JP3274235B2 - フォトリソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステム - Google Patents
フォトリソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステムInfo
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィー
方法及びフォトリソグラフィーシステムに関する。
方法及びフォトリソグラフィーシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程等で
は、フォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路パタ
ーンを転写することが行われており、フォトレジストに
対する露光に露光装置が用いられている。
は、フォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路パタ
ーンを転写することが行われており、フォトレジストに
対する露光に露光装置が用いられている。
【０００３】このような露光装置は、光源およびレンズ
等を備えた露光機構、複数のレチクルを収容するレチク
ル収容部としてのレチクル収容棚、レチクルを搬送する
ためのレチクル搬送機構、半導体ウエハ等の基板を搬送
する基板搬送機構、レチクルの汚染状況を検査するため
の検査機構等を備えている。そして、レチクル搬送機構
によって、レチクル収容棚に収容されたレチクルの中か
ら所望のレチクルを取り出して露光機構に搬送し、基板
搬送機構によって露光機構の所定位置に搬送した基板の
露光を行うよう構成されている。
等を備えた露光機構、複数のレチクルを収容するレチク
ル収容部としてのレチクル収容棚、レチクルを搬送する
ためのレチクル搬送機構、半導体ウエハ等の基板を搬送
する基板搬送機構、レチクルの汚染状況を検査するため
の検査機構等を備えている。そして、レチクル搬送機構
によって、レチクル収容棚に収容されたレチクルの中か
ら所望のレチクルを取り出して露光機構に搬送し、基板
搬送機構によって露光機構の所定位置に搬送した基板の
露光を行うよう構成されている。
【０００４】また、このような露光装置において、レチ
クルが塵埃によって汚染されていると、基板に露光され
たパターンに欠落等が生じてしまい、大量の不良品を発
生させる原因となる。このため、露光装置には、レチク
ルの汚染状況を検査するための検査機構が設けられてお
り、例えば、基板に対する露光を行う前等に、レチクル
を検査機構に搬送して、レチクルの汚染状況を検査し、
所定の基準以上にレチクルが汚染されている場合は、そ
の旨の表示等を行い、直ちには露光を行わない。このよ
うなレチクルは、通常洗浄工程に送られ、洗浄が行われ
る。
クルが塵埃によって汚染されていると、基板に露光され
たパターンに欠落等が生じてしまい、大量の不良品を発
生させる原因となる。このため、露光装置には、レチク
ルの汚染状況を検査するための検査機構が設けられてお
り、例えば、基板に対する露光を行う前等に、レチクル
を検査機構に搬送して、レチクルの汚染状況を検査し、
所定の基準以上にレチクルが汚染されている場合は、そ
の旨の表示等を行い、直ちには露光を行わない。このよ
うなレチクルは、通常洗浄工程に送られ、洗浄が行われ
る。
【０００５】従来、上記レチクルの汚染状況の検査は、
かなり頻繁に行われており、最も多い場合は、基板に対
する露光毎に行われている。
かなり頻繁に行われており、最も多い場合は、基板に対
する露光毎に行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、レチクルの汚染状況の検査を行うためには、一旦レ
チクルを検査機構に搬送する必要があり、また、検査が
終了したら露光機構に搬送する必要があり、しかも、検
査に時間を要する。このため、汚染状況の検査を頻繁に
行うことによって、逆にレチクルの汚染が進むこととな
り、レチクルの使用可能な期間が短縮されてしまうとい
う問題があった。
ば、レチクルの汚染状況の検査を行うためには、一旦レ
チクルを検査機構に搬送する必要があり、また、検査が
終了したら露光機構に搬送する必要があり、しかも、検
査に時間を要する。このため、汚染状況の検査を頻繁に
行うことによって、逆にレチクルの汚染が進むこととな
り、レチクルの使用可能な期間が短縮されてしまうとい
う問題があった。
【０００７】また、頻繁にレチクルの汚染状況の検査を
行うと、この汚染状況の検査に時間を要するため、露光
装置のスループットの低下を招くという問題もある。
行うと、この汚染状況の検査に時間を要するため、露光
装置のスループットの低下を招くという問題もある。
