JP3155289B2 - ラングミュア・ブロジェット膜作成方法、及び同成膜装置 - Google Patents
ラングミュア・ブロジェット膜作成方法、及び同成膜装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機分子の薄膜を基板上
に形成する成膜装置のうち、ラングミュア・ブロジェッ
ト（以下ＬＢと表す）膜を作成する成膜装置及び同膜作
成方法に関するものであり、特に構造的欠陥の少ない高
品質なＬＢ膜を再現性よく作成することが可能なＬＢ膜
成膜装置及び同膜作成方法に関する。
に形成する成膜装置のうち、ラングミュア・ブロジェッ
ト（以下ＬＢと表す）膜を作成する成膜装置及び同膜作
成方法に関するものであり、特に構造的欠陥の少ない高
品質なＬＢ膜を再現性よく作成することが可能なＬＢ膜
成膜装置及び同膜作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来有機超薄膜を形成する方法としてラ
ングミュア・ブロジェット（以下ＬＢと表す）法が広く
用いられている。ＬＢ法とは水面に形成された分子１個
の厚さを有する薄膜、即ち水面の単分子膜に対して基板
を水面の単分子膜を横切る方向に浸漬及び引き上げるこ
と（係る方法を垂直浸漬法と呼ぶ）、或いは水面の単分
子膜に対して基板を平行に気相側または液相側より接触
されること（係る手法を水平付着法と呼ぶ）によって、
係る水面の単分子膜を基板上に１層ずつ移し取り、堆積
する方法であり、分子１個分の厚さに相当する寸法精度
を以って膜厚が制御された有機超薄膜（ＬＢ膜）を容易
に基板上に形成することができる。
ングミュア・ブロジェット（以下ＬＢと表す）法が広く
用いられている。ＬＢ法とは水面に形成された分子１個
の厚さを有する薄膜、即ち水面の単分子膜に対して基板
を水面の単分子膜を横切る方向に浸漬及び引き上げるこ
と（係る方法を垂直浸漬法と呼ぶ）、或いは水面の単分
子膜に対して基板を平行に気相側または液相側より接触
されること（係る手法を水平付着法と呼ぶ）によって、
係る水面の単分子膜を基板上に１層ずつ移し取り、堆積
する方法であり、分子１個分の厚さに相当する寸法精度
を以って膜厚が制御された有機超薄膜（ＬＢ膜）を容易
に基板上に形成することができる。
【０００３】係る操作に用いられる成膜装置としては既
に種々のものが開発・市販されているが、その基本的構
成の一例（断面図）を図４に摸式的に示す。ＬＢ膜成膜
装置の基本は水槽１と仕切り板２であり、係る仕切り板
は水槽１内に満たされた水相３の表面を仕切り、任意の
表面積を有する水相表面を形成することに用いられる。
従って、仕切り板の一部又は全ては水相表面と平行な方
向に可動である。また仕切り板の形状は板状や棒状に限
定されることなく、紐状やテープ状のものなどを用いて
もよく、兎に角上述の如く水相表面を任意の大きさに仕
切ることができればどのような形態であってもよい。次
に重要な構成部品が表面圧センサー４であって、仕切り
板２で仕切られた水相領域における表面圧を測定するの
に用いられる。係る表面圧センサーとしては、一般にウ
ィルヘルミ法若しくはラングミュア法の何れかを利用し
たものが用いられるが、これらに限定される訳では無
い。以上述べた装置を利用して、ＬＢ膜を作成する方法
について述べる。ＬＢ法に用いられる有機分子はその分
子内に例えばカルボキシル基等の親水性部位と長鎖アル
キル基等の疎水性部位を併有する両親媒性分子であり、
これを適当な溶媒、例えばクロロホルム等に溶かした溶
液を水相３表面上に展開する。この時分子はその親水性
部位を水相側に、また疎水性部位を気相側に向けて水相
表面上に分散する。その後、仕切り板２を動かして水面
上に分散した両親媒性分子を２次元的、即ち水面と平行
な方向に圧縮すると展開している分子が２次元的に凝集
し、水面に分子１個の厚さを有する単分子膜５が形成さ
れる。この時、表面圧センサー４が在れば希望の表面圧
を有する単分子膜５を形成できる他、一般には検出され
た表面圧値を仕切り板位置制御機構にフィード・バック
して、水面の単分子膜の表面圧が一定値となるよう仕切
り板の位置を制御できるように作られている。勿論、単
分子膜の表面圧を一定に保つのにこれ以外の方法を用い
ても何等差しつかえない。以上の様にして形成された水
面の単分子膜５は基板上下装置６を用いて、前述の垂直
浸漬法、或いは水平付着法により基板７上に積層され、
堆積される。
に種々のものが開発・市販されているが、その基本的構
成の一例（断面図）を図４に摸式的に示す。ＬＢ膜成膜
装置の基本は水槽１と仕切り板２であり、係る仕切り板
は水槽１内に満たされた水相３の表面を仕切り、任意の
表面積を有する水相表面を形成することに用いられる。
従って、仕切り板の一部又は全ては水相表面と平行な方
向に可動である。また仕切り板の形状は板状や棒状に限
定されることなく、紐状やテープ状のものなどを用いて
もよく、兎に角上述の如く水相表面を任意の大きさに仕
切ることができればどのような形態であってもよい。次
に重要な構成部品が表面圧センサー４であって、仕切り
板２で仕切られた水相領域における表面圧を測定するの
に用いられる。係る表面圧センサーとしては、一般にウ
ィルヘルミ法若しくはラングミュア法の何れかを利用し
たものが用いられるが、これらに限定される訳では無
い。以上述べた装置を利用して、ＬＢ膜を作成する方法
について述べる。ＬＢ法に用いられる有機分子はその分
子内に例えばカルボキシル基等の親水性部位と長鎖アル
キル基等の疎水性部位を併有する両親媒性分子であり、
これを適当な溶媒、例えばクロロホルム等に溶かした溶
液を水相３表面上に展開する。この時分子はその親水性
部位を水相側に、また疎水性部位を気相側に向けて水相
表面上に分散する。その後、仕切り板２を動かして水面
上に分散した両親媒性分子を２次元的、即ち水面と平行
な方向に圧縮すると展開している分子が２次元的に凝集
し、水面に分子１個の厚さを有する単分子膜５が形成さ
れる。この時、表面圧センサー４が在れば希望の表面圧
を有する単分子膜５を形成できる他、一般には検出され
た表面圧値を仕切り板位置制御機構にフィード・バック
して、水面の単分子膜の表面圧が一定値となるよう仕切
り板の位置を制御できるように作られている。勿論、単
分子膜の表面圧を一定に保つのにこれ以外の方法を用い
ても何等差しつかえない。以上の様にして形成された水
面の単分子膜５は基板上下装置６を用いて、前述の垂直
浸漬法、或いは水平付着法により基板７上に積層され、
堆積される。
【０００４】以上がＬＢ膜成膜装置及びＬＢ膜作成方法
のあらましであるが、一部のＬＢ膜成膜装置においては
特殊な構造（主にヘテロ接合）のＬＢ膜を作成すること
を目的として、複数の水槽を有するものや、水相表面に
複数の種類の単分子膜を独立に形成できるもの等があ
る。更には単分子膜を作成するのに可動仕切り板を用い
ず、水相に水流を導入したり気相側に気流を導入するこ
とにより、水面上に展開した分子を水相表面上の特定の
領域に凝集せしめて単分子膜を形成する装置もある（例
えば、オー・アルブレヒトら、モレキュラーエレクトロ
ニクス、バイオセンサーズ アンド バイオコンピュー
タース、エフ・テー・ホング編、４１頁、プルニューム
プレス Ｎ．Ｙ．１９８９年参照（O.Aibrechtら、Mole
cular Electronics, Biosensors and Biocomputers,F.
