JPH05308561A - 電波妨害に対する電子保護を備えるディテクタ付きカメラ - Google Patents

電波妨害に対する電子保護を備えるディテクタ付きカメラ

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JPH05308561A
JPH05308561A JP4346963A JP34696392A JPH05308561A JP H05308561 A JPH05308561 A JP H05308561A JP 4346963 A JP4346963 A JP 4346963A JP 34696392 A JP34696392 A JP 34696392A JP H05308561 A JPH05308561 A JP H05308561A
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    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 混信、混乱又は光電波妨害と呼ばれるものに
よる破壊に対するディテクター付きカメラの保護に関す
る。 【構成】 カメラのディテクタのセンサを飽和するため
に、特にレーザ光線を使うような電波妨害に対するカメ
ラの保護のためのシステムにおいて、n個のセンサに夫
々接続された通常の積分回路の夫々には、中間積分回路
が前置きされており、その内容が、通常の積分回路の内
容の転送のために使われるものよりも高いレートで通常
の積分回路に転送される。中間積分回路の内容が測定さ
れ、それらの値が非常に高いとき、それらの内容の転送
が妨げられる。赤外、可視又は紫外の領域で作用するデ
ィテクタ付きカメラに適用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、混信、混乱又は光電波
妨害と呼ばれるものによる破壊に対するディテクタ付き
カメラの保護に関する。
【0002】
【従来技術】光電波妨害の分野において、連続的な低電
力レーザビームの反射を通じてカメラを検出し、位置決
めされたカメラに向かってパルスを発生するパワーレー
ザを照射して、ディテクタを混乱させるため又はダメー
ジを与えるために光ディテクタの全部又は一部を照射す
る方法が知られている。最後に2つのレーザは、カメラ
の光学的システムが透過されるような波長で作用する。
【0003】パワーレーザのビームのよるカメラの混乱
は、ディテクタを構成しているセンサの全て又は一部の
飽和のためであり、部分的又は全体的に飽和された表面
を有する画像を生じる。もしレーザのパルス周波数が画
像の周波数よりも大きいならば、この飽和は全ての画像
に組織的に影響を及ぼす。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの電波妨害に対
してカメラを保護する既知の方法は、レーザの単色放射
をこの放射の狭いスペクトルと自然放射源の広いスペク
トルとの間の感度限界によって識別し、妨害するレーザ
のパルスの継続期間中、カメラのフレーム操作を止める
こと又はその増幅回路を抑制することである。画像の損
失が、レーザパルスによって影響された画像の部分だけ
に実質的に対応するために、妨害された走査フレームの
その部分だけを削除することは難しい。いわゆる第2世
代のカメラ、即ちマルチプレクサの出力に一つの増幅器
を伴う多重化動作が検出に引き続いて即時に起こるよう
なカメラにおいては、単に妨害された信号の通過の間だ
け増幅器を抑制することは難しい。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの欠点
を回避するため、又は少なくともこれらの欠点を低減す
るために立案された。
【0006】この結果は、センサによって与えられた信
号を制御し、妨害物によって妨害されているような観測
の操作から生じていることを示す異常に高い値の信号を
削除することによって得られる。
【0007】本発明により、電荷を作り出すn個(nは
正の整数)のセンサを有するディテクタと、n個のセン
サから電荷を受容すべくn個のセンサに夫々接続された
n個の結合素子と、n個の結合素子から電荷を受容する
と共に電荷を所定の周波数で伝送すべくn個の結合素子
に夫々接続されたn個の主積分回路とを連続して備えて
いる電波妨害に対する電子保護を備えるディテクタ付き
カメラであって、n個の結合素子中の結合素子の全て
が、これらの結合素子が接続されているセンサによって
作り出された電荷を蓄積すると共に電荷を所定の周波数
よりも大きい周波数で伝送すべく中間積分回路を備えて
おり、カメラが、n個の中間積分回路の電荷を測定する
測定手段と、測定手段によって測定された電荷の少なく
とも一つが所定の値を越えるときに中間積分回路の内容
を修正する制御手段とを備えている電波妨害に対する電
子保護を備えるディテクタ付きカメラが提供される。
【0008】
【実施例】以下の記述とそれに関連する図面から、本発
明がより詳細に理解され、他の特徴が明らかになるであ
ろう。
【0009】図1は、図中に示されている三つの、即ち
A1,Ai,Anのセンサアレイによって構成されるデ
ィテクタを備えたカメラに関する。指数nはアレイのセ
ンサの全数に相当し、指数iは1より大きくnより小さ
い整数を表す。
【0010】センサの夫々は、それ自身の回路シーケン
スによって、出力ラインSを備えるマルチプレクサKの
それ自身に固有な入力に接続されている。n個のセンサ
に関してn個の回路シーケンスの全てが同一であるの
で、図面を簡単化するために、センサA1,Ai及びA
nに関する回路シーケンスのみが示されており、それら
に固有なエレメントが、夫々1,i又はnを伴って大文
字で示されている。n個の回路シーケンスに共通なマル
チプレクサKのような他の回路は、図1においてサフィ
ックスを伴わずに大文字で示されている。異なった制御
信号については、小文字のa,b,c,d又はeを伴う
英字Cによって示されている。
【0011】センサAiの出力は、クロックHによって
与えらると共に図2に示されている信号Caによって制
御される結合回路Biの入力に接続されている。回路B
iの出力は、ポテンシャルバリアEiと結合された中間
積分回路Diと呼ばれる積分回路の入力に接続されてい
る。積分回路Diのポートは、クロックHの信号Cdに
よって制御される転送回路Giの入力に接続されてい
る。信号Cdは、図2に示めされている。
【0012】転送回路Giの出力は、主積分回路Jiと
呼ばれる積分回路の入力に接続され、積分回路Jiの出
力はマルチプレクサKに接続されている。マルチプレク
サKによる転送のためのコマンドが、クロックHによっ
て与えられる信号Ceによって提供される。
【0013】ポテンシャルバリアEiのポートは、測定
回路MとスイッチNに接続されている。測定回路Mの出
力は、ANDゲートPの第2の入力に接続されており、
ANDゲートPは第1の入力で、図2に示されているよ
うなクロックHによって与えられる制御信号Cbを受容
する。ANDゲートPの出力は、Eiのようなポテンシ
ャルバリアを制御するインバータQの入力と、このスイ
ッチの入力の接地接続を制御するためのスイッチNの制
御入力とに接続されている。
【0014】図2の信号によって示されているように、
本実施例においては、センサA1によって与えられた電
子は、64マイクロ秒の周期中に、即ちテレビのライン
レートで、32マイクロ秒の間に、ほとんど完全に積分
され、その積分時間は、1マイクロ秒切り離された4マ
イクロ秒の八つの時間間隔に分けられる。
【0015】各4マイクロ秒の時間間隔の間、ディテク
タAiは、結合回路Biによって中間積分回路Diに接
続されている。結合回路Biは、図2の信号Caによっ
て制御されるMOS−FETトランジスタにより記述さ
れたサンプル中に構成されているスイッチである。
【0016】中間積分回路Diは、ポテンシャルバリア
EiによってスイッチNの信号入力に接続されている。
本実施例においては、ポテンシャルバリアEiはFET
トランジスタを有しており、そのFETトランジスタの
ドレインは測定回路M及びスイッチNに接続され、ゲー
トは図2に示されている信号Ccを受容する。ポテンシ
ャルバリアEiの高さは、V1及びV0の二つの値を持
つことができる。その高さがV1の値を持つときは、回
路DiのポテンシャルがV1を越えるような電荷のみが
ドレインによって集められる。その高さがV0の値を持
つときは、回路Di中に含まれる全ての電荷がドレイン
に流れる。V1は、ディテクタA1からAnの混乱がな
い正常動作において、中間積分回路Diのポテンシャル
がV1以下であるように調整される。このようにポテン
シャルバリアEiは切換えスイッチの役割を果たす。
【0017】回路Di(及びn−1個の他の回路シーケ
ンス中のn−1個の他の対応する回路)のポテンシャル
がV1以下である限りは、測定回路Mは信号0を送り、
従ってANDゲートは永久にゼロであるような信号を送
り、インバータQは永久にV1の値である信号Ccを送
る。
【0018】回路Di(及び/又はn−1個の他の回路
シーケンス中のn−1個の対応する回路の中の他の回
路)のポテンシャルがV1より大きいとき、即ち4マイ
クロ秒の時間間隔の一つの間に高い振幅の信号が受容さ
れるならば、そのとき電荷はドレインに流出し、測定回
路Mは信号1を送る。このようにAND回路Pはもはや
永久にゼロであるような信号ではなく、信号Caの1マ
イクロ秒の期間の第1の部分の間に1の値を想定する信
号即ち図2の信号Cbを転写した信号を送る。図2の信
号Ccによって示されているように、信号Cbが1の値
をとる間、バリアEi(及びn−1個の他の対応するバ
リア)の高さはインバータQによってV0の値に下げら
れる。その結果、ANDゲートは、正常動作の範囲を越
えて、信号Cbを通過させ、バリアEi(及びn−1個
の他のバリア)を解放し、スイッチNを閉じ、こうして
Diのような中間積分回路を空にする。
【0019】図2の信号Cdのパルスによって決定され
る、信号Caの1マイクロ秒の期間の第2の部分の間
に、もし中間積分回路Diに収容される電荷がスイッチ
Nを通じて空にならないならば、電荷は転送回路Giに
よって主積分回路Jiに転送される。主積分回路Jiに
収容された電荷は、その後マルチプレクサKによって出
力ラインSに転送される。転送は信号Ceによって起動
され、その周波数は(64×10-6-1×nに等しい。
【0020】本発明は、記述されたような例に限定され
ない。特にディテクタが混乱を受けるときには、ディテ
クタからマルチプレクサKの入力に向かうn個の回路シ
ーケンスの夫々が、中間積分回路の内容を空にするため
の自身の手段を持っていてもよい。このような方法は明
らかに高価であるがセンサが混乱するような一つの回路
シーケンスに属する積分回路のみを空にすることを可能
にする。
【0021】中間積分回路に収容された電荷が転送され
ているときに、各回路シーケンスにおいて、正常動作の
間、その電荷の最後の値をメモリ中に保持することもま
た可能である。この目的は、異常に機能している間、主
積分回路への転送を止めるためではなく、むしろ考慮さ
れている回路シーケンスに属するメモリ中の最後の値の
転送を可能にするためである。即ちこのことは、この目
的に対して例えばメモリ中に収容された値に達した時の
み中間積分回路を空にすることによってなされ得る。
【0022】一般に、本発明は、オプトメカニカルスキ
ャニングのない任意のカメラだけでなく、赤外、可視も
しくは紫外の領域で作用するセンサの2次元モザイクに
よって形成されたディテクタを使用し、そのディテクタ
が、サーマルディテクタであるかまたは可視または紫外
の領域で作用するオプトメカニカルスキャニングを有す
る任意のカメラに適用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のカメラの部分的電気回路図である。
【図2】図1の回路図に関連するタイミングチャートで
ある。
【符号の説明】
A1、Ai、An センサ B1、Bi、Bn 結合回路 D1、Di、Dn 中間積分回路 E1、Ei、En ポテンシャルバリア G1、Gi、Gn 転送回路 j1、ji、jn 主積分回路 k マルチプレクサ M 測定回路 N スイッチ Q インバータ P ANDゲート H クロック

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電荷を作り出すn個(nは正の整数)の
    センサを有するディテクタと、前記n個のセンサから電
    荷を受容すべく前記n個のセンサに夫々接続されたn個
    の結合素子と、前記n個の結合素子から電荷を受容する
    と共に前記電荷を所定の周波数で伝送すべく前記n個の
    結合素子に夫々接続されたn個の主積分回路とを連続し
    て備えている電波妨害に対する電子保護を備えるディテ
    クタ付きカメラであって、前記n個の結合素子中の前記
    結合素子の全てが、これらの結合素子が接続されている
    センサによって作り出された電荷を蓄積すると共に電荷
    を前記所定の周波数よりも大きい周波数で伝送すべく中
    間積分回路を備えており、前記カメラが、前記n個の中
    間積分回路の電荷を測定する測定手段と、前記測定手段
    によって測定された電荷の少なくとも一つが所定の値を
    越えるときに前記中間積分回路の内容を修正する制御手
    段とを備えている電波妨害に対する電子保護を備えるデ
    ィテクタ付きカメラ。
  2. 【請求項2】 各中間積分回路と協働して、前記制御手
    段の一部に形成されていると共に前記測定回路が所定の
    値よりも大きい値を測定したときに、その電荷を出して
    協働する前記中間積分回路を少なくとも部分的に空にす
    る切替えスイッチを含む請求項1に記載のカメラ。
  3. 【請求項3】 前記中間積分回路と協働する前記切替え
    スイッチに加えて、前記制御手段が、前記n個の結合素
    子の全ての前記中間積分回路の切替えスイッチを制御す
    るための一つの及びただ一つの信号を与えるがゆえに、
    前記n個の結合素子の前記中間積分回路に共通である請
    求項2に記載のカメラ。
JP34696392A 1991-12-31 1992-12-25 電波妨害に対する電子保護を備える検出システム Expired - Fee Related JP3240335B2 (ja)

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