JP3268561B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JP3268561B2 JP3268561B2 JP18052293A JP18052293A JP3268561B2 JP 3268561 B2 JP3268561 B2 JP 3268561B2 JP 18052293 A JP18052293 A JP 18052293A JP 18052293 A JP18052293 A JP 18052293A JP 3268561 B2 JP3268561 B2 JP 3268561B2
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- Japan
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- quantum well
- well layer
- doped
- layer
- semiconductor device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信・光情報処理シ
ステムを構成すると期待される光交換・光中継器などに
利用可能な光論理・光スイッチ動作を行う光半導体装置
に関するものである。
ステムを構成すると期待される光交換・光中継器などに
利用可能な光論理・光スイッチ動作を行う光半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に光非線形材料として半導体量子井
戸層を用いて、高反射膜で挟んだ共振型（面型）光スイ
ッチの構造図を、図２に動作の原理図を示す。この構造
の光スイッチにおいては、制御光パルス３の照射されな
い状態では、共振器の透過スペクトルは図２の実線とな
り、信号光４は透過されない。これに対し、制御光パル
ス３が照射されると、量子井戸層１の屈折率が変化する
ため、共振ピークは点線で示したようにシフトし、その
ため、信号光４は透過するようになる。
戸層を用いて、高反射膜で挟んだ共振型（面型）光スイ
ッチの構造図を、図２に動作の原理図を示す。この構造
の光スイッチにおいては、制御光パルス３の照射されな
い状態では、共振器の透過スペクトルは図２の実線とな
り、信号光４は透過されない。これに対し、制御光パル
ス３が照射されると、量子井戸層１の屈折率が変化する
ため、共振ピークは点線で示したようにシフトし、その
ため、信号光４は透過するようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記共振器型光スイッ
チを例として説明したように、従来の光スイッチ動作機
能を有する全ての光半導体装置においては、制御光を照
射させることによりキャリアを励起し、材料の屈折率を
変化させ、光スイッチ動作が行なわれる。この時に励起
されたキャリアの寿命は、数ナノ秒と長い。そのため、
従来の光半導体装置では、制御光の照射以前の初期状態
への回復が遅くなり、高速なスイッチ動作が困難とな
る。従って、従来の光半導体装置において、高速な光ス
イッチ動作をさせるには、励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることが必要になる。
チを例として説明したように、従来の光スイッチ動作機
能を有する全ての光半導体装置においては、制御光を照
射させることによりキャリアを励起し、材料の屈折率を
変化させ、光スイッチ動作が行なわれる。この時に励起
されたキャリアの寿命は、数ナノ秒と長い。そのため、
従来の光半導体装置では、制御光の照射以前の初期状態
への回復が遅くなり、高速なスイッチ動作が困難とな
る。従って、従来の光半導体装置において、高速な光ス
イッチ動作をさせるには、励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることが必要になる。
【０００４】また、このような面型光スイッチでは、相
互作用長が導波路型に比べて極めて小さいため、大きな
消光比を得るには、屈折率を大きく変化させる必要があ
る。そのためには、強い励起光パワーが必要となるた
め、実用的な小電力光スイッチの作成が困難になる。
互作用長が導波路型に比べて極めて小さいため、大きな
消光比を得るには、屈折率を大きく変化させる必要があ
る。そのためには、強い励起光パワーが必要となるた
め、実用的な小電力光スイッチの作成が困難になる。
【０００５】これらが、本発明が解決しようとする課題
である。すなわち、本発明の課題は、制御光の照射によ
って励起されたキャリアの寿命を極めて短くすることが
でき、さらに小さな制御励起光によっても大きな消光比
を得ることのできる光半導体装置を提供することにあ
る。
である。すなわち、本発明の課題は、制御光の照射によ
って励起されたキャリアの寿命を極めて短くすることが
でき、さらに小さな制御励起光によっても大きな消光比
を得ることのできる光半導体装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記光半導体
における課題を解決するために、光非線形材料として、
通常の成長温度より低い温度である１５０℃〜４００℃
で成長させるとともにｐ型アクセプタをドープし、成長
後にアニール処理を施したＩｎＧａＡｓ量子井戸層を、
用いることを特徴とする。さらに、小さな励起光に対し
大きな消光比を得るために、前記量子井戸層をｎ型とｐ
型の半導体ＤＢＲミラーで挟むｐ−ｉ−ｎ構造を採用し
たことを特徴とする。
における課題を解決するために、光非線形材料として、
通常の成長温度より低い温度である１５０℃〜４００℃
で成長させるとともにｐ型アクセプタをドープし、成長
後にアニール処理を施したＩｎＧａＡｓ量子井戸層を、
用いることを特徴とする。さらに、小さな励起光に対し
大きな消光比を得るために、前記量子井戸層をｎ型とｐ
型の半導体ＤＢＲミラーで挟むｐ−ｉ−ｎ構造を採用し
たことを特徴とする。
【０００７】
【作用】周知のように、ガスソース分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）装置では、量子井戸層の成長を５００℃程度
で行なっている。このとき、励起されたキャリアは、発
光再結合過程が支配的となるため、得られた光半導体装
置は、レーザ等の発光デバイスへの応用に極めて有用で
ある。しかし、その反面、発光再結合過程によるキャリ
ア寿命は、極めて長く、数〜数十ナノ秒であるため、こ
の光半導体装置では、初期状態への回復が遅くなり、高
速スイッチの作成が困難である。
（ＭＢＥ）装置では、量子井戸層の成長を５００℃程度
で行なっている。このとき、励起されたキャリアは、発
光再結合過程が支配的となるため、得られた光半導体装
置は、レーザ等の発光デバイスへの応用に極めて有用で
ある。しかし、その反面、発光再結合過程によるキャリ
ア寿命は、極めて長く、数〜数十ナノ秒であるため、こ
の光半導体装置では、初期状態への回復が遅くなり、高
速スイッチの作成が困難である。
【０００８】これに対し、本発明でのように、ＩｎＧａ
Ａｓ量子井戸層を、成長温度を下げて、１５０℃〜４０
０℃で成長を行うと、深い準位に再結合中心が形成され
ると考えられ、そのためキャリアの寿命は１００ピコ秒
程度まで高速化される。この量子井戸層の成長を１５０
℃未満で行なうと、励起子による吸収の波長変化が生じ
ないと思われる。そのため、成長温度として利用し難
い。また、成長温度が４００℃を越えると、キャリア寿
命が長くなり始めるため、４００℃を越える成長温度も
利用できない。また、成長中にｐ型ドーパントまたはＢ
ｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒程度まで低減
することが可能となる。また、成長後の量子井戸層を５
００℃程度の温度でアニール処理を施すと、ドープされ
たアクセプタが活性化し、低温成長中に発生したキャリ
アを補償するため、極めて高抵抗な量子井戸層とするこ
とができる。よって、この量子井戸層を上記光スイッチ
の光非線形材料として用いれば、極めて高速な全光型光
スイッチの作成が可能となる。
Ａｓ量子井戸層を、成長温度を下げて、１５０℃〜４０
０℃で成長を行うと、深い準位に再結合中心が形成され
ると考えられ、そのためキャリアの寿命は１００ピコ秒
程度まで高速化される。この量子井戸層の成長を１５０
℃未満で行なうと、励起子による吸収の波長変化が生じ
ないと思われる。そのため、成長温度として利用し難
い。また、成長温度が４００℃を越えると、キャリア寿
命が長くなり始めるため、４００℃を越える成長温度も
利用できない。また、成長中にｐ型ドーパントまたはＢ
ｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒程度まで低減
することが可能となる。また、成長後の量子井戸層を５
００℃程度の温度でアニール処理を施すと、ドープされ
たアクセプタが活性化し、低温成長中に発生したキャリ
アを補償するため、極めて高抵抗な量子井戸層とするこ
とができる。よって、この量子井戸層を上記光スイッチ
の光非線形材料として用いれば、極めて高速な全光型光
スイッチの作成が可能となる。
【０００９】また、ｉ層である上記量子井戸層をｐ型と
ｎ型の半導体ＤＢＲミラーで挟み、ｐ−ｉ−ｎ構造を構
成し、これに逆バイアスをかけると、量子閉じ込めシュ
タルク効果により吸収端は、図３に示した（ａ）の吸収
波形から（ｂ）の吸収波形へと長波長側へシフトする。
そこへ制御励起光パルスを照射してキャリアを励起する
と、吸収飽和が生じる。そのため、信号光の吸収は減少
し（ｃ）、クラマースークローニッヒ変換に対応した屈
折率の変化が生じる。さらに、励起された自由電子およ
び正孔は、印加された電界により分離するため、内部電
界が発生して外部電界をスクリーニングする。そのた
め、量子閉じ込めシュタルク効果が減少し、図３の
（ｄ）の波形に示すように吸収端は短波長側に戻り、信
号光波長での吸収が大幅に減少すると同時に、屈折率も
大きく変化する。このように、制御励起光パルスを照射
すると、吸収飽和と量子閉じ込めシュタクル効果によ
り、信号光の吸収が大幅に減少すると同時に、大きな屈
折率変化が得られるため、共振器の共振ピークが大きく
シフトし、その結果として、大きな消光比が得られる。
ｎ型の半導体ＤＢＲミラーで挟み、ｐ−ｉ−ｎ構造を構
成し、これに逆バイアスをかけると、量子閉じ込めシュ
タルク効果により吸収端は、図３に示した（ａ）の吸収
波形から（ｂ）の吸収波形へと長波長側へシフトする。
そこへ制御励起光パルスを照射してキャリアを励起する
と、吸収飽和が生じる。そのため、信号光の吸収は減少
し（ｃ）、クラマースークローニッヒ変換に対応した屈
折率の変化が生じる。さらに、励起された自由電子およ
び正孔は、印加された電界により分離するため、内部電
界が発生して外部電界をスクリーニングする。そのた
め、量子閉じ込めシュタルク効果が減少し、図３の
（ｄ）の波形に示すように吸収端は短波長側に戻り、信
号光波長での吸収が大幅に減少すると同時に、屈折率も
大きく変化する。このように、制御励起光パルスを照射
すると、吸収飽和と量子閉じ込めシュタクル効果によ
り、信号光の吸収が大幅に減少すると同時に、大きな屈
折率変化が得られるため、共振器の共振ピークが大きく
シフトし、その結果として、大きな消光比が得られる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】（実施例１）本発明において目的とする光
半導体装置に好適に用いることのできる量子井戸層をガ
スソース分子線エピタキシー法により成長させた。用い
た装置は、周知の分子線エピタキシー装置であり、下記
の成長条件にて行なった。なお、アクセプタとしては、
Ｂｅをドープした。
半導体装置に好適に用いることのできる量子井戸層をガ
スソース分子線エピタキシー法により成長させた。用い
た装置は、周知の分子線エピタキシー装置であり、下記
の成長条件にて行なった。なお、アクセプタとしては、
Ｂｅをドープした。
【００１２】 (i) III 族ソース ： Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ（メタ
ル） (ii) Ｖ族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２ｃｃ
ｍ） (iii) 成長中の真空度 ： １. ３×１０-5Ｔｏｒｒ (iv) 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ (v) 成長速度 ： ２. ６μｍ／ｈ (vi) 成長温度 ： ２００℃ 前記のようにして、ガスソース分子線エピタキシー装置
により２００℃で成長され、アクセプタとしてＢｅをド
ープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層の透過
率変化を、ポンプ・プローブ法により測定した例を、図
４に示す。この吸収回復時間は、キャリアの緩和時間を
反映しており、量子井戸層は数ピコ秒で初期状態へ回復
することを意味している。
ル） (ii) Ｖ族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２ｃｃ
ｍ） (iii) 成長中の真空度 ： １. ３×１０-5Ｔｏｒｒ (iv) 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ (v) 成長速度 ： ２. ６μｍ／ｈ (vi) 成長温度 ： ２００℃ 前記のようにして、ガスソース分子線エピタキシー装置
により２００℃で成長され、アクセプタとしてＢｅをド
ープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層の透過
率変化を、ポンプ・プローブ法により測定した例を、図
４に示す。この吸収回復時間は、キャリアの緩和時間を
反映しており、量子井戸層は数ピコ秒で初期状態へ回復
することを意味している。
【００１３】前記と同様の条件で、成長温度のみを１５
０℃，２００℃，３００℃，４００℃，６００℃と変化
させ、量子井戸層を成長させた。各温度により成長させ
た量子井戸層のキャリア寿命を測定したところ、図５の
結果が得られた。図から明らかなように、成長温度が４
００℃を越えると、キャリア寿命が長くなり始めるの
で、成長温度は４００℃以下が好ましい。また、１５０
℃近傍では、キャリア寿命の値に問題はないが、１５０
℃未満になると、励起子による吸収の波長変化が生じな
くなる可能性が大きいので、１５０℃未満での成長は避
けるべきである。
０℃，２００℃，３００℃，４００℃，６００℃と変化
させ、量子井戸層を成長させた。各温度により成長させ
た量子井戸層のキャリア寿命を測定したところ、図５の
結果が得られた。図から明らかなように、成長温度が４
００℃を越えると、キャリア寿命が長くなり始めるの
で、成長温度は４００℃以下が好ましい。また、１５０
℃近傍では、キャリア寿命の値に問題はないが、１５０
℃未満になると、励起子による吸収の波長変化が生じな
くなる可能性が大きいので、１５０℃未満での成長は避
けるべきである。
【００１４】次に、Ｂｅドープ量の変化が、キャリア寿
命に及ぼす影響について調べるために、前記と同様の条
件で、Ｂｅドープ量のみをドープ量０ｃｍ-3から約８ｃ
ｍ-3まで４通りに変化させて量子井戸層を成長させ、そ
れぞれのキャリア寿命を測定した。その結果を図６に示
す。なお、比較のために、成長温度５００℃において成
長させた量子井戸層のドープ量変化に対するキャリア寿
命の変化も図６に合わせて示した。図から明らかなよう
に、２００℃での成長では、Ｂｅをドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
命に及ぼす影響について調べるために、前記と同様の条
件で、Ｂｅドープ量のみをドープ量０ｃｍ-3から約８ｃ
ｍ-3まで４通りに変化させて量子井戸層を成長させ、そ
れぞれのキャリア寿命を測定した。その結果を図６に示
す。なお、比較のために、成長温度５００℃において成
長させた量子井戸層のドープ量変化に対するキャリア寿
命の変化も図６に合わせて示した。図から明らかなよう
に、２００℃での成長では、Ｂｅをドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
【００１５】これに対し、図７に、ｉ層として通常の成
長温度で作成したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸
層を用いて、逆バイアスを印加したｐ−ｉ−ｎ構造での
透過率変化の測定例を、示す。前記したように、吸収飽
和と量子閉じ込めシュタルク効果により吸収が大幅に減
少しているのがわかる。しかし、従来の量子井戸層で
は、キャリアの寿命が長いため初期状態への回復は極め
て遅い。
長温度で作成したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸
層を用いて、逆バイアスを印加したｐ−ｉ−ｎ構造での
透過率変化の測定例を、示す。前記したように、吸収飽
和と量子閉じ込めシュタルク効果により吸収が大幅に減
少しているのがわかる。しかし、従来の量子井戸層で
は、キャリアの寿命が長いため初期状態への回復は極め
て遅い。
【００１６】（実施例２）前記と同様にして構成するＢ
ｅドープ低温成長量子井戸層を、光導波路として、図８
に示す構造の面型光スイッチを形成した。この光スイッ
チは、図に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、Ｓｉ
をドープしたｎ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＤＢＲの反射
ミラー層１１が成長されており、その上に、前記した２
００℃でＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
量子井戸層１２が作成されている。この量子井戸層１２
は、５００℃でアニール処理が施されている。このよう
にアニール処理を行うと、極めて高抵抗な量子井戸層が
得られる。この量子井戸層１２の上には、さらに、Ｂｅ
をドープしたｐ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ ＤＢＲ反射
ミラー層１３が成長され、この上には、コンタクト層と
してＢｅをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層１４が形成
されている。また、表面側にはＡｕＺｎＮｉ／Ａｕを用
いて電極１５が形成され、基板側にはＡｕＧｅＮｉ／Ａ
ｕを用いて電極１６が形成されている。
ｅドープ低温成長量子井戸層を、光導波路として、図８
に示す構造の面型光スイッチを形成した。この光スイッ
チは、図に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、Ｓｉ
をドープしたｎ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＤＢＲの反射
ミラー層１１が成長されており、その上に、前記した２
００℃でＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
量子井戸層１２が作成されている。この量子井戸層１２
は、５００℃でアニール処理が施されている。このよう
にアニール処理を行うと、極めて高抵抗な量子井戸層が
得られる。この量子井戸層１２の上には、さらに、Ｂｅ
をドープしたｐ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ ＤＢＲ反射
ミラー層１３が成長され、この上には、コンタクト層と
してＢｅをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層１４が形成
されている。また、表面側にはＡｕＺｎＮｉ／Ａｕを用
いて電極１５が形成され、基板側にはＡｕＧｅＮｉ／Ａ
ｕを用いて電極１６が形成されている。
【００１７】この素子に逆バイアスを印加した状態にお
いて、制御励起光の波長には吸収の大きな波長を選び、
信号光波長としては吸収端に少し吸収のある波長を選択
する。さらに、共振器での共振ピークは、信号光波長よ
り少し長波長側になるように作成する。
いて、制御励起光の波長には吸収の大きな波長を選び、
信号光波長としては吸収端に少し吸収のある波長を選択
する。さらに、共振器での共振ピークは、信号光波長よ
り少し長波長側になるように作成する。
【００１８】この素子に制御励起光パルスが照射されな
いときは、量子井戸層に吸収が存在する上、共振器の共
振ピークから信号光波長がずれているため、出力光はほ
とんど得られない。
いときは、量子井戸層に吸収が存在する上、共振器の共
振ピークから信号光波長がずれているため、出力光はほ
とんど得られない。
【００１９】ところが、制御励起光パルスが照射される
と、前記したように吸収が減少し、屈折率変化による共
振ピークのシフトによって透過率が大幅に増大し、その
ため、出力光が得られるようになる。また、上記したよ
うに、Ｂｅドープ低温成長量子井戸層を用いると、従来
