JP3278359B2 - パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法 - Google Patents
パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法Info
- Publication number
- JP3278359B2 JP3278359B2 JP24883896A JP24883896A JP3278359B2 JP 3278359 B2 JP3278359 B2 JP 3278359B2 JP 24883896 A JP24883896 A JP 24883896A JP 24883896 A JP24883896 A JP 24883896A JP 3278359 B2 JP3278359 B2 JP 3278359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power mosfet
- operational amplifier
- terminal
- inverting input
- input terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、可変速モータの
ドライバーや、ＵＰＳのインバータ、コンバータを構成
するパワーＭＯＳＦＥＴを使用した回路に適用可能な電
流検出方法に関する。
ドライバーや、ＵＰＳのインバータ、コンバータを構成
するパワーＭＯＳＦＥＴを使用した回路に適用可能な電
流検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるパワーＭＯＳＦＥＴの電
流検出方法としては、パワーＭＯＳＦＥＴのソース端子
側にドロップ検出用抵抗を実装した回路やホールセンサ
による電流検出回路等がある。ホールセンサを設けた電
流検出回路によるパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法を
図３によって説明する。図３において、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１０１のドレイン端子とソース端子間にはダイオー
ド１１１を介してメイン電源１１０が並列接続してあ
り、パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート端子は抵抗１０
９とバッファ１０２を介してオペアンプ１０３の出力端
子に接続してある。オペアンプ１０３の反転入力端子に
は三角波キャリア１０４が接続してあり、非反転入力端
子にはＰＩ補償回路１０５が接続してある。パワーＭＯ
ＳＦＥＴ１０１のソース端子側の出力回路には電流検出
用のホールセンサ１０８が設けてあり、このホールセン
サ１０８の検出信号は電流指令信号１０６と共に演算器
１０７に入力する。上述した回路構成により、ホールセ
ンサ１０８によって検出された電流信号は電流指令信号
１０６と演算器１０７において演算され、その演算結果
である出力信号はＰＩ補償回路１０５を介してオペアン
プ１０３に入力し、三角波キャリア１０４と比較演算さ
れてパワーＭＯＳＦＥＴ１０１をオン・オフ制御するＰ
ＷＭパルスを生成する。
流検出方法としては、パワーＭＯＳＦＥＴのソース端子
側にドロップ検出用抵抗を実装した回路やホールセンサ
による電流検出回路等がある。ホールセンサを設けた電
流検出回路によるパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法を
図３によって説明する。図３において、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１０１のドレイン端子とソース端子間にはダイオー
ド１１１を介してメイン電源１１０が並列接続してあ
り、パワーＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート端子は抵抗１０
９とバッファ１０２を介してオペアンプ１０３の出力端
子に接続してある。オペアンプ１０３の反転入力端子に
は三角波キャリア１０４が接続してあり、非反転入力端
子にはＰＩ補償回路１０５が接続してある。パワーＭＯ
ＳＦＥＴ１０１のソース端子側の出力回路には電流検出
用のホールセンサ１０８が設けてあり、このホールセン
サ１０８の検出信号は電流指令信号１０６と共に演算器
１０７に入力する。上述した回路構成により、ホールセ
ンサ１０８によって検出された電流信号は電流指令信号
１０６と演算器１０７において演算され、その演算結果
である出力信号はＰＩ補償回路１０５を介してオペアン
プ１０３に入力し、三角波キャリア１０４と比較演算さ
れてパワーＭＯＳＦＥＴ１０１をオン・オフ制御するＰ
ＷＭパルスを生成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術によるパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法では、パ
ワーＭＯＳＦＥＴの出力回路にホールセンサやドロップ
検出用抵抗を挿入する必要があり、電流検出用の回路と
しては複雑であり、小型で安価な回路ではなかった。こ
の発明は、上述した従来技術における欠点を解消するた
めになされたものであって、小型で安価な回路であるば
かりでなく、パワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数も
任意に変更可能な回路を備えた電流検出方法を提供しよ
うとするものである。
技術によるパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法では、パ
ワーＭＯＳＦＥＴの出力回路にホールセンサやドロップ
検出用抵抗を挿入する必要があり、電流検出用の回路と
しては複雑であり、小型で安価な回路ではなかった。こ
の発明は、上述した従来技術における欠点を解消するた
めになされたものであって、小型で安価な回路であるば
かりでなく、パワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数も
任意に変更可能な回路を備えた電流検出方法を提供しよ
うとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明によるパワーＭ
ＯＳＦＥＴの電流検出方法は、パワーＭＯＳＦＥＴのド
レイン端子にカソード側を接続したダイオードのアノー
ド側を第１のオペアンプの反転入力端子に接続すると共
に、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソース端子を抵抗を介し
て第１のオペアンプの非反転入力端子に接続し、さら
に、前記第１のオペアンプの出力信号と電流指令信号と
を第２のオペアンプに入力させ、その比較演算結果であ
る第２のオペアンプの出力信号を、ワンショット・マル
チとバッファを介してパワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子
に入力させ、パワーＭＯＳＦＥＴがオンとなった時にお
けるドレイン〜ソース間の抵抗ドロップ電圧を利用して
パワーＭＯＳＦＥＴの電流検出を行うものであり、ま
た、ワンショット・マルチによるタイミング調整によっ
てパワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を任意に制御
できるようにしたものである。
ＯＳＦＥＴの電流検出方法は、パワーＭＯＳＦＥＴのド
レイン端子にカソード側を接続したダイオードのアノー
ド側を第１のオペアンプの反転入力端子に接続すると共
に、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソース端子を抵抗を介し
て第１のオペアンプの非反転入力端子に接続し、さら
に、前記第１のオペアンプの出力信号と電流指令信号と
を第２のオペアンプに入力させ、その比較演算結果であ
る第２のオペアンプの出力信号を、ワンショット・マル
チとバッファを介してパワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子
に入力させ、パワーＭＯＳＦＥＴがオンとなった時にお
けるドレイン〜ソース間の抵抗ドロップ電圧を利用して
パワーＭＯＳＦＥＴの電流検出を行うものであり、ま
た、ワンショット・マルチによるタイミング調整によっ
てパワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を任意に制御
できるようにしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】この発明の実施例を図面を参照し
ながら説明する。図１は、この発明のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの電流検出方法を説明するための回路を示すブロック
図である。図１において、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレ
イン端子にカソード側を接続したダイオード９は、アノ
ード側を第１のオペアンプ５の反転入力端子に接続する
と共に抵抗１５を介して第１のオペアンプ５の出力端子
に接続してあり、またパワーＭＯＳＦＥＴ１のソース端
子は抵抗１４を介して第１のオペアンプ５の非反転入力
端子に接続してある。
ながら説明する。図１は、この発明のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの電流検出方法を説明するための回路を示すブロック
図である。図１において、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレ
イン端子にカソード側を接続したダイオード９は、アノ
ード側を第１のオペアンプ５の反転入力端子に接続する
と共に抵抗１５を介して第１のオペアンプ５の出力端子
に接続してあり、またパワーＭＯＳＦＥＴ１のソース端
子は抵抗１４を介して第１のオペアンプ５の非反転入力
端子に接続してある。
【０００６】第１のオペアンプ５の非反転入力端子には
分圧抵抗１２と１４を介して制御電源６の分圧が印加さ
れており、反転入力端子には抵抗１３を介して制御電源
６の電圧が印加されている。第２のオペアンプ４の反転
入力端子には第１のオペアンプ５の出力端子が接続して
あり、非反転入力端子には電流指令信号７が接続してあ
る。さらに、第２のオペアンプ４の出力端子はワンショ
ット・マルチ３とバッファ２および抵抗１１を介してパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子に接続してある。
分圧抵抗１２と１４を介して制御電源６の分圧が印加さ
れており、反転入力端子には抵抗１３を介して制御電源
６の電圧が印加されている。第２のオペアンプ４の反転
入力端子には第１のオペアンプ５の出力端子が接続して
あり、非反転入力端子には電流指令信号７が接続してあ
る。さらに、第２のオペアンプ４の出力端子はワンショ
ット・マルチ３とバッファ２および抵抗１１を介してパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子に接続してある。
【０００７】上述したように、パワーＭＯＳＦＥＴ１の
ドレイン端子にカソード側を接続したダイオード９のア
ノード側を第１のオペアンプ５の反転入力端子に接続し
た理由は、パワーＭＯＳＦＥＴ１がオンした時のドレイ
ン〜ソース間のドロップ電圧のみを第２のオペアンプ４
に電流信号として与えるためである。また、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ１がオフした時における第１のオペアンプ５の
出力端子電圧がローレベルとなるように、ダイオード９
のアノード側を抵抗１５を介して第１のオペアンプ５の
出力端子に接続してある。なお、第１のオペアンプ５の
非反転入力端子には、パワーＭＯＳＦＥＴ１のオン・オ
フを判別するに必要な電圧が抵抗１２と１４より成る分
圧抵抗の片方の抵抗１４を介して制御電源６から供給さ
れている。即ち、パワーＭＯＳＦＥＴ１がオンの時のド
レイン〜ソース間のドロップ電圧よりも、第１のオペア
ンプ５の非反転入力端子電圧を高く保つと共に、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１がオフした時に第１のオペアンプ５の反
転入力端子電圧よりも非反転入力端子電圧を低くするよ
うにしてある。
