JP3265244B2 - 接着剤及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤及び半導体
装置に関し、更に詳しくは、半導体素子を支持部材（特
に、銅リードフレーム）に接着してなる半導体装置がリ
フロー炉を通して基板上に実装されるとき、パッケージ
クラックが起こらないような接着剤及びその接着剤を用
いて製造される信頼性の高い半導体装置に関する。
装置に関し、更に詳しくは、半導体素子を支持部材（特
に、銅リードフレーム）に接着してなる半導体装置がリ
フロー炉を通して基板上に実装されるとき、パッケージ
クラックが起こらないような接着剤及びその接着剤を用
いて製造される信頼性の高い半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する際、半導体素子と
リードフレーム（支持部材）の接着方法としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料に銀粉等を分散
させてペースト状態とし、これを接着剤とする方法が主
に用いられている。この方法では、一般に、銀ペースト
をディスペンサーやスタンピングマシンを用いてリード
フレームに塗布した後、半導体素子を圧着し、加熱硬化
して、半導体素子とリードフレームとを接着する。ま
た、リードフレームの材質は、従来、鉄−ニッケルの合
金である４２アロイが用いられてきた。しかし、リード
フレームの熱・電気伝導性、配線基板との密着性等の点
から、最近は材質が銅合金である銅リードフレームの使
用の割合が大きくなってきている。
リードフレーム（支持部材）の接着方法としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料に銀粉等を分散
させてペースト状態とし、これを接着剤とする方法が主
に用いられている。この方法では、一般に、銀ペースト
をディスペンサーやスタンピングマシンを用いてリード
フレームに塗布した後、半導体素子を圧着し、加熱硬化
して、半導体素子とリードフレームとを接着する。ま
た、リードフレームの材質は、従来、鉄−ニッケルの合
金である４２アロイが用いられてきた。しかし、リード
フレームの熱・電気伝導性、配線基板との密着性等の点
から、最近は材質が銅合金である銅リードフレームの使
用の割合が大きくなってきている。
【０００３】更に、高密度、高効率実装のため、半導体
装置の実装方法は、半導体装置のリードを基板に直接半
田付けする表面実装が主流となっている。この表面実装
には、基板全体を赤外線などで加熱するリフローソルダ
リングが用いられ、パッケージは２００℃以上の高温に
加熱される。この時、パッケージの内部、特に接着剤層
中に水分が存在すると、この水分が気化してダイパッド
と封止材の間に回り込み、パッケージにクラック（リフ
ロークラック）が発生する。特に銅リードフレームで
は、４２アロイフレームに比べリフロークラックの発生
率が高く、このリフロークラックは半導体装置の信頼性
を著しく低下させるため、深刻な問題・技術課題となっ
ている。
装置の実装方法は、半導体装置のリードを基板に直接半
田付けする表面実装が主流となっている。この表面実装
には、基板全体を赤外線などで加熱するリフローソルダ
リングが用いられ、パッケージは２００℃以上の高温に
加熱される。この時、パッケージの内部、特に接着剤層
中に水分が存在すると、この水分が気化してダイパッド
と封止材の間に回り込み、パッケージにクラック（リフ
ロークラック）が発生する。特に銅リードフレームで
は、４２アロイフレームに比べリフロークラックの発生
率が高く、このリフロークラックは半導体装置の信頼性
を著しく低下させるため、深刻な問題・技術課題となっ
ている。
【０００４】このような問題に対する解決策の一つとし
て、半導体装置全体を防湿梱包し、表面実装の直前に開
封して使用する方法や、表面実装の直前に前記半導体装
置を１００℃で２４時間乾燥させ、その後実装を行う方
法が提案されている。また、接着剤を改良する観点か
ら、例えば、水分吸着剤を含有する接着剤（特開平６−
１８１２２７号公報）や、エポキシ基を２個以上含有す
るエポキシ樹脂とシリコーン変性フェノールアラルキル
樹脂を含有する接着剤（特開平６−３２６１３９号公
報）等が提案されている。
て、半導体装置全体を防湿梱包し、表面実装の直前に開
封して使用する方法や、表面実装の直前に前記半導体装
置を１００℃で２４時間乾燥させ、その後実装を行う方
法が提案されている。また、接着剤を改良する観点か
ら、例えば、水分吸着剤を含有する接着剤（特開平６−
１８１２２７号公報）や、エポキシ基を２個以上含有す
るエポキシ樹脂とシリコーン変性フェノールアラルキル
樹脂を含有する接着剤（特開平６−３２６１３９号公
報）等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体装置の
防湿梱包や乾燥を行う方法は、製造工程が長くなり、手
間もかかる。また、特開平６−１８１２２７号公報や特
開平６−３２６１３９号公報に提案されている接着剤を
用いる方法では、リフロークラックの発生は支持部材と
して４２アロイリードフレームを用いた場合には低減さ
