TWM637732U - 封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種封裝結構包括基板、密封體以及鍍層。基板具有線路。密封體設置於基板上。鍍層設置於密封體的側壁上。線路連接鍍層，以使線路與所述鍍層構成延伸導電路徑。

Description

封裝結構

本新型創作是有關於一種封裝結構。

隨著電子裝置持續的發展，半導體封裝結構也必須持續進行改良，以提升市場競爭力。進一步而言，如何優化封裝結構，改善打線搭配底座支架的封裝結構所產生的問題，使其具有市場競爭力實為一種挑戰。

本新型創作提供一種封裝結構，其具有市場競爭力。

本新型創作的一種封裝結構包括基板、密封體以及鍍層。基板具有線路。密封體設置於基板上。鍍層設置於密封體的側壁上。線路連接鍍層，以使線路與所述鍍層構成延伸導電路徑。

在本新型創作的一實施例中，上述的鍍層從密封體的側壁延伸至基板的側壁與底表面。

在本新型創作的一實施例中，上述的鍍層與線路直接接觸。

在本新型創作的一實施例中，上述的基板具有相對的頂表面與底表面，線路由頂表面往底表面延伸。

在本新型創作的一實施例中，上述的密封體由雷射直接成型材料所製成。

在本新型創作的一實施例中，上述的鍍層由雷射直接成型材料所製成。

在本新型創作的一實施例中，上述的密封體與基板直接接觸。

在本新型創作的一實施例中，上述的密封體覆蓋線路的一部分。

在本新型創作的一實施例中，上述的鍍層凸設於密封體的側壁上。

在本新型創作的一實施例中，上述的線路與鍍層以一對一的方式進行連接。

基於上述，本新型創作的封裝結構藉由線路連接鍍層的設計，以使線路與鍍層構成延伸導電路徑，如此一來，可以有效改善打線搭配底座支架的封裝結構所產生的問題，使其具有市場競爭力。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在下文中詳細闡述本新型創作的實施例。然而，該些實施例為示範性的，本新型創作並非僅限於此，且本新型創作由申請專利範圍的範圍界定。

以下將參考圖式來全面地描述本新型創作的例示性實施例，但本新型創作還可按照多種不同形式來實施，且不應解釋為限於本文所述的實施例。在圖式中，為了清楚起見，各區域、部位及層的大小與厚度可不按實際比例繪製，且省略繪示部分構件。為了方便理解，下述說明中相同的元件將以相同之符號標示來說明。

本文所使用之方向用語(例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅作為參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本新型創作所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。

圖1、圖2是本新型創作一實施例的封裝結構的立體示意圖。圖3是本新型創作一實施例的封裝結構的剖面示意圖。圖4是本新型創作一替代性實施例的封裝結構的立體示意圖。請參考圖1至圖3，在本實施例中，封裝結構100包括基板110、密封體120以及鍍層130，其中基板110具有線路112，密封體120設置於基板110上，鍍層130設置於密封體120的側壁120s上。此外，本實施例的封裝結構100藉由線路112連接鍍層130的設計，以使線路112與鍍層130構成延伸導電路徑10，如此一來，可以有效改善打線搭配底座支架的封裝結構所產生的問題，使其具有市場競爭力。在此，基板110為印刷電路板(PCB)或其他適宜的具有導電線路的基板，而線路112可以使用適宜的導電材料所製成，本新型創作不加以限制。

進一步而言，由於打線製程(例如是利用銲線將晶片電性連接至基板)中需考慮許多因素(如線徑、角度等)，使得打線製程往往較其他製程來的複雜，進而有一致性較差的問題，且額外的底座支架也會增加封裝結構的體積，因此本實施例的封裝結構100藉由線路112連接鍍層130的設計可以提升製程一致性，有助於批量生產，且可以在不需要底座支架的情況下維持元件尺寸，無須因額外的底座支架而增加封裝結構的體積，因此可以有效改善打線搭配底座支架的封裝結構所產生的問題，使其具有市場競爭力，但本新型創作不限於此。

應說明的是，封裝結構100可以更包括設置於基板110上的晶片140，且晶片140可以電性連接至延伸導電路徑10，其中晶片140依照實際設計上的需求可以是任何適宜的晶片類型且可以藉由任何適宜的方式接合於基板110上，舉例而言，晶片140可以以覆晶(Flip chip)方式接合於基板110的線路112上，或者，晶片140亦可以藉由其他接合方式接合於基板110的線路112上，本新型創作不加以限制。

在一些實施例中，由於封裝結構100藉由線路112連接鍍層130的設計可以減少晶片與線路的不連續面所造成的阻抗不匹配損耗，如此一來，可以使高頻特性更加穩定減少高頻損耗，因此本實施例的封裝結構100在高頻應用上可以更具有優勢，但本新型創作不限於此。

在一些實施例中，密封體120與鍍層130由雷射直接成型(Laser Direct Structuring, LDS)材料所製成，舉例而言，可以先將晶片140設置於基板110上，接著，藉由模具執行熱壓製程，以將雷射直接成型材料灌入模具之腔體內，進而形成密封體120。此外，由於雷射直接成型材料為含觸媒的材料，因此可以藉由對欲形成鍍層130的區域照射雷射光，以使前述雷射直接成型材料活化並進行鍍覆，進而將鍍層130形成在密封體120的側壁120s上並與線路112相連接(鍍層130與線路112例如是直接接觸)，因此，在此製作方法下，鍍層130可以是凸設於密封體120的側壁120s上，但本新型創作不限於此。應說明的是，本新型創作的鍍層130的厚度可以依照實際設計上的需求而定，舉例而言，鍍層130的厚度例如是10微米以下，以降低受到雷射光照射後損壞的機率，但本新型創作不限於此。此外，觸媒可以是任何適宜用於雷射直接成型材料的觸媒，本新型創作亦不加以限制。

在一些實施例中，鍍層130從密封體120的側壁120s延伸至基板110的側壁110s與底表面110b，其中基板110具有相對底表面110b的的頂表面110a，且線路112由頂表面110a往底表面110b延伸(例如是經由貫孔(via))，但本新型創作不限於此。

在一些實施例中，由於省略了底座支架，密封體120直接形成於基板110上，使得密封體120與基板110直接接觸且密封體120覆蓋線路112的一部分(位於基板110的頂表面110b的部分)，但本新型創作不限於此。

在一些實施例中，線路112與鍍層130以一對一的方式進行連接。進一步而言，本新型創作的線路112與鍍層130的數量可以是一個或多個，且線路112與鍍層130可以設置在封裝結構100的一個邊或多個邊上，舉例而言，如圖2所示，線路112與鍍層130可以是多個且可以設置於封裝結構100的一個邊上，如圖4的替代性實施例所示，線路112與鍍層130可以是多個且可以設置於封裝結構100的二個邊上，而在未繪示的實施例中，線路112與鍍層130可以依照實際設計上的需求設置於封裝結構100的三個邊或四個邊上，本新型創作不加以限制。

在一些實施例中，封裝結構100為四方平面無引腳封裝(QFN)，但本新型創作不限於此。

綜上所述，本新型創作的封裝結構藉由線路連接鍍層的設計，以使線路與鍍層構成延伸導電路徑，如此一來，可以有效改善打線搭配底座支架的封裝結構所產生的問題，使其具有市場競爭力。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:延伸導電路徑 100:封裝結構 110:基板 110a:頂表面 110b:底表面 112:線路 120:密封體 110s、120s:側壁 130:鍍層 140:晶片

圖1、圖2是本新型創作一實施例的封裝結構的立體示意圖。 圖3是本新型創作一實施例的封裝結構的剖面示意圖。 圖4是本新型創作一替代性實施例的封裝結構的立體示意圖。 應說明的是，圖1為透視繪法，且省略繪示出晶片。

10:延伸導電路徑

100:封裝結構

110:基板

112:線路

120:密封體

120s:側壁

130:鍍層

Claims (10)

1. 一種封裝結構，包括： 基板，具有線路； 密封體，設置於所述基板上；以及 鍍層，設置於所述密封體的側壁上，其中所述線路連接所述鍍層，以使所述線路與所述鍍層構成延伸導電路徑。
2. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述鍍層從所述密封體的所述側壁延伸至所述基板的側壁與底表面。
3. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述鍍層與所述線路直接接觸。
4. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述基板具有相對的頂表面與底表面，所述線路由所述頂表面往所述底表面延伸。
5. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述密封體由雷射直接成型材料所製成。
6. 如請求項5所述的封裝結構，其中所述鍍層由所述雷射直接成型材料所製成。
7. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述密封體與所述基板直接接觸。
8. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述密封體覆蓋所述線路的一部分。
9. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述鍍層凸設於所述密封體的所述側壁上。
10. 如請求項1所述的封裝結構，其中所述線路與所述鍍層以一對一的方式進行連接。

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