ドレイン端子にカソード側を接続したダイオード９のア
ノード側を第１のオペアンプ５の反転入力端子に接続し
た理由は、パワーＭＯＳＦＥＴ１がオンした時のドレイ
ン〜ソース間のドロップ電圧のみを第２のオペアンプ４
に電流信号として与えるためである。また、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ１がオフした時における第１のオペアンプ５の
出力端子電圧がローレベルとなるように、ダイオード９
のアノード側を抵抗１５を介して第１のオペアンプ５の
出力端子に接続してある。なお、第１のオペアンプ５の
非反転入力端子には、パワーＭＯＳＦＥＴ１のオン・オ
フを判別するに必要な電圧が抵抗１２と１４より成る分
圧抵抗の片方の抵抗１４を介して制御電源６から供給さ
れている。即ち、パワーＭＯＳＦＥＴ１がオンの時のド
レイン〜ソース間のドロップ電圧よりも、第１のオペア
ンプ５の非反転入力端子電圧を高く保つと共に、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１がオフした時に第１のオペアンプ５の反
転入力端子電圧よりも非反転入力端子電圧を低くするよ
うにしてある。
【０００８】次に、図１に示す回路を利用してパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１を流れる電流を検出する方法を説明する。
第１のコンパレータ５の夫々の入力端子には制御電源６
の直流電圧が印加してあり、またパワーＭＯＳＦＥＴ１
のドレイン端子とソース端子間にダイオード１０を介し
てメイン直流電源８が並列接続してあるときは、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１のゲート回路を構成する各要素における
信号波形は図２に示すようになる。第１のオペアンプ５
の出力端（イ）における信号波形は、図２（ａ）に示す
ようになる。電流指令信号７の波形は任意に定めた一定
電圧の信号であって、図２（ｂ）に示す通りである。第
２のオペアンプ４は、第１のオペアンプ５の出力信号と
電流指令信号７を反転入力端子と非反転入力端子に夫々
入力して、その出力端（ハ）における信号波形は図２
（ｃ）のようになる。第２のオペアンプ４の出力信号
は、ワンショット・マルチ３に入力して、図２（ｃ）に
示すパルスよりＴだけ遅れたパルスを出力し、出力端
（ニ）における信号は図２（ｄ）に示すようになる。バ
ッファ２の出力信号はワンショット・マルチ３の出力パ
ルスと同一形状の信号であって、図２（ｅ）に示す通り
であり、抵抗１１を介してパワーＭＯＳＦＥＴ１のゲー
ト端子に入力する。パワーＭＯＳＦＥＴ１は図２（ｅ）
に示すゲート信号を入力してオン・オフ制御され、ドレ
イン端子（ヘ）における電圧波形は図２（ｆ）のように
なる。
ＯＳＦＥＴ１を流れる電流を検出する方法を説明する。
第１のコンパレータ５の夫々の入力端子には制御電源６
の直流電圧が印加してあり、またパワーＭＯＳＦＥＴ１
のドレイン端子とソース端子間にダイオード１０を介し
てメイン直流電源８が並列接続してあるときは、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１のゲート回路を構成する各要素における
信号波形は図２に示すようになる。第１のオペアンプ５
の出力端（イ）における信号波形は、図２（ａ）に示す
ようになる。電流指令信号７の波形は任意に定めた一定
電圧の信号であって、図２（ｂ）に示す通りである。第
２のオペアンプ４は、第１のオペアンプ５の出力信号と
電流指令信号７を反転入力端子と非反転入力端子に夫々
入力して、その出力端（ハ）における信号波形は図２
（ｃ）のようになる。第２のオペアンプ４の出力信号
は、ワンショット・マルチ３に入力して、図２（ｃ）に
示すパルスよりＴだけ遅れたパルスを出力し、出力端
（ニ）における信号は図２（ｄ）に示すようになる。バ
ッファ２の出力信号はワンショット・マルチ３の出力パ
ルスと同一形状の信号であって、図２（ｅ）に示す通り
であり、抵抗１１を介してパワーＭＯＳＦＥＴ１のゲー
ト端子に入力する。パワーＭＯＳＦＥＴ１は図２（ｅ）
に示すゲート信号を入力してオン・オフ制御され、ドレ
イン端子（ヘ）における電圧波形は図２（ｆ）のように
なる。
【０００９】図２において、ワンショット・マルチ３の
出力信号波形におけるデッド・タイム時間Ｔは、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１のオフ期間と同一であるから、Ｔを調整
することによってパワーＭＯＳＦＥＴ１のデューティ周
波数を制御することが可能となる。また、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１がオン期間中におけるドレイン端子において検
出される電圧は、ドレイン〜ソース間におけるオン抵抗
ドロップである。パワーＭＯＳＦＥＴの種類によってオ
ン抵抗は一定であるから、検出したオン抵抗ドロップを
導通電流に換算して表示することは容易である。パワー
ＭＯＳＦＥＴにおいては、オン抵抗ドロップはジャンク
ション温度に比例して若干大きくなる傾向がある。この
ことは、オン抵抗ドロップを換算して得られる導通電流
値を大きめに表示することになり、パワーＭＯＳＦＥＴ
の動作状況を監視する場合には、フェールセーフ特性を
有していることを意味する。
出力信号波形におけるデッド・タイム時間Ｔは、パワー
ＭＯＳＦＥＴ１のオフ期間と同一であるから、Ｔを調整
することによってパワーＭＯＳＦＥＴ１のデューティ周
波数を制御することが可能となる。また、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１がオン期間中におけるドレイン端子において検
出される電圧は、ドレイン〜ソース間におけるオン抵抗
ドロップである。パワーＭＯＳＦＥＴの種類によってオ
ン抵抗は一定であるから、検出したオン抵抗ドロップを
導通電流に換算して表示することは容易である。パワー
ＭＯＳＦＥＴにおいては、オン抵抗ドロップはジャンク
ション温度に比例して若干大きくなる傾向がある。この
ことは、オン抵抗ドロップを換算して得られる導通電流
値を大きめに表示することになり、パワーＭＯＳＦＥＴ
の動作状況を監視する場合には、フェールセーフ特性を