れるものの、支持部材として銅リードフレームを用いた
場合には必ずしも満足できるほど低減されない。本発明
の目的は、前記の従来技術の問題を解決し、リフローク
ラックを発生させない接着剤、特に支持部材に銅リード
フレームを用いた場合に好適な接着剤を提供することで
ある。
防湿梱包や乾燥を行う方法は、製造工程が長くなり、手
間もかかる。また、特開平６−１８１２２７号公報や特
開平６−３２６１３９号公報に提案されている接着剤を
用いる方法では、リフロークラックの発生は支持部材と
して４２アロイリードフレームを用いた場合には低減さ
れるものの、支持部材として銅リードフレームを用いた
場合には必ずしも満足できるほど低減されない。本発明
の目的は、前記の従来技術の問題を解決し、リフローク
ラックを発生させない接着剤、特に支持部材に銅リード
フレームを用いた場合に好適な接着剤を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、支持部材
として銅リードフレームを用いた場合にも、リフローク
ラックを発生させない接着剤とその接着剤の有効な特性
を種々検討する過程で、本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、支持部材に半導体素子を接着させる
接着剤であって、（Ａ）揮発分が１０重量％以下、
（Ｂ）２５０℃におけるピール接着力が０．３ｋｇｆ以
上、及び（Ｃ）チップ反り変化量が１５μｍ以下、であ
る接着剤接着剤である。
として銅リードフレームを用いた場合にも、リフローク
ラックを発生させない接着剤とその接着剤の有効な特性
を種々検討する過程で、本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、支持部材に半導体素子を接着させる
接着剤であって、（Ａ）揮発分が１０重量％以下、
（Ｂ）２５０℃におけるピール接着力が０．３ｋｇｆ以
上、及び（Ｃ）チップ反り変化量が１５μｍ以下、であ
る接着剤接着剤である。
【０００７】ここで、接着剤の揮発分、ピール接着力及
びチップ反り変化量は、次の方法によって測定する。接
着剤の揮発分の測定：接着剤約１ｇをアルミカップに移
し、秤量して接着剤の重量（Ｍ1）を求める。ついで、
これを２００℃の乾燥機中で２時間加熱し、秤量して接
着剤の重量（Ｍ2）を求める。 接着剤の揮発分（ｗｔ％）＝［（Ｍ2−Ｍ1）／Ｍ1］×
１００
びチップ反り変化量は、次の方法によって測定する。接
着剤の揮発分の測定：接着剤約１ｇをアルミカップに移
し、秤量して接着剤の重量（Ｍ1）を求める。ついで、
これを２００℃の乾燥機中で２時間加熱し、秤量して接
着剤の重量（Ｍ2）を求める。 接着剤の揮発分（ｗｔ％）＝［（Ｍ2−Ｍ1）／Ｍ1］×
１００
【０００８】ピール接着力の測定：銅リードフレームと
８ｍｍ×８ｍｍのシリコンチップを、被検接着剤を用い
て１５０℃、１時間、次いで１７５℃、５時間加熱して
接着させ、温度８５℃、湿度８５％に設定された恒温恒
湿機中で２４時間吸湿させた後、２５０℃、２０秒加熱
時の引き剥がし強さを、プッシュプルゲージを用いて測
定する（図１）。
８ｍｍ×８ｍｍのシリコンチップを、被検接着剤を用い
て１５０℃、１時間、次いで１７５℃、５時間加熱して
接着させ、温度８５℃、湿度８５％に設定された恒温恒
湿機中で２４時間吸湿させた後、２５０℃、２０秒加熱
時の引き剥がし強さを、プッシュプルゲージを用いて測
定する（図１）。
【０００９】チップ反り変化量の測定：銅リードフレー
ムと５ｍｍ×１３ｍｍのシリコンチップを、被検接着剤
を用いて１５０℃、１時間加熱して接着させ、表面粗さ
計を用い直線状に１１ｍｍスキャンし、チップのベース
ラインからの最大高さ(ｔ1)を求める。ついで、これを
１７５℃の乾燥機中で５時間加熱し、表面粗さ計を用い
直線状に１１ｍｍスキャンし、チップのベースラインか
らの最大高さ（ｔ2）を求める。ｔ2−ｔ1をチップ反り
変化量とする。
ムと５ｍｍ×１３ｍｍのシリコンチップを、被検接着剤
を用いて１５０℃、１時間加熱して接着させ、表面粗さ
計を用い直線状に１１ｍｍスキャンし、チップのベース
ラインからの最大高さ(ｔ1)を求める。ついで、これを
１７５℃の乾燥機中で５時間加熱し、表面粗さ計を用い
直線状に１１ｍｍスキャンし、チップのベースラインか
らの最大高さ（ｔ2）を求める。ｔ2−ｔ1をチップ反り
変化量とする。
【００１０】また、本発明は、半導体素子を上記接着剤
を用いて支持部材に接着してなる半導体装置にも関す
る。
を用いて支持部材に接着してなる半導体装置にも関す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の接着剤の揮発分は１０重
量％以下であり、好ましくは５重量％以下である。揮発
分が１０重量％を越えると、支持部材と半導体装置を接
着させた後に接着剤層中にボイドが発生し、リフローク
ラックの原因となるので好ましくない。本発明の接着剤
の２５０℃におけるピール接着力（以下、ピール接着力
という。）は０．３ｋｇｆ以上であり、好ましくは０．
５ｋｇｆ以上である。ピール接着力が０．３ｋｇｆ未満
では、接着剤と半導体素子、又は接着剤と支持部材に剥
離が発生し、リフロークラックの原因となるので好まし
くない。本発明の接着剤を用いた場合のチップ反り変化
量は１５μｍ以下であり、好ましくは１２μｍ以下であ
る。チップ反り変化量が１５μｍを越えると、接着剤層
の熱応力が大きくなり、耐リフロークラック性を低下さ
せるので好ましくない。
量％以下であり、好ましくは５重量％以下である。揮発
分が１０重量％を越えると、支持部材と半導体装置を接
着させた後に接着剤層中にボイドが発生し、リフローク
ラックの原因となるので好ましくない。本発明の接着剤
の２５０℃におけるピール接着力（以下、ピール接着力
という。）は０．３ｋｇｆ以上であり、好ましくは０．
５ｋｇｆ以上である。ピール接着力が０．３ｋｇｆ未満
では、接着剤と半導体素子、又は接着剤と支持部材に剥
離が発生し、リフロークラックの原因となるので好まし
くない。本発明の接着剤を用いた場合のチップ反り変化
量は１５μｍ以下であり、好ましくは１２μｍ以下であ
る。チップ反り変化量が１５μｍを越えると、接着剤層
の熱応力が大きくなり、耐リフロークラック性を低下さ
せるので好ましくない。
【００１２】前記（Ａ）〜（Ｃ）の特性を満たす接着剤
としては、例えば、次のような組成の樹脂がある。 （ａ）重合可能なエチレン性炭素−炭素二重結合を有す
る化合物（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ルなどのアクリル酸系モノマー、メタクリル酸メチル、
メタクリル酸エチルなどのメタクリル酸系モノマー、ス
チレン、ビニルトルエンなどのビニル系モノマー等）：
３０〜８０重量部、 （ｂ）反応性エラストマ（例えば、カルボキシル基両末
端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、エポキシ基
両末端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等）：０
〜６０重量部、及び （ｃ）熱で硬化して網目状高分子を生成しうる反応性化
合物（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマ
レイミド樹脂、シアナート樹脂等）：５〜３０重量部。 なお、上記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む有機材料の
合計量は１００（重量部）とする。
としては、例えば、次のような組成の樹脂がある。 （ａ）重合可能なエチレン性炭素−炭素二重結合を有す
る化合物（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ルなどのアクリル酸系モノマー、メタクリル酸メチル、
メタクリル酸エチルなどのメタクリル酸系モノマー、ス
チレン、ビニルトルエンなどのビニル系モノマー等）：
３０〜８０重量部、 （ｂ）反応性エラストマ（例えば、カルボキシル基両末
端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、エポキシ基
両末端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等）：０
〜６０重量部、及び （ｃ）熱で硬化して網目状高分子を生成しうる反応性化
合物（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマ
レイミド樹脂、シアナート樹脂等）：５〜３０重量部。 なお、上記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む有機材料の
合計量は１００（重量部）とする。
【００１３】上記組成の接着剤には、前記（Ａ）〜
（Ｃ）の特性を越えない範囲で、銀粉、シリカ粉、アル
ミナ粉等の充填材を加えることができる。銀粉はフレー
ク状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用でき、シル
ベストＴＣＧ−１（徳力化学研究所製）、シルフレーク
Ａｇｃ−Ａ（福田金属箔粉工業社製）等の市販品が使用
できる。銀粉を加える場合の使用量は、上記接着剤１０
０重量部に対して９００重量部以下（接着剤全量の９０
重量％以下）、更に好ましくは５６７重量部以下（接着
剤全量の８５重量％以下）である。
（Ｃ）の特性を越えない範囲で、銀粉、シリカ粉、アル
ミナ粉等の充填材を加えることができる。銀粉はフレー
ク状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用でき、シル
ベストＴＣＧ−１（徳力化学研究所製）、シルフレーク
Ａｇｃ−Ａ（福田金属箔粉工業社製）等の市販品が使用
できる。銀粉を加える場合の使用量は、上記接着剤１０
０重量部に対して９００重量部以下（接着剤全量の９０
重量％以下）、更に好ましくは５６７重量部以下（接着
剤全量の８５重量％以下）である。
【００１４】本発明の接着剤が特に好適に使用できる支
持部材は銅リードフレームであるが、４２アロイリード
フレーム、絶縁基板、配線付き基板等にも使用できる。
銅リードフレームとしては、例えば、ＭＦ２０２（三菱
電機製）、ＥＦＴＥＣ６４Ｔ（古河電気工業製）等があ
る。
持部材は銅リードフレームであるが、４２アロイリード
フレーム、絶縁基板、配線付き基板等にも使用できる。
銅リードフレームとしては、例えば、ＭＦ２０２（三菱
電機製）、ＥＦＴＥＣ６４Ｔ（古河電気工業製）等があ
る。
【００１５】本発明の接着剤を用いた半導体装置は、デ
ィスペンス法、スタンピング法、スクリーン印刷等によ
り銅リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を塗
布し、これに半導体素子を載置し、熱風循環式乾燥機、
ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化させて半
導体素子と支持部材とを接着させ、リードフレームと半
導体素子とを金線等のワイヤで接続し、その後、エポキ
シ樹脂等の封止材で封止して、製造される。このように
して製造される半導体装置の一例を図２に示す。
ィスペンス法、スタンピング法、スクリーン印刷等によ
り銅リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を塗
布し、これに半導体素子を載置し、熱風循環式乾燥機、
ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化させて半
導体素子と支持部材とを接着させ、リードフレームと半
導体素子とを金線等のワイヤで接続し、その後、エポキ
シ樹脂等の封止材で封止して、製造される。このように
して製造される半導体装置の一例を図２に示す。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 （実施例１） アクリル酸ノニルフェノキシポリプロピレングリコール ３０ｇ スチレン ２５ｇ エポキシ末端ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＥＴＢＮ１３００×４０） ２５ｇ クレゾールノボラック型エポキシ（東都化成製 YDCN-702S） ５ｇ フェノールノボラック（明和化成製 Ｈ−１） ５ｇ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール ０．２ｇ ターシャリブチルパーオキシベンゾエート １．６ｇ 銀粉 ２１０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。測定方法は前述した通り。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。測定方法は前述した通り。
【００１７】 （実施例２） アクリル酸ラウリル ２０ｇ スチレン １５ｇ エポキシ末端ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＥＴＢＮ１３００×４０） １５ｇ ビスフェノールＡ型エポキシ （油化シェルエポキシ製 エピコート１００１） ５ｇ フェノールノボラック（明和化成製 Ｈ−１） ５ｇ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール ０．２ｇ ターシャリブチルパーオキシベンゾエート １．６ｇ 銀粉 ２１０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００１８】 （実施例３） アクリル酸イソボニル ２０ｇ スチレン １５ｇ エポキシ末端ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＥＴＢＮ１３００×４０） １５ｇ ビス（４−シアノフェニル−１−（１−メチルエチリデン））ベンゼン １０ｇ ターシャリブチルパーオキシベンゾエート １．６ｇ ナフテン酸コバルト ０．２ｇ ノニルフェノール １．８ｇ 銀粉 ２１０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００１９】 （実施例４） メタクリル酸ラウリル ２０ｇ スチレン １５ｇ エポキシ末端ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＥＴＢＮ１３００×４０） １５ｇ ビスマレイミドジフェニルメタン １０ｇ ターシャリブチルパーオキシベンゾエート １．６ｇ 銀粉 ２１０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００２０】 （比較例１） クレゾールノボラック型エポキシ（東都化成製 YDCN-702S） ３０ｇ フェノールノボラック（明和化成製 Ｈ−１） １０ｇ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール ０．２ｇ 銀粉 １００ｇ フェニルグリシジルエーテル １０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００２１】 （比較例２） クレゾールノボラック型エポキシ（東都化成製 YDCN-702S） ３０ｇ カルボキシル末端ポリブタジエンーアクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＣＴＢＮ１３００×９） ３０ｇ フェノールノボラック（明和化成製 Ｈ−１） ５ｇ ２−フェニル−４−メチルイミダゾール ０．２ｇ 銀粉 １００ｇ 酢酸ブチルセロソルブ １０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００２２】 （比較例３） クレゾールノボラック型エポキシ（東都化成製 YDCN-702S） ３０ｇ カルボキシル末端ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体 （宇部興産製 ＣＴＢＮ１３００×９） ３０ｇ フェノールノボラック（明和化成製 Ｈ−１） ５ｇ ２−フェニル−４メチルイミダゾール ０．２ｇ 銀粉 １００ｇ フェニルグリシジルエーテル １０ｇ を、らいかい機により混合し、接着剤を得た。この接着
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
剤についての揮発分、ピール接着力及びチップ反り変化
量の各特性を表１に示す。
【００２３】
【表１】 表１ 接着剤の特性 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例の接着剤 比較例の接着剤 特性 No.１ No.２ No.３ No.４ No.１ No.２ No.３ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 揮発分 ４ ５ ４ ３ ５ １３ ２ （wt％） ピール接着力 ０.８ ０.６ ０.９ ０.５ ０.６ ０.７ ０.０５ （kgf/chip） チップ反り ８ １１ １０ １２ ２０ １０ １ （μｍ） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００２４】半田リフロークラック評価試験 実施例１〜４および比較例１〜３で各々得られた接着剤
を用いて、以下に示すような半田リフロークラック試験
を行った。半田リフロークラック試験方法：銅リードフ
レームと８ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍのシリコンチッ
プを上記接着剤を用いて１５０℃、１時間加熱して接着
させた後、封止材（日立化成製 ＣＥＬ−４６２０）に
より封止し、半田リフロー試験用パッケージ（ＱＦＰ、
１４ｍｍ×２０ｍｍ×１．４ｍｍ）を組み立てた。その
パッケージを、温度８５℃、湿度８５％に設定された恒
温恒湿機中で４８時間吸湿させた。その後、２４０℃、
１０秒のＩＲリフローを行い、パッケージクラックの発
生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。試験の結
果、実施例１〜４の接着剤を使用したパッケージはクラ
ックの発生が見られなかったが、比較例１〜３の接着剤
を使用したパッケージは全数にクラックが発生してい
た。
を用いて、以下に示すような半田リフロークラック試験
を行った。半田リフロークラック試験方法：銅リードフ
レームと８ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍのシリコンチッ
プを上記接着剤を用いて１５０℃、１時間加熱して接着
させた後、封止材（日立化成製 ＣＥＬ−４６２０）に
より封止し、半田リフロー試験用パッケージ（ＱＦＰ、
１４ｍｍ×２０ｍｍ×１．４ｍｍ）を組み立てた。その
パッケージを、温度８５℃、湿度８５％に設定された恒
温恒湿機中で４８時間吸湿させた。その後、２４０℃、
１０秒のＩＲリフローを行い、パッケージクラックの発
生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。試験の結
果、実施例１〜４の接着剤を使用したパッケージはクラ
ックの発生が見られなかったが、比較例１〜３の接着剤
を使用したパッケージは全数にクラックが発生してい
た。
【００２５】
【表２】 表２ 半田リフロークラック評価試験 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例の接着剤使用 比較例の接着剤使用 特性 No.１ No.２ No.３ No.４ No.１ No.２ No.３ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ クラック 0/5 0/5 0/5 0/5 5/5 5/5 5/5 （発生数） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００２６】
【発明の効果】請求項１の接着剤は、半導体素子と支持
部材との接着剤として使用でき、半田リフロー時のリフ
ロークラックの発生は低減される。支持部材としては、
銅リードフレームが特に好適である。請求項２の半導体
装置は、半田リフロー時のリフロークラックの発生が低
減され、信頼性が高い。
部材との接着剤として使用でき、半田リフロー時のリフ
ロークラックの発生は低減される。支持部材としては、
銅リードフレームが特に好適である。請求項２の半導体
装置は、半田リフロー時のリフロークラックの発生が低
減され、信頼性が高い。
【図１】プッシュプルゲージを用いてピール強度を測定
する方法を説明する正面図である。
する方法を説明する正面図である。
【図２】本発明の接着剤を用いた半導体装置の一例の断
面図である。
面図である。
１．半導体素子 ２．接着剤 ３．銅リードフレーム ４．プッシュプルゲ
ージ ５．熱盤 １１．半導体素子 １２．接着剤 １３．リードフレーム １４．ワイヤ １５．封止材
ージ ５．熱盤 １１．半導体素子 １２．接着剤 １３．リードフレーム １４．ワイヤ １５．封止材
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−86316（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−179833（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−73832（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−26235（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−184279（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−176409（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275785（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−81669（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−165410（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−17810（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−213741（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−330723（ＪＰ，Ａ) 国際公開97／2595（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 23/50 C08G 59/00 C09J 163/00 G08L 63/00
Claims (2)
- 【請求項１】 支持部材に半導体素子を接着させる接着
剤であって、（Ａ）揮発分が１０重量％以下、（Ｂ）２
５０℃におけるピール接着力が０．３ｋｇｆ以上、及び
（Ｃ）チップ反り変化量が１５μｍ以下、である接着
剤。 - 【請求項２】請求項１の接着剤を用いて半導体素子を支
持部材に接着してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25996597A JP3265244B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 接着剤及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP25996597A JP3265244B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 接着剤及び半導体装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001345955A Division JP2002194323A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 接着剤及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197459A JPH1197459A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3265244B2 true JP3265244B2 (ja) | 2002-03-11 |
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ID=17341397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25996597A Expired - Fee Related JP3265244B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 接着剤及び半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265244B2 (ja) |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP25996597A patent/JP3265244B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1197459A (ja) | 1999-04-09 |
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