JPS624468A - 単分子膜形成方法 - Google Patents
単分子膜形成方法Info
- Publication number
- JPS624468A JPS624468A JP14260385A JP14260385A JPS624468A JP S624468 A JPS624468 A JP S624468A JP 14260385 A JP14260385 A JP 14260385A JP 14260385 A JP14260385 A JP 14260385A JP S624468 A JPS624468 A JP S624468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- monomolecular film
- layer
- liquid
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｍ層上の利用分野］
本発明はウェブ状基体上又はウェブ状基体に設けられた
層上に両親媒性分子の単分子膜を連続的に形成する方法
に関する。
層上に両親媒性分子の単分子膜を連続的に形成する方法
に関する。
［従来の技會］
従来、ガラス、金ｉ材料、金属蒸着膜、等の基体上に有
機化合物の？ｖＦＡを形成することが種々行われており
、その１つとして両親媒性分子の単分子層を設ける方法
が例えばラングミュア等（ＬａｚＬｇｍｔｉｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇ＠ｔｔ）、’フィジカルレビュー（Ｐｈｙａｌｏ
ａｌ ｕｅｖｉｅｗ）” ｐ５Ｌ６６４（１９，６
７）によって提案されている。この方法は、両親媒性分
子である飽和脂肪敵をベンゼン等のｍ発性溶媒に溶解し
た溶液を水面上に静かに滴下すると、溶媒がｒ４１発し
たあとに単分子族が残される。このようにして形成され
た単分子層を圧縮して所定の表面圧にした後に、ガラス
基板を水中に浸汝して引上げるとガラス表面に単分子膜
が形成さ゛れる。この場合ガラス基板を引き上げると第
４図に示すように単分子膜の水に面している親木基が基
板側に付き、疎水基（又は親油基）・が表面に並ぶ単分
子膜構成となる（人形膜と称する）。またガラス基板を
浸漬すると第５図のように疎水基（又は親油基）が基板
側に付き親木基が表面に並ぶ単分子膜構成となる（Ｂ形
成と称する）。
機化合物の？ｖＦＡを形成することが種々行われており
、その１つとして両親媒性分子の単分子層を設ける方法
が例えばラングミュア等（ＬａｚＬｇｍｔｉｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇ＠ｔｔ）、’フィジカルレビュー（Ｐｈｙａｌｏ
ａｌ ｕｅｖｉｅｗ）” ｐ５Ｌ６６４（１９，６
７）によって提案されている。この方法は、両親媒性分
子である飽和脂肪敵をベンゼン等のｍ発性溶媒に溶解し
た溶液を水面上に静かに滴下すると、溶媒がｒ４１発し
たあとに単分子族が残される。このようにして形成され
た単分子層を圧縮して所定の表面圧にした後に、ガラス
基板を水中に浸汝して引上げるとガラス表面に単分子膜
が形成さ゛れる。この場合ガラス基板を引き上げると第
４図に示すように単分子膜の水に面している親木基が基
板側に付き、疎水基（又は親油基）・が表面に並ぶ単分
子膜構成となる（人形膜と称する）。またガラス基板を
浸漬すると第５図のように疎水基（又は親油基）が基板
側に付き親木基が表面に並ぶ単分子膜構成となる（Ｂ形
成と称する）。
（「薄膜ハンドブックＪ、２６８〜２６９頁９日本学術
振興会編、昭和５８年１２月、（株）オーム社発行）。
振興会編、昭和５８年１２月、（株）オーム社発行）。
このような方法による単分子層が最近エレクトロニクス
等の分野において絶縁層等に利用されるようになり、種
々の改良が提案されている（例えば、特開昭５２−９８
０３８号公報）。
等の分野において絶縁層等に利用されるようになり、種
々の改良が提案されている（例えば、特開昭５２−９８
０３８号公報）。
また、本出願人は、先に蒸着又は電解メッキ等によって
支持体上に強磁性合金薄膜を形成した磁気記録媒体にこ
の方法を利用して飽和脂肪酸またはその金属塩の単分子
層を保護層として設けることを提案した（特公昭５６−
３０６０９号公報）。
支持体上に強磁性合金薄膜を形成した磁気記録媒体にこ
の方法を利用して飽和脂肪酸またはその金属塩の単分子
層を保護層として設けることを提案した（特公昭５６−
３０６０９号公報）。
これらの改良方法においては、例えば第３図に示すよう
に、タンク１の下層液（水層）２の表面にベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶解したステアリン酸、パ
