JP3242848B2

JP3242848B2 - 近接場光学顕微鏡用プローブ

Info

Publication number: JP3242848B2
Application number: JP23678796A
Authority: JP
Inventors: 秀二物部; 元一大津
Original assignee: Kanagawa Academy of Science and Technology
Current assignee: Kanagawa Academy of Science and Technology
Priority date: 1996-09-06
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 2001-12-25
Anticipated expiration: 2016-09-06
Also published as: JPH1082792A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプローブ走
査型顕微鏡の一つである近接場光学顕微鏡において、エ
バネッセント光を検出する光プローブとして使用される
近接場光学顕微鏡用プローブに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常の光学顕微鏡によって得られる画像
の分解能は使用される光の波長（回折限界）によって制
限される。

【０００３】これに対して、ナノメートルサイズの構造
を持つプローブを備えた近接場光学顕微鏡においては、
波長を超えた分解能をもつ光学像を得ることができる。
したがって、この近接場光学顕微鏡技術を利用すること
により、ナノメートル級の分解能で、例えば生体試料、
半導体試料、光メモリー材料、感光性材料等の物体の形
状測定や分光測定、さらにはメモリー操作（書き込み／
読み出し／消去）、光加工などを行うことができる。

【０００４】図７に示すのは近接場光学顕微鏡の一例で
ある。この顕微鏡は、物質表面の光の波長より小さい領
域に局在するエバネッセント光を検出して物体の形状を
測定するものであり、全反射条件下で物体にレーザ光が
照射されることにより生じたエバネッセント光５０を、
プローブ５２のナノメートルサイズとなされた先鋭部５
１の先端によって散乱させる。

【０００５】この場合には、プローブが光ファイバーで
形成されており、先鋭部５１によって散乱された光は当
該先鋭部５１を通じて光ファイバーのコアに導かれる。
そして、コア内に導かれた光は、光ファイバーのもう一
方の出射端から出射し、検出器により検出される。つま
り、この顕微鏡では、光ファイバープローブによって散
乱と検出の両方が行われる。そして、このとき、プロー
ブを物体上で走査させることにより、２次元的な検出光
の画像が得られることになる。

【０００６】なお、この近接場光学顕微鏡では、先鋭部
の先端がナノメーターサイズとなされたプローブ（Ｔｉ
ｐプローブ）の代わりに、金属等の遮光性被覆層を先鋭
部の先端を除いて形成し、この先鋭部の先端にナノメー
ターサイズの開口を形成したプローブ（開口プローブ）
も使用することができる。

【０００７】以上に説明した近接場光学顕微鏡は、物体
上に生成したエバネッセント光をプローブによって集め
るものであり、コレクションモードと称される。

【０００８】この他、近接場光学顕微鏡としては、プロ
ーブの後端側から光を取り込むことによって開口にエバ
ネッセント光を生じせしめ、この光で物体を局所的に照
らして画像を得るイルミネーションモードや、開口に生
じたエバネッセント光で物体を局所的に照らすととも
に、開口によって散乱された光を開口プローブを通じて
検出して画像を得るイルミネーション・コレクションモ
ードが知られている。

【０００９】このような近接場光学顕微鏡における物体
とプローブの間のエネルギー移動の現象は、それら分極
間の近距離相互作用として理解される。ここで物体とプ
ローブの間で効果的な相互作用を生じる条件としては、
第１に物体とプローブのサイズが近いこと、第２に物体
とプローブの間の距離がプローブのサイズ（Ｔｉｐにお
いては先端径、開口においては開口径である。）以下に
なることである。

【００１０】それゆえ、近接場光学顕微鏡において、ナ
ノメートル級の分解能を得るためには、ナノメートルサ
イズの先端径を有するＴｉｐ−プローブあるいはナノメ
ートルサイズの開口径を有する開口プローブを作製する
ことが重要である。

