JP3266771B2 - 進行波管用遅波回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、進行波管用遅波
回路の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は「マイクロ波工学の基礎」（牧
本、松尾著：広川書店）の図１１．１に示された従来の
進行波管を示す概略構成図である。図１２に示されるよ
うに、進行波管は、電子を放射する電子銃及び電波と電
子流の相互作用を行わせる部分とからなり、陰極１から
放出される電子流は、加速電極２によって一定速度に加
速された後、図示しない永久磁石又は集束コイルによっ
て集束され、細い電子ビームになってスパイラル状の線
路を有する遅波回路４の中心を通過してコレクタ３に向
かう。一方、入力導波管５からの高周波信号は遅波回路
４に入り、スパイラル上を進んで行く。そこで、スパイ
ラル上を進む高周波信号とスパイラルの中心を通る電子
流との間には相互作用が生じる。なお、６は出力導波管
である。

【０００３】ここで、上記遅波回路４は、図１３に示す
構造となっている。図１３において、７はスパイラル状
の遅波線路、８は支持体、９は真空容器を示し、該真空
容器９内に上記遅波線路７と上記支持体８とを圧入で挿
入して固定することにより、支持体８により遅波線路７
を真空容器９内の中心軸上に位置するようにしている。

【０００４】上記の如く構成された進行波管の基本原理
は、スパイラル状の遅波線路７上の高周波の速度とスパ
イラル状の遅波線路７中を通る電子ビームの速度をほぼ
同じにすることにより、相互作用を繰り返しながらエネ
ルギー増幅を行うものである。遅波線路７を流れる高周
波は、出力部周辺で大きくなり、出力導波管６から外部
に取り出される。

【０００５】このとき、出力部周辺での遅波線路７は、
出力高周波と遅波線路７中を通過する電子ビームの一部
の衝突によるエネルギーにより発熱し高温となって、出
力低下や真空容器９の管内真空度の低下を引き起こす。
遅波線路７を支える支持体８は、遅波線路７の支持固定
と共に、遅波線路７の熱を伝導で真空容器９に逃がす働
きを持つもので、遅波線路７と支持体８は、圧入によっ
て真空容器９内に挿入固定され、該真空容器９内壁との
接触面積を大きくして、熱伝導による放熱効率を高くし
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の遅波回路４は、遅波線路７に接着剤等を用いて支持
体８を固定し組み立てた状態で真空容器９内に圧入し、
その後、接着剤を除去して回路を構成するが、圧入後、
常温では、支持体８は、真空容器９内壁との密着性がよ
く接触面積を大きく取ることができ、従って、熱源であ
る金属でなる遅波線路７からの熱伝導による放熱効率が
高いが、上記支持体８はＡｌ₂０₃、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｂｅ
Ｏ等の誘電体でなるのに対し、上記真空容器９はＦｅま
たはＣｕＮｉでなり、熱膨張係数が支持体８よりも大き
く、従って、高温時には熱膨張係数の差異によって支持
体８と真空容器９内壁との密着性が悪くなり接触面積を
大きく取ることができなく、従って、この影響で遅波線
路７と支持体８及び支持体８と真空容器９内壁との接触
状態にばらつきが生じ熱伝導の不均一が生じる。特に、
この状態が出力部で生じると、局所的な高温化が進み、
出力低下や真空容器９の管内真空度の低下が起こる等の
問題点があった。

【０００７】この発明は上述した従来例に係る問題点を
解決するためになされたもので、熱源である遅波線路か
らの熱伝導に不均一が生じることなく放熱効率を高める
ことができる構造の進行波管用遅波回路を得ることを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る進行波管
用遅波回路は、真空容器と、この真空容器内で陰極から
放出されてコレクタに向かう電子流の進行速度に対して
高周波電界の進行速度を遅延させるための遅波線路と、
この遅波線路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波
線路を真空容器内に支持固定するための複数の支持体と
からなる進行波管用遅波回路において、上記遅波線路と
上記支持体とを金属層を介して接合し、上記遅波線路
は、該遅波線路の軸線方向に沿って配列される複数のリ
ング部を連結部によって連結して一体化されたリングア
ンドループでなることを特徴とするものである。

