JP3270762B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JP3270762B2
JP3270762B2 JP2001074145A JP2001074145A JP3270762B2 JP 3270762 B2 JP3270762 B2 JP 3270762B2 JP 2001074145 A JP2001074145 A JP 2001074145A JP 2001074145 A JP2001074145 A JP 2001074145A JP 3270762 B2 JP3270762 B2 JP 3270762B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
crystal display
display device
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001074145A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001311956A (en
Inventor
裕文 山北
克彦 熊川
一生 井上
昭教 塩田
佐藤  一郎
裕司 佐谷
雅典 木村
智 浅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2001074145A priority Critical patent/JP3270762B2/en
Publication of JP2001311956A publication Critical patent/JP2001311956A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3270762B2 publication Critical patent/JP3270762B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に広視野角かつ高速応答が得ら
れる液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a liquid crystal display device having a wide viewing angle and a high speed response, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】(第1の従来技術)図23(a)(b)は従来
の液晶パネル内での液晶の動作を示す側断面図であり、
図23(c)(d)はその正面図を表す。図23ではアクティ
ブ素子を省略してある。また、ストライプ状の電極を構
成して複数の画素を形成するが、ここでは一画素の部分
を示している。
2. Description of the Related Art (First Prior Art) FIGS. 23A and 23B are side sectional views showing the operation of a liquid crystal in a conventional liquid crystal panel.
FIGS. 23C and 23D are front views thereof. In FIG. 23, the active elements are omitted. A plurality of pixels are formed by forming a stripe-shaped electrode. Here, one pixel is shown.

【0003】電圧無印加時のセル側断面を図23(a)
に、その時の正面図を図23(c)に示す。透明な一対の
基板の内側に線状の電極103、104が形成され、そ
の上に配向制御膜106が塗布及び配向処理されてい
る。間には液晶組成物が挟持されている。棒状の液晶分
子105は、電圧無印加時にはストライプ状のY電極の
長手方向に対して若干の角度、即ち45度≦|φLC|<
90度、(φLC:界面近傍での液晶分子長軸(光学軸)
方向のなす角)を持つように配向されている。上下界面
上での液晶分子配向方向はここでは平行としている。ま
た、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。
FIG. 23 (a) shows a cross section of the cell side when no voltage is applied.
FIG. 23C shows a front view at that time. Linear electrodes 103 and 104 are formed inside a pair of transparent substrates, and an alignment control film 106 is coated and aligned thereon. A liquid crystal composition is sandwiched between the two. When no voltage is applied, the rod-shaped liquid crystal molecules 105 have a slight angle with respect to the longitudinal direction of the striped Y electrodes, that is, 45 degrees ≦ | φLC | <
90 degrees, (φLC: long axis of liquid crystal molecules near the interface (optical axis)
(The angle between the directions). Here, the liquid crystal molecule alignment directions on the upper and lower interfaces are parallel. The dielectric anisotropy of the liquid crystal composition is assumed to be positive.

【0004】次に、電界109を印加すると図23(b)
(d)に示したように電界方向に液晶がその向きを変え
る。偏光板102を所定角度108に配置することで電
圧印加によって光透過率を変えることが可能となる。こ
のようにして透明電極がなくともコントラストを与える
表示が可能である。
Next, when an electric field 109 is applied, FIG.
The liquid crystal changes its direction in the direction of the electric field as shown in (d). By arranging the polarizing plate 102 at the predetermined angle 108, the light transmittance can be changed by applying a voltage. In this way, a display that provides a contrast without a transparent electrode is possible.

【0005】しかしながら、このような横電界方式の液
晶表示装置では、ネマティック液晶の電場に対する応答
が遅いのに加え、図23に示すようなストライプ状など
独特の電極構造であり、電界が液晶に印加されにくいた
め、応答速度が遅いという問題があった。
However, such a liquid crystal display device of the horizontal electric field type has a unique electrode structure such as a stripe shape as shown in FIG. 23 in addition to a slow response to an electric field of a nematic liquid crystal, and an electric field is applied to the liquid crystal. There is a problem that the response speed is slow because it is difficult to perform.

【0006】横電界方式における液晶の立ち上がりτri
se及び立ち下がり時間τfallは、特開平7−22538
8号公報に示されるような次式で表される。
The rise τri of the liquid crystal in the lateral electric field method
The se and the fall time τ fall are described in JP-A-7-22538.
No. 8 is expressed by the following equation.

【0007】 τrise=γ1/(ε0ΔεE2−π2K2/d2) … (1) τfall=γ1d2/π2K2=γ1/ε0ΔεEc2 … (2) ここで、γ1は粘性係数、K2はツイストの弾性定数、d
はセルギャップ、Δεは誘電異方性、ε0は真空の誘電
率、Eは電界強度、Ecはしきい値電界を示す。
[0007] τrise = γ1 / (ε0ΔεE 2 -π 2 K2 / d 2) ... (1) τfall = γ1d 2 / π 2 K2 = γ1 / ε0ΔεEc 2 ... (2) where, γ1 is viscosity coefficient, K2 is a twist Elastic constant of d
Is the cell gap, Δε is the dielectric anisotropy, ε0 is the dielectric constant of vacuum, E is the electric field strength, and Ec is the threshold electric field.

【0008】上記第1式及び第2式より、横電界方式に
おける液晶表示装置を高速応答にするには、セルギャッ
プdを小さくしたり、粘性係数γ1が小さく高誘電率の
液晶材料(例えばシアノ系液晶など)を使用したり、あ
るいは電界強度Eを大きくするために駆動電圧を大きく
する手段がとられている。
From the above formulas (1) and (2), in order to make the liquid crystal display device of the in-plane switching method high-speed response, the cell gap d can be reduced or a liquid crystal material having a small viscosity coefficient γ1 and a high dielectric constant (for example, cyano) can be obtained. Or a means for increasing the driving voltage in order to increase the electric field strength E.

【0009】(第2の従来技術)図24は、特開平9−
236820号公報に開示された横電界印加方式の液晶
表示装置の断面図である。なおここに、横電界印加方式
とは、透明基板の一方の内面に画素電極と対向電極の双
方を同一面上に形成し、これら同一面上に形成した画素
電極と対向電極間に電位を与え、透明基板の板面と平行
する方向の横電界を液晶に印加して液晶分子の配列を制
御する方式であり、これにより装置の表示の視野角依存
性の改善を図るものである。
(Second Prior Art) FIG.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing of the liquid crystal display device of a horizontal electric field application system disclosed by 236820 gazette. Here, the lateral electric field application method means that both a pixel electrode and a counter electrode are formed on one inner surface of a transparent substrate on the same surface, and a potential is applied between the pixel electrode and the counter electrode formed on these same surfaces. In this method, a lateral electric field in a direction parallel to the plane of the transparent substrate is applied to the liquid crystal to control the arrangement of liquid crystal molecules, thereby improving the viewing angle dependence of the display of the device.

【0010】図24(a)は、ソースバスライン(映像
信号線)に直交する方向かつ後に説明する半導体スイッ
チング素子のない部分の上下方向(基板面に直交する方
向)断面を示し、図24(b)は同じく半導体スイッチ
ング素子の存在する部分の断面を示し、図24(c)は
ソースバスラインに平行方向かつ半導体スイッチング素
子の存在する部分の断面を示す。
FIG. 24A shows a cross section in a direction perpendicular to a source bus line (video signal line) and in a vertical direction (a direction perpendicular to the substrate surface) of a portion without a semiconductor switching element to be described later. FIG. 24B shows a cross section of a portion where the semiconductor switching element exists, and FIG. 24C shows a cross section of the portion where the semiconductor switching element exists in a direction parallel to the source bus line.

【0011】図24において、201aは下部の、20
1bは上部の透明基板である。202は、対向電極であ
る。203aは、ゲート電極である。204は、ソース
バスラインである。205は、画素電極、205aは、
その延長端部である。206は、半導体スイッチング素
子である。207は、液晶層である。208aは下部
の、208bは上部の配向膜である。209は透明絶縁
層である。
[0011] In FIG.
1b is an upper transparent substrate. 202 is a counter electrode. 203a is a gate electrode. 204 is a source bus line. 205 is a pixel electrode, and 205a is
It is the extension end. 206 is a semiconductor switching element. 207 is a liquid crystal layer. 208a is a lower alignment film, and 208b is an upper alignment film. 209 is a transparent insulating layer.

【0012】図24に示すように、この液晶表示装置に
おいては、2枚の透明基板201aと201bが相対向
して配置され、その対向面間に配向膜を介して液晶が封
入されており、更に配向膜が液晶層の上下両面に接して
液晶分子を所定の配向に整列させる点は従来広く採用さ
れているものと同じである。
As shown in FIG. 24, in this liquid crystal display device, two transparent substrates 201a and 201b are arranged facing each other, and liquid crystal is sealed between the facing surfaces via an alignment film. Further, the point that the alignment film is in contact with the upper and lower surfaces of the liquid crystal layer to align the liquid crystal molecules in a predetermined alignment is the same as that conventionally widely used.

【0013】ただし、アレイ基板すなわち電極を形成す
る側の透明基板、この装置では201a側には配向膜2
08aと透明基板201aとの間に透明絶縁層209が
配置され、この透明絶縁層によってソースバスラインと
対向電極との間及びソースバスラインと画素電極との間
をそれぞれ絶縁し、併せて対向電極とソースバスライン
の位置を本装置の使用者から見て(本装置の使用者が表
示面を見る場合に)重ね合わせて配置することが可能な
構造となっている点に特徴がある。
However, the alignment film 2 is provided on the array substrate, that is, on the transparent substrate on which the electrodes are to be formed.
08a and the transparent substrate 201a, a transparent insulating layer 209 is disposed, and the transparent insulating layer insulates between the source bus line and the counter electrode and between the source bus line and the pixel electrode, respectively. It is characterized in that the position of the source bus line can be overlapped with the position of the source bus line when viewed from the user of the present apparatus (when the user of the present apparatus looks at the display surface).

【0014】このようにすれば、電極の存在によって発
生する遮光部分の面積を小さくすることが可能となり、
画素部分の開口率が高まるため、画面全体の輝度が向上
する。
This makes it possible to reduce the area of the light-shielding portion generated by the presence of the electrode.
Since the aperture ratio of the pixel portion is increased, the luminance of the entire screen is improved.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】(第1の従来技術の課
題)しかしながら、上記のような第1の従来例である液
晶表示装置の場合、以下のような課題が残されていた。
(Problems of the First Prior Art) However, in the case of the liquid crystal display device of the first conventional example as described above, the following problems remain.

【0016】(1)セルギャップを小さくすると、液晶
を注入するのに要する時間が長くなり製造に要する時間
が長くなる。また、ギャップの精度ばらつきによるムラ
が目立ちやすくなる。
(1) When the cell gap is reduced, the time required for injecting liquid crystal becomes longer and the time required for manufacturing becomes longer. In addition, unevenness due to gap accuracy variation becomes more conspicuous.

【0017】(2)フッソ系液晶材料に替え、シアノ系
液晶材料を使用したり添加率を増加すると、耐熱・耐光
性が不安定になりコントラストの部分的な異常やフリッ
カなどの表示不良につながる可能性がある。
(2) When a cyano-based liquid crystal material is used instead of a fluorine-based liquid crystal material or the addition rate is increased, heat and light resistance become unstable, leading to partial abnormalities in contrast and display defects such as flicker. there is a possibility.

【0018】(3)駆動電圧を大きくすると、消費電力
が大きくなるばかりでなく、従来使用していた駆動用I
Cが使えなくなり専用の駆動用ICが必要になる。
(3) Increasing the driving voltage not only increases the power consumption, but also increases the driving I
C cannot be used, and a dedicated driving IC is required.

【0019】(4)透過率を向上するために、画素電極
あるいは共通電極にITOなどの透明電極を使用し、且
つ応答速度の向上をも図ろうとすると、より厚い膜を形
成する必要がある。しかしながら、このような厚い膜を
形成しようとすれば、微小な結晶の堆積により透過率が
低下するとともに、膜表面が粗くなり、そのため光散乱
値が増加して光利用効率が低下してしまう。
(4) In order to improve the transmittance, it is necessary to use a transparent electrode such as ITO for the pixel electrode or the common electrode and to improve the response speed, and to form a thicker film. However, if an attempt is made to form such a thick film, the transmittance is reduced due to the deposition of fine crystals, and the film surface is roughened. Therefore, the light scattering value is increased and the light use efficiency is reduced.

【0020】(第2の従来技術の課題)しかしながら、
上記のような第2の従来例である液晶表示装置の場合、
以下のような課題が残されていた。
(Second Problem of the Prior Art) However,
In the case of the liquid crystal display device of the second conventional example as described above,
The following issues remained.

【0021】(1)画素部に形成された画素電極、対向
電極が非透過形導電層である場合、その部分で光を透過
しないので開口率が低下してしまう。また、画素電極、
対向電極を透明導電層で形成しても、従来の電極構成、
液晶材料の組み合わせでは電極上の電界強度は微弱であ
るため、光はほとんど透過しないので実質開口率の向上
は望めない。
(1) When the pixel electrode and the counter electrode formed in the pixel portion are non-transmissive conductive layers, light is not transmitted at that portion, and the aperture ratio is reduced. Also, pixel electrodes,
Even if the counter electrode is formed of a transparent conductive layer, the conventional electrode configuration,
In the combination of liquid crystal materials, since the electric field intensity on the electrode is weak, almost no light is transmitted, and therefore, it is not possible to substantially improve the aperture ratio.

【0022】(2)ゲート電極(走査信号線)と対向電
極を同一プロセスで形成すれば、製造プロセスが簡略化
されるが、各々の電極は近接しているため電気的短絡が
発生し、歩留まり低下の原因になる。
(2) If the gate electrode (scanning signal line) and the counter electrode are formed in the same process, the manufacturing process is simplified. However, since the electrodes are close to each other, an electrical short circuit occurs and the yield is increased. May cause a drop.

【0023】(3)ソースバスライン(映像信号線)直
上にも対向電極を設けることにより、ソースバスライン
(映像信号線)直上に設けた対向電極以外の大部分の対
向電極と画素電極で形成される電界分布にも影響を及ぼ
す。
(3) By providing a counter electrode directly above the source bus line (video signal line), most of the counter electrode and the pixel electrode other than the counter electrode provided immediately above the source bus line (video signal line) are formed. It also affects the distribution of the applied electric field.

【0024】(4)ソースバスライン(映像信号線)直
上の対向電極と画素電極で形成される電界分布は、それ
以外の対向電極と画素電極で形成される電界分布と異な
るため、輝度ムラ、あるいは色付きが発生する要因とな
る。
(4) The electric field distribution formed by the counter electrode and the pixel electrode immediately above the source bus line (video signal line) is different from the electric field distribution formed by the other counter electrode and the pixel electrode. Alternatively, it is a factor that causes coloring.

【0025】本発明は、上記課題を解決し、液晶材料の
変更やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大き
くすることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高
画質が得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems and provides a liquid crystal capable of providing a wide viewing angle, high-speed response and high image quality such as high brightness without changing the liquid crystal material, narrowing the cell gap, or increasing the driving voltage. It is an object to provide a display device and a manufacturing method thereof.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項1記載の発明は、共通電極、画
素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチン
グ素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備
え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基
板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液
晶表示装置であって、前記共通電極及び前記画素電極の
少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画
素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、前記共通電極
及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前
記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の
膜厚よりも大きいことを特徴とする。
According to one aspect of the present invention, there is provided an array in which a common electrode, a pixel electrode, a scanning signal line, a video signal line, and a semiconductor switching element are formed. A substrate, a counter substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the array substrate and the counter substrate, and applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode to generate an electric field substantially parallel to the substrate. A liquid crystal display device for dimming and driving the liquid crystal, wherein a line width of at least one of the common electrode and the pixel electrode is larger than a gap between the common electrode and the pixel electrode, and The film thickness of at least one of the common electrode and the pixel electrode is larger than the film thickness of at least one of the scanning signal line and the video signal line.

