JP3267370B2 - 単分子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法 - Google Patents
単分子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所謂、ラングミュア−
ブロジェット膜（以下、ＬＢ膜と略称）と呼ばれる単分
子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法に関す
る。
ブロジェット膜（以下、ＬＢ膜と略称）と呼ばれる単分
子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】水面上に展開した単分子膜を一定の表面
圧下にし、清浄なガラス板や金属板を膜面に対し上下す
ることにより上記一定表面圧下にある水面上の単分子膜
を移し取り、単分子累積膜を形成するＬＢ膜製造装置に
於ては、水面上の単分子膜を２次元的に圧縮又は膨張さ
せる手段が不可欠である。そのような手段としては、従
来、次のような２つの方法（G.G.Roberts編 Langmuir-B
lodgett Films,PlenumPress,New York 1990 p100-105参
照）が主として用いられてきた。
圧下にし、清浄なガラス板や金属板を膜面に対し上下す
ることにより上記一定表面圧下にある水面上の単分子膜
を移し取り、単分子累積膜を形成するＬＢ膜製造装置に
於ては、水面上の単分子膜を２次元的に圧縮又は膨張さ
せる手段が不可欠である。そのような手段としては、従
来、次のような２つの方法（G.G.Roberts編 Langmuir-B
lodgett Films,PlenumPress,New York 1990 p100-105参
照）が主として用いられてきた。
【０００３】第１の方法は図１にその構成を示す如く、
水槽１の上端一杯にまで水相２を満たし、１又は複数個
の仕切り棒３を用いて水相表面１１を仕切り、前記仕切
り棒３を水槽の上端に沿って滑らせ水相表面上の単分子
膜４の表面圧を変化せしめるものである。
水槽１の上端一杯にまで水相２を満たし、１又は複数個
の仕切り棒３を用いて水相表面１１を仕切り、前記仕切
り棒３を水槽の上端に沿って滑らせ水相表面上の単分子
膜４の表面圧を変化せしめるものである。
【０００４】第２の方法は図２にその構成を示す如く、
水槽１内の水相表面１１の適当な領域を仕切り帯６で囲
み、前記仕切り帯で囲まれた領域の形状を変化させるこ
とによって該領域の面積を変化させ、領域内の水相表面
上に形成させた単分子膜４の表面圧を変化させるもので
ある。
水槽１内の水相表面１１の適当な領域を仕切り帯６で囲
み、前記仕切り帯で囲まれた領域の形状を変化させるこ
とによって該領域の面積を変化させ、領域内の水相表面
上に形成させた単分子膜４の表面圧を変化させるもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては次のような問題があった。
来技術においては次のような問題があった。
【０００６】まず、上記第１の方法は最も簡単な方法で
あるが、仕切り棒３を水槽の上端に沿って移動させる際
に、仕切り棒３と水槽上端との間隙５から単分子膜４が
逃げ出したり、或いは表面圧の増加に伴う表面張力の変
化によって単分子膜４が展開している水相表面が隆起
し、単分子膜形成分子が水槽上端より外側に溢れてしま
う問題点があった。
あるが、仕切り棒３を水槽の上端に沿って移動させる際
に、仕切り棒３と水槽上端との間隙５から単分子膜４が
逃げ出したり、或いは表面圧の増加に伴う表面張力の変
化によって単分子膜４が展開している水相表面が隆起
し、単分子膜形成分子が水槽上端より外側に溢れてしま
う問題点があった。
【０００７】一方、第２の方法は、単分子膜形成分子の
水槽外への損失を大幅に減少できる。この方法に於いて
は、仕切り帯６を一定の形状に保持するために、或いは
仕切り帯６に囲まれた領域の面積を精密に変化させるた
めに、図２に示す如く複数個の支持体７を水槽１内に設
けるものである。この支持体７の内の１部の位置を変化
させることにより、仕切り帯６に囲まれた領域の面積を
変えることができ、その結果係る領域内に存在する水相
表面上の単分子膜４の表面圧を変化させることができ
る。支持体７の位置を変化させるには、例えば支持体７
を適当な支持アーム８に取付け、係る支持アーム８を介
して水相表面と平行な面内方向に移動できる移動アーム
２１に取り付ける。該移動アーム２１の移動はステッピ
ングモーターやＤＣモーターを利用した水平移動機構２
２によってなされる。しかしながら、この際、上記仕切
り帯６が支持体７上を摺動するために、係る支持体７の
近傍に於て単分子膜４の一部が崩壊し、この崩壊成分を
取り込んでＬＢ膜が形成されるため、結果として完成し
たＬＢ膜の膜質が低下する問題点があった。図３はＬＢ
膜製造装置の支持体７近傍の拡大図であるが、水相表面
１１上に単分子膜を形成する膜材料が仕切り帯６と支持
体７との間隙に入り込み、装置の清掃時に於て膜材料を
完全に除去するために多大な時間と労力を要するという
問題点もあった。
水槽外への損失を大幅に減少できる。この方法に於いて
は、仕切り帯６を一定の形状に保持するために、或いは
仕切り帯６に囲まれた領域の面積を精密に変化させるた
めに、図２に示す如く複数個の支持体７を水槽１内に設
けるものである。この支持体７の内の１部の位置を変化
させることにより、仕切り帯６に囲まれた領域の面積を
変えることができ、その結果係る領域内に存在する水相
表面上の単分子膜４の表面圧を変化させることができ
る。支持体７の位置を変化させるには、例えば支持体７
を適当な支持アーム８に取付け、係る支持アーム８を介
して水相表面と平行な面内方向に移動できる移動アーム
２１に取り付ける。該移動アーム２１の移動はステッピ
ングモーターやＤＣモーターを利用した水平移動機構２
２によってなされる。しかしながら、この際、上記仕切
り帯６が支持体７上を摺動するために、係る支持体７の
近傍に於て単分子膜４の一部が崩壊し、この崩壊成分を
取り込んでＬＢ膜が形成されるため、結果として完成し
たＬＢ膜の膜質が低下する問題点があった。図３はＬＢ
膜製造装置の支持体７近傍の拡大図であるが、水相表面
１１上に単分子膜を形成する膜材料が仕切り帯６と支持
体７との間隙に入り込み、装置の清掃時に於て膜材料を
完全に除去するために多大な時間と労力を要するという
問題点もあった。
【０００８】本発明の目的は、上記従来の問題点を解決
し、欠陥のない均一な単分子膜又は単分子累積膜の成膜
を可能とする製造装置、及び製造方法を提供することに
ある。
し、欠陥のない均一な単分子膜又は単分子累積膜の成膜
を可能とする製造装置、及び製造方法を提供することに
ある。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の発明は、その表面に単分子膜を展開させる液体
を収容する槽と、前記槽内において前記単分子膜の展開
領域を規制する仕切り帯と、前記仕切り帯を前記槽内に
保持する複数の支持体とを有し、前記展開領域におい
て、前記支持体を前記液体表面と交差することのない位
置に配設したことを特徴とする単分子又は単分子累積膜
の製造装置である。より明確に第１の発明を記載する
と、その表面に単分子膜を展開させる液体を収容する槽
と、前記槽内において前記単分子膜の展開領域を規制す
る仕切り帯と、前記仕切り帯を前記槽内に保持するよう
に前記仕切り帯が架設された複数の支持体とを有する製
造装置において、前記仕切り帯がエンドレスベルト状で
あること、前記仕切り帯がで囲まれた内側の領域が展開
領域となるように前記複数の支持体が仕切り帯で囲まれ
た内側に設けられていること、これら支持体の一部を水
平に移動させることによって展開領域の面積を変化させ
る移動機構を有すること、および前記支持体を前記液体
の表面と交差することのない位置に配設したことを特徴
とする単分子又は単分子累積膜の製造装置である。第２
の発明は、前記第１の発明の製造装置を用いて、液体表
面に展開した単分子膜を基板に移しとることを特徴とす
る単分子膜又は単分子累積膜の製造方法であり、また、
前記第１の発明の製造装置を用いて、前記仕切り帯によ
り展開領域を規制した単分子膜の一部を基板に移しとる
ことを特徴とする単分子膜又は単分子累積膜の製造方法
である。より明確に第２の発明を記載すると、前記第１
の発明の製造装置を用い、前記移動機構で展開領域の面
積を変化させることによって液体表面に展開した単分子
膜を２次元的に圧縮又は膨張させ、この単分子膜の一部
を基板に移しとることを特徴とする単分子膜又は単分子
累積膜の製造方法である。
の第１の発明は、その表面に単分子膜を展開させる液体
を収容する槽と、前記槽内において前記単分子膜の展開
領域を規制する仕切り帯と、前記仕切り帯を前記槽内に
保持する複数の支持体とを有し、前記展開領域におい
て、前記支持体を前記液体表面と交差することのない位
