JP3239654B2 - 円偏波マイクロストリップアンテナ - Google Patents
円偏波マイクロストリップアンテナInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は円偏波を発生するマイ
クロストリップアンテナに関するものである。
クロストリップアンテナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来例として例えば電子情報通
信学会論文誌Ｖｏｌ．Ｊ６４−Ｂ Ｎｏ．７（６１２−
６１８）に示された従来の基本モード（ＴＭ11）励振円
偏波マイクロストリップアンテナを示す構成図であり、
（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図にお
いて、１は地導体、２は誘電体基板、３は放射導体であ
り、これらからマイクロストリップアンテナ４が構成さ
れる。また、５はマイクロストリップアンテナを給電す
るための同軸ピン、６は同軸コネクタであり、これを通
してマイクロストリップアンテナが励振される。７は放
射導体の直交したモードの縮退を解くために設けた縮退
分離セグメントである。
信学会論文誌Ｖｏｌ．Ｊ６４−Ｂ Ｎｏ．７（６１２−
６１８）に示された従来の基本モード（ＴＭ11）励振円
偏波マイクロストリップアンテナを示す構成図であり、
（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図にお
いて、１は地導体、２は誘電体基板、３は放射導体であ
り、これらからマイクロストリップアンテナ４が構成さ
れる。また、５はマイクロストリップアンテナを給電す
るための同軸ピン、６は同軸コネクタであり、これを通
してマイクロストリップアンテナが励振される。７は放
射導体の直交したモードの縮退を解くために設けた縮退
分離セグメントである。
【０００３】次に動作について説明する。図１１、１２
は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの動作原理
を説明する図である。図１１（ａ）は縮退分離セグメン
トを付けた場合のモード関数、図１１（ｂ）はその等価
回路を示す図である。一般に円偏波を励振するためには
直交した２つの給電点に９０度の位相差で励振する必要
がある。このため、Ｔ分岐回路あるいはハイブリッド回
路が必要になり、給電回路が複雑になる。そこで１点給
電でも放射導体に直交したモードの縮退を解くための縮
退分離セグメントを設けることで、簡単な円偏波を励振
することができる。この動作原理を以下に説明する。給
電点に対して斜め４５度方向に縮退分離セグメントを設
けると２つの直交したモードの縮退が解かれ、共振周波
数の異なる２つのモードФａ、Фｂに分けて考えること
ができる。マイクロストリップアンテナはその共振周波
数付近においてはインダクタンスＬ、キャパシタンス
Ｃ、コンダクタンスＧの並列共振回路で表わすことがで
きる。２つのモードが存在するため、それぞれＬａ、Ｃ
ａ、ＧａとＬｂ、Ｃｂ、Ｇｂの並列共振回路で表わすこ
とにする。また、給電点のインダクタンスをＬｐで表わ
す。図１２は２つの並列共振回路の振幅、位相の共振特
性を示している。Фａの共振周波数をｆａ、Фｂの共振
周波数をｆｂとする。図より２つのモードの振幅が等し
く、且つ位相差が９０度となる周波数をｆ’にて円偏波
が励振されることがわかる。この円偏波励振周波数での
位相は０度である。
は従来の円偏波マイクロストリップアンテナの動作原理
を説明する図である。図１１（ａ）は縮退分離セグメン
トを付けた場合のモード関数、図１１（ｂ）はその等価
回路を示す図である。一般に円偏波を励振するためには
直交した２つの給電点に９０度の位相差で励振する必要
がある。このため、Ｔ分岐回路あるいはハイブリッド回
路が必要になり、給電回路が複雑になる。そこで１点給
電でも放射導体に直交したモードの縮退を解くための縮
退分離セグメントを設けることで、簡単な円偏波を励振
することができる。この動作原理を以下に説明する。給
電点に対して斜め４５度方向に縮退分離セグメントを設
けると２つの直交したモードの縮退が解かれ、共振周波
数の異なる２つのモードФａ、Фｂに分けて考えること
ができる。マイクロストリップアンテナはその共振周波
数付近においてはインダクタンスＬ、キャパシタンス
Ｃ、コンダクタンスＧの並列共振回路で表わすことがで
きる。２つのモードが存在するため、それぞれＬａ、Ｃ
ａ、ＧａとＬｂ、Ｃｂ、Ｇｂの並列共振回路で表わすこ
とにする。また、給電点のインダクタンスをＬｐで表わ
す。図１２は２つの並列共振回路の振幅、位相の共振特
性を示している。Фａの共振周波数をｆａ、Фｂの共振
周波数をｆｂとする。図より２つのモードの振幅が等し
く、且つ位相差が９０度となる周波数をｆ’にて円偏波
が励振されることがわかる。この円偏波励振周波数での
位相は０度である。
【０００４】図１３は従来例として例えばＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ．Ａｎｔｅｎｎａ＆Ｐｒｏｐａｇａｔ．，Ｖｏ
ｌ．ＡＰ−３２，Ｎｏ．９，９９１−９９４，１９８４
に示された従来の高次モードＴＭｎｍモード（ｎ＝２，
３，．．．．）励振円偏波マイクロストリップアンテナ
の概略構成図あるいは動作原理を説明する図である。図
において１７はＴＭ21モード励振マイクロストリップア
ンテナ、１８はブランチライン形ハイブリッド回路、１
９は反射波を吸収するチップ抵抗である。高次モードＴ
Ｍｎｍモードで円偏波のコニカルビームを励振するため
には、９０／２ｎ（ｎ＝２，３，．．．．）度離れた２
点に９０度の位相差で励振する必要がある。図１３
（ａ）はハイブリッド給電回路を用いた例である。図１
３（ｂ）に２つの給電点から給電した場合の電流分布を
示す。正面方向では全ての成分は打ち消すが、広角にお
いてはそれぞれ２つの給電点に対応して放射電界の垂直
成分と水平成分が発生し、且つ２つの給電点に９０度の
位相差をつけることで図１３（ｃ）に示すようなコニカ
ルビームをもつ円偏波が励振される。
ｒａｎｓ．Ａｎｔｅｎｎａ＆Ｐｒｏｐａｇａｔ．，Ｖｏ
ｌ．ＡＰ−３２，Ｎｏ．９，９９１−９９４，１９８４
に示された従来の高次モードＴＭｎｍモード（ｎ＝２，
３，．．．．）励振円偏波マイクロストリップアンテナ
の概略構成図あるいは動作原理を説明する図である。図
において１７はＴＭ21モード励振マイクロストリップア
ンテナ、１８はブランチライン形ハイブリッド回路、１
９は反射波を吸収するチップ抵抗である。高次モードＴ
Ｍｎｍモードで円偏波のコニカルビームを励振するため
には、９０／２ｎ（ｎ＝２，３，．．．．）度離れた２
点に９０度の位相差で励振する必要がある。図１３
（ａ）はハイブリッド給電回路を用いた例である。図１
３（ｂ）に２つの給電点から給電した場合の電流分布を
示す。正面方向では全ての成分は打ち消すが、広角にお
いてはそれぞれ２つの給電点に対応して放射電界の垂直
成分と水平成分が発生し、且つ２つの給電点に９０度の
位相差をつけることで図１３（ｃ）に示すようなコニカ
ルビームをもつ円偏波が励振される。
【０００５】図１４は従来例として電子情報通信学会技
術報告Ａ．Ｐ８３−５７，４９−５４，１９８３に示さ
れた従来のシーケンシャルアレーを示す概略構成図とそ
の動作原理を説明する図である。完全な円偏波を励振す
ることは難しく、一般に楕円偏波となる。特に１点給電
の場合円偏波が励振される周波数帯域が狭い。そこで、
軸比のよい円偏波を得るために同一平面にて２つのマイ
クロストリップアンテナを共に円偏波励振とし、第２の
マイクロストリップアンテナを第１のマイクロストリッ
プアンテナに対し９０度回転させ、且つ位相も９０度変
える。このシーケンシャルアレーにより２つの楕円偏波
の長軸が９０度の傾きで合成されるため、軸比のよい円
偏波が励振される。
術報告Ａ．Ｐ８３−５７，４９−５４，１９８３に示さ
れた従来のシーケンシャルアレーを示す概略構成図とそ
の動作原理を説明する図である。完全な円偏波を励振す
ることは難しく、一般に楕円偏波となる。特に１点給電
の場合円偏波が励振される周波数帯域が狭い。そこで、
軸比のよい円偏波を得るために同一平面にて２つのマイ
クロストリップアンテナを共に円偏波励振とし、第２の
マイクロストリップアンテナを第１のマイクロストリッ
プアンテナに対し９０度回転させ、且つ位相も９０度変
える。このシーケンシャルアレーにより２つの楕円偏波
の長軸が９０度の傾きで合成されるため、軸比のよい円
偏波が励振される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように縮退分離セ
グメントを設けることで１点給電でも円偏波を励振でき
るが、以下のような問題点がある。マイクロストリップ
アンテナの給電には給電ピンを用いる方法、マイクロス
トリップ線路で直接給電する方法、あるいはスロットで
電磁結合させる方法などがあるが、それぞれ給電方法で
入力インピーダンスが異なる。給電方法に応じて給電点
でのリアクタンス及びサセプタンスがあるため、これら
を含んで整合がとれる周波数が決まる。一方、円偏波が
励振される周波数は基本的に給電方法には依存せず、マ
イクロストリップアンテナと縮退分離セグメントの関係
で決まる。従って、円偏波が励振される周波数と入力イ
ンピーダンスの整合のとれた周波数が異なるという問題
点がある。例えば同軸ピンで給電した場合、入力インピ
ーダンスはピンのインダクタンスＬｐを含むため、２つ
の直交したモードの縮退を解くことで円偏波が励振され
る周波数と異なる周波数で整合がとれることになる。す
なわち、入力インピーダンスの整合のとれた周波数にお
いて軸比が悪いという問題点があった。
グメントを設けることで１点給電でも円偏波を励振でき
るが、以下のような問題点がある。マイクロストリップ
アンテナの給電には給電ピンを用いる方法、マイクロス
トリップ線路で直接給電する方法、あるいはスロットで
電磁結合させる方法などがあるが、それぞれ給電方法で
入力インピーダンスが異なる。給電方法に応じて給電点
でのリアクタンス及びサセプタンスがあるため、これら
を含んで整合がとれる周波数が決まる。一方、円偏波が
励振される周波数は基本的に給電方法には依存せず、マ
イクロストリップアンテナと縮退分離セグメントの関係
で決まる。従って、円偏波が励振される周波数と入力イ
ンピーダンスの整合のとれた周波数が異なるという問題
点がある。例えば同軸ピンで給電した場合、入力インピ
ーダンスはピンのインダクタンスＬｐを含むため、２つ
の直交したモードの縮退を解くことで円偏波が励振され
る周波数と異なる周波数で整合がとれることになる。す
なわち、入力インピーダンスの整合のとれた周波数にお
いて軸比が悪いという問題点があった。
【０００７】また、放射導体に直交したモードの縮退を
解くための縮退分離セグメントを設ける際、その縮退分
離セグメントの形状を凸部とするとアンテナ寸法が大き
くなり、アレー化する際、素子間隔が制限されるという
問題点があった。また、凹部を設けた場合でも、設計周
波数で軸比が良くなるように何度も放射導体と凹部の寸
法を変えて試行錯誤を繰り返す必要があり、設計が難し
いという問題点があった。
解くための縮退分離セグメントを設ける際、その縮退分
離セグメントの形状を凸部とするとアンテナ寸法が大き
くなり、アレー化する際、素子間隔が制限されるという
問題点があった。また、凹部を設けた場合でも、設計周
波数で軸比が良くなるように何度も放射導体と凹部の寸
法を変えて試行錯誤を繰り返す必要があり、設計が難し
いという問題点があった。
【０００８】更に、高次モードＴＭｎｍモード（ｎ＝
２，３，．．．，ｍ＝１）励振マイクロストリップアン
テナにおいて円偏波を励振する場合、２つの給電点に９
０度の位相差をつけるためにＴ分岐給電あるいはハイブ
リッド給電回路が必要になり、アンテナ全体の寸法が大
きくなるという問題点があった。
２，３，．．．，ｍ＝１）励振マイクロストリップアン
テナにおいて円偏波を励振する場合、２つの給電点に９
０度の位相差をつけるためにＴ分岐給電あるいはハイブ
リッド給電回路が必要になり、アンテナ全体の寸法が大
きくなるという問題点があった。
【０００９】また、軸比を良くするために同一平面にて
複数個のマイクロストリップアンテナを回転させるシー
ケンシャルアレーの場合、最低２つ以上のマイクロスト
リップアンテナが必要であり、小型化が難しいという問
題点があった。
複数個のマイクロストリップアンテナを回転させるシー
ケンシャルアレーの場合、最低２つ以上のマイクロスト
リップアンテナが必要であり、小型化が難しいという問
題点があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の問題点
を解決するために、この発明の実施例１〜４ではＴＭｎ
ｍモード（ｎ＝１，２，３，．．．）で励振した円偏波
マイクロストリップアンテナにおいて、放射導体に直交
したモードの縮退を解くための縮退分離セグメントの位
置を給電点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２
ｎ）度（ｋ＝０，１，２，３，．．．．）からずらして
構成したものである。
を解決するために、この発明の実施例１〜４ではＴＭｎ
ｍモード（ｎ＝１，２，３，．．．）で励振した円偏波
マイクロストリップアンテナにおいて、放射導体に直交
したモードの縮退を解くための縮退分離セグメントの位
置を給電点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２
ｎ）度（ｋ＝０，１，２，３，．．．．）からずらして
構成したものである。
【００１１】この発明の実施例１では同軸で地板の背面
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．）で励振した円偏波マイクロストリップアン
テナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解く
ための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して（９
０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，２，
３，．．．．）から１度以上ずらして構成したものであ
る。
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．）で励振した円偏波マイクロストリップアン
テナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解く
