JP3280979B2 - ヘキサフルオルブタンの製造方法 - Google Patents
ヘキサフルオルブタンの製造方法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/26—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton
- C07C17/263—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions
- C07C17/269—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions of only halogenated hydrocarbons
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタン、す
なわち飽和された弗素含有かつ塩素フリーの炭化水素
(これは最近ではポリウレタンフォーム材の発泡剤とし
て(CFC類の代替物として)興味が持たれている)を製
造するための改良方法に関する。ケミカル・レタース
(1990)、第879〜880頁から、化合物CCl2F−CClF2を水
素の存在下でニッケル触媒により処理する際、分子内の
塩化水素開裂が不飽和の塩素含有化合物CClF=CF2を生
成しながら生ずることが知られている。ブタン−もしく
はブテン−誘導体への二量化は生じない。
なわち飽和された弗素含有かつ塩素フリーの炭化水素
(これは最近ではポリウレタンフォーム材の発泡剤とし
て(CFC類の代替物として)興味が持たれている)を製
造するための改良方法に関する。ケミカル・レタース
(1990)、第879〜880頁から、化合物CCl2F−CClF2を水
素の存在下でニッケル触媒により処理する際、分子内の
塩化水素開裂が不飽和の塩素含有化合物CClF=CF2を生
成しながら生ずることが知られている。ブタン−もしく
はブテン−誘導体への二量化は生じない。
ケミカル・レタース(1991)、第1825〜1826頁から
は、化合物CF3−CCl3から水素および希釈剤としてのア
ルゴンの存在下でニッケル触媒にて二量化により塩素含
有ブテンが生成することも知られている。化合物CF3−C
FCl2からは、この条件下でCF3−CHClFが微量の過ハロゲ
ン化ブタン誘導体と共に生成する。
は、化合物CF3−CCl3から水素および希釈剤としてのア
ルゴンの存在下でニッケル触媒にて二量化により塩素含
有ブテンが生成することも知られている。化合物CF3−C
FCl2からは、この条件下でCF3−CHClFが微量の過ハロゲ
ン化ブタン誘導体と共に生成する。
今回1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの製造方法
が見出され、この方法は式(I) CF3−CXYZ (I) [式中、XおよびYは互いに独立して水素、塩素もしく
は臭素を示し、 Zは塩素もしくは臭素を示す] のトリフルオロエタン化合物を気相にて希釈剤なしにパ
ラジウム−および/またはニッケル−含有の担体触媒に
て水素と反応させると共に反応生成物を必要に応じ1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの分離の後に後水素化
することを特徴とする。
が見出され、この方法は式(I) CF3−CXYZ (I) [式中、XおよびYは互いに独立して水素、塩素もしく
は臭素を示し、 Zは塩素もしくは臭素を示す] のトリフルオロエタン化合物を気相にて希釈剤なしにパ
ラジウム−および/またはニッケル−含有の担体触媒に
て水素と反応させると共に反応生成物を必要に応じ1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの分離の後に後水素化
することを特徴とする。
本発明の方法に出発化合物として必要とされる式
(I)のトリフルオルエタン化合物は入手容易であっ
て、市販製品である。
(I)のトリフルオルエタン化合物は入手容易であっ
て、市販製品である。
好ましくは本発明の方法にはCF3−CCl3、CF3−CHCl2
もしくはCF3−CH2Brが用いられる。
もしくはCF3−CH2Brが用いられる。
式(I)のトリフルオルエタン化合物と水素との反応
は、たとえば式(I)の化合物が蒸発して水素と共にガ
ス状でパラジウム−および/またはニッケル含有の担体
触媒に案内されるよう行うことができる。式(I)の化
合物100gに対したとえば5〜200 Nlの水素を用いるこ
とができる。好ましくは、この量は10〜30Nlの水素であ
る。
は、たとえば式(I)の化合物が蒸発して水素と共にガ
ス状でパラジウム−および/またはニッケル含有の担体
触媒に案内されるよう行うことができる。式(I)の化
合物100gに対したとえば5〜200 Nlの水素を用いるこ
とができる。好ましくは、この量は10〜30Nlの水素であ
る。
式(I)の化合物と水素との反応は希釈剤(たとえば
アルゴンもしくは窒素)の不存在下で行われる。
アルゴンもしくは窒素)の不存在下で行われる。
この反応のための触媒としては、たとえば1リットル
当り0.5〜20gのパラジウムおよび/または100〜1000gの
ニッケルを含有するものが挙げられる。好ましくは触媒
は1リットル当り1〜10gのパラジウムまたは300〜800g
のニッケルを含有する。その際、パラジウムおよび/ま
たはニッケルは好ましくは全体として、或いは少なくと
も部分的に元素状で存在する。これら触媒のための担体
材料としては、たとえば二酸化珪素、シリケート、酸化
アルミニウム、スピネル、硫酸バリウム、二酸化チタ
ン、酸化マグネシウムおよび炭素が挙げられる。好まし
くは二酸化珪素および活性炭、特にニッケル用の二酸化
珪素およびパラジウム用の活性炭が挙げられる。
当り0.5〜20gのパラジウムおよび/または100〜1000gの
ニッケルを含有するものが挙げられる。好ましくは触媒
は1リットル当り1〜10gのパラジウムまたは300〜800g
のニッケルを含有する。その際、パラジウムおよび/ま
たはニッケルは好ましくは全体として、或いは少なくと
も部分的に元素状で存在する。これら触媒のための担体
材料としては、たとえば二酸化珪素、シリケート、酸化
アルミニウム、スピネル、硫酸バリウム、二酸化チタ
ン、酸化マグネシウムおよび炭素が挙げられる。好まし
くは二酸化珪素および活性炭、特にニッケル用の二酸化
珪素およびパラジウム用の活性炭が挙げられる。