置に配設したことを特徴とする単分子又は単分子累積膜
の製造装置である。より明確に第１の発明を記載する
と、その表面に単分子膜を展開させる液体を収容する槽
と、前記槽内において前記単分子膜の展開領域を規制す
る仕切り帯と、前記仕切り帯を前記槽内に保持するよう
に前記仕切り帯が架設された複数の支持体とを有する製
造装置において、前記仕切り帯がエンドレスベルト状で
あること、前記仕切り帯がで囲まれた内側の領域が展開
領域となるように前記複数の支持体が仕切り帯で囲まれ
た内側に設けられていること、これら支持体の一部を水
平に移動させることによって展開領域の面積を変化させ
る移動機構を有すること、および前記支持体を前記液体
の表面と交差することのない位置に配設したことを特徴
とする単分子又は単分子累積膜の製造装置である。第２
の発明は、前記第１の発明の製造装置を用いて、液体表
面に展開した単分子膜を基板に移しとることを特徴とす
る単分子膜又は単分子累積膜の製造方法であり、また、
前記第１の発明の製造装置を用いて、前記仕切り帯によ
り展開領域を規制した単分子膜の一部を基板に移しとる
ことを特徴とする単分子膜又は単分子累積膜の製造方法
である。より明確に第２の発明を記載すると、前記第１
の発明の製造装置を用い、前記移動機構で展開領域の面
積を変化させることによって液体表面に展開した単分子
膜を２次元的に圧縮又は膨張させ、この単分子膜の一部
を基板に移しとることを特徴とする単分子膜又は単分子
累積膜の製造方法である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【００１０】図４は本発明のＬＢ膜製造装置の１構成例
を示す模式図であり、(Ａ)は上方から見た平面図、(Ｂ)
は側断面図である。図４に示す如く、本発明のＬＢ膜製
造装置は水槽１内の水相２と、水相表面 11 の適当な領
域を囲む仕切り帯６と、仕切り帯６を保持し、係る仕切
り帯６で囲まれた前記領域の面積を保存、変化させうる
支持体７より構成される。本発明装置に於ては、仕切り
帯６で囲まれた前記領域内の水相表面 11 上に単分子膜
４を形成するものである。仕切り帯６で囲まれる前記領
域を変化させるためには、どのような方法を用いても構
わないが、先述のように移動アーム 21 及び水平移動機
構 22 を用いることが可能である。図５は本発明装置の
支持体７の構成を説明する模式図である。支持体７は上
記の条件を満たすものであればその形態は如何様にも構
成することができるものであるが、特に好ましい構成を
図５に示す。即ち、支持体７は仕切り帯６を保持する支
柱９と、支柱９を保持する支持アーム８及び仕切り帯６
が支柱９に対して縦方向にずれないように仕切り帯６の
上下を固定する支柱上の段差 10 よりなる。この時、支
柱９は水相表面 11 を挟んで上下に分断されており、上
下支柱間の間隔は 0.5〜２cｍが適当である。又、支柱
９を適切な位置に保持又は移動させるために支持アーム
８は移動アーム 21 により保持され、更に、係る移動ア
ーム 21 は水平移動機構 22 によって駆動される。尚、
前記上下支柱間の隙間に水相表面が位置するように支持
体７を設置する必要があることはいうまでもない。
を示す模式図であり、(Ａ)は上方から見た平面図、(Ｂ)
は側断面図である。図４に示す如く、本発明のＬＢ膜製
造装置は水槽１内の水相２と、水相表面 11 の適当な領
域を囲む仕切り帯６と、仕切り帯６を保持し、係る仕切
り帯６で囲まれた前記領域の面積を保存、変化させうる
支持体７より構成される。本発明装置に於ては、仕切り
帯６で囲まれた前記領域内の水相表面 11 上に単分子膜
４を形成するものである。仕切り帯６で囲まれる前記領
域を変化させるためには、どのような方法を用いても構
わないが、先述のように移動アーム 21 及び水平移動機
構 22 を用いることが可能である。図５は本発明装置の
支持体７の構成を説明する模式図である。支持体７は上
記の条件を満たすものであればその形態は如何様にも構
成することができるものであるが、特に好ましい構成を
図５に示す。即ち、支持体７は仕切り帯６を保持する支
柱９と、支柱９を保持する支持アーム８及び仕切り帯６
が支柱９に対して縦方向にずれないように仕切り帯６の
上下を固定する支柱上の段差 10 よりなる。この時、支
柱９は水相表面 11 を挟んで上下に分断されており、上
下支柱間の間隔は 0.5〜２cｍが適当である。又、支柱
９を適切な位置に保持又は移動させるために支持アーム
８は移動アーム 21 により保持され、更に、係る移動ア
