JP3239851U

JP3239851U - Circuit structure to improve conductivity of DIP components

Info

Publication number: JP3239851U
Application number: JP2022003108U
Authority: JP
Inventors: 張古博
Original assignee: 新盛力科技股▲ふん▼有限公司
Priority date: 2021-10-12
Filing date: 2022-09-16
Publication date: 2022-11-15
Anticipated expiration: 2032-09-16
Also published as: TWM625051U

Abstract

【課題】本考案は、ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造を提供する。【解決手段】前記回路構造は、絶縁プレート、金属本体及び電子部品を含む。前記絶縁プレートは、対向する第１の面及び第２の面を有し、少なくとも前記第１の面に第１回路が形成されている。前記第１回路の上面には少なくとも１つの第１開口が開設されており、前記第１開口が下向きに少なくとも前記第２の面まで連通することで、少なくとも１つのスルーホールが形成されて、これにより、少なくとも１つの電気めっきスルーホールが構成される。前記金属本体は、対向する第３の面及び第４の面を有し、前記第１の面に接続される。前記第３の面は、前記電気めっきスルーホールに対応して連通する少なくとも１つの金属本体スルーホールを有する。前記電子部品は、少なくとも１つのピンを有し、前記ピンが、前記金属本体スルーホールにおける前記第３の面に対応する端から挿入されて、前記電気めっきスルーホールに電気的に接続される。前記金属本体スルーホールの壁面の面積は、前記電気めっきスルーホールの第１回路部分の壁面の面積よりも大きい。本考案は、回路構造によってＤＩＰコンポーネントと回路との導電性を改良可能である。【選択図】図１ＢA circuit structure for improving the electrical conductivity of a DIP component. The circuit structure includes an insulating plate, a metal body and an electronic component. The insulating plate has opposed first and second surfaces, with a first circuit formed on at least the first surface. At least one first opening is formed in the upper surface of the first circuit, and the first opening communicates downward to at least the second surface, thereby forming at least one through hole. constitute at least one electroplated through hole. The metal body has opposing third and fourth surfaces and is connected to the first surface. The third side has at least one metal body through-hole correspondingly communicating with the electroplated through-hole. The electronic component has at least one pin, and the pin is inserted from the end corresponding to the third surface of the metal body through-hole and electrically connected to the electroplating through-hole. The wall area of the metal body through-hole is greater than the wall area of the first circuit portion of the electroplated through-hole. The present invention can improve the electrical conductivity between the DIP component and the circuit through the circuit structure. [Selection drawing] Fig. 1B

Description

本考案は、回路構造に関し、特に、ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造に関する。 The present invention relates to circuit structures, and more particularly to circuit structures that improve the conductivity of DIP components.

周知のプリント基板において、ＤＩＰ（ＤｕａｌＩｎｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）コンポーネントと回路との導電性（特に、電源部のＤＩＰコンポーネントと回路との導電性）を改良したい場合には、通常、線幅を増大させるか、多層板を使用するか、及び／又は、電源部の回路の厚さを増大させることを考える。 In known printed circuit boards, when it is desired to improve the electrical conductivity between DIP (Dual Inline Package) components and circuits (particularly, the electrical conductivity between DIP components and circuits in the power supply section), the line width is usually increased, or Consider using a multi-layer board and/or increasing the thickness of the circuitry in the power supply.

しかし、通常、線幅を増大させる場合には、同一面積のプリント基板に収容される回路が少なくなるため、プリント基板の集積度が低下する。また、多層板を使用する場合には、多層回路－誘電体－回路におけるコンデンサに関連する回路に干渉が生じる。そのほか、電源部の回路の厚さを増大させる場合には、少なくともエッチング又は膜成長プロセスを追加することで、通常の回路の厚さ又は電源部の回路の厚さを変更する必要がある。 However, when the line width is increased, the number of circuits that can be accommodated in the same area of the printed circuit board is generally reduced, resulting in a decrease in the degree of integration of the printed circuit board. Also, when using multi-layer boards, interference occurs in the circuitry associated with the capacitors in the multi-layer circuit-dielectric-circuit. In addition, when increasing the circuit thickness of the power supply, it is necessary to change the normal circuit thickness or the power supply circuit thickness by at least adding an etching or film growth process.