T.Hong 編，４１頁，Plenum Press N.Y. １９８９
年））。何れにせよ水相表面に単分子膜を形成する手段
と、係る単分子膜を基板上に積層する手段とを有してい
ることに変わりはない。
のあらましであるが、一部のＬＢ膜成膜装置においては
特殊な構造（主にヘテロ接合）のＬＢ膜を作成すること
を目的として、複数の水槽を有するものや、水相表面に
複数の種類の単分子膜を独立に形成できるもの等があ
る。更には単分子膜を作成するのに可動仕切り板を用い
ず、水相に水流を導入したり気相側に気流を導入するこ
とにより、水面上に展開した分子を水相表面上の特定の
領域に凝集せしめて単分子膜を形成する装置もある（例
えば、オー・アルブレヒトら、モレキュラーエレクトロ
ニクス、バイオセンサーズ アンド バイオコンピュー
タース、エフ・テー・ホング編、４１頁、プルニューム
プレス Ｎ．Ｙ．１９８９年参照（O.Aibrechtら、Mole
cular Electronics, Biosensors and Biocomputers,F.
T.Hong 編，４１頁，Plenum Press N.Y. １９８９
年））。何れにせよ水相表面に単分子膜を形成する手段
と、係る単分子膜を基板上に積層する手段とを有してい
ることに変わりはない。
【０００５】さて上記のＬＢ膜成膜装置を用いて実際に
ＬＢ膜を形成する際には、作成されたＬＢ膜中に様々な
構造的欠陥が発生することが多々ある。そこで成膜装置
上の改良点として、水相の温度を一定に保つための恒温
装置、除震装置、防塵の為の覆い、気相側の条件を制御
するための密閉系の覆い、水面の単分子膜を熱的にアニ
ールする装置（テー・カスガ（T.Kasuga））ら、シンソ
リッド フィルムス（Thin Solid Films）誌、第１７８
巻１８３頁（１９８９年）等参照）等の導入がなされて
きた。
ＬＢ膜を形成する際には、作成されたＬＢ膜中に様々な
構造的欠陥が発生することが多々ある。そこで成膜装置
上の改良点として、水相の温度を一定に保つための恒温
装置、除震装置、防塵の為の覆い、気相側の条件を制御
するための密閉系の覆い、水面の単分子膜を熱的にアニ
ールする装置（テー・カスガ（T.Kasuga））ら、シンソ
リッド フィルムス（Thin Solid Films）誌、第１７８
巻１８３頁（１９８９年）等参照）等の導入がなされて
きた。
【０００６】当然、成膜操作そのものにおいても、上記
ＬＢ膜中における構造的欠陥を除去するために、成膜分
子の分子構造、溶媒、溶液濃度、水相温度、水相への種
々のイオンの添加、水相のｐＨ、成膜時の表面圧、水面
の単分子膜のアニーリング（常温及び加熱）、垂直浸漬
法を用いる際の基板上下速度、基板の表面処理等の成膜
条件について、最適化を行うことが必要不可欠である。
然し乍ら、これらの条件に注意を払い、更に用いる化学
物質の純度、成膜装置の清浄度や設置場所の清浄度に多
大な注意を払ったとしても、原因不明の理由による膜の
折重なり、部分的な膜の剥がれ、部分的な分子配向状態
の変化等に因って、ストライエイション（Striation）
と呼ばれる巨視的な縞状の構造欠陥を生じることが度々
あり、再現成よく高品質なＬＢ膜を得ることは難しかっ
た（アイ・アール・ピーターソン、ジャーナル・オブ・
モレキュラーエレクトロニクス誌（I.R.Peterson,Journ
alof Molecular Electronics）第３巻１０３頁（１９８
７年）参照）。
ＬＢ膜中における構造的欠陥を除去するために、成膜分
子の分子構造、溶媒、溶液濃度、水相温度、水相への種
々のイオンの添加、水相のｐＨ、成膜時の表面圧、水面
の単分子膜のアニーリング（常温及び加熱）、垂直浸漬
法を用いる際の基板上下速度、基板の表面処理等の成膜
条件について、最適化を行うことが必要不可欠である。
然し乍ら、これらの条件に注意を払い、更に用いる化学
物質の純度、成膜装置の清浄度や設置場所の清浄度に多
大な注意を払ったとしても、原因不明の理由による膜の
折重なり、部分的な膜の剥がれ、部分的な分子配向状態
の変化等に因って、ストライエイション（Striation）
と呼ばれる巨視的な縞状の構造欠陥を生じることが度々
あり、再現成よく高品質なＬＢ膜を得ることは難しかっ
た（アイ・アール・ピーターソン、ジャーナル・オブ・
モレキュラーエレクトロニクス誌（I.R.Peterson,Journ
alof Molecular Electronics）第３巻１０３頁（１９８
７年）参照）。
【０００７】また一度これらの巨視的欠陥が生ずると、
それ以後の累積性が悪化し、膜質の劣化が積相回数の増
加に伴って、進行するという問題があった。
それ以後の累積性が悪化し、膜質の劣化が積相回数の増
加に伴って、進行するという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記技術の問
題点に鑑みてなされたもので、その目的とする所は巨視
的な構造的欠陥（Striation）のないＬＢ膜を再現性よ
く作成出来るＬＢ膜成膜装置及び同作成方法を提供する
ことにある。
題点に鑑みてなされたもので、その目的とする所は巨視
的な構造的欠陥（Striation）のないＬＢ膜を再現性よ
く作成出来るＬＢ膜成膜装置及び同作成方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、水槽と、該水槽の水面に両親媒性分子の単
分子膜を形成する手段と、基板を上下動させて水面に形
成した単分子膜を基板に堆積する手段とを有するラング
ミュア・ブロジェット膜成膜装置において、水面上の単
分子膜に対して静電気除去操作を行う静電気除去機構を
有し、水面に単分子膜を形成しながら単分子膜の静電除
去操作を行うか、水面に形成された単分子膜に対して静