【０００９】

【００１０】また、この発明に係る進行波管用遅波回路
は、真空容器と、この真空容器内で陰極から放出されて
コレクタに向かう電子流の進行速度に対して高周波電界
の進行速度を遅延させるための遅波線路と、この遅波線
路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波線路を真空
容器内に支持固定するための複数の支持体とからなる進
行波管用遅波回路において、上記遅波線路と上記支持体
とを金属層を介して接合し、上記遅波線路は、該遅波線
路の軸線方向に沿って配列される複数枚のリング状の金
属板を有し、かつこれら金属板は、複数の支持体のうち
いずれか１つの支持体の表面上に軸線方向に沿って形成
された金属層を介して連結されることを特徴とするもの
である。

【００１１】また、この発明に係る進行波管用遅波回路
は、真空容器と、この真空容器内で陰極から放出されて
コレクタに向かう電子流の進行速度に対して高周波電界
の進行速度を遅延させるための遅波線路と、この遅波線
路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波線路を真空
容器内に支持固定するための複数の支持体とからなる進
行波管用遅波回路において、上記遅波線路と上記支持体
とを金属層を介して接合し、上記遅波線路は、該遅波線
路の軸線方向に沿って配列される複数枚のリング状の金
属板を有し、かつこれら金属板は、各支持体上に所定間
隔隔ててそれぞれ形成され、かつ上記金属板を介して他
の支持体上に設けた金属層と軸線方向に沿ってヘリカル
状に連結された金属層を介して連結されることを特徴と
するものである。

【００１２】また、上記遅波線路は、該遅波線路と接す
る上記支持体の表面上の領域に形成された金属層を介し
て支持体と接合されることを特徴とするものである。

【００１３】また、上記支持体は、上記遅波線路のピッ
チ間隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、か
つ上記金属層は、これら溝の底部に形成されて上記遅波
線路と上記支持体とを接合することを特徴とするもので
ある。

【００１４】また、上記支持体は、上記遅波線路のピッ
チ間隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、か
つ上記金属層は、溝と溝との間の支持体表面に形成され
て上記遅波線路と上記支持体とを接合することを特徴と
するものである。

【００１５】また、上記支持体は、上記遅波線路のピッ
チ間隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、か
つ上記金属層は、溝及び支持体表面の全面に亙って形成
されて上記遅波線路と上記支持体とを接合することを特
徴とするものである。

【００１６】また、上記遅波線路は、その外周面全体に
上記金属層が形成されて上記支持体と接合されることを
特徴とするものである。

【００１７】また、上記支持体と上記真空容器とを上記
金属層を介して接合することを特徴とするものである。

【００１８】さらに、上記金属層は、Ｃｕ−Ｔｉ−Ａ
ｌ、Ｃｕ−Ｔｉ−Ａｕ、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｎｉ
−Ｔｉ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｖ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｍｏ、Ａｇ−Ｃ
ｕ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎのいず
れかのろう付け機能を有する金属の組み合わせであるこ
とを特徴とするものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１と図２はこの発明の実施の形態１に
係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波線
路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路の
軸線方向に沿った部分断面図と遅波線路の全体像を示す
概略構成図である。この実施の形態１に係る進行波管用
遅波回路は、図１３に示す従来例と基本的に同様な構造
を有するが、遅波線路７としては、図２に示すように、
遅波線路７の軸線方向に沿って配列される複数のリング
部７ａを連結部７ｂによって連結して一体化されたリン
グアンドループでなり、この遅波線路７と接する支持体
８の表面上の該遅波線路７と接する領域のみにＡｕ−Ｎ
ｉ−Ｔｉからなる金属層１０が形成されている。