本考案の目的は、ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a circuit structure that improves the electrical conductivity of DIP components.

前記回路構造は、絶縁プレート、金属本体及び電子部品を含む。前記絶縁プレートは、対向する第１の面及び第２の面を有し、少なくとも前記第１の面に第１回路が形成されている。前記第１回路の上面には少なくとも１つの第１開口が開設されており、前記第１開口が下向きに少なくとも前記第２の面まで連通することで、少なくとも１つのスルーホールが形成されて、これにより、少なくとも１つの電気めっきスルーホールが構成される。前記金属本体は、対向する第３の面及び第４の面を有し、前記第１の面に接続される。前記第３の面は、前記電気めっきスルーホールに対応して連通する少なくとも１つの金属本体スルーホールを有する。前記電子部品は、少なくとも１つのピンを有し、前記ピンが、前記金属本体スルーホールにおける前記第３の面に対応する端から挿入されて、前記電気めっきスルーホールに電気的に接続される。前記金属本体スルーホールの壁面の面積は、前記電気めっきスルーホールの第１回路部分の壁面の面積よりも大きい。このように、前記電気めっきスルーホールの第１回路部分の壁面の面積よりも大きい前記金属本体スルーホールの壁面の面積によれば、回路構造によってＤＩＰコンポーネントと回路との導電性を改良可能である。且つ、プリント基板の集積度が低下するとの課題や、多層板を使用する場合に回路に干渉が生じるとの課題、電源部の回路の厚さを増大させる場合にプロセスが複雑になるとの課題等が回避される。 The circuit structure includes an insulating plate, a metal body and electronic components. The insulating plate has opposed first and second surfaces, with a first circuit formed on at least the first surface. At least one first opening is formed in the upper surface of the first circuit, and the first opening communicates downward to at least the second surface, thereby forming at least one through hole. constitute at least one electroplated through hole. The metal body has opposing third and fourth surfaces and is connected to the first surface. The third side has at least one metal body through-hole correspondingly communicating with the electroplated through-hole. The electronic component has at least one pin, and the pin is inserted from the end corresponding to the third surface of the metal body through-hole and electrically connected to the electroplating through-hole. The wall area of the metal body through-hole is greater than the wall area of the first circuit portion of the electroplated through-hole. Thus, the wall area of the metal body through-hole greater than the wall area of the first circuit portion of the electroplated through-hole allows improved electrical conductivity between the DIP component and the circuit through the circuit structure. . In addition, there are problems such as a decrease in the degree of integration of the printed circuit board, a problem that interference occurs in the circuit when using a multilayer board, and a problem that the process becomes complicated when the thickness of the circuit in the power supply section is increased. is avoided.

本考案の実施例において、前記金属本体スルーホールの高さは、前記電気めっきスルーホールの第１回路部分の高さの８．５倍よりも大きい。 In an embodiment of the present invention, the height of the metal body through-hole is greater than 8.5 times the height of the first circuit portion of the electroplating through-hole.

本考案の実施例において、前記金属本体スルーホール及び前記電気めっきスルーホールの幅は、前記ピンの最大幅以上である。 In an embodiment of the present invention, the width of the metal body through-hole and the electroplating through-hole is greater than or equal to the maximum width of the pin.

本考案の実施例において、前記ピンは、少なくとも前記電気めっきスルーホールにおける前記第２の面に対応する端まで到達する。 In an embodiment of the invention, the pins reach at least as far as the end corresponding to the second surface of the electroplated through-hole.

本考案の実施例において、ウェーブはんだ付け方式で、前記電気めっきスルーホールにおける前記第２の面に対応する端から、前記ピンと前記金属本体スルーホール及び前記電気めっきスルーホールの間に溶接材料が形成される。 In an embodiment of the present invention, by wave soldering, a welding material is formed between the pin and the metal body through-hole and the electroplated through-hole from the end corresponding to the second surface of the electroplated through-hole. be done.

本考案の実施例において、前記電気めっきスルーホールの金属層、前記第１回路及び前記金属本体の材質は銅である。 In an embodiment of the present invention, the material of the metal layer of the electroplating through-hole, the first circuit and the metal body is copper.

本考案の目的は、別のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造を提供することである。前記回路構造は、絶縁プレート、金属本体及び電子部品を含む。前記絶縁プレートは、対向する第１の面及び第２の面を有する。前記第１の面には少なくとも１つの第１開口が開設されており、前記第１開口が下向きに少なくとも前記第２の面まで連通することで、少なくとも１つのスルーホールが形成されて、これにより、少なくとも１つの電気めっきスルーホールが構成される。前記金属本体は、対向する第３の面及び第４の面を有し、前記第１の面に接続される。前記第３の面は、前記電気めっきスルーホールに対応して連通する少なくとも１つの金属本体スルーホールを有する。前記電子部品は、少なくとも１つのピンを有し、前記ピンが、前記金属本体スルーホールにおける前記第３の面に対応する端から挿入されて、前記電気めっきスルーホールに電気的に接続される。前記金属本体スルーホールの高さは０．３ｍｍ～０．６ｍｍの間である。このように、周知の電気めっきスルーホールにおける第１回路部分の高さよりも大きく、高さが０．３ｍｍ～０．６ｍｍの間である前記金属本体スルーホールによれば、回路構造によってＤＩＰコンポーネントと回路との導電性を改良可能である。且つ、プリント基板の集積度が低下するとの課題や、多層板を使用する場合に回路に干渉が生じるとの課題、電源部の回路の厚さを増大させる場合にプロセスが複雑になるとの課題等が回避される。また、従来のプロセス機器を使用可能である。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a circuit structure that improves the electrical conductivity of another DIP component. The circuit structure includes an insulating plate, a metal body and electronic components. The insulating plate has opposed first and second surfaces. At least one first opening is formed in the first surface, and the first opening communicates downward to at least the second surface to form at least one through hole, thereby , at least one electroplated through hole is configured. The metal body has opposing third and fourth surfaces and is connected to the first surface. The third side has at least one metal body through-hole correspondingly communicating with the electroplated through-hole. The electronic component has at least one pin, and the pin is inserted from the end corresponding to the third surface of the metal body through-hole and electrically connected to the electroplating through-hole. The height of the metal body through-hole is between 0.3 mm and 0.6 mm. Thus, according to the metal body through hole, which is between 0.3 mm and 0.6 mm in height, which is greater than the height of the first circuit portion in the known electroplating through hole, the circuit structure can be used as a DIP component. Conductivity with the circuit can be improved. In addition, there are problems such as a decrease in the degree of integration of the printed circuit board, a problem that interference occurs in the circuit when using a multilayer board, and a problem that the process becomes complicated when the thickness of the circuit in the power supply section is increased. is avoided. Also, conventional process equipment can be used.

本考案の実施例において、前記電気めっきスルーホールの金属層及び前記金属本体の材質は銅である。 In an embodiment of the present invention, the material of the metal layer of the electroplating through-hole and the metal body is copper.

本考案の実施例において、前記金属本体は、表面実装技術で前記第１の面に固定的に接続される。 In an embodiment of the invention, the metal body is fixedly connected to the first surface by surface mounting technology.

図１Ａは、本考案における電子部品を挿設する前のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の電子部品挿設前の斜視図である。FIG. 1A is a perspective view of a circuit structure for improving the electrical conductivity of a DIP component before inserting an electronic component according to the present invention; FIG. 図１Ｂは、本考案における電子部品を挿設する前のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の電子部品挿設前の断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view of a circuit structure for improving the electrical conductivity of a DIP component before inserting an electronic component according to the present invention. 図２は、ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a circuit structure for improving the electrical conductivity of DIP components. 図３は、ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の別の実施例の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of another embodiment of a circuit structure for improving the electrical conductivity of DIP components. 図４は、本考案における電子部品を挿設する前のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の電子部品挿設前の別の実施例の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of another embodiment of the circuit structure for improving the electrical conductivity of the DIP component before inserting the electronic component in the present invention, before inserting the electronic component. 図５は、本考案におけるＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の別の実施例の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of another embodiment of a circuit structure for improving the electrical conductivity of DIP components in accordance with the present invention. 図６は、本考案におけるＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造の別の実施例の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of another embodiment of a circuit structure for improving the electrical conductivity of DIP components in accordance with the present invention.

本考案における電子部品２を挿設する前のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造１の斜視図及び断面図である図１Ａ及び図１Ｂを参照する。本考案におけるＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造１は、絶縁プレート１０、金属本体１１及び電子部品２を含む。前記絶縁プレート１０は、対向する第１の面１０ａ及び第２の面１０ｂを有し、少なくとも前記第１の面１０ａに第１回路１０１が形成されている。前記第１回路１０１の上面１０１Ａには少なくとも１つの第１開口１０１０が開設されており、前記第１開口１０１０が下向きに少なくとも前記第２の面１０ｂまで連通することで、少なくとも１つのスルーホールが形成されて、これにより、少なくとも１つの電気めっきスルーホール１０１１が構成される。前記金属本体１１は、対向する第３の面１１Ａ及び第４の面１１Ｂを有する。前記第４の面１１Ｂは前記第１の面１０ａに接続される。また、前記第３の面１１Ａは、前記電気めっきスルーホール１０１１に対応して連通する少なくとも１つの金属本体スルーホール１１０を有する。特に、電子部品２が有する少なくとも１つのピン２１は、前記金属本体スルーホール１１０における前記第３の面に対応する端から挿入されて、前記電気めっきスルーホール１０１１に電気的に接続される。且つ、前記金属本体スルーホール１１０の壁面の面積は、前記電気めっきスルーホール１０１１の第１回路部分の壁面の面積よりも大きい。 Please refer to FIGS. 1A and 1B, which are a perspective view and a cross-sectional view of a circuit structure 1 for improving the conductivity of a DIP component before inserting an electronic component 2 according to the present invention. A circuit structure 1 for improving the conductivity of DIP components in the present invention includes an insulating plate 10 , a metal body 11 and an electronic component 2 . The insulating plate 10 has a first surface 10a and a second surface 10b facing each other, and a first circuit 101 is formed on at least the first surface 10a. At least one first opening 1010 is formed in the upper surface 101A of the first circuit 101, and the first opening 1010 communicates downward to at least the second surface 10b, thereby forming at least one through hole. formed, thereby forming at least one electroplated through hole 1011 . The metal body 11 has opposing third and fourth surfaces 11A and 11B. The fourth surface 11B is connected to the first surface 10a. Also, the third surface 11A has at least one metal body through hole 110 communicating with the electroplating through hole 1011 correspondingly. In particular, at least one pin 21 of the electronic component 2 is inserted from the end corresponding to the third surface of the metal body through-hole 110 and electrically connected to the electroplating through-hole 1011 . Moreover, the wall surface area of the metal body through-hole 110 is larger than the wall surface area of the first circuit portion of the electroplating through-hole 1011 .

通常、前記電気めっきスルーホール１０１１と前記金属本体スルーホール１１０の水平方向の断面の輪郭は完全に同じである。そのため、前記金属本体スルーホール１１０の高さｈ１は、前記電気めっきスルーホール１０１１の第１回路部分の高さｈ２の８．５倍よりも大きくすればよい。実行可能な実施例において、前記金属本体１１は、表面実装技術（ＳＭＴ，ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）により、前記第１回路１０１の上面１０１Ａに固定的に接続される。よって、本考案では、従来のプロセス機器を使用して前記金属本体１１を設置可能である。 Generally, the horizontal cross-sectional profiles of the electroplating through-holes 1011 and the metal body through-holes 110 are exactly the same. Therefore, the height h1 of the metal body through hole 110 should be larger than the height h2 of the first circuit portion of the electroplating through hole 1011 by 8.5 times. In a possible embodiment, the metal body 11 is fixedly connected to the top surface 101A of the first circuit 101 by Surface Mount Technology (SMT). Therefore, according to the present invention, the metal body 11 can be installed using conventional process equipment.

ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造１を形成したい場合には、合理的に、前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１の幅を前記電子部品２におけるピン２１の最大幅以上とする。これにより、前記ピン２１を前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１に挿設しやすくなる。挿設時には、前記ピン２１を前記金属本体スルーホール１１０における前記第３の面１１Ａに対応する端から下向きに挿入し、少なくとも前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端まで到達させる。その後、ウェーブはんだ付け方式で、前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端から上方に向かって、前記ピン２１と前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１の間に溶接材料３を形成する。詳細には、液化したはんだで形成されるウェーブを前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端に接触させると、毛細管現象によって、上向きに、前記ピン２１と前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１との隙間が充填される。そして、これを冷却することで、図２に示すような構造が形成される。 If you want to form a circuit structure 1 that improves the conductivity of the DIP component, it is reasonable to make the width of the metal body through-hole 110 and the electroplating through-hole 1011 greater than or equal to the maximum width of the pin 21 in the electronic component 2. do. This facilitates insertion of the pin 21 into the metal body through hole 110 and the electroplating through hole 1011 . When inserting, the pin 21 is inserted downward from the end corresponding to the third surface 11A in the metal body through hole 110, and at least to the end corresponding to the second surface 10b in the electroplating through hole 1011. reach. Then, by wave soldering, from the end corresponding to the second surface 10b of the electroplating through-hole 1011, upwardly, between the pin 21 and the metal body through-hole 110 and the electroplating through-hole 1011. Weld material 3 is formed in Specifically, when a wave formed of liquefied solder is brought into contact with the end of the electroplating through-hole 1011 corresponding to the second surface 10b, capillary action causes the pin 21 and the metal body through-hole to move upward. The gap between the hole 110 and the electroplated through hole 1011 is filled. Then, by cooling this, a structure as shown in FIG. 2 is formed.

詳細には、前記電気めっきスルーホール１０１１は、絶縁プレート部分における前記スルーホールの壁面１０３に金属層１２が電気めっきにより形成される。これにより、絶縁プレート部分における前記スルーホールの壁面１０３にはんだが付かないために上記の毛細管現象が妨げられるとの事態が回避される。合理的に、前記電気めっきスルーホール１０１１の金属層１２、前記第１回路１０１及び前記金属本体１１の材質は銅である。また、実行可能な実施例において、図３に示すように、前記第２の面１０ｂには第２回路１０２が形成されている。前記第２回路１０２の下面１０２ｂには、前記電気めっきスルーホール１０１１と上向きに連通する第２開口１０２０が開設されている。この場合、前記第２開口１０２０及び元の電気めっきスルーホール１０１１が電気めっきスルーホール１０１１として規定される。また、前記ピン２１は、少なくとも前記電気めっきスルーホール１０１１における前記下面１０２ｂに対応する端まで到達する。 Specifically, the electroplating through-hole 1011 is formed by electroplating the metal layer 12 on the wall surface 103 of the through-hole in the insulating plate portion. This avoids the situation where the wall surface 103 of the through hole in the insulating plate portion is not soldered and thus the above-mentioned capillary action is hindered. Reasonably, the material of the metal layer 12 of the electroplating through hole 1011, the first circuit 101 and the metal body 11 is copper. Also, in a possible embodiment, a second circuit 102 is formed on the second surface 10b, as shown in FIG. A second opening 1020 communicating upward with the electroplating through hole 1011 is formed in the lower surface 102b of the second circuit 102 . In this case, the second opening 1020 and the original electroplated through-hole 1011 are defined as the electroplated through-hole 1011 . Also, the pin 21 reaches at least the end of the electroplating through hole 1011 corresponding to the lower surface 102b.

本考案は、別のＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造１を提供する。前記回路構造１は、絶縁プレート１０、金属本体１１及び電子部品２を含む。図４に示すように、前記絶縁プレート１０は、対向する第１の面１０ａ及び第２の面１０ｂを有する。前記第１の面１０ａには少なくとも１つの第１開口１０１０が開設されており、前記第１開口１０１０が下向きに少なくとも前記第２の面１０ｂまで連通することで、少なくとも１つのスルーホールが形成されて、これにより、少なくとも１つの電気めっきスルーホール１０１１が構成される。前記金属本体１１は、対向する第３の面１１Ａ及び第４の面１１Ｂを有する。前記第４の面１１Ｂは前記第１の面１０ａに接続される。また、前記第３の面１１Ａは、前記電気めっきスルーホール１０１１に対応して連通する少なくとも１つの金属本体スルーホール１１０を有する。特に、前記電子部品２が有する少なくとも１つのピン２１は、前記金属本体スルーホール１１０における前記第３の面に対応する端から挿入されて、前記電気めっきスルーホール１０１１に電気的に接続される。且つ、前記金属本体スルーホール１１０の高さｈ３は、０．３ｍｍ～０．６ｍｍの間である。これに対し、一般的な回路の金属層の厚さは約０．０３５ｍｍである。 The present invention provides a circuit structure 1 that improves the electrical conductivity of another DIP component. The circuit structure 1 includes an insulating plate 10 , a metal body 11 and an electronic component 2 . As shown in FIG. 4, the insulating plate 10 has opposing first and second surfaces 10a and 10b. At least one first opening 1010 is formed in the first surface 10a, and at least one through hole is formed by communicating the first opening 1010 downward to at least the second surface 10b. , thereby forming at least one electroplated through hole 1011 . The metal body 11 has opposing third and fourth surfaces 11A and 11B. The fourth surface 11B is connected to the first surface 10a. Also, the third surface 11A has at least one metal body through hole 110 communicating with the electroplating through hole 1011 correspondingly. In particular, at least one pin 21 of the electronic component 2 is inserted from the end corresponding to the third surface of the metal body through-hole 110 and electrically connected to the electroplating through-hole 1011 . Moreover, the height h3 of the metal body through-hole 110 is between 0.3 mm and 0.6 mm. In comparison, the metal layer thickness of a typical circuit is about 0.035 mm.

実行可能な実施例において、前記金属本体１１は、表面実装技術で前記第１の面１０ａに固定的に接続される。よって、本考案では、従来のプロセス機器を使用して前記金属本体１１を設置可能である。合理的に、前記金属本体１１は、前記絶縁プレート１０におけるその他の少なくとも一部の回路に電気的に接続される。 In a possible embodiment, the metal body 11 is fixedly connected to the first surface 10a with surface mount technology. Therefore, according to the present invention, the metal body 11 can be installed using conventional process equipment. Reasonably, the metal body 11 is electrically connected to at least some other circuits in the insulating plate 10 .

ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造１を形成したい場合には、前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１の幅を前記電子部品２におけるピン２１の最大幅以上とする。これにより、前記ピン２１を前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１に挿設しやすくなる。挿設時には、前記ピン２１を前記金属本体スルーホール１１０における前記第３の面１１Ａに対応する端から下向きに挿入し、少なくとも前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端まで到達させる。その後、ウェーブはんだ付け方式で、前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端から上方に向かって、前記ピン２１と前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１の間に溶接材料３を形成する。詳細には、液化したはんだで形成されるウェーブを前記電気めっきスルーホール１０１１における前記第２の面１０ｂに対応する端に接触させると、毛細管現象によって、上向きに、前記ピン２１と前記金属本体スルーホール１１０及び前記電気めっきスルーホール１０１１との隙間が充填される。そして、これを冷却することで、図５に示すような構造が形成される。 The width of the metal body through holes 110 and the electroplating through holes 1011 is greater than or equal to the maximum width of the pins 21 in the electronic component 2 when it is desired to form a circuit structure 1 that improves the conductivity of the DIP component. This facilitates insertion of the pin 21 into the metal body through hole 110 and the electroplating through hole 1011 . When inserting, the pin 21 is inserted downward from the end corresponding to the third surface 11A in the metal body through hole 110, and at least to the end corresponding to the second surface 10b in the electroplating through hole 1011. reach. Then, by wave soldering, from the end corresponding to the second surface 10b of the electroplating through-hole 1011, upwardly, between the pin 21 and the metal body through-hole 110 and the electroplating through-hole 1011. Weld material 3 is formed in Specifically, when a wave formed of liquefied solder is brought into contact with the end of the electroplating through-hole 1011 corresponding to the second surface 10b, capillary action causes the pin 21 and the metal body through-hole to move upward. The gap between the hole 110 and the electroplated through hole 1011 is filled. Then, by cooling this, a structure as shown in FIG. 5 is formed.

詳細には、図６に示すように、前記電気めっきスルーホール１０１１は、絶縁プレート部分における前記スルーホールの壁面１０３に金属層１２が電気めっきにより形成される。これにより、絶縁プレート部分における前記スルーホールの壁面１０３にはんだが付かないために上記の毛細管現象が妨げられるとの事態が回避される。合理的に、前記電気めっきスルーホール１０１１の金属層１２、前記第１回路１０１及び前記金属本体１１の材質は銅である。実行可能な実施例において、図６に示すように、前記第２の面１０ｂには第２回路１０２が形成されている。前記第２回路１０２の下面１０２ｂには、前記電気めっきスルーホール１０１１と上向きに連通する第２開口１０２０が開設されている。この場合、前記第２開口１０２０及び元の電気めっきスルーホール１０１１が電気めっきスルーホール１０１１として規定される。また、前記ピン２１は、少なくとも前記電気めっきスルーホール１０１１における前記下面１０２ｂに対応する端まで到達する。合理的に、前記第２回路１０２の材質は銅である。 Specifically, as shown in FIG. 6, the electroplating through-hole 1011 is formed by electroplating a metal layer 12 on the wall surface 103 of the through-hole in the insulating plate portion. This avoids the situation where the wall surface 103 of the through hole in the insulating plate portion is not soldered and thus the above-mentioned capillary action is hindered. Reasonably, the material of the metal layer 12 of the electroplating through hole 1011, the first circuit 101 and the metal body 11 is copper. In a possible embodiment, a second circuit 102 is formed on the second surface 10b, as shown in FIG. A second opening 1020 communicating upward with the electroplating through hole 1011 is formed in the lower surface 102b of the second circuit 102 . In this case, the second opening 1020 and the original electroplated through-hole 1011 are defined as the electroplated through-hole 1011 . Also, the pin 21 reaches at least the end of the electroplating through hole 1011 corresponding to the lower surface 102b. Reasonably, the material of the second circuit 102 is copper.

上記の金属本体と、前記電気めっきスルーホールに対応して連通する金属本体スルーホール（壁面の面積が前記電気めっきスルーホールの第１回路部分の壁面の面積よりも大きい。或いは、金属本体スルーホールの高さは０．３ｍｍ～０．６ｍｍの間である）を利用することで、本考案は、回路構造によってＤＩＰコンポーネントと回路との導電性を改良可能である。且つ、従来技術では、ＤＩＰコンポーネントと回路との導電性を改良したいとき、回路を広げるしかない場合にはプリント基板の集積度が低下するとの課題や、多層板を使用する場合には回路に干渉が生じるとの課題、電源部の回路の厚さを増大させる場合にはプロセスが複雑になるとの課題等が回避される。 The metal body and the metal body through-hole communicating with the electroplating through-hole (the wall surface area is larger than the wall surface area of the first circuit portion of the electroplating through-hole. Alternatively, the metal body through-hole height is between 0.3 mm and 0.6 mm), the present invention can improve the electrical conductivity between the DIP component and the circuit through the circuit structure. In addition, in the prior art, when it is desired to improve the conductivity between the DIP component and the circuit, there is a problem that the degree of integration of the printed circuit board is lowered if the circuit has to be widened. Problems such as the problem of the occurrence of .gamma.

以上は本考案の好ましい実施例にすぎず、本考案の実施範囲を限定するものではない。本考案の実用新案登録請求の範囲に記載する形状、構造、特徴及び精神に基づき実施される等価の変形又は補足は、いずれも本考案の実用新案登録請求の範囲に属する。 The above are only preferred embodiments of the present invention, and are not intended to limit the implementation scope of the present invention. Equivalent modifications or supplements implemented based on the shape, structure, features and spirits described in the utility model claims of the present invention shall fall within the scope of the utility model claims of the present invention.

