JPH07506576A - ヘキサフルオルブタンの製造方法 - Google Patents
ヘキサフルオルブタンの製造方法Info
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/26—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton
- C07C17/263—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions
- C07C17/269—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions of only halogenated hydrocarbons
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ヘキサフルオルブタンの製造方法
本発明は、1. l、I、4. 4. 4−ヘキサフルオルブタン、すなわち飽
和された弗素含有かつ塩素フリーの炭化水素(これは最近ではポリウレタンフォ
ーム材の発泡剤として(FCCSの代替物として)興味が持たれている)を製造
するための改良方法に関する。ケミカル・レタース(1990)、第879〜8
80頁から、化合物CC12F−CCIF、を水素の存在下でニッケル触媒によ
り処理する際、分子内の塩化水素開裂が不飽和の塩素含有化合物CCI F 二
〇 F yを生成しながら生ずることが知られている。ブタン−もしくはブテン
−誘導体への二徽化は生しない。
ケミカル・レタース(1991)、第1825〜1826頁からは、化合物CF
、−CC1,から水素および希釈剤としてのアルゴンの存在下でニッケル触媒に
て三量化により塩素含有ブテンが生成することも知られている。化合物CF。
−CFCl2からは、この条件下でCFs CHCIFが微量の過ハロゲン化ブ
タン誘導体と共に生成する。
今回1. 1. 1. 4. 4. 4−へキサフルオルブタンの製造方法が見
出され、この方法は式(り
CF、−CXYZ (1)
ε式中、XおよびYは互いに独立して水素、塩素もしくは臭素を示し、Zは塩素
もしくは臭素を示す]
のトリフルオルエタン化合物を気相にて希釈剤なしにパラジウム−および/また
はニッケルー含有の担体触媒にて水素と反応させると共に反応生成物を必要に応
et、1. 1. 4. 4. 4−へキサフルオルブタンの分離の後に後水素
化することを特徴とする。
本発明の方法に出発化合物として必要とされる式(1)のトリフルオルエタン化
合物は入手容易であって、市販製品である。
好ましくは本発明の方法にはCF2 CCl5 、CF3 C)(C12もしく
はCF+ −CH2Brが用いられる。
式(りのトリフルオルエタン化合物と水素との反応は、たとえば式(1)の化合
物が蒸発して水素と共にガス状でパラジウム−および/またはニッケル含有の担
体触媒に案内されるよう行うことができる。式(1)の化合物100gに対した
とえば5〜200 Nlの水素を用いることができる。好ましくは、この量はl
O〜3ON1の水素である。
式(1)の化合物と水素との反応は希釈剤(たとえばアルゴンもしくは窒素)の
不存在下で行われる。
この反応のための触媒としては、たとえば1リットル当り0.5〜20gのパラ
ジウムおよび/または100〜1000gのニッケルを含有するものが挙げられ
る。好ましくは触媒は1リットル当りl−10gのパラジウムまたは300〜8
00gのニッケルを含有する。その際、パラジウムおよび/またはニッケルは好
ましくは全体として、或いは少なくとも部分的に元素状で存在する。これら触媒
のための担体材料としては、たとえば二酸化珪素、シリケート、酸化アルミニウ
ム、スピネル、硫酸バリウム、二酸化チタン、酸化マグネシウムおよび炭素が挙
げられる。好ましくは二酸化珪素および活性炭、特にニッケル用の二酸化珪素お
よびパラジウム用の活性炭が挙げられる。
必要に応じ、触媒は促進剤として他の金属を含有することができる。促進剤はた
とえばパラジウムもしくはニッケルに対し0〜5重量%の量で存在させることが
できる。たとえば促進剤にはジルコニウム、チタン、バナジウム、ニオブ、タン
タル、タリウム、スズおよび/または銅を用いることができる。
式(1)の化合物と水素との反応は常圧または高められた圧力、たとえば20バ
ールまでの圧力にて行うことができる。好ましくは常圧にて操作する。この反応
のための温度はたとえば20〜550℃の範囲である。好ましくは120〜48
0℃の範囲の温度、特に250〜450℃の温度である。
この反応の後に存在するガス混合物は、たとえば有機成分を凝縮させて後水素化
に供給するよう後処理することができる。好ましくは後水素化の前に、凝縮有機
物質からそこに既に含有される1、1. l、4. 4. 4−へキサフルオル
ブタンをたとえば蒸留により分離する。
好ましくは1. l、1. 4. 4. 4−ヘキサフルオルブタンをもはや含
有しない有機凝縮物の後水素化は、上記した式(1)の化合物と水素との反応と
同様に行うことができる。原理的に、後水素化は対応の従来技術による慣用の水
素化とすることもでき、すなわち公知の反応条件下で全ゆる公知の水素化触媒を
用いることができる。 驚くことに本発明の方法により1. 1. 1. 4.
4. 4−へキサフルオルブタンを良好な収率で得ることに成功し、これは冒
頭記載の従来技術の方法においてはこの生成物が生成されないからである。
93.5g/hの1. l、1−1−リフルオル−2,2,2−)リクロルエタ
ンと22 Nl/hの水素とを400℃の温度にて200m1の触媒上に案内し
、この触媒は5gのパラジウムを■リットルの活性炭上に含有した。触媒の背後
にてガス流を一78℃まで冷却し、1時間の過程で48gの粗生成物が得られた
。
ガスクロマトグラフ分析により、この生成物は17.6重量%の1. 1. 1
. 4.4.4−ヘキサフルオルブタンを含有した。この混合物から1. 1.
1. 4゜4.4−へキサフルオルブタンよりも容易に揮発する成分を分離し
、上記の条件下で再び触媒上に案内した。97%の選択率を以て、この後水素化
に際し1. 1、l、4. 4. 4−ヘキサフルオルブタンが得られた。
実施例2
38.5g/hの1,1.1−トリフルオロ−2,2,2−トリクロルエタンと
II Nl/hの水素とを300℃の温度にて200m1の触媒上に案内し、こ
の触媒は5gのパラジウムを1リツトルの活性炭上に含有した。触媒の背後でガ
ス流を一78℃まで冷却すると共に、1時間の過程にて3.4gの粗生成物が得
られた。ガスクロマトグラフ分析により、この生成物は11重量%の1. l。
1、 4. 4. 4−へキサフルオルブタンを含有した。この混合物から1.
1. 1、 4. 4. 4−へキサフルオルブタンよりも容易に揮発する成
分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案内した。98%の選択率を以て、こ
の後水素化に際”し1、 1. 1. 4. 4. 4−へキサフルオルブタン
が得られた。
99.2g/hの1.1.l−トリフルオル−2,2,2−1−リクロルエタン
と22 Nl/hの水素とを300℃の温度にて200m1の触媒上に案内し、
この触媒は500gのニッケルを0.5重量%のジルコンと共に1リツトルの二
酸化珪素上に含有した。触媒の背後でガス流を一78℃まで冷却し、1時間の過
程にて74gの粗生成物が得られた。ガスクロマトグラフ分析により、この生成
物は7重量%の1. I、1. 4. 4. 4−へキサフルオルブタンを含有
した。この混合物から1. 1. 1. 4. 4. 4−ヘキサフルオルブタ
ンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件下で再び触媒上に案内した。
94%の選択率を以て、この後水素化に際し1. 1. 1. 4. 4. 4
−へキサフルオルブタンが得られた。
実施例4
これは実施例3におけると同様な方法としたが、ただし94.4g/hの1゜1
.1−トリフルオロ−2,2,2−トリクロルエタンを用いた。52gの粗生成
物が得られ、これは38重量%の1. 1. 1. 4. 4. 4−へキサフ
ルオルブタンを含有した。後水素化により93%の選択率を以て1. l、1.
4. 4. 4−ヘキサフルオルブタンが得られた。
実施例5
66g/hのl、1.1−トリフルオル−2−ブロムエタンとlI Nl/hの
水素とを400℃の温度にて200m1の触媒上に案内し、この触媒は8gのニ
ッケルを1リツトルの活性炭上に含有した。触媒の背後にてガス流を一78℃ま
で冷却し、1時間の過程にてlOgの粗生成物が得られた。ガスクロマトグラフ
分析により、この生成物は6重量%のl、1. l、4. 4. 4−ヘキサフ
ルオルブタンを含有した。この混合物から1. 1. 1. 4. 4. 4−
へキサフルオルブタンよりも容易に揮発する成分を分離し、上記の条件下で再び
触媒上に案内した。98%の選択率を以て、この後水素化に際し1. l、I、
4. 4. 4−へキサフルオルブタンが得られた。
国際調査報告 el、、T11:6 @”AII、II、フ1フロントページの
続き
FI
Claims (7)
- 1.式(I) CF3−CXYZ(I) [式中、XおよびYは互いに独立して水素、塩素もしくは臭素を示し、Zは塩素 もしくは臭素を示す] のトリフルオルエタン化合物を気相にて希釈剤なしにパラジウム−および/また はニッケル−含有の担体触媒にて水素と反応させると共に、反応生成物を必要に 応じ1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの分離の後に後水素化する ことを特徴とする1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンの製造方法。
- 2.CF3−CCl3、CF3−CHCl2もしくはCF3−CH2Brをこの 方法に用いることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。
- 3.式(I)の化合物100g当り5〜200Nlの水素を用いることを特徴と する請求の範囲第1項または第2項に記載の方法。
- 4.触媒が1リットル当り0.5〜20gのパラジウムおよび/または100〜 1000gのニッケルを含有することを特徴とする請求の範囲第1〜3項のいず れか一項に記載の方法。
- 5.20〜550℃の範囲の温度にて行うことを特徴とする請求の範囲第1〜4 項のいずれか一項に記載の方法。
- 6.後水素化の前に1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオルブタンを反応生成 物から分離することを特徴とする請求の範囲第1〜5項のいずれか一項に記載の 方法。
- 7.後水素化を式(I)の化合物と水素との反応と同様に行うことを特徴とする 請求の範囲第1〜6項のいずれか一項に記載の方法。
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