有していることを意味する。
【００１０】パワーＭＯＳＦＥＴは可変速モータの駆動
回路、ＵＰＳを構成するインバータやコンバータ等に広
く使用されているが、この発明によるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの電流検出方法を用いると、ドロップ検出用抵抗、ホ
ールセンサの電流検出回路等を必要としない簡単で安価
な回路を構成できる。パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ド
ロップはジャンクション温度が高くなるほど電流が増
し、電流検出センサとしてはプラス側に検出レベルがず
れるのでオーバ電流制御とならず、フェールセーフな制
御が可能となる。また、ゲート回路を構成するワンショ
ット・マルチのタイミングを調整することによってパワ
ーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を制御できるので、
電流ループ制御と組み合わせることによりＰＷＭ制御も
容易になる。
回路、ＵＰＳを構成するインバータやコンバータ等に広
く使用されているが、この発明によるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの電流検出方法を用いると、ドロップ検出用抵抗、ホ
ールセンサの電流検出回路等を必要としない簡単で安価
な回路を構成できる。パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ド
ロップはジャンクション温度が高くなるほど電流が増
し、電流検出センサとしてはプラス側に検出レベルがず
れるのでオーバ電流制御とならず、フェールセーフな制
御が可能となる。また、ゲート回路を構成するワンショ
ット・マルチのタイミングを調整することによってパワ
ーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を制御できるので、
電流ループ制御と組み合わせることによりＰＷＭ制御も
容易になる。
【００１１】
【発明の効果】この発明によるパワーＭＯＳＦＥＴの電
流検出方法は、パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ドロップ
を検出する回路を設けることによって、検出した電圧を
電流値に変換させる方法である。このために、パワーＭ
ＯＳＦＥＴのゲート回路を２つのオペアンプ、ワンショ
ット・マルチ、バッファ等によって構成し、簡単で小型
化が容易な安価な回路を実現できる。また、温度に対し
てフェールセーフな特性を備えているばかりでなく、ゲ
ート回路を構成するワンショット・マルチのタイミング
調整によってパワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を
制御できるので、電流ループと組み合わせることにより
ＰＷＭ制御が容易となる。温度変化により電流値に偏差
が出るが、速度制御等のマイナーループ制御に使用する
ことで解決可能である。
流検出方法は、パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ドロップ
を検出する回路を設けることによって、検出した電圧を
電流値に変換させる方法である。このために、パワーＭ
ＯＳＦＥＴのゲート回路を２つのオペアンプ、ワンショ
ット・マルチ、バッファ等によって構成し、簡単で小型
化が容易な安価な回路を実現できる。また、温度に対し
てフェールセーフな特性を備えているばかりでなく、ゲ
ート回路を構成するワンショット・マルチのタイミング
調整によってパワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周波数を
制御できるので、電流ループと組み合わせることにより
ＰＷＭ制御が容易となる。温度変化により電流値に偏差
が出るが、速度制御等のマイナーループ制御に使用する
ことで解決可能である。
【図１】パワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法を示すブロ
ック図。
ック図。
【図２】波形図。
【図３】従来技術によるパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出
方法を示すブロック図。
方法を示すブロック図。
１ パワーＭＯＳＦＥＴ ２ バッファ ３ ワンショット・マルチ ４ 第２のオペアンプ ５ 第１のオペアンプ ６ 制御電源 ７ 電流指令信号 ８ メイン直流電源 ９，１０ ダイオード １１，１２，１３，１４，１５ 抵抗 １６ 負荷
Claims (2)
- 【請求項１】 パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン端子にカ
ソード側を接続したダイオード（９）のアノード側を第
１のオペアンプの反転入力端子に接続すると共に抵抗
（１５）を介してその出力端子に接続し、さらに、第１
のオペアンプの反転入力端子には制御電源電圧を抵抗
（１３）を介して与えておき、前記パワーＭＯＳＦＥＴ
のソース端子側は前記制御電源電圧の基準側と接続して
おくと共に前記第１のオペアンプの非反転入力端子に
は、前記制御電源の両端に並列接続した抵抗（１２）と
（１４）より成る分圧抵抗の片方の抵抗（１４）を介し
て前記制御電源電圧を与えておき、さらに、前記第１の
オペアンプの出力信号と電流指令信号とを比較演算する
第２のオペアンプの出力信号を、ワンショット・マルチ
とバッファを介して前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート端
子に入力させるゲート回路を設け、 前記パワーＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のみのドレイ
ン〜ソース間の抵抗ドロップ電圧を利用して、パワーＭ
ＯＳＦＥＴを流れる電流を検出するようにしたことを特
徴とするパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法。 - 【請求項２】 パワーＭＯＳＦＥＴのゲート回路におけ
るワンショット・マルチの出力パルス幅を任意に設定す
ることにより、前記パワーＭＯＳＦＥＴのデューティ周
波数を制御するようにしたことを特徴とする請求項１に
記載のパワーＭＯＳＦＥＴの電流検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24883896A JP3278359B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24883896A JP3278359B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073621A JPH1073621A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3278359B2 true JP3278359B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=17184177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24883896A Expired - Fee Related JP3278359B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278359B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5297393B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2013-09-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流ロック回路 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP24883896A patent/JP3278359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1073621A (ja) | 1998-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6377034B1 (en) | Method and circuits for inductor current measurement in MOS switching regulators | |
| JP4076376B2 (ja) | 駆動装置 | |
| US4546422A (en) | Control system for a voltage-type inverter | |
| US4758941A (en) | MOSFET fullbridge switching regulator having transformer coupled MOSFET drive circuit | |
| EP0144593B1 (en) | Control system for a voltage-type inverter | |
| US4879641A (en) | Analog multiplex for sensing the magnitude and sense of the current through a h-bridge stage utilizing a single sensing resistance | |
| JP2002272162A (ja) | ブラシレスモータの駆動装置およびそれを使用するモータ | |
| US20020191427A1 (en) | Inverter device with improved current detector | |
| US8076880B2 (en) | Motor control device | |
| US5341286A (en) | Current detecting method | |
| US20010024099A1 (en) | Method and arrangement for regulating the current in a switched reluctance machine | |
| US20040108827A1 (en) | Motor driving circuit | |
| KR100824836B1 (ko) | 펄스폭 변조 구동시스템에서 무효시간의 영향을 제거하는시스템 및 방법 | |
| US20220260615A1 (en) | Apparatus and method for measuring a current flowing through a pwm-controlled inductive load | |
| JP3278359B2 (ja) | パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法 | |
| US20230261646A1 (en) | Controller of power transisor and control method thereof | |
| JP2717498B2 (ja) | 双方向チョッパ・トランスコンダクタンス増幅器 | |
| JP2677215B2 (ja) | ゼロボルトスイッチパルス幅変調型スイッチングレギュレータの制御回路 | |
| US20010054874A1 (en) | Spindle motor drive circuit | |
| JP2020025435A (ja) | 集積回路及びモータ装置 | |
| JPH066975A (ja) | 高圧電源回路 | |
| JPH1175367A (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータ | |
| US7187147B2 (en) | Motor drive | |
| JP2000221215A (ja) | パワーｍｏｓｆｅｔの電流検出方法および電流制御方法 | |
| JP3376787B2 (ja) | 電力変換器の指令電圧補正装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020115 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |