JP3253701B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JP3253701B2 JP3253701B2 JP26651892A JP26651892A JP3253701B2 JP 3253701 B2 JP3253701 B2 JP 3253701B2 JP 26651892 A JP26651892 A JP 26651892A JP 26651892 A JP26651892 A JP 26651892A JP 3253701 B2 JP3253701 B2 JP 3253701B2
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- heating means
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エピタキシャル成長
に用いるに好適な真空蒸着装置に関し、特にソース管の
上部の加熱手段としてランプヒータを用いたことにより
成長薄膜の品質向上を図ったものである。
に用いるに好適な真空蒸着装置に関し、特にソース管の
上部の加熱手段としてランプヒータを用いたことにより
成長薄膜の品質向上を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、エピタキシャル成長可能な真空蒸
着装置としては、図５に示すようなホットウォール型エ
ピタキシャル成長装置が知られている（例えば、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖ
ｏｌ．４７，Ｎｏ．７，Ｊｕｌｙ １９７６又はＶｏ
ｌ．４８，Ｎｏ．１，Ｊａｎｕａｒｙ １９７７等参
照）。
着装置としては、図５に示すようなホットウォール型エ
ピタキシャル成長装置が知られている（例えば、Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖ
ｏｌ．４７，Ｎｏ．７，Ｊｕｌｙ １９７６又はＶｏ
ｌ．４８，Ｎｏ．１，Ｊａｎｕａｒｙ １９７７等参
照）。
【０００３】図５において、真空チャンバ１０内には、
石英等からなるソース管１２が配置されると共に、この
ソース管１２を取囲むように石英等からなるヒータ管１
４が配置されている。ソース管１２の中部には、蒸着用
のソース物質ＳＳを収容する収容部が設けられ、ソース
管１２の底部には、蒸着層に添加すべき不純物等の物質
ＤＳが収容される。ヒータ管１４には、ヒータ線１６が
巻装されており、ヒータ管１４を取囲み且つ支持するよ
うにホットウォール管１８が配置されている。ホットウ
ォール管１８は、例えばステンレススチール等の金属か
らなるもので、熱輻射シールドとして作用する。
石英等からなるソース管１２が配置されると共に、この
ソース管１２を取囲むように石英等からなるヒータ管１
４が配置されている。ソース管１２の中部には、蒸着用
のソース物質ＳＳを収容する収容部が設けられ、ソース
管１２の底部には、蒸着層に添加すべき不純物等の物質
ＤＳが収容される。ヒータ管１４には、ヒータ線１６が
巻装されており、ヒータ管１４を取囲み且つ支持するよ
うにホットウォール管１８が配置されている。ホットウ
ォール管１８は、例えばステンレススチール等の金属か
らなるもので、熱輻射シールドとして作用する。
【０００４】ソース管１２の開口端近傍には、図示しな
い保持機構で保持された被処理基板２０が配置され、基
板２０の上方には、ヒータ線２２ａを有するヒータ２２
が配置される。
い保持機構で保持された被処理基板２０が配置され、基
板２０の上方には、ヒータ線２２ａを有するヒータ２２
が配置される。
【０００５】上記した構成を説明の便宜上２４Ａ〜２４
Ｄの４つの部分に分けると、２４Ａは基板２０及びヒー
タ２２を含むヘッド部、２４Ｂはソース管１２の上部を
含むウォール部、２４Ｃはソース管１２の中部を含むソ
ース部、２４Ｄはソース管１２の下部を含むリザーバ部
である。
Ｄの４つの部分に分けると、２４Ａは基板２０及びヒー
タ２２を含むヘッド部、２４Ｂはソース管１２の上部を
含むウォール部、２４Ｃはソース管１２の中部を含むソ
ース部、２４Ｄはソース管１２の下部を含むリザーバ部
である。
【０００６】ヒータ線２２ａは、ヘッド部２４Ａに専用
の温度調整回路に接続されており、この温度調整回路に
より所望の基板温度を設定可能である。また、ヒータ線
１６は、ウォール部２４Ｂ、ソース部２４Ｃ及びリザー
バ部２４Ｄにそれぞれ対応して３分割されており、分割
された３つのヒータ線はそれぞれ専用の温度調整回路に
接続される。従って、ウォール部２４Ｂ、ソース部２４
Ｃ及びリザーバ部２４Ｄについてはそれぞれ独立に所望
の温度を設定可能である。
の温度調整回路に接続されており、この温度調整回路に
より所望の基板温度を設定可能である。また、ヒータ線
１６は、ウォール部２４Ｂ、ソース部２４Ｃ及びリザー
バ部２４Ｄにそれぞれ対応して３分割されており、分割
された３つのヒータ線はそれぞれ専用の温度調整回路に
接続される。従って、ウォール部２４Ｂ、ソース部２４
Ｃ及びリザーバ部２４Ｄについてはそれぞれ独立に所望
の温度を設定可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した真空蒸着装置
によると、基板２０においてソース管１２の開口端に対
向する面にソース物質ＳＳの蒸着層をエピタキシャル成
長させることができる。この場合、ウォール部２４Ｂの
ヒータ線による基板表面への赤外光輻射により結晶性の
向上が認められるが、必ずしも十分でない。
によると、基板２０においてソース管１２の開口端に対
向する面にソース物質ＳＳの蒸着層をエピタキシャル成
長させることができる。この場合、ウォール部２４Ｂの
ヒータ線による基板表面への赤外光輻射により結晶性の
向上が認められるが、必ずしも十分でない。
【０００８】この発明の目的は、結晶性を一層向上させ
ることができる新規な真空蒸着装置を提供することにあ
る。
ることができる新規な真空蒸着装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、 （ａ）真空に排気される真空チャンバと、 （ｂ）この真空チャンバ内に開口端を上方に向けて配置
されるソース管であって、該開口端から下方に所定の案
内区間を隔てた個所に蒸着用のソース物質を収容する収
容部を有するものと、 （ｃ）前記真空チャンバ内で前記ソース管の開口端に被
処理基板の蒸着面を対向させて該被処理基板を保持する
保持手段と、 （ｄ）前記被処理基板を前記ソース管の開口端側とは反
対側から加熱するための第１の加熱手段と、 （ｅ）前記ソース管の案内区間を加熱するための第２の
加熱手段と、 （ｆ）前記ソース物質を蒸発させるべく加熱するための
第３の加熱手段と、 （ｇ）前記ソース管との間に前記第２及び第３の加熱手
段を介在させた状態で前記ソース管を取囲むように前記
真空チャンバ内に配置された熱輻射シールド用のホット
ウォール管であって、前記ソース管の開口端側に上部開
口端を有するものと をそなえた真空蒸着装置において、
前記第１乃至第３の加熱手段のうち少なくとも第２の加
熱手段を可視光を輻射するランプヒータで構成すると共
に、該ランプヒータの輻射光を前記ホットウォール管の
上部開口端を介して前記被処理基板の蒸着面に照射する
構成にしたことを特徴とするものである。
されるソース管であって、該開口端から下方に所定の案
内区間を隔てた個所に蒸着用のソース物質を収容する収
容部を有するものと、 （ｃ）前記真空チャンバ内で前記ソース管の開口端に被
処理基板の蒸着面を対向させて該被処理基板を保持する
保持手段と、 （ｄ）前記被処理基板を前記ソース管の開口端側とは反
対側から加熱するための第１の加熱手段と、 （ｅ）前記ソース管の案内区間を加熱するための第２の
加熱手段と、 （ｆ）前記ソース物質を蒸発させるべく加熱するための
第３の加熱手段と、 （ｇ）前記ソース管との間に前記第２及び第３の加熱手
段を介在させた状態で前記ソース管を取囲むように前記
真空チャンバ内に配置された熱輻射シールド用のホット
ウォール管であって、前記ソース管の開口端側に上部開
口端を有するものと をそなえた真空蒸着装置において、
前記第１乃至第３の加熱手段のうち少なくとも第２の加
熱手段を可視光を輻射するランプヒータで構成すると共
に、該ランプヒータの輻射光を前記ホットウォール管の
上部開口端を介して前記被処理基板の蒸着面に照射する
構成にしたことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】この発明の構成によれば、ホットウォール型真
空蒸着装置において、第２の加熱手段を構成するランプ
ヒータからの可視光及び赤外光を含む輻射光をホットウ
ォール管の上部開口端を介して被処理基板の蒸着面に照