【0027】[0027]

【0028】[0028]

【0029】[0029]

【0030】[0030]

【0031】電極の線幅を、共通電極と画素電極との間
の間隙(電極間隔)よりも大きくすると、実質的に電極
間隔が従来よりも狭くなる。この結果、電界の立ち上が
りが電極内部側まで拡がり、電極端近傍での電界強度が
大きくなるため、応答速度が向上する。また、電極の膜
厚を、信号線の膜厚よりも大きくすると、電界の立ち上
がりが電極内部側まで拡がり、応答速度が向上する。そ
して、本願発明のように、電極の線幅を大きくし、か
つ、電極の膜厚を大きくする構成であれば、電極の線幅
を大きくした場合の上記効果と、電極の膜厚を大きくし
た場合の上記効果を単に加えた以上の相乗的な効果が得
られる。
When the line width of the electrode is larger than the gap (electrode interval) between the common electrode and the pixel electrode, the electrode interval is substantially narrower than in the prior art. As a result, the rising of the electric field spreads to the inside of the electrode, and the electric field intensity near the electrode end increases, so that the response speed is improved. When the thickness of the electrode is larger than the thickness of the signal line, the rising of the electric field spreads to the inside of the electrode, and the response speed is improved. And, as in the invention of the present application, if the line width of the electrode is increased and the thickness of the electrode is increased, the above-described effect when the line width of the electrode is increased and the thickness of the electrode are increased. In this case, a synergistic effect can be obtained that is more than simply adding the above effects.

【0032】また、本発明は共通電極及び前記画素電極
の少なくとも何れか一方を透明導電層から構成してもよ
い。
In the present invention, at least one of the common electrode and the pixel electrode may be formed of a transparent conductive layer.

【0033】上記したように、電極間隔を狭くしたり、
電極の厚みを大きくしたりすれば、電界分布が電極上に
まで拡がる。従って、不透明電極に代えて透明電極を使
用すれば、電極直上を表示部として使用することが可能
となり、透過率の向上を図ることができる。
As described above, the distance between the electrodes can be reduced,
If the thickness of the electrode is increased, the electric field distribution spreads over the electrode. Therefore, if a transparent electrode is used instead of the opaque electrode, it is possible to use the portion immediately above the electrode as a display portion, and it is possible to improve the transmittance.

【0034】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、積層された少なくとも2種類
の導電層から構成され、凸形断面形状になっている場合
もある。
Further, in the present invention, at least one of the common electrode and the pixel electrode is constituted by at least two kinds of conductive layers laminated, and may have a convex sectional shape.

【0035】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、少なくとも2種類の異なる光
学特性を有し、それぞれ最も良好な透過率が得られる波
長領域が異なる透明導電体から構成されている場合もあ
る。
Further, according to the present invention, at least one of the common electrode and the pixel electrode has at least two kinds of different optical characteristics, and each of the common electrode and the pixel electrode is made of a transparent conductor having a different wavelength region from which the best transmittance is obtained. It may have been.

【0036】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、絶縁層とその表面に形成され
た導電層とから構成されている場合もある。
In the present invention, at least one of the common electrode and the pixel electrode may be composed of an insulating layer and a conductive layer formed on the surface thereof.

【0037】また、本発明は、共通電極及び画素電極の
少なくとも何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成
された透明導電層とから構成されている場合もある。
In the present invention, at least one of the common electrode and the pixel electrode may be composed of a transparent insulating layer and a transparent conductive layer formed on the surface thereof.

【0038】また、本発明は、共通電極と画素電極との
間の電極間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向
基板との間の間隙よりも小さくする場合もある。
In the present invention, the gap between the common electrode and the pixel electrode may be smaller than at least the gap between the array substrate and the counter substrate.

【0039】また、本発明は、共通電極と画素電極の一
部または全部が非晶質の透明導電膜からなる場合もあ
る。
In the present invention, the common electrode and the pixel electrode may be partially or entirely formed of an amorphous transparent conductive film.

【0040】[0040]

【0041】[0041]

【0042】[0042]

【0043】[0043]

【0044】[0044]

【0045】[0045]

【0046】[0046]

【0047】[0047]

【0048】[0048]

【0049】[0049]

【0050】[0050]

【0051】[0051]

【0052】[0052]

【0053】[0053]

【0054】[0054]

【0055】[0055]

【0056】[0056]

【0057】[0057]

【0058】[0058]

【0059】[0059]

【0060】[0060]

【0061】[0061]

【0062】[0062]

【0063】[0063]

【0064】[0064]

【0065】[0065]

【0066】[0066]

【0067】[0067]

【0068】[0068]

【発明の実施の形態】[第1の発明群]以下、本発明の
第1の発明群について、図面を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Invention Group] The first invention group of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0069】(実施の形態1−1)本発明の実施の形態
1−1について図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1-1) An embodiment 1-1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0070】図1(a)は本発明の実施の形態1−1にお
ける液晶表示装置の構成を示す断面図である。図1(b)
は本発明の実施の形態1−1における液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
FIG. 1A is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device according to Embodiment 1-1 of the present invention. Fig. 1 (b)
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 1-1 of the present invention.

【0071】液晶表示装置は、横電界印加方式(IPS
(In-Plane-Swiching)方式)の液晶表示装置である。
この液晶表示装置は、アレイ基板側基板1Aと、対向基
板1Bと、アレイ基板1Aと対向基板1B間に挟持され
た液晶2とを有する。
The liquid crystal display device employs a lateral electric field application method (IPS
(In-Plane-Swiching) type liquid crystal display device.
This liquid crystal display device has an array substrate-side substrate 1A, a counter substrate 1B, and a liquid crystal 2 sandwiched between the array substrate 1A and the counter substrate 1B.

【0072】前記対向基板1Bの内側面には、赤色カラ
ーフィルター材料8a、緑色カラーフィルター材料8
b、青色カラーフィルター材料8c、及びブラックマト
リックス10が所定のパターンに形成されている。これ
らカラーフィルター材料8a、8b、8c及びブラック
マトリックス10の内側面には、配向膜9Bが形成され
ている。
A red color filter material 8a and a green color filter material 8 are provided on the inner surface of the opposing substrate 1B.
b, blue color filter material 8c, and black matrix 10 are formed in a predetermined pattern. An alignment film 9B is formed on the inner surface of each of the color filter materials 8a, 8b, 8c and the black matrix 10.

【0073】一方、アレイ基板側基板1Aには、マトリ
クス状に配線された複数の走査信号線6及び映像信号線
5と、走査信号線6と映像信号線5の交差点付近に配置
された半導体スイッチングとしての薄膜トランジスタ
(TFT:Thin FiLm Transistor)7と、基板1A,1
Bに平行な電界(横電界)を発生させるための対をなす
共通電極3及び画素電極4とが、形成されている。画素
電極4は、映像信号線5からの映像信号が供給される電
極部4Aと、配線部4Bとから構成されており、共通電
極3は、電極部3Aと、配線部3Bとから構成されてい
る。共通電極3及び画素電極4の内側面には、ポリイミ
ド等からなる配向膜9Aが形成されている。
On the other hand, on the array substrate side substrate 1A, a plurality of scanning signal lines 6 and video signal lines 5 wired in a matrix, and semiconductor switching devices arranged near intersections of the scanning signal lines 6 and the video signal lines 5 are provided. Thin film transistor (TFT: Thin FiLm Transistor) 7 and substrates 1A and 1
A pair of a common electrode 3 and a pixel electrode 4 for generating an electric field (lateral electric field) parallel to B are formed. The pixel electrode 4 includes an electrode unit 4A to which a video signal from the video signal line 5 is supplied, and a wiring unit 4B. The common electrode 3 includes an electrode unit 3A and a wiring unit 3B. I have. On the inner side surfaces of the common electrode 3 and the pixel electrode 4, an alignment film 9A made of polyimide or the like is formed.

【0074】ここで、注目すべきは、共通電極3及び画
素電極4の線幅w1、w2は、共通電極3と画素電極4と
の間の間隙l(電極部4Aと電極部3Aとの間隔を意味
する。)よりも大きく(w1,w2>l)、なおかつ、共
通電極3及び画素電極4の膜厚t1は、走査信号線ある
いは映像信号線の膜厚t2よりも厚く構成されている。
このような構成により、液晶の応答速度を大きくするこ
とができ、しかも、透過率の実質的な向上をも図ること
が可能となる。なお、このような応答速度の向上及び透
過率の向上の理由については、後に詳細に説明すること
にする。
It should be noted that the line widths w1 and w2 of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are determined by the gap l between the common electrode 3 and the pixel electrode 4 (the distance between the electrode section 4A and the electrode section 3A). (W1, w2> l), and the thickness t1 of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 is larger than the thickness t2 of the scanning signal line or the video signal line.
With such a configuration, the response speed of the liquid crystal can be increased, and the transmittance can be substantially improved. The reasons for the improvement of the response speed and the transmittance will be described later in detail.

【0075】次いで、上記構成の液晶表示装置の製造方
法について簡単に説明する。まず、アレイ基板1A上に
Al等からなる導電膜でパターニングされた走査信号線
6を形成し、さらに絶縁膜を形成した後、a−Si等か
らなる半導体スイッチング素子7、また、Al等からな
る導電膜でパターニングされた映像信号線5を形成す
る。
Next, a brief description will be given of a method of manufacturing the liquid crystal display device having the above configuration. First, a scanning signal line 6 patterned with a conductive film made of Al or the like is formed on the array substrate 1A, and an insulating film is formed. Then, a semiconductor switching element 7 made of a-Si or the like, or made of Al or the like is formed. An image signal line 5 patterned with a conductive film is formed.

【0076】本実施の形態は横電界印加方式であり、共
通電極3及び画素電極4を透明導電体であるITO膜、
あるいはAl等からなる導電膜で櫛形にパターニング形
成する。
In this embodiment, a lateral electric field is applied, and the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are made of a transparent conductive ITO film,
Alternatively, patterning is performed in a comb shape using a conductive film made of Al or the like.

【0077】さらに、アレイ基板1A、及び対向基板1
Bには、液晶2の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜9A、9Bを形成する。透明基板
1Bは透明基板1Aに対向して設け、赤色カラーフィル
ター材料8a、緑色カラーフィルター材料8b、青色カ
ラーフィルター材料8c、及びブラックマトリックス1
0が所定のパターンに形成されている。
Further, the array substrate 1A and the counter substrate 1
In B, alignment films 9A and 9B made of polyimide or the like are formed to align the arrangement of the molecules of the liquid crystal 2. The transparent substrate 1B is provided to face the transparent substrate 1A, and includes a red color filter material 8a, a green color filter material 8b, a blue color filter material 8c, and a black matrix 1
0 is formed in a predetermined pattern.

【0078】このように作製されたアレイ基板1A、及
び対向基板1Bは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶2を注入し
封止する。こうして、液晶表示装置が作製される。
The array substrate 1A and the counter substrate 1B manufactured as described above each have an initial alignment direction in a predetermined direction, and the periphery is adhered with a sealant, and then the liquid crystal 2 is injected and sealed. Thus, a liquid crystal display device is manufactured.

【0079】このようにして作製された液晶表示装置の
表示動作について説明する。半導体スイッチング素子7
は映像信号線5及び走査信号線6から入力される駆動信
号によってオン、オフ制御される。そして、半導体スイ
ッチング素子7と接続された画素電極4と、共通電極3
との間に印加された電圧によって電界を発生させ、液晶
2の配向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表
示する。
The display operation of the liquid crystal display thus manufactured will be described. Semiconductor switching element 7
Are turned on and off by drive signals input from the video signal line 5 and the scanning signal line 6. The pixel electrode 4 connected to the semiconductor switching element 7 and the common electrode 3
Then, an electric field is generated by the voltage applied between the pixels, and the orientation of the liquid crystal 2 is changed to control the luminance of each pixel, thereby displaying an image.

【0080】次いで、本発明の主たる特徴である電極構
造について説明する。 図1(a)及び(b)において、d
はセルギャップ、w1、w2は共通電極3及び画素電極4
の幅、lは共通電極3と画素電極4の間隔(間隙)、t
1は共通電極3の厚さ、t2は画素電極4の厚さ、t5
は映像信号線5及び走査信号線6の厚さを示す。
Next, an electrode structure which is a main feature of the present invention will be described. In FIGS. 1A and 1B, d
Is the cell gap, w1 and w2 are the common electrode 3 and the pixel electrode 4
, L is the distance (gap) between the common electrode 3 and the pixel electrode 4, t
1 is the thickness of the common electrode 3, t2 is the thickness of the pixel electrode 4, t5
Indicates the thickness of the video signal line 5 and the scanning signal line 6.

【0081】従来の構成では、例えば特開平7−360
58号公報に示されるように、共通電極3は走査信号線
6と同じプロセスによってCrまたはAl系などの金属
で形成し、また、画素電極4は映像信号線5と同じプロ
セスによってMoまたはAl系などの金属で形成してい
る。したがって、このようなプロセスで形成された共通
電極3の膜厚は走査信号線6と同じになり、また、画素
電極4の膜厚は映像信号線5と同じになる。
In the conventional configuration, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-360
No. 58, the common electrode 3 is formed of a metal such as Cr or Al based on the same process as the scanning signal line 6, and the pixel electrode 4 is formed of Mo or Al based on the same process as the video signal line 5. And the like. Therefore, the film thickness of the common electrode 3 formed by such a process becomes the same as that of the scanning signal line 6, and the film thickness of the pixel electrode 4 becomes the same as that of the video signal line 5.

【0082】一方、本実施の形態では、図1に示すよう
に、共通電極3及び画素電極4の線幅w1、w2は、共通
電極3と画素電極4との間の間隙lよりも大きくし(w
1,w2>l)、なおかつ、共通電極3の膜厚t1及び画
素電極4の膜厚t2は、走査信号線あるいは映像信号線
の膜厚t5よりも厚くした(t1,t2>t5)。この
点が本実施の形態と従来例とが大きく異なる点である。
なお、本発明は、w1,w2>lかつt1,t2>t5の構
成に限定されるものではなく、w1,w2>lのみの構成
あるいはt1,t2>t5のみの構成であってもよい。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the line widths w1 and w2 of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are set to be larger than the gap 1 between the common electrode 3 and the pixel electrode 4. (W
1, w2> l), and the thickness t1 of the common electrode 3 and the thickness t2 of the pixel electrode 4 are larger than the thickness t5 of the scanning signal line or the video signal line (t1, t2> t5). This is a point where the present embodiment is greatly different from the conventional example.
The present invention is not limited to the configuration of w1, w2> l and t1, t2> t5, and may be a configuration of only w1, w2> l or a configuration of only t1, t2> t5.

【0083】このような電極構成により、高速応答性を
得ることができ、電極として透明電極を用いれば透過率
の向上をも図ることができる。以下に、その理由を図2
を参照して、詳細に説明する。なお、図2において、参
照符号M1で示す曲線は従来例の電界分布を示し、照符
号M2で示す曲線は膜厚のみ大きい場合の電界分布を示
し、照符号M3で示す曲線は電極間隔のみ狭くした場合
の電界分布を示し、照符号M4で示す曲線は膜厚を大き
くし且つ電極間隔を狭くした場合の電界分布を示してい
る。
With such an electrode configuration, high-speed response can be obtained, and if a transparent electrode is used as the electrode, the transmittance can be improved. The reason is shown in Figure 2 below.
This will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 2, the curve indicated by reference numeral M1 indicates the electric field distribution of the conventional example, the curve indicated by reference sign M2 indicates the electric field distribution when only the film thickness is large, and the curve indicated by reference sign M3 indicates that only the electrode interval is narrow. The curve indicated by reference numeral M4 indicates the electric field distribution when the film thickness is increased and the distance between the electrodes is reduced.

【0084】図2(a)は従来例を示し、図2(b)は
電極間隔は従来例と同一にしておき、膜厚のみを大きく
した例を示す。
FIG. 2 (a) shows a conventional example, and FIG. 2 (b) shows an example in which the electrode spacing is the same as the conventional example and only the film thickness is increased.

【0085】膜厚を大きくすると、電極端部近傍で図2
(b)に示すように電界強度が大きく発生する。これに
より、電極上においても、図2(a)の従来例と比較す
れば、電界強度が大きくなり、そのため、電極直上に位
置する液晶分子を駆動することができる。従来例では、
電界強度は図2(a)に示す状態であり、電極間におい
てのみ、液晶分子を駆動し、電極直上での液晶分子を駆
動することができなかった。従って、図2(b)に示す
例においては、電極直上の液晶分子を駆動できるため、
かかる電極を透明電極とすれば、透過率を向上すること
ができる。なお、電極間での電界強度も、従来例より大
きくなっている。よって、かかる観点からも高速応答性
が得られ、且つ、高透過率特性をも得られることにな
る。
As the film thickness is increased, FIG.
As shown in (b), a large electric field intensity is generated. As a result, the electric field intensity on the electrode is higher than that of the conventional example shown in FIG. 2A, so that the liquid crystal molecules located immediately above the electrode can be driven. In the conventional example,
The electric field strength was in the state shown in FIG. 2A, and the liquid crystal molecules were driven only between the electrodes, and the liquid crystal molecules just above the electrodes could not be driven. Therefore, in the example shown in FIG. 2B, since the liquid crystal molecules directly above the electrodes can be driven,
If such an electrode is a transparent electrode, the transmittance can be improved. The electric field strength between the electrodes is also higher than in the conventional example. Therefore, also from this viewpoint, a high-speed response and a high transmittance characteristic can be obtained.

【0086】次いで、図2(c)は、膜厚は従来例と同
一にしておき、電極間隔のみを小さくした例を示す。こ
のように、電極間隔を従来例より小さくすると、電極間
における電界強度は、従来例よりも大きくなる。更に、
電極上においても電界強度は液晶分子を駆動することが
できる程度に大きくなる。従って、かかる図2(c)に
示すように電極間隔を小さくすれば、電極上及び電極間
において、従来例よりも電界強度を大きくすることがで
き、そのため、高速応答性が得られる。更に、電極を透
明電極にすることにより、当該電極上における液晶分子
の駆動により、開口率が向上すると共に、実質的な透過
を向上することができる。従って、このような図2
(c)の構成においても、高速応答性及び高透過率特性
をが得られることになる。
Next, FIG. 2C shows an example in which the film thickness is the same as that of the conventional example, and only the electrode interval is reduced. Thus, when the electrode spacing is smaller than in the conventional example, the electric field strength between the electrodes becomes larger than in the conventional example. Furthermore,
Even on the electrodes, the electric field intensity is large enough to drive the liquid crystal molecules. Therefore, as shown in FIG. 2C, when the electrode spacing is reduced, the electric field intensity on the electrodes and between the electrodes can be increased as compared with the conventional example, so that high-speed response can be obtained. Further, by using a transparent electrode as the electrode, the aperture ratio can be improved and the substantial transmission can be improved by driving the liquid crystal molecules on the electrode. Therefore, FIG.
Also in the configuration of (c), high-speed response and high transmittance characteristics can be obtained.

【0087】次いで、図2(d)は、膜厚を大きくし、
且つ、電極間隔を小さくした例を示す。この図2(d)
に示す例は、構成上は図2(b)の構成に図2(c)の
構成を加えたものである。しかしながら、注目すべき
は、この図2(d)の構成では、膜厚のみによる効果に
電極間隔のみを小さくした効果を単に加えた効果以上の
相乗効果が得られる点において特徴を有する。即ち、電
界強度は、図2(d)に示すように、電極上及び電極間
において、図2(b)に示す電界強度と図2(c)に示
す電界強度を加えた以上の電界強度が得られている。こ
の理由は、膜厚の変化による電界強度の効果と、電極間
隔の変化による電界強度の効果とが相乗的に作用したも
のと推量される。
Next, FIG. 2D shows that the film thickness is increased,
In addition, an example in which the electrode interval is reduced is shown. FIG. 2 (d)
The configuration shown in FIG. 2 is obtained by adding the configuration shown in FIG. 2C to the configuration shown in FIG. However, it should be noted that the configuration shown in FIG. 2D is characterized in that a synergistic effect is obtained that is more than the effect obtained by simply adding the effect of reducing only the electrode spacing to the effect obtained only by the film thickness. That is, as shown in FIG. 2D, the electric field strength is equal to or greater than the sum of the electric field strength shown in FIG. 2B and the electric field strength shown in FIG. Have been obtained. The reason is presumed that the effect of the electric field strength due to the change in the film thickness and the effect of the electric field strength due to the change in the electrode interval act synergistically.

【0088】本発明者らは、上記原理に基づき実際に図
2(a)〜(d)の構成の液晶表示装置を作製し、実験
を行った。
The present inventors actually manufactured a liquid crystal display device having the configuration shown in FIGS. 2A to 2D based on the above principle, and performed experiments.

【0089】具体的には、本実施の形態のサンプルとし
て、3つのサンプルを用意した。サンプル(1)は電極
間隙l=6μm、電極幅w=10μm、セルギャップd
=4μm、t1=t2=0.4μm、の構成とし、サンプル
(2)は電極間隙l=6μm、電極幅w=10μm、セ
ルギャップd=4μm、t1=t2=8000Åの構成とし、
サンプル(4)は電極間隙l=10μm、電極幅w=6μ
m、セルギャップd=4μm、t1=t2=0.4μm、の構
成とした。
Specifically, three samples were prepared as the samples of the present embodiment. In sample (1), the electrode gap l = 6 μm, the electrode width w = 10 μm, and the cell gap d
= 4 μm, t1 = t2 = 0.4 μm, and sample (2) has an electrode gap l = 6 μm, an electrode width w = 10 μm, a cell gap d = 4 μm, and t1 = t2 = 8000 °.
In sample (4), electrode gap l = 10 μm, electrode width w = 6 μm
m, cell gap d = 4 μm, and t1 = t2 = 0.4 μm.

【0090】また、従来例のサンプルとして、サンプル
(3)を用意した。サンプル(3)は電極間隙l=10
μm、電極幅w=6μm、セルギャップd=4μm、t
1=t2=2000Åの構成とした。
A sample (3) was prepared as a sample of the conventional example. Sample (3) has an electrode gap l = 10
μm, electrode width w = 6 μm, cell gap d = 4 μm, t
1 = t2 = 2000 °

【0091】電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶
材料は同一、セルギャップdは4μm、駆動電圧は5
V、同一環境下という条件で、上記サンプル(1)〜サ
ンプル(4)につき応答速度を測定した。図3はサンプ
ル(1)〜サンプル(4)の立ち上がり時間τriseを測
定した結果であり、実線が従来例のサンプル(3)、一点
鎖線がサンプル(1)、破線がサンプル(2)、二点鎖
線がサンプル(4)の応答特性を示している。この結果か
らも明らかなように、90%応答の立ち上がり時間は、
従来例のサンプル(3)に比べ、サンプル(1)で約1
/3に、サンプル(2)で約1/4に短縮され、本実施
の形態が高速応答に有効であることが認められる。
The conditions were the same except for the electrode configuration, that is, the liquid crystal material was the same, the cell gap d was 4 μm, and the driving voltage was 5
V, the response speed was measured for the samples (1) to (4) under the same environment. FIG. 3 shows the measurement results of the rise time τrise of the samples (1) to (4). The solid line is the conventional sample (3), the dashed line is the sample (1), the dashed line is the sample (2), and the two points are the two. The chain line shows the response characteristics of the sample (4). As is clear from these results, the rise time of the 90% response is
Compared to the conventional sample (3), the sample (1) has about 1
The sample (2) is reduced to about 1/4, which indicates that the present embodiment is effective for high-speed response.

【0092】なお、参考までに述べると、従来は、電極
線幅w1、w2は、電極間隔lよりも小さく(w1,w2<
l)設定されていた。これは、以下の理由による。即
ち、従来では、画素電極及び共通電極はAl等の不透明
電極を使用していたので、開口率を上げるために、電極
間隔lを拡く設定することが必要である。しかし、拡げ
すぎると、応答速度が悪くなるし、配線との関係で一画
素の内での電極線幅が決定されており、電極間隔をむや
みに広くするには制約がある。従って、従来において
は、電極線幅と応答速度等の条件を加味しながら、電極
間隔を極力拡くしたという設計思想に基づいていたと考
えられる。即ち、従来、電極間隔を狭くするという思想
がなかった。この点に関して、本発明は、電極間隔を狭
くするという技術思想に基づいており、従来例とは本質
的に技術思想が相違する。
For reference, conventionally, the electrode line widths w1 and w2 are smaller than the electrode interval l (w1, w2 <
l) It was set. This is for the following reason. That is, conventionally, the pixel electrode and the common electrode use opaque electrodes of Al or the like. Therefore, in order to increase the aperture ratio, it is necessary to increase the electrode interval l. However, if the width is too large, the response speed deteriorates, and the electrode line width within one pixel is determined in relation to the wiring, and there is a limit to excessively widening the electrode interval. Therefore, in the related art, it is considered that the design concept is based on the idea that the electrode interval is increased as much as possible while taking into account conditions such as the electrode line width and the response speed. That is, conventionally, there was no idea to narrow the electrode interval. In this regard, the present invention is based on the technical idea of reducing the electrode spacing, and is essentially different from the conventional example.

【0093】また、電極の厚みを大きくするという点に
関しても、本発明は、従来例にないものである。なぜな
ら、従来は走査線や映像信号線の製造プロセス時に同時
に画素電極及び共通電極を作製していた。このとき、映
像信号の書き込みのためには配線抵抗は小さい方がよ
く、そのためには配線の膜厚は薄い方がよい。従って、
映像信号線等の配線は薄く形成され、これに応じて電極
の厚みも薄いのが現状である。要約すれば、電極の厚み
は、映像信号線等の配線の厚みと同一であって薄かっ
た。従って、従来では電極の厚みを配線の厚みと異なら
せるという技術的思想はなく、この点に関して電極の厚
みを変化させる本発明とは本質的に技術的思想が相違す
る。
The present invention is also unconventional in terms of increasing the thickness of the electrode. Conventionally, a pixel electrode and a common electrode have been simultaneously manufactured during the manufacturing process of a scanning line and a video signal line. At this time, it is preferable that the wiring resistance is small for writing a video signal, and that the thickness of the wiring is small for that purpose. Therefore,
At present, the wiring such as the video signal line is formed thin, and accordingly, the thickness of the electrode is also thin. In summary, the thickness of the electrode was the same as the thickness of the wiring such as the video signal line and was thin. Therefore, conventionally, there is no technical idea of making the thickness of the electrode different from the thickness of the wiring, and in this regard, the technical idea is essentially different from that of the present invention in which the thickness of the electrode is changed.

【0094】上記の例では、共通電極3及び画素電極4
にCrまたはAl系など非透過タイプの金属を使用する
場合について説明したが、開口率を向上するためにIT
Oなどの透明電極を使用する場合について以下に説明す
る。
In the above example, the common electrode 3 and the pixel electrode 4
The case where a non-transmissive metal such as Cr or Al is used is described above.
The case where a transparent electrode such as O is used will be described below.

【0095】一般に共通電極3や画素電極4に使用され
るITOは200℃程度で成膜しているが、ITOの結
晶化温度は100〜200℃付近にあり、この領域の温
度で作製したITOは非晶質(アモルファス)と多結晶
の混在した膜となる。このように非晶質と多結晶の混在
した膜で、より厚い膜を形成しようとすると、表面が粗
くなり光散乱値が増加して光利用効率が低下してしま
う。そのため、一般にITOの膜厚は700Å程度で使
用され、映像信号線5や走査信号線6に使用されるCr
またはAl系など非透過タイプの金属の場合(膜厚12
00Å〜2000Å程度)に比べかなり薄い。したがっ
て、従来のITO膜では、透過率を向上するためには膜
厚を大きくすることができないので、前述のように、高
速応答化のために膜厚を大きくするということは困難で
ある。
Generally, ITO used for the common electrode 3 and the pixel electrode 4 is formed at a temperature of about 200 ° C., but the crystallization temperature of the ITO is about 100 to 200 ° C. Is a film in which both amorphous and polycrystalline are mixed. If an attempt is made to form a thicker film using such a film in which amorphous and polycrystals are mixed, the surface becomes rough, the light scattering value increases, and the light use efficiency decreases. Therefore, in general, the ITO film is used with a thickness of about 700 °, and Cr used for the video signal line 5 and the scanning signal line 6 is used.
Or, in the case of a non-transmissive metal such as an Al type (film thickness 12
(Approximately 00 to 2000 mm). Therefore, in the conventional ITO film, it is difficult to increase the film thickness in order to improve the transmittance, and as described above, it is difficult to increase the film thickness for high-speed response.

【0096】しかし、ITOが非晶質であれば、表面が
滑らかであるため、膜厚を厚くしても光散乱値が増加し
て透過率を大きく低下させるということはない。非晶質
ITOの場合、波長550nmに透過率のピークを設け
ようとすると、膜厚1500Å程度にする必要がある。
したがって、透過率の向上と高速応答化を両立するに
は、膜厚1500Å以上にするのが望ましい。
However, if the ITO is amorphous, the surface is smooth, so that even if the film thickness is increased, the light scattering value does not increase and the transmittance does not significantly decrease. In the case of amorphous ITO, in order to provide a transmittance peak at a wavelength of 550 nm, the film thickness needs to be about 1500 °.
Therefore, in order to achieve both an improvement in transmittance and a high speed response, it is desirable that the film thickness is 1500 ° or more.

【0097】すなわち、非晶質ITOを使用すれば、映
像信号線5や走査信号線6に使用されるCrまたはAl
系など非透過タイプの金属と同程度の膜厚(1200Å
〜2000Å程度)でも、従来のITO膜に比べて高速
応答化の効果があるということになる。もちろん、映像
信号線5や走査信号線6よりも厚く、例えば2000Å
以上に厚膜化すれば、より高速応答化が可能となる。た
だし、厚膜化による透過率、光散乱値等の光学特性の低
下とのトレードオフの関係で膜厚を最適化する必要があ
る。
That is, if amorphous ITO is used, Cr or Al used for the video signal line 5 and the scanning signal line 6 can be used.
Film thickness (1200 mm) similar to non-transmissive metal
Å2000 °) also has the effect of increasing the response speed as compared with the conventional ITO film. Of course, it is thicker than the video signal line 5 and the scanning signal line 6, for example, 2000 mm.
If the film thickness is increased as described above, a higher response speed can be achieved. However, it is necessary to optimize the film thickness in a trade-off relationship with a decrease in optical characteristics such as transmittance and light scattering value due to the increase in film thickness.

【0098】このような非晶質ITOを得るには、10
0℃以下の低温で成膜する。また、さらに、H2Oまた
はH2を添加して無加熱成膜すれば、チャンバー中の残
留H2O分圧の低下によるITOの微結晶化するのを防
止することができ、安定な非晶質を得ることが可能とな
る。
To obtain such an amorphous ITO, 10
The film is formed at a low temperature of 0 ° C. or less. Further, if H 2 O or H 2 is added to form a film without heating, it is possible to prevent the ITO from being microcrystallized due to a decrease in the residual H 2 O partial pressure in the chamber, and to provide a stable non-heated film. Crystallinity can be obtained.

【0099】さらに、100℃以下のプロセスでITO
を成膜することができるので、アレイ基板1A及び対向
基板1Bの両方あるいは一方をポリカーボネートのよう
な透明樹脂板とすることが可能となる。したがって、軽
量な液晶表示装置を得ることが可能になるとともに、製
造時の取り扱いや運搬時に発生する基板の割れ、カケを
低減することができる。また、使用時の落下、転倒等に
よる衝撃による基板の割れ、カケも低減することができ
る。
Further, ITO is used in a process at 100 ° C. or lower.
Can be formed, so that both or one of the array substrate 1A and the counter substrate 1B can be made of a transparent resin plate such as polycarbonate. Therefore, it is possible to obtain a light-weight liquid crystal display device, and it is possible to reduce breakage and chipping of the substrate generated during handling and transportation during manufacturing. In addition, cracking and chipping of the substrate due to impact due to dropping or falling down during use can be reduced.

【0100】図4は、共通電極3、画素電極4を2段階
のプロセスに分けて形成することで凸形断面形状にした
場合の実施の形態である。
FIG. 4 shows an embodiment in which the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are formed in a two-stage process so as to have a convex sectional shape.

【0101】すなわち、第1のプロセスで3'、4'の導
電層(膜厚t1'=t2'=4000Å、電極幅w1'=w2'=1
0μm)を形成し、第2のプロセスで3"、4"の導電層
(膜厚t1"=t2"=4000Å、電極幅w1"=w2"=6μ
m)を形成することで、共通電極3、画素電極4の断面
形状を凸形にした。このような凸形断面形状にしても図
3のサンプル(2)とほぼ同様の効果を得ることができ
た。
That is, in the first process, 3 ′ and 4 ′ conductive layers (thickness t1 ′ = t2 ′ = 4000 °, electrode width w1 ′ = w2 ′ = 1)
0 μm) and a 3 ″, 4 ″ conductive layer (thickness t1 ″ = t2 ″ = 4000 °, electrode width w1 ″ = w2 ″ = 6 μm) in the second process.
m), the cross-sectional shapes of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 were made convex. Even with such a convex cross-sectional shape, substantially the same effect as that of the sample (2) in FIG. 3 could be obtained.

【0102】したがって、共通電極3、画素電極4の断
面形状は必ずしも矩形形状である必要はなく、共通電極
3、画素電極4の膜厚を厚くするための製造プロセス
で、電極の断面形状の角が取れてR状になったり、テー
パ形断面形状であってもかまわない。
Therefore, the cross-sectional shape of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 does not necessarily have to be a rectangular shape. It may be removed to form an R shape or a tapered cross section.

【0103】(実施の形態1−2)次に、本発明の実施
の形態1−2について図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1-2) Next, an embodiment 1-2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0104】図5は本発明の実施の形態1−2における
液晶表示装置の構成を示す断面図である。図5において
3M、4Mは透明樹脂層、3N、4Nは透明導電層であ
る。すなわち、共通電極3は透明樹脂層3M、導電層3
Nからなり、画素電極4は透明樹脂層4M、導電層4N
からなる。また、dはセルギャップ、w1、w2は共通電
極3及び画素電極4の幅、lは共通電極3と画素電極4
の間隔(間隙)、t1aは共通電極3の透明樹脂層3Mの
厚さ、t2aは画素電極の透明樹脂層4Mの厚さ、t1bは
共通電極3の透明導電層3Nの厚さ、t2bは画素電極3
の透明導電層4Nの厚さ、を示す。
FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the liquid crystal display device according to Embodiment 1-2 of the present invention. In FIG. 5, 3M and 4M are transparent resin layers, and 3N and 4N are transparent conductive layers. That is, the common electrode 3 is formed of the transparent resin layer 3M and the conductive layer 3M.
N, the pixel electrode 4 is composed of a transparent resin layer 4M and a conductive layer 4N.
Consists of Also, d is the cell gap, w1 and w2 are the widths of the common electrode 3 and the pixel electrode 4, and l is the common electrode 3 and the pixel electrode 4.
, T1a is the thickness of the transparent resin layer 3M of the common electrode 3, t2a is the thickness of the transparent resin layer 4M of the pixel electrode, t1b is the thickness of the transparent conductive layer 3N of the common electrode 3, and t2b is the pixel. Electrode 3
Thickness of the transparent conductive layer 4N.

【0105】透明樹脂層3M、4Mとしては、例えばア
クリル系ポリマーの感光樹脂を使用すれば、容易に1μ
m程度の膜厚で、櫛形等の所望のパターンに形成するこ
とが可能である。また、透明導電層3N、4Nとして
は、例えばITOを使用する。
For example, if a photosensitive resin of an acrylic polymer is used for the transparent resin layers 3M and 4M, 1 μm can be easily obtained.
With a film thickness of about m, a desired pattern such as a comb shape can be formed. For the transparent conductive layers 3N and 4N, for example, ITO is used.

【0106】本実施の形態では、セルギャップd=4μ
m、電極間隙l=3μm、電極幅w=10μm、t1a=
t2a=1μm、t1b=t2b=2000Åとした。
In the present embodiment, the cell gap d = 4 μ
m, electrode gap l = 3 μm, electrode width w = 10 μm, t1a =
t2a = 1 μm and t1b = t2b = 2000 °.

【0107】本実施の形態1−2では、共通電極3と画
素電極4との間の電極間隙lを、アレイ基板1Aと対向
基板1Bとの間の間隙dよりも小さくなるように構成さ
れている。このような構成により、共通電極3及び画素
電極4の周辺部の電界強度が大きくなることを利用して
各々の電極上の液晶を変調可能になり、かつ、共通電極
3及び画素電極4は各々が透明層で構成されているの
で、電極上の光も透過することが可能となる。
In Embodiment 1-2, the electrode gap 1 between the common electrode 3 and the pixel electrode 4 is configured to be smaller than the gap d between the array substrate 1A and the counter substrate 1B. I have. With such a configuration, it is possible to modulate the liquid crystal on each of the electrodes by making use of the fact that the electric field strength around the common electrode 3 and the pixel electrode 4 increases, and the common electrode 3 and the pixel electrode 4 Is composed of a transparent layer, so that light on the electrodes can be transmitted.

【0108】図6を参照して、具体的に説明する。図6
(a)は従来例(l>dの場合)の断面図であり、図6
(b)は従来例(l>dの場合)において液晶が駆動さ
れる領域を模式的に示す図であり、図6(c)は本発明
(l<dの場合)の断面図であり、図6(b)は本発明
(l<dの場合)において液晶が駆動される領域を模式
的に示す図である。従来例では、電極上の液晶分子は駆
動されず、図6(a)の斜線領域S1のみの液晶分子し
か駆動されない。一方、本発明では、図6(b)の斜線
領域S2で示すように電極上の広い領域に亘って駆動さ
れる。このとき、本発明における電極は透明電極を用い
るため、電極上の領域を液晶表示領域として使用するこ
とができる。従って、透過率の向上を図ることができ
る。なお、電極間での電界強度は、従来例の方が本発明
よりも大きい。しかしながら、電界により駆動される液
晶の領域は、本発明の方が従来例よりも大きい。即ち、
図6(b)及び図6(d)に示すように、液晶が駆動さ
れる領域は、高さH1>H2であるが、領域S1<S2
である。従って、液晶パネル全体から見ると、本発明の
方が従来例に比べて、明るく、且つコントラストの高い
液晶表示装置が得られることになる。しかも、図6
(d)に示すように電極上での電界分布の変化が緩やか
であるので、表示ムラのない均一な表示が可能となる。
A specific description will be given with reference to FIG. FIG.
FIG. 6A is a cross-sectional view of a conventional example (when l> d), and FIG.
FIG. 6B is a diagram schematically illustrating a region where liquid crystal is driven in a conventional example (when l> d), and FIG. 6C is a cross-sectional view of the present invention (when l <d); FIG. 6B is a diagram schematically showing a region where the liquid crystal is driven in the present invention (when l <d). In the conventional example, the liquid crystal molecules on the electrodes are not driven, and only the liquid crystal molecules in the hatched area S1 in FIG. 6A are driven. On the other hand, in the present invention, as shown by the hatched area S2 in FIG. At this time, since the electrode in the present invention uses a transparent electrode, a region on the electrode can be used as a liquid crystal display region. Therefore, the transmittance can be improved. The electric field intensity between the electrodes is larger in the conventional example than in the present invention. However, the area of the liquid crystal driven by the electric field is larger in the present invention than in the conventional example. That is,
As shown in FIGS. 6B and 6D, the region where the liquid crystal is driven has a height H1> H2, but the region S1 <S2.
It is. Therefore, when viewed from the entire liquid crystal panel, the present invention can provide a liquid crystal display device which is brighter and has higher contrast than the conventional example. Moreover, FIG.
As shown in (d), the change in the electric field distribution on the electrode is gradual, so that uniform display without display unevenness is possible.

【0109】こうして、本実施の形態は、透過率を低下
させることなく高速応答の液晶パネルを得ることが可能
となる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain a liquid crystal panel with high response without lowering the transmittance.

【0110】また、本実施の形態は、電極部の透過率を
低下することなく電極層厚t1をより厚くしたい場合の
実施の形態であり、このような構成でも実施の形態1−
1と同様、あるいはそれ以上の効果が得られる。
The present embodiment is an embodiment in which it is desired to increase the electrode layer thickness t1 without lowering the transmittance of the electrode portion.
An effect similar to or greater than 1 can be obtained.

【0111】(実施の形態1−3)次に、本発明の実施
の形態1−3について図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1-3) Next, an embodiment 1-3 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0112】図5は本発明の第2の実施の形態における
液晶表示装置の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【0113】図5において3−Iは共通電極3の第1
層、3−IIは共通電極3の第2層、3−IIIは共通電極
3の第3層であり、4−Iは画素電極3の第1層、4−I
Iは画素電極4の第2層、3−IIIは共通電極3の第3層
である。
In FIG. 5, 3-I represents the first electrode of the common electrode 3.
Layer, 3-II is the second layer of the common electrode 3, 3-III is the third layer of the common electrode 3, 4-I is the first layer of the pixel electrode 3, 4-I
I is the second layer of the pixel electrode 4, and 3-III is the third layer of the common electrode 3.

【0114】本実施の形態では、3−I、4−Iは赤色
(R)すなわち700nm近辺の波長領域、3−II、4
−IIは緑色(G)すなわち546nm近辺の波長領域、
3−III、4−IIIは青色(B)すなわち436nm近辺
の波長領域で、それぞれ最も良好な透過率が得られる分
光特性を有するように、各々の膜成分及び膜厚を調整し
て成膜されたITO電極である。
In this embodiment, 3-I and 4-I are red (R), that is, a wavelength region around 700 nm, 3-II, 4-I.
-II is green (G), that is, a wavelength region around 546 nm,
3-III and 4-III are formed by adjusting the respective film components and film thicknesses so as to have the spectral characteristics of obtaining the best transmittance in blue (B), that is, the wavelength region around 436 nm. ITO electrode.

【0115】このような構成にすることで、全体の透過
率を低下させることなく、電極層厚t1、t2をより厚く
することが可能となる。
With this configuration, it is possible to increase the thicknesses t1 and t2 of the electrode layers without lowering the overall transmittance.

【0116】上記の例では、共通電極及び画素電極は、
赤色(R)、緑色(G)、青色(B)にそれぞれ対応す
る分光特性を有する3つの層から構成されていたけれど
も、本発明はこれに限定されるものではなく、赤色
(R)、緑色(G)、青色(B)の少なくとも1種類に
対応する分光特性を有する層から構成するようにしても
よい。また、本発明は、赤色(R)、緑色(G)、青色
(B)に限らず、使用する用途に応じてその他の所望の
波長領域で最も良好な透過率が得られる分光特性を有す
る層から構成するようにしてもよい。
In the above example, the common electrode and the pixel electrode
Although it was composed of three layers having spectral characteristics respectively corresponding to red (R), green (G) and blue (B), the present invention is not limited to this, and red (R), green (G) and a layer having spectral characteristics corresponding to at least one type of blue (B). In addition, the present invention is not limited to red (R), green (G), and blue (B), but also has a layer having spectral characteristics that can obtain the best transmittance in other desired wavelength regions depending on the application to be used. May be configured.

【0117】[第2の発明群]第2の発明群は、画素電
極・共通電極が積層型の液晶表示装置に関するものであ
る。以下、本発明の第2の発明群について、図面を参照
しながら説明する。
[Second Invention Group] The second invention group relates to a liquid crystal display device in which pixel electrodes and common electrodes are of a stacked type. Hereinafter, a second invention group of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0118】(実施の形態2−1)図8(a)は実施の形
態2−1における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。図8(b)は実施の形態2−1における液晶表示装置
の構成を示す平面図である。図8(c)は実施の形態2−
1における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図
8(b)のA−Aにおける断面図である。
(Embodiment 2-1) FIG. 8A is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device according to an embodiment 2-1. FIG. 8B is a plan view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-1. FIG. 8C shows the second embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the liquid crystal display device in FIG. 1, and is a cross-sectional view along AA in FIG.

【0119】図9は実施の形態2−1における液晶表示
装置の半導体スイッチング素子7近傍の構成を示す断面
拡大図である。
FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near the semiconductor switching element 7 of the liquid crystal display device according to the embodiment 2-1.

【0120】図8において、1Aはアレイ基板、1Bは
対向基板、2は液晶、3は共通電極、4は画素電極、5
は画素電極4と接続され映像信号を与える映像信号線、
6は走査信号線、7は半導体スイッチング素子、8は第
1絶縁層、9Aはアレイ基板1Aの内面に形成した配向
膜、9Bは対向基板1Bの内面に形成した配向膜、10
aは赤色カラーフィルター材料、10bは緑色カラーフ
ィルター材料、10cは青色カラーフィルター材料、1
1はブラックマトリックス(遮光層)、12は第2絶縁
層である。
In FIG. 8, 1A is an array substrate, 1B is a counter substrate, 2 is a liquid crystal, 3 is a common electrode, 4 is a pixel electrode,
Is a video signal line connected to the pixel electrode 4 and providing a video signal;
Reference numeral 6 denotes a scanning signal line, 7 denotes a semiconductor switching element, 8 denotes a first insulating layer, 9A denotes an alignment film formed on the inner surface of the array substrate 1A, 9B denotes an alignment film formed on the inner surface of the counter substrate 1B, 10
a is a red color filter material, 10b is a green color filter material, 10c is a blue color filter material, 1
1 is a black matrix (light shielding layer) and 12 is a second insulating layer.

【0121】図9において、7aはa−Si層、7bは
n+形a−Si層、8aは第1絶縁層8に設けたコンタ
クトホール、12aは第2絶縁層12に設けたコンタク
トホールである。
In FIG. 9, 7a is an a-Si layer, 7b is an n + -type a-Si layer, 8a is a contact hole provided in the first insulating layer 8, and 12a is a contact hole provided in the second insulating layer 12. is there.

【0122】以下、図8及び図9を用いて、上記構成の
液晶表示装置の製造方法について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device having the above configuration will be described with reference to FIGS.

【0123】まず、アレイ基板1A上にAl、Ti等か
らなる非透過形導電体を形成し、共通電極の配線部3d
と走査信号線6を所定の形状にパターニングする。この
ように形成された第1電極群の上に第1絶縁層8を形成
した後、この第1絶縁層8の所定の部分の上にa−Si
層7aとn+形a−Si層7bとからなる半導体スイッ
チング素子7を形成する。さらに、第1絶縁層8及び半
導体スイッチング素子7の所定部分の上にAl、Ti等
からなる非透過形導電体を形成し、映像信号線と画素電
極からなる第2電極群を所定の形状にパターン形成す
る。
First, a non-transmissive conductor made of Al, Ti, or the like is formed on the array substrate 1A, and the wiring portion 3d of the common electrode is formed.
And the scanning signal lines 6 are patterned into a predetermined shape. After forming the first insulating layer 8 on the first electrode group thus formed, a-Si is formed on a predetermined portion of the first insulating layer 8.
The semiconductor switching element 7 including the layer 7a and the n + -type a-Si layer 7b is formed. Further, a non-transmissive conductor made of Al, Ti, or the like is formed on a predetermined portion of the first insulating layer 8 and the semiconductor switching element 7, and a second electrode group including a video signal line and a pixel electrode is formed into a predetermined shape. Form a pattern.

【0124】つぎに、第2電極群までが形成されたアレ
イ基板1A上にSiNx等からなる第2絶縁層12を形
成する。第2絶縁層12は半導体スイッチング素子7を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
Next, a second insulating layer 12 made of SiNx or the like is formed on the array substrate 1A on which the second electrode group is formed. The second insulating layer 12 also serves as a protective film for protecting the semiconductor switching element 7.

【0125】さらに、共通電極の電極部3a、3b、3
cを、透明導電体であるITO膜で形成する。
Further, the electrode portions 3a, 3b, 3
c is formed of an ITO film which is a transparent conductor.

【0126】ここで、非透過形導電体で形成された共通
電極の配線部3dと、透明導電体で形成された共通電極
の電極部3a、3b、3cとの電気的導通を得るため
に、第1絶縁層8と第2絶縁層12は、各々、コンタク
トホール8a、12aを設けた構成としている。
Here, in order to obtain electrical continuity between the wiring portion 3d of the common electrode formed of a non-transmissive conductor and the electrode portions 3a, 3b and 3c of the common electrode formed of a transparent conductor, The first insulating layer 8 and the second insulating layer 12 are provided with contact holes 8a and 12a, respectively.

【0127】その後、アレイ基板1A、及び対向基板1
Bには、液晶2の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜9A、9Bを形成する。
Thereafter, the array substrate 1A and the counter substrate 1
In B, alignment films 9A and 9B made of polyimide or the like are formed to align the arrangement of the molecules of the liquid crystal 2.

【0128】透明基板1Bは透明基板1Aに対向して設
け、赤色カラーフィルター材料10a、緑色カラーフィ
ルター材料10b、青色カラーフィルター材料10c、
及びブラックマトリックス11が所定のパターンに形成
されている。
The transparent substrate 1B is provided to face the transparent substrate 1A, and includes a red color filter material 10a, a green color filter material 10b, a blue color filter material 10c,
And the black matrix 11 are formed in a predetermined pattern.

【0129】このように作製されたアレイ基板1A、及
び対向基板1Bは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶2を注入し
封止する。
The array substrate 1A and the counter substrate 1B thus manufactured each have an initial orientation in a predetermined direction, and the peripheral portion is bonded with a sealant, and then the liquid crystal 2 is injected and sealed.

【0130】半導体スイッチング素子7は映像信号線5
及び走査信号線6から入力される駆動信号によってオ
ン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子
7と接続された画素電極4と、共通電極3との間に印加
された電圧によって電界を発生させ、液晶2の配向を変
化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。
The semiconductor switching element 7 is connected to the video signal line 5
On / off control is performed by a driving signal input from the scanning signal line 6. Then, an electric field is generated by a voltage applied between the pixel electrode 4 connected to the semiconductor switching element 7 and the common electrode 3, and the orientation of the liquid crystal 2 is changed to control the luminance of each pixel, thereby displaying an image. indicate.

【0131】図8において、dはセルギャップ、w1は
共通電極の電極部3bの線幅、w2は画素電極の電極部
4aの線幅、w1'は共通電極の電極部3aの線幅、l
は共通電極の電極部3bと画素電極4aの電極部との間
隔(間隙)、を示す。
In FIG. 8, d is the cell gap, w1 is the line width of the electrode portion 3b of the common electrode, w2 is the line width of the electrode portion 4a of the pixel electrode, w1 'is the line width of the electrode portion 3a of the common electrode, l
Indicates the distance (gap) between the electrode portion 3b of the common electrode and the electrode portion of the pixel electrode 4a.

【0132】本実施の形態では、図8に示すように、共
通電極の電極部3a、3b、3cの線幅w1=5μm、
画素電極の電極部4a、4bの線幅w2=4μmと、セ
ルギャップd=4μm、電極間の間隔(間隙)l=10
μmとした。すなわち、共通電極3及び画素電極4の各
々の電極部の線幅w1、w2を、アレイ基板と対向基板
との間の間隙d(セルギャップ)と略同じである構成と
した。
In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the line width w1 of the electrode portions 3a, 3b, 3c of the common electrode is 5 μm,
The line width w2 of the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrode is 4 μm, the cell gap d is 4 μm, and the interval (gap) between the electrodes is l = 10.
μm. That is, the line widths w1 and w2 of the respective electrode portions of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are configured to be substantially the same as the gap d (cell gap) between the array substrate and the counter substrate.

【0133】電極の形状としては、例えば図8(b)に示
すように、共通電極3の電極部と画素電極4の電極部と
が相互に配置された櫛形にパターニング形成し、共通電
極3の電極部と画素電極4の電極部との間に横電界を形
成する。上記のような電極構成にすることにより、横電
界に加え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界
強度が大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電
材料を使用することによって、電極の上の部分も光を透
過するするようになる。
As shown in FIG. 8 (b), for example, as shown in FIG. 8 (b), the electrode portions of the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are patterned in a comb shape in which the electrode portions are mutually arranged. A horizontal electric field is formed between the electrode part and the electrode part of the pixel electrode 4. By adopting the above-described electrode configuration, in addition to the lateral electric field, the electric field strength on the electrodes is increased by the peripheral electric field of each electrode, and the liquid crystal is rotated. The upper part also transmits light.

【0134】また、液晶層2の液晶材料には、シアノ系
化合物を10%ないし20%程度含有したシアノ系液晶
材料を使用し、リタデーションΔn・d(セルギャップ
dと屈折率差Δnとの積)は350nm程度とした。ま
た、液晶層2の液晶材料のスプレイ弾性定数K11=12
(pN)、ツイスト弾性定数K22=7(pN)、ベンド
弾性定数K33=18(pN)、誘電率異方性Δε=+
8、である。ここで、誘電率異方性Δεとベンドの弾性
定数K33は液晶の駆動電圧を決定する上で重要であり、
特に、誘電率異方性Δεは+8以上、ベンド弾性係数K
33は18(pN)以下とするのが望ましい。
As the liquid crystal material of the liquid crystal layer 2, a cyano-based liquid crystal material containing about 10% to 20% of a cyano-based compound is used, and the retardation Δn · d (the product of the cell gap d and the refractive index difference Δn) is used. ) Was about 350 nm. Further, the splay elastic constant K11 of the liquid crystal material of the liquid crystal layer 2 is K11 = 12.
(PN), twist elastic constant K22 = 7 (pN), bend elastic constant K33 = 18 (pN), dielectric anisotropy Δε = +
8. Here, the dielectric anisotropy Δε and the elastic constant K 33 of the bend are important in determining the driving voltage of the liquid crystal.
In particular, the dielectric anisotropy Δε is +8 or more, and the bend elastic modulus K
33 is desirably 18 (pN) or less.

【0135】上記の電極構成に、このような構成からな
る液晶層2を組み合わせることにより、従来適用されて
いる駆動電圧(5V程度)で充分に電極上の電界強度を
大きくし液晶を駆動することができる。
By combining the above-described electrode configuration with the liquid crystal layer 2 having such a configuration, it is possible to sufficiently increase the electric field strength on the electrodes with the drive voltage (about 5 V) conventionally applied to drive the liquid crystal. Can be.

【0136】さらに、この櫛形の電極部を屈曲させるこ
とにより、液晶分子の回転する方向が2つの方向に分か
れるため、視野角方向による色付きを互いに相殺し、視
野角方向による色変化の少ないパネル構成とすることが
できる。また、ここでは図示はしていないが、映像信号
線5とブラックマトリックス11も、共通電極3、画素
電極4の電極部と同じ屈曲角を有する屈曲形状にすれ
ば、電極部を屈曲形状にしたことによる遮光面積の増加
分をなくすことができ、より開口率が高い液晶パネルを
得ることが可能となる。
Further, since the direction of rotation of the liquid crystal molecules is divided into two directions by bending the comb-shaped electrode portion, the coloring in the viewing angle direction is canceled each other, and the panel configuration in which the color change in the viewing angle direction is small. It can be. Although not shown here, if the video signal lines 5 and the black matrix 11 are also formed into a bent shape having the same bending angle as the electrode portions of the common electrode 3 and the pixel electrode 4, the electrode portions are bent. Thus, the increase in the light shielding area can be eliminated, and a liquid crystal panel having a higher aperture ratio can be obtained.

【0137】つぎに、本実施の形態によるパネル構成に
おける作用と効果について説明する。
Next, the operation and effect of the panel configuration according to the present embodiment will be described.

【0138】図10に本実施の形態によるパネル構成で
上記したシアノ系液晶材料を使用した場合の液晶パネル
の光透過率特性(電界分布、液晶ダイレクタからパネル
の光透過率を計算)を示す。駆動電圧は5Vである。ま
た、電極構成は、図10のライン(a)が共通電極3
a、3b、3cの線幅w1=5μm、画素電極4a、4
bの線幅w2=4μm、セルギャップd=4μm、電極
間の間隔(間隙)l=10μmという構成であり、図1
0のライン(b)が共通電極3a、3b、3cの線幅w
1=6μm、画素電極4a、4bの線幅w2=6μm、セ
ルギャップd=4μm、電極間の間隔(間隙)l=11
μmという構成である。
FIG. 10 shows the light transmittance characteristics (calculated from the electric field distribution and the liquid crystal director of the panel) of the liquid crystal panel when the above-described cyano-based liquid crystal material is used in the panel configuration according to the present embodiment. The drive voltage is 5V. The electrode configuration is such that the line (a) in FIG.
a, 3b, 3c, line width w1 = 5 μm, pixel electrodes 4a, 4
1 has a line width w2 = 4 μm, a cell gap d = 4 μm, and an interval (gap) 1 = 10 μm between the electrodes.
The line (b) of 0 is the line width w of the common electrodes 3a, 3b, 3c.
1 = 6 μm, line width w2 of pixel electrodes 4a and 4b = 6 μm, cell gap d = 4 μm, interval (gap) between electrodes l = 11
μm.

【0139】一般にITOはAl、Ti等に比べて微細
化パターニングがやや困難であるため、Al、Ti等よ
りも線幅を若干大きめにしておく。Al、Ti等は光を
透過しない非透過形導電体であるため、できるだけ微細
化するのが望ましいが、ITOは光を透過するので若干
線幅が大きくなっても大きく開口率を低下させることは
ない。
[0139] In general, ITO is slightly more difficult to form a finer patterning than Al, Ti, etc., so the line width is set slightly larger than that of Al, Ti, etc. Since Al and Ti are non-transmissive conductors that do not transmit light, it is desirable to make them as fine as possible. However, since ITO transmits light, it is not possible to greatly reduce the aperture ratio even if the line width is slightly increased. Absent.

【0140】すなわち、図10のライン(a)とライン
(b)は、電極線幅と電極間隔のみが異なる液晶パネル
構成での光透過率特性を比較したものである。
That is, the line (a) and the line (b) in FIG. 10 are comparisons of light transmittance characteristics in a liquid crystal panel configuration in which only the electrode line width and the electrode interval are different.

【0141】また、図10と同じ電極、パネル構成で、
液晶材料のみフッ素系液晶材料(スプレイ弾性定数K11
=9(pN)、ツイスト弾性定数K22=9(pN)、ベン
ド弾性定数K33=22(pN)、誘電率異方性Δε=+4.
4)を使用した場合の液晶パネルの光透過率特性(電界
分布、液晶ダイレクタからパネルの光透過率を計算)を
図11に示す。駆動電圧は図10と同様に5Vである。
Further, with the same electrode and panel configuration as in FIG.
Liquid crystal material only fluorinated liquid crystal material (spray elastic constant K11
= 9 (pN), twist elastic constant K22 = 9 (pN), bend elastic constant K33 = 22 (pN), dielectric anisotropy Δε = + 4.
FIG. 11 shows the light transmittance characteristics of the liquid crystal panel when (4) is used (the light transmittance of the panel is calculated from the electric field distribution and the liquid crystal director). The drive voltage is 5 V as in FIG.

【0142】この結果から明らかなように、シアノ系液
晶材料を使用した図10の構成のほうが、フッソ系液晶
材料を使用した図11の構成に比べてより高い透過率を
得ることが可能であることがわかる。
As is clear from the results, the structure shown in FIG. 10 using the cyano-based liquid crystal material can obtain higher transmittance than the structure shown in FIG. 11 using the fluorine-based liquid crystal material. You can see that.

【0143】特に、フッソ系液晶材料を使用した図11
の構成では、電極上の部分ではほとんど光を透過しない
が、シアノ系液晶材料を使用した図10の構成では最低
でも10%〜20%程度の光を透過することが可能であ
り、電極にITO等の透明導電層を使用すると実質開口
率が大きく向上する。また、電極線幅が細いほど電界強
度は強くなり電極上の透過率は向上する。しかしなが
ら、縦電界の影響が強すぎると視野角による色の変化が
大きくなりすぎるため、電極線幅は最大4μm程度にす
るのが望ましい。
In particular, FIG. 11 using a fluorine-based liquid crystal material is used.
In the configuration shown in FIG. 10, almost no light is transmitted through the portion on the electrode, but the configuration shown in FIG. 10 using a cyano-based liquid crystal material can transmit at least about 10% to 20% of the light. When a transparent conductive layer such as that described above is used, the substantial aperture ratio is greatly improved. Further, as the electrode line width becomes smaller, the electric field intensity becomes stronger and the transmittance on the electrode is improved. However, if the influence of the vertical electric field is too strong, the change in color due to the viewing angle becomes too large. Therefore, it is desirable that the electrode line width be at most about 4 μm.

【0144】さらに、走査信号線6と共通電極3を同じ
層で形成した場合、共通電極3の櫛部3a、3b、3c
と走査信号線6がごく近傍に配置されるため、ショート
による不良が発生する確率が高かったが、本実施の形態
による構成では、共通電極3の櫛部3a、3b、3cを
走査信号線6と異なる層に形成するため、ショートによ
る不良をなくすことができる。
Further, when the scanning signal line 6 and the common electrode 3 are formed in the same layer, the comb portions 3a, 3b, 3c
And the scanning signal line 6 are arranged very close to each other, so that the probability of occurrence of a defect due to short-circuit is high. However, in the configuration according to the present embodiment, the comb portions 3a, 3b, 3c of the common electrode 3 are connected to the scanning signal line 6. Since they are formed in different layers, defects due to short circuits can be eliminated.

【0145】なお、本実施の形態では、半導体スイッチ
ング素子7にa−Si(アモルファスシリコン)を使用
する例について説明したが、p−Si(ポリシリコン)
等、他の半導体層を使用しても同様の効果を得ることが
できる。
In the present embodiment, an example in which a-Si (amorphous silicon) is used for the semiconductor switching element 7 has been described, but p-Si (polysilicon) is used.
The same effect can be obtained by using another semiconductor layer.

【0146】また、本実施の形態では、屈曲形の電極の
例について説明したが、直線形の電極、囲い込み形の電
極等、電極の形状にかかわらず、実質開口率を向上する
という効果を得ることができる。
In this embodiment, an example of a bent electrode has been described. However, an effect of substantially improving the aperture ratio can be obtained regardless of the shape of the electrode, such as a linear electrode or an enclosed electrode. be able to.

【0147】(実施の形態2−2)図12(a)は実施の
形態2−2における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図12(b))は実施の形態2−2における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図12(c)は実施の形
態2−2における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図12(b)のA−Aにおける断面図である。
(Embodiment 2-2) FIG. 12A is a sectional view showing the structure of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-2. FIG. 12B is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-2. FIG. 12C is a cross-sectional view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-2, and is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

【0148】図13は実施の形態2−2における液晶表
示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面
拡大図である。
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing the structure near the semiconductor switching element of the liquid crystal display device according to the embodiment 2-2.

【0149】本実施の形態は、画素電極の電極部4a、
4bに透明導電体を使用する場合の実施の形態であり、
この点で実施の形態2−1とは異なる。
In the present embodiment, the electrode portion 4a of the pixel electrode,
4b is an embodiment when a transparent conductor is used for 4b,
This is different from the embodiment 2-1.

【0150】以下、図12及び図13を用いてその動作
について述べる。
Hereinafter, the operation will be described with reference to FIGS.

【0151】まず、アレイ基板1A上にAl、Ti等か
らなる非透過形導電体を形成し、共通電極3と走査信号
線6を所定の形状にパターニングする。このように形成
された第1電極群の上に第1絶縁層8を形成した後、こ
の第1絶縁層8の所定部分の上にa−Si層7aとn+
形a−Si層7bとからなる半導体スイッチング素子7
を形成する。さらに、第1絶縁層8及び半導体スイッチ
ング素子7の所定部分の上にAl、Ti等からなる非透
過形導電体を形成し、映像信号線5と画素電極の配線部
4cからなる第2電極群を所定の形状にパターン形成す
る。
First, a non-transmissive conductor made of Al, Ti or the like is formed on the array substrate 1A, and the common electrode 3 and the scanning signal line 6 are patterned into a predetermined shape. After the first insulating layer 8 is formed on the first electrode group thus formed, the a-Si layer 7a and n + are formed on predetermined portions of the first insulating layer 8.
Semiconductor switching element 7 comprising a-Si layer 7b
To form Further, a non-transmissive conductor made of Al, Ti, or the like is formed on predetermined portions of the first insulating layer 8 and the semiconductor switching element 7, and a second electrode group including the video signal line 5 and the pixel electrode wiring portion 4c is formed. Is formed into a predetermined pattern.

【0152】つぎに、第2電極群までが形成されたアレ
イ基板1A上にSiNx等からなる第2絶縁層12を形
成する。第2絶縁層12は半導体スイッチング素子7を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
Next, a second insulating layer 12 made of SiNx or the like is formed on the array substrate 1A on which the second electrode group is formed. The second insulating layer 12 also serves as a protective film for protecting the semiconductor switching element 7.

【0153】さらに、画素電極の櫛部4a、4bを、透
明導電体であるITO膜で形成する。
Further, the comb portions 4a and 4b of the pixel electrode are formed of an ITO film which is a transparent conductor.

【0154】ここで、非透過形導電体で形成された画素
電極の配線部4cと、透明導電体で形成された画素電極
の電極部4a、4bとの導通を得るために、第2絶縁層
12には、コンタクトホール12aを設けた構成として
いる。
Here, in order to obtain conduction between the wiring portion 4c of the pixel electrode formed of the non-transmissive conductor and the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrode formed of the transparent conductor, the second insulating layer 12 is provided with a contact hole 12a.

【0155】なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材
料等は上記実施の形態2−1と同じでよい。
The other parts such as the electrode shape and the liquid crystal material may be the same as those in Embodiment 2-1.

【0156】このような構成でも、実施の形態2−1と
同様、実質開口率の高い液晶パネルを得ることが可能で
ある。
With such a configuration, it is possible to obtain a liquid crystal panel having a substantially high aperture ratio, as in the embodiment 2-1.

【0157】(実施の形態2−3)図14(a)は実施の
形態2−3における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図14(b)は実施の形態2−3における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図14(c)は実施の形
態2−3における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図14(b)のA−Aにおける断面図である。
(Embodiment 2-3) FIG. 14A is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-3. FIG. 14B is a plan view showing a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3. FIG. 14C is a cross-sectional view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3, and is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 14B.

【0158】図15は実施の形態2−3における液晶表
示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面
拡大図である。
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration near the semiconductor switching element of the liquid crystal display device according to the embodiment 2-3.