デバイスより３桁程度高速な光スイッチを作成すること
が可能となる。
と、前記したように吸収が減少し、屈折率変化による共
振ピークのシフトによって透過率が大幅に増大し、その
ため、出力光が得られるようになる。また、上記したよ
うに、Ｂｅドープ低温成長量子井戸層を用いると、従来
デバイスより３桁程度高速な光スイッチを作成すること
が可能となる。
【００２０】なお、結晶の材料として、ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓ系について述べてきたが、ＩｎＧａＡｓ／
Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ系，ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪超
格子系，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子系にお
いても同様の効果が実現できることは言うまでもない。
ＩｎＡｌＡｓ系について述べてきたが、ＩｎＧａＡｓ／
Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ系，ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪超
格子系，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子系にお
いても同様の効果が実現できることは言うまでもない。
【００２１】また、上記実施例では、ガスソース分子線
エピタキシー法により製造を行なったが、本発明は、通
常の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろん
である。
エピタキシー法により製造を行なったが、本発明は、通
常の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろん
である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
装置は、光非線形材料として、非線形性が大きく、極め
て高速に緩和するＰ型元素またはＢｅをドープした低温
成長ＩｎＧａＡｓ量子井戸層を用いて構成したものなの
で、制御励起パルスにより励起されたキャリアは、高速
に消滅し、それに従って、素早く初期状態へ緩和し、高
速な光スイッチが可能となる。さらに、本発明の素子
は、量子閉じ込めシュタルク効果の利用により、弱い励
起光で大きな消光比を得ることができる。
装置は、光非線形材料として、非線形性が大きく、極め
て高速に緩和するＰ型元素またはＢｅをドープした低温
成長ＩｎＧａＡｓ量子井戸層を用いて構成したものなの
で、制御励起パルスにより励起されたキャリアは、高速
に消滅し、それに従って、素早く初期状態へ緩和し、高
速な光スイッチが可能となる。さらに、本発明の素子
は、量子閉じ込めシュタルク効果の利用により、弱い励
起光で大きな消光比を得ることができる。
【図１】従来の共振型光スイッチの構成図である。
【図２】従来の共振型光スイッチの原理を説明するグラ
フである。
フである。
【図３】吸収スペクトルの変化の説明図である。
【図４】本発明の実施例を説明するためのもので、ポン
プ・プローブ法によるＢｅドープ低温成長量子井戸層の
可飽和吸収回復時間の測定結果を示すグラフである。
プ・プローブ法によるＢｅドープ低温成長量子井戸層の
可飽和吸収回復時間の測定結果を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例を説明するためのもので、本発
明方法により構成した光半導体装置における量子井戸層
の成長温度とその励起キャリアとの関係を示すグラフで
ある。
明方法により構成した光半導体装置における量子井戸層
の成長温度とその励起キャリアとの関係を示すグラフで
ある。
【図６】本発明を説明するためのもので、量子井戸層へ
のＢｅドープ量と量子井戸層の励起後の初期状態への緩
和時間（キャリア寿命）との関係を示すグラフである。
のＢｅドープ量と量子井戸層の励起後の初期状態への緩
和時間（キャリア寿命）との関係を示すグラフである。
【図７】ｐ−ｉ−ｎ構造の面型光スイッチにおいてｉ層
として従来の量子井戸層を用いたものの吸収回復時間を
測定した結果を示すグラフである。
として従来の量子井戸層を用いたものの吸収回復時間を
測定した結果を示すグラフである。
【図８】本発明にかかる光半導体素子の一実施例を示す
断面構成図である。
断面構成図である。
【符号の説明】 １０ ｎ型ＩｎＰ基板 １１ ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ：Ｓｉ ＤＢＲミラー層 １２ 低温成長ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ：Ｂｅ Ｍ
ＱＷ層 １３ ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ：Ｂｅ ＤＢＲミラー層 １４ ＩｎＧａＡｓＰ：Ｂｅ １５ ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極 １６ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極
