition with edge correction for design based metrology |
| JP5723249B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-05-27 | 日本電子株式会社 | 信号処理方法、及び信号処理装置 |
| JP6596295B2 (ja) | 2015-10-15 | 2019-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4045772A (en) * | 1974-04-29 | 1977-08-30 | Geometric Data Corporation | Automatic focusing system |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP14636397A patent/JP3283208B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-28 TW TW087108325A patent/TW473765B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-04 US US09/090,249 patent/US6114681A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW473765B (en) | 2002-01-21 |
| JPH10333020A (ja) | 1998-12-18 |
| US6114681A (en) | 2000-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3283208B2 (ja) | 自動焦点制御方法および自動焦点制御システム | |
| JP4069545B2 (ja) | 電子顕微方法及びそれを用いた電子顕微鏡並び生体試料検査方法及び生体検査装置 | |
| US7655906B2 (en) | Method and apparatus for scanning and measurement by electron beam | |
| JP3109785B2 (ja) | 走査電子顕微鏡の自動焦点合わせ装置 | |
| JP5075303B2 (ja) | ビームの評価 | |
| JP3424512B2 (ja) | 粒子ビーム検査装置および検査方法並びに粒子ビーム応用装置 | |
| CA3061440C (en) | Optical scanning arrangement and method | |
| TW202024581A (zh) | 用於監測束輪廓及功率的方法及設備 | |
| TW201447225A (zh) | 圖案測定方法、帶電粒子束裝置之裝置條件設定方法、以及帶電粒子束裝置 | |
| JP2006153837A (ja) | 走査型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査型電子顕微鏡の機差補正装置 | |
| JP4194526B2 (ja) | 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
| JP5798099B2 (ja) | 画質調整方法、プログラムおよび電子顕微鏡 | |
| JP4548432B2 (ja) | 電子顕微方法及びそれを用いた電子顕微鏡並び生体試料検査方法及び生体検査装置 | |
| JP6305423B2 (ja) | 相対的なクリティカルディメンションの測定のための方法および装置 | |
| WO2015037313A1 (ja) | 走査透過電子顕微鏡及びその収差測定方法 | |
| JP2000311645A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JP2014106388A (ja) | 自動合焦点検出装置及びそれを備える荷電粒子線顕微鏡 | |
| JP6207893B2 (ja) | 試料観察装置用のテンプレート作成装置 | |
| JP3581242B2 (ja) | 並列画像処理プロセッサを備えた荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH053013A (ja) | 自動焦点調節装置 | |
| JP4069785B2 (ja) | 電子顕微方法及びそれを用いた電子顕微鏡並び生体試料検査方法及び生体検査装置 | |
| JP2001118537A (ja) | ビーム走査形検査装置 | |
| JP2003331769A (ja) | 粒子ビーム検査装置および検査方法並びに粒子ビーム応用装置 | |
| JP2002244029A (ja) | 微小寸法測定装置 | |
| US11495431B2 (en) | Transmission electron microscope and adjustment method of objective aperture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080301 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |