JP3239882B2 - 反強誘電性液晶組成物 - Google Patents
反強誘電性液晶組成物Info
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- JP3239882B2 JP3239882B2 JP36489899A JP36489899A JP3239882B2 JP 3239882 B2 JP3239882 B2 JP 3239882B2 JP 36489899 A JP36489899 A JP 36489899A JP 36489899 A JP36489899 A JP 36489899A JP 3239882 B2 JP3239882 B2 JP 3239882B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶組成物にかかわり、
特に反強誘電相（カイラルスメクチックＣＡ* 相、以下
ＳｍＣＡ* 相と略号する）を発現するようにした液晶組
成物に関し、更に詳しくは液晶表示素子に使用するのに
適した反強誘電性液晶組成物に関する。
特に反強誘電相（カイラルスメクチックＣＡ* 相、以下
ＳｍＣＡ* 相と略号する）を発現するようにした液晶組
成物に関し、更に詳しくは液晶表示素子に使用するのに
適した反強誘電性液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年液晶ディスプレイは、薄型・軽量・
低消費電力などの特徴を生かして表示素子として幅広く
用いられるようになってきたが、これらの表示装置のほ
とんどは、ネマチック液晶を用いるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型を一般的に採用している。この
ＴＮ型の表示方法は、駆動が液晶の比誘電率の異方性に
基づいているため、その応答速度は遅く、改善の必要性
に迫られていた。
低消費電力などの特徴を生かして表示素子として幅広く
用いられるようになってきたが、これらの表示装置のほ
とんどは、ネマチック液晶を用いるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型を一般的に採用している。この
ＴＮ型の表示方法は、駆動が液晶の比誘電率の異方性に
基づいているため、その応答速度は遅く、改善の必要性
に迫られていた。
【０００３】これに対し、Ｍｅｙｅｒらによって見いだ
された強誘電性を示すカイラルスメクチックＣ* 相（Ｓ
ｍＣ* 相と略号する）を有する液晶を用いた液晶デバイ
スはネマチック液晶では達成し得なかった高速応答性・
メモリー性を有しており、これらの特性を生かして、強
誘電性液晶ディスプレイへの応用研究が精力的に行われ
ている。しかし、この表示方法に必要とされる良好な配
向性・メモリー性を実際のディスプレイにおいて実現す
ることは困難であり、外部からのショックに弱い等の問
題を抱えており、解決すべき問題は数多く残っている。
された強誘電性を示すカイラルスメクチックＣ* 相（Ｓ
ｍＣ* 相と略号する）を有する液晶を用いた液晶デバイ
スはネマチック液晶では達成し得なかった高速応答性・
メモリー性を有しており、これらの特性を生かして、強
誘電性液晶ディスプレイへの応用研究が精力的に行われ
ている。しかし、この表示方法に必要とされる良好な配
向性・メモリー性を実際のディスプレイにおいて実現す
ることは困難であり、外部からのショックに弱い等の問
題を抱えており、解決すべき問題は数多く残っている。
【０００４】一方、最近になってＣｈａｎｄａｎｉらに
よって、前記のＳｍＣ* 相の低温側に三安定状態を示す
反強誘電相（ＳｍＣＡ* 相）が発見された。このＳｍＣ
Ａ*相は、隣接する層毎に双極子が反平行に配列した熱
力学的に安定な相を示し、印加電圧に対して明確なしき
い値と二重履歴特性を持つことを特徴とする反強誘電相
−強誘電相間の電場誘起相転移を起こす。このスイッチ
ング挙動を応用して、新規な表示方法の検討が始まって
いる。
よって、前記のＳｍＣ* 相の低温側に三安定状態を示す
反強誘電相（ＳｍＣＡ* 相）が発見された。このＳｍＣ
Ａ*相は、隣接する層毎に双極子が反平行に配列した熱
力学的に安定な相を示し、印加電圧に対して明確なしき
い値と二重履歴特性を持つことを特徴とする反強誘電相
−強誘電相間の電場誘起相転移を起こす。このスイッチ
ング挙動を応用して、新規な表示方法の検討が始まって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記ＳｍＣＡ* 相を有
する液晶組成物を用いた表示素子は、図１に示す様に無
電界時には反強誘電相（ＡＦ）を、電圧印加時には強誘
電性相（Ｆ）を示し、それぞれ暗・明状態を呈する。良
好な表示品位を得るためには、それぞれの状態間の応答
速度｛τｒ（ＡＦ→Ｆ），τｄ（Ｆ→ＡＦ）｝が十分高
速であることが望まれるが、そのための液晶組成物構成
化合物をブレンド調製する際の指針は、未だ明瞭ではな
い。また更に、この表示素子の電圧−透過率特性を図２
に示したが、このダブルヒステリシス特性を利用して素
子を駆動させるためには、その透過率１０％を示す電圧
をＶ１，Ｖ４、９０％を示す電圧をＶ２，Ｖ３とする
と、それぞれのしきい値電圧が低い事、Ｖ１−Ｖ３で示
される電圧幅が広く、Ｖ２−Ｖ１で示される電圧幅が狭
く、それらの比で定義されるＶＭ｛＝（Ｖ１−Ｖ３）／
（Ｖ２−Ｖ１）｝がなるべく大きい事、好ましくは２以
上が要求されるが、そのためのブレンド指針も不明であ
る。本発明の目的はこれらの液晶特性を向上させること
である。
する液晶組成物を用いた表示素子は、図１に示す様に無
電界時には反強誘電相（ＡＦ）を、電圧印加時には強誘
電性相（Ｆ）を示し、それぞれ暗・明状態を呈する。良
好な表示品位を得るためには、それぞれの状態間の応答
速度｛τｒ（ＡＦ→Ｆ），τｄ（Ｆ→ＡＦ）｝が十分高
速であることが望まれるが、そのための液晶組成物構成
化合物をブレンド調製する際の指針は、未だ明瞭ではな
い。また更に、この表示素子の電圧−透過率特性を図２
に示したが、このダブルヒステリシス特性を利用して素
子を駆動させるためには、その透過率１０％を示す電圧
をＶ１，Ｖ４、９０％を示す電圧をＶ２，Ｖ３とする
と、それぞれのしきい値電圧が低い事、Ｖ１−Ｖ３で示
される電圧幅が広く、Ｖ２−Ｖ１で示される電圧幅が狭
く、それらの比で定義されるＶＭ｛＝（Ｖ１−Ｖ３）／
（Ｖ２−Ｖ１）｝がなるべく大きい事、好ましくは２以
上が要求されるが、そのためのブレンド指針も不明であ
る。本発明の目的はこれらの液晶特性を向上させること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】まず、応答速度に関する
発明について述べる。この発明は、カイラルスメクチッ
クＣＡ* 相を有する液晶組成物において、電界印加によ
り生じる光軸の傾き方向（以下「チルトセンス」とい
う）が、同一の液晶組成物構成化合物を混合してなる反
強誘電性液晶組成物である。
発明について述べる。この発明は、カイラルスメクチッ
クＣＡ* 相を有する液晶組成物において、電界印加によ
り生じる光軸の傾き方向（以下「チルトセンス」とい
う）が、同一の液晶組成物構成化合物を混合してなる反
強誘電性液晶組成物である。
【０００７】本発明者らは、液晶組成物構成化合物（以
下「液晶材料」又は「材料」ということがある）が電圧
印加により強誘電相へ転移した際に発現する光軸の傾き
方向（チルトセンス）に着目し、その方向の一致した材
料を選定し混合することにより、高速応答液晶組成物が
得られることを見いだした。すなわち、反強誘電性液晶
材料は、無電界時には、隣接する層間で分極分をキャン
セルし自発分極は発現せず、また、光軸も層法線方向か
らずれることは無い。ところが、これに電圧を印加する
と、このとき与えられる外部電界分極成分が相互作用
し、液晶材料は強誘電相へ転移し、光軸に傾きが生じ
る。この際の光軸の傾く方向を数百種類の材料について
詳細に調査したところ、図１に示した様に（図１にて１
は液晶材料分子を、２は層内分極方向がセル上面方向で
あることを、３はセル下面方向であることを表わす。）
セル下面を基準電位として正の電圧を印加したときセル
上方から見て液晶分子が右へ倒れ、また、負の電圧印加
では左へ倒れる材料種（チルトセンス：−）と、それと
は反対に、正の電圧印加では左へ、負の電圧印加では右
に倒れる材料種（チルトセンス：＋）が存在することが
判明した。本発明では、ここで提案した「チルトセン
ス」の一致する材料を選定し、混合することにより、τ
ｒ，τｄの優れた材料を得た。同一のチルトセンスを有
する液晶組成物構成化合物の割合は、好ましくは７０wt
％以上、更に好ましくは９０wt％以上である。また、こ
のときに液晶組成物の自発分極の飽和値（以下「Ｐｓ」
と記載する）が２００ｎＣ／ｃｍ２以上であるときに高
速応答が得られた。
下「液晶材料」又は「材料」ということがある）が電圧
印加により強誘電相へ転移した際に発現する光軸の傾き
方向（チルトセンス）に着目し、その方向の一致した材
料を選定し混合することにより、高速応答液晶組成物が
得られることを見いだした。すなわち、反強誘電性液晶
材料は、無電界時には、隣接する層間で分極分をキャン
セルし自発分極は発現せず、また、光軸も層法線方向か
らずれることは無い。ところが、これに電圧を印加する
と、このとき与えられる外部電界分極成分が相互作用
し、液晶材料は強誘電相へ転移し、光軸に傾きが生じ
る。この際の光軸の傾く方向を数百種類の材料について
詳細に調査したところ、図１に示した様に（図１にて１
は液晶材料分子を、２は層内分極方向がセル上面方向で
あることを、３はセル下面方向であることを表わす。）
セル下面を基準電位として正の電圧を印加したときセル
上方から見て液晶分子が右へ倒れ、また、負の電圧印加
では左へ倒れる材料種（チルトセンス：−）と、それと
は反対に、正の電圧印加では左へ、負の電圧印加では右
に倒れる材料種（チルトセンス：＋）が存在することが
判明した。本発明では、ここで提案した「チルトセン
ス」の一致する材料を選定し、混合することにより、τ
ｒ，τｄの優れた材料を得た。同一のチルトセンスを有
する液晶組成物構成化合物の割合は、好ましくは７０wt
％以上、更に好ましくは９０wt％以上である。また、こ
のときに液晶組成物の自発分極の飽和値（以下「Ｐｓ」
と記載する）が２００ｎＣ／ｃｍ２以上であるときに高
速応答が得られた。
【０００８】次に、ヒステリシス特性に関する発明につ
いて述べる。この発明はカイラルスメクチックＣＡ* 相
を有する液晶組成物において、液晶組成物構成化合物分
子中の不斉炭素に結合するコア以外の３つの原子又は原
子団の立体配座（以下、「立体センス」という）が異な
る、即ち、その長さの長い順（長さが等しいときは体積
の大きい順）に右回り（＋）に配置された液晶組成物構
成化合物と左回り（−）に配置した液晶組成物構成化合
物を混合してなる反強誘電性液晶組成物である。ここで
前記「コア」とは液晶分子の中心部をなす少なくとも２
つの環状基、例えば芳香環、複素環及びシクロヘキサン
環等（これらは置換基を有していてもよい）、並びにそ
れらに直結する結合基、例えば−ＣＯＯ−，−Ｏ−及び
−ＣＯ−等からなるものをいう。
いて述べる。この発明はカイラルスメクチックＣＡ* 相
を有する液晶組成物において、液晶組成物構成化合物分
子中の不斉炭素に結合するコア以外の３つの原子又は原
子団の立体配座（以下、「立体センス」という）が異な
る、即ち、その長さの長い順（長さが等しいときは体積
の大きい順）に右回り（＋）に配置された液晶組成物構
成化合物と左回り（−）に配置した液晶組成物構成化合
物を混合してなる反強誘電性液晶組成物である。ここで
前記「コア」とは液晶分子の中心部をなす少なくとも２
つの環状基、例えば芳香環、複素環及びシクロヘキサン
環等（これらは置換基を有していてもよい）、並びにそ
れらに直結する結合基、例えば−ＣＯＯ−，−Ｏ−及び
−ＣＯ−等からなるものをいう。
【０００９】本発明者らは、液晶材料が持つ不斉炭素周
辺の三次元立体構造の特異性に着目し、上述した目的を
達成するためには、立体センスが同一でない材料を選定
し、混合し組成物を調製すると効果的であることを見い
だした。なお、ここでいう立体構造特異性とは、通常の
不斉炭素において使用されるＲ・Ｓ体のことではなく、
不斉炭素に結合したコア以外の３種の原子又は原子団の
バルキネス（長さ（長さが等しいときは体積の大き
さ））の順序を考慮した立体配座が、同一の構造式の分
子にもかかわらず、二通り存在することで、これらの差
異が、液晶材料を混合した際の液晶分子の配列秩序に影
響を与えると考えられる。
辺の三次元立体構造の特異性に着目し、上述した目的を
達成するためには、立体センスが同一でない材料を選定
し、混合し組成物を調製すると効果的であることを見い
だした。なお、ここでいう立体構造特異性とは、通常の
不斉炭素において使用されるＲ・Ｓ体のことではなく、
不斉炭素に結合したコア以外の３種の原子又は原子団の
バルキネス（長さ（長さが等しいときは体積の大き
さ））の順序を考慮した立体配座が、同一の構造式の分
子にもかかわらず、二通り存在することで、これらの差
異が、液晶材料を混合した際の液晶分子の配列秩序に影
響を与えると考えられる。
【００１０】すなわち、図３に示した様に、骨格構造
部、即ちコアを向こう側においた時の残りの置換基の立
体配座がその長さの順に右回りのものを＋、左回りのも
のを−と定義し、これを立体センスと名付けたが、この
立体センスを揃え混合するのに対し、そのセンスを揃え
ない場合には、一般に、しきい値電圧の低下、及び、特
にＶ３の低下によるＶＭの増大が生ずることを見いだし
た。これは、立体センスの異なる材料の混合により、液
晶分子間の相互作用に変化を生じ、強誘電相に較べ、反
強誘電相が相対的に不安定化したためと考えられる。
部、即ちコアを向こう側においた時の残りの置換基の立
体配座がその長さの順に右回りのものを＋、左回りのも
のを−と定義し、これを立体センスと名付けたが、この
立体センスを揃え混合するのに対し、そのセンスを揃え
ない場合には、一般に、しきい値電圧の低下、及び、特
にＶ３の低下によるＶＭの増大が生ずることを見いだし
た。これは、立体センスの異なる材料の混合により、液
晶分子間の相互作用に変化を生じ、強誘電相に較べ、反
強誘電相が相対的に不安定化したためと考えられる。
【００１１】チルトセンス（＋）の化合物としては、絶
対配座がＳ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料及び
フルオロカーボン系キラル側鎖材料等があり、例えば下
記構造式で示される化合物のＳ体がある。
対配座がＳ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料及び
フルオロカーボン系キラル側鎖材料等があり、例えば下
記構造式で示される化合物のＳ体がある。
【００１２】
【化１】
【００１３】
【化２】
【００１４】上記式１〜１５において、ｎは４〜１４の
いずれかの整数であり、ｍは２〜１４のいずれかの整数
である。好ましくは、ｎは５〜１２、ｍは４〜１２のい
ずれかの整数である。
いずれかの整数であり、ｍは２〜１４のいずれかの整数
である。好ましくは、ｎは５〜１２、ｍは４〜１２のい
ずれかの整数である。
【００１５】チルトセンス（−）の化合物としては、絶
対配座がＲ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料及び
フルオロカーボン系キラル側鎖材料等があり、例えば上
記構造式１〜１５で示される化合物のＲ体がある。
対配座がＲ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料及び
フルオロカーボン系キラル側鎖材料等があり、例えば上
記構造式１〜１５で示される化合物のＲ体がある。
【００１６】立体センスが（＋）の化合物としては、絶
対配座がＲ体のフルオロカーボン系キラル側鎖材料及び
絶対配座がＳ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料等
があり、例えば下記構造式１６〜２５で示される化合物
のＲ体及び下記構造式２６〜３０で示される化合物のＳ
体がある。
対配座がＲ体のフルオロカーボン系キラル側鎖材料及び
絶対配座がＳ体のハイドロカーボン系キラル側鎖材料等
があり、例えば下記構造式１６〜２５で示される化合物
のＲ体及び下記構造式２６〜３０で示される化合物のＳ
体がある。
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】上記式１６〜３０において、ｎは４〜１４
のいずれかの整数であり、ｍは２〜１４（但し、式３０
においてはｍは３〜１４）のいずれかの整数である。
のいずれかの整数であり、ｍは２〜１４（但し、式３０
においてはｍは３〜１４）のいずれかの整数である。
【００２０】立体センスが（−）の化合物としては、上
記構造式１６〜２５で示される化合物のＳ体及び上記構
造式２６〜３０で示される化合物のＲ体がある。
記構造式１６〜２５で示される化合物のＳ体及び上記構
造式２６〜３０で示される化合物のＲ体がある。
【００２１】
【実施例】表１に示す化合物Ｎｏ．１からＮｏ．６を用
いて以下の例に示す組成の液晶組成物を作製した。液晶
組成物は、それぞれギャップ：２μｍの液晶セルに注入
し、注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する
温度にセルを加熱し、その後２℃／ｍｉｎで室温まで冷
却して反強誘電性液晶素子を得た。応答速度は、５０Ｖ
の駆形波を印加し測定し、また、ヒステリシス特性は、
この素子に±５０Ｖ−１Ｈｚの三角波を印加し、直交ニ
コル下における透過光の強度変化を測定した。
いて以下の例に示す組成の液晶組成物を作製した。液晶
組成物は、それぞれギャップ：２μｍの液晶セルに注入
し、注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する
温度にセルを加熱し、その後２℃／ｍｉｎで室温まで冷
却して反強誘電性液晶素子を得た。応答速度は、５０Ｖ
の駆形波を印加し測定し、また、ヒステリシス特性は、
この素子に±５０Ｖ−１Ｈｚの三角波を印加し、直交ニ
コル下における透過光の強度変化を測定した。
【００２２】
【表１】
【００２３】（例１）表１に示す化合物の中から、Ｎ
ｏ．１，２，５を用いて、下記表２に示す様なブレンド
組成物Ｉ及びIIを作製した。組成物Ｉでは、すべての化
合物のチルトセンスが同一（−）となる様に材料種を選
定し、一方、組成物IIでは、一部の化合物について、チ
ルトセンスの異なる材料種を選定し、ブレンド材料を調
製した。応答速度の測定結果も同表中に示したが、チル
トセンスを統一した組成物Ｉの方が、τｒ，τｄ（いず
れも４０℃で測定）とも優れた応答特性を示した。また
この時、自発分極値も大きな値を示した。なお、チルト
センスは、同一の構造の化合物においても、絶対配座の
違いにより、反転する。
ｏ．１，２，５を用いて、下記表２に示す様なブレンド
組成物Ｉ及びIIを作製した。組成物Ｉでは、すべての化
合物のチルトセンスが同一（−）となる様に材料種を選
定し、一方、組成物IIでは、一部の化合物について、チ
ルトセンスの異なる材料種を選定し、ブレンド材料を調
製した。応答速度の測定結果も同表中に示したが、チル
トセンスを統一した組成物Ｉの方が、τｒ，τｄ（いず
れも４０℃で測定）とも優れた応答特性を示した。また
この時、自発分極値も大きな値を示した。なお、チルト
センスは、同一の構造の化合物においても、絶対配座の
違いにより、反転する。
【００２４】
【表２】
【００２５】（例２）表１に示す化合物の中から、同様
に、Ｎｏ．２，５を用いて、下記表３に示す様なブレン
ド組成物III 及びIVを作製した。組成物III では、すべ
ての化合物のチルトセンスが同一（−）となる様に材料
種を選定し、一方、組成物IVでは、一部、同一の構造な
がら、チルトセンスが反転する異性体を選定し、ブレン
ド材料を調製した。応答速度の測定結果も同表中に示し
たが、チルトセンスを統一した組成物III では、τｒ，
τｄ（いずれも３０℃で測定）とも優れた応答特性を示
した。またこの時、自発分極値も大きな値を示した。
に、Ｎｏ．２，５を用いて、下記表３に示す様なブレン
ド組成物III 及びIVを作製した。組成物III では、すべ
ての化合物のチルトセンスが同一（−）となる様に材料
種を選定し、一方、組成物IVでは、一部、同一の構造な
がら、チルトセンスが反転する異性体を選定し、ブレン
ド材料を調製した。応答速度の測定結果も同表中に示し
たが、チルトセンスを統一した組成物III では、τｒ，
τｄ（いずれも３０℃で測定）とも優れた応答特性を示
した。またこの時、自発分極値も大きな値を示した。
【００２６】
【表３】
【００２７】（例３）表１中の化合物No. ２について、
Ｒ体、Ｓ体の比を変え、ブレンド組成物Ｖ，VI及びVII
を作り、τｒ，τｄ及びＰｓを測定した。両応答速度と
もにＲ体の重量部合が下るに従がって遅くなる。そして
Ｒ体が６０wt％では両応答速度とも５００μｓ以上と、
従来のネマチック液晶と同程度まで遅くなり、反強誘電
性液晶の「高速応答」という優位性を失う。
Ｒ体、Ｓ体の比を変え、ブレンド組成物Ｖ，VI及びVII
を作り、τｒ，τｄ及びＰｓを測定した。両応答速度と
もにＲ体の重量部合が下るに従がって遅くなる。そして
Ｒ体が６０wt％では両応答速度とも５００μｓ以上と、
従来のネマチック液晶と同程度まで遅くなり、反強誘電
性液晶の「高速応答」という優位性を失う。
【００２８】
【表４】
【００２９】（例４）表１に示す化合物の中から、Ｎ
ｏ．２，３，４，５，６を用いて、下記表５に示す様な
ブレンド組成物VIII及びIXを作製した。組成物IXでは、
すべての化合物の立体センスが同一（＋）となる様に材
料種を選定し、一方、組成物VIIIでは、化合物Ｎｏ．２
について、立体センスの異なる材料種を選定し、ブレン
ド材料を調製した。しきい値電圧およびＶＭの測定結果
（３０℃で測定）も同表中に示したが、組成物VIIIで
は、しきい値電圧が低く、かつ、ＶＭも十分大きな値を
示した。なお、立体センスは、同一の構造の化合物にお
いても、絶対配座の違いにより、反転する。
ｏ．２，３，４，５，６を用いて、下記表５に示す様な
ブレンド組成物VIII及びIXを作製した。組成物IXでは、
すべての化合物の立体センスが同一（＋）となる様に材
料種を選定し、一方、組成物VIIIでは、化合物Ｎｏ．２
について、立体センスの異なる材料種を選定し、ブレン
ド材料を調製した。しきい値電圧およびＶＭの測定結果
（３０℃で測定）も同表中に示したが、組成物VIIIで
は、しきい値電圧が低く、かつ、ＶＭも十分大きな値を
示した。なお、立体センスは、同一の構造の化合物にお
いても、絶対配座の違いにより、反転する。
【００３０】
【表５】
【００３１】（例５）表１に示す化合物の中から、同様
に、Ｎｏ．１，２，５を用いて、下記表６に示す様なブ
レンド組成物Ｉ，IIを作製した。組成比は、実施例１に
同じである。組成物Ｉは、すべての化合物のチルトセン
スが同一（−）で、かつ一部、立体センスが異なる様に
材料種を選定し、ブレンド材料を調製したものである
が、応答速度（参照：実施例１）、ヒステリシス特性
（しきい値（４０℃で測定）、ＶＭ、下記表６参照）と
も、良好な値を示すことが明らかである。
に、Ｎｏ．１，２，５を用いて、下記表６に示す様なブ
レンド組成物Ｉ，IIを作製した。組成比は、実施例１に
同じである。組成物Ｉは、すべての化合物のチルトセン
スが同一（−）で、かつ一部、立体センスが異なる様に
材料種を選定し、ブレンド材料を調製したものである
が、応答速度（参照：実施例１）、ヒステリシス特性
（しきい値（４０℃で測定）、ＶＭ、下記表６参照）と
も、良好な値を示すことが明らかである。
【００３２】
【表６】
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によって提供された
液晶組成物は、ヒステリシス特性（低しきい値電圧、高
駆動マージン）に優れ、及び／又は高速応答性を示し、
実用的に優れた液晶表示素子の製造に用いることができ
る。
液晶組成物は、ヒステリシス特性（低しきい値電圧、高
駆動マージン）に優れ、及び／又は高速応答性を示し、
実用的に優れた液晶表示素子の製造に用いることができ
る。
【図１】強誘電性液晶材料に電圧を印加しないとき、及
び印加したときの液晶材料分子の傾斜の様子を示す図。
び印加したときの液晶材料分子の傾斜の様子を示す図。
【図２】液晶表示素子の電圧透過率特性を示すグラフ。
【図３】本発明の液晶材料の立体センスを説明する図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧川 賢司 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式 会社日本自動車部品総合研究所内 (56)参考文献 特開 平４−359990（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−65486（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 19/12 - 19/46
Claims (6)
- 【請求項１】 カイラルスメクチックＣＡ＊相を有する
液晶組成物において、電界印加により生じる光軸の傾き
方向（以下、「チルトセンス」という）が同一の液晶組
成物構成化合物で、且つ該液晶組成物構成化合物分子中
の不斉炭素に結合するコア以外の３つの原子又は原子団
の立体配座（以下、「立体センスという」）が異なる液
晶組成物構成化合物、即ち、その長さの長い順（長さが
等しいときは体積の大きい順）に右回り（＋）に配置さ
れた液晶組成物構成化合物及び左回り（−）に配置した
液晶組成物構成化合物を混合してなる反強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項２】 前記右回りの立体センスを有する化合物
の割合が１〜９９ｗｔ％、前記左回りの立体センスを有
する化合物の割合が９９〜１ｗｔ％である請求項１の反
強誘電性液晶組成物。 - 【請求項３】 同一のチルトセンスを有する液晶組成物
構成化合物の割合が７０ｗｔ％以上である請求項１の反
強誘電性液晶組成物。 - 【請求項４】 同一のチルトセンスを有する材料を主に
選択し混合することにより自発分極の飽和値が２００ｎ
Ｃ／ｃｍ2以上となる請求項１の反強誘電性液晶組成
物。 - 【請求項５】 請求項１に記載の反強誘電性液晶組成物
を構成する液晶組成物構成化合物が、チルトセンス＋の
ものは、下記構造式１〜１５で示される化合物のＳ体で
あり、チルトセンスが−のものは、下記構造式１〜１５
で示される化合物のＲ体であり、立体センスが＋のもの
は、下記構造式１６〜２５で示される化合物のＲ体及び
下記構造式２６〜３０で示される化合物のＳ体であり、
立体センスが−のものは、下記構造式１６〜２５で示さ
れる化合物のＳ体及び下記構造式２６〜３０で示される
化合物のＲ体である請求項１の反強誘電性液晶組成物 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの反強誘電性液
晶組成物を有する液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36489899A JP3239882B2 (ja) | 1994-04-18 | 1999-12-22 | 反強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7857894 | 1994-04-18 | ||
| JP6-78578 | 1994-04-18 | ||
| JP36489899A JP3239882B2 (ja) | 1994-04-18 | 1999-12-22 | 反強誘電性液晶組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5138195A Division JPH083556A (ja) | 1994-04-18 | 1995-03-10 | 反強誘電性液晶組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000154384A JP2000154384A (ja) | 2000-06-06 |
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ID=26419639
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
1999
- 1999-12-22 JP JP36489899A patent/JP3239882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000154384A (ja) | 2000-06-06 |
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