【００２０】ここで、金属層１０の形成においては、Ａ
ｕ−Ｎｉ−Ｔｉの他に、Ｃｕ−Ｔｉ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｔｉ
−Ａｕ、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｖ、Ａｕ−Ｎ
ｉ−Ｍｏ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｎ、Ａｇ
−Ｃｕ−Ｓｎのいずれかのろう付け機能を有する金属の
組み合わせであっても構わない。これらの金属の組み合
わせは、一般的に活性化ろう材として作用するものであ
るから、金属層１０の形式によってろう材を用いた場合
と同様の効果が得られる。

【００２１】また、金属層１０はリングアンドループで
なる遅波線路７と支持体８とを接合するものであること
から、接合が容易な金属であれば上記以外の他の金属で
も構わない。さらに、金属層１０の形成においては、支
持体８上にメタライズ等が形成されていても良い。

【００２２】金属層１０が形成されている支持体８とリ
ングアンドループでなる遅波線路７の組み立ては、リン
グアンドループの同芯を確保しかつ支持体８が移動しな
いように両者を図示しない治具により保持し、金属層１
０の融点まで温度を上げることにより、このとき、金属
層１０が溶け、金属層１０がろう材的な作用をすること
により、支持体８とリングアンドループでなる遅波線路
７とを接合させることができる。

【００２３】従って、この実施の形態１によれば、熱源
である遅波線路７からの放熱経路を、これまでの圧入に
よる接触からの放熱経路から金属層１０を介しての放熱
経路に変えるので、従来より安定した熱伝導の特性を持
つとともに、その金属層１０により遅波線路７と支持体
８とが一体化なることから作業性も良くなる。

【００２４】実施の形態２．次に、図３は実施の形態２
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
２においては、図３に示すように、支持体８には、実施
の形態１と同様なリングアンドループでなる遅波線路７
のピッチ間隔と同じ間隔隔てて複数の溝１１が形成され
ており、また、金属層１０が、これら溝１１の底部に形
成されて、遅波線路７と支持体８とを接合するようにな
されている。

【００２５】この実施の形態２によれば、支持体８の溝
１１底部に形成した金属層１０により遅波線路７と支持
体８とを接合するので、その接合状態を機械的に一層強
化することができると共に、熱源である遅波線路７から
の放熱経路を、これまでの圧入による接触からの放熱経
路から金属層１０を介しての放熱経路に変えるので、従
来より安定した熱伝導の特性を持つ。

【００２６】実施の形態３．次に、図４は実施の形態３
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
３においては、図４に示すように、支持体８には、実施
の形態２と同様にして、リングアンドループでなる遅波
線路７のピッチ間隔と同じ間隔隔てて複数の溝１１が形
成されているが、金属層１０は、溝１１間の支持体８表
面上にのみ形成されていて、その金属層１０により遅波
線路７と支持体８とを接合するようになされており、実
施の形態１と同様な効果を有する。

【００２７】実施の形態４．次に、図５は実施の形態４
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
４において、遅波線路７としては、図５に示すように、
図２に示す実施の形態１に係る遅波線路７のリング部７
ａに相当する複数枚のリング状の金属板１２のみが備え
られており、これらの金属板１２は、遅波線路の軸線方
向に沿って配列され、金属層１０を介して支持体８と連
結され、かつ該支持体８に接合される。

【００２８】ここで、上記金属層１０は、複数の支持体
８のうちいずれか１つの支持体８の少なくとも上記金属
板１２と接する表面上に軸線方向に沿って形成されて、
各金属板１２を連結するようになされており、進行波管
の機能を果たすための遅波回路の製造を容易にすること
ができると共に、熱源である遅波線路７からの放熱経路
を、これまでの圧入による接触からの放熱経路から金属
層１０を介しての放熱経路に変えるので、従来より安定
した熱伝導の特性を持つとともに、その金属層１０によ
り遅波線路７と支持体８とを一体化することができる。

【００２９】実施の形態５．次に、図６は実施の形態５
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
５においては、複数の支持体８のうちいずれか１つの支
持体８にのみに、実施の形態２と同様にして、遅波線路
７を構成する金属板１２のピッチ間隔と同じ間隔隔てて
複数の溝１１が形成されていて、金属層１０は、この支
持体８の溝１１の底部及び側面の全周を含み支持体８表
面上に形成されていて、その金属層１０により、金属板
間を連結すると共に、遅波線路７と支持体８とを接合す
るようになされており、実施の形態４と同様な効果を有
する。

【００３０】実施の形態６．次に、図７は実施の形態６
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
６において、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、遅延線
路を構成するリング状の金属板１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
は、遅波線路の軸線方向に沿って隣接して配列される金
属板であるが、図３に示す従来例と同様に、３つの支持
体８ａ、８ｂ、８ｃによって真空容器内に支持されてい
るものとする。

【００３１】この場合、支持体上に金属板を接合させる
金属層としては、支持体８ａ上に隣接して配列される金
属板１２ａと１２ｂの間に金属層１０ａが形成されて、
この金属層１０ａにより金属板１２ａと１２ｂとが連結
され、かつ支持体８ａに接合され、同様に、支持体８ｂ
上に隣接して配列される金属板１２ｂと１２ｃとの間に
金属層１０ｂが形成されて、金属板１２ｂと１２ｃを連
結するとともに、これら金属板１２ｂと１２ｃを支持体
８ｂ上に接合させ、支持体８ｃ上に隣接して配列される
金属板１２ｃと１２ｄ（図示せず）との間に金属層１０
ｃが形成されて、金属板１２ｃと１２ｄを連結するとと
もに、これら金属板１２ｃと１２ｄを支持体８ｃ上に接
合させるようになされ、このような繰り返しによって隣
接する金属板間の連結と支持体との接合がなされてい
る。

【００３２】すなわち、金属層は、各支持体上に所定間
隔隔ててそれぞれ形成され、かつ上記金属板を介して他
の支持体上に設けた金属層と軸線方向に沿ってヘリカル
状に連結されて各金属板を連結し、かつ支持体に接合す
るようになされており、熱源である遅波線路７からの放
熱経路を、これまでの圧入による接触からの放熱経路か
ら金属層１０を介しての放熱経路に変え、従来より安定
した熱伝導の特性を持つとともに、その金属層１０によ
り遅波線路７と支持体８とが一体化なることから作業性
も良くなる。

【００３３】実施の形態７．次に、図８は実施の形態７
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
７は、図７に示す実施の形態６の構成に加えて、さらに
図８に示すように、実施の形態１と同様に、図７に示す
支持体８ａ〜８ｃを総称する支持体８の表面上の遅波線
路を構成する各金属板１２ａ〜１２ｃと接する領域のみ
に金属層１０ｄを形成して、各金属板１２ａ〜１２ｃと
支持体８との接合領域を増加させることにより、熱源で
ある遅波線路７からの放熱経路を増やしてさらに安定し
た熱伝導の特性を持つようにしたものである。

【００３４】実施の形態８．次に、図９は実施の形態８
に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅波
線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回路
の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形態
８は、図８に示す実施の形態７の変形例を示すもので、
図９に示すように、図７に示す支持体８ａ〜８ｃを総称
する支持体８の表面上の遅波線路を構成する各金属板１
２ａ〜１２ｃと接する領域のみに、すなわち、実施の形
態２と同様に、支持体８に、遅波線路を構成する金属板
１２ａ〜１２ｃのピッチ間隔と同じ間隔隔てて複数の溝
１１を形成し、これら溝１１の底部に金属層１０ｄを形
成することにより、遅波線路を構成する金属板と支持体
８とを接合するようになされている。このようにするこ
とにより、各金属板１２ａ〜１２ｃと支持体８との接合
領域を増加させることにより、熱源である遅波線路７か
らの放熱経路を増やしてさらに安定した熱伝導の特性を
持つことができる。

【００３５】実施の形態９．次に、図１０は実施の形態
９に係る進行波管遅波回路を説明するためのもので、遅
波線路と支持体との接合部分のみを主として示す遅波回
路の軸線方向に沿った部分断面図である。この実施の形
態９は、図７に示す実施の形態６の変形例を示すもの
で、図１０に示すように、図７に示す支持体８ａ〜８ｃ
を総称する支持体８の表面上の遅波線路を構成する各金
属板１２ａ〜１２ｃと接する領域のみに、すなわち、実
施の形態３と同様に、支持体８に、遅波線路を構成する
金属板１２ａ〜１２ｃのピッチ間隔と同じ間隔隔てて複
数の溝１１を形成し、これら溝１１間の支持体８表面上
にのみ金属層１０ｄを形成して、その金属層１０により
遅波線路７と支持体８とを接合するようになされてお
り、実施の形態８と同様な効果を有する。

【００３６】実施の形態１０．上述した実施の形態１〜
９は、金属層１０の形成が支持体８で行われている場合
については述べたものであるが、この実施の形態１０で
は、遅波線路側に金属層１０が形成される場合を示す。
すなわち、図１１は遅波線路７として用いるリングアン
ドループの支持体８と接するリング部７ａの外周面また
は遅波線路７として用いる金属板１２の外周面に金属層
１０を形成したものである。

【００３７】このように、リング部７ａまたは金属板１
２の外周面に金属層１０を形成することにより、該金属
層１０により遅波線路７と支持体８とを接合することが
でき、熱源である遅波線路７からの放熱経路を形成する
ことができる。

【００３８】また、実施の形態１〜９による金属層１０
に、さらにこの実施の形態１０による金属層１０の形成
を加えることにより、支持体８との接合領域を増加させ
ることにより、熱源である遅波線路７からの放熱経路を
増やしてさらに安定した熱伝導の特性を持つことができ
る。

【００３９】さらに、上記各実施の形態に加えて、支持
体８と真空容器９との間に、同様な金属層１０を形成し
て接合することにより、安定した熱伝導が維持できる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、遅波
線路と支持体とを金属層を介して接合するようにしたの
で、これまでの接合（接触）状態の不均一からの局所的
な高温化現象がなくなり、放熱効率を高めて安定した熱
伝導が維持できると共に、遅波線路と支持体とが金属層
を介して一体化されることから、作業性の向上にもつな
がるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係る進行波管用遅
波回路を説明するためのもので、遅波線路と支持体との
接合部分のみを主として示す遅波回路の軸線方向に沿っ
た部分断面図である。

【図２】 図１で用いた遅波線路の全体像を示す概略構
成図である。

【図３】 この発明の実施の形態２に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図４】 この発明の実施の形態３に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図５】 この発明の実施の形態４に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図６】 この発明の実施の形態５に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図７】 この発明の実施の形態６に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態７に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図９】 この発明の実施の形態８に係る進行波管用遅
波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主として
示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態９に係る進行波管用
遅波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主とし
て示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態１０に係る進行波管
用遅波回路の遅波線路と支持体との接合部分のみを主と
して示す軸線方向に沿った部分断面図である。

【図１２】 通常の進行波管を示す概略構成図である。

【図１３】 図１２における従来の遅波線路を示す構造
図である。

【符号の説明】

７ 遅波線路、７ａ リング部、７ｂ 連結部、８、８
ａ〜８ｃ 支持体、９ 真空容器、１０、１０ａ〜１０
ｄ 金属層、１１ 溝、１２、１２ａ〜１２ｃ 金属
板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−71536（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−21044（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−276533（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−311542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−91349（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−105440（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−32464（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−156356（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 23/26

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器と、この真空容器内で陰極から
   放出されてコレクタに向かう電子流の進行速度に対して
   高周波電界の進行速度を遅延させるための遅波線路と、
   この遅波線路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波
   線路を真空容器内に支持固定するための複数の支持体と
   からなる進行波管用遅波回路において、上記遅波線路と
   上記支持体とを金属層を介して接合し、上記遅波線路
   は、該遅波線路の軸線方向に沿って配列される複数のリ
   ング部を連結部によって連結して一体化されたリングア
   ンドループでなることを特徴とする進行波管用遅波回
   路。
2. 【請求項２】 真空容器と、この真空容器内で陰極から
   放出されてコレクタに向かう電子流の進行速度に対して
   高周波電界の進行速度を遅延させるための遅波線路と、
   この遅波線路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波
   線路を真空容器内に支持固定するための複数の支持体と
   からなる進行波管用遅波回路において、上記遅波線路と
   上記支持体とを金属層を介して接合し、上記遅波線路
   は、該遅波線路の軸線方向に沿って配列される複数枚の
   リング状の金属板を有し、かつこれら金属板は、複数の
   支持体のうちいずれか１つの支持体の表面上に軸線方向
   に沿って形成された金属層を介して連結されることを特
   徴とする進行波管用遅波回路。
3. 【請求項３】 真空容器と、この真空容器内で陰極から
   放出されてコレクタに向かう電子流の進行速度に対して
   高周波電界の進行速度を遅延させるための遅波線路と、
   この遅波線路の軸線方向に沿って設けられ、かつ該遅波
   線路を真空容器内に支持固定するための複数の支持体と
   からなる進行波管用遅波回路において、上記遅波線路と
   上記支持体とを金属層を介して接合し、上記遅波線路
   は、該遅波線路の軸線方向に沿って配列される複数枚の
   リング状の金属板を有し、かつこれら金属板は、各支持
   体上に所定間隔隔ててそれぞれ形成され、かつ上記金属
   板を介して他の支持体上に設けた金属層と軸線方向に沿
   ってヘリカル状に連結された金属層を介して連結される
   ことを特徴とする進行波管用遅波回路。
4. 【請求項４】 上記遅波線路は、該遅波線路と接する上
   記支持体の表面上の領域に形成された金属層を介して支
   持体と接合されることを特徴とする請求項１ないし３の
   いずれかに記載の進行波管用遅波回路。
5. 【請求項５】 上記支持体は、上記遅波線路のピッチ間
   隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、かつ上
   記金属層は、これら溝の底部に形成されて上記遅波線路
   と上記支持体とを接合することを特徴とする請求項１な
   いし４のいずれかに記載の進行波管用遅波回路。
6. 【請求項６】 上記支持体は、上記遅波線路のピッチ間
   隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、かつ上
   記金属層は、溝と溝との間の支持体表面に形成されて上
   記遅波線路と上記支持体とを接合することを特徴とする
   請求項１ないし４のいずれかに記載の進行波管用遅波回
   路。
7. 【請求項７】 上記支持体は、上記遅波線路のピッチ間
   隔と同じ間隔隔てて形成された複数の溝を有し、かつ上
   記金属層は、溝及び支持体表面の全面に亙って形成され
   て上記遅波線路と上記支持体とを接合することを特徴と
   する請求項２記載の進行波管用遅波回路。
8. 【請求項８】 上記遅波線路は、その外周面全体に上記
   金属層が形成されて上記支持体と接合されることを特徴
   とする請求項１ないし７のいずれかに記載の進行波管用
   遅波回路。
9. 【請求項９】 上記支持体と上記真空容器とを上記金属
   層を介して接合することを特徴とする請求項１ないし８
   のいずれかに記載の進行波管用遅波回路。
10. 【請求項１０】 上記金属層は、Ｃｕ−Ｔｉ−Ａｌ、Ｃ
    ｕ−Ｔｉ−Ａｕ、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｔ
    ｉ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｖ、Ａｕ−Ｎｉ−Ｍｏ、Ａｇ−Ｃｕ−
    Ｔｉ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎのいずれか
    のろう付け機能を有する金属の組み合わせであることを
    特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の進行波
    管用遅波回路。