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてレチクルの汚染状況の検査
の頻度を低減することができ、スループットの向上を図
ることのできるフォトリソグラフィー方法及びフォトリ
ソグラフィーシステムを提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べてレチクルの汚染状況の検査
の頻度を低減することができ、スループットの向上を図
ることのできるフォトリソグラフィー方法及びフォトリ
ソグラフィーシステムを提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のフォ
トリソグラフィー方法は、露光用レチクルの汚染状況を
予測し、この予測された汚染状況が所定の汚染度を越え
た場合に、前記レチクルの検査が必要であることを通知
することを特徴とする。 請求項２のフォトリソグラフィ
ー方法は、請求項１において、前記汚染状況の予測は、
前記レチクルの使用履歴に基づいて行うことを特徴とす
る。 請求項３のフォトリソグラフィー方法は、請求項２
において、前記レチクルの使用履歴は、露光装置を含む
フォトリソグラフィーシステムの、各動作コマンドの実
行時間と実行回数のうち少なくとも一方の各動作コマン
ド毎の累計と、前記レチクルの汚染状況に対する前記各
動作コマンドの影響の割合と、に基づいて算出すること
を特徴とする。 請求項４のフォトリソグラフィー方法
は、請求項３において、前記レチクルの汚染状況に対す
る各動作コマンドの影響の割合は、前記フォトリソグラ
フィーシステムの各動作コマンドの実行毎に前記レチク
ルの汚染状況検査を実施して、該汚染状況検査の結果か
ら決定することを特徴とする。 請求項５のフォトリソグ
ラフィー方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１つに
おいて、前記レチクルの検査が必要であることが通知さ
れた場合、自動的に前記レチクルの検査を実施すること
を特徴とする。
トリソグラフィー方法は、露光用レチクルの汚染状況を
予測し、この予測された汚染状況が所定の汚染度を越え
た場合に、前記レチクルの検査が必要であることを通知
することを特徴とする。 請求項２のフォトリソグラフィ
ー方法は、請求項１において、前記汚染状況の予測は、
前記レチクルの使用履歴に基づいて行うことを特徴とす
る。 請求項３のフォトリソグラフィー方法は、請求項２
において、前記レチクルの使用履歴は、露光装置を含む
フォトリソグラフィーシステムの、各動作コマンドの実
行時間と実行回数のうち少なくとも一方の各動作コマン
ド毎の累計と、前記レチクルの汚染状況に対する前記各
動作コマンドの影響の割合と、に基づいて算出すること
を特徴とする。 請求項４のフォトリソグラフィー方法
は、請求項３において、前記レチクルの汚染状況に対す
る各動作コマンドの影響の割合は、前記フォトリソグラ
フィーシステムの各動作コマンドの実行毎に前記レチク
ルの汚染状況検査を実施して、該汚染状況検査の結果か
ら決定することを特徴とする。 請求項５のフォトリソグ
ラフィー方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１つに
おいて、前記レチクルの検査が必要であることが通知さ
れた場合、自動的に前記レチクルの検査を実施すること
を特徴とする。
【００１０】また、請求項６記載の本発明のフォトリソ
グラフィーシステムは、露光装置を含むフォトリソグラ
フィーシステムであって、露光用レチクルの汚染状況を
予測する予測手段と、前記予測された汚染状況が所定の
汚染度を越えた場合に前記レチクルの検査が必要である
ことを通知する通知手段を備えたことを特徴とする。 請
求項７のフォトリソグラフィーシステムは、請求項６に
おいて、前記予測手段は、前記レチクルの使用履歴を記
憶する記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された使用履
歴に基づいて前記レチクルの汚染状況を予測することを
特徴とする。 請求項８のフォトリソグラフィーシステム
は、請求項７において、前記記憶手段は、前記フォトリ
ソグラフィーシステムの、各動作コマンドの実行時間と
実行回数とのうち少なくとも一方の各動作コマンド毎の
累計と、前記レチクルの汚染状況に対する前記各動作コ
マンドの影響の割合とを記憶することを特徴とする。 請
求項９のフォトリソグラフィーシステムは、請求項６〜
請求項８のいずれか１つにおいて、前記レチクルの検査
手段を備えたことを特徴とする。 請求項１０のフォトリ
ソグラフィーシステムは、請求項９において、前記検査
手段は、前記レチクルの検査が必要であることが通知さ