ＱＷ層 １３ ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ：Ｂｅ ＤＢＲミラー層 １４ ＩｎＧａＡｓＰ：Ｂｅ １５ ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極 １６ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩村 英俊 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−67118（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−503576（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開541304（ＥＰ，Ａ １) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏ ｌ．59，Ｎｏ．12，（1991）ｐ．ｐ. 1491−1493 Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ ｌ．17，Ｎｏ．７，（1992）ｐ．ｐ. 5005−507 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏ ｌ．50，Ｎｏ．17（1987），ｐ．ｐ. 1119−1121 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/35 G02F 1/017 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型ＩｎＰ基板上に、ＳｉドープＩｎＰ
／ＩｎＧａＡｓＰＤＢＲミラー層が形成され、 前記ＳｉドープＤＢＲミラー層上に、ドーパントとして
ｐ型元素またはＢｅが添加されたＩｎＧａＡｓ低温度成
長量子井戸層が形成され、 前記量子井戸層上に、ＢｅドープＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ ＤＢＲミラー層が形成され、 前記ＢｅドープＤＢＲミラー層上に、ＢｅドープＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層が形成されてなり、 前記低温度成長量子井戸層が、１５０℃〜４００℃で成
長されたものであることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記低温度成長量子井戸層は、成長後に
アニール処理されていることを特徴とする請求項１に記
載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18052293A JP3268561B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18052293A JP3268561B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736065A JPH0736065A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3268561B2 true JP3268561B2 (ja) | 2002-03-25 |
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ID=16084741
Family Applications (1)
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| JP18052293A Expired - Fee Related JP3268561B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置 |
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1114658A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量式加速度センサ |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP18052293A patent/JP3268561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５０，Ｎｏ．１７（１９８７），ｐ．ｐ．１１１９−１１２１ |
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．１２，（１９９１）ｐ．ｐ．１４９１−１４９３ |
| Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．７，（１９９２）ｐ．ｐ．５００５−５０７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0736065A (ja) | 1995-02-07 |
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