ルミチン酸の如き飽和脂肪酸の溶液を滴下して水面上に
飽和脂肪酸の単分子層を形成させ、水面下に一部が浸漬
しているシリンダー５等の適当な圧縮手段によって単分
子層４を圧縮して固体膜（凝集膜）６となし、水中に設
けられたガイドローラ７によって東向される基体８の表
面に単分子膜９が形成される。この場合、基体の引き上
げ時に単分子膜を形成すればＡ形膜引き込れ時にはＢ形
成が形成される。基体に付着してはこび出される分の単
分子層は、ノズルから脂肪酸溶液を供給することによっ
て補結される。
に、タンク１の下層液（水層）２の表面にベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶解したステアリン酸、パ
ルミチン酸の如き飽和脂肪酸の溶液を滴下して水面上に
飽和脂肪酸の単分子層を形成させ、水面下に一部が浸漬
しているシリンダー５等の適当な圧縮手段によって単分
子層４を圧縮して固体膜（凝集膜）６となし、水中に設
けられたガイドローラ７によって東向される基体８の表
面に単分子膜９が形成される。この場合、基体の引き上
げ時に単分子膜を形成すればＡ形膜引き込れ時にはＢ形
成が形成される。基体に付着してはこび出される分の単
分子層は、ノズルから脂肪酸溶液を供給することによっ
て補結される。
［発明が解決すべき問題点コ
前記技術は下層液（水相）上への固体膜の形成を連続的
に行うという点から、従来のバッチ式に比べて大きな進
歩であるが、工業的生産という観点からみると、例えば
人形膜を作る場合、基体上への単分子膜の転写過程にお
いて、基体の移動速度を非常におそくしなければならな
いと言う欠点がある。すなわち、人形膜を作る場合、基
体の引き上げ速度を速くすると、下層液をも一緒に引き
上げ、これが単分子膜の下に入りこんでしまい、この蒸
発が単分子層に阻害されて非常におそいと共に、完全に
蒸発した後も形成される単分子膜のち密度に欠陥を生じ
させるからである。
に行うという点から、従来のバッチ式に比べて大きな進
歩であるが、工業的生産という観点からみると、例えば
人形膜を作る場合、基体上への単分子膜の転写過程にお
いて、基体の移動速度を非常におそくしなければならな
いと言う欠点がある。すなわち、人形膜を作る場合、基
体の引き上げ速度を速くすると、下層液をも一緒に引き
上げ、これが単分子膜の下に入りこんでしまい、この蒸
発が単分子層に阻害されて非常におそいと共に、完全に
蒸発した後も形成される単分子膜のち密度に欠陥を生じ
させるからである。
さらにまた、これらの従来方式においては、基体を−た
ん下層液に引き入れなければならないので、基体全体が
下層液、例えば水で濡らされることになり、基体の種類
によっては好ましくなく、また、乾燥に手間がかかる等
の問題がある。
ん下層液に引き入れなければならないので、基体全体が
下層液、例えば水で濡らされることになり、基体の種類
によっては好ましくなく、また、乾燥に手間がかかる等
の問題がある。
また、場合によっては基体のバック面にも単分子層が付
着したり、例えば引き上げ法によって人形膜を形成する
場合、基体を水中に引き入れる時にＢ形成が形成される
可能性があるので、これらが生じないよう単分子層の移
行可能な範囲を制限′するために特別な手段を構する必
要がある。
着したり、例えば引き上げ法によって人形膜を形成する
場合、基体を水中に引き入れる時にＢ形成が形成される
可能性があるので、これらが生じないよう単分子層の移
行可能な範囲を制限′するために特別な手段を構する必
要がある。
従って本発明の目的は上記の如き問題を生ずることなく
、高速で単分子膜を基体に形成させる方法を提供するこ
とにある。
、高速で単分子膜を基体に形成させる方法を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、基体を水中に浸漬することなく基
体に単分子膜を形成させる方法を提供することにある。
体に単分子膜を形成させる方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明者らは種々検討を重ねた結果、上記目的はローラ
塗布方式の原理を利用することによって達成できるこぶ
を見出し本発明を得ることができた。
塗布方式の原理を利用することによって達成できるこぶ
を見出し本発明を得ることができた。
すなわち、本発明は、両親媒性分子の単分子膜をウェブ
状基体上に形成する方法において、下層液上に展間され
た固体状単分子膜を、回転軸が水平に設定され、その一
部が上記液中に浸漬された回転ロールにより適量の下層
液と共に引き上げ、前記回転ロールの上方に近接して適
