JP3275687B2 - 立体図形加工指定方法 - Google Patents
立体図形加工指定方法Info
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- JP3275687B2 JP3275687B2 JP01638296A JP1638296A JP3275687B2 JP 3275687 B2 JP3275687 B2 JP 3275687B2 JP 01638296 A JP01638296 A JP 01638296A JP 1638296 A JP1638296 A JP 1638296A JP 3275687 B2 JP3275687 B2 JP 3275687B2
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
微細素子を集束ビームを用いてマスクレスでエッチング
や堆積等を行う加工プロセスにおける立体加工方法に関
する。
微細素子を集束ビームを用いてマスクレスでエッチング
や堆積等を行う加工プロセスにおける立体加工方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】集束イオンビーム（Focused Ion Beam、
略してＦＩＢ）を用いたデバイスのマスクレスプロセス
である加工の従来技術は、例えば公知例ＩＥＥＥ／ＩＲ
ＰＳ（１９８９)pp.４３−５２のプロシーディング，１
９８９年の第４３頁から第５２頁にK．Nikawa らによっ
て述べられている。図２は公知例におけるデバイスのコ
ンタクト穴部の断面加工の手順を示したものである。図
２（ａ)，(ｂ）はそれぞれ加工前，加工後のデバイスの
スケッチである。図３は図２（ａ）に対応した加工領域
設定のために形成したディスプレイ装置（ＣＲＴ）上の
ＳＩＭ像である。図２（ａ）及び図３の波線の矩形内が
断面加工のために設定したＦＩＢ走査領域である。
略してＦＩＢ）を用いたデバイスのマスクレスプロセス
である加工の従来技術は、例えば公知例ＩＥＥＥ／ＩＲ
ＰＳ（１９８９)pp.４３−５２のプロシーディング，１
９８９年の第４３頁から第５２頁にK．Nikawa らによっ
て述べられている。図２は公知例におけるデバイスのコ
ンタクト穴部の断面加工の手順を示したものである。図
２（ａ)，(ｂ）はそれぞれ加工前，加工後のデバイスの
スケッチである。図３は図２（ａ）に対応した加工領域
設定のために形成したディスプレイ装置（ＣＲＴ）上の
ＳＩＭ像である。図２（ａ）及び図３の波線の矩形内が
断面加工のために設定したＦＩＢ走査領域である。
【０００３】この従来法で、例えば、加工時間を短縮す
るために目的とする断面に対する面は傾斜させて加工し
ようとした場合、図４に示すように、断面に垂直な方向
の幅を順次かえて加工領域設定を行いながら加工を繰り
返す必要があり、煩雑な領域設定を行う必要があった。
るために目的とする断面に対する面は傾斜させて加工し
ようとした場合、図４に示すように、断面に垂直な方向
の幅を順次かえて加工領域設定を行いながら加工を繰り
返す必要があり、煩雑な領域設定を行う必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、立体
的な加工形状を容易に指定する方法を提供することにあ
る。
的な加工形状を容易に指定する方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、加工の深さ方向の設定を複数のモデルとスロープで
設定する。
に、加工の深さ方向の設定を複数のモデルとスロープで
設定する。
【０００６】上記手段により、加工形状を容易に設定可
能となる。
能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明す
る。立体図形加工の指定手順を下記(１)〜(３)に示す。
る。立体図形加工の指定手順を下記(１)〜(３)に示す。
【０００８】まず、（１）加工領域を含む大きめの領域
全体８０μｍ角をＦＩＢでデジタル走査し、ディスプレ
イ装置画面１に表示されたＳＩＭ像上で加工領域３（大
きさは約１０×１０μｍ2 ）を指定する。次に（２）こ
の加工領域３での深さ方向の形状として断面と向かい合
わせの面を傾斜させるモデルを選択する。（３）選択し
た形状でのスロープとしてトップの位置とボトム位置で
の比率を０〜２００の間で指定する。
全体８０μｍ角をＦＩＢでデジタル走査し、ディスプレ
イ装置画面１に表示されたＳＩＭ像上で加工領域３（大
きさは約１０×１０μｍ2 ）を指定する。次に（２）こ
の加工領域３での深さ方向の形状として断面と向かい合
わせの面を傾斜させるモデルを選択する。（３）選択し
た形状でのスロープとしてトップの位置とボトム位置で
の比率を０〜２００の間で指定する。
【０００９】手順（３）でトップ位置を０、ボトム位置
を２００と各々指定すると、ビームの滞在時間の基準値
を１μsec とした場合、断面の箇所ではビームの滞在時
間を２００μsec で走査し断面から離れるに従って順次
この滞在時間を減らしながらビーム走査を実行する。そ
の結果として目的の加工形状が実現される。
を２００と各々指定すると、ビームの滞在時間の基準値
を１μsec とした場合、断面の箇所ではビームの滞在時
間を２００μsec で走査し断面から離れるに従って順次
この滞在時間を減らしながらビーム走査を実行する。そ
の結果として目的の加工形状が実現される。
【００１０】上記例では、加工形状のモデルとして断面
と向かい合わせの面が傾斜した形状を用いたが、他の形
状として（１）加工領域の中央部を深くするすり鉢状や
(２)加工領域の中央部を残すような形状がある。
と向かい合わせの面が傾斜した形状を用いたが、他の形
状として（１）加工領域の中央部を深くするすり鉢状や
(２)加工領域の中央部を残すような形状がある。
【００１１】さらに、スロープの指定として直線的な傾
斜以外に正弦波形や高次曲線で与えてもよい。
斜以外に正弦波形や高次曲線で与えてもよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子等の微細素
子の集束ビームを用いたマスクレスのエッチングやデポ
ジションの加工プロセスにおいて、任意の立体形状加工
が容易に行える。
子の集束ビームを用いたマスクレスのエッチングやデポ
ジションの加工プロセスにおいて、任意の立体形状加工
が容易に行える。
【図１】本発明の実施例の加工領域指定と立体形状モデ
ル，スロープ指定を行うディスプレイ装置画面の説明
図。
ル，スロープ指定を行うディスプレイ装置画面の説明
図。
【図２】デバイスの断面加工の加工手順の説明図。
【図３】加工領域位置決めのためのＳＩＭ像の説明図。
【図４】従来法での立体加工形状指定のためのＳＩＭ画
像の説明図。
像の説明図。
１…ディスプレイ装置画面、２…ＳＩＭ画像、３…加工
領域、４…立体加工モデル、５…スロープ指定部。
領域、４…立体加工モデル、５…スロープ指定部。
Claims (2)
- 【請求項１】集束荷電粒子を用いて試料基板の特定領域
をマスクレスでエッチング，堆積などを行う加工プロセ
スにおいて、加工領域を含む大きさの領域を集束イオン
ビームで走査し、ディスプレイ装置画面に、集束イオン
ビーム像と前記試料基板を立体的に加工する際の深さ方
向の形状を示すモデルを数種類表示し、当該数種類のモ
デルとスロープで、加工する形状を指定することを特徴
とする立体図形加工指定方法。 - 【請求項２】前記スロープとして直線及び正弦波形，高
次曲線で与える請求項１に記載の立体図形加工指定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01638296A JP3275687B2 (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 立体図形加工指定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01638296A JP3275687B2 (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 立体図形加工指定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213681A JPH09213681A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3275687B2 true JP3275687B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=11914738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01638296A Expired - Lifetime JP3275687B2 (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 立体図形加工指定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275687B2 (ja) |
-
1996
- 1996-02-01 JP JP01638296A patent/JP3275687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09213681A (ja) | 1997-08-15 |
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