【0159】本実施の形態は、共通電極の電極部3a、
3b、3cと画素電極の電極部4a、4bの両方に透明
導電体を使用する場合の実施の形態であり、この点で上
記実施の形態2−1及び上記実施の形態2−2とは異な
る。
In the present embodiment, the electrode portions 3a of the common electrode
This is an embodiment in which a transparent conductor is used for both the electrodes 3b and 3c and the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrodes, and is different from the embodiments 2-1 and 2-2 in this point. .

【0160】以下、図14及び図15を用いてその動作
について述べる。
Hereinafter, the operation will be described with reference to FIGS. 14 and 15.

【0161】まず、アレイ基板1A上にAl、Ti等か
らなる非透過形導電体で形成し、共通電極の配線部3d
と走査信号線6を所定の形状にパターニングする。この
ように形成された第1電極群の上に第1絶縁層8を形成
した後、この第1絶縁層8の所定部分の上にa−Si層
7aとn+形a−Si層7bとからなる半導体スイッチ
ング素子7を形成する。さらに、第1絶縁層8及び半導
体スイッチング素子7の所定部分の上にAl、Ti等か
らなる非透過形導電体を形成し、映像信号線5と画素電
極の配線部4cからなる第2電極群を所定の形状にパタ
ーン形成する。
First, a non-transmissive conductor made of Al, Ti or the like is formed on the array substrate 1A, and the wiring portion 3d of the common electrode is formed.
And the scanning signal lines 6 are patterned into a predetermined shape. After the first insulating layer 8 is formed on the first electrode group formed in this way, the a-Si layer 7a and the n + -type a-Si layer 7b are formed on predetermined portions of the first insulating layer 8. Is formed. Further, a non-transmissive conductor made of Al, Ti, or the like is formed on predetermined portions of the first insulating layer 8 and the semiconductor switching element 7, and a second electrode group including the video signal line 5 and the pixel electrode wiring portion 4c is formed. Is formed into a predetermined pattern.

【0162】つぎに、第2電極群までが形成されたアレ
イ基板1A上にSiNx等からなる第2絶縁層12を形
成する。第2絶縁層12は半導体スイッチング素子7を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
Next, the second insulating layer 12 made of SiNx or the like is formed on the array substrate 1A on which the second electrode group is formed. The second insulating layer 12 also serves as a protective film for protecting the semiconductor switching element 7.

【0163】さらに、共通電極の電極部3a、3b、3
cを透明導電体であるITO膜で形成し、SiNx等か
らなる第3絶縁層13を形成した後、画素電極の電極部
4a、4bを、透明導電体であるITO膜で形成する。
Further, the electrode portions 3a, 3b, 3
c is formed of an ITO film which is a transparent conductor, and after the third insulating layer 13 made of SiNx or the like is formed, the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrodes are formed of an ITO film which is a transparent conductor.

【0164】ここで、非透過形導電体で形成された共通
電極の配線部3dと、透明導電体で形成された共通電極
の櫛部3a、3b、3cとの電気的導通を得るために、
第1絶縁層8及び第2絶縁層12にコンタクトホール8
a、12bを設け、また、非透過形導電体で形成された
画素電極の配線部4cと、透明導電体で形成された共通
電極の電極部4a、4bとの電気的導通を得るために、
第2絶縁膜12及び第3絶縁層13にコンタクトホール
12a、13aを設けた構成としている。
Here, in order to obtain electrical continuity between the wiring portion 3d of the common electrode formed of the non-transmissive conductor and the comb portions 3a, 3b, 3c of the common electrode formed of the transparent conductor,
Contact holes 8 are formed in first insulating layer 8 and second insulating layer 12.
a, 12b, and in order to obtain electrical continuity between the wiring portion 4c of the pixel electrode formed of a non-transmissive conductor and the electrode portions 4a and 4b of the common electrode formed of a transparent conductor,
The contact holes 12a and 13a are provided in the second insulating film 12 and the third insulating layer 13.

【0165】なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材
料等は上記の実施の形態1あるいは上記の実施の形態2
−2と同じでよい。
The electrode shape, the liquid crystal material and the like of the other parts are the same as those in the first embodiment or the second embodiment.
Same as -2.

【0166】このような構成により、実施の形態2−1
あるいは実施の形態2−2以上に実質開口率の高い液晶
パネルを得ることが可能である。
With such a configuration, the embodiment 2-1
Alternatively, it is possible to obtain a liquid crystal panel having a substantially higher aperture ratio than Embodiment 2-2 or higher.

【0167】(実施の形態2−4)図16は実施の形態
2−4における液晶表示装置の半導体スイッチング素子
近傍の構成を示す断面拡大図である。
(Embodiment 2-4) FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of a liquid crystal display device according to an embodiment 2-4.

【0168】本実施の形態は、上記の実施の形態2−3
と同様に、共通電極の電極部3a、3b、3cと画素電
極の電極部4a、4bの両方に透明導電体を使用する場
合の実施の形態であるが、これらを同一層に形成した場
合の実施の形態であり、この点で上記の実施の形態2−
3とは異なる。
This embodiment is different from the above-described embodiment 2-3.
Similarly to the above, this embodiment is an embodiment in which a transparent conductor is used for both the electrode portions 3a, 3b, 3c of the common electrode and the electrode portions 4a, 4b of the pixel electrode. This is an embodiment, and in this regard, the above-described Embodiment 2
Different from 3.

【0169】したがって、本形態2−4における液晶表
示装置を作製する際、第2電極群を形成し、第2絶縁層
を形成する工程までは、実施の形態2−3と同じでよ
く、この第2絶縁層の上に共通電極の電極部3a、3
b、3cと画素電極の電極部4a、4bの両方を透明導
電体で形成する。
Therefore, when manufacturing the liquid crystal display device according to Embodiment 2-4, the steps up to the step of forming the second electrode group and forming the second insulating layer may be the same as those of Embodiment 2-3. The electrode portions 3a and 3 of the common electrode are formed on the second insulating layer.
Both b and 3c and the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrode are formed of a transparent conductor.

【0170】このような構成により、上記の実施の形態
2−3より少ないプロセス数で、かつ、上記の実施の形
態2−1あるいは上記の実施の形態2−2以上に実質開
口率の高い液晶パネルを得ることが可能である。
With such a configuration, a liquid crystal having a smaller number of processes than that of the above-described embodiment 2-3 and having a substantially higher aperture ratio than the above-mentioned embodiment 2-1 or the above-mentioned embodiment 2-2. It is possible to get a panel.

【0171】(実施の形態2−5)図17(a)は実施の
形態2−5における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図17(b)は実施の形態2−5における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。
(Embodiment 2-5) FIG. 17A is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device according to an embodiment 2-5. FIG. 17B is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-5.

【0172】図17において、1Aはアレイ基板、1B
は対向基板、2は液晶、3は共通電極、4は画素電極、
5は画素電極4と接続され映像信号を与える映像信号
線、6は走査信号線、7は半導体スイッチング素子、8
は透明絶縁層、9Aはアレイ基板1Aの内面に形成した
配向膜、9Bは対向基板1Bの内面に形成した配向膜、
10aは赤色カラーフィルター材料、10bは緑色カラ
ーフィルター材料、10cは青色カラーフィルター材
料、11はブラックマトリックス(遮光層)、である。
In FIG. 17, 1A is an array substrate, 1B
Is a counter substrate, 2 is a liquid crystal, 3 is a common electrode, 4 is a pixel electrode,
Reference numeral 5 denotes a video signal line connected to the pixel electrode 4 to supply a video signal, 6 denotes a scanning signal line, 7 denotes a semiconductor switching element, 8
Is a transparent insulating layer, 9A is an alignment film formed on the inner surface of the array substrate 1A, 9B is an alignment film formed on the inner surface of the counter substrate 1B,
10a is a red color filter material, 10b is a green color filter material, 10c is a blue color filter material, and 11 is a black matrix (light shielding layer).

【0173】以下、図17を用いて、上記構成の液晶表
示装置の製造について説明する。
Hereinafter, the manufacture of the liquid crystal display device having the above configuration will be described with reference to FIG.

【0174】まず、アレイ基板1A上にAl等からなる
導電膜でパターニングされた走査信号線6を形成し、絶
縁膜を形成した後、a−Si等からなる半導体スイッチ
ング素子7、また、Al等からなる導電膜でパターニン
グされた映像信号線5を形成する。
First, a scanning signal line 6 patterned with a conductive film made of Al or the like is formed on the array substrate 1A, and an insulating film is formed. Then, a semiconductor switching element 7 made of a-Si or the like, A video signal line 5 patterned with a conductive film made of is formed.

【0175】本実施の形態は横電界印加方式であり、共
通電極3及び画素電極4を透明導電体であるITO膜、
あるいはAl等からなる導電膜で図17(b)に示すよう
な櫛形にパターニング形成する。
In the present embodiment, a lateral electric field is applied, and the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are formed by using an ITO film as a transparent conductor,
Alternatively, a conductive film made of Al or the like is patterned into a comb shape as shown in FIG.

【0176】画素電極4は、映像信号線5、走査信号線
6、または半導体スイッチング素子7を形成するのと同
じ層で形成し、透明導電体であるITO膜等で形成す
る。
The pixel electrode 4 is formed of the same layer as that on which the video signal line 5, the scanning signal line 6, or the semiconductor switching element 7 is formed, and is formed of a transparent conductor such as an ITO film.

【0177】さらに、これらの配線を平坦化するのに充
分な厚さを有する透明絶縁層8を形成した後、透明導電
体であるITO膜からなる共通電極3を形成する。
Further, after forming a transparent insulating layer 8 having a thickness sufficient to flatten these wirings, a common electrode 3 made of an ITO film as a transparent conductor is formed.

【0178】また、映像信号線5直上の共通電極の電極
部3a、3dの線幅w1'は、他の共通電極の電極部3
b、3cの線幅w1よりも大きくしておく。
The line width w1 'of the common electrode portions 3a and 3d immediately above the video signal line 5 is different from the other common electrode electrode portions 3a and 3d.
The line widths b and 3c are set to be larger than w1.

【0179】その後、アレイ基板1A、及び対向基板1
Bには、液晶2の分子の配列を整列させるためにポリイ
ミド等からなる配向膜9A、9Bを形成する。
Thereafter, the array substrate 1A and the counter substrate 1
In B, alignment films 9A and 9B made of polyimide or the like are formed to align the arrangement of the molecules of the liquid crystal 2.

【0180】対向基板1Bはアレイ基板1Aに対向して
設け、赤色カラーフィルター材料10a、緑色カラーフ
ィルター材料10b、青色カラーフィルター材料10
c、及びブラックマトリックス11が所定のパターンに
形成されている。
The counter substrate 1B is provided so as to face the array substrate 1A, and includes a red color filter material 10a, a green color filter material 10b, and a blue color filter material 10b.
c and the black matrix 11 are formed in a predetermined pattern.

【0181】このように作製されたアレイ基板1A、及
び対向基板1Bは、各々所定の方向に初期配向方位を形
成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶2を注入し
封止する。
The array substrate 1A and the counter substrate 1B manufactured as described above each have an initial alignment direction in a predetermined direction, and the peripheral portion is adhered with a sealant, and then the liquid crystal 2 is injected and sealed.

【0182】半導体スイッチング素子7は映像信号線5
及び走査信号線6から入力される駆動信号によってオ
ン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子
7と接続された画素電極4と、共通電極3との間に印加
された電圧によって電界を発生させ、液晶2の配向を変
化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。
The semiconductor switching element 7 is connected to the video signal line 5
On / off control is performed by a driving signal input from the scanning signal line 6. Then, an electric field is generated by a voltage applied between the pixel electrode 4 connected to the semiconductor switching element 7 and the common electrode 3, and the orientation of the liquid crystal 2 is changed to control the luminance of each pixel, thereby displaying an image. indicate.

【0183】図17において、dはセルギャップ、w1
は共通電極の電極部3bの線幅、w2は画素電極の電極
部4aの線幅、w1'は共通電極の電極部3aの線幅、
lは共通電極の電極部3bと画素電極の電極部4aとの
間隔(間隙)、を示す。
In FIG. 17, d is the cell gap, w1
Is the line width of the electrode portion 3b of the common electrode, w2 is the line width of the electrode portion 4a of the pixel electrode, w1 'is the line width of the electrode portion 3a of the common electrode,
1 indicates a distance (gap) between the electrode portion 3b of the common electrode and the electrode portion 4a of the pixel electrode.

【0184】本実施の形態では、図17に示すように、
共通電極の電極部3b及び画素電極の電極部4aの線幅
w1、w2は、セルギャップdよりも小さくし(w1,w2
<d)、間隔(間隙)lもセルギャップより小さい(l
<d)。また、画素電極4を透明絶縁層8が形成される
前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層8の下
層であるアレイ基板1A側に設けた構成としている。
In the present embodiment, as shown in FIG.
The line widths w1 and w2 of the electrode portion 3b of the common electrode and the electrode portion 4a of the pixel electrode are smaller than the cell gap d (w1, w2).
<D), the interval (gap) l is also smaller than the cell gap (l
<D). Further, the pixel electrode 4 is formed in a process before the transparent insulating layer 8 is formed, that is, the pixel electrode 4 is provided on the array substrate 1A side which is a lower layer of the transparent resin layer 8.

【0185】さらに、映像信号線5直上の共通電極3
a、3dの線幅w1'は、他の共通電極3b、3dの線
幅w1より大きい(w1'>w1)。これらの点が、本
実施の形態が従来例と大きく異なる点である。
Further, the common electrode 3 immediately above the video signal line 5
The line widths w1 'of a and 3d are larger than the line widths w1 of the other common electrodes 3b and 3d (w1'> w1). These points are the points that the present embodiment is greatly different from the conventional example.

【0186】このような構成においては、横電界に加
え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界強度が
大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電材料を
使用することによって、電極の上の部分も光を透過する
するようになる。
In such a configuration, in addition to the lateral electric field, the electric field intensity on each electrode is increased by the peripheral electric field around each electrode, and the liquid crystal is rotated. Therefore, by using a transparent conductive material for the electrode, Will also transmit light.

【0187】さらに、映像信号線5の上にも共通電極3
aを設けているので、画素電極4aとの間にも電界を発
生することができる。したがって、従来、ブラックマト
リッス11で覆っていた部分も光を透過するようにな
り、実質開口率が向上するので高輝度のパネルを得るこ
とができる。
Further, the common electrode 3 is also provided on the video signal line 5.
Since a is provided, an electric field can be generated between the pixel electrode 4a and the pixel electrode 4a. Therefore, the portion covered with the black matrix 11 can transmit light, and the aperture ratio is substantially improved, so that a high-luminance panel can be obtained.

【0188】しかしながら、このような構成の場合、共
通電極3、画素電極4をどの層に形成するかによって電
界分布が異なってくる。
However, in such a configuration, the electric field distribution differs depending on which layer the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are formed.

【0189】まず、画素電極4を透明絶縁層8が形成さ
れる前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層8
の下層であるアレイ基板1A側に設けた構成とすること
の作用と効果について説明する。
First, the pixel electrode 4 was formed by a process before the formation of the transparent insulating layer 8, that is, the transparent resin layer 8 was formed.
The function and effect of the structure provided on the array substrate 1A side, which is the lower layer, will be described.

【0190】図18に本実施の形態による電極構成での
液晶パネルの光透過率特性(電界分布、液晶ダイレクタ
からパネルの光透過率を計算)を示す。
FIG. 18 shows the light transmittance characteristics of the liquid crystal panel having the electrode configuration according to the present embodiment (the light transmittance of the panel is calculated from the electric field distribution and the liquid crystal director).

【0191】具体的には、電極間隙l=2μm、電極幅
w1=w2=2μm、セルギャップd=4μm、とした
(つまり、w1,w2<d、及びl<dを満たしてい
る)。また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶
材料は同一、駆動電圧は5V、同一環境下という条件と
した。
Specifically, the electrode gap l = 2 μm, the electrode width w1 = w2 = 2 μm, and the cell gap d = 4 μm (that is, w1, w2 <d and l <d are satisfied). The conditions were the same except for the electrode configuration, that is, the conditions were the same for the liquid crystal material, the driving voltage was 5 V, and the same environment.

【0192】図18(a)と図18(b)の構成で異な
る点は、図18(a)は、共通電極3、画素電極4の両
方を透明絶縁層8の上層、すなわち、対向基板1B側に
設けた構成であり、図18(b)は、画素電極4を透明
絶縁層8が形成される前のプロセスで形成した、すなわ
ち、透明樹脂層8の下層であるアレイ基板1A側に設け
た構成、という点である。
18 (a) and FIG. 18 (b) is that FIG. 18 (a) shows that both the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are formed on the upper layer of the transparent insulating layer 8, that is, the counter substrate 1B. FIG. 18B shows a configuration in which the pixel electrode 4 is formed in a process before the formation of the transparent insulating layer 8, that is, the pixel electrode 4 is provided on the side of the array substrate 1 </ b> A below the transparent resin layer 8. Configuration.