当な小間隙を保ってはぼ水平方向に連続的に走行するウ
ェブ状基体間に液だまりを形成しながら、前記ウェブ状
基体に前記固体単分子膜を転写することを特徴とする単
分子膜形成方法である。
状基体上に形成する方法において、下層液上に展間され
た固体状単分子膜を、回転軸が水平に設定され、その一
部が上記液中に浸漬された回転ロールにより適量の下層
液と共に引き上げ、前記回転ロールの上方に近接して適
当な小間隙を保ってはぼ水平方向に連続的に走行するウ
ェブ状基体間に液だまりを形成しながら、前記ウェブ状
基体に前記固体単分子膜を転写することを特徴とする単
分子膜形成方法である。
以下、本発明を蒸着型磁気記録媒体に保護層を設ける場
合について説明するが、本発明は、これのみに限られず
、エレクトロニクスその他の分野における単分子膜の形
成に応用できることは勿論である。
合について説明するが、本発明は、これのみに限られず
、エレクトロニクスその他の分野における単分子膜の形
成に応用できることは勿論である。
第１図は本発明の１例を示す説明であってタンク１内の
下層液（水層）２にノズル６から両親媒性分子を揮発性
溶媒に溶解した溶液を適下に、下層液面上に両親媒性分
子の単分子層４を形成させる。
下層液（水層）２にノズル６から両親媒性分子を揮発性
溶媒に溶解した溶液を適下に、下層液面上に両親媒性分
子の単分子層４を形成させる。
揮発性溶媒としては、ヘキサン、クロロホルム、ジクロ
ロメタン、ベンゼン等が用いられ、両親媒性分子として
は、保護層として用いる場合は、トリデカン酸、シリス
テン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸
、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸等の炭素数
１６〜２１の直鎖型脂肪酸又は のＬｉ、Ｎａ、、に
、Ｍｇ。
ロメタン、ベンゼン等が用いられ、両親媒性分子として
は、保護層として用いる場合は、トリデカン酸、シリス
テン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸
、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸等の炭素数
１６〜２１の直鎖型脂肪酸又は のＬｉ、Ｎａ、、に
、Ｍｇ。
Ｏａ、Ｂａ等の塩が用いられる。下層液としては一般に
純水または無機塩等の水溶液が用いられる。
純水または無機塩等の水溶液が用いられる。
よく用いられる下層液はＯａ 、Ｏｄ 、Ｂａ 。
Ｍｇ２＋等の二価の金属イオンを含み、塩酸、炭酸水素
ナトリウム等を加えてＰＨを調整したものである。
ナトリウム等を加えてＰＨを調整したものである。
次に、水面上に形成された単分子層を圧縮して塗布域に
導く。このためには、例えばテフロンやポリエチレンの
如き疎水性材料か、パイレックスガラスやアルミニウム
合金の如き材料よりなるシリンダ５を水中に一部浸漬し
、矢印方向に回転させて表面の単努子層４だけを塗布域
に送って圧縮し、固体膜層６を形成させる。
導く。このためには、例えばテフロンやポリエチレンの
如き疎水性材料か、パイレックスガラスやアルミニウム
合金の如き材料よりなるシリンダ５を水中に一部浸漬し
、矢印方向に回転させて表面の単努子層４だけを塗布域
に送って圧縮し、固体膜層６を形成させる。
塗布域には回転ロール１０が回転軸を水平に設定し、そ
の一部が液中に浸漬するように設けられており、またそ
の上方に近接して適当な小間隙を保って、ガイドロール
１１．１２によってウェブ状基体８をほぼ平行に連続的
に走行させる。回転ロール１０は下層液と現用性のある
ステンレス鋼等よりなり、矢印方向に回転させることに
より過員な下層液と共に固体状単分子層６をロール表面
にそって引き上げ、ガイドロール１１．１２にそって回
転ロール１０の上方を近接して移動するウェブ状基体８
との間に液だまりを形成し、下Ｊω液水面より、回転ロ
ール１０上の液面及び前記液だまり表面を介して、固体
単分子膜乙のみが基体８に転写され、基体上に固体単分
子膜９−１を形成する。その際、回転ロール１００表面
速度ｖ１をロール表面の液膜および前記液だまりを維持
できる範囲で低速に保つことが望ましい。又条件によっ
ては、−組成だまりが形成された後は、回転ロール１０
の回転を停止してもロール表面の液膜と液だまりを維持
できる場合もある。以上にのべた本発明の固体単分子膜
の転写プロセスを第６図に示す従来方式と比較すると、
従来方式では固体単分子膜の転写が下層液面上で行われ
ると、ともに、転写部における液だまりのサイズが十分
大きいのに対し、本発明では固体分子膜の転写が回転ロ
ール１０の上方の液だまりで行われるため、液だまり内
部に重力による負圧が作用するほか、液だまりのサイズ
も小さいため、液だまりより下層液が基体に引き上げら
れる傾向が抑制されることになり、これによって高速度
での単分子膜転写が可能になっているものと考えられる
。また、その場合、回転党−ル１０の速度が低いほど上
記抑制効果が大きくなる。
の一部が液中に浸漬するように設けられており、またそ
の上方に近接して適当な小間隙を保って、ガイドロール
１１．１２によってウェブ状基体８をほぼ平行に連続的
に走行させる。回転ロール１０は下層液と現用性のある
ステンレス鋼等よりなり、矢印方向に回転させることに
より過員な下層液と共に固体状単分子層６をロール表面
にそって引き上げ、ガイドロール１１．１２にそって回
転ロール１０の上方を近接して移動するウェブ状基体８
との間に液だまりを形成し、下Ｊω液水面より、回転ロ
ール１０上の液面及び前記液だまり表面を介して、固体
単分子膜乙のみが基体８に転写され、基体上に固体単分
子膜９−１を形成する。その際、回転ロール１００表面
速度ｖ１をロール表面の液膜および前記液だまりを維持
できる範囲で低速に保つことが望ましい。又条件によっ
ては、−組成だまりが形成された後は、回転ロール１０
の回転を停止してもロール表面の液膜と液だまりを維持
できる場合もある。以上にのべた本発明の固体単分子膜
の転写プロセスを第６図に示す従来方式と比較すると、
従来方式では固体単分子膜の転写が下層液面上で行われ
ると、ともに、転写部における液だまりのサイズが十分
大きいのに対し、本発明では固体分子膜の転写が回転ロ
ール１０の上方の液だまりで行われるため、液だまり内
部に重力による負圧が作用するほか、液だまりのサイズ
も小さいため、液だまりより下層液が基体に引き上げら
れる傾向が抑制されることになり、これによって高速度
での単分子膜転写が可能になっているものと考えられる
。また、その場合、回転党−ル１０の速度が低いほど上
記抑制効果が大きくなる。
第１図に例示する態様において、回転ロール１０の径は
５ ｍ ｍ 〜５０ ｍｍ＠Ｋが好ましい。５ｍｍ以下
では高速での転写が困難になり、５Ｑｍｍ以上ではロー
ル表面の液膜及び液だまりの安定な維持が困難になる。
５ ｍ ｍ 〜５０ ｍｍ＠Ｋが好ましい。５ｍｍ以下
では高速での転写が困難になり、５Ｑｍｍ以上ではロー
ル表面の液膜及び液だまりの安定な維持が困難になる。
このように比較的に細い径のり一部を用いる起め、琺体
の巾が広くなり、ロールの長さもこれに応じて長くなる
と、ロールのたわみ、支障を引き起こす場合があるので
、その場合はロールの下にテフロン等のすべり易い素材
でバックアップすることが望ましい。
の巾が広くなり、ロールの長さもこれに応じて長くなる
と、ロールのたわみ、支障を引き起こす場合があるので
、その場合はロールの下にテフロン等のすべり易い素材
でバックアップすることが望ましい。
基体８としては、蒸着テープの場合は、例えばポリエチ
レンテレフタレートフィルムに０ｏ−Ｎｉ系合金を蒸着
した強磁性薄膜を有する蒸着型磁気記録媒体等が用いら
れ、上記の操作により強磁性薄膜上の飽和脂肪酸の単分
子膜よりなる保薩層が形成される。
レンテレフタレートフィルムに０ｏ−Ｎｉ系合金を蒸着
した強磁性薄膜を有する蒸着型磁気記録媒体等が用いら
れ、上記の操作により強磁性薄膜上の飽和脂肪酸の単分
子膜よりなる保薩層が形成される。
本発明で用いられる基体としては、上記のものに限定さ
れず、他のタイプの回磁性薄膜、例えば電解メッキ、又
は無電解メッキ等によって形成された＃涙を有する磁気
記録媒体であってもよく、さらに磁気記録媒体のみなら
ず、他の材料であってもよい。
れず、他のタイプの回磁性薄膜、例えば電解メッキ、又
は無電解メッキ等によって形成された＃涙を有する磁気
記録媒体であってもよく、さらに磁気記録媒体のみなら
ず、他の材料であってもよい。
また、所望によっては、塗布域において加熱手段を用い
、単分子層の溶剤を蒸発させ固体単分子）１シが形成さ
れるのを助けることができる。
、単分子層の溶剤を蒸発させ固体単分子）１シが形成さ
れるのを助けることができる。
さらに、上記の操作をくり返すことにより所望類の単分
子層からなる重層を形成させることができる。
子層からなる重層を形成させることができる。
また、回転ローラの速さを増すと、下層液面上の単分子
層を圧縮することができるので、場合によってはシリン
ダー５等の他の圧縮用部材をはふくことができる。
層を圧縮することができるので、場合によってはシリン
ダー５等の他の圧縮用部材をはふくことができる。
なお、回転ロール１０の径はできる限り小さい方がよく
、例えばベース（基体）巾が５０〜１１００ａの場合ロ
ールの径は１５〜２５ｃｍ程度が好ましい。
、例えばベース（基体）巾が５０〜１１００ａの場合ロ
ールの径は１５〜２５ｃｍ程度が好ましい。
上記第１図の場合は、基体に付着する単分子膜の極基体
が人形膜（第４図）の場合であったが、第２図のように
第２回転ロール１１の回転を逆にし、基体８の走行方向
を矢印方向にすると、Ｂ形層（第５図）を形成させるこ
とができる。この場合は液だまりから基体が離れる部分
において、基体と第１回転ロールが同一方向に進むため
、第１図の場合と事情が大いに異ってくる。即ち第２図
において基体８への下層液の転写を抑制するために、回
転ロールの表面速度ηは同ロール上の液膜が乱れない限
り高速にすることが望ましい。
が人形膜（第４図）の場合であったが、第２図のように
第２回転ロール１１の回転を逆にし、基体８の走行方向
を矢印方向にすると、Ｂ形層（第５図）を形成させるこ
とができる。この場合は液だまりから基体が離れる部分
において、基体と第１回転ロールが同一方向に進むため
、第１図の場合と事情が大いに異ってくる。即ち第２図
において基体８への下層液の転写を抑制するために、回
転ロールの表面速度ηは同ロール上の液膜が乱れない限
り高速にすることが望ましい。
一方向ロールの径は第１図の場合と異り、高い表面速度
を安定に得るために５０ｍ１ｏ〜２００ｍｍ程度の比較
的大径が望ましい。
を安定に得るために５０ｍ１ｏ〜２００ｍｍ程度の比較
的大径が望ましい。
［実施例コ
次に本発明を蒸着磁気テープに保護層を設ける場合に適
用した実施例について説明する。
用した実施例について説明する。
真空蒸着装置中に２５μｍ厚５Ｑａｍ巾のポリエチレン
テレフタレートフィルムを設置し、ｃ。
テレフタレートフィルムを設置し、ｃ。
７５重意外、Ｎｉ２５重量饅の組成のものを蒸発源フィ
ラメントより真空度５．０＋１０ Ｔｏｒｒ中で該フ
ィルム上に０．６μｍの厚さとなるように蒸着せしめた
。
ラメントより真空度５．０＋１０ Ｔｏｒｒ中で該フ
ィルム上に０．６μｍの厚さとなるように蒸着せしめた
。
第１図に示すような装置のタンク１の水面上にベンゼン
１０００Ｇあたり０．００５ ｇのバルミチン酸を溶解
した溶液を滴下し単分子層を形成させ、テフロン製のシ
リンダ５により圧縮して固体単分子層とした。
１０００Ｇあたり０．００５ ｇのバルミチン酸を溶解
した溶液を滴下し単分子層を形成させ、テフロン製のシ
リンダ５により圧縮して固体単分子層とした。
回転ロール１０は径約２００Ｉ！Ｉのステンレススチー
ル製ロールを用い、上記蒸着フィルムをガイドロール１
１．１２によって回転ロール１０上を少量かくを保って
連続的に走行させ両者間に液だ重り （ビード）を作っ
て単分子膜を水面からフィルム面に転写させてパルミチ
ン酸の単分子膜からなる保護層を連続的に形成させた。
ル製ロールを用い、上記蒸着フィルムをガイドロール１
１．１２によって回転ロール１０上を少量かくを保って
連続的に走行させ両者間に液だ重り （ビード）を作っ
て単分子膜を水面からフィルム面に転写させてパルミチ
ン酸の単分子膜からなる保護層を連続的に形成させた。
この場合、回転ロールの回転数ｖ１は１０ｒ、ｐ、ｒｎ
、でテープの走行速度は６．３ｒｎ／ｗｉｎで良好な保
護層を形成させることができる。
、でテープの走行速度は６．３ｒｎ／ｗｉｎで良好な保
護層を形成させることができる。
［発明の効果コ
本発明によるときは、ラングミュア法を利用して下層液
を随伴することなく、高速で基体に単分子膜を形成させ
ることができ、また単分子膜の形成を基体を水中に引き
入れることな（行うので、基体が水に濡れたり、基体の
バック層に単分子層が付着する等の現象を生ずることな
く所望の単分子膜を形成することができる。
を随伴することなく、高速で基体に単分子膜を形成させ
ることができ、また単分子膜の形成を基体を水中に引き
入れることな（行うので、基体が水に濡れたり、基体の
バック層に単分子層が付着する等の現象を生ずることな
く所望の単分子膜を形成することができる。
第１図は本発明の単分子膜形成方法の一態様を示す説明
図、 第２ＦＡは本拠明の他の態様を示す説明図、第３図は従
来の単分子膜形成方法の一態様を示す説明図、 第４図及び９Ｎ５図は単分子膜形成の原理を示す説明図
である。 ２・・下層液 ６・・ノズル ４・・単分子膜 ５・・シリンダ ６・・画体単分子膜 ８・・基 体 ９．９−１・・単分子膜 １０・・回転ロール 第 １ 図 第２図 第 ３ 図
図、 第２ＦＡは本拠明の他の態様を示す説明図、第３図は従
来の単分子膜形成方法の一態様を示す説明図、 第４図及び９Ｎ５図は単分子膜形成の原理を示す説明図
である。 ２・・下層液 ６・・ノズル ４・・単分子膜 ５・・シリンダ ６・・画体単分子膜 ８・・基 体 ９．９−１・・単分子膜 １０・・回転ロール 第 １ 図 第２図 第 ３ 図
Claims (3)
- （１）両親媒性分子の単分子膜をウェブ状基体上に形成
する方法において、下層液上に展間された固体状単分子
膜を、回転軸が水平に設定され、その一部が上記液中に
浸漬された回転ロールにより適量の下層液と共に引き上
げ、前記回転ロールの上方に近接して適当な小間隙を保
つてほぼ水平方向に連続的に走行するウェブ状基体間に
液だまりを形成しながら、前記ウェブ状基体に前記固体
単分子膜を転写することを特徴とする単分子膜形成方法
。 - （２）液だまりが形成される部分において、回転ロール
とウェブ状基体が反対方向に進行する特許請求の範囲第
（１）項に記載の単分子膜形成方法。 - （３）液だまりが形成される部分において、回転ロール
とウェブ基体が同一方向に進行する特許請求の範囲第（
１）項に記載の単分子膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14260385A JPS624468A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 単分子膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14260385A JPS624468A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 単分子膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624468A true JPS624468A (ja) | 1987-01-10 |
| JPH0563231B2 JPH0563231B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=15319153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14260385A Granted JPS624468A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 単分子膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624468A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4909527A (en) * | 1987-09-02 | 1990-03-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Steering system with kickback control arrangement |
| WO1998053920A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Gilles Picard | Method and apparatus for the preparation of monolayers of particles or molecules |
| WO2001089717A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-05-30 | Nano World Projects Corp | System for the preparation of monolayers of particles or molecules |
| WO2001089716A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-05-30 | Nano World Projects Corp | Process for the preparation of monolayers of particles or molecules |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP14260385A patent/JPS624468A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4909527A (en) * | 1987-09-02 | 1990-03-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Steering system with kickback control arrangement |
| WO1998053920A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Gilles Picard | Method and apparatus for the preparation of monolayers of particles or molecules |
| US6284310B2 (en) * | 1997-05-30 | 2001-09-04 | Nano World Projects Corporation | Method and apparatus for the preparation of monolayers of particles or molecules |
| WO2001089717A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-05-30 | Nano World Projects Corp | System for the preparation of monolayers of particles or molecules |
| WO2001089716A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-05-30 | Nano World Projects Corp | Process for the preparation of monolayers of particles or molecules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563231B2 (ja) | 1993-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9673399B2 (en) | Floating evaporative assembly of aligned carbon nanotubes | |
| EP1551066A1 (en) | Material with pattern surface for use as template and process for producing the same | |
| US4798740A (en) | Polymerizable film and pattern forming method by use thereof | |
| JPS624468A (ja) | 単分子膜形成方法 | |
| JPS6211575A (ja) | 単分子膜形成方法 | |
| JP2972858B2 (ja) | 含硫黄有機分子自己組織化膜の動的接触角の測定方法 | |
| JPS61287474A (ja) | 単分子膜の形成方法 | |
| JPH0576357B2 (ja) | ||
| JPS6227076A (ja) | 単分子膜形成方法 | |
| JPS6227077A (ja) | 固体状単分子膜形成方法 | |
| Wakayama et al. | Direct Observation of Ordered Bilayers in Cast Films of Double-Chain Ammonium Amphiphiles by Transmission Electron Microscopy. | |
| JPS63158128A (ja) | 親水性薄膜の作成方法 | |
| JPH0675194B2 (ja) | 重合性薄膜 | |
| JP3219427B2 (ja) | 有機膜作成方法 | |
| JPH02152573A (ja) | 有機薄膜の形成装置および形成方法 | |
| JPS62229246A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0557227A (ja) | 有機薄膜の作製方法 | |
| JPS62277147A (ja) | 薄膜の製法 | |
| JPH0121534B2 (ja) | ||
| JPH1170358A (ja) | 配向制御又は構造制御された有機薄膜の製造方法 | |
| JPS609924Y2 (ja) | レコ−ド | |
| JPH02191573A (ja) | Ｌｂ膜作製方法 | |
| JPS61143190A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS59149931A (ja) | 金属薄膜の製造方法 | |
| JPS63229172A (ja) | 液体表面上での単分子膜形成方法及び固体基板上への単分子膜の単層又は多層累積装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |