JP3240335B2 - 電波妨害に対する電子保護を備える検出システム - Google Patents
電波妨害に対する電子保護を備える検出システムInfo
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- JP3240335B2 JP3240335B2 JP34696392A JP34696392A JP3240335B2 JP 3240335 B2 JP3240335 B2 JP 3240335B2 JP 34696392 A JP34696392 A JP 34696392A JP 34696392 A JP34696392 A JP 34696392A JP 3240335 B2 JP3240335 B2 JP 3240335B2
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- Japan
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- circuit
- charge
- signal
- integration
- electric charge
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混信、混乱又は光電波
妨害と呼ばれるものによる破壊に対するディテクタ付き
カメラの保護に関する。
妨害と呼ばれるものによる破壊に対するディテクタ付き
カメラの保護に関する。
【０００２】
【従来技術】光電波妨害の分野において、連続的な低電
力レーザビームの反射を通じてカメラを検出し、位置決
めされたカメラに向かってパルスを発生するパワーレー
ザを照射して、ディテクタを混乱させるため又はダメー
ジを与えるために光ディテクタの全部又は一部を照射す
る方法が知られている。最後に２つのレーザは、カメラ
の光学的システムが透過されるような波長で作用する。
力レーザビームの反射を通じてカメラを検出し、位置決
めされたカメラに向かってパルスを発生するパワーレー
ザを照射して、ディテクタを混乱させるため又はダメー
ジを与えるために光ディテクタの全部又は一部を照射す
る方法が知られている。最後に２つのレーザは、カメラ
の光学的システムが透過されるような波長で作用する。
【０００３】パワーレーザのビームのよるカメラの混乱
は、ディテクタを構成しているセンサの全て又は一部の
飽和のためであり、部分的又は全体的に飽和された表面
を有する画像を生じる。もしレーザのパルス周波数が画
像の周波数よりも大きいならば、この飽和は全ての画像
に組織的に影響を及ぼす。
は、ディテクタを構成しているセンサの全て又は一部の
飽和のためであり、部分的又は全体的に飽和された表面
を有する画像を生じる。もしレーザのパルス周波数が画
像の周波数よりも大きいならば、この飽和は全ての画像
に組織的に影響を及ぼす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの電波妨害に対
してカメラを保護する既知の方法は、レーザの単色放射
をこの放射の狭いスペクトルと自然放射源の広いスペク
トルとの間の感度限界によって識別し、妨害するレーザ
のパルスの継続期間中、カメラのフレーム操作を止める
こと又はその増幅回路を抑制することである。画像の損
失が、レーザパルスによって影響された画像の部分だけ
に実質的に対応するために、妨害された走査フレームの
その部分だけを削除することは難しい。いわゆる第２世
代のカメラ、即ちマルチプレクサの出力に一つの増幅器
を伴う多重化動作が検出に引き続いて即時に起こるよう
なカメラにおいては、単に妨害された信号の通過の間だ
け増幅器を抑制することは難しい。
してカメラを保護する既知の方法は、レーザの単色放射
をこの放射の狭いスペクトルと自然放射源の広いスペク
トルとの間の感度限界によって識別し、妨害するレーザ
のパルスの継続期間中、カメラのフレーム操作を止める
こと又はその増幅回路を抑制することである。画像の損
失が、レーザパルスによって影響された画像の部分だけ
に実質的に対応するために、妨害された走査フレームの
その部分だけを削除することは難しい。いわゆる第２世
代のカメラ、即ちマルチプレクサの出力に一つの増幅器
を伴う多重化動作が検出に引き続いて即時に起こるよう
なカメラにおいては、単に妨害された信号の通過の間だ
け増幅器を抑制することは難しい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの欠点
を回避するため、又は少なくともこれらの欠点を低減す
るために立案された。
を回避するため、又は少なくともこれらの欠点を低減す
るために立案された。
【０００６】この結果は、センサによって与えられた信
号を制御し、妨害物によって妨害されているような観測
の操作から生じていることを示す異常に高い値の信号を
削除することによって得られる。
号を制御し、妨害物によって妨害されているような観測
の操作から生じていることを示す異常に高い値の信号を
削除することによって得られる。
【０００７】本発明により、電荷を作り出すｎ個（ｎは
正の整数）のセンサを有するディテクタと、ｎ個のセン
サから電荷を受容すべくｎ個のセンサに夫々接続された
ｎ個の結合素子と、ｎ個の結合素子から電荷を受容する
と共に電荷を所定の周波数で伝送すべくｎ個の結合素子
に夫々接続されたｎ個の主積分回路とを連続して備えて
いる電波妨害に対する電子保護を備えるディテクタ付き
カメラであって、ｎ個の結合素子中の結合素子の全て
が、これらの結合素子が接続されているセンサによって
作り出された電荷を蓄積すると共に電荷を所定の周波数
よりも大きい周波数で伝送すべく中間積分回路を備えて
おり、カメラが、ｎ個の中間積分回路の電荷を測定する
測定手段と、測定手段によって測定された電荷の少なく
とも一つが所定の値を越えるときに中間積分回路の内容
を修正する制御手段とを備えている電波妨害に対する電
子保護を備えるディテクタ付きカメラが提供される。
正の整数）のセンサを有するディテクタと、ｎ個のセン
サから電荷を受容すべくｎ個のセンサに夫々接続された
ｎ個の結合素子と、ｎ個の結合素子から電荷を受容する
と共に電荷を所定の周波数で伝送すべくｎ個の結合素子
に夫々接続されたｎ個の主積分回路とを連続して備えて
いる電波妨害に対する電子保護を備えるディテクタ付き
カメラであって、ｎ個の結合素子中の結合素子の全て
が、これらの結合素子が接続されているセンサによって
作り出された電荷を蓄積すると共に電荷を所定の周波数
よりも大きい周波数で伝送すべく中間積分回路を備えて
おり、カメラが、ｎ個の中間積分回路の電荷を測定する
測定手段と、測定手段によって測定された電荷の少なく
とも一つが所定の値を越えるときに中間積分回路の内容
を修正する制御手段とを備えている電波妨害に対する電
子保護を備えるディテクタ付きカメラが提供される。
【０００８】
【実施例】以下の記述とそれに関連する図面から、本発
明がより詳細に理解され、他の特徴が明らかになるであ
ろう。
明がより詳細に理解され、他の特徴が明らかになるであ
ろう。
【０００９】図１は、図中に示されている三つの、即ち
Ａ１，Ａｉ，Ａｎのセンサアレイによって構成されるデ
ィテクタを備えたカメラに関する。指数ｎはアレイのセ
ンサの全数に相当し、指数ｉは１より大きくｎより小さ
い整数を表す。
Ａ１，Ａｉ，Ａｎのセンサアレイによって構成されるデ
ィテクタを備えたカメラに関する。指数ｎはアレイのセ
ンサの全数に相当し、指数ｉは１より大きくｎより小さ
い整数を表す。
【００１０】センサの夫々は、それ自身の回路シーケン
スによって、出力ラインＳを備えるマルチプレクサＫの
それ自身に固有な入力に接続されている。ｎ個のセンサ
に関してｎ個の回路シーケンスの全てが同一であるの
で、図面を簡単化するために、センサＡ１，Ａｉ及びＡ
ｎに関する回路シーケンスのみが示されており、それら
に固有なエレメントが、夫々１，ｉ又はｎを伴って大文
字で示されている。ｎ個の回路シーケンスに共通なマル
チプレクサＫのような他の回路は、図１においてサフィ
ックスを伴わずに大文字で示されている。異なった制御
信号については、小文字のａ，ｂ，ｃ，ｄ又はｅを伴う
英字Ｃによって示されている。
スによって、出力ラインＳを備えるマルチプレクサＫの
それ自身に固有な入力に接続されている。ｎ個のセンサ
に関してｎ個の回路シーケンスの全てが同一であるの
で、図面を簡単化するために、センサＡ１，Ａｉ及びＡ
ｎに関する回路シーケンスのみが示されており、それら
に固有なエレメントが、夫々１，ｉ又はｎを伴って大文
字で示されている。ｎ個の回路シーケンスに共通なマル
チプレクサＫのような他の回路は、図１においてサフィ
ックスを伴わずに大文字で示されている。異なった制御
信号については、小文字のａ，ｂ，ｃ，ｄ又はｅを伴う
英字Ｃによって示されている。
【００１１】センサＡｉの出力は、クロックＨによって
与えらると共に図２に示されている信号Ｃａによって制
御される結合回路Ｂｉの入力に接続されている。回路Ｂ
ｉの出力は、ポテンシャルバリアＥｉと結合された中間
積分回路Ｄｉと呼ばれる積分回路の入力に接続されてい
る。積分回路Ｄｉのポートは、クロックＨの信号Ｃｄに
よって制御される転送回路Ｇｉの入力に接続されてい
る。信号Ｃｄは、図２に示めされている。
与えらると共に図２に示されている信号Ｃａによって制
御される結合回路Ｂｉの入力に接続されている。回路Ｂ
ｉの出力は、ポテンシャルバリアＥｉと結合された中間
積分回路Ｄｉと呼ばれる積分回路の入力に接続されてい
る。積分回路Ｄｉのポートは、クロックＨの信号Ｃｄに
よって制御される転送回路Ｇｉの入力に接続されてい
る。信号Ｃｄは、図２に示めされている。
【００１２】転送回路Ｇｉの出力は、主積分回路Ｊｉと
呼ばれる積分回路の入力に接続され、積分回路Ｊｉの出
力はマルチプレクサＫに接続されている。マルチプレク
サＫによる転送のためのコマンドが、クロックＨによっ
て与えられる信号Ｃｅによって提供される。
呼ばれる積分回路の入力に接続され、積分回路Ｊｉの出
力はマルチプレクサＫに接続されている。マルチプレク
サＫによる転送のためのコマンドが、クロックＨによっ
て与えられる信号Ｃｅによって提供される。
【００１３】ポテンシャルバリアＥｉのポートは、測定
回路ＭとスイッチＮに接続されている。測定回路Ｍの出
力は、ＡＮＤゲートＰの第２の入力に接続されており、
ＡＮＤゲートＰは第１の入力で、図２に示されているよ
うなクロックＨによって与えられる制御信号Ｃｂを受容
する。ＡＮＤゲートＰの出力は、Ｅｉのようなポテンシ
ャルバリアを制御するインバータＱの入力と、このスイ
ッチの入力の接地接続を制御するためのスイッチＮの制
御入力とに接続されている。
回路ＭとスイッチＮに接続されている。測定回路Ｍの出
力は、ＡＮＤゲートＰの第２の入力に接続されており、
ＡＮＤゲートＰは第１の入力で、図２に示されているよ
うなクロックＨによって与えられる制御信号Ｃｂを受容
する。ＡＮＤゲートＰの出力は、Ｅｉのようなポテンシ
ャルバリアを制御するインバータＱの入力と、このスイ
ッチの入力の接地接続を制御するためのスイッチＮの制
御入力とに接続されている。
【００１４】図２の信号によって示されているように、
本実施例においては、センサＡ１によって与えられた電
子は、６４マイクロ秒の周期中に、即ちテレビのライン
レートで、３２マイクロ秒の間に、ほとんど完全に積分
され、その積分時間は、１マイクロ秒切り離された４マ
イクロ秒の八つの時間間隔に分けられる。
本実施例においては、センサＡ１によって与えられた電
子は、６４マイクロ秒の周期中に、即ちテレビのライン
レートで、３２マイクロ秒の間に、ほとんど完全に積分
され、その積分時間は、１マイクロ秒切り離された４マ
イクロ秒の八つの時間間隔に分けられる。
【００１５】各４マイクロ秒の時間間隔の間、ディテク
タＡｉは、結合回路Ｂｉによって中間積分回路Ｄｉに接
続されている。結合回路Ｂｉは、図２の信号Ｃａによっ
て制御されるＭＯＳ−ＦＥＴトランジスタにより記述さ
れたサンプル中に構成されているスイッチである。
タＡｉは、結合回路Ｂｉによって中間積分回路Ｄｉに接
続されている。結合回路Ｂｉは、図２の信号Ｃａによっ
て制御されるＭＯＳ−ＦＥＴトランジスタにより記述さ
れたサンプル中に構成されているスイッチである。
【００１６】中間積分回路Ｄｉは、ポテンシャルバリア
ＥｉによってスイッチＮの信号入力に接続されている。
本実施例においては、ポテンシャルバリアＥｉはＦＥＴ
トランジスタを有しており、そのＦＥＴトランジスタの
ドレインは測定回路Ｍ及びスイッチＮに接続され、ゲー
トは図２に示されている信号Ｃｃを受容する。ポテンシ
ャルバリアＥｉの高さは、Ｖ１及びＶ０の二つの値を持
つことができる。その高さがＶ１の値を持つときは、回
路ＤｉのポテンシャルがＶ１を越えるような電荷のみが
ドレインによって集められる。その高さがＶ０の値を持
つときは、回路Ｄｉ中に含まれる全ての電荷がドレイン
に流れる。Ｖ１は、ディテクタＡ１からＡｎの混乱がな
い正常動作において、中間積分回路Ｄｉのポテンシャル
がＶ１以下であるように調整される。このようにポテン
シャルバリアＥｉは切換えスイッチの役割を果たす。
ＥｉによってスイッチＮの信号入力に接続されている。
本実施例においては、ポテンシャルバリアＥｉはＦＥＴ
トランジスタを有しており、そのＦＥＴトランジスタの
ドレインは測定回路Ｍ及びスイッチＮに接続され、ゲー
トは図２に示されている信号Ｃｃを受容する。ポテンシ
ャルバリアＥｉの高さは、Ｖ１及びＶ０の二つの値を持
つことができる。その高さがＶ１の値を持つときは、回
路ＤｉのポテンシャルがＶ１を越えるような電荷のみが
ドレインによって集められる。その高さがＶ０の値を持
つときは、回路Ｄｉ中に含まれる全ての電荷がドレイン
に流れる。Ｖ１は、ディテクタＡ１からＡｎの混乱がな
い正常動作において、中間積分回路Ｄｉのポテンシャル
がＶ１以下であるように調整される。このようにポテン
シャルバリアＥｉは切換えスイッチの役割を果たす。
【００１７】回路Ｄｉ（及びｎ−１個の他の回路シーケ
ンス中のｎ−１個の他の対応する回路）のポテンシャル
がＶ１以下である限りは、測定回路Ｍは信号０を送り、
従ってＡＮＤゲートは永久にゼロであるような信号を送
り、インバータＱは永久にＶ１の値である信号Ｃｃを送
る。
ンス中のｎ−１個の他の対応する回路）のポテンシャル
がＶ１以下である限りは、測定回路Ｍは信号０を送り、
従ってＡＮＤゲートは永久にゼロであるような信号を送
り、インバータＱは永久にＶ１の値である信号Ｃｃを送
る。
【００１８】回路Ｄｉ（及び／又はｎ−１個の他の回路
シーケンス中のｎ−１個の対応する回路の中の他の回
路）のポテンシャルがＶ１より大きいとき、即ち４マイ
クロ秒の時間間隔の一つの間に高い振幅の信号が受容さ
れるならば、そのとき電荷はドレインに流出し、測定回
路Ｍは信号１を送る。このようにＡＮＤ回路Ｐはもはや
永久にゼロであるような信号ではなく、信号Ｃａの１マ
イクロ秒の期間の第１の部分の間に１の値を想定する信
号即ち図２の信号Ｃｂを転写した信号を送る。図２の信
号Ｃｃによって示されているように、信号Ｃｂが１の値
をとる間、バリアＥｉ（及びｎ−１個の他の対応するバ
リア）の高さはインバータＱによってＶ０の値に下げら
れる。その結果、ＡＮＤゲートは、正常動作の範囲を越
えて、信号Ｃｂを通過させ、バリアＥｉ（及びｎ−１個
の他のバリア）を解放し、スイッチＮを閉じ、こうして
Ｄｉのような中間積分回路を空にする。
シーケンス中のｎ−１個の対応する回路の中の他の回
路）のポテンシャルがＶ１より大きいとき、即ち４マイ
クロ秒の時間間隔の一つの間に高い振幅の信号が受容さ
れるならば、そのとき電荷はドレインに流出し、測定回
路Ｍは信号１を送る。このようにＡＮＤ回路Ｐはもはや
永久にゼロであるような信号ではなく、信号Ｃａの１マ
イクロ秒の期間の第１の部分の間に１の値を想定する信
号即ち図２の信号Ｃｂを転写した信号を送る。図２の信
号Ｃｃによって示されているように、信号Ｃｂが１の値
をとる間、バリアＥｉ（及びｎ−１個の他の対応するバ
リア）の高さはインバータＱによってＶ０の値に下げら
れる。その結果、ＡＮＤゲートは、正常動作の範囲を越
えて、信号Ｃｂを通過させ、バリアＥｉ（及びｎ−１個
の他のバリア）を解放し、スイッチＮを閉じ、こうして
Ｄｉのような中間積分回路を空にする。
【００１９】図２の信号Ｃｄのパルスによって決定され
る、信号Ｃａの１マイクロ秒の期間の第２の部分の間
に、もし中間積分回路Ｄｉに収容される電荷がスイッチ
Ｎを通じて空にならないならば、電荷は転送回路Ｇｉに
よって主積分回路Ｊｉに転送される。主積分回路Ｊｉに
収容された電荷は、その後マルチプレクサＫによって出
力ラインＳに転送される。転送は信号Ｃｅによって起動
され、その周波数は（６４×１０-6）-1×ｎに等しい。
る、信号Ｃａの１マイクロ秒の期間の第２の部分の間
に、もし中間積分回路Ｄｉに収容される電荷がスイッチ
Ｎを通じて空にならないならば、電荷は転送回路Ｇｉに
よって主積分回路Ｊｉに転送される。主積分回路Ｊｉに
収容された電荷は、その後マルチプレクサＫによって出
力ラインＳに転送される。転送は信号Ｃｅによって起動
され、その周波数は（６４×１０-6）-1×ｎに等しい。
【００２０】本発明は、記述されたような例に限定され
ない。特にディテクタが混乱を受けるときには、ディテ
クタからマルチプレクサＫの入力に向かうｎ個の回路シ
ーケンスの夫々が、中間積分回路の内容を空にするため
の自身の手段を持っていてもよい。このような方法は明
らかに高価であるがセンサが混乱するような一つの回路
シーケンスに属する積分回路のみを空にすることを可能
にする。
ない。特にディテクタが混乱を受けるときには、ディテ
クタからマルチプレクサＫの入力に向かうｎ個の回路シ
ーケンスの夫々が、中間積分回路の内容を空にするため
の自身の手段を持っていてもよい。このような方法は明
らかに高価であるがセンサが混乱するような一つの回路
シーケンスに属する積分回路のみを空にすることを可能
にする。
【００２１】中間積分回路に収容された電荷が転送され
ているときに、各回路シーケンスにおいて、正常動作の
間、その電荷の最後の値をメモリ中に保持することもま
た可能である。この目的は、異常に機能している間、主
積分回路への転送を止めるためではなく、むしろ考慮さ
れている回路シーケンスに属するメモリ中の最後の値の
転送を可能にするためである。即ちこのことは、この目
的に対して例えばメモリ中に収容された値に達した時の
み中間積分回路を空にすることによってなされ得る。
ているときに、各回路シーケンスにおいて、正常動作の
間、その電荷の最後の値をメモリ中に保持することもま
た可能である。この目的は、異常に機能している間、主
積分回路への転送を止めるためではなく、むしろ考慮さ
れている回路シーケンスに属するメモリ中の最後の値の
転送を可能にするためである。即ちこのことは、この目
的に対して例えばメモリ中に収容された値に達した時の
み中間積分回路を空にすることによってなされ得る。
【００２２】一般に、本発明は、オプトメカニカルスキ
ャニングのない任意のカメラだけでなく、赤外、可視も
しくは紫外の領域で作用するセンサの２次元モザイクに
よって形成されたディテクタを使用し、そのディテクタ
が、サーマルディテクタであるかまたは可視または紫外
の領域で作用するオプトメカニカルスキャニングを有す
る任意のカメラに適用し得る。
ャニングのない任意のカメラだけでなく、赤外、可視も
しくは紫外の領域で作用するセンサの２次元モザイクに
よって形成されたディテクタを使用し、そのディテクタ
が、サーマルディテクタであるかまたは可視または紫外
の領域で作用するオプトメカニカルスキャニングを有す
る任意のカメラに適用し得る。
【図１】本発明のカメラの部分的電気回路図である。
【図２】図１の回路図に関連するタイミングチャートで
ある。
ある。
A1、Ai、An センサ B1、Bi、Bn 結合回路 D1、Di、Dn 中間積分回路 E1、Ei、En ポテンシャルバリア G1、Gi、Gn 転送回路 j1、ji、jn 主積分回路 k マルチプレクサ M 測定回路 N スイッチ Q インバータ P ＡＮＤゲート H クロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−72282（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−72281（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 5/235 H04N 5/335
Claims (4)
- 【請求項１】 電波妨害に対する電子保護を備える検出
システムであって、 付与されたエネルギー量に依存する電荷を作り出すｎ個
（ｎは正の整数）のセンサと、 夫々のセンサによって作り出された電荷を蓄積するため
の、センサに夫々接続されたｎ個の第１の積分回路と、 ｎ個の第１の積分回路に選択式に接続されたｎ個の第２
の積分回路と、 第１の積分回路内の蓄積電荷を測定するための、第１の
積分回路に接続された測定手段と、 測定された蓄積電荷と所定の電荷の量とを比較し、測定
された蓄積電荷が所定の電荷の量より多い場合に信号を
出力するための、測定手段に接続された比較手段と、 ｎ個の第１の積分回路の少なくとも１個の蓄積電荷を減
らすことによってｎ個の第２の積分回路を保護し、前記
比較手段が前記信号を出力した場合に、前記ｎ個の第１
の積分回路の少なくとも１個からの蓄積電荷の全てが少
なくとも１個の前記第２の積分回路に到達しダメージを
与えることを回避するための、比較手段とｎ個の第１の
積分回路とに接続された保護手段とを含む検出システ
ム。 - 【請求項２】 前記比較手段が前記信号を出力した場合
に、保護手段が前記第１の積分回路の各々における蓄積
電荷の少なくとも一部を空にする請求項１に記載のシス
テム。 - 【請求項３】 前記第１の積分回路における電荷を前記
第２の積分回路に伝送するための、前記第１の積分回路
と前記第２の積分回路間に夫々接続されたｎ個の伝送手
段をさらに含むシステムであって、前記ｎ個の伝送手段
が第１の周波数で前記ｎ個の積分回路において蓄積され
た電荷を伝送し、前記第２の積分回路が第１の周波数よ
り低い第２の周波数で前記ｎ個の積分回路において蓄積
された電荷を伝送する請求項１に記載のシステム。 - 【請求項４】 前記比較手段が前記信号を出力した場合
にのみ、保護手段が前記保護及び回避を実施する請求項
１に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9116380A FR2685846B1 (fr) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | Camera a detecteur, munie d'une protection electronique. |
| FR9116380 | 1991-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308561A JPH05308561A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3240335B2 true JP3240335B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=9420702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34696392A Expired - Fee Related JP3240335B2 (ja) | 1991-12-31 | 1992-12-25 | 電波妨害に対する電子保護を備える検出システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5387933A (ja) |
| EP (1) | EP0550319B1 (ja) |
| JP (1) | JP3240335B2 (ja) |
| DE (1) | DE69214266T2 (ja) |
| FR (1) | FR2685846B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2289983B (en) * | 1994-06-01 | 1996-10-16 | Simage Oy | Imaging devices,systems and methods |
| SE509734C3 (sv) * | 1995-02-17 | 1999-06-21 | Foersvarets Forskningsanstalt | Bildsensor med inbyggd oeverexponeringskontroll |
| US5747792A (en) * | 1996-08-30 | 1998-05-05 | Mcdonnell Douglas Corporation | Circuit and method for preventing laser jamming of night vision goggles |
| JP3039622B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2000-05-08 | 日本電気株式会社 | ボロメータ型赤外線センサ |
| FR2771514B1 (fr) | 1997-11-21 | 2000-02-11 | Thomson Csf | Harmonisation des axes d'entree et de sortie d'une lunette infrarouge |
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