JP3254633B2 - EEP-ROM simultaneous test method - Google Patents

EEP-ROM simultaneous test method

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、メモリテスターにお
ける、EEP−ROMの同時テスト方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for simultaneously testing EEP-ROMs in a memory tester.

【0002】[0002]

【従来の技術】EEP−ROMは電気的に消去・再書込
みが可能な読出し専用メモリであるが、その記憶性能
は、製作後、データの書込みをなん回か繰り返して行う
ことにより、漸次に安定する特性がある。このため製作
後、繰り返し書込みの回数を適当に規定し、メモリテス
ターによりテストデータの書込みを規定回数行い、記憶
性能を安定化して良否が検査される。ただしこの規定回
数は単純でなく、被検査のEEP−ROMに対して、ま
ずテストデータを複数[N]回、例えば20回連続して
書込んだ後、その良否を判定し、この判定結果の良否に
かかわらず、さらにこの連続した書込みと良否の判定と
を、複数[S]回、例えば10回まで繰り返す、強いて
いえば2重構造のテスト方法である。一方、最近におけ
るEEP−ROMの生産量の増加に対応して検査を効率
化するために、メモリテスターでは複数個を並列して同
時にテストされている。
2. Description of the Related Art An EEP-ROM is a read-only memory that can be electrically erased and rewritten, and its storage performance is gradually stabilized by repeatedly writing data after manufacturing. There are characteristics to do. For this reason, after fabrication, the number of times of repeated writing is appropriately defined, the test data is written by the memory tester a specified number of times, and the storage performance is stabilized and the quality is inspected. However, the specified number of times is not simple. First, the test data is written a plurality of [N] times, for example, 20 times in succession into the EEP-ROM to be inspected, and then the pass / fail is determined. Regardless of pass / fail, this continuous writing and pass / fail determination is repeated a plurality of times [S] times, for example, up to 10 times. On the other hand, in order to increase the efficiency of inspection in response to the recent increase in the production of EEP-ROMs, a plurality of memory testers are tested in parallel at the same time.

【0003】図3は、上記の2重構造のテスト方法によ
り、複数n個のEEP−ROMを同時テストするメモリ
テスター10の要部の概略構成を示す。メモリテスター
10は、コンピュータ(CPU)1、パターン発生器
2、複数n組のテスト回路3-1 〜3-n、およびROM
コントロール部(EEPROMCONT部)4を具備す
る。各テスト回路3-1〜3-nは同一の構成で、それぞれ
波形生成部31と、ドライブアンプ32、および、コンパレ
ータ331 とレジスタ332 (RG)とを有する判定部33よ
りなる。各ドライブアンプ32は、複数n個のEEP−R
OM51 〜5-n(#1〜#nDUT)の、対応するDU
Tのデータ入力端子Di と書込みイネーブル端子WE
に、各コンパレータ331 はデータ出力端子DO にそれぞ
れ接続される。また、パターン発生部2より、各判定部
33のコンパレータ331 に対して判定に必要な期待データ
[DK]が与えられる。以下、各テスト部3と各DUT5
は同一であるので、#1のDUT(以下単に#1とす
る)に対するテスト部3-1についてテスト手順を説明す
る。CPU1のテストプログラムの実行により、パター
ン発生部2は制御信号[CONT]と、複数[N]回連
続したパターンデータ[PT]とを発生し、これらが入
力した波形生成部31は、制御信号による書込みイネーブ
ル信号[WE]と、各パターンデータ[PT]に対応し
た、テストに適する波形のテストデータ[Di]とを生成
し、それぞれはドライブアンプ32により#1のイネーブ
ル端子WEと入力データ端子Di とに印加され、テスト
データ[Di]はオーバレイして書込みされる。ここでテ
ストデータ[Di]の波形について付言すると、この波形
は通常の書込みデータの波形に比較してかなり狭い幅の
パルスとされている。上記により、テストデータ[Di]
の[N]回連続した書込みが終了すると、これが読出さ
れ、読出しデータ[DR]はデータ出力端子DO より出力
されてコンパレータ331 の一方の端子に入力し、他方の
端子に入力する上記の期待データ[DK]と比較され、両
者が一致すると#1は良品と判定される。以上におい
て、#1〜#nの各DUTは、特性のバラツキによる記
憶性能の安定化に遅速があるので、各DUTのうちに途
中段階で良品と判定されるものがあるが、その良否にか
かわらず、すべてのDUTに対して[N]回の連続書込
みと、繰り返しごとの良否の判定が[S]回まで繰り返
される。[S]回目のテストのみ不良結果[DF]は判定
部のレジスタ332 (RG)に記憶され、その後、EEP
ROMCONT部4から停止信号[ST]が波形生成部31
に送出される。そして、[S]回のテストが終了すると
CPU1に対して送出され、各DUTの評価データが出
力される。
FIG. 3 shows a schematic configuration of a main part of a memory tester 10 for simultaneously testing a plurality of n EEP-ROMs by the above-described double-structure test method. The memory tester 10 includes a computer (CPU) 1, a pattern generator 2, a plurality of n sets of test circuits 3-1 to 3-n, and a ROM.
A control unit (EEPROM CONT unit) 4 is provided. Each of the test circuits 3-1 to 3-n has the same configuration, and includes a waveform generator 31, a drive amplifier 32, and a determiner 33 having a comparator 331 and a register 332 (RG). Each drive amplifier 32 has a plurality of n EEP-Rs.
DUs corresponding to OM51 to 5-n (# 1 to #nDUT)
T data input terminal Di and write enable terminal WE
Each comparator 331 is connected to a data output terminal D O. In addition, from the pattern generation unit 2, each determination unit
The expected data [D K ] necessary for the judgment is given to the 33 comparators 331. Hereinafter, each test unit 3 and each DUT 5
Therefore, the test procedure for the test unit 3-1 for the DUT # 1 (hereinafter simply referred to as # 1) will be described. When the CPU 1 executes the test program, the pattern generator 2 generates the control signal [CONT] and the pattern data [PT] that is continuous a plurality of [N] times. A write enable signal [WE] and test data [D i ] having a waveform suitable for the test corresponding to each pattern data [PT] are generated, and the drive amplifier 32 generates the # 1 enable terminal WE and the input data terminal, respectively. D i and the test data [D i ] is overlaid and written. Here, as for the waveform of the test data [D i ], this waveform is a pulse having a considerably narrower width than the waveform of the normal write data. From the above, test data [D i ]
Of the [N] consecutive write is completed, it is read, the read data [D R] inputs is output from the data output terminal D O to one terminal of the comparator 331, the above-mentioned input to the other terminal It is compared with the expected data [D K ], and if they match, # 1 is determined to be non-defective. In the above description, each of the DUTs # 1 to #n has a slow speed in stabilizing the storage performance due to the variation in the characteristics. Therefore, some of the DUTs are determined to be non-defective at an intermediate stage. First, [N] times of continuous writing to all the DUTs and the determination of good or bad at each repetition are repeated up to [S] times. The failure result [D F ] of only the [S] -th test is stored in the register 332 (RG) of the determination unit.
Stop signal from ROMCONT section 4 [S T] is the waveform generating unit 31
Sent to When the [S] tests are completed, the test is sent to the CPU 1 and the evaluation data of each DUT is output.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】さて、EEP−ROM
は、例えば1万回までは書換えが可能であるが、書換え
回数が増加するに従って記憶性能が漸次に劣化する性質
がある。このために、テストデータ[Di]の波形は前記
のように幅の狭いパルスとされているが、上記の[N]
回連続した書込みと、[S]回の繰り返しテストが必ず
なされるため、その分記憶性能の劣化は避けられない。
一方、実績によると遅速はあるが[S]回より以前に、
全DUTが良品と判定される場合が殆どである。そこで
テスト方法を改善して、DUTに生ずる記憶性能の劣化
を可及的に回避するとともに、検査のスループット時間
を短縮することが必要とされている。この発明は上記の
考えのもとになされたもので、EEP−ROMの記憶性
能の劣化を回避するとともに、検査スループットを向上
する同時テスト方法を提供することを目的とする。
The EEP-ROM
Can be rewritten up to, for example, 10,000 times, but has a property that storage performance gradually deteriorates as the number of times of rewriting increases. For this reason, although the waveform of the test data [D i ] is a narrow pulse as described above, the above [N]
Since continuous writing and [S] repetition tests are always performed, deterioration of storage performance is inevitable.
On the other hand, according to the results, there is a slow speed, but before [S] times,
In most cases, all DUTs are determined to be good. Therefore, it is necessary to improve the test method so as to avoid deterioration of the storage performance of the DUT as much as possible and to shorten the inspection throughput time. The present invention has been made based on the above idea, and has as its object to provide a simultaneous test method that avoids deterioration of the storage performance of an EEP-ROM and improves inspection throughput.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成したEEP−ROMの同時テスト方法であって、前
記のメモリテスターにおいて、上記の繰り返し回数
[S]に達する以前に、各判定部により良品と判定され
たEEP−ROMがあるとき、それぞれが良品と判定さ
れた時点で、当該判定部より当該波形生成部に対して停
止信号を送出して、良品と判定された各EEP−ROM
に対するテストデータ[Di]の書込みを停止する。ま
た、この間に良品と判定されない各EEP−ROMに対
して、[S]回を限度としてテストを繰り返して、それ
ぞれの良否を判定するものである。
According to the present invention, there is provided a method for simultaneously testing an EEP-ROM which has attained the above-mentioned object, wherein each of said determination units is provided in said memory tester before said number of repetitions [S] is reached. When there are EEP-ROMs determined to be non-defective, when each of the EEP-ROMs is determined to be non-defective, a stop signal is sent from the determination unit to the waveform generation unit, and each EEP-ROM determined to be non-defective is determined.
Stop writing test data [D i ] to. In addition, the test is repeated on each EEP-ROM that is not determined to be non-defective during this time, up to [S] times, and the quality of each is determined.

【0006】[0006]

【作用】上記の同時テスト方法においては、テストが複
数の繰り返し回数[S]に達する以前に、各判定部によ
り良品と判定されたEEP−ROMは、良品と判定され
た時点で、当該判定部より波形生成部に対して停止信号
が送出されて、テストデータ[Di]の書込みが停止され
るので、これ以後は記憶性能が劣化しない。一方、良品
と判定されずに残った各EEP−ROMは、それぞれ繰
り返し回数[S]を限度としてテストが繰り返されて、
それぞれの良否が判定される。ただし前記したように、
各EEP−ROMは、回数[S]に達する以前にすべて
良品と判定される場合が殆どであり、すべてが良品と判
定された時点で同時テストを停止することにより、その
分スループット時間が短縮される。
In the above simultaneous test method, the EEP-ROM determined to be non-defective by each judging unit before the test reaches a plurality of repetition times [S] is determined by the judging unit when it is judged to be non-defective. A stop signal is sent to the waveform generator to stop the writing of the test data [D i ], so that the storage performance does not deteriorate thereafter. On the other hand, the remaining EEP-ROMs which were not determined to be non-defective products were subjected to the test repeated up to the number of repetitions [S].
Each pass / fail is determined. However, as mentioned above,
In most cases, all EEP-ROMs are determined to be non-defective before the number of times [S] is reached, and the simultaneous test is stopped when all are determined to be non-defective, thereby shortening the throughput time. You.

【0007】[0007]

【実施例】図1は、この発明を適用したメモリテスター
10’の一実施例における構成を示し、図2は図1対す
るテスト手順を示す概略のフローチャートである。図1
に示すメモリテスター10’は、前記した図3のメモリ
テスター10と同一の構成とする。ただし各判定部33の
レジスタ332 には、DUT5が良品と判定されて不良デ
ータ[DF]が記憶されないとき、対応する波形生成部31
に対して停止信号[ST]を送出する機能が設けられる。
FIG. 1 shows a configuration of an embodiment of a memory tester 10 'to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a schematic flowchart showing a test procedure for FIG. FIG.
Has the same configuration as the memory tester 10 shown in FIG. However, when the DUT 5 is determined to be non-defective and the defective data [D F ] is not stored in the register 332 of each determination unit 33, the corresponding waveform generation unit 31
Is provided with a function of sending a stop signal [ ST ].

【0008】以下図1に図2を併用して、上記のメモリ
テスター10’におけるテスト信号の書込み手順を説明
する。テスト・スタート(ステップ)により、CPU
1がテストプログラムを実行すると、パターン発生器
2は制御信号[CONT]と、[N]回連続するパター
ンデータ[PT]と発生し、これらが入力した各波形
生成部31は、制御信号[CONT]による書込みイネー
ブル信号[WE]と、各パターンデータ[PT]に対応
したテストデータ[D]とをそれぞれ生成し、これら
はドライブアンプ32により各DUT5のイネーブル端子
WEと入力データ端子D に印加され、テストデータ
[D]はオーバレイして書込みされる。ついで、そ
れぞれの読出しデータ[D]は各コンパレータ(CO
MP)331 に入力して期待データ[D]と比較され
、[D]=[D](ステップのYES)となるD
UTは良品と判定される。ここまでは従来と同様であ
る。良品と判定された時点で、判定部33のRG332 より
波形生成部31に対して停止信号[S]が出力される。
これとは別に全DUTについて結果が出たときにはEE
PROMCONT部4から停止信号[S]が波形生成
部31に送出され、当該DUTに対するテストデータ[D
]の書込みが停止される。次に、繰り返し回数が
[S]に達したが否かがチェックされ、達していない
ときは、ルーチンはステップに戻ってステップまで
が繰り返され、良品のDUTに対する書込みの停止がな
され、[S]回に達するとステップでYESとなり、
S回目のみRG332 にPASS/FAILが取りこまれ
る。そして、RG332 に記憶された各不良データ
[D]がCPU1に対して送出され、全DUTの同
時テストが終了する(10)。ただし全DUTが[S]回に
達する以前に良品と判定されたときは、ルーチンはステ
ップから直接ステップに移行し、それ以後の[S]
回までのテストが省略されてスループットが短縮される
わけである。ところで、前記の場合、ベリファイ時に
は、[D]をRG332 に記憶しない。従ってRG332
は通過のままとなる。その替わりに、リアルタイムPA
SS/FAIL信号をEEPROMCONT部41に送
る。EEPROMCONT部4は、各DUTからのリア
ルタイムPASS/FAIL信号を受け、全DUT−P
ASS/FAIL信号をパターン発生器に、停止信号
[S]を波形生成部31にそれぞれ送出する。そこで、
例えば、全DUTが規定回数以前にPASSした場合、
ALL−PASS信号を受けたパターン発生器は、AL
L−PASS信号をパターンストップとして受け入れ、
強制的に終了する。したがって、本動作時には、フェイ
ルメモリは不要である。
A procedure for writing a test signal in the memory tester 10 'will be described below with reference to FIG. 1 and FIG. Test start (step) causes CPU
1 executes the test program, the pattern generator 2 generates the control signal [CONT] and the pattern data [PT] continuous [N] times, and the waveform generator 31 to which these have been input receives the control signal [CONT]. a write enable signal [WE] by, test data [D i] and the generated respectively, which are the input data terminal D i and enable terminal WE of each DUT5 by drive amplifier 32 corresponding to the respective pattern data [PT] The test data [D i ] is overlaid and written. Then, each of the read data [D R] Each comparator (CO
Enter the MP) 331 is compared with the expected data [D K], [D R ] = [D K] (YES in step) and a D
The UT is determined to be good. Up to this point, it is the same as the conventional one. When it is determined to be non-defective, stop signal to the waveform generator 31 from RG332 determination unit 33 [S T] is Ru is output.
Separately , when the result is obtained for all DUTs, EE
Stop signal from PROMCONT section 4 [S T] is sent to the waveform generating unit 31, a test for the DUT data [D
Writing of [ i ] is stopped. Next, it is checked whether or not the number of repetitions has reached [S]. If the number has not reached, the routine returns to the step and is repeated up to the step, and writing to the non-defective DUT is stopped. When the number of times is reached, the answer is YES at the step,
PASS / FAIL is taken into RG332 only in the S-th time. Then, each defective data [ DF ] stored in the RG 332 is sent to the CPU 1, and the simultaneous test of all DUTs is completed (10). However, if all the DUTs are determined to be good before reaching [S] times, the routine directly shifts from step to step, and subsequent [S]
This means that the tests up to the first test are omitted and the throughput is reduced. Incidentally, in the above case, [D F ] is not stored in the RG 332 at the time of verification. Therefore RG 332
Will remain through. Instead, a real-time PA
The SS / FAIL signal is sent to the EEPROM CONT unit 41. The EEPROM CONT unit 4 receives real-time PASS / FAIL signals from each DUT, and receives all DUT-P
The ASS / FAIL signal is sent to the pattern generator, and the stop signal [ ST ] is sent to the waveform generator 31. Therefore,
For example, if all DUTs pass before the specified number of times,
When the pattern generator receives the ALL-PASS signal,
Accept the L-PASS signal as a pattern stop,
Force termination. Therefore, at the time of this operation, the fail memory is unnecessary.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による同
時テスト方法においては、同時テストされる複数個のE
EP−ROMのうちの、繰り返し回数[S]に達する以
前に良品と判定されたものは、判定以後のテストデータ
[Di]の書込みが停止されて、その記憶性能の劣化が回
避され、また、各EEP−ROMは繰り返し回数[S]
以前にすべて良品と判定される場合が殆どであるので、
その分スループット時間が短縮されるもので、EEP−
ROMの品質の保証と、複数個の同時テストの効率向上
に寄与する効果には、大きいものがある。
As described above, in the simultaneous test method according to the present invention, a plurality of Es to be simultaneously tested are used.
Of the EP-ROMs, those which are determined to be non-defective before the number of repetitions [S] is reached, the writing of the test data [ Di ] after the determination is stopped, and the deterioration of the storage performance is avoided. , Each EEP-ROM has the number of repetitions [S]
In most cases, all are judged to be good products before.
The throughput time is shortened accordingly, and EEP-
The effect of contributing to guaranteeing the quality of the ROM and improving the efficiency of a plurality of simultaneous tests is significant.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、この発明を適用したメモリテスター1
0’の一実施例における構成図である。
FIG. 1 is a memory tester 1 to which the present invention is applied.
It is a lineblock diagram in one Example of 0 '.

【図2】図2は、図1に対するテスト手順を示す概略の
フローチャートである。
FIG. 2 is a schematic flowchart showing a test procedure for FIG. 1;

【図3】図3は、メモリテスター10の要部の概略構成
図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a main part of the memory tester 10;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コンピュータ(CPU)、2…パターン発生部、3
-1〜3-n…テスト回路、31…波形生成部、32…ドライブ
アンプ、33…判定部、331 …コンパレータ、332 …レジ
スタ(RG)、4…EEPROMCONT、5…EEP
−ROM、10…従来のメモリテスター、10’…この
発明を適用したメモリテスター、#1〜#n…同時テス
トされるEEP−ROM(DUT)の番号、[PT]…
テスト用のパターンデータ、[CONT]…制御信号、
[Di] テストデータ、[WE]…書込みイネーブル信
号、[DR]…読出しデータ、[N]…連続回数、[S]
…繰り返しテスト回数、[DK] …期待データ、[DF]
…不良データ、[ST] …停止信号、〜(10)…フロー
チャートのステップ番号。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Computer (CPU), 2 ... Pattern generation part, 3
-1 to 3-n: Test circuit, 31: Waveform generator, 32: Drive amplifier, 33: Judgment unit, 331: Comparator, 332: Register (RG), 4: EEPROMCONT, 5: EEP
-ROM, 10: Conventional memory tester, 10 ': Memory tester to which the present invention is applied, # 1 to #n: Number of EEP-ROM (DUT) to be tested simultaneously, [PT] ...
Test pattern data, [CONT] ... control signal,
[D i] test data, [WE] ... write enable signal, [D R] ... read data, [N] ... number of consecutive times, [S]
… Repeated test count, [D K ]… Expected data, [D F ]
... bad data, [S T] ... stop signal, step numbers to (10) ... flow.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 29/00 G11C 16/00 - 16/34 G01R 31/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G11C 29/00 G11C 16/00-16/34 G01R 31/28

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】複数個のEEP−ROMを同時テストの対
象とし、該各EEP−ROMに対して、テストデータ
[Di]を複数[N]回連続して書込み、かつ、該[N]
回連続した書込みを、複数[S]回繰り返して行う複数
の波形生成部と、該繰り返しごとに、該各EEP−RO
Mの読出しデータ[DR]を期待データ[DK]に比較し
て、該各EEP−ROMの良否をそれぞれ判定する複数
の判定部とを具備するメモリテスターにおいて、 前記繰り返し回数[S]に達する以前に、前記各判定部
により良品と判定されたEEP−ROMがあるとき、そ
れぞれが良品と判定された時点で、当該判定部より当該
波形生成部に対して停止信号を送出して、該良品と判定
された各EEP−ROMに対する該テストデータ[Di]
の書込みを停止し、かつ、この間に良品と判定されない
各EEP−ROMに対して、前記[S]回を限度として
テストを繰り返して、それぞれの良否を判定することを
特徴とする、EEP−ROMの同時テスト方法。
1. A plurality of EEP-ROMs are subjected to a simultaneous test, and test data [D i ] is successively written to each of the EEP-ROMs a plurality of [N] times, and the [N]
A plurality of waveform generation units that perform writing repeatedly consecutively a plurality of times [S] times, and each of the EEP-RO
M to read data [D R] as compared to the expected data [D K], the memory tester comprising a determination unit acceptability multiple determines each respective EEP-ROM, the number of repetitions [S] Before reaching, when there is an EEP-ROM determined to be non-defective by each of the determination units, when each is determined to be non-defective, a stop signal is sent from the determination unit to the waveform generation unit, and The test data [D i ] for each EEP-ROM determined to be non-defective
Writing is stopped, and a test is repeated for each EEP-ROM which is not determined to be non-defective during this time, up to the [S] times described above, and the quality of each EEP-ROM is determined. Simultaneous testing method.
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