【0193】この結果から明らかなように、図18
(b)の構成のほうがより高い透過率を有することがわ
かる。1ドットサイズが43μm×129μmという超高
精細パネルで透過率を測定した結果、積層型共通電極を
使わない構成での透過率が37%、図18(a)の構成
での透過率は44%、に対して、図18(b)の構成に
すると透過率は60%と大きく向上することがわかっ
た。
As apparent from the result, FIG.
It can be seen that the configuration of (b) has a higher transmittance. The transmittance was measured on an ultra-high-definition panel having a dot size of 43 μm × 129 μm. As a result, the transmittance without the laminated common electrode was 37%, and the transmittance in the configuration of FIG. 18A was 44%. On the other hand, it was found that the transmittance of the configuration shown in FIG.

【0194】つぎに、映像信号線5直上の共通電極3a
の線幅w1'を、他の共通電極3bの線幅w1より大き
くすること(w1'>w1)の作用と効果について説明
する。
Next, the common electrode 3a immediately above the video signal line 5
The function and effect of making the line width w1 ′ of (1) larger than the line width w1 of the other common electrode 3b (w1 ′> w1) will be described.

【0195】図19に、図18(b)と電極線幅、電極
間隔が異なる電極構成の場合の電気光学シミュレーショ
ン(電界分布、液晶ダイレクタからパネル透過率を計
算)の結果を示す。
FIG. 19 shows the results of an electro-optic simulation (calculating the panel transmittance from the electric field distribution and the liquid crystal director) in the case of an electrode configuration having different electrode line widths and electrode spacings from FIG. 18B.

【0196】具体的には、電極間隙l=10μm、電極
幅w1=w2=6μm、セルギャップd=4μm、とし
た。また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶材
料は同一、駆動電圧は5V、同一環境下という条件とし
た。
Specifically, the electrode gap l = 10 μm, the electrode width w1 = w2 = 6 μm, and the cell gap d = 4 μm. The conditions were the same except for the electrode configuration, that is, the conditions were the same for the liquid crystal material, the driving voltage was 5 V, and the same environment.

【0197】図19(a)に示すように、w1'=w1
=6μmの場合、映像信号線5直上の共通電極4aと画
素電極3aとの間に生じる電界分布は、画素電極3aと
共通電極4bとの間に生じる電界分布と異なり、映像信
号線5に近くなるにしたがってより強い電界が発生する
ような傾斜分布になるため、透過率分布も映像信号線5
に近くなるにしたがって高透過率となる。したがって、
輝度ムラあるいは色付きの原因となる。
As shown in FIG. 19A, w1 '= w1
= 6 μm, the electric field distribution generated between the common electrode 4a and the pixel electrode 3a immediately above the video signal line 5 is different from the electric field distribution generated between the pixel electrode 3a and the common electrode 4b and is close to the video signal line 5. Since the gradient distribution is such that a stronger electric field is generated, the transmittance distribution is also reduced to the video signal line 5.
, The higher the transmittance becomes. Therefore,
This may cause uneven brightness or coloring.

【0198】これに対し、図19(b)に示すように、
映像信号線5直上の共通電極4aの線幅を他の共通電極
の線幅より大きくすれば(w1'=10μm>w1の場
合)、映像信号線5直上の共通電極4aと画素電極3a
との間に生じる電界分布の傾斜は無くなり、輝度ムラ、
色付きの発生を防止することができる。
On the other hand, as shown in FIG.
If the line width of the common electrode 4a immediately above the video signal line 5 is made larger than the line width of the other common electrodes (when w1 ′ = 10 μm> w1), the common electrode 4a and the pixel electrode 3a immediately above the video signal line 5 are obtained.
And the inclination of the electric field distribution generated between the
Coloring can be prevented.

【0199】なお、この実施の形態では、特にw1,w
2<d、及びl<dを満たしていない構成の例で説明し
たが、もちろん、w1,w2<d、及びl<dを満たす
構成でも同様の効果を得ることができる。
In this embodiment, w1, w
Although an example of a configuration that does not satisfy 2 <d and l <d has been described, it is needless to say that a configuration that satisfies w1, w2 <d and l <d can also obtain the same effect.

【0200】(実施の形態2−6)図20(a)は実施の
形態2−6における液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図20(b)は実施の形態2−6における液晶表示
装置の構成を示す平面図である。図20(c)は図20(b)
に示したA−A線上の断面図である。
(Embodiment 2-6) FIG. 20A is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-6. FIG. 20B is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-6. FIG. 20 (c) is FIG. 20 (b)
FIG. 3 is a sectional view taken along line AA shown in FIG.

【0201】図20において、1Aはアレイ基板、1B
は対向基板、2は液晶、3は共通電極、4は画素電極、
5は画素電極4と接続され映像信号を与える映像信号
線、6は走査信号線、7は半導体スイッチング素子、8
は透明絶縁層、9Aはアレイ基板1Aの内面に形成した
配向膜、9Bは対向基板1Bの内面に形成した配向膜、
10aは赤色カラーフィルター材料、10bは緑色カラ
ーフィルター材料、10cは青色カラーフィルター材
料、11はブラックマトリックス(遮光層)、12は半
導体スイッチング素子7を作製する工程で形成される絶
縁層である。
In FIG. 20, 1A is an array substrate, 1B
Is a counter substrate, 2 is a liquid crystal, 3 is a common electrode, 4 is a pixel electrode,
Reference numeral 5 denotes a video signal line connected to the pixel electrode 4 to supply a video signal, 6 denotes a scanning signal line, 7 denotes a semiconductor switching element, 8
Is a transparent insulating layer, 9A is an alignment film formed on the inner surface of the array substrate 1A, 9B is an alignment film formed on the inner surface of the counter substrate 1B,
10a is a red color filter material, 10b is a green color filter material, 10c is a blue color filter material, 11 is a black matrix (light-shielding layer), and 12 is an insulating layer formed in a process of manufacturing the semiconductor switching element 7.

【0202】本実施の形態は、映像信号線5直上の共通
電極3a、3dと、それ以外の共通電極3b、3cとを
異なる層に形成するときの実施の形態であり、映像信号
線5直上にITOのような高抵抗の導電体を形成できな
い場合の実施の形態である。
This embodiment is an embodiment in which the common electrodes 3a and 3d immediately above the video signal line 5 and the other common electrodes 3b and 3c are formed in different layers. This is an embodiment in the case where a high-resistance conductor such as ITO cannot be formed.

【0203】本実施の形態2−6の製造方法は、上記の
実施の形態2−5とほぼ同じであるので、異なるプロセ
スのみ説明する。即ち、共通電極4を形成するプロセス
についてのみ説明する。
Since the manufacturing method of the present embodiment 2-6 is almost the same as that of the above-described embodiment 2-5, only different processes will be described. That is, only the process of forming the common electrode 4 will be described.

【0204】実施の形態2−5と同様に、共通電極3及
び画素電極4を透明導電体であるITO膜、あるいはA
l、Ti等からなる導電膜で図20(b)に示すような櫛
形にパターニング形成する。
As in the embodiment 2-5, the common electrode 3 and the pixel electrode 4 are made of an ITO film which is a transparent conductor or an A film.
A comb-shaped pattern as shown in FIG. 20B is formed by a conductive film made of l, Ti or the like.

【0205】画素電極4は、映像信号線5、走査信号線
6、または半導体スイッチング素子7を形成するのと同
じ層で形成し、透明導電体であるITO膜で形成する。
The pixel electrode 4 is formed of the same layer as that on which the video signal line 5, the scanning signal line 6, or the semiconductor switching element 7 is formed, and is formed of an ITO film which is a transparent conductor.

【0206】次に、半導体スイッチング素子7を作製す
る工程で絶縁層12を形成した後、透明導電体であるI
TO膜で共通電極3b、3cを形成する。
Next, after the insulating layer 12 is formed in the step of manufacturing the semiconductor switching element 7, the transparent conductor I
The common electrodes 3b and 3c are formed of a TO film.

【0207】さらに、これらの配線を平坦化するのに充
分な厚さを有する透明絶縁層8を形成した後Al、Cr
等の非透過形の導電材料で共通電極3a、3dを形成す
る。映像信号線5の直上の共通電極3a、3dとそれ以
外の共通電極3b、3cとは透明絶縁層8に設けたコン
タクトホール8aを介して電気的導通を得られる構成で
ある。
Further, after forming a transparent insulating layer 8 having a thickness sufficient to flatten these wirings, Al, Cr
The common electrodes 3a and 3d are formed of a non-transmissive conductive material such as. The common electrodes 3 a, 3 d immediately above the video signal line 5 and the other common electrodes 3 b, 3 c are configured so that electrical continuity can be obtained via contact holes 8 a provided in the transparent insulating layer 8.

【0208】このような構成にしても、もともと映像信
号線5はAl等の非透過形の導電材料で形成されている
ので、透過率を低下させることはなく、映像信号線5直
上の共通電極4a、4dを、Al、Cr等の非透過形の
低抵抗導電材料で形成することができる。
Even in such a configuration, since the video signal line 5 is originally formed of a non-transmissive conductive material such as Al, the transmittance is not reduced, and the common electrode immediately above the video signal line 5 is not reduced. 4a and 4d can be formed of a non-transmissive low-resistance conductive material such as Al or Cr.

【0209】(実施の形態2−7)本実施の形態2−7
について図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 2-7) Embodiment 2-7
Will be described with reference to the drawings.

【0210】図21(a)は本実施の形態2−7におけ
る液晶表示装置の構成を示す断面図である。図21
(b)は本実施の形態2−7における液晶表示装置の構
成を示す平面図である。図21(c)は本実施の形態2
−7における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、
図21(b)のA−A矢視断面図である。
FIG. 21A is a cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal display according to Embodiment 2-7. FIG.
(B) is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device in Embodiment 2-7. FIG. 21C shows the second embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the liquid crystal display device at −7
FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【0211】図22は本発明の実施の形態2−7におけ
る液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を
示す拡大断面図である。
FIG. 22 is an enlarged sectional view showing a structure near a semiconductor switching element of a liquid crystal display according to Embodiment 2-7 of the present invention.

【0212】本実施の形態は、液晶材料中の不純物イオ
ンが多く、その電荷が電極上に蓄積されることによって
生じる残像、いわゆる焼き付きが顕著なときの実施の形
態であり、この点で実施の形態2−1から実施の形態2
−4まてで説明した構成と異なる。
This embodiment is an embodiment in the case where there is a large amount of impurity ions in the liquid crystal material and the afterimage caused by accumulation of the charge on the electrode, that is, so-called burn-in is remarkable. Embodiment 2-1 to Embodiment 2
-4 different from the configuration described before.

【0213】本実施の形態2−7の製造方法は、上記実
施の形態2−3とはほぼ同じであるので、異なるプロセ
スのみ説明する。即ち、第4絶縁層14を加えるプロセ
スとその効果についてのみ説明する。
Since the manufacturing method of the present embodiment 2-7 is almost the same as that of the above-described embodiment 2-3, only different processes will be described. That is, only the process of adding the fourth insulating layer 14 and its effect will be described.

【0214】SiNx等からなる第3絶縁層13を形成
した後、画素電極の電極部4a,4bを、透明導電体で
あるITO膜で形成するまでのプロセスは実施の形態2
−3と同じである。本実施の形態では、さらに第4絶縁
層14を形成する。
The process from the formation of the third insulating layer 13 made of SiNx or the like to the formation of the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrodes with the ITO film, which is a transparent conductor, is described in the second embodiment.
Same as -3. In the present embodiment, a fourth insulating layer 14 is further formed.

【0215】実施の形態2−1から実施の形態2−4で
説明した構成は、共通電極の電極部3a,3b、あるい
は画素電極の電極部4a,4bが最上層に露出した構成
である。すなわち、配向膜9Aは非常に薄い膜であるた
め、電極の露出した部分に液晶2がほぼ直接接触する構
成となり、液晶2の中の不純物イオンが蓄積し、フリッ
カーや残像、焼き付きを起こす要因となる。従って、特
に液晶2の中の不純物イオンが多い場合は、フリッカー
や残像、焼き付きが顕著となり画質を損ねるばかりでな
く、高温高湿の環境下などで化学反応を誘発し、さらな
る画像欠陥を生じるおそれがある。
In the configurations described in the embodiments 2-1 to 2-4, the electrode portions 3a and 3b of the common electrode or the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrode are exposed to the uppermost layer. That is, since the alignment film 9A is a very thin film, the liquid crystal 2 almost directly comes into contact with the exposed portion of the electrode, and impurity ions in the liquid crystal 2 accumulate and cause factors such as flicker, afterimage, and image sticking. Become. Therefore, especially when the liquid crystal 2 contains a large amount of impurity ions, flicker, afterimages and image sticking become remarkable, not only deteriorating the image quality but also causing a chemical reaction in a high-temperature and high-humidity environment, which may cause further image defects. There is.

【0216】そこで、液晶2が共通電極の電極部3a,
3b、あるいは画素電極の電極部4a,4bと直接接触
することを防止するために第4絶縁層14を設けた構成
とした。
Therefore, the liquid crystal 2 is connected to the electrode portions 3a of the common electrode,
The third insulating layer 14 is provided to prevent direct contact with the electrode portions 3b or the electrode portions 4a and 4b of the pixel electrode.

【0217】ここで、第4絶縁層は実施の形態2−1か
ら実施の形態2−6で説明したいずれの絶縁膜であって
もかまわない。すなわち、他のプロセスで使用されるS
iNx、あるいは層間絶縁膜等で使用されるアクリル系
感光性樹脂等の絶縁膜を用いれば、製造装置を追加する
ことなく低コストで高画質、高信頼性の液晶表示装置を
得ることができる。
Here, the fourth insulating layer may be any of the insulating films described in Embodiments 2-1 to 2-6. That is, S used in another process
If an insulating film such as iNx or an acrylic photosensitive resin used for an interlayer insulating film or the like is used, a liquid crystal display device with high image quality and high reliability can be obtained at low cost without adding a manufacturing device.

【0218】但し、確実に絶縁性を得るために表面抵抗
は1010Ω/□前後、膜厚は50nm以上が望まし
い。
However, it is desirable that the surface resistance is about 1010 Ω / □ and the film thickness is 50 nm or more in order to surely obtain insulation.

【0219】また、第4絶縁層にSb2S系微粒子を添
加したSiO2系材料を用いれば、Na+、K+、NH4
+といった不純物イオンを吸収する機能を有するのでよ
り効果的である。
If the fourth insulating layer is made of an SiO 2 material to which Sb 2 O S based fine particles are added, Na +, K +, NH 4
It is more effective because it has a function of absorbing impurity ions such as +.

【0220】[0220]

【発明の効果】以上のように第1の発明群の構成によれ
ば、以下の効果を奏する。
According to the configuration of the first invention group as described above, the following effects can be obtained.

【0221】(1)セルギャップを小さくする必要がな
いので、液晶を注入するのに要する時間が長くすること
なく、また、ギャップの精度ばらつきによるムラを生じ
ることなく高速化することが可能である。
(1) Since it is not necessary to reduce the cell gap, it is possible to increase the speed without increasing the time required for injecting liquid crystal and without causing unevenness due to variations in gap accuracy. .

【0222】(2)液晶材料あるいはその添加率を変え
る必要がないので、耐熱・耐光性等の低下によるコント
ラストの部分的な異常やフリッカなどの表示不良を発生
することなく高速化することが可能である。
(2) Since it is not necessary to change the liquid crystal material or the addition ratio thereof, it is possible to increase the speed without causing a partial abnormality in contrast due to a decrease in heat resistance and light resistance and a display defect such as flicker. It is.

【0223】(3)駆動電圧を大きくする必要がないの
で、消費電力が大きくせずに、また従来の駆動用ICを
使って高速化することが可能である。
(3) Since it is not necessary to increase the driving voltage, it is possible to increase the speed without increasing the power consumption and using a conventional driving IC.

【0224】(4)透過率を低下することなく高速化す
ることが可能である。
(4) It is possible to increase the speed without lowering the transmittance.

【0225】(5)以上の作用により、液晶材料の変更
やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大きくす
ることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高画質
が得られる液晶表示装置を提供することができるので工
業的価値は極めて大である。
(5) By the above operation, a liquid crystal display device capable of obtaining a high-speed response and high image quality such as high brightness with a wide viewing angle without changing the liquid crystal material, narrowing the cell gap, or increasing the driving voltage. Therefore, the industrial value is extremely large.

【0226】また、第2の発明群の構成によれば、以下
の効果を奏する。
According to the structure of the second invention group, the following effects can be obtained.

【0227】(6)画素電極、対向電極の電極部を透明
導電層で形成し、かつ、電極上の電界強度を強くする電
極構成、液晶材料の組み合わせとしたことにより、電極
上の液晶分子も変調させて光を透過することができる、
実質開口率の高い液晶パネルを得ることができる。
(6) The electrode portions of the pixel electrode and the counter electrode are formed of a transparent conductive layer, and an electrode configuration for increasing the electric field strength on the electrodes and a combination of liquid crystal materials are used. Can be modulated to transmit light,
A liquid crystal panel having a substantially high aperture ratio can be obtained.

【0228】(7)ゲート電極(走査信号線)と対向電
極を異なる層で形成するので、ゲート電極と対向電極間
での電気的短絡を著しく低減することができる。
(7) Since the gate electrode (scanning signal line) and the counter electrode are formed in different layers, an electrical short circuit between the gate electrode and the counter electrode can be significantly reduced.

【0229】(8)映像信号線直上の積層形共通電極が
電界分布に及ぼす影響を考慮した電極配置としたため、
全体的に高い透過率を得ることができる。
(8) Since the stacked common electrodes immediately above the video signal lines are arranged in consideration of the influence on the electric field distribution,
High transmittance can be obtained as a whole.

【0230】(9)映像信号線直上の共通電極の線幅を
他の共通電極の線幅よりも大きくすることにより、映像
信号線直上の共通電極と画素電極の間もなめらかな透過
率分布を得られる構成としたため、輝度ムラ、あるいは
色付きの無い均一な画像を得ることができる。
(9) By making the line width of the common electrode immediately above the video signal line larger than the line width of the other common electrodes, a smooth transmittance distribution can be obtained between the common electrode and the pixel electrode immediately above the video signal line. Because of the obtained configuration, a uniform image without luminance unevenness or coloring can be obtained.

【0231】(10)以上のことから、広視野角かつ高
輝度で、輝度ムラ、色付き等のない高画質が得られる液
晶表示装置を提供することができるので工業的価値は極
めて大である。
(10) From the above, it is possible to provide a liquid crystal display device having a wide viewing angle, high luminance, and high image quality without luminance unevenness, coloring, and the like, so that the industrial value is extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態1−1における液晶表示装置の構成
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 1-1.

【図2】実施の形態1−1における電極構造の原理を説
明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for describing the principle of an electrode structure in Embodiment 1-1.

【図3】実施の形態1−1における液晶表示装置の応答
特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating response characteristics of the liquid crystal display device in Embodiment 1-1.

【図4】実施の形態1−2における液晶表示装置の構成
を示す図である。
FIG. 4 illustrates a structure of a liquid crystal display device in Embodiment 1-2.

【図5】実施の形態1−3における液晶表示装置の構成
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 1-3.

【図6】実施の形態1−3における電極構造の原理を説
明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for describing a principle of an electrode structure in the embodiment 1-3.

【図7】実施の形態1−4における液晶表示装置の構成
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 1-4.

【図8】実施の形態2−1における液晶表示装置の構成
を示す図であり、そのうち図8(a)は実施の形態2−
1における液晶表示装置の構成を示す断面図、図8
(b)は実施の形態2−1における液晶表示装置の構成
を示す平面図、図8(c)は実施の形態2−1における
液晶表示装置の構成を示すA−A線上の断面図である。
8A and 8B illustrate a structure of a liquid crystal display device in Embodiment 2-1. FIG. 8A illustrates Embodiment 2;
1 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device in FIG.
8B is a plan view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-1. FIG. 8C is a cross-sectional view taken along line AA of the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-1. .

【図9】実施の形態2−1における液晶表示装置の半導
体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。
FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of the liquid crystal display device in Embodiment 2-1.

【図10】実施の形態2−1における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing light transmittance characteristics of a liquid crystal display device in Embodiment 2-1.

【図11】従来技術の液晶表示装置の光透過率特性を示
す図である。
FIG. 11 is a diagram showing light transmittance characteristics of a conventional liquid crystal display device.

【図12】実施の形態2−2における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図12(a)は実施の形態
2−2における液晶表示装置の構成を示す断面図であ
り、図12(b)は実施の形態2−2における液晶表示
装置の構成を示す平面図であり、図12(c)は実施の
形態2−2における液晶表示装置の構成を示すA−A線
上の断面図である。
12A and 12B illustrate a structure of a liquid crystal display device in Embodiment 2-2. FIG. 12A is a cross-sectional view illustrating a structure of the liquid crystal display device in Embodiment 2-2. FIG. 12B is a plan view illustrating a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-2, and FIG. 12C is a cross-sectional view taken along line AA of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-2. It is.

【図13】実施の形態2−2における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-2.

【図14】実施の形態2−3における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図14(a)は実施の形態
2−3における液晶表示装置の構成を示す断面図、図1
4(b)は実施の形態2−3における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図14(c)は実施の形態2−3にお
ける液晶表示装置の構成を示すA−A線上の断面図、で
ある。
14A and 14B are diagrams illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 2-3. FIG. 14A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 2-3.
4 (b) is a plan view illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3, FIG. 14 (c) is a cross-sectional view taken along line AA illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3, It is.

【図15】実施の形態2−3における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3.

【図16】実施の形態2−4における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of a liquid crystal display device according to Embodiment 2-4.

【図17】実施の形態2−5における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図17(a)は実施の形態
2−5における液晶表示装置の構成を示す断面図、図1
7(b)は実施の形態2−3における液晶表示装置の構
成を示す平面図、である。
17A and 17B are diagrams illustrating a configuration of a liquid crystal display device in Embodiment 2-5. FIG. 17A is a cross-sectional view illustrating a configuration of the liquid crystal display device in Embodiment 2-5.
FIG. 7B is a plan view showing a configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-3.

【図18】実施の形態2−5における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing light transmittance characteristics of a liquid crystal display device in Embodiment 2-5.

【図19】実施の形態2−5における液晶表示装置の光
透過率特性を示す図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating light transmittance characteristics of a liquid crystal display device in Embodiment 2-5.

【図20】実施の形態2−6における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図20(a)は実施の形態
2−6における液晶表示装置の構成を示す断面図、図2
0(b)は実施の形態2−6における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図20(c)は実施の形態2−6にお
ける液晶表示装置の構成を示すA−A線上の断面図、で
ある。
20A and 20B illustrate a structure of a liquid crystal display device in Embodiment 2-6. FIG. 20A is a cross-sectional view illustrating a structure of the liquid crystal display device in Embodiment 2-6.
0 (b) is a plan view illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-6, FIG. 20 (c) is a cross-sectional view taken along line AA illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-6, It is.

【図21】実施の形態2−7における液晶表示装置の構
成を示す図であり、そのうち図21(a)は実施の形態
2−7における液晶表示装置の構成を示す断面図、図2
1(b)は実施の形態2−7における液晶表示装置の構
成を示す平面図、図21(c)は実施の形態2−7にお
ける液晶表示装置の構成を示すA−A線上の断面図、で
ある。
21A and 21B illustrate a structure of a liquid crystal display device in Embodiment 2-7. FIG. 21A is a cross-sectional view illustrating a structure of the liquid crystal display device in Embodiment 2-7.
1B is a plan view illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-7, FIG. 21C is a cross-sectional view taken along line AA illustrating the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 2-7, It is.

【図22】実施の形態2−7における液晶表示装置の半
導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図であ
る。
FIG. 22 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a semiconductor switching element of a liquid crystal display device in Embodiment 2-7.

【図23】第1の従来の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。
FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a first conventional liquid crystal display device.

【図24】第2の従来の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。
FIG. 24 is a diagram showing a configuration of a second conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A :アレイ基板 1B :対向基板 2 :液晶 3 :共通電極 4 :画素電極 5 :映像信号線 6 :走査信号線 7 :半導体スイッチ素子 8 :透明絶縁層 9A :配向膜 9B :配向膜 10a:赤色カラーフィルター材料 10b:緑色カラーフィルター材料 10c:青色カラーフィルター材料 11 :ブラックマトリックス 12 :絶縁層 w1 :共通電極の線幅 w2 :画素電極の線幅 l :共通電極と画素電極との間隙 t1:共通電極の膜厚 t2:画素電極の膜厚 t6:映像信号線若しくは走査信号線の膜厚 d:セルギャップ w1’:映像信号線直上に位置する共通電極の線幅 1A: Array substrate 1B: Counter substrate 2: Liquid crystal 3: Common electrode 4: Pixel electrode 5: Video signal line 6: Scanning signal line 7: Semiconductor switch device 8: Transparent insulating layer 9A: Alignment film 9B: Alignment film 10a: Red Color filter material 10b: Green color filter material 10c: Blue color filter material 11: Black matrix 12: Insulating layer w1: Line width of common electrode w2: Line width of pixel electrode l: Gap between common electrode and pixel electrode t1: Common Electrode thickness t2: Pixel electrode thickness t6: Video signal line or scanning signal line thickness d: Cell gap w1 ': Line width of common electrode located immediately above video signal line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願2000−23687(P2000−23687) (32)優先日 平成12年2月1日(2000.2.1) (33)優先権主張国 日本(JP) 早期審査対象出願 (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 佐谷 裕司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 木村 雅典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 浅田 智 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−258265(JP,A) 特開 平9−146125(JP,A) 特開 平11−64892(JP,A) 特開 平10−10556(JP,A) 特開 平9−61836(JP,A) 特開 平8−190104(JP,A) 特開 平7−128683(JP,A) 特開 平10−301141(JP,A) 特開 平11−119237(JP,A) 特開 平6−214244(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 G02F 1/1368 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 2000-23687 (P2000-23687) (32) Priority date February 1, 2000 (2000.2.1) (33) Priority claim country Japan (JP) Application for accelerated examination (72) Inventor Akinori Shioda 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Ichiro Sato 1006 Odakadoma Kadoma, Osaka Prefecture Incorporated (72) Inventor Yuji Saya 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Kimura 1006 Odaka, Kazuma, Kadoma, Osaka Pref. Inventor Satoshi Asada 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-9-258265 (JP, A) JP-A-9-146125 (JP, A) JP-A-11 −648 92 (JP, A) JP-A-10-10556 (JP, A) JP-A-9-61836 (JP, A) JP-A 8-190104 (JP, A) JP-A-7-128683 (JP, A) JP-A-10-301141 (JP, A) JP-A-11-119237 (JP, A) JP-A-6-214244 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】共通電極、画素電極、走査信号線、映像信
号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板
と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間
に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極
との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生さ
せて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、 前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方
の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よ
りも大きく、かつ、前記共通電極及び前記画素電極の少
なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像
信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きいこと
を特徴とする液晶表示装置。
An array substrate on which common electrodes, pixel electrodes, scanning signal lines, video signal lines, and semiconductor switching elements are formed; a counter substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the array substrate and the counter substrate. A liquid crystal display device that applies a voltage between the pixel electrode and a common electrode, generates a substantially parallel electric field on the substrate, and performs dimming driving of the liquid crystal, wherein at least the common electrode and the pixel electrode One of the line widths is larger than a gap between the common electrode and the pixel electrode, and the film thickness of at least one of the common electrode and the pixel electrode is the scanning signal line and the video signal. A liquid crystal display device having a thickness greater than at least one of the thicknesses of the lines.
【請求項2】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
も何れか一方は、透明導電層から構成されたことを特徴
とする請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of said common electrode and said pixel electrode is formed of a transparent conductive layer.
【請求項3】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
も何れか一方は、積層された少なくとも2種類の導電層
から構成され、凸形断面形状になっていることを特徴と
する請求項1記載の液晶表示装置。
3. The device according to claim 1, wherein at least one of said common electrode and said pixel electrode is composed of at least two kinds of conductive layers laminated, and has a convex cross-sectional shape. Liquid crystal display.
【請求項4】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
も何れか一方は、少なくとも2種類の異なる光学特性を
有し、それぞれ最も良好な透過率が得られる波長領域が
異なる透明導電体から構成されたことを特徴とする請求
項3記載の液晶表示装置。
4. At least one of the common electrode and the pixel electrode has at least two kinds of different optical characteristics, and each is made of a transparent conductor having a different wavelength region from which the best transmittance can be obtained. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein:
【請求項5】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
も何れか一方は、絶縁層とその表面に形成された導電層
とから構成されたことを特徴とする請求項1記載の液晶
表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of said common electrode and said pixel electrode comprises an insulating layer and a conductive layer formed on a surface thereof.
【請求項6】前記共通電極及び前記画素電極の少なくと
も何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成された透
明導電層とから構成されたことを特徴とする請求項4記
載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein at least one of said common electrode and said pixel electrode comprises a transparent insulating layer and a transparent conductive layer formed on the surface thereof. .
【請求項7】前記共通電極と前記画素電極との間の電極
間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向基板との
間の間隙よりも小さくしたことを特徴とする請求項2記
載の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein an electrode gap between said common electrode and said pixel electrode is smaller than at least a gap between said array substrate and said counter substrate. .
【請求項8】前記共通電極と前記画素電極の一部または
全部が非晶質の透明導電膜からなることを特徴とする請
求項1記載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a part or all of said common electrode and said pixel electrode are made of an amorphous transparent conductive film.
JP2001074145A 1999-06-11 2001-03-15 Liquid crystal display Expired - Fee Related JP3270762B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001074145A JP3270762B2 (en) 1999-06-11 2001-03-15 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16489199 1999-06-11
JP20010199 1999-07-14
JP30366299 1999-10-26
JP11-164891 2000-02-01
JP2000-23687 2000-02-01
JP11-200101 2000-02-01
JP11-303662 2000-02-01
JP2000023687 2000-02-01
JP2001074145A JP3270762B2 (en) 1999-06-11 2001-03-15 Liquid crystal display

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000174100A Division JP3257783B2 (en) 1999-06-11 2000-06-09 Liquid crystal display

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001307274A Division JP2002196348A (en) 1999-06-11 2001-10-03 Liquid crystal display device and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001311956A JP2001311956A (en) 2001-11-09
JP3270762B2 true JP3270762B2 (en) 2002-04-02

Family

ID=27528358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001074145A Expired - Fee Related JP3270762B2 (en) 1999-06-11 2001-03-15 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3270762B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062544A (en) 2000-08-22 2002-02-28 Nec Corp Active matrix type liquid crystal display device
JP2003228081A (en) 2002-01-31 2003-08-15 Nec Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
JP5275836B2 (en) * 2009-02-06 2013-08-28 株式会社ジャパンディスプレイウェスト Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001311956A (en) 2001-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6762816B1 (en) Liquid crystal display with special electrode configurations and compositions and method for producing the same
US8259271B2 (en) Color filter substrate and liquid crystal display panel including the same
JP2701698B2 (en) Liquid crystal display
JP5404281B2 (en) LCD panel
KR20080050851A (en) Liquid crystal display panel
US6762815B2 (en) In-plane switching LCD with a redundancy structure for an opened common electrode and a high storage capacitance
KR100731045B1 (en) Liquid crystal display device of in-plane switching and method for fabricating the same
JP2001343669A (en) Liquid crystal display device
JP3039517B2 (en) Active matrix liquid crystal display
JP3286579B2 (en) Transmissive liquid crystal display
JP3257783B2 (en) Liquid crystal display
KR20090010528A (en) Substrate for display panel and liquid crystal display panel with the same
JP3199221B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3270762B2 (en) Liquid crystal display
KR100469341B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2007271839A (en) Display element
JP2002196348A (en) Liquid crystal display device and method for producing the same
KR20050064753A (en) An array plate for lcd and the fabrication method thereof
JPH11264993A (en) Liquid crystal display device and manufacture of liquid crystal display device
JPH1048643A (en) Active matrix display device
KR20080067858A (en) Liquid crystal display
KR20050036342A (en) Vertical alignment lcd and the fabrication method thereof
JPH11258628A (en) Active matrix type liquid crystal display element and its manufacture
JP2006113481A (en) Liquid crystal display device
KR20070007646A (en) Transflective type liquid crystal display device and fabricating method for the same

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3270762

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080118

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090118

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090118

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100118

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100118

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140118

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140118

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150118

Year of fee payment: 13

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S131 Request for trust registration of transfer of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135

SZ02 Written request for trust registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02

SZ02 Written request for trust registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees