JP3240821B2 - 高機能画像メモリlsi及びそれを用いた表示装置 - Google Patents

高機能画像メモリlsi及びそれを用いた表示装置

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JP3240821B2 JP08432894A JP8432894A JP3240821B2 JP 3240821 B2 JP3240821 B2 JP 3240821B2 JP 08432894 A JP08432894 A JP 08432894A JP 8432894 A JP8432894 A JP 8432894A JP 3240821 B2 JP3240821 B2 JP 3240821B2
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    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • G09G5/395Arrangements specially adapted for transferring the contents of the bit-mapped memory to the screen

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、隠面消去,色の混合
(ブレンディング)を行う3次元図形の表示装置に関
し、特に、高機能な画像メモリの構成と、それを用いた
図形表示装置の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の画像メモリは、特開昭59−131979
号公報,米国特許第427236号公報に開示されているよう
に、通常のダイナミックRAMと,シリアルバッファか
ら構成し、ランダムアクセスを行える第1のポートと,
表示データを読み出す第2のポートが、ほぼ独立にアク
セスすることが可能なメモリで、通常のダイナミックR
AMに比べ大幅にランダムアクセスと表示データの読み
出し性能を向上することができた。
【0003】従来、この画像メモリを用いた3次元の図
形表示装置の構成は、図3に示すようにCPU200か
ら与えられる直線や、三角形の情報から画素の情報に展
開する画素生成部301と、展開した画素のXY座標を
画像メモリ600のアドレスに変換し、展開した画素の
輝度と,画像メモリに格納されている画素の輝度を混合
する輝度ブレンド,Z座標を比較し、手前の画素を表示
する隠面消去、書き込むウインドウを1画素毎に比較
し、書き込みを制御するWID比較、そして、これらに
を求めるときの画像メモリの読み出しと、求めたアドレ
ス,輝度,Z座標,書き込みの有無に従って画像メモリ
に対する書き込みを制御するメモリ制御を行うメモリ制
御部302と,画像メモリ600のシリアルバッファ6
02に対してRAMDACへ送出する表示データを制御
する信号を生成する、シリアルバッファ制御部303、
より構成された描画プロセッサ300と,輝度情報,Z
座標,ウインドウ情報よりなる画素情報を保持するメモ
リセル601と,表示するための画素データを保持して
いるシリアルバッファ602より成る、画像メモリ60
0から構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、画像
メモリに対する画素データの書き込み性能を向上させよ
うとするとき、描画プロセッサと画像メモリとの間のデ
ータ信号線数を増やすことで行ってきた。しかし、描画
プロセッサ及び画像メモリをLSIで実現しようとする
と、その信号線数には限界があるとう問題があった。
【0005】また、表示する画像を複数個,画像メモリ
のメモリセルに格納しておき、書き替える画像メモリ
と,表示する画像メモリを別々にすることで、スム−ズ
に画面の切り替えを行い、そして、それが1画素ごとに
1つの画像を選択するようなダブルバッファの機能を実
現しようとするときには、シリアルバッファの出力を複
数画素分画像メモリから出力しておく必要があり、画像
メモリの信号線数が増加してしまう問題があった。
【0006】本発明は、少ない信号線数で、高速に画素
データの書き込み性能を向上することのできる画像メモ
リLSIを提供することを目的とする。
【0007】さらに、ダブルバッファ実現時、画素メモ
リのシリアルバッファの出力信号線数を削減し、コスト
の低減を図ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、画素の輝度情
報及びウインドウ情報を保持するメモリセルと,書き込
もうとする画素のウインドウ情報と前記メモリセルに保
持された対応する画素のウインドウ情報とを比較し、比
較結果に基づいて前記書き込もうとする画素を前記メモ
リセルへ書き込むべきか否かを決定する手段を同一チッ
プ上に設けたことに特徴がある。
【0009】また、画素の輝度情報及び深度情報を保持
するメモリセルと,書き込もうとする画素の深度情報と
前記メモリセルに保持された対応する画素の深度情報と
を比較し、比較結果に基づいて前記書き込もうとする画
素を前記メモリセルへ書き込むべきか否かを決定する隠
面消去手段を同一チップ上に設けたことに特徴がある。
【0010】更にまた、画素の輝度情報及びウインドウ
情報を保持するメモリセルと,前記メモリセルより複数
の画素を読み出し、順次外部へ出力するシリアルバッフ
ァからなるものにおいて、前記シリアルバッファより読
み出された同一座標上の複数の輝度情報のうち、前記シ
リアルバッファより読み出されたウインドウ情報に基づ
いて、所望の輝度情報を選択し出力するダブルバッファ
制御手段を同一チップ上に設けたことに特徴がある。
【0011】更にまた、本発明は、図形又は線分の各頂
点の座標及び輝度を生成するCPUと,前記図形内部の
画素の画素情報又は前記線分上の画素の画素情報を生成
する描画プロセッサと,前記描画プロセッサより生成さ
れた画素情報を記憶する画像メモリと,前記画像メモリ
に記憶された情報を画面上に表示する表示部を有する画
像表示装置において、前記画素情報である輝度情報及び
ウインドウ情報を保持するメモリセルと、書き込もうと
する画素のウインドウ情報と前記メモリセルに保持され
た対応する画素のウインドウ情報とを比較し、前記書き
込もうとする画素を前記メモリセルへ書き込むべきか否
かを決定する手段を前記画像メモリに内蔵したことに特
徴がある。
【0012】
【作用】描画プロセッサが発生する画素は、XY座標,
Z座標,輝度(RGB)が基本であり、他に、ウインド
ウ情報,ブレンド情報などが与えられる場合がある。
【0013】本発明によれば、画像メモリLSI内で、
書き込もうとする画素に対応するメモリセルに保持され
たウインドウ情報が読み出され、この読み出されたウイ
ンドウ情報と、書き込もうとする画素のウインドウ情報
とが比較され、比較結果に基づいて書き込もうとする画
素を前記メモリセルへ書き込むべきか否かが決定され
る。
【0014】また、本発明によれば、画像メモリLSI
内で、書き込もうとする画素に対応するメモリセルに保
持された深度情報が読み出され、この読み出された深度
情報と、書き込もうとする画素の深度情報とが比較さ
れ、比較結果に基づいて書き込もうとする画素を前記メ
モリセルへ書き込むべきか否かが決定される(隠面処理
が実行される)。
【0015】従って、画像メモリ側で、画素の読み出
し,比較,書き込み等の処理が実行されることとなるの
で、描画プロセッサから画像メモリへ与える情報量を半
分にすることができる。また、一般にメモリアクセスの
時間は、LSI内部と外部では、内部の方が速いため、
処理の高速化が図られ、さらに、LSI内部では、メモ
リセルから、一度に多くの画素情報を読み出し、書き込
むことができるため、一度読み出した多くの画素を有効
に利用して処理することが可能となる。
【0016】また、本発明によれば、画像メモリLSI
内で、シリアルバッファより読み出された同一座標上の
複数の輝度情報のうち、前記シリアルバッファより読み
出されたウインドウ情報に基づいて、所望の輝度情報が
選択され表示デ−タとして出力されるので、画像メモリ
からの表示出力線数を輝度情報1個分にすることが可能
となる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。
【0018】図1は、高機能画像メモリ100の内部構
成を示すブロック図である。高機能画像メモリ100
は、4ビットのモード信号MOD,リードライト信号R
W,パラレルポートのクロック信号PCLK,チップセ
レクト信号PSを受け取り、画像メモリ内部にタイミン
グ信号を発生し、また、画像メモリの内部状態によっ
て、アクセス待ちを示す信号WAITを出力するパラレ
ルポート制御部102と,データ信号PIOで与えられ
るXY座標を、モードレジスタ107に格納されている
画面のサイズ,1画素のビット長に従ってメモリセル1
01のアドレスに変換するXY座標変換部103と,デ
ータ信号PIOで与えられる輝度情報,ブレンド係数に
従って、既にメモリセル101に格納されている画素の
輝度,ブレンド係数との輝度の混合(ブレンド)を行う
輝度ブレンド部104と,データ信号PIOで与えられ
る深度情報(Z座標)と,既にメモリセル101に格納
されている深度情報を比較し、書き込みを行うかどうか
を決定する隠面消去と,データ信号PIOで与えられる
ウインドウ情報と,既にメモリセル101に格納されて
いるウインドウ情報とを比較し、書き込みを行うかどう
かを決定するWID比較を行う、複数の比較回路105
と,パラレルポート制御部102からの画像メモリアク
セス要求と,シリアルポート制御部110からの表示の
ためのメモリ読み出し要求と,メモリのリフレッシュ要
求とに基づいて、メモリセル101に対する制御信号を
発生するメモリ制御部106と,画面のサイズ(例え
ば、X座標とY座標の最大値及び最小値で規定され
る)、1画素のビット長,メモリ構成の形態を指定する
レジスタであるモードレジスタ107と、メモリセル1
01から読み出した、表示データを蓄るシリアルバッフ
ァ108と,シリアルバッファから読み出した同一座標
上の複数の輝度情報を、該シリアルバッファから一緒に
読み出されるウインドウ情報に従って選択して出力する
ダブルバッファ制御部109と、外部からの垂直同期信
号VSYNCに同期して、シリアルバッファに表示デー
タを読み込むタイミングを発生し、また、シリアルバッ
ファから出力するデータを順次更新させる制御信号を、
シリアルポートのクロックSCLKに従って発生するシ
リアルポート制御部110と、から構成されている。
【0019】図2は、上記高機能画像メモリ100を使
用した図形表示システムの概要を示す図である。図形
(以下、三角形を例に説明する)や、線分(以下、直線
を例に説明する)の各頂点の座標,輝度を生成するCP
U200と、上記三角形や、直線の情報から、三角形の
内部の画素,直線上の画素を生成する描画プロセッサ3
00と、描画プロセッサ300が生成する画素を隠面消
去や、輝度のブレンドなどを行い内部のメモリセルに格
納する、高機能画像メモリ100と、高機能画像メモリ
から常時読み出されるディジタルの表示データをアナロ
グのビデオ信号に変換する変換器DAC400と、この
ビデオ信号から管面上に映像を生成するCRT500
と、から構成される。
【0020】ここで、図1,図2を用いて、高機能画像
メモリの動作を説明する。
【0021】まず、CPU200は、前述のようにアプ
リケーションプログラムを実行し、三角形や直線の頂点
のXYZ座標,輝度(RGB)を生成する。この情報
は、描画プロセッサ300に渡され、該描画プロセッサ
は、三角形内部の画素の画素情報,直線上の画素の画素
情報を生成する。このXYZ座標,輝度(RGB)等
(他に、ここでは、画素のウインドウ番号,ブレンド係
数,オーバレイがある)からなる画素情報は、高機能画
像メモリ100に、アクセス待ち信号WAITがアサー
トされていないとき描画プロセッサによって書き込まれ
る。
【0022】この時、高機能画像メモリ100のデータ
信号PIOの信号線数を32ビットとすると、1画素の
情報量は、90ビット以上(XY座標各11ビット,輝度
情報24ビット,Z座標32ビット等)と多いため、モ
ード信号MODによってXY座標,輝度,Z座標、その
他の順で、パラレルポートのクロック信号PCLKに同
期して書き込みを行う。パラレルポート制御部102
は、アクセス待ち信号WAITがネゲートしているとき
に、チップセレクト信号PSとリード,ライト信号RW
がライトになっているとき、モード信号MODがXY座
標を示していれば、データ信号PIO上のデータをXY
座標変換部103に書き込む。同様に、モード信号MO
Dの指示により輝度,ブレンド係数は、輝度ブレンド部
104へ、Z座標,ウインドウ情報は、比較部105
へ、画面サイズ、1画素のビット長などは、モードレジ
スタ部107へ書き込まれる。この時、モード信号MO
Dには、画素書き込み実行起動の状態があり、画素書き
込み実行起動状態でなければ、上記のように、与えられ
る画素情報を高機能画像メモリ内部のレジスタに取り込
むだけで、何もしない。もし、画素書き込み実行起動状
態であれば、それまでに設定された画素情報,その他の
情報(画面サイズ,1画素のビット長)に基づいてメモ
リ制御部106は、メモリセル101に対して以下のよ
うに書き込みを実行する。
【0023】まず、XY座標変換部103は、与えられ
たXY座標から、メモリセル101のアドレスへの変換
を行う。具体的には、画面サイズの横幅と,1画素のビ
ット長と,Y座標とを乗算し、X座標を加えることで求
められる。
【0024】次に、通常ダイナミックメモリは、内部に
1行分の大きなバッファを有しており、そこに、アクセ
スする画素が含まれる1行分のデータを取り込む。格納
されている1行分のバッファに、既に、これから書き込
みを行おうとする画素が含まれている場合は、この動作
は行わない。この動作は、XY座標変換部103が出力
するメモリセルのアドレス情報に基づいてメモリ制御部
106が制御する。次に、輝度ブレンド部104は、上
記1行分のバッファ上にある輝度情報と、ブレンド係数
に基づいて算出した、新たな輝度,ブレンド係数を作成
する。これらを求める計算は、乗算,加減算,最大,最
小などの算術演算、AND,EORなどの論理演算の組
合せで行われ、その組合せ方は、あらかじめ輝度ブレン
ド部104内にあるレジスタに設定しておく。
【0025】次に、Z座標,ウインドウ情報は、比較部
105に取り込まれ、パラレルポート側から与えられた
Z座標,ウインドウ情報と比較が行われ、比較結果は、
メモリ制御部106に送られる。この比較の方式、例え
ば、Zの値が大きい時に、書き込むか、Zの値が小さい
時に、書き込みするか等を選択するレジスタを比較部に
持っている。
【0026】次に、メモリ制御部106は、表示のため
のメモリセルの読み出し要求も、メモリセルのリフレッ
シュ要求もない場合、求めた輝度情報,Z座標などを前
記1行分のバッファに書き込む。表示のためのメモリセ
ルの読み出し要求か,メモリセルのリフレッシュ要求が
くるか,1行分のバッファに無い画素へのアクセス要求
がきたとき、1行のバッファに格納されているデータが
メモリセルに書き戻される。
【0027】以上の処理によって、パラレルポートから
与えられた画素情報は、隠面消去,輝度のブレンド処理
を行った後メモリセル101に格納される。
【0028】次に、表示データの出力と、メモリのリフ
レッシュの制御について説明する。まず、シリアルポー
トのクロックSCLKには、常時、表示デバイスに依存
した基本クロック信号が供給される。これに同期して、
垂直同期信号VSYNCがアサートされると、シリアル
ポート制御部110内部の表示カウンタが初期化され、
順次、SCLKに同期して該表示カウンタは更新され
る。この表示カウンタの値をデコードすることによっ
て、メモリセルから表示するデータをシリアルバッファ
へ転送する要求信号をメモリ制御部106に送出する。
また、ダイナミックRAMは、10m秒で全メモリ内容
をリフレッシュする必要があり、これを満たすように、
リフレッシュ要求信号をメモリ制御部106に送出す
る。具体的には、モードレジスタ107にある画面サイ
ズ、1画素のビット長を示すレジスタを参照し、クロッ
ク信号SCLKでカウントした値に従って、必要最小限
のリフレッシュ要求信号を出力する。通常は、前記表示
カウンタを流用することができる。
【0029】上記表示データの読み出し要求信号と,リ
フレッシュ要求信号をメモリ制御部106が受け取る
と,パラレルポートからのメモリセルに対するアクセス
要求を速やかに完了させ、リフレッシュ要求,表示デー
タの読み出し要求の順に要求を受付、前者の場合メモリ
制御部106内部にあるリフレッシュカウンタの値をリ
フレッシュアドレスとしてメモリセルを読み出し、すぐ
に書き戻し、後者の場合、シリアルポート制御部110
より送られてくる表示アドレスを読み出し、シリアルバ
ッファ108に格納する。
【0030】次に、シリアルバッファ108に格納され
た表示データは、1画素あたり複数の輝度情報と,ウイ
ンドウ情報,オーバレイ情報を有しており、ダブルバッ
ファ制御部109は、輝度情報をウインドウ情報に従っ
て選択し、データ信号SIOに出力する。具体的には、
ダブルバッファ制御部109内にある、どのウインドウ
がどの輝度情報を選択するかを示す、ダブルバッファ選
択レジスタを参照して選択する。
【0031】図4は、高機能画像メモリのモード信号M
ODの意味を示した表である。モード信号MODは、4
ビットの信号線で、パラレルポートのデータ信号PIO
にどのような意味のデータを設定するか、どのようなデ
ータを読み出すかを示す信号線であり、図4にあるよう
な意味を持つ。すなわち、下位3ビットが0,1,2,
3のときは、それぞれXY座標,輝度情報(ブレンド係
数,RGB)、その他画素情報(ウインドウ情報,オー
バレイ情報),深度情報(Z座標)を設定する。また、
最上位ビットが1の時は、設定された画素の情報を設定
後、実際にメモリセルに対してアクセスを行うことを示
す。その他MODが“0111”のときは、内部レジス
タのアドレスを指定し、“1111”の時は、該内部レ
ジスタのアドレスで指定したレジスタに書き込む、また
は、読み出すデータを指定する。MODが、それ以外の
場合は、未定義とする。
【0032】次に図5は、上記内部レジスタの内容を示
す表である。RESETレジスタは、高機能画像メモリ
の内部状態を初期化するための実体のないレジスタで、
アクセスがあると、内部のレジスタの内容をデフォルト
の値に設定する。この時、メモリセルの内容は変化しな
い。
【0033】CONFIGレジスタは、画面サイズ,1画素の
ビット長,X,Y方向にメモリが何個あるかを設定す
る。具体的には、画面サイズは、3ビットで640×4
00画素,1024×768画素,1152×900画
素,1280×1024画素,1600×1200画
素,1920×1035画素を選択できる。また、1画
素のビット長は、3ビットで、1画素8,16,32,
64,96,128を選択できる。また、X,Y方向に
何個のメモリがあるかは、X,Y各2ビットで、1個,
2個,4個,8個を選択できる。
【0034】STATUSレジスタは、読み出し専用のレジス
タで、内部状態を読み出すために用いる。内部状態に
は、表示カウンタ,リフレッシュカウンタの内容,内部
制御論理の遷移状態などがあり、おもにデバック,保守
用として用いる。
【0035】WT_FUNCレジスタは、設定された輝
度情報に、ブレンド処理を行った後の輝度情報と、書き
込み先の輝度情報を演算する時の演算内容を選択するた
めの情報を保持し、2変数の論理和,論理積,排他的論
理和,加算,減算,最大,最小などを5ビットで指定す
る。
【0036】BLENDレジスタは、設定された輝度情
報をブレンド係数とどのように演算するかを指定する6
ビットのレジスタで、輝度情報に0,1,ブレンド係数
(1−ブレンド係数)の内どれを乗算するかを選択する
(パラレルポートから設定された輝度情報と、既に格納
されている画素の輝度情報についてそれぞれ設定でき、
ブレンド係数は、上記2種類の輝度情報から選択できる
ため、全部で6ビット必要となる)。
【0037】Z_CMPは、Z座標に比較を行うかどう
かを指定するビットと、どのような比較演算を行うか、
例えば、=,≠,≦,≧,>,<を選択するために、3
ビット、計4ビットのレジスタである。
【0038】WID_CMPは、ウインドウ情報を比較
するかどうかを示す1ビットのレジスタである。
【0039】PL_MASK_AC,PL_MASK_
WO,PL_MASK_Zは、それぞれ、ブレンド係
数,輝度情報と,ウインドウ情報,オーバレイ情報と,
Z座標のバッファに対する書き込みプレーンマスクを示
すレジスタで、1が書き込み可,0が書き込みマスクを
示し、1プレーンごとに設定が可能になっている。
【0040】BUF_SELは、今、書き込みにいく、
または、読み出している画素がダブルバッファのどちら
側を選択しているかを示すレジスタで、このレジスタの
値が0のときは、0のバッファに、1のときは、1のバ
ッファに書き込みを行う。
【0041】HBLANKは、水平ブランキング期間を示して
おり、VSYNCの立ち下がりのサイクルを基準とし
て、SCLKが何回きたときSIOから表示データを出
力し始めるかを指定するレジスタである。
【0042】VBLANKは、垂直ブランキング期間を示して
おり、VSYNC信号の立ち下がりから、何ラスターた
ってから表示期間が始まるかを指定するレジスタで、1
ラスターは、画面サイズの横幅と、HBLANKレジスタに設
定した水平ブランキング期間を加えた期間を表す。
【0043】次に、BUF_LUTレジスタは、ウイン
ドウ情報と表示するバッファの対応関係を示すレジスタ
で、ウインドウ情報が4ビットの時、16ビットのレジ
スタとなる。
【0044】以上示したレジスタのなかで、RESET
レジスタは、書き込みと同時に内部状態が初期化され、
それ以外のレジスタは、モード信号MODの最上位ビッ
トが1で、アクセス要求がある場合と、垂直同期信号V
SYNCがきたときから、動作に影響を与える。即ち、
これらのレジスタは、2段構成となっており、1段目
は、パラレルポートから自由に設定可能なレジスタで、
2段目は、現在動作中の処理に使用しているレジスタと
なっており、上記アクセス要求があるときと、垂直同期
信号VSYNCがきたときに、1段目から2段目への転
送を行う。
【0045】以上、高機能画像メモリの概要と動作を示
した。次に、図6,図7,図8を使っていくつかのグラ
フィックスシステムへの適用方法について示す。
【0046】まず、図6は、高性能を実現するための複
数の描画プロセッサ310と、複数の高機能画像メモリ
100を用いたシステム構成を示したものである。描画
プロセッサ310は、ラスター毎に4個あり、1つの描
画コマンド、例えば直線,三角形を画素に分解し、高機
能画像メモリ100に書き込む処理を行う。描画プロセ
ッサ310、1個に対して、4個の高機能画像メモリ1
00が1対1の関係で接続されており、4個の高機能画
像メモリを独立にアクセスすることができる。また、描
画プロセッサの内の1個が、垂直同期信号をほかの描画
プロセッサと、すべての高機能画像メモリに供給し、ま
た、RAMDACに対しては、RAMDAC用の垂直同期信号と、水
平同期信号を供給するようにする。この構成のとき、各
高機能画像メモリ内のCONFIGレジスタのメモリ構成を示
すレジスタには、X,Yの両方向とも4画素,4ラスタ
ーであるとの指定を行うことにより、高機能画像メモリ
は、必要があるときだけ表示データをメモリセルから読
み出すことで、パラレルポートからのアクセスを最大限
に行うことができるようになる。
【0047】次に、図7に高解像度であるがコストを重
視したグラフィックスシステムの構成を示す。描画プロ
セッサは、1個で、それに対し複数個の高機能画像メモ
リを同一バス上に接続したもので、高機能画像メモリの
パラレルポートへのアクセスは、チップセレクト信号P
Sを描画プロセッサから個別に与えることにより行われ
る。また、アクセス待ち信号WAITは、アクセスする
高機能画像メモリの出力するWAITを選択して使用す
る。このチップセレクト信号PSと、アクセス待ち信号
WAIT以外の信号は、共通に接続することができる。
垂直同期信号VSYNCの接続は、描画プロセッサがす
べての高機能画像メモリに対して供給し、また、RAM
DACに対する水平,垂直同期信号も描画プロセッサが
供給する。
【0048】次に、図8にコスト最小なグラフィックス
システムの構成を示す。バスコントローラ700は、C
PUとグラフィックシステムをつなぐシステムバスをデ
コードし、高機能画像メモリをアクセスする構成で、バ
スコントローラ700は、CPUからのアクセスのアド
レスをデコードし、モード信号MODと、チップセレク
ト信号PSにセットし、アクセス待ち信号WAITで同
期をとりながら、高機能画像メモリに対するアクセスを
行う。また、高機能画像メモリに対する垂直同期信号
と、RAMDACにたいする水平,垂直同期信号を供給
する処理も行う。
【0049】最後に、図9にパラレルポートのアクセス
時のタイムチャートを示す。
【0050】図の上から、クロックに対応する説明のた
めのサイクル番号,パラレルポートのインタフェース信
号であるPCLK,PIO,MOD,RW,WAIT,
PSと、高機能画像メモリの内部状態である、リードア
ドレス,リードデータ,ライトアドレス,ライトデー
タ,内部バッファへのライト制御信号,該内部バッファ
のメモリセルへのライト制御信号を示している。
【0051】サイクル1は、高機能画像メモリがアイド
ル状態で、アクセス要求を待っている状態とする。
【0052】サイクル2で、MODをXY座標とし、R
Wをライト,チップセレクトPSをセレクトし、データ
バスPIOにXY座標データを設定すると、高機能画像
メモリ内のリードアドレスレジスタに該XY座標が格納
される。
【0053】サイクル3では、XY座標の次に、図中A
Cと表記したブレンド係数と輝度情報(RGB)を設定
することにより、高機能画像メモリ内のブレンド係数
と,輝度のバッファに格納される。同時に、サイクル2
で設定された、XY座標は、ここでメモリセルの行アド
レスと,列アドレスに変換され、行アドレスが現在読み
込んであるデータのアドレスと同じかどうか判定し、同
じでなければ、現在読み込んでいるデータをもとのアド
レスに書き戻し、新たに、指定されたアドレスのデータ
を読み出す動作を行う。行アドレスと、前記読み込んで
あるデータのアドレスと同じであれば、列アドレスに従
って1画素のデータを選択して使用する。図9における
サイクル3では、XY座標(XY2)は既に高機能画像
メモリ内で、バッファに読み込まれていることとする。
【0054】サイクル4では、図中WOと表記したウイ
ンドウ情報と、オーバレイ情報を設定する。一方サイク
ル3で読み込まれたデータと、サイクル3で設定したブ
レンド係数と輝度情報もこのサイクルから有効になり、
ブレンド処理を開始する。ブレンド処理は、BLEND
レジスタに設定するブレンド方法によって結果が出来上
がるまでの時間がまちまちである。従って、ブレンド処
理方法に依存したサイクル数を数えるカウンタを持ち、
ブレンド係数と輝度情報を設定したときと、読み込みデ
ータが有効になった時に上記カウンタをリセットするよ
うにする。
【0055】サイクル5では、図中ZEと表記した深度
情報Zを設定し、書き込みの起動を行っている。書き込
みの起動は、それまでに設定された画素情報を隠面消
去,ブレンド処理してメモリセルに書き込むことを指定
することで、内部の書き込みフラグをセットする。
【0056】サイクル6では、次の画素のXY座標を与
える。高機能画像メモリ内部は、ブレンド処理が続いて
おり、また、サイクル5で設定されたZ座標と、読み出
されたZ座標を比較し、書き込むかどうかの判定を行っ
ている。
【0057】サイクル7では、サイクル6で設定したX
Y座標の画素のブレンド係数と輝度情報を与える。高機
能画像メモリ内部では、ブレンド処理が完了し、ブレン
ド処理された画素情報を読み出してある行バッファに書
き込むバッファライト信号がアサートされる。この時、
同時にサイクル6で設定されたXY座標XY6がサイク
ル2で設定されたXY座標XY2と行アドレスが同じか
どうか判定する。
【0058】サイクル8,9,10,11は、それぞ
れ、サイクル4,5,6,7と同様の処理が行われ、ブ
レンド処理,隠面消去した画素をXY座標XY6の場所
に書き込む。ただし、サイクル11では、XY座標XY
10がXY座標XY6と異なる行アドレスであるため、
現在バッファリングされている行バッファの内容をメモ
リセルに書き戻すために、まずWAIT信号をアサート
し、次のアクセスが来ないようにする。
【0059】サイクル12では、メモリライト信号をア
サートすることで、行バッファの内容をメモリセルに書
き戻す。WAIT信号は、このサイクルまでアサート
し、次のアクセスが来ないようにする。
【0060】サイクル13では、XY座標XY10の行
データを行バッファに読み出す処理を行う。WAIT
は、ここで解除し、次のアクセスを可能にする。
【0061】サイクル14以降は、順次サイクル4と同
様の処理が行われる。ここで、サイクル17に示すよう
に、チップセレクト信号PSがネゲートされると、その
サイクルのアクセスは、無効であるため、ブレンド係数
と輝度情報は、サイクル17の値は使用されず、サイク
ル13で設定したブレンド係数と輝度情報が使用される
ことになる。また、サイクル20以降もチップセレクト
信号PSがネゲートされているため、モード信号MOD
には、起動の指定はあるが受け付けられず画素の描画は
行われない。
【0062】以上示してきた実施例によれば、画面サイ
ズと,1画素のビット長を設定するレジスタと,XY座
標変換部103を持つことにより、画素情報を高機能画
像メモリに対して、XY座標で直接書き込むことがで
き、上位の画素を生成する描画プロセッサの負荷を軽減
できる。
【0063】また、輝度ブレンド処理部104と,比較
部105を高機能画像メモリ内に持つことにより、メモ
リセル101との間のデータスループットを大幅に増大
できるため、従来のメモリに対してリード,ライトを行
う方式に比べ高速化が図られる。
【0064】また、シリアルポート制御部110を高機
能画像メモリ内に持ち、アクセス待ち信号WAITを出
力することにより、上位の描画プロセッサが、表示タイ
ミングを意識せず、また、メモリのリフレッシュサイク
ルを意識することがないため、負荷を軽減できる。これ
は、特に上位の描画プロセッサが特殊な表示用の論理回
路を持たないCPUである場合に、グラフィックスシス
テムの構成が簡単になる効果がある。
【0065】また、ダブルバッファ制御部109を持つ
ことにより、複数の画素情報を高機能画像メモリから出
力することがないため、入出力信号線の数を減らす効果
がある。
【0066】
【発明の効果】本発明によれば、上位のプロセッサが画
像メモリに対して画素の情報を書き込むだけで、色の混
合(ブレンディング),隠面消去等を行うことができる
ため、画像メモリに対する読み出しアクセスが無くな
り、前記プロセッサと画像メモリ間のデータ転送量が減
少し、アクセスの高速化と、画像メモリの外部信号線の
減少によるコスト削減を図ることができる。
【0067】また、画像メモリ内にダブルバッファ制御
部を設け、ウインドウ情報に従って選択した表示画素情
報を出力するようにしたため、表示出力信号線を半分に
減すことができ、コスト削減を図ることができる。
【0068】また、表示データの読み出し処理,メモリ
のリフレッシュを画像メモリ自身が行い、上位プロセッ
サがアクセスできない期間を示す信号を設けたことによ
り、上位プロセッサから、表示データの読み出し処理
と,画像メモリのリフレッシュ処理の回路が不要となる
ため、上位プロセッサのコスト削減をすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である高機能画像メモリLS
Iの内部構造を示すブロック図。
【図2】図1に示す高機能画像メモリLSIを用いた表
示システムの概要を示す図。
【図3】従来の画像メモリを用いた3次元の表示装置の
構成を示す図。
【図4】高機能画像メモリのモード信号MODの意味を
示す図。
【図5】高機能画像メモリ内部のレジスタの内容を示す
図。
【図6】図1に示す高機能画像メモリLSIを用いた表
示システムの1構成例を示す図。
【図7】表示システムの他の構成例を示す図。
【図8】表示システムの他の構成例を示す図。
【図9】パラレルポートアクセス時のタイムチャートを
示す図。
【符号の説明】
100…高機能画像メモリ、101…メモリセル、10
3…XY座標変換部、104…輝度ブレンド部、105
…比較部、106…メモリ制御部、107…モードレジ
スタ部、108…シリアルバッファ、109…ダブルバ
ッファ制御部、110…シリアルポート制御部、200
…CPU、300,310…描画プロセッサ、400…
DAC(DAコンバータ)、500…CRT、600…従
来の画像メモリ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G09G 5/399 (72)発明者 西田 健彦 茨城県日立市大みか町五丁目2番1号 株式会社 日立製作所 大みか工場内 (56)参考文献 特開 平2−44395(JP,A) 特開 平2−189693(JP,A) 特開 平5−181950(JP,A) 特開 平6−119462(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G09G 5/00 G06T 1/00 G06T 15/40 G09G 5/397 G09G 5/399

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】素の輝度情報及び深度情報を保持するメ
    モリセルと、 前記メモリセルより複数の画素を読み出し、順次外部へ
    出力するシリアルバッファと、 書き込もうとする画素のXY座標を前記メモリセルのア
    ドレスに変換する座標変換手段と、 書き込もうとする画素の輝度情報と前記メモリセルに保
    持された対応する画素の輝度情報とを混合する処理を行
    う輝度混合手段と、 前記書き込もうとする画素の深度情報と前記メモリセル
    に保持された対応する画素の深度情報とを比較し、前記
    書き込もうとする画素を前記メモリセルへ書き込むべき
    か否かを決定する隠面消去手段を同一チップ上に設け
    たことを特徴とする画像メモリLSI。
  2. 【請求項2】請求項1記載の画像メモリLSIにおい
    て、 少なくとも表示画面のサイズ及び1画素のビット長を指
    定するレジスタを有し、 前記座標変換手段は、前記書き込もうとする画素のXY
    座標と前記レジスタに指定された表示画面のサイズ及び
    1画素のビット長に基づいて、前記メモリセルのアドレ
    スに変換することを特徴とする高機能画像メモリLS
    I。
  3. 【請求項3】素の輝度情報及び深度情報を保持するメ
    モリセルと、 前記メモリセルより複数の画素を読み出し、順次外部へ
    出力するシリアルバッファと、 外部より入力される垂直同期信号に合わせて前記メモリ
    セルから前記シリアルバッファへの画素の読み出しの要
    求を出力し、一定時間間隔で前記メモリセルのリフレッ
    シュを行う要求を出力するシリアルポート制御部と、 前記各要求に対応する処理が行われている間、前記メモ
    リセルからの画素の読み出し及びメモリセルへの書き込
    みを禁止する信号を出力するメモリ制御部とを同一チッ
    プ上に設けたことを特徴とする画像メモリLSI。
  4. 【請求項4】図形又は線分の各頂点の座標及び輝度情報
    を生成するCPUと、 前記図形内部の画素の画素情報又は前記線分上の画素の
    画素情報を生成する描画プロセッサと、 前記描画プロセッサより生成された画素情報を記憶する
    画像メモリと、 前記画像メモリに記憶された情報を画面上に表示する表
    示部とを有し、 前記画像メモリは、前記画素情報である輝度情報及び深
    度情報を保持するメモリセルと、書き込もうとする画素
    の深度情報と前記メモリセルに保持された対応する画素
    の深度情報とを比較し、前記書き込もうとする画素を前
    記メモリセルへ書き込むべきか否かを決定する隠面消去
    手段を有することを特徴とする画像表示装置。
  5. 【請求項5】図形又は線分の各頂点の座標及び輝度情報
    を生成するCPUと、 前記図形内部の画素の画素情報又は前記線分上の画素の
    画素情報を生成する描画プロセッサと、 前記描画プロセッサより生成された画素情報を記憶する
    画像メモリと、 前記画像メモリに記憶された情報を画面上に表示する表
    示部とを有し、 前記画像メモリは、前記画素情報である輝度情報及び深
    度情報を保持するメモリセルと、前記メモリセルより複
    数の画素を読み出し、順次外部へ出力するシリアルバッ
    ファと、書き込もうとする画素のXY座標を前記メモリ
    セルのアドレスに変換する座標変換手段と、書き込もう
    とする画素の輝度情報と前記メモリセルに保持された対
    応する画素の輝度情報とを混合する処理を行う輝度混合
    手段と、前記書き込もうとする画素の深度情報と前記メ
    モリセルに保持された対応する画素の深度情報とを比較
    し、前記書き込もうとする画素を前記メモリセルへ書き
    込むべきか否かを決定する隠面消去手段とを有すること
    を特徴とする画像表示装置。
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