必要に応じ、触媒は促進剤として他の金属を含有する
ことができる。促進剤はたとえばパラジウムもしくはニ
ッケルに対し0〜5重量%の量で存在させることができ
る。たとえば促進剤にはジルコニウム、チタン、バナジ
ウム、ニオブ、タンタル、タリウム、スズおよび/また
は銅を用いることができる。
ことができる。促進剤はたとえばパラジウムもしくはニ
ッケルに対し0〜5重量%の量で存在させることができ
る。たとえば促進剤にはジルコニウム、チタン、バナジ
ウム、ニオブ、タンタル、タリウム、スズおよび/また
は銅を用いることができる。
式(I)の化合物と水素との反応は常圧または高めら
れた圧力、たとえば20バールまでの圧力にて行うことが
できる。好ましくは常圧にて操作する。この反応のため
の温度はたとえば20〜550℃の範囲である。好ましくは1
20〜480℃の範囲の温度、特に250〜450℃の温度であ
る。
れた圧力、たとえば20バールまでの圧力にて行うことが
できる。好ましくは常圧にて操作する。この反応のため
の温度はたとえば20〜550℃の範囲である。好ましくは1
20〜480℃の範囲の温度、特に250〜450℃の温度であ
る。
この反応の後に存在するガス混合物は、たとえば有機
成分を凝縮させて後水素化に供給するよう後処理するこ
とができる。好ましくは後水素化の前に、凝縮有機物質
からそこに既に含有される1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオ
ルブタンをたとえば蒸留により分離する。
成分を凝縮させて後水素化に供給するよう後処理するこ
とができる。好ましくは後水素化の前に、凝縮有機物質
からそこに既に含有される1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオ
ルブタンをたとえば蒸留により分離する。
好ましくは1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンをも
はや含有しない有機凝縮物の後水素化は、上記した式
(I)の化合物と水素との反応と同様に行うことができ
る。原理的に、後水素化は対応の従来技術による慣用の
水素化とすることもでき、すなわち公知の反応条件下で
全ゆる公知の水素化触媒を用いることができる。驚くこ
とに本発明の方法により1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオル
ブタンを良好な収率で得ることに成功し、これは冒頭記
載の従来技術の方法においてはこの生成物が生成されな
いからである。
はや含有しない有機凝縮物の後水素化は、上記した式
(I)の化合物と水素との反応と同様に行うことができ
る。原理的に、後水素化は対応の従来技術による慣用の
水素化とすることもでき、すなわち公知の反応条件下で
全ゆる公知の水素化触媒を用いることができる。驚くこ
とに本発明の方法により1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオル
ブタンを良好な収率で得ることに成功し、これは冒頭記
載の従来技術の方法においてはこの生成物が生成されな
いからである。
実施例 実施例1 93.5g/hの1,1,1−トリフルオル−2,2,2−トリクロル
エタンと22 Nl/hの水素とを400℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は5gのパラジウムを1リットル
の活性炭上に含有した。触媒の背後にてガス流を−78℃
まで冷却し、1時間の過程で48gの粗生成物が得られ
た。ガスクロマトグラフ分析により、この生成物は17.6
重量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有し
た。この混合物から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタ
ンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件下で
再び触媒上に案内した。97%の選択率を以て、この後水
素化に際し1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが得ら
れた。
エタンと22 Nl/hの水素とを400℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は5gのパラジウムを1リットル
の活性炭上に含有した。触媒の背後にてガス流を−78℃
まで冷却し、1時間の過程で48gの粗生成物が得られ
た。ガスクロマトグラフ分析により、この生成物は17.6
重量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有し
た。この混合物から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタ
ンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件下で
再び触媒上に案内した。97%の選択率を以て、この後水
素化に際し1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが得ら
れた。
実施例2 38.5g/hの1,1,1−トリフルオロ−2,2,2−トリクロル
エタンと11 Nl/hの水素とを300℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は5gのパラジウムを1リットル
の活性炭上に含有した。触媒の背後でガス流を−78℃ま
で冷却すると共に、1時間の過程にて3.4gの粗生成物が
得られた。ガスクロマトグラフ分析により、この生成物
は11重量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含
有した。この混合物から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオル
ブタンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件
下で再び触媒上に案内した。98%の選択率を以て、この
後水素化に際し1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが
得られた。
エタンと11 Nl/hの水素とを300℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は5gのパラジウムを1リットル
の活性炭上に含有した。触媒の背後でガス流を−78℃ま
で冷却すると共に、1時間の過程にて3.4gの粗生成物が
得られた。ガスクロマトグラフ分析により、この生成物
は11重量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含
有した。この混合物から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオル
ブタンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件
下で再び触媒上に案内した。98%の選択率を以て、この
後水素化に際し1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが
得られた。
実施例3 99.2g/hの1,1,1−トリフルオル−2,2,2−トリクロル
エタンと22 Nl/hの水素とを300℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は500gのニッケルを0.5重量%
のジルコンと共に1リットルの二酸化珪素上に含有し
た。触媒の背後でガス流を−78℃まで冷却し、1時間の
過程にて74gの粗生成物が得られた。ガスクロマトグラ
フ分析により、この生成物は7重量%の1,1,1,4,4,4−
ヘキサフルオルブタンを含有した。この混合物から1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンよりも容易に揮発する
成分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案内した。
94%の選択率を以て、この後水素化に際し1,1,1,4,4,4
−ヘキサフルオルブタンが得られた。
エタンと22 Nl/hの水素とを300℃の温度にて200mlの触
媒上に案内し、この触媒は500gのニッケルを0.5重量%
のジルコンと共に1リットルの二酸化珪素上に含有し
た。触媒の背後でガス流を−78℃まで冷却し、1時間の
過程にて74gの粗生成物が得られた。ガスクロマトグラ
フ分析により、この生成物は7重量%の1,1,1,4,4,4−
ヘキサフルオルブタンを含有した。この混合物から1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンよりも容易に揮発する
成分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案内した。
94%の選択率を以て、この後水素化に際し1,1,1,4,4,4
−ヘキサフルオルブタンが得られた。
実施例4 これは実施例3におけると同様な方法としたが、ただ
し94.4g/hの1,1,1−トリフルオロ−2,2,2−トリクロル
エタンを用いた。52gの粗生成物が得られ、これは38重
量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有し
た。後水素化により93%の選択率を以て1,1,1,4,4,4−
ヘキサフルオルブタンが得られた。
し94.4g/hの1,1,1−トリフルオロ−2,2,2−トリクロル
エタンを用いた。52gの粗生成物が得られ、これは38重
量%の1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有し
た。後水素化により93%の選択率を以て1,1,1,4,4,4−
ヘキサフルオルブタンが得られた。
実施例5 66g/hの1,1,1−トリフルオル−2−ブロムエタンと11
Nl/hの水素とを400℃の温度にて200mlの触媒上に案内
し、この触媒は8gのニッケルを1リットルの活性炭上に
含有した。触媒の背後にてガス流を−78℃まで冷却し、
1時間の過程にて10gの粗生成物が得られた。ガスクロ
マトグラフ分析により、この生成物は6重量%の1,1,1,
4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有した。この混合物
から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンよりも容易に
揮発する成分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案
内した。98%の選択率を以て、この後水素化に際し1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが得られた。
Nl/hの水素とを400℃の温度にて200mlの触媒上に案内
し、この触媒は8gのニッケルを1リットルの活性炭上に
含有した。触媒の背後にてガス流を−78℃まで冷却し、
1時間の過程にて10gの粗生成物が得られた。ガスクロ
マトグラフ分析により、この生成物は6重量%の1,1,1,
4,4,4−ヘキサフルオルブタンを含有した。この混合物
から1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンよりも容易に
揮発する成分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案
内した。98%の選択率を以て、この後水素化に際し1,1,
1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンが得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−264040(JP,A) 特開 平4−211026(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 17/26 - 17/269 C07C 19/08
Claims (7)
- 【請求項1】式(I) CF3−CXYZ (I) [式中、XおよびYは互いに独立して水素、塩素もしく
は臭素を示し、 Zは塩素もしくは臭素を示す] のトリフルオロエタン化合物を気相にて希釈剤なしにパ
ラジウム−−および/またはニッケル−含有の担体触媒
にて水素と反応させると共に、反応生成物を必要に応じ
1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの分離の後に後水
素化することを特徴とする1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオ
ルブタンの製造方法。 - 【請求項2】CF3−CCl3、CF3−CHCl2もしくはCF3−CH2B
rをこの方法に用いることを特徴とする請求の範囲第1
項に記載の方法。 - 【請求項3】式(I)の化合物100g当り5〜200 Nlの
水素を用いることを特徴とする請求の範囲第1項または
第2項に記載の方法。 - 【請求項4】触媒が1リットル当り0.5〜20gのパラジウ
ムおよび/または100〜1000gのニッケルを含有すること
を特徴とする請求の範囲第1〜3項のいずれか一項に記
載の方法。 - 【請求項5】20〜550℃の範囲の温度にて行うことを特
徴とする請求の範囲第1〜4項のいずれか一項に記載の
方法。 - 【請求項6】後水素化の前に1,1,1,4,4,4−ヘキサフル
オルブタンを反応生成物から分離することを特徴とする
請求の範囲第1〜5項のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項7】後水素化を式(I)の化合物と水素との反
応と同様に行うことを特徴とする請求の範囲第1〜6項
のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4215876A DE4215876A1 (de) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Verfahren zur Herstellung von Hexafluorbutan |
DE4215876.1 | 1992-05-14 | ||
PCT/EP1993/001073 WO1993023354A1 (de) | 1992-05-14 | 1993-05-03 | Verfahren zur herstellung von hexafluorbutan |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH07506576A JPH07506576A (ja) | 1995-07-20 |
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JP (1) | JP3280979B2 (ja) |
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ES (1) | ES2081715T3 (ja) |
MX (1) | MX9302486A (ja) |
WO (1) | WO1993023354A1 (ja) |
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WO1995005353A1 (en) * | 1993-08-16 | 1995-02-23 | Alliedsignal Inc. | Process for combining chlorine-containing molecules to synthesize fluorine-containing products |
DE4416326A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Hexafluor-C¶4¶-Verbindungen |
US5663399A (en) * | 1994-10-28 | 1997-09-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for producing fluorine-containing silicone compound |
IT1307755B1 (it) | 1999-02-05 | 2001-11-19 | Ausimont Spa | Processo per la dimerizzazione di (cfc-113a). |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE4004494A1 (de) * | 1990-02-14 | 1991-08-22 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von gesaettigten, fluorhaltigen und chlorfreien kohlenwasserstoffen |
JP3008510B2 (ja) * | 1991-02-16 | 2000-02-14 | ダイキン工業株式会社 | 含フッ素エタンの2量体の製法 |
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- 1992-05-14 DE DE4215876A patent/DE4215876A1/de not_active Withdrawn
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- 1993-04-28 MX MX9302486A patent/MX9302486A/es not_active IP Right Cessation
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- 1993-05-03 JP JP51982093A patent/JP3280979B2/ja not_active Expired - Fee Related
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DE59301017D1 (de) | 1996-01-04 |
JPH07506576A (ja) | 1995-07-20 |
MX9302486A (es) | 1993-11-01 |
WO1993023354A1 (de) | 1993-11-25 |
ES2081715T3 (es) | 1996-03-16 |
US5536890A (en) | 1996-07-16 |
BR9306348A (pt) | 1998-06-30 |
EP0640063A1 (de) | 1995-03-01 |
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CA2133971A1 (en) | 1993-11-25 |
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