電除去操作を行った後に単分子膜を基板に堆積するか、
水面に形成された単分子膜を静電除去操作を行いながら
基板に堆積するか、少なくともいずれか一つの操作を行
うことを特徴とするラングミュア・ブロジェット膜成膜
装置を提供するものであり、静電気除去機構が、静電気
除去操作を連続的又は断続的に行わせる制御手段を有し
てなること、静電気除去機構が帯電除去棒、又は帯電除
去板を有してなること、静電気除去機構がイオン放射装
置を有してなること、静電気除去機構がアルファ線放射
装置を有してなること、覆い部材を成膜装置の少なくと
も一部を覆って有すること、水面に単分子膜を形成する
手段として、水槽内を移動して水面を仕切ることができ
る仕切り板を用い、該仕切り板を移動させて水表面積を
減少せしめ、水面上に展開した両親媒性分子を圧縮する
方法によること、含むこと、水面に単分子膜を形成する
手段として水面に水流を導入するか及び／又は気相側に
気流を導入して、水面上に展開した両親媒性分子を圧縮
する方法によること、を含む。
に本発明は、水槽と、該水槽の水面に両親媒性分子の単
分子膜を形成する手段と、基板を上下動させて水面に形
成した単分子膜を基板に堆積する手段とを有するラング
ミュア・ブロジェット膜成膜装置において、水面上の単
分子膜に対して静電気除去操作を行う静電気除去機構を
有し、水面に単分子膜を形成しながら単分子膜の静電除
去操作を行うか、水面に形成された単分子膜に対して静
電除去操作を行った後に単分子膜を基板に堆積するか、
水面に形成された単分子膜を静電除去操作を行いながら
基板に堆積するか、少なくともいずれか一つの操作を行
うことを特徴とするラングミュア・ブロジェット膜成膜
装置を提供するものであり、静電気除去機構が、静電気
除去操作を連続的又は断続的に行わせる制御手段を有し
てなること、静電気除去機構が帯電除去棒、又は帯電除
去板を有してなること、静電気除去機構がイオン放射装
置を有してなること、静電気除去機構がアルファ線放射
装置を有してなること、覆い部材を成膜装置の少なくと
も一部を覆って有すること、水面に単分子膜を形成する
手段として、水槽内を移動して水面を仕切ることができ
る仕切り板を用い、該仕切り板を移動させて水表面積を
減少せしめ、水面上に展開した両親媒性分子を圧縮する
方法によること、含むこと、水面に単分子膜を形成する
手段として水面に水流を導入するか及び／又は気相側に
気流を導入して、水面上に展開した両親媒性分子を圧縮
する方法によること、を含む。
【００１０】更に本発明は、水面に両親媒性分子の単分
子膜を形成しながら単分子膜の静電気除去操作を行な
い、その後前記水面の単分子膜を基板上に堆積するこ
と、水面に両親媒性分子の単分子膜を形成し、次いで単
分子膜に対して静電気除去操作を行った後に、上記単分
子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分子の単
分子膜を形成し、静電気除去操作を行いながら、前記単
分子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分子の
単分子膜を形成しながら単分子膜の静電気除去操作を行
ない、引き続き静電気除去操作を行いながら、前記水面
の単分子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分
子の単分子膜を形成し、形成した単分子膜に対して静電
気除去操作を行ない、さらに引き続き静電気除去操作を
行いながら、単分子膜を基板上に堆積すること、静電気
除去操作を連続的、或いは断続的に行うこと、静電気除
去操作が帯電除去棒または帯電除去板を利用するもので
あること、静電気除去操作がイオン放射装置を利用する
ものであること、静電気除去操作がアルファ線放射装置
を利用するものであること、単分子膜を基板上に堆積す
る方法が、垂直浸漬法であること、単分子膜を基板上に
堆積する方法が、水平付着法であることを含むものであ
る。
子膜を形成しながら単分子膜の静電気除去操作を行な
い、その後前記水面の単分子膜を基板上に堆積するこ
と、水面に両親媒性分子の単分子膜を形成し、次いで単
分子膜に対して静電気除去操作を行った後に、上記単分
子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分子の単
分子膜を形成し、静電気除去操作を行いながら、前記単
分子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分子の
単分子膜を形成しながら単分子膜の静電気除去操作を行
ない、引き続き静電気除去操作を行いながら、前記水面
の単分子膜を基板上に堆積すること、水面に両親媒性分
子の単分子膜を形成し、形成した単分子膜に対して静電
気除去操作を行ない、さらに引き続き静電気除去操作を
行いながら、単分子膜を基板上に堆積すること、静電気
除去操作を連続的、或いは断続的に行うこと、静電気除
去操作が帯電除去棒または帯電除去板を利用するもので
あること、静電気除去操作がイオン放射装置を利用する
ものであること、静電気除去操作がアルファ線放射装置
を利用するものであること、単分子膜を基板上に堆積す
る方法が、垂直浸漬法であること、単分子膜を基板上に
堆積する方法が、水平付着法であることを含むものであ
る。
【００１１】さらに詳述すれば、本発明においては一般
にＬＢ膜に用いられる成膜装置を大きく逸脱するもので
はなく、改良点として成膜装置内に静電気除去装置を導
入した点が従来と異なる。従って、本発明のＬＢ膜成膜
装置を用いてＬＢ膜を作成する方法も、基本的には従来
公知のＬＢ法に基づいている（ジー・ロバーツ編、ラン
グニュアーブロットフィルム、プレナム プレス N.Y.