ーム 21 は水平移動機構 22 によって駆動される。尚、
前記上下支柱間の隙間に水相表面が位置するように支持
体７を設置する必要があることはいうまでもない。
【００１１】本発明装置に適用できる水相としては、純
水の他、カルシウム、カドミウム、マンガン、リチウ
ム、バリウム等の各種イオンを含む水溶液等がある。
水の他、カルシウム、カドミウム、マンガン、リチウ
ム、バリウム等の各種イオンを含む水溶液等がある。
【００１２】単分子膜を形成する材料としては特に限定
はなく、任意の単分子膜を製造することができる。
はなく、任意の単分子膜を製造することができる。
【００１３】水槽としては、従来のＬＢ膜製造装置に使
用されてきたものでよく、その材料、形状、大きさ等特
に限定されるものではない。
用されてきたものでよく、その材料、形状、大きさ等特
に限定されるものではない。
【００１４】仕切り帯は、支持体によって移動及び固定
されるものであるから、支柱との密着性が重要であり、
少なくとも支柱と接する部分に於ては柔軟性と腰の強さ
が要求される。従って、仕切り帯を構成する材料として
はテフロンコートを施したガラス繊維等が好ましい。更
に、支柱と接しない部分に於ては上記要件を満たしてい
ない素材、例えば、板等の硬質の材料を用いてもよい。
この他、仕切り帯自身が伸縮性を有するものであっても
構わない。
されるものであるから、支柱との密着性が重要であり、
少なくとも支柱と接する部分に於ては柔軟性と腰の強さ
が要求される。従って、仕切り帯を構成する材料として
はテフロンコートを施したガラス繊維等が好ましい。更
に、支柱と接しない部分に於ては上記要件を満たしてい
ない素材、例えば、板等の硬質の材料を用いてもよい。
この他、仕切り帯自身が伸縮性を有するものであっても
構わない。
【００１５】仕切り帯はＬＢ膜製造時には閉じた形状に
なっていることが必要である。又、大きさとしては支柱
によりその形状及び位置を保持でき、且つ、仕切り帯の
支柱に接している部分を除くいずれかの位置で水相表面
と交わることができる幅であれば特に限定はしない。
尚、仕切り帯の長さは水槽の大きさとの関係で適宜決定
する。
なっていることが必要である。又、大きさとしては支柱
によりその形状及び位置を保持でき、且つ、仕切り帯の
支柱に接している部分を除くいずれかの位置で水相表面
と交わることができる幅であれば特に限定はしない。
尚、仕切り帯の長さは水槽の大きさとの関係で適宜決定
する。
【００１６】支持体を構成する材料としては、水相中へ
の不純物の拡散を最小限に抑える観点から、ステンレ
ス、テフロン、ポリプロピレン等が特に好ましい。上記
支持体に於ては支持アーム、支柱、段差は同一の材料で
あっても、それぞれ異なる材料であってもよい。
の不純物の拡散を最小限に抑える観点から、ステンレ
ス、テフロン、ポリプロピレン等が特に好ましい。上記
支持体に於ては支持アーム、支柱、段差は同一の材料で
あっても、それぞれ異なる材料であってもよい。
【００１７】支柱は仕切り帯を保持できるものであれば
良く、その形状は円筒状、角柱状など特に限定はない。
しかし、摺動時における仕切り帯との摩擦を低減せしめ
る観点（係る摩擦力によって振動が発生し、水相表面上
の単分子膜４の構造に影響を与える恐れがある）から円
筒の利用が好ましい。大きさとしては、例えば、円筒状
の場合、径０．５〜１．５ｃｍ、高さ１〜３ｃｍとする
ことが好ましい。又、支柱上に設ける段差は上下段差の
間隔が仕切り帯幅より広くなるように支柱上の適当な位
置に設け、その高さは１〜３ｍｍとすることが好まし
い。
良く、その形状は円筒状、角柱状など特に限定はない。
しかし、摺動時における仕切り帯との摩擦を低減せしめ
る観点（係る摩擦力によって振動が発生し、水相表面上
の単分子膜４の構造に影響を与える恐れがある）から円
筒の利用が好ましい。大きさとしては、例えば、円筒状
の場合、径０．５〜１．５ｃｍ、高さ１〜３ｃｍとする
ことが好ましい。又、支柱上に設ける段差は上下段差の
間隔が仕切り帯幅より広くなるように支柱上の適当な位
置に設け、その高さは１〜３ｍｍとすることが好まし
い。
【００１８】以下、上記ＬＢ膜製造装置を用いてＬＢ膜
を試作した結果を示す。但し、この時、ステンレス製の
支持アーム８の上下に、直径１ｃｍ、高さ２ｃｍのテフ
ロン製の支柱を設け、更に、前述のように１ｍｍの段差
を設けた。
を試作した結果を示す。但し、この時、ステンレス製の
支持アーム８の上下に、直径１ｃｍ、高さ２ｃｍのテフ