【００１１】ここで、プローブの作製法としては次のよ
うな手法がとられるのが一般的である。

【００１２】まず、Ｔｉｐ−プローブを作製するには、
例えば化学エッチング液に光ファイバーの一端を浸漬
し、この一端に円錐状の先鋭形状を形成する。また、開
口プローブを作製するには、このようにして先鋭化した
光ファイバーに、例えば真空蒸着法等によって遮光性の
被覆層を先端部を除いて形成する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、先鋭部表面
に設ける遮光性被覆層は、これまで真空蒸着法やスパッ
タリング法等の乾式の成膜法によって形成されている。

【００１４】このうち真空蒸着法は、蒸着源を加熱蒸発
させ、この蒸気を被処理面に被着させることで薄膜を形
成する方法である。

【００１５】また、スパッタリング法は、Ａｒ等のスパ
ッタガスをプラズマ中でイオン化してターゲット表面に
衝突させ、これによってターゲットから飛翔したスパッ
タ粒子を被処理面に被着させることで薄膜を形成する方
法である。

【００１６】これらの成膜法によって開口部を有する遮
光性被覆層を形成する場合、蒸着粒子あるいはスパッタ
粒子のファイバーへの入射方向を制御することで、先鋭
部末端での遮光性被覆層の厚さを他の領域よりも薄くす
ることが考えられる。しかし、より透過効率の高い微小
開口を形成するために、通常は、遮光性被覆層を一旦先
鋭部全体に形成した後、先鋭部末端の遮光性被覆層のみ
をエッチング除去する方法が採用される。

【００１７】しかしながら、ここで行われるエッチング
は、まず、エッチング用マスクを先鋭部末端を除いて形
成した後、このエッチング用マスクから露出している遮
光性被覆層をエッチング溶液によって溶解除去するもの
であり、工程が非常に煩雑である。

【００１８】また、真空蒸着法やスパッタリング法自体
も比較的時間のかかる工程であることから、遮光性被覆
層の形成工程がプローブの生産性向上を妨げる一因にな
っている。

【００１９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、光ファイバーの先鋭部に
微小開口を有する遮光性被覆層を容易に形成することが
でき、分解能に優れるとともに生産性の向上が図れる近
接場光学顕微鏡用プローブを提供することを目的とす
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、先鋭部を有する近接場光学顕微鏡用プ
ローブであって、上記先鋭部の表面に、無電界めっき法
によって形成され、上記先鋭部の中途部までは均一な厚
さで、この中途部から厚さを減少させた遮光性被覆層
と、この遮光性被覆層から上記先鋭部の先端を突出させ
た開口径が光の波長以下の開口部を有することを特徴と
する。

【００２１】本発明に係る近接場光学顕微鏡用プローブ
は、例えば、コアの周りにクラッドが設けられてなる光
ファイバーよりなり、光ファイバーの一端に、クラッド
から突出したコアを先鋭化することで形成された先鋭部
を有し、この先鋭部の表面に、無電界めっき法によって
形成され、上記先鋭部の中途部までは均一な厚さで、こ
の中途部から厚さを減少させた遮光性被覆層と、この遮
光性被覆層から上記先鋭部の先端を突出させた開口径が
光の波長以下の開口部を有する。

【００２２】このような近接場光学顕微鏡用プローブで
は、遮光性被覆層から先鋭部の先端が突出しているの
で、この突出した先鋭部先端から選択的に光が取り込ま
れ、外乱光等の影響を受けずに、エバネッセント光が高
い分解能で検出される。

【００２３】また、無電界めっき法では、めっき時間を
制御することで、遮光性被覆層が先鋭部の先端周辺を除
いたかたちで形成されるので、エッチングによって開口
部を形成する工程を別段行う必要がない。したがって、
遮光性被覆層の形成工程が簡易化する。

【００２４】しかも、無電解めっき法は、真空蒸着法や
スパッタリング法に比べて成膜速度が速く、また、湿式
法であるので大気中で処理を行うことができ、さらにメ
ッキ液の量や処理容器の容量を増やすことによって一回
の工程で多数の光ファイバーに遮光性被覆層を形成する
ことができる。したがって、無電解メッキ法を用いるこ
とによって製造効率が大幅に改善される。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について説明する。

【００２６】本発明の近接場光学顕微鏡用プローブは、
例えば物体表面の光の波長より小さい領域に局在するエ
バネッセント光を検出して物体の形状を測定するプロー
ブ走査型近接場光学顕微鏡において、エバネッセント光
を検出する光プローブとして使用されるものである。す
なわち、この近接場光学顕微鏡用プローブは、その先鋭
部を物体表面に近接させることでエバネッセント光を散
乱させ、この散乱した光をコア中を伝搬させて検出部に
まで導くものである。

【００２７】このようにして使用される近接場光学顕微
鏡用プローブは、例えば図１に示すように、コア１の周
りにクラッド２が形成されてなる光ファイバーよりなっ
ており、この光ファイバーの一端に、クラッド２から突
出したコア１を先鋭化することによって形成された先鋭
部３を有している。この先鋭部３は試料からのエバネッ
セント光を散乱させて取り込む導入部であり、特に、こ
の近接場光学顕微鏡用プローブでは、この表面に、当該
先鋭部３の先端周辺を除いて無電解めっき法によって遮
光性被覆層４が形成され、この遮光性被覆層４から上記
先鋭部３の先端５が突出している。

【００２８】このような近接場光学顕微鏡用プローブで
は、先鋭部３の先端５周辺を除いて形成された遮光性被
覆層４によって光の入射が遮られるので、試料からの光
は、遮光性被覆層４が形成されていない先鋭部先端５か
ら選択的に取り込まれる。すなわち、遮光性被覆層４に
よって先鋭部先端５に微小開口が形成されたかたちにな
っている。したがって、外乱光等の影響を受けず、エバ
ネッセント光を高い分解能で検出することができる。

【００２９】そして、さらに、この近接場光学顕微鏡用
プローブでは上記遮光性被覆層４が無電解めっき法によ
って形成されている。以下に、この無電解めっき法によ
る遮光性被覆層４の形成方法を説明する。

【００３０】無電解めっき法によって形成される遮光性
被覆層４は、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、コ
バルト、銅、すず等の金属めっき膜である。

【００３１】光ファイバーのガラス表面に無電解めっき
法によって遮光性被覆層４を形成するには、まず、Ｐｄ
等の触媒金属核をガラス表面に析出させるところの活性
化処理を行う。

【００３２】そして、この活性化処理を施した光ファイ
バーを無電解めっき液に浸漬する。

【００３３】無電解めっき液は、めっき膜を析出させる
ための金属塩、還元剤に加えて金属被膜を一定速度で析
出させるための錯化剤、緩衝剤、安定剤が溶解された水
溶液である。この無電解めっき液では、還元剤の酸化に
よって遊離した電子が、金属イオンに供給（還元）され
るといった酸化還元反応が生じており、活性化処理を施
したガラスを浸漬すると、その表面に金属が析出する。
この金属の堆積によってめっき膜が形成されることにな
る。

【００３４】ここで、このような無電解めっき法におい
ては、平坦な面に対しては略均一な膜厚でめっき膜が析
出するが、光ファイバーの先鋭部先端のように、曲率の
小さい、いわば針のような尖った形状の表面に対しては
めっき膜が特異な析出の仕方をする。

【００３５】これはめっき液中の溶存酸素の吸着に起因
している。

【００３６】すなわち、溶存酸素は平坦面よりも微細な
形状の表面に対して多く吸着する。この吸着した溶存酸
素は、ガラス表面で還元剤から遊離した電子を消費する
ため、溶存酸素が過剰に供給される部分では、金属イオ
ンの還元が阻害され、めっきの堆積速度が遅くなる。

【００３７】このため、光ファイバーを無電解めっき液
に浸漬した場合には、先鋭部の先端周辺以外の領域では
比較的速くめっきが進行するが、微細な表面形状になっ
ている先鋭部の先端周辺では、過剰に供給された溶存酸
素によってめっきの析出が阻害される。したがって、先
鋭部の先端周辺以外で十分な膜厚のめっき膜が堆積し、
且つ先鋭部の先端周辺でめっき膜が析出していない段階
でめっきを停止することによって、開口部を有したかた
ちで遮光性被覆層が形成されることになる。

【００３８】このように無電解めっき法では遮光性被覆
層が開口部を有して形成されるので、エッチングによっ
て開口部を形成する工程を別段行う必要がない。したが
って、遮光性被覆層の形成工程が簡易化する。しかも、
無電解めっき法は、真空蒸着法やスパッタリング法に比
べて成膜速度が速く、また、湿式法であるので大気中で
処理を行うことができ、さらにメッキ液の量や処理容器
の容量を増やすことによって一回の工程で多数の光ファ
イバーに遮光性被覆層を形成することができる。したが
って、無電解メッキ法を用いることによって製造効率が
大幅に改善される。

【００３９】なお、遮光性被覆層として形成するめっき
膜は、結晶質であっても非晶質であっても構わない。例
えばＮｉめっき液の一般的な組成を以下に示すが、この
Ｎｉめっき液を用いると結晶質のＮｉめっき膜が析出す
る。また、めっき液のｐＨや還元剤の種類を変えること
でめっき膜にＰが導入されるようにすると、非晶質のめ
っき膜を形成することができる。

【００４０】Ｎｉめっき液の組成金属塩：ＮｉＳＯ₄ ０．１ｍｏｌ／ｌ錯化剤：ＣＨ₃ＣＯＯＮＨ₄ ０．４ｍｏｌ／ｌ還元剤：ＮａＨ₂ＰＯ₂ ０．２ｍｏｌ／ｌめっき液のｐＨ：５．００（Ｈ₂ＳＯ₄で調整）めっき液の温度５０℃ また、無電解めっき液に、予め窒素によるバブリングを
行い、溶存酸素の一部を取り除くようにしても良い。こ
れによって、めっきの進行が促進される。また、この窒
素によるバブリングは、めっきの間も、継続して行うよ
うにしても構わない。この場合、窒素のバブリングによ
ってめっき液が攪拌される。このようなめっき液の攪拌
もめっき膜の析出の仕方に大きな影響を与える要因の一
つである。めっきの析出の仕方を決定する要因として
は、溶存酸素と攪拌の他に、還元剤、錯化剤、種々の添
加剤などのめっき液の成分とめっき液のｐＨ、温度、成
膜時間が挙げられる。また、活性化処理工程の溶液の濃
度等も重要な要因である。

【００４１】以上は本発明の近接場光学顕微鏡用プロー
ブの基本的な構成であり、この近接場光学顕微鏡用プロ
ーブの構成はこれに限るものではない。

【００４２】例えば、図２に示すように、光ファイバー
の先鋭部の手前に、光ファイバーの径に対して１／１０
程度に径小化した径小部６を設け、この径小部６の先端
に先鋭部３を設けるようにしても良い。光ファイバーの
一端に直接先鋭部３を設けた場合には、プローブを試料
上で走査させたときに、光ファイバー自体も試料に近接
するかたちになる。このとき、光ファイバーの径は先鋭
部３の根元径に比べて非常に大きいことから、プローブ
をわずかに傾けただけでも、光ファイバーの周端部が試
料表面に衝突し、試料やプローブ自体に損傷を生じる虞
れがある。

【００４３】これに対して、先鋭部の手前に径小部６を
設けると、光ファイバーから先鋭部３が延長された形に
なる。したがって、プローブを多少傾けても光ファイバ
ーの周端部が試料表面に衝突することがなく、衝突によ
る試料やプローブの損傷が回避されることになる。

【００４４】また、光ファイバーの先鋭部は、図３に示
すように、コア２３とクラッド２４の一部を基端面から
突出させ、これを３段階の傾斜角で先鋭化することによ
って形成されていても良い。先鋭部が一定の傾斜角で円
錐状に先鋭化されている場合では、この傾斜角が小さく
なる程光の損失が大きくなり透過効率が低下する。これ
に対して、先鋭部２５が３段階の傾斜角で先鋭化されて
いると、先端側から１段目の傾斜角αを小さい角度にし
ても、２段目の傾斜角βを大きな角度にしたり、３段目
の傾斜角γを調整することで光の透過効率を上げること
ができる。但し、この場合、先鋭部２５の先端側から２
段目の傾斜角βは３０゜〜９０゜であり、先端側から１
段目の傾斜角α及び３段目の傾斜角γはこの角度よりも
小さいことが望ましい。また、先端側から１段目のテー
パー面２５ａの根元径ｄは、伝搬される光の波長以下で
あることが必要である。