刊（１９９０年）参照（G.Roberts 編、Langmuir-Blodg
ett Films, Plenum Press ）。異なる点は、上記静電気
除去装置を用いた静電気除去操作が含まれていることで
ある。係る静電気除去操作は、その操作時期の違いに関
して５つの場合に分類される。
にＬＢ膜に用いられる成膜装置を大きく逸脱するもので
はなく、改良点として成膜装置内に静電気除去装置を導
入した点が従来と異なる。従って、本発明のＬＢ膜成膜
装置を用いてＬＢ膜を作成する方法も、基本的には従来
公知のＬＢ法に基づいている（ジー・ロバーツ編、ラン
グニュアーブロットフィルム、プレナム プレス N.Y.
刊（１９９０年）参照（G.Roberts 編、Langmuir-Blodg
ett Films, Plenum Press ）。異なる点は、上記静電気
除去装置を用いた静電気除去操作が含まれていることで
ある。係る静電気除去操作は、その操作時期の違いに関
して５つの場合に分類される。
【００１２】（１）静電気除去操作を行いながら、水相
表面上に有機分子の単分子膜を形成し、その後水面の単
分子膜を基板上に移し取る場合。
表面上に有機分子の単分子膜を形成し、その後水面の単
分子膜を基板上に移し取る場合。
【００１３】（２）水相表面上に有機分子の単分子膜を
形成し、係る水面上単分子膜に対して静電気除去操作を
行った後に、上記水面の単分子膜を基板上に移し取る場
合。
形成し、係る水面上単分子膜に対して静電気除去操作を
行った後に、上記水面の単分子膜を基板上に移し取る場
合。
【００１４】（３）水相表面上に有機分子の単分子膜を
形成し、静電気除去操作を行いながら、上記水面の単分
子膜を基板上に移し取る場合。
形成し、静電気除去操作を行いながら、上記水面の単分
子膜を基板上に移し取る場合。
【００１５】（４）静電気除去操作を行いながら、水相
表面上に有機分子の単分子膜を形成し、引き続き静電気
除去操作を行いながら、上記水面の単分子膜を基板上に
移し取る場合。
表面上に有機分子の単分子膜を形成し、引き続き静電気
除去操作を行いながら、上記水面の単分子膜を基板上に
移し取る場合。
【００１６】（５）水相表面上に有機分子の単分子膜を
形成し、係る水面の単分子膜に対して静電気除去操作を
行い、さらに引き続き静電気除去操作を行いながら、上
記水面の単分子膜を基板上に移し取る場合。
形成し、係る水面の単分子膜に対して静電気除去操作を
行い、さらに引き続き静電気除去操作を行いながら、上
記水面の単分子膜を基板上に移し取る場合。
【００１７】これらの５つの方法にうち何れが良いか
は、用いる有機分子の種類や基板の種類、成膜装置の設
置場所の環境（温度、湿度、風速等）、成膜速度、或い
は静電気の除去方法の違い等によって変わる。例えば有
機分子として脂肪酸を用いて水面に形成した単分子膜を
静電気除去する場合、除去時間の増加に伴い結晶領域
（ドメイン）のサイズも大きくなるが、除去時間が長す
ぎると水面の単分子膜の粘性が高まりすぎ、基板への積
層が困難になることがある。従って、場合によっては静
電気除去操作を断続的に行ってもよい。即ち、基板への
積層時において最初の第１層積層時にのみ静電気除去を
行い、それ以後の累積操作中に静電気除去操作を中止す
る当の方法を採っもよい。
は、用いる有機分子の種類や基板の種類、成膜装置の設
置場所の環境（温度、湿度、風速等）、成膜速度、或い
は静電気の除去方法の違い等によって変わる。例えば有
機分子として脂肪酸を用いて水面に形成した単分子膜を
静電気除去する場合、除去時間の増加に伴い結晶領域
（ドメイン）のサイズも大きくなるが、除去時間が長す
ぎると水面の単分子膜の粘性が高まりすぎ、基板への積
層が困難になることがある。従って、場合によっては静
電気除去操作を断続的に行ってもよい。即ち、基板への
積層時において最初の第１層積層時にのみ静電気除去を
行い、それ以後の累積操作中に静電気除去操作を中止す
る当の方法を採っもよい。
【００１８】静電気除去操作において、具体的に利用さ
れる静電気除去装置（機構）としては、自己放電式除電
ブラシや誘導式静電気中和バー等の帯電除去棒或いは帯
電除去板、イオン化した空気を発生させて静電気を中和
させるイオン化ブロワーや静電ブロワー等のイオン放電
装置、或いは照射部位の空気をイオン化できるアルファ
線照射装置等を挙げることができるが、これらの装置に
限定されることなく水面の単分子膜に対して非接触に静
電気除去できる装置であれば広く利用することができ
る。
れる静電気除去装置（機構）としては、自己放電式除電
ブラシや誘導式静電気中和バー等の帯電除去棒或いは帯
電除去板、イオン化した空気を発生させて静電気を中和
させるイオン化ブロワーや静電ブロワー等のイオン放電
装置、或いは照射部位の空気をイオン化できるアルファ
線照射装置等を挙げることができるが、これらの装置に
限定されることなく水面の単分子膜に対して非接触に静
電気除去できる装置であれば広く利用することができ
る。
【００１９】これらのうち、イオン化ブロワー等気流の
発生を伴う場合は、係る気流によって水面上単分子膜が
機械的に破壊されることのないよう、その風力を調節す
ると共に、ＬＢ膜性膜装置上の設置場所についても注意
を払わなければならない。これらの静電気除去装置は連
続的に又は断続的に作動するように公知の運転の制御装
置を取付けることもできる。また係るブロワーの風力が
微弱であっても十分な静電気除去効果を挙げるため、Ｌ
Ｂ膜成膜装置全体が覆いの中に設置されていることが望
ましい。但し、係る覆いは必ずしも完全な密閉系である
必要はない。また気流の発生を伴わないその他の静電気
除去装置を利用する場合においても、矢張り除電効果を
高めるために覆いを取付けることが望ましい。
発生を伴う場合は、係る気流によって水面上単分子膜が
機械的に破壊されることのないよう、その風力を調節す
ると共に、ＬＢ膜性膜装置上の設置場所についても注意
を払わなければならない。これらの静電気除去装置は連
続的に又は断続的に作動するように公知の運転の制御装
置を取付けることもできる。また係るブロワーの風力が
微弱であっても十分な静電気除去効果を挙げるため、Ｌ
Ｂ膜成膜装置全体が覆いの中に設置されていることが望
ましい。但し、係る覆いは必ずしも完全な密閉系である
必要はない。また気流の発生を伴わないその他の静電気
除去装置を利用する場合においても、矢張り除電効果を
高めるために覆いを取付けることが望ましい。
【００２０】以上より判るように本発明のＬＢ膜成膜装
置及び同作成方法は、従来公知のＬＢ膜の成膜全てにつ
いて広く利用することができるが、特にクリーンルーム
等の比較的湿度が低く静電気が発生し易い条件において
成膜を行う場合有効である。
置及び同作成方法は、従来公知のＬＢ膜の成膜全てにつ