ロン製の支柱を設け、更に、前述のように１ｍｍの段差
を設けた。
【００１９】まず、膜材料として、２２−トリコセン酸
をクロロホルムに溶解し、濃度約１ｍｇ／ｍｌの溶液を
調製した。次に、水相として２０℃の純水を用意し、前
記のように仕切り帯で囲まれた水相表面上に前記溶液を
静かに展開させ、水相表面上に２２−トリコセン酸の単
分子膜４を析出させた。
をクロロホルムに溶解し、濃度約１ｍｇ／ｍｌの溶液を
調製した。次に、水相として２０℃の純水を用意し、前
記のように仕切り帯で囲まれた水相表面上に前記溶液を
静かに展開させ、水相表面上に２２−トリコセン酸の単
分子膜４を析出させた。
【００２０】次に、仕切り帯６に囲まれた領域をゆっく
り押し縮めて、表面圧を３０ｍＮ／ｍに昇圧した。この
時の水相表面の単分子膜の面積は８５０ｃｍ2であっ
た。
り押し縮めて、表面圧を３０ｍＮ／ｍに昇圧した。この
時の水相表面の単分子膜の面積は８５０ｃｍ2であっ
た。
【００２１】シリコンウエハ基板の表面を沸酸で処理
し、自然酸化膜を除去した。この基板を前記単分子膜に
対して垂直に、前記表面圧を保持しながら、速度１０ｃ
ｍ／ｍｉｎで水相内に浸漬し、基板上に単分子膜を移し
取った。
し、自然酸化膜を除去した。この基板を前記単分子膜に
対して垂直に、前記表面圧を保持しながら、速度１０ｃ
ｍ／ｍｉｎで水相内に浸漬し、基板上に単分子膜を移し
取った。
【００２２】次いで、表面圧を保持しながら、速度１０
ｃｍ／ｍｉｎで基板を引き上げ前記膜上に更に単分子膜
を累積した。
ｃｍ／ｍｉｎで基板を引き上げ前記膜上に更に単分子膜
を累積した。
【００２３】上記のような浸漬及び引き上げを繰り返
し、７０層の２２−トリコセン酸ＬＢ膜を得た。この
時、成膜後の水相表面上の単分子膜の面積は５５ｃｍ2
であった。
し、７０層の２２−トリコセン酸ＬＢ膜を得た。この
時、成膜後の水相表面上の単分子膜の面積は５５ｃｍ2
であった。
【００２４】得られたＬＢ膜を偏光顕微鏡観察したとこ
ろ、局所的な崩壊膜の付着は認められず、均一な成膜が
行われたことが確認された。
ろ、局所的な崩壊膜の付着は認められず、均一な成膜が
行われたことが確認された。
【００２５】実施例２ 図４に示されるＬＢ膜製造装置に於て、支持体を次のよ
うに構成した。図６は支持体近傍の構成を示す拡大図で
ある。図示の如く支持アーム８によって保持された支柱
９に沿って仕切り帯６が水相表面１１と交わるように設
けられている。この時、水相表面１１は支柱９の下方
に、離れて位置する。
うに構成した。図６は支持体近傍の構成を示す拡大図で
ある。図示の如く支持アーム８によって保持された支柱
９に沿って仕切り帯６が水相表面１１と交わるように設
けられている。この時、水相表面１１は支柱９の下方
に、離れて位置する。
【００２６】支持体及び仕切り帯を構成する材料として
は、実施例１と同様のものを用いた。但し、支柱は径１
ｃｍ、高さ３ｃｍの円筒状にした。
は、実施例１と同様のものを用いた。但し、支柱は径１
ｃｍ、高さ３ｃｍの円筒状にした。
【００２７】上記のように支持体の態様を変えた以外
は、実施例１と同様に２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製
造したところ、７０層のＬＢ膜に於て、崩壊膜の付着は
認められなかった。
は、実施例１と同様に２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製
造したところ、７０層のＬＢ膜に於て、崩壊膜の付着は
認められなかった。
【００２８】実施例３ 図４に示される構成のＬＢ膜製造装置に於て、支持体を
次のように構成した。図７は支持体近傍の構成を示す拡
大図である。図示の如く支持アーム８によって保持され
た支柱９に沿って、仕切り帯６が水相表面１１と交わる
ように設けられている。この時、支柱９は水相中にある
が、水相表面１１は支柱９とは離れて位置する。又、仕
切り帯６の縦方向のずれを防ぐために支柱９上に段差１
０を設けた。
次のように構成した。図７は支持体近傍の構成を示す拡
大図である。図示の如く支持アーム８によって保持され
た支柱９に沿って、仕切り帯６が水相表面１１と交わる
ように設けられている。この時、支柱９は水相中にある
が、水相表面１１は支柱９とは離れて位置する。又、仕
切り帯６の縦方向のずれを防ぐために支柱９上に段差１
０を設けた。
【００２９】支持体及び仕切り帯を構成する材料として
は、実施例１と同様のものを用いた。仕切り帯の幅は２
〜２．５ｃｍが好ましい。又、支持体は径１ｃｍ、高さ
２．５ｃｍの円筒状とした。又、段差は支柱の下から
１．２ｃｍの位置に、幅１ｍｍ、高さ２ｍｍに設けた。
は、実施例１と同様のものを用いた。仕切り帯の幅は２
〜２．５ｃｍが好ましい。又、支持体は径１ｃｍ、高さ
２．５ｃｍの円筒状とした。又、段差は支柱の下から
１．２ｃｍの位置に、幅１ｍｍ、高さ２ｍｍに設けた。
【００３０】上記のように支持体の態様を変えた以外は
実施例１と同様に、２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製造
した。その結果、７０層のＬＢ膜に於て、崩壊膜の付着
は認められなかった。
実施例１と同様に、２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製造
した。その結果、７０層のＬＢ膜に於て、崩壊膜の付着
は認められなかった。
【００３１】比較例 図４に示される構成のＬＢ膜製造装置に於て、支持体を
図３に示すような従来の構造にした以外は、実施例１と
同様に２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製造した。その結
果、４０層以下のＬＢ膜に於ては、崩壊膜の付着は認め
られなかったが、４０層以上累積した場合は、崩壊膜の
付着が認められた。
図３に示すような従来の構造にした以外は、実施例１と
同様に２２−トリコセン酸のＬＢ膜を製造した。その結
果、４０層以下のＬＢ膜に於ては、崩壊膜の付着は認め
られなかったが、４０層以上累積した場合は、崩壊膜の
付着が認められた。
【００３２】以上、代表的な例を用いて本発明を説明し
てきたが、本発明のＬＢ膜製造装置は上記実施例に限定
されるものではない。
てきたが、本発明のＬＢ膜製造装置は上記実施例に限定
されるものではない。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、単分子膜形成材料の損
失が大幅に減少する上、ＬＢ膜製造装置の支持体と、単
分子膜が存在する領域において水相表面とが接触しない
ので、支持体近傍での単分子膜の局所的な崩壊が起き
ず、常に均一なＬＢ膜を提供することができる。更に、
支柱と仕切り帯の間隙に膜形成材料が入り込むことがな
いので、装置の清掃が容易となり、作業性及び生産性が
向上するものである。
失が大幅に減少する上、ＬＢ膜製造装置の支持体と、単
分子膜が存在する領域において水相表面とが接触しない
ので、支持体近傍での単分子膜の局所的な崩壊が起き
ず、常に均一なＬＢ膜を提供することができる。更に、
支柱と仕切り帯の間隙に膜形成材料が入り込むことがな
いので、装置の清掃が容易となり、作業性及び生産性が
向上するものである。
【図１】従来のＬＢ膜製造装置の構成例を示す模式図で
あり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は側断面図
である。
あり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は側断面図
である。
【図２】従来のＬＢ膜製造装置の他の構成例を示す模式
図であり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は側断
面図である。
図であり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は側断
面図である。
【図３】図２に示すＬＢ膜製造装置の支持体近傍の構成
を示す拡大図である。
を示す拡大図である。
【図４】本発明のＬＢ膜製造装置の１構成例を示す拡大
模式図であり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は
側断面図である。
模式図であり、（Ａ）は上方から見た平面図、（Ｂ）は
側断面図である。
【図５】本発明に係る支持体近傍の１構成例を示す拡大
模式図である。
模式図である。
【図６】本発明に係る支持体近傍の他の構成例を示す拡
大模式図である。
大模式図である。
【図７】本発明に係る支持体近傍の他の構成例を示す拡
大模式図である。
大模式図である。
１ 水槽 ２ 水相 ３ 仕切り棒 ４ 単分子膜 ５ 間隙 ６ 仕切り帯 ７ 支持体 ８ 支持アーム ９ 支柱 １０ 段差 １１ 水相表面 ２１ 移動アーム ２２ 水平移動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠貫 有二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−180771（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−229569（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−12369（ＪＰ，Ａ) 特表 昭59−500339（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05C 3/09 B01J 19/00 B05D 1/20
Claims (6)
- 【請求項１】 その表面に単分子膜を展開させる液体を
収容する槽と、前記槽内において前記単分子膜の展開領
域を規制する仕切り帯と、前記仕切り帯を前記槽内に保
持するように前記仕切り帯が架設された複数の支持体と
を有する製造装置において、 前記仕切り帯がエンドレスベルト状であること、 前記仕切り帯で囲まれた内側の領域が展開領域となるよ
うに前記複数の支持体が仕切り帯で囲まれた内側に設け
られていること、 これら支持体の一部を水平に移動させることによって展
開領域の面積を変化させる移動機構を有すること、およ
び前記支持体を前記液体の表面と交差することのない位
置に配設したことを特徴とする単分子又は単分子累積膜
の製造装置。 - 【請求項２】 前記支持体がローラーである請求項１に
記載の製造装置。 - 【請求項３】 前記支持体がその軸方向において分割さ
れた２個の円柱である請求項１に記載の製造装置。 - 【請求項４】 前記円柱が支持アームに連結している請
求項３に記載の製造装置。 - 【請求項５】 前記円柱が液体表面から離間して上下に
配置されている請求項３に記載の製造装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
製造装置を用い、前記移動機構で展開領域の面積を変化
させることによって液体表面に展開した単分子膜を２次
元的に圧縮又は膨張させ、この単分子膜の一部を基板に
移しとることを特徴とする単分子膜又は単分子累積膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3577993A JP3267370B2 (ja) | 1992-03-05 | 1993-02-24 | 単分子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-48835 | 1992-03-05 | ||
| JP4883592 | 1992-03-05 | ||
| JP3577993A JP3267370B2 (ja) | 1992-03-05 | 1993-02-24 | 単分子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH067726A JPH067726A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3267370B2 true JP3267370B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=26374779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3577993A Expired - Fee Related JP3267370B2 (ja) | 1992-03-05 | 1993-02-24 | 単分子膜又は単分子累積膜の製造装置、及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3267370B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19651017C1 (de) | 1996-11-28 | 1998-04-30 | Udo Wirthwein | Aufgeständerter Kabelkanal |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP3577993A patent/JP3267370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067726A (ja) | 1994-01-18 |
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