れた場合、自動的に前記レチクルの検査を実施するもの
であることを特徴とする。
グラフィーシステムは、露光装置を含むフォトリソグラ
フィーシステムであって、露光用レチクルの汚染状況を
予測する予測手段と、前記予測された汚染状況が所定の
汚染度を越えた場合に前記レチクルの検査が必要である
ことを通知する通知手段を備えたことを特徴とする。 請
求項７のフォトリソグラフィーシステムは、請求項６に
おいて、前記予測手段は、前記レチクルの使用履歴を記
憶する記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された使用履
歴に基づいて前記レチクルの汚染状況を予測することを
特徴とする。 請求項８のフォトリソグラフィーシステム
は、請求項７において、前記記憶手段は、前記フォトリ
ソグラフィーシステムの、各動作コマンドの実行時間と
実行回数とのうち少なくとも一方の各動作コマンド毎の
累計と、前記レチクルの汚染状況に対する前記各動作コ
マンドの影響の割合とを記憶することを特徴とする。 請
求項９のフォトリソグラフィーシステムは、請求項６〜
請求項８のいずれか１つにおいて、前記レチクルの検査
手段を備えたことを特徴とする。 請求項１０のフォトリ
ソグラフィーシステムは、請求項９において、前記検査
手段は、前記レチクルの検査が必要であることが通知さ
れた場合、自動的に前記レチクルの検査を実施するもの
であることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成の本発明のフォトリソグラフィー方法
及びフォトリソグラフィーシステムでは、レチクルの汚
染状況を予測する。
及びフォトリソグラフィーシステムでは、レチクルの汚
染状況を予測する。
【００１２】したがって、この予測結果に基づいて、実
際の汚染状況の検査を実行すべきか否かを判定すること
ができ、不要な汚染状況の検査を削減することによって
従来に較べてレチクルの汚染状況の検査の頻度を低減す
ることができ、スループットの向上を図ることができ
る。
際の汚染状況の検査を実行すべきか否かを判定すること
ができ、不要な汚染状況の検査を削減することによって
従来に較べてレチクルの汚染状況の検査の頻度を低減す
ることができ、スループットの向上を図ることができ
る。
【００１３】また、レチクルの検査が必要である旨の通
知を行うので、オペレータによる判断要素を低減するこ
とができ、より確実なオペレーションを容易に行うこと
ができる。
知を行うので、オペレータによる判断要素を低減するこ
とができ、より確実なオペレーションを容易に行うこと
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施例の構成を示すも
のである。本実施例のシステムでは、露光装置１と、半
導体ウエハへのレジスト塗布および露光後の現像を行う
レジスト塗布現像装置２が隣接して配置され、これらの
露光装置１とレジスト塗布現像装置２がシステム制御部
３によって統括的に制御されるよう構成されている。
のである。本実施例のシステムでは、露光装置１と、半
導体ウエハへのレジスト塗布および露光後の現像を行う
レジスト塗布現像装置２が隣接して配置され、これらの
露光装置１とレジスト塗布現像装置２がシステム制御部
３によって統括的に制御されるよう構成されている。
【００１６】露光装置１は、棚状に構成された収容部に
それぞれ一枚ずつ合計複数枚のレチクルを収容するよう
構成されたレチクル収容棚１０と、所定のレチクルを用
いてレジスト膜が形成された半導体ウエハに露光を行う
露光機構１１と、レチクルの汚染状況の検査いわゆるゴ
ミ検査を行う検査機構１２と、レチクル収容棚１０と露
光機構１１および検査機構１２の間でレチクルの搬送を
行うレチクル搬送機構１３と、レジスト塗布現像装置２
から送られてきたレジスト膜が形成された半導体ウエハ
を露光機構１１に搬送するとともに露光の終了した半導
体ウエハをレジスト塗布現像装置２に搬送するウエハ搬
送機構１４とから構成されている。
それぞれ一枚ずつ合計複数枚のレチクルを収容するよう
構成されたレチクル収容棚１０と、所定のレチクルを用
いてレジスト膜が形成された半導体ウエハに露光を行う
露光機構１１と、レチクルの汚染状況の検査いわゆるゴ
ミ検査を行う検査機構１２と、レチクル収容棚１０と露
光機構１１および検査機構１２の間でレチクルの搬送を
行うレチクル搬送機構１３と、レジスト塗布現像装置２
から送られてきたレジスト膜が形成された半導体ウエハ
を露光機構１１に搬送するとともに露光の終了した半導
体ウエハをレジスト塗布現像装置２に搬送するウエハ搬
送機構１４とから構成されている。
【００１７】なお、レジスト塗布現像装置２は、周知の
ように、半導体ウエハを高速回転させて半導体ウエハの
表面に均一にフォトレジストを塗布するいわゆるスピン
コータや、露光された半導体ウエハの表面に表面張力を
利用して現像液を液盛りして現像を行い、この後半導体
ウエハを回転させて現像液除去、リンス、乾燥等を行う
デベロッパ、および、これらのスピンコータやデベロッ
パに半導体ウエハをロード・アンロードする搬送機構等
から構成されている。
ように、半導体ウエハを高速回転させて半導体ウエハの
表面に均一にフォトレジストを塗布するいわゆるスピン
コータや、露光された半導体ウエハの表面に表面張力を
利用して現像液を液盛りして現像を行い、この後半導体
ウエハを回転させて現像液除去、リンス、乾燥等を行う
デベロッパ、および、これらのスピンコータやデベロッ
パに半導体ウエハをロード・アンロードする搬送機構等
から構成されている。
【００１８】システム制御部３は、上記構成の露光装置
１およびレジスト塗布現像装置２を統括的に制御するも
ので、主制御部３１と、表示部３２と、レチクルデータ
記憶部３３と、予測演算部３４とから構成されている。
１およびレジスト塗布現像装置２を統括的に制御するも
ので、主制御部３１と、表示部３２と、レチクルデータ
記憶部３３と、予測演算部３４とから構成されている。
【００１９】上記主制御部３１は、露光装置１およびレ
ジスト塗布現像装置２に各種コマンドを送り、これらの
装置を制御するためのものであり、表示部３２は、オペ
レータに対して各種表示を行うためのものである。ま
た、レチクルデータ記憶部３３は、レチクル収容棚１０
に収容された各レチクル毎に、後述するような過去の使
用履歴等のデータを収容するものであり、予測演算部３
４は、このレチクルデータ記憶部３３内に収容されたデ
ータを基に、レチクルの汚染状況を予測するものであ
る。
ジスト塗布現像装置２に各種コマンドを送り、これらの
装置を制御するためのものであり、表示部３２は、オペ
レータに対して各種表示を行うためのものである。ま
た、レチクルデータ記憶部３３は、レチクル収容棚１０
に収容された各レチクル毎に、後述するような過去の使
用履歴等のデータを収容するものであり、予測演算部３
４は、このレチクルデータ記憶部３３内に収容されたデ
ータを基に、レチクルの汚染状況を予測するものであ
る。
【００２０】次に、上記予測演算部３４におけるレチク
ルの汚染状況すなわちレチクルに付着したゴミの数の予
測方法について説明する。
ルの汚染状況すなわちレチクルに付着したゴミの数の予
測方法について説明する。
【００２１】主制御部３１から露光装置１に対して発せ
られるコマンドであって、レチクルに付着したゴミの数
と相関関係を有するコマンドの種類は、露光装置（Ｍ号
機）におけるレチクル棚Ｎ番目のものについて以下のも
のが挙げられる。
られるコマンドであって、レチクルに付着したゴミの数
と相関関係を有するコマンドの種類は、露光装置（Ｍ号
機）におけるレチクル棚Ｎ番目のものについて以下のも
のが挙げられる。
【００２２】（１）レチクルの棚への収納 （２）レチクルの実露光 （３）レチクルのロード （３）−１ 棚から露光ステージ （３）−２ 棚から検査ステージ （３）−３ 検査ステージから露光ステージ （３）−４ 露光ステージから検査ステージ （４）レチクルのアンロード （４）−１ 露光ステージから棚 （４）−２ 検査ステージから棚 （５）レチクルの汚染状況の検査 （６）キャリブレーション これらのうち、（１）については初期値（定数）とし
て、（２）については露光回数（２）−１および露光時
間（２）−２、（３）、（４）、（５）、（６）につい
ては実行回数のみが汚染状況（付着ゴミ量）に関係して
いる。
て、（２）については露光回数（２）−１および露光時
間（２）−２、（３）、（４）、（５）、（６）につい
ては実行回数のみが汚染状況（付着ゴミ量）に関係して
いる。
【００２３】したがって、上記（１）、（２）−１、
（２）−２、（３）−１、（３）−２、（３）−３、
（３）−４、（４）−１、（４）−２、（５）、（６）
と汚染状況の検査結果を用いて、次のような１１次の連
立方程式が作れる。
（２）−２、（３）−１、（３）−２、（３）−３、
（３）−４、（４）−１、（４）−２、（５）、（６）
と汚染状況の検査結果を用いて、次のような１１次の連
立方程式が作れる。
【００２４】 検査結果＝Ｔ（Ｍ，Ｎ，１）＊ｆ（（１）） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，２）＊ｇ（（２）−１） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，３）＊ｈ（（２）−２） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，４）＊ｉ（（３）−１） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，５）＊ｊ（（３）−２） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，６）＊ｋ（（３）−３） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，７）＊ｌ（（３）−４） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，８）＊ｍ（（４）−１） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，９）＊ｎ（（４）−２） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，１０）＊ｏ（（５）） ＋Ｔ（Ｍ，Ｎ，１１）＊ｐ（（６）） 上記Ｔ（Ｍ，Ｎ，ＸＸ）が各コマンドの汚染状況（付着
ゴミ量）に対する影響の割合を示す定数である。これに
よってどのコマンドがゴミの付着に大きく影響するかを
判定できる。
ゴミ量）に対する影響の割合を示す定数である。これに
よってどのコマンドがゴミの付着に大きく影響するかを
判定できる。
【００２５】上記コマンドと検査結果は、レチクル毎に
レチクルデータ記憶部３３に記憶される。そして、予測
演算部３４は、検査結果の数が、上記１１次の連立方程
式を解くことのできる数以上となった時点で、これらの
検査結果とレチクルデータ記憶部３３に記憶された情報
を基に、上記１１次の連立方程式を解く。そして、その
解は、レチクルデータ記憶部３３に記憶され。このよう
な１１次の連立方程式の計算は、検査機構１２によって
汚染状況の検査が行われる度に行われる。予測演算部３
４は、このような計算によって求められた結果を用い
て、各レチクルの汚染状況の予測計算を行う。
レチクルデータ記憶部３３に記憶される。そして、予測
演算部３４は、検査結果の数が、上記１１次の連立方程
式を解くことのできる数以上となった時点で、これらの
検査結果とレチクルデータ記憶部３３に記憶された情報
を基に、上記１１次の連立方程式を解く。そして、その
解は、レチクルデータ記憶部３３に記憶され。このよう
な１１次の連立方程式の計算は、検査機構１２によって
汚染状況の検査が行われる度に行われる。予測演算部３
４は、このような計算によって求められた結果を用い
て、各レチクルの汚染状況の予測計算を行う。
【００２６】なお、ゴミの大きさのランクに応じて上記
ｆ、ｇ、……、ｐは変化する。したがって、このような
演算は、ゴミの大きさのランク毎に分けて行われる。
ｆ、ｇ、……、ｐは変化する。したがって、このような
演算は、ゴミの大きさのランク毎に分けて行われる。
【００２７】図２のフローチャートに上記予測演算部３
４の動作を示す。
４の動作を示す。
【００２８】予測演算部３４は、レチクルの汚染状況の
予測計算を実行する旨のオペレータからの予測演算要求
および検査機構１２による汚染状況の検査終了のコマン
ドによって起動される。
予測計算を実行する旨のオペレータからの予測演算要求
および検査機構１２による汚染状況の検査終了のコマン
ドによって起動される。
【００２９】そして、上記汚染状況の検査終了のコマン
ドによって起動された場合は（１０１）、検査結果を入
力し（１０２）、検査結果が前述した連立方程式を解く
ことのできる所定数以上となっている場合は（１０
３）、前述した連立方程式を解いてその解を求め（１０
４）、求めた解をレチクルデータ記憶部３３に収納する
（１０５）。
ドによって起動された場合は（１０１）、検査結果を入
力し（１０２）、検査結果が前述した連立方程式を解く
ことのできる所定数以上となっている場合は（１０
３）、前述した連立方程式を解いてその解を求め（１０
４）、求めた解をレチクルデータ記憶部３３に収納する
（１０５）。
【００３０】なお、上記ステップ（１０３）において、
検査結果が連立方程式を解くことのできる所定数以上と
なっていない場合は、処理を終了する。
検査結果が連立方程式を解くことのできる所定数以上と
なっていない場合は、処理を終了する。
【００３１】一方、オペレータからの予測演算要求によ
って起動された場合は（１０１）、まず、連立方程式の
解が算出済であるか否かを判断し（１０６）、算出済で
ない場合は、処理を終了する。
って起動された場合は（１０１）、まず、連立方程式の
解が算出済であるか否かを判断し（１０６）、算出済で
ない場合は、処理を終了する。
【００３２】また、連立方程式の解が算出済の場合は、
予測計算を実行してその時のレチクルの汚染状況（付着
ゴミ量）を算出する（１０７）。
予測計算を実行してその時のレチクルの汚染状況（付着
ゴミ量）を算出する（１０７）。
【００３３】この算出結果は、表示部３２によってオペ
レータに表示される。この時、予測演算部３４は、予め
設定されている所定の汚染度と予測結果とを比較し、予
測結果がこの所定の汚染度を越えている場合は、予測結
果とともに実際の汚染状況の検査を実行した方が良い旨
の表示を行う。
レータに表示される。この時、予測演算部３４は、予め
設定されている所定の汚染度と予測結果とを比較し、予
測結果がこの所定の汚染度を越えている場合は、予測結
果とともに実際の汚染状況の検査を実行した方が良い旨
の表示を行う。
【００３４】したがって、オペレータは、表示部３２に
表示された予測結果が低レベルの場合は、検査機構１２
による実際のレチクルの汚染状況の検査を行わずにその
まま露光機構１１による半導体ウエハの実露光を行うこ
とによって、汚染状況の検査に要する時間の短縮と汚染
状況の検査に起因するレチクルの汚染を防止することが
できる。
表示された予測結果が低レベルの場合は、検査機構１２
による実際のレチクルの汚染状況の検査を行わずにその
まま露光機構１１による半導体ウエハの実露光を行うこ
とによって、汚染状況の検査に要する時間の短縮と汚染
状況の検査に起因するレチクルの汚染を防止することが
できる。
【００３５】また、表示部３２に表示された予測結果が
高レベルで実際の汚染状況の検査を実行した方が良い旨
の表示が行われた場合は、当該レチクルの検査機構１２
による実際の汚染状況の検査を行い、その実際の汚染状
況を知ることによって、汚染されたレチクルを使用した
ことによる不良品の大量発生等が生じることを未然に防
止することができる。このような検査機構１２による実
際の汚染状況の検査は、予測演算部３４による予測結果
が所定の汚染度を越えている場合に自動的に実行するよ
う構成することもできる。
高レベルで実際の汚染状況の検査を実行した方が良い旨
の表示が行われた場合は、当該レチクルの検査機構１２
による実際の汚染状況の検査を行い、その実際の汚染状
況を知ることによって、汚染されたレチクルを使用した
ことによる不良品の大量発生等が生じることを未然に防
止することができる。このような検査機構１２による実
際の汚染状況の検査は、予測演算部３４による予測結果
が所定の汚染度を越えている場合に自動的に実行するよ
う構成することもできる。
【００３６】したがって、本実施例によれば、従来に較
べてレチクルの汚染状況の検査の頻度を低減することが
でき、検査時間の削減とレチクルの使用期間の長期化を
図ることができ、これによってスループットの向上を図
ることができる。
べてレチクルの汚染状況の検査の頻度を低減することが
でき、検査時間の削減とレチクルの使用期間の長期化を
図ることができ、これによってスループットの向上を図
ることができる。
【００３７】なお、上記実施例では、１台の露光装置１
についてのみ説明したが、複数の露光装置１を使用しこ
れらの装置間でレチクルを共用する場合は、これらの露
光装置１間の情報を装置間通信によってやりとりするよ
う構成することもできる。
についてのみ説明したが、複数の露光装置１を使用しこ
れらの装置間でレチクルを共用する場合は、これらの露
光装置１間の情報を装置間通信によってやりとりするよ
う構成することもできる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトリ
ソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステムに
よれば、従来に較べてレチクルの汚染状況の検査の頻度
を低減することができ、スループットの向上を図ること
ができる。
ソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステムに
よれば、従来に較べてレチクルの汚染状況の検査の頻度
を低減することができ、スループットの向上を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の露光装置の構成を示す図。
【図２】図１の露光装置の予測演算部の動作を示す図。
１ 露光装置 ２ レジスト塗布現像装置 ３ システム制御部 １０ レチクル収容棚 １１ 露光機構 １２ 検査機構 １３ レチクル搬送機構 １４ ウエハ搬送機構 ３１ 主制御部 ３２ 表示部 ３３ レチクルデータ記憶部 ３４ 予測演算部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (10)
- 【請求項１】 露光用レチクルの汚染状況を予測し、 この予測された汚染状況が所定の汚染度を越えた場合
に、前記レチクルの検査が必要であることを通知するこ
とを特徴とするフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項２】 前記汚染状況の予測は、 前記レチクルの使用履歴に基づいて行うことを特徴とす
る請求項１に記載のフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項３】 前記レチクルの使用履歴は、 露光装置を含むフォトリソグラフィーシステムの、各動
作コマンドの実行時間と実行回数のうち少なくとも一方
の各動作コマンド毎の累計と、 前記レチクルの汚染状況に対する前記各動作コマンドの
影響の割合と、 に基づいて算出することを特徴とする請求項２に記載の
フォトリソグラフィー方法。 - 【請求項４】 前記レチクルの汚染状況に対する各動作
コマンドの影響の割合は、 前記フォトリソグラフィーシステムの各動作コマンドの
実行毎に前記レチクルの汚染状況検査を実施して、該汚
染状況検査の結果から決定することを特徴とする請求項
３に記載のフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項５】 前記レチクルの検査が必要であることが
通知された場合、自動的に前記レチクルの検査を実施す
ることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１つ
に記載のフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項６】 露光装置を含むフォトリソグラフィーシ
ステムであって、 露光用レチクルの汚染状況を予測する予測手段と、 前記予測された汚染状況が所定の汚染度を越えた場合に
前記レチクルの検査が必要であることを通知する通知手
段を備えたことを特徴とするフォトリソグラフィーシス
テム。 - 【請求項７】 前記予測手段は、 前記レチクルの使用履歴を記憶する記憶手段を備え、該
記憶手段に記憶された使用履歴に基づいて前記レチクル
の汚染状況を予測することを特徴とする請求項６に記載
のフォトリソグラフィーシステム。 - 【請求項８】 前記記憶手段は、 前記フォトリソグラフィーシステムの、各動作コマンド
の実行時間と実行回数とのうち少なくとも一方の各動作
コマンド毎の累計と、前記レチクルの汚染状況に対する
前記各動作コマンドの影響の割合とを記憶することを特
徴とする請求項７に記載のフォトリソグラフィーシステ
ム。 - 【請求項９】 前記レチクルの検査手段を備えたことを
特徴とする請求項６〜請求項８のいずれか１つに記載の
フォトリソグラフィーシステム。 - 【請求項１０】 前記検査手段は、前記レチクルの検査
が必要であることが通知された場合、自動的に前記レチ
クルの検査を実施するものであることを特徴とする請求
項９に記載のフォトリソグラフィーシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16657193A JP3274235B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | フォトリソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16657193A JP3274235B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | フォトリソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722306A JPH0722306A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3274235B2 true JP3274235B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=15833735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16657193A Expired - Fee Related JP3274235B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | フォトリソグラフィー方法及びフォトリソグラフィーシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3274235B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16657193A patent/JP3274235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722306A (ja) | 1995-01-24 |
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