いて広く利用することができるが、特にクリーンルーム
等の比較的湿度が低く静電気が発生し易い条件において
成膜を行う場合有効である。
【実施例】以下本発明のＬＢ膜成膜装置、及びＬＢ膜の
作成方法について、実施例を挙げて説明する。実施例１ 湿度５０±５％、温度２３±３℃に保たれたクリーンル
ーム（クラス１０００）内に設置された図１に示すＬＢ
膜成膜装置を用いた。なお、装置の参照符号は、以後は
図４で使用したものと同じものである。
作成方法について、実施例を挙げて説明する。実施例１ 湿度５０±５％、温度２３±３℃に保たれたクリーンル
ーム（クラス１０００）内に設置された図１に示すＬＢ
膜成膜装置を用いた。なお、装置の参照符号は、以後は
図４で使用したものと同じものである。
【００２１】図１において水相表面上方３０cmの高さに
イオン化ブロワー８を設置した。また一部の制御装置を
除いて送致の機械部は直方体状のアクリル製の覆い部材
９の内側に設置した。
イオン化ブロワー８を設置した。また一部の制御装置を
除いて送致の機械部は直方体状のアクリル製の覆い部材
９の内側に設置した。
【００２２】両親媒性有機分子としてベヘン酸（以下Ｃ
２２と表す）を用いた。係るＣ２２をクロロホルムに濃
度５ｘ１０-4Ｍで溶かしたのち、水温２０℃に保たれた
純水上に展開した。溶媒を蒸発除去後、水面上の分子π
＝２６ｍＮ／ｍにまで圧縮して水面にＣ２２の単分子膜
を形成した。次に係る表面圧を一定に保持したまま、イ
オン化ブローのブロワー吐出方向を図１中矢印Ｘで示す
方向にして５分間動作させた。
２２と表す）を用いた。係るＣ２２をクロロホルムに濃
度５ｘ１０-4Ｍで溶かしたのち、水温２０℃に保たれた
純水上に展開した。溶媒を蒸発除去後、水面上の分子π
＝２６ｍＮ／ｍにまで圧縮して水面にＣ２２の単分子膜
を形成した。次に係る表面圧を一定に保持したまま、イ
オン化ブローのブロワー吐出方向を図１中矢印Ｘで示す
方向にして５分間動作させた。
【００２３】引き続きイオン化ブロワーを動作させた状
態で、表面をヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤＳと
表す）で疎水処理したＳｉ基板を速度３０mm/minで水面
を横切る方向に浸漬し、続いて引き上げ、Ｓｉ基板上に
Ｃ２２の２層ＬＢ膜を作成した。次に速度を１００mm/m
inに変更して、前記基板に対して上記浸漬・引き上げ繰
り返し、１０層ＬＢ膜を作成した。続いてイオン化ブロ
ワーの動作を停止した上で、Ｃ２２単分子膜の累積を続
け、最終的に５０層ＬＢ膜を作成した。なお、イオン化
ブロワー装置はＳｉＭＣＯ製ＡＥＲＯＳＴＡＴ Ａ−３
００を用いた。
態で、表面をヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤＳと
表す）で疎水処理したＳｉ基板を速度３０mm/minで水面
を横切る方向に浸漬し、続いて引き上げ、Ｓｉ基板上に
Ｃ２２の２層ＬＢ膜を作成した。次に速度を１００mm/m
inに変更して、前記基板に対して上記浸漬・引き上げ繰
り返し、１０層ＬＢ膜を作成した。続いてイオン化ブロ
ワーの動作を停止した上で、Ｃ２２単分子膜の累積を続
け、最終的に５０層ＬＢ膜を作成した。なお、イオン化
ブロワー装置はＳｉＭＣＯ製ＡＥＲＯＳＴＡＴ Ａ−３
００を用いた。
【００２４】各々作成日時を変えた他は上記と同じ方法
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
【００２５】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均１mm角程度であった。比較例１ 静電気除去操作を省略した他は実施例１と同様にして、
合計１０個のＣ２２の５０層ＬＢ膜をＳｉ基板上に作成
した。
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均１mm角程度であった。比較例１ 静電気除去操作を省略した他は実施例１と同様にして、
合計１０個のＣ２２の５０層ＬＢ膜をＳｉ基板上に作成
した。
【００２６】得られた試料を偏光顕微鏡観察したとこ
ろ、７個の試料にストライエイションの発生が見られ、
その内４個の試料ではストライエイションの発生が甚だ
しく、ドメインはエピタキシャル成長も著しく阻害され
ていた。ストライエイションが見られなかった３個の試
料におけるドメイン・サイズは平均３００μｍ角であっ
た。実施例２ 湿度５０±５％、温度２３±３℃に保たれたクリーンル
ーム（クラス１０００）内に設置されたＬＢ膜成膜装置
（図２）を用いた。図２において、水槽１の累積位置１
０付近に累積用の基板７に対して平行になるように静電
気中和用イオナイズ・バー１１を水槽３表面上方８mmの
位置に取付けた。静電気除去操作はＬＢ成膜の全工程中
に渡って行った。
ろ、７個の試料にストライエイションの発生が見られ、
その内４個の試料ではストライエイションの発生が甚だ
しく、ドメインはエピタキシャル成長も著しく阻害され
ていた。ストライエイションが見られなかった３個の試
料におけるドメイン・サイズは平均３００μｍ角であっ
た。実施例２ 湿度５０±５％、温度２３±３℃に保たれたクリーンル
ーム（クラス１０００）内に設置されたＬＢ膜成膜装置
（図２）を用いた。図２において、水槽１の累積位置１
０付近に累積用の基板７に対して平行になるように静電
気中和用イオナイズ・バー１１を水槽３表面上方８mmの
位置に取付けた。静電気除去操作はＬＢ成膜の全工程中
に渡って行った。
【００２７】両親媒成有機分子としてＣ２２を用いた。
係るＣ２２をクロロホルムに濃度５ｘ１０-4Ｍで溶かし
たのち、水温２０℃に保たれた純水上に展開した。溶媒
蒸発除去後、仕切り板２を動かして水面上の分子をπ＝
２６ｍＮ／ｍにまで圧縮してＣ２２の水面上単分子膜を
形成した。次に係る表面圧を一定に保持したまま、水面
上単分子膜を５分間放置した。
係るＣ２２をクロロホルムに濃度５ｘ１０-4Ｍで溶かし
たのち、水温２０℃に保たれた純水上に展開した。溶媒
蒸発除去後、仕切り板２を動かして水面上の分子をπ＝
２６ｍＮ／ｍにまで圧縮してＣ２２の水面上単分子膜を
形成した。次に係る表面圧を一定に保持したまま、水面
上単分子膜を５分間放置した。
【００２８】次に表面をＨＭＤＳで疎水処理したＳｉ基
板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に浸漬し、続い
て引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２２の２層ＬＢ膜を作成し
た。続いて、速度を１００mm/minに変更して、前記基板
に対して上記浸漬・引き上げを繰り返し、５０層ＬＢ膜
を作成した。なお、イオナイズ・バーはStaic.Inc.社製