射するようにしたので、蒸着面において位置すべき個所
からはずれた個所に弱い結合をしている飛来原子は、高
いエネルギーを持った輻射光照射によりその弱い結合を
切られて排除され、正規の位置に結合した飛来原子（強
い結合を持ち、輻射光によってその結合を切ることがで
きないもの）を主体に成長が進むようになる。従って、
成長薄膜の結晶性等の品質の向上が可能となる。この発
明のホットウォール型真空蒸着装置において、ホットウ
ォール管は、第２及び第３の加熱手段の間で熱輻射をシ
ールドすべくソース管に向けて突出した環状の仕切り部
を有するものとしてもよい。このようにすると、ソース
管の案内区間及びソース物質収容部のいずれについても
独立して適切な温度制御を行なうことができる。
空蒸着装置において、第２の加熱手段を構成するランプ
ヒータからの可視光及び赤外光を含む輻射光をホットウ
ォール管の上部開口端を介して被処理基板の蒸着面に照
射するようにしたので、蒸着面において位置すべき個所
からはずれた個所に弱い結合をしている飛来原子は、高
いエネルギーを持った輻射光照射によりその弱い結合を
切られて排除され、正規の位置に結合した飛来原子（強
い結合を持ち、輻射光によってその結合を切ることがで
きないもの）を主体に成長が進むようになる。従って、
成長薄膜の結晶性等の品質の向上が可能となる。この発
明のホットウォール型真空蒸着装置において、ホットウ
ォール管は、第２及び第３の加熱手段の間で熱輻射をシ
ールドすべくソース管に向けて突出した環状の仕切り部
を有するものとしてもよい。このようにすると、ソース
管の案内区間及びソース物質収容部のいずれについても
独立して適切な温度制御を行なうことができる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明をホットウォール型エピタ
キシャル成長装置と呼ばれる真空蒸着装置に適用した一
実施例を示すもので、図１のＸ−Ｘ’線に沿う断面は、
図２に示されている。
キシャル成長装置と呼ばれる真空蒸着装置に適用した一
実施例を示すもので、図１のＸ−Ｘ’線に沿う断面は、
図２に示されている。
【００１２】図１において、真空チャンバ１０内には、
支持台１１上にホットウォール管１８が直立した状態で
支持されている。ホットウォール管１８内には、石英か
らなるソース管１２が配置され、ソース管１２の開口端
の周縁部がホットウォール管１８の開口端に支持されて
いる。
支持台１１上にホットウォール管１８が直立した状態で
支持されている。ホットウォール管１８内には、石英か
らなるソース管１２が配置され、ソース管１２の開口端
の周縁部がホットウォール管１８の開口端に支持されて
いる。
【００１３】ソース管１２の開口端から下方に所定の案
内区間を隔てた個所には、蒸着用のソース物質ＳＳを収
容する収容部が設けられており、この収容部から下方に
延長する比較的小径の部分の底部には、不純物等の添加
物質ＤＳが収容されるようになっている。ソース管１２
の底部には、添加物質ＳＳの代りに、欠陥原子を補償す
るための物質が収容されることもある。ＧａＡｓなどの
化合物半導体を製造する場合には、ソース部にＧａを、
リザーバ部にＡｓをそれぞれ単体の蒸着ソースとして配
置すればよい。
内区間を隔てた個所には、蒸着用のソース物質ＳＳを収
容する収容部が設けられており、この収容部から下方に
延長する比較的小径の部分の底部には、不純物等の添加
物質ＤＳが収容されるようになっている。ソース管１２
の底部には、添加物質ＳＳの代りに、欠陥原子を補償す
るための物質が収容されることもある。ＧａＡｓなどの
化合物半導体を製造する場合には、ソース部にＧａを、
リザーバ部にＡｓをそれぞれ単体の蒸着ソースとして配
置すればよい。
【００１４】ソース管１２の開口端の近傍には、基板ホ
ルダ２１に保持された被処理基板２０が配置され、この
基板２０の上方には、基板加熱用のランプヒータ２６Ａ
が配置されている。基板ホルダ２１は、基板２０を保持
した状態で左右方向に移動可能である。ヘッド部２４Ａ
は、基板２０、基板ホルダ２１、ランプヒータ２６Ａ等
を含む部分に相当する。
ルダ２１に保持された被処理基板２０が配置され、この
基板２０の上方には、基板加熱用のランプヒータ２６Ａ
が配置されている。基板ホルダ２１は、基板２０を保持
した状態で左右方向に移動可能である。ヘッド部２４Ａ
は、基板２０、基板ホルダ２１、ランプヒータ２６Ａ等
を含む部分に相当する。
【００１５】ソース管１２の所定の案内区間の周囲に
は、図２に例示するようにランプヒータ２６Ｂが８個設
けられている。ランプヒータ２６Ｂは、蒸着原子を上方
に輸送又は案内する案内区間を加熱するためのものであ
るが、その輻射光は基板２０の蒸着面（ソース管１２の
開口端に対向する面）にも照射されるようになってい
る。ウォール部２４Ｂは、ソース管１２の案内区間、ラ
ンプヒータ２６Ｂ等を含む部分に相当する。
は、図２に例示するようにランプヒータ２６Ｂが８個設
けられている。ランプヒータ２６Ｂは、蒸着原子を上方
に輸送又は案内する案内区間を加熱するためのものであ
るが、その輻射光は基板２０の蒸着面（ソース管１２の
開口端に対向する面）にも照射されるようになってい
る。ウォール部２４Ｂは、ソース管１２の案内区間、ラ
ンプヒータ２６Ｂ等を含む部分に相当する。
【００１６】ソース管１２のソース物質収容部の周囲に
は、図２でランプヒータ２６Ｂについて示したと同様に
ランプヒータ２６Ｃが例えば８個設けられている。ソー
ス部２４Ｃは、ソース管１２のソース物質収容部、ラン
プヒータ２６Ｃ等を含む部分に相当する。
は、図２でランプヒータ２６Ｂについて示したと同様に
ランプヒータ２６Ｃが例えば８個設けられている。ソー
ス部２４Ｃは、ソース管１２のソース物質収容部、ラン
プヒータ２６Ｃ等を含む部分に相当する。
【００１７】ソース管１２の小径部の周囲には、図２に
例示するようにランプヒータ２６Ｄが３個設けられてい
る。リザーバ部２４Ｄは、ソース管１２の小径部、ラン
プヒータ２６Ｄ等を含む部分に相当する。
例示するようにランプヒータ２６Ｄが３個設けられてい
る。リザーバ部２４Ｄは、ソース管１２の小径部、ラン
プヒータ２６Ｄ等を含む部分に相当する。
【００１８】ホットウォール管１８には、ランプヒータ
２６Ｂと２６Ｃとの間で熱輻射をシールドすべく内方に
突出した環状の仕切り部１８Ｐと、ランプヒータ２６Ｃ
と２６Ｄとの間で熱輻射をシールドすべく内方に突出し
た環状の仕切り部１８Ｑとが設けられている。ホットウ
ォール管１８をステンレススチール等の金属から構成す
るときは、仕切り部１８Ｐ，１８Ｑを管本体と一体的に
形成することができる。
２６Ｂと２６Ｃとの間で熱輻射をシールドすべく内方に
突出した環状の仕切り部１８Ｐと、ランプヒータ２６Ｃ
と２６Ｄとの間で熱輻射をシールドすべく内方に突出し
た環状の仕切り部１８Ｑとが設けられている。ホットウ
ォール管１８をステンレススチール等の金属から構成す
るときは、仕切り部１８Ｐ，１８Ｑを管本体と一体的に
形成することができる。
【００１９】ランプヒータ２６Ａ〜２６Ｄは、２４Ａ〜
２４Ｄの各部毎に独立の温度調整回路に接続される。図
３は、代表としてランプヒータ２６Ａの使用例を示すも
のである。ヘッド部２４Ａに専用の温度調整回路３０に
は、ランプヒータ２６Ａが接続されると共に、基板２０
の温度をモニタするための熱電対等の温度センサ２８が
接続される。温度調整回路３０は、温度センサ２８で検
知した基板温度を操作員の設定した目標温度に一致させ
るようにランプヒータ２６Ａへの供給電力を制御する。
ウォール部２４Ｂ、ソース部２４Ｃ及びリザーバ部２４
Ｄについてもヘッド部２４Ａと同様にして各々独立に温
度制御が行なわれる。
２４Ｄの各部毎に独立の温度調整回路に接続される。図
３は、代表としてランプヒータ２６Ａの使用例を示すも
のである。ヘッド部２４Ａに専用の温度調整回路３０に
は、ランプヒータ２６Ａが接続されると共に、基板２０
の温度をモニタするための熱電対等の温度センサ２８が
接続される。温度調整回路３０は、温度センサ２８で検
知した基板温度を操作員の設定した目標温度に一致させ
るようにランプヒータ２６Ａへの供給電力を制御する。
ウォール部２４Ｂ、ソース部２４Ｃ及びリザーバ部２４
Ｄについてもヘッド部２４Ａと同様にして各々独立に温
度制御が行なわれる。
【００２０】ランプヒータ２６Ａ〜２６Ｄとしては、一
例として、図４に波長分布を示すようなハロゲンランプ
ヒータを用いる。図４においてハッチングを施した領域
ＶＲは、可視光領域を示す。なお、ランプヒータの配置
や個数は、照度むらが生じない限度で任意に選定するこ
とができる。
例として、図４に波長分布を示すようなハロゲンランプ
ヒータを用いる。図４においてハッチングを施した領域
ＶＲは、可視光領域を示す。なお、ランプヒータの配置
や個数は、照度むらが生じない限度で任意に選定するこ
とができる。
【００２１】真空チャンバ１０を所望の真空度になるよ
うに排気すると共にランプヒータ２６Ａ〜２６Ｄについ
てそれぞれ所望の温度を設定することにより蒸着処理を
開始することができる。蒸着処理では、基板２０におい
てソース管１２の開口端に対向した蒸着面に蒸着層をエ
ピタキシャル成長させることができる。蒸着面では、ラ
ンプヒータ２６Ｂからの可視光及び赤外光を含む輻射光
の照射によって不正規位置の結合の弱い飛来原子が排除
され、正規位置の結合の強い飛来原子を主体に成長が進
むようになり、結晶性の良い成長薄膜が得られる。
うに排気すると共にランプヒータ２６Ａ〜２６Ｄについ
てそれぞれ所望の温度を設定することにより蒸着処理を
開始することができる。蒸着処理では、基板２０におい
てソース管１２の開口端に対向した蒸着面に蒸着層をエ
ピタキシャル成長させることができる。蒸着面では、ラ
ンプヒータ２６Ｂからの可視光及び赤外光を含む輻射光
の照射によって不正規位置の結合の弱い飛来原子が排除
され、正規位置の結合の強い飛来原子を主体に成長が進
むようになり、結晶性の良い成長薄膜が得られる。
【００２２】従来のヒータ線による加熱では、１０００
℃以上の高温加熱が困難であったが、この発明では、ラ
ンプヒータの使用により１０００℃以上の高温加熱も容
易に行なうことができる。また、ウォール部２４Ｂ等に
おいて、いずれかのランプヒータが故障したときは、故
障したランプヒータを良品と交換するだけでよく、従来
のようにウォール部２４Ｂのすべてのヒータ線を交換す
る煩雑さはない。
℃以上の高温加熱が困難であったが、この発明では、ラ
ンプヒータの使用により１０００℃以上の高温加熱も容
易に行なうことができる。また、ウォール部２４Ｂ等に
おいて、いずれかのランプヒータが故障したときは、故
障したランプヒータを良品と交換するだけでよく、従来
のようにウォール部２４Ｂのすべてのヒータ線を交換す
る煩雑さはない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ソー
ス管の上部の加熱手段として可視光を輻射するランプヒ
ータを用いると共にこのランプヒータからの輻射光を被
処理基板の蒸着面に照射するようにしたので、蒸着面で
は、高いエネルギーを持った輻射光照射により弱い結合
の飛来原子が排除され、強い結合の飛来原子を主体に結
晶性の良い薄膜を形成可能となる効果が得られるもので
ある。
ス管の上部の加熱手段として可視光を輻射するランプヒ
ータを用いると共にこのランプヒータからの輻射光を被
処理基板の蒸着面に照射するようにしたので、蒸着面で
は、高いエネルギーを持った輻射光照射により弱い結合
の飛来原子が排除され、強い結合の飛来原子を主体に結
晶性の良い薄膜を形成可能となる効果が得られるもので
ある。
【００２４】その上、（イ）１０００℃以上の高温加熱
が容易になること、（ロ）加熱部の故障時には故障した
ランプヒータのみの交換で済み、メンテナンスが容易に
なること等の利点もある。
が容易になること、（ロ）加熱部の故障時には故障した
ランプヒータのみの交換で済み、メンテナンスが容易に
なること等の利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施例による真空蒸着装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】 図１のＸ−Ｘ’線に沿う断面図である。
【図３】 ランプヒータの使用例を示す接続図である。
【図４】 ランプヒータの波長分布を示すグラフであ
る。
る。
【図５】 従来の真空蒸着装置を示す断面図である。
１：真空チャンバ、１１：支持台、１２：ソース管、１
８：ホットウォール管、２０：被処理基板、２１：基板
ホルダ、２４Ａ：ヘッド部、２４Ｂ：ウォール部、２４
Ｃ：ソース部、２４Ｄ：リザーバ部、２６Ａ〜２６Ｄ：
ランプヒータ。
８：ホットウォール管、２０：被処理基板、２１：基板
ホルダ、２４Ａ：ヘッド部、２４Ｂ：ウォール部、２４
Ｃ：ソース部、２４Ｄ：リザーバ部、２６Ａ〜２６Ｄ：
ランプヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田上 文保 静岡県浜松市中沢町10番１号ヤマハ株式 会社内 (56)参考文献 特開 平３−4502（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−156996（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−197387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−97190（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−38396（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−11899（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 C23C 14/00 - 14/56
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）真空に排気される真空チャンバと、 （ｂ）この真空チャンバ内に開口端を上方に向けて配置
されるソース管であって、該開口端から下方に所定の案
内区間を隔てた個所に蒸着用のソース物質を収容する収
容部を有するものと、 （ｃ）前記真空チャンバ内で前記ソース管の開口端に被
処理基板の蒸着面を対向させて該被処理基板を保持する
保持手段と、 （ｄ）前記被処理基板を前記ソース管の開口端側とは反
対側から加熱するための第１の加熱手段と、 （ｅ）前記ソース管の案内区間を加熱するための第２の
加熱手段と、 （ｆ）前記ソース物質を蒸発させるべく加熱するための
第３の加熱手段と、 （ｇ）前記ソース管との間に前記第２及び第３の加熱手
段を介在させた状態で前記ソース管を取囲むように前記
真空チャンバ内に配置された熱輻射シールド用のホット
ウォール管であって、前記ソース管の開口端側に上部開
口端を有するものと をそなえた真空蒸着装置において、 前記第１乃至第３の加熱手段のうち少なくとも第２の加
熱手段を可視光を輻射するランプヒータで構成すると共
に、該ランプヒータの輻射光を前記ホットウォール管の
上部開口端を介して前記被処理基板の蒸着面に照射する
構成にしたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 【請求項２】 前記ホットウォール管は、前記第２及び
第３の加熱手段の間で熱輻射をシールドすべく前記ソー
ス管に向けて突出した環状の仕切り部を有するものであ
る請求項１記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651892A JP3253701B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651892A JP3253701B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692786A JPH0692786A (ja) | 1994-04-05 |
| JP3253701B2 true JP3253701B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=17432011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26651892A Expired - Fee Related JP3253701B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253701B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5297494B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2013-09-25 | 株式会社コバテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP26651892A patent/JP3253701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0692786A (ja) | 1994-04-05 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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