１ＤＩＰコンポーネントの導電性を改良する回路構造
１０絶縁プレート
１０ａ第１の面
１０ｂ第２の面
１０１０第１開口
１０１第１回路
１０１Ａ上面
１０１１電気めっきスルーホール
１０２第２回路
１０２ｂ下面
１０２０第２開口
１０３壁面
１１金属本体
１１Ａ第３の面
１１Ｂ第４の面
１１０金属本体スルーホール
１２金属層
２電子部品
２１ピン
３溶接材料
ｈ１、ｈ２、ｈ３高さ 1 circuit structure for improving conductivity of DIP components 10 insulating plate 10a first surface 10b second surface 1010 first opening 101 first circuit 101A top surface 1011 electroplated through hole 102 second circuit 102b bottom surface 1020 second opening 103 Wall surface 11 Metal body 11A Third surface 11B Fourth surface 110 Metal body through hole 12 Metal layer 2 Electronic component 21 Pin 3 Welding material h1, h2, h3 Height

Claims

A circuit structure for improving the electrical conductivity of a DIP component, comprising:
having a first surface and a second surface facing each other, wherein a first circuit is formed on at least the first surface, and at least one first opening is formed in an upper surface of the first circuit; an insulating plate in which at least one through-hole is formed by the first opening communicating downwardly to at least the second surface, thereby forming at least one electroplating through-hole;
at least one metal body through-hole having opposing third and fourth surfaces, connected to said first surface, said third surface correspondingly communicating with said electroplated through-hole; a metal body having
an electronic component having at least one pin, the pin being inserted from an end corresponding to the third surface of the metal body through-hole and electrically connected to the electroplating through-hole;
A circuit structure, wherein the wall surface area of the metal body through-hole is larger than the wall surface area of the first circuit portion of the electroplating through-hole.

2. The circuit structure for improving electrical conductivity of a DIP component as claimed in claim 1, wherein the height of said metal body through-hole is greater than 8.5 times the height of the first circuit portion of said electroplated through-hole.

2. The circuit structure for improving conductivity of a DIP component as claimed in claim 1, wherein widths of said metal body through-holes and said electroplated through-holes are greater than or equal to the maximum width of said pins.

2. The circuit structure for improving electrical conductivity of a DIP component as claimed in claim 1, wherein said pin extends at least to an end corresponding to said second surface in said electroplated through hole.

5. The welding material of claim 4 is formed between the pin and the metal body through-hole and the electroplated through-hole from the end corresponding to the second surface of the electroplated through-hole by wave soldering. A circuit structure that improves the electrical conductivity of the DIP component of.

2. The circuit structure for improving conductivity of a DIP component as claimed in claim 1, wherein the material of the metal layer of the electroplated through hole, the first circuit and the metal body is copper.

A circuit structure for improving the electrical conductivity of a DIP component, comprising:
It has a first surface and a second surface facing each other, and at least one first opening is formed in the first surface, and the first opening communicates downward to at least the second surface. an insulating plate in which at least one through hole is formed thereby defining at least one electroplated through hole;
at least one metal body through-hole having opposing third and fourth surfaces, connected to said first surface, said third surface correspondingly communicating with said electroplated through-hole; a metal body having
an electronic component having at least one pin, the pin being inserted from an end corresponding to the third surface of the metal body through-hole and electrically connected to the electroplating through-hole;
The circuit structure, wherein the height of said metal body through-hole is between 0.3 mm and 0.6 mm.

8. The circuit structure for improving conductivity of a DIP component as claimed in claim 7, wherein widths of said metal body through-holes and said electroplated through-holes are greater than or equal to the maximum width of said pins.

8. The circuit structure for improving electrical conductivity of a DIP component as claimed in claim 7, wherein said pin extends at least to an end corresponding to said second surface in said electroplated through hole.

10. The welding material of claim 9, wherein the welding material is formed between the pin and the metal body through-hole and the electroplated through-hole from the end corresponding to the second surface of the electroplated through-hole by wave soldering. A circuit structure that improves the electrical conductivity of the DIP component of.

8. The circuit structure for improving electrical conductivity of a DIP component as claimed in claim 7, wherein the material of said metal layer of said electroplated through-hole and said metal body is copper.

8. The circuit structure for improving electrical conductivity of a DIP component as claimed in claim 7, wherein said metal body is fixedly connected to said first surface by surface mount technology.