１１型イオナイズ・バーを使用した。
板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に浸漬し、続い
て引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２２の２層ＬＢ膜を作成し
た。続いて、速度を１００mm/minに変更して、前記基板
に対して上記浸漬・引き上げを繰り返し、５０層ＬＢ膜
を作成した。なお、イオナイズ・バーはStaic.Inc.社製
１１型イオナイズ・バーを使用した。
【００２９】各々作成日時を変えた他は上記と同じ方法
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
【００３０】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均３００μｍ角程度であった。実施例３ 実施例１において両親媒製有機分子として２２−トリコ
セン酸（以下２２−ＴＣＡと表す）を用い、基板として
ガラス基板上に３０Å厚のＣｒ下引き層を蒸着した後、
３００Å厚のＡｕを蒸着した基板を用いた他は実施例１
と全く同様にして試料を作成した。
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均３００μｍ角程度であった。実施例３ 実施例１において両親媒製有機分子として２２−トリコ
セン酸（以下２２−ＴＣＡと表す）を用い、基板として
ガラス基板上に３０Å厚のＣｒ下引き層を蒸着した後、
３００Å厚のＡｕを蒸着した基板を用いた他は実施例１
と全く同様にして試料を作成した。
【００３１】即ち、２２−ＴＣＡをクロロホルムに濃度
５ｘ１０-4Ｍで溶かしたのち、水温２０℃に保たれた純
水上を展開した。溶媒蒸発除去後、水面上の分子をπ＝
２７ｍＮ／ｍにまで圧縮し、２２−ＴＣＡの水面上単分
子膜を形成した。
５ｘ１０-4Ｍで溶かしたのち、水温２０℃に保たれた純
水上を展開した。溶媒蒸発除去後、水面上の分子をπ＝
２７ｍＮ／ｍにまで圧縮し、２２−ＴＣＡの水面上単分
子膜を形成した。
【００３２】次に係る表面圧を一定に保持したまま、水
面上３０cmの高さに設置したイオン化ブロワーを５分間
動作させた。引き続きイオン化ブロワーを動作させた状
態で、Ａｕ基板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に
浸漬し、続いて引き上げ、Ａｕ基板上に２２−ＴＣＡの
２層ＬＢ膜を作成した。次に速度を２００mm/minに変更
して、前記基板に対して上記浸漬・引き上げを繰り返
し、５０層ＬＢ膜を作成した。
面上３０cmの高さに設置したイオン化ブロワーを５分間
動作させた。引き続きイオン化ブロワーを動作させた状
態で、Ａｕ基板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に
浸漬し、続いて引き上げ、Ａｕ基板上に２２−ＴＣＡの
２層ＬＢ膜を作成した。次に速度を２００mm/minに変更
して、前記基板に対して上記浸漬・引き上げを繰り返
し、５０層ＬＢ膜を作成した。
【００３３】各々作成日時を変えた他は上記と同じ方法
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
【００３４】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長してるいことが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均５００μｍ角程度であった。実施例４ 実施例３とほぼ同様にして２２−ＴＣＡの５０層ＬＢ膜
をＡｕ基板上に作成した。以下変更点について述べる。
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長してるいことが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均５００μｍ角程度であった。実施例４ 実施例３とほぼ同様にして２２−ＴＣＡの５０層ＬＢ膜
をＡｕ基板上に作成した。以下変更点について述べる。
【００３５】イオン化ブロワーを作動させた状態２２−
ＴＣＡを水面上に展開し、更にπ＝２７ｍＮ／ｍににま
で圧縮して水面に２２−ＴＣＡの単分子膜を形成した
後、係る表面圧を一定に保持したまま、イオン化ブロワ
ーを５分間動作させた。次に、イオン化ブロワーの作動
を中止した上で、Ａｕ基板上に２２−ＴＣＡのＬＢ膜を
堆積させた。この時の基板上下速度は３００mm/minであ
った。
ＴＣＡを水面上に展開し、更にπ＝２７ｍＮ／ｍににま
で圧縮して水面に２２−ＴＣＡの単分子膜を形成した
後、係る表面圧を一定に保持したまま、イオン化ブロワ
ーを５分間動作させた。次に、イオン化ブロワーの作動
を中止した上で、Ａｕ基板上に２２−ＴＣＡのＬＢ膜を
堆積させた。この時の基板上下速度は３００mm/minであ
った。
【００３６】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、ストライエイションの発生は見られ
ず、また各ドメインはエピタキシャル成長していること
が確認された。この時のドメイン・サイズは平均２００
μｍ×５００μｍ程度であった。なお、試料の水面上へ
の展開及び圧縮時に於いてイオン化ブロワーの作動を行
わず、圧縮操作完了後、積層までの期間のみにイオン化
ブロワーを作動作させた場合も効果は同様であった。実施例５ 実施例２と同様のＬＢ膜成膜装置を用いて、アラキジン
酸（以下Ｃ２０と表す）ＬＢ膜を作成した。静電気除去
操作はＬＢ成膜の全工程中に渡って行った。
観察したところ、ストライエイションの発生は見られ
ず、また各ドメインはエピタキシャル成長していること
が確認された。この時のドメイン・サイズは平均２００
μｍ×５００μｍ程度であった。なお、試料の水面上へ
の展開及び圧縮時に於いてイオン化ブロワーの作動を行
わず、圧縮操作完了後、積層までの期間のみにイオン化
ブロワーを作動作させた場合も効果は同様であった。実施例５ 実施例２と同様のＬＢ膜成膜装置を用いて、アラキジン
酸（以下Ｃ２０と表す）ＬＢ膜を作成した。静電気除去
操作はＬＢ成膜の全工程中に渡って行った。
【００３７】Ｃ２０をクロロホルムに濃度５ｘ１０-4Ｍ
で溶かしたのち、水温１３℃に保たれた純水上に展開し
た。溶媒蒸発除去後、水面上の分子をπ＝２５ｍＮ／ｍ
にまで圧縮し、Ｃ２０の水面上単分子間を形成した。次
に係る表面圧を一定に保持したまま、水面上単分子膜を
５分間放置した。
で溶かしたのち、水温１３℃に保たれた純水上に展開し
た。溶媒蒸発除去後、水面上の分子をπ＝２５ｍＮ／ｍ
にまで圧縮し、Ｃ２０の水面上単分子間を形成した。次
に係る表面圧を一定に保持したまま、水面上単分子膜を
５分間放置した。
【００３８】次に表面をＨＭＤＳで疎水処理したＳｉ基
板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に浸漬し、続い
て引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２０の２層ＬＢを作成し
た。続いて速度を１００mm/minに変更して、前記基板に
対して上記浸漬・引き上げを繰り返し、５０層ＬＢ膜を
作成した。
板を速度３０mm/minで水面を横切る方向に浸漬し、続い
て引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２０の２層ＬＢを作成し
た。続いて速度を１００mm/minに変更して、前記基板に
対して上記浸漬・引き上げを繰り返し、５０層ＬＢ膜を
作成した。
【００３９】各々作成日時を変えた他は上記と同じ方法
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
【００４０】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均１mm×２mm角程度であった。実施例６ 実施例１と同様にして湿度５０±５％、温度２３±３℃
に保たれたクリーンルーム（クラス１０００）内に設置
されたアルファー線プローブ１２を含むＬＢ膜成膜装置
（図４）を用いた。アルファー線源としてはポロニウム
（210Ｐｏ）を用い、該プローブ１２を累積用基板７と
水相３とが接触する付近に固定し（水相表面までの距離
＝３mm）、単分子膜形成から堆積までの全工程を通して
静電気除去を行った。
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均１mm×２mm角程度であった。実施例６ 実施例１と同様にして湿度５０±５％、温度２３±３℃
に保たれたクリーンルーム（クラス１０００）内に設置
されたアルファー線プローブ１２を含むＬＢ膜成膜装置
（図４）を用いた。アルファー線源としてはポロニウム
（210Ｐｏ）を用い、該プローブ１２を累積用基板７と
水相３とが接触する付近に固定し（水相表面までの距離
＝３mm）、単分子膜形成から堆積までの全工程を通して
静電気除去を行った。
【００４１】両親媒成有機分子としてＣ２２を用いた。
係るＣ２２をクロロホルムに濃度５ｘ１０-4Ｍで溶かし
たのち、水温２０℃に保たれた純水上に展開した。溶媒
蒸発除去後、水面上の分子をπ＝２６ｍＮ／ｍにまで圧
縮してＣ２２の水面上単分子膜を形成した。次に係る表
面圧を一定に保持したまま、Ｃ２２の水面上単分子膜を
５分間放置した。
係るＣ２２をクロロホルムに濃度５ｘ１０-4Ｍで溶かし
たのち、水温２０℃に保たれた純水上に展開した。溶媒
蒸発除去後、水面上の分子をπ＝２６ｍＮ／ｍにまで圧
縮してＣ２２の水面上単分子膜を形成した。次に係る表
面圧を一定に保持したまま、Ｃ２２の水面上単分子膜を
５分間放置した。
【００４２】その後、表面をＨＭＤＳで疎水処理したＳ
ｉ基板を速度３０mm／minで水面を横切る方向に浸漬
し、続いて引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２２の２層ＬＢ膜
を作成した。次に速度を１００mm／minに変更して、前
記基板に対して上記浸漬・引き上げを繰返し、５０層Ｌ
Ｂ膜を作成した。
ｉ基板を速度３０mm／minで水面を横切る方向に浸漬
し、続いて引き上げ、Ｓｉ基板上にＣ２２の２層ＬＢ膜
を作成した。次に速度を１００mm／minに変更して、前
記基板に対して上記浸漬・引き上げを繰返し、５０層Ｌ
Ｂ膜を作成した。
【００４３】各々作成日時を変えた他は上記と同じ方法
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
に拠り、合計１０個の試料を作成した。
【００４４】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均５００μｍ角程度であった。実施例７ 実施例６と略同様にして、Ｃ２２の５０層ＬＢ膜をＳｉ
基板上に作成した。以下変更点について述べる。
観察したところ、何れの試料においてもストライエイシ
ョンの発生は見られず、また各ドメインはエピタキシャ
ル成長していることが確認された。この時のドメイン・
サイズは平均５００μｍ角程度であった。実施例７ 実施例６と略同様にして、Ｃ２２の５０層ＬＢ膜をＳｉ
基板上に作成した。以下変更点について述べる。
【００４５】アルファー線プローブ１２を取り外した状
態で、水面にＣ２２の単分子膜を形成し（π＝２６ｍＮ
／ｍ）、引き続き表面圧を一定に保持したまま５分間放
置した。
態で、水面にＣ２２の単分子膜を形成し（π＝２６ｍＮ
／ｍ）、引き続き表面圧を一定に保持したまま５分間放
置した。
【００４６】次にアルファー線プローブ１２を実施例６
と同様の位置に取付け、静電気除去操作を行い乍らＳｉ
基板上にＣ２２・ＬＢ膜を作成した。この時の基板上下
速度は、最初の２層については３０mm/min、残りの４８
層については１００ mm/minとした。
と同様の位置に取付け、静電気除去操作を行い乍らＳｉ
基板上にＣ２２・ＬＢ膜を作成した。この時の基板上下
速度は、最初の２層については３０mm/min、残りの４８
層については１００ mm/minとした。
【００４７】得られた試料表面を偏光顕微鏡（反射）で
観察したところ、ストライエイションの発生は見られ
ず、また各ドメインはエピタキシャル成長していること
が確認された。この時のドメイン・サイズは平均５００
μｍ角程度であった。
観察したところ、ストライエイションの発生は見られ
ず、また各ドメインはエピタキシャル成長していること
が確認された。この時のドメイン・サイズは平均５００
μｍ角程度であった。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＢ膜成
膜装置によれば、ストライエイション等の構造的欠陥の
無い高品質のＬＢ膜を再現性よく作成できる効果があ
る。
膜装置によれば、ストライエイション等の構造的欠陥の
無い高品質のＬＢ膜を再現性よく作成できる効果があ
る。
【図１】本発明に係る成膜装置の一例を示す概略側面断
面図である。
面図である。
【図２】（Ａ）は本発明に係る性膜装置の他の例を示す
概略側面断面図、（Ｂ）は同平面図である。
概略側面断面図、（Ｂ）は同平面図である。
【図３】本発明に係る成膜装置の更に他の例を示す概略
側面断面図である。
側面断面図である。
【図４】従来の成膜装置を示す概略側面断面図である。
１ 水槽 ２ 仕切り板 ３ 水相 ４ 表面圧センサー ５ 単分子膜 ６ 基板上下装置 ７ 基板 ８ イオン化ブロワー ９ 覆い １０ 累積位置 １１ 静電気中和用イオナイズ・バー １２ アルファー線プローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05D 1/20 B05C 3/09 - 3/109 B01J 19/00 H01L 21/208
Claims (19)
- 【請求項１】 水槽と、該水槽の水面に両親媒性分子の
単分子膜を形成する手段と、基板を上下動させて水面に
形成した単分子膜を基板に堆積する手段とを有するラン
グミュア・ブロジェット膜成膜装置において、水面上の
単分子膜に対して静電気除去操作を行う静電気除去機構
を有し、水面に単分子膜を形成しながら単分子膜の静電
除去操作を行うか、水面に形成された単分子膜に対して
静電除去操作を行った後に単分子膜を基板に堆積する
か、水面に形成された単分子膜を静電除去操作を行いな
がら基板に堆積するか、少なくともいずれか一つの操作
を行うことを特徴とするラングミュア・ブロジェット膜
成膜装置。 - 【請求項２】 前記静電気除去機構が、静電気除去操作
を連続的又は断続的に行わせる制御手段を有してなる請
求項１記載の成膜装置。 - 【請求項３】 静電気除去機構が帯電除去棒、又は帯電
除去板を有してなる請求項１または２記載の成膜装置。 - 【請求項４】 静電気除去機構がイオン放射装置を有し
てなる請求項１または２記載の成膜装置。 - 【請求項５】 静電気除去機構がアルファ線放射装置を
有してなる請求項１または２記載の成膜装置。 - 【請求項６】 覆い部材を成膜装置の少なくとも一部を
覆って有してなる請求項１または２記載の成膜装置。 - 【請求項７】 水面に単分子膜を形成する手段として、
水槽内を移動して水面を仕切ることができる仕切り板を
用い、該仕切り板を移動させて水表面積を減少せしめ、
水面上に展開した両親媒性分子を圧縮する方法によるこ
とを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の
成膜装置。 - 【請求項８】 水面に単分子膜を形成する手段として水
面に水流を導入するか及び／又は気相側に気流を導入し
て、水面上に展開した両親媒性分子を圧縮する方法によ
ることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記
載の成膜装置。 - 【請求項９】 水面に両親媒性分子の単分子膜を形成し
ながら単分子膜の静電気除去操作を行ない、その後前記
水面の単分子膜を基板上に堆積することを特徴とするラ
ングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１０】 水面に両親媒性分子の単分子膜を形成
し、次いで単分子膜に対して静電気除去操作を行った後
に、前記単分子膜を基板上に堆積することを特徴とする
ラングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１１】 水面に両親媒性分子の単分子膜を形成
し、静電気除去操作を行いながら、前記単分子膜を基板
上に堆積することを特徴とするラングミュア・ブロジェ
ット膜作成方法。 - 【請求項１２】 水面に両親媒性分子の単分子膜を形成
しながら単分子膜の静電気除去操作を行ない、引き続き
静電気除去操作を行いながら、前記水面の単分子膜を基
板上に堆積することを特徴とするラングミュア・ブロジ
ェット膜作成方法。 - 【請求項１３】 水面に両親媒性分子の単分子膜を形成
し、形成した単分子膜に対して静電気除去操作を行な
い、さらに引き続き静電気除去操作を行いながら、単分
子膜を基板上に堆積することを特徴とするラングミュア
・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１４】 静電気除去操作を連続的、或いは断続
的に行なう、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の
ラングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１５】 静電気除去操作が帯電除去棒または帯
電除去板を利用する請求項９乃至１４のいずれか一項に
記載のラングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１６】 静電気除去操作がイオン放射装置を利
用する請求項９乃至１４のいずれか一項に記載のラング
ミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１７】 静電気除去操作がアルファ線放射装置
を利用する請求項９乃至１４のいずれか一項に記載のラ
ングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１８】 単分子膜を基板上に堆積する方法が、
垂直浸漬法である請求項９乃至１７のいずれか一項に記
載のラングミュア・ブロジェット膜作成方法。 - 【請求項１９】 単分子膜を基板上に堆積する方法が、
水平付着法である請求項９乃至１７のいずれか一項に記
載のラングミュア・ブロジェット膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175391A JP3155289B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ラングミュア・ブロジェット膜作成方法、及び同成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175391A JP3155289B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ラングミュア・ブロジェット膜作成方法、及び同成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310268A JPH04310268A (ja) | 1992-11-02 |
| JP3155289B2 true JP3155289B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=14308999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10175391A Expired - Fee Related JP3155289B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ラングミュア・ブロジェット膜作成方法、及び同成膜装置 |
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