JP3243761U - パッケージ構造 - Google Patents

Abstract

【課題】ワイヤーボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を改善し、市場競争力を有するパッケージ構造を提供する。
【解決手段】パッケージ構造１００は、基板１１０、封入体１２０、およびメッキ層１３０を含む。基板は、回路１１２を有する。封入体は、基板上に設置される。メッキ層は、封入体の側壁に設置される。回路は、メッキ層に接続されるため、回路と前記メッキ層は、延伸した導電路を構成する。
【選択図】図１

Description

本考案は、パッケージ構造に関するものである。

電子デバイスの持続的な発展に伴い、市場競争力を高めるために、半導体パッケージ構造も持続的に改良を行わなければならなくなった。さらに説明すると、いかにしてパッケージ構造を最適化し、ワイヤボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を改善して、市場競争力を持たせるかが、まさに一種の挑戦である。

本考案は、市場競争力を有するパッケージ構造を提供する。

本考案のパッケージ構造は、基板、封入体、およびメッキ層を含む。基板は、回路を有する。封入体は、基板上に設置される。メッキ層は、封入体の側壁に設置される。回路は、メッキ層に接続されるため、回路と前記メッキ層は、延伸した導電路を構成する。

本考案の１つの実施形態において、前記メッキ層は、封入体の側壁から基板の側壁および底面に延伸する。

本考案の１つの実施形態において、前記メッキ層と回路は、直接接触する。

本考案の１つの実施形態において、前記基板は、対向する上面と底面を有し、回路は、上面から底面に向かって延伸する。

本考案の１つの実施形態において、前記封入体は、レーザー直接構造化（laser direct structuring, LDS）材料で製造される。

本考案の１つの実施形態において、前記メッキ層は、レーザー直接構造化材料で製造される。

本考案の１つの実施形態において、前記封入体と基板は、直接接触する。

本考案の１つの実施形態において、前記封入体は、回路の一部を覆う。

本考案の１つの実施形態において、前記メッキ層は、封入体の側壁に凸設される。

本考案の１つの実施形態において、前記回路とメッキ層は、一対一の方式で接続される。

以上のように、本考案のパッケージ構造は、回路をメッキ層に接続する設計により、回路とメッキ層が延伸した導電路を構成するため、それにより、ワイヤボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を有効に改善し、市場競争力を持たせることができる。

本考案の上記の特徴および利点をより分かり易くするため、以下に実施形態を挙げて、本考案について図面と合わせて詳細に説明する。

本考案の１つの実施形態に係るパッケージ構造の立体概略図である。 本考案の１つの実施形態に係るパッケージ構造の立体概略図である。 本考案の１つの実施形態に係るパッケージ構造の断面概略図である。 本考案の代替の実施形態に係るパッケージ構造の立体概略図である。説明すべきこととして、図１は、透視画法であり、チップの図示を省略している。

以下、本考案の実施形態について詳細に説明する。しかしながら、これらの実施形態は例示的なものであり、本考案を限定するものではなく、本考案は、特許請求の範囲の範囲により限定される。

以下、図面を参照しながら、本考案の例示的実施形態を全面的に説明するが、本考案は、多くの異なる方法により実施することができるため、本文中で説明した実施形態のみに限定されるべきではない。図面において、明確に示すため、各領域、部位、および層の大きさおよび厚さは、実際の比例に基づいて製図したものではない。理解しやすいよう、下記の説明において、同じ素子には同じ符号を用いて説明する。

本明細書で用いる方向を表す用語（例えば、上、下、右、左、前、後、上部、下部等）は、単に描かれた図面に関してのみ使用され、絶対的な向きを暗示する意図はない。

他に定義されない限り、本明細書中で使用される全ての技術用語（技術および科学用語を含む）は、本考案が属する分野の当業者によって通常理解されるものと同じ意味を有する。

図１および図２は、本考案の１つの実施形態に係るパッケージ構造の立体概略図である。図３は、本考案の１つの実施形態に係るパッケージ構造の断面概略図である。図４は、本考案の代替の実施形態に係るパッケージ構造の立体概略図である。図１～図３を参照すると、本実施形態において、パッケージ構造１００は、基板１１０、封入体１２０、およびメッキ層１３０を含む。基板１１０は、回路１１２を有し、封入体１２０は、基板１１０上に設置され、メッキ層１３０は、封入体１２０の側壁１２０ｓに設置される。また、本実施形態のパッケージ構造１００は、回路１１２をメッキ層１３０に接続する設計により、回路１１２とメッキ層１３０が延伸した導電路１０を構成するため、それにより、ワイヤボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を有効に改善し、市場競争力を持たせることができる。ここで、基板１１０は、プリント基板（ＰＣＢ）または導電路を有するその他の適切な基板であり、回路１１２は、適切な導電材料を使用して製造することができるが、本考案はこれに限定されない。

さらに説明すると、ワイヤボンディングプロセス（例えば、ボンディングワイヤを用いてチップを基板に電気接続する）においては、多くの要因（例えば、線径、角度等）を考慮しなければならないため、ワイヤボンディングプロセスは、他のプロセスよりも複雑になりやすく、それにより、一致性不良の問題を有し、且つ追加のベースサポートによってパッケージ構造の体積を増加させる問題もある。したがって、本実施形態のパッケージ構造１００は、回路１１２をメッキ層１３０に接続する設計により、プロセスの一致性を向上させて、大量生産に役立てることができ、且つベースサポートを必要としない状況で素子のサイズを維持することができるため、追加のベースサポートによりパッケージ構造の体積を増やす必要がない。したがって、ワイヤボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を有効に改善し、市場競争力を持たせることができるが、本考案はこれに限定されない。

説明すべきこととして、パッケージ構造１００は、さらに、基板１１０上に設置されたチップ１４０を含んでもよく、且つチップ１４０は、延伸した導電路１０に電気接続することができる。チップ１４０は、実際の設計上の要求に応じて、任意の適切なチップの種類であってもよく、且つ任意の適切な方法で基板１１０上に接合することができる。例を挙げて説明すると、チップ１４０は、フリップチップ（flip chip）の方法で基板１１０の回路１１２上に接合することができ、あるいは、チップ１４０は、その他の接合方法で基板１１０の回路１１２上に接合してもよいが、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、パッケージ構造１００は、回路１１２をメッキ層１３０に接続する設計により、チップと回路の不連続面によって生じるインピーダンス不整合損失を減らすことができるため、それにより、高周波数特性をさらに安定させ、高周波損失を減らすことができる。したがって、本実施形態のパッケージ構造１００は、高周波数の応用においてさらに優位性を有するが、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、封入体１２０とメッキ層１３０は、レーザー直接構造化（laser direct structuring, LDS）材料で製造される。例を挙げて説明すると、まず、チップ１４０を基板１１０上に設置し、続いて、金型にホットプレス工程を行って、レーザー直接構造化材料を金型のチャンバ内に注入することにより、封入体１２０を形成することができる。また、レーザー直接構造化材料は、触媒を含む材料であるため、形成したいメッキ層１３０の領域にレーザー光を照射することにより、上述したレーザー直接構造化材料を活性化させ、メッキを行うことができ、それにより、メッキ層１３０を封入体１２０の側壁１２０ｓに形成して、回路１１２と互いに接続することができる（メッキ層１３０と回路１１２は、例えば、直接接触する）。したがって、この製造方法において、メッキ層１３０は、封入体１２０の側壁１２０ｓに凸設されてもよいが、本考案はこれに限定されない。説明すべきこととして、本実施形態のメッキ層１３０の厚さは、実際の設計上の要求に応じて決めることができる。例を挙げて説明すると、メッキ層１３０の厚さは、例えば、１０マイクロメートル以下であり、それにより、レーザー光が照射された後に損壊する確率を下げることができるが、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、メッキ層１３０は、封入体１２０の側壁１２０ｓから基板１１０の側壁１１０ｓおよび底面１１０ｂに延伸する。基板１１０は、対向する上面１１０ａ及び底面１１０ｂを有し、且つ回路１１２は、上面１１０ａから底面１１０ｂに向かって延伸する（例えば、ビア（via）を介して）が、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、ベースサポートを省略して、封入体１２０を直接基板１１０上に形成することにより、封入体１２０と基板１１０が直接接触し、且つ封入体１２０が回路１１２の一部（基板１１０の上面１１０ａにある部分）を覆うようにすることができるが、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、回路１１２とメッキ層１３０は、一対一の方式で接続される。詳しく説明すると、本考案の回路１１２とメッキ層１３０の数は、１つであっても、複数であってもよく、且つ回路１１２とメッキ層１３０は、パッケージ構造１００の１つの辺または複数の辺に設置することができる。例を挙げて説明すると、図２に示すように、回路１１２とメッキ層１３０は、複数であってもよく、且つパッケージ構造１００の１つの辺に設置することができる。図４の代替の実施形態に示すように、回路１１２とメッキ層１３０は、複数であってもよく、且つパッケージ構造１００の２つの辺に設置することができる。図示していない実施形態において、回路１１２とメッキ層１３０は、実際の設計上の要求に応じて、パッケージ構造１００の３つの辺または４つの辺に設置することができるが、本考案はこれに限定されない。

いくつかの実施形態において、パッケージ構造１００は、クワッドフラットリード端子なし（quad flat non-leaded, QFN）パッケージであるが、本考案はこれに限定されない。

以上のように、本考案のパッケージ構造は、回路をメッキ層に接続する設計により、回路とメッキ層が延伸した導電路を構成するため、それにより、ワイヤボンディングをベースサポートに組み合わせるパッケージ構造により生じる問題を有効に改善し、市場競争力を持たせることができる。

以上のように、本考案を実施形態により開示したが、本考案を限定するために用いるものではなく、当業者であれば、本考案の精神および範囲から逸脱しなければ、いくつかの変更ならびに修正が可能であるため、本考案の保護範囲は、添付の特許請求の範囲を基準として定めなければならない。

１０ 延伸した導電路
１００ パッケージ構造
１１０ 基板
１１０ａ 上面
１１０ｂ 底面
１１２ 回路
１２０ 封入体
１１０ｓ、１２０ｓ 側壁
１３０ メッキ層
１４０ チップ

Claims (10)

1. 回路を有する基板と、
   前記基板上に設置された封入体と、
   前記封入体の側壁に設置されたメッキ層と、
   を含み、前記回路が、前記メッキ層に接続されるため、前記回路と前記メッキ層が、延伸した導電路を構成するパッケージ構造。
2. 前記メッキ層が、前記封入体の前記側壁から前記基板の側壁および底面に延伸する、請求項１に記載のパッケージ構造。
3. 前記メッキ層と前記回路が、直接接触する、請求項１に記載のパッケージ構造。
4. 前記基板が、対向する上面と底面を有し、前記回路が、前記上面から前記底面に向かって延伸した、請求項１に記載のパッケージ構造。
5. 前記封入体が、レーザー直接構造化材料で製造された、請求項１に記載のパッケージ構造。
6. 前記メッキ層が、レーザー直接構造化材料で製造された、請求項５に記載のパッケージ構造。
7. 前記封入体と前記基板が、直接接触する、請求項１に記載のパッケージ構造。
8. 前記封入体が、前記回路の一部を覆う、請求項１に記載のパッケージ構造。
9. 前記メッキ層が、前記封入体の前記側壁に凸設された請求項１に記載のパッケージ構造。
10. 前記回路と前記メッキ層が、一対一の方式で接続された請求項１に記載のパッケージ構造。

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