【００４５】また、この近接場光学顕微鏡用プローブ
は、単一の伝搬モードの光を伝搬するシングルモードフ
ァイバーとして用いても、複数の伝搬モードの光を伝搬
するマルチモードファイバーとして用いてもいずれでも
構わない。マルチモードファイバーでは、例えばコアの
屈折率が中心から外周側に向かって変化する屈折率分布
とされる。

【００４６】以上、本発明を光ファイバーで構成された
プローブに適用した場合について説明したが、本発明が
適用されるプローブはこれに限らない。例えば半導体等
によって先鋭部が形成されたプローブ等に適用すること
も可能である。

【００４７】

【実施例】本発明の具体的な実施例について実験結果に
基づいて説明する。

【００４８】実施例１まず、ＧｅＯ₂添加ＳｉＯ₂よりなるコア層の周りに、純
粋ＳｉＯ₂よりなるクラッド層、Ｆ添加ＳｉＯ₂よりなる
サポート層が形成された３重構造の光ファイバーを用意
した。この光ファイバーは、コア層の純粋ＳｉＯ₂に対
する屈折率差が２．５％であり、コア径が２μｍであ
る。

【００４９】そして、この光ファイバーの一端を、４０
重量％ＮＨ₄Ｆ溶液：５０重量％ＨＦ酸：Ｈ₂Ｏ＝１０：
１：１なる体積比の緩衝ＨＦ溶液に９０分間浸漬するこ
とによって先鋭部を形成した。形成された先鋭部は、先
鋭角が２０゜であり、先端の直径が１０ｎｍ未満であ
る。

【００５０】そして、この光ファイバーを、０．１ｇ／
ｌ濃度の塩化すず（ＳｎＣｌ₂・Ｈ_２Ｏ）溶液に３分間
浸漬した後、０．０５ｇ／ｌ濃度の塩化パラジウム（Ｐ
ｄ・Ｃｌ_２）溶液に３分間浸漬することによって活性化
処理を施した。

【００５１】続いて、この活性化処理を施した光ファイ
バーをＮｉめっき液に浸漬した。Ｎｉめっき液の組成は
次の通りである。

【００５２】Ｎｉめっき液の組成金属塩：ＮｉＳＯ₄ ０．１ｍｏｌ／ｌ錯化剤：ＣＨ₃ＣＯＯＮＨ₄ ０．４ｍｏｌ／ｌ還元剤：ＮａＨ₂ＰＯ₂ ０．２ｍｏｌ／ｌめっき液のｐＨ：５．００（Ｈ₂ＳＯ₄で調整）めっき液の温度５０℃ 光ファイバーをＮｉめっき液に浸漬すると、先鋭部の先
端から遠い領域からＮｉめっき膜が析出し始め、時間の
経過によって徐々に先端近くにもＮｉめっき膜が析出す
るようになる。そして、２０分経過後には、図４に示す
ように、先鋭部１１の先端周辺を除いた領域に均一な厚
さのＮｉめっき膜１２を形成することができた。このＮ
ｉめっき膜１２から突出する部分の根元径ｄ_Fは３５０
ｎｍであった。

【００５３】さらにめっきを続けるとＮｉめっき膜の厚
さが厚くなり、Ｎｉめっき膜から突出する部分の根元径
ｄ_Fは小径化していった。そして、めっき開始から４５
分経過後には、先鋭部の先端上にもＮｉめっき膜が析出
した。

【００５４】実施例２めっきを行う前に、窒素によるバブリングを行うことで
Ｎｉめっき液中の溶存酸素の一部を取り除いたこと以外
は実施例１と同様にして光ファイバーの先鋭部にＮｉめ
っき膜を析出させた。

【００５５】このときのＮｉめっき膜の析出過程を図５
（ａ）〜図５（ｃ）に示す。

【００５６】図５（ａ）はめっき開始から１０分経過後
のめっき膜の析出状態であり、図５（ｂ）は１５分経過
後のめっき膜の析出状態であり、図５（ｃ）は２０分経
過後のめっき膜の析出状態である。

【００５７】まず、めっき開始から１０分経過後では、
図５（ａ）に示すように、先鋭部１３の先端から遠い領
域ではめっき膜１４が均一に析出しており、この領域か
ら先端側に向かって徐々にめっき膜の厚さが薄くなる。
そして、先端周辺ではめっき膜の形成が抑えられてい
る。この均一な厚さで形成されためっき膜の終端部の直
径ｄ_Mは３５０ｎｍであり、開口部となるめっき膜が形
成されていない部分（めっき膜からの突出部分）の根元
径ｄ_Fは１４０ｎｍであった。

【００５８】次に、めっき開始から１５分経過後では、
図５（ｂ）に示すように、末端から遠い領域ではさらに
めっき膜１４が堆積し、めっき膜１４の厚さが厚くな
る。また、１０分経過後においてめっき膜１４の厚さが
徐々に薄くなっていた領域にもめっき膜が均一な厚さで
堆積する。但し、この領域よりも先端側では、この領域
の最終端部を境にしてめっきの析出が抑えられており、
先端側から見たときにはめっき膜が凹形状を呈してい
た。ｄ_M，ｄ_Fは１０分経過後の場合と同じ程度であっ
た。

【００５９】さらに、めっき開始から２０分経過後で
は、図５（ｃ）に示すように、めっき膜１４の先端面の
凹部が埋まり、先鋭部の先端周辺のみがめっき膜１４か
ら突出したかたちになった。このときめっき膜１４から
突出する部分の根元径ｄ_Fは３０ｎｍであった。

【００６０】そして、めっき開始から２５分経過後に
は、先鋭部の先端上にもＮｉめっき膜が析出した。

【００６１】なお、本発明の近接場光学顕微鏡用プロー
ブとしては、図５（ａ）〜図５（ｃ）のいずれであって
も良い。

【００６２】実施例３めっきを行う前に、窒素によるバブリングを行うことで
Ｎｉめっき液中の溶存酸素の一部を取り除くとともに、
めっきの間にも窒素によるバブリングを行ったこと以外
は実施例１と同様にして光ファイバーの先鋭部にＮｉめ
っき膜を析出させた。

【００６３】その結果、めっき開始から５０分経過後で
は、図６に示すように先鋭部の先端から遠い領域では均
一にＮｉめっき膜が析出し、この領域よりも先端側にも
薄く（２０〜３０ｎｍ）めっき膜が析出した。ここで、
均一な厚さで形成されためっき膜の終端部の直径ｄ_Mは
３μｍであり、開口部となる薄い厚さでめっき膜が形成
された部分の根元径ｄ_Fは４５０ｎｍである。このプロ
ーブはプラズモンプローブの１種であると考えられる。

【００６４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る近接場光学顕微鏡用プローブは、先鋭部の表面
に、無電界めっき法によって形成され、上記先鋭部の中
途部までは均一な厚さで、この中途部から厚さを減少さ
せた遮光性被覆層と、この遮光性被覆層から上記先鋭部
の先端を突出させた開口径が光の波長以下の開口部を有
するので、この突出した先鋭部先端の開口部から選択的
に光が取り込まれ、外乱光等の影響を受けずに、エバネ
ッセント光を高い分解能で検出することができる。

【００６５】本発明に係る近接場光学顕微鏡用プローブ
では、先鋭部の表面に、無電界めっき法により、上記先
鋭部の中途部までは均一な厚さで、この中途部から厚さ
を減少させた状態に上記遮光性被覆層が形成されている
ので、エッチングによって開口部を形成する工程を別段
行う必要がない。しかも、無電解めっき法は、真空蒸着
法やスパッタリング法に比べて成膜速度が速く、また湿
式コーティング法であるので、製造効率を大幅に改善す
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した近接場光学顕微鏡用プローブ
の先端形状の一例を示す断面図である。

【図２】本発明を適用した近接場光学顕微鏡用プローブ
の先端形状の他の例を示す断面図である。

【図３】本発明を適用した近接場光学顕微鏡用プローブ
の先端形状のさらに他の例を示す断面図である。

【図４】遮光性被覆層を形成するためのめっき過程を示
す断面図である。

【図５】めっき前にめっき液に窒素バブリングを行った
場合のめっき過程を示すものであり、（ａ）は１０分経
過後のめっきの状態を示す断面図であり、（ｂ）は１５
分経過後のめっきの状態を示す断面図であり、（ｃ）は
２０分経過後のめっきの状態を示す断面図である。

【図６】めっき前及びめっきの間中めっき液に窒素バブ
リングを行った場合のめっき過程を示す断面図である。

【図７】近接場光学顕微鏡の原理を示す模式図である。

【符号の説明】

１，２３コア、２，２４クラッド、３，２５先鋭
部、４遮光性被覆層、５先鋭部の先端

フロントページの続き (56)参考文献特開平７−260458（ＪＰ，Ａ) 特開平７−128039（ＪＰ，Ａ) 特開平７−174542（ＪＰ，Ａ) 国際公開95／33207（ＷＯ，Ａ１) ＪａｎＷ．Ｍ．Ｊａｃｏｂｓ、ＪａｎＭ．Ｇ．Ｒｉｋｋｅｎ，“ＯＸＹＧＥＮ−ＤＩＦＦＵＳＩＯＮ −ＳＩＺＥＥＦＦＥＣＴＩＮＥＬＥＣＴＲＯＬＥＳＳＭＥＴＡＬＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ”，ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳＯＦＴＨＥＳＹＭＰＯＳＩＵＭＯＮＥＬＥＣＴＲＯＬＥＳＳＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮＯＦＭＥＴＡＬＳＡＮＤＡＬＬＯＹＳ，ＴＨＥＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬＳＯＣＩＥＴＹ，ＵＳ，Ｖｏｌ．88−12，ｐｐ．75− 90 阿部真二、石橋純一、物部秀二、大津元一、本間英夫、“光ファイバー上への無電解ニッケルめっき”，ファインプレーティング，表面技術協会，1997年３月，Ｎｏ．45，ｐｐ．36−37 石橋純一，“極微小領域（ｎｍオーダー）への無電解めっき”，電子材料表面処理技術部会・情報機能材料研究会，表面技術協会・電子材料表面処理技術部会，1997年７月，ｐｐ．３−18 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01N 13/10 - 13/24 G12B 21/00 - 21/24 G01B 11/30 G02B 6/10 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】先鋭部を有する近接場光学顕微鏡用プロ
ーブであって、上記先鋭部の表面に、無電界めっき法に
よって形成され、上記先鋭部の中途部までは均一な厚さ
で、この中途部から厚さを減少させた遮光性被覆層と、
この遮光性被覆層から上記先鋭部の先端を突出させた開
口径が光の波長以下の開口部を有することを特徴とする
近接場光学顕微鏡用プローブ。
【請求項２】コアの周りにクラッドが設けられてなる
光ファイバーよりなり、光ファイバーの一端に、クラッ
ドから突出したコアを先鋭化することで形成された先鋭
部を有し、この先鋭部の表面に、無電界めっき法によっ
て形成され、上記先鋭部の中途部までは均一な厚さで、
この中途部から厚さを減少させた遮光性被覆層と、この
遮光性被覆層から上記先鋭部の先端を突出させた開口径
が光の波長以下の開口部を有することを特徴とする請求
項１記載の近接場光学顕微鏡用プローブ。
【請求項３】上記遮光性被覆層は、上記先鋭部の中途
部から上記開口部の開口径に相当する位置まで厚さが減
少していることを特徴とする請求項１記載の近接場光学
顕微鏡用プローブ。