ための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して（９
０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，２，
３，．．．．）から１度以上ずらして構成したものであ
る。
【００１２】この発明の実施例５では放射導体に直交し
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、縮退分
離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２点
Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの線
が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメント
を構成したものである。
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、縮退分
離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２点
Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの線
が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメント
を構成したものである。
【００１３】この発明の実施例６では高次モードＴＭｎ
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けたものである。
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けたものである。
【００１４】この発明の実施例７では第１の放射導体と
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．）度回転させ、位相も１８
０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．）度変えたものであ
る。
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．）度回転させ、位相も１８
０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．）度変えたものであ
る。
【００１５】
【作用】この発明の実施例１〜４ではＴＭｎｍモード
（ｎ＝１，２，３，．．．）で励振した円偏波マイクロ
ストリップアンテナにおいて、放射導体に直交したモー
ドの縮退を解くための縮退分離セグメントの位置を給電
点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ
＝０，１，２，３，．．．．）からずらして構成するこ
とで給電点で発生したリアクタンス及びサセプタンス成
分を打ち消して円偏波を励振することができる。
（ｎ＝１，２，３，．．．）で励振した円偏波マイクロ
ストリップアンテナにおいて、放射導体に直交したモー
ドの縮退を解くための縮退分離セグメントの位置を給電
点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ
＝０，１，２，３，．．．．）からずらして構成するこ
とで給電点で発生したリアクタンス及びサセプタンス成
分を打ち消して円偏波を励振することができる。
【００１６】この発明の実施例１では同軸で地板の背面
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．）で励振した円偏波マイクロストリップアン
テナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解く
ための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して（９
０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，２，
３，．．．．）から１度以上ずらして構成することで給
電ピンのインダクタンス成分を打ち消して円偏波を励振
することができる。
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．）で励振した円偏波マイクロストリップアン
テナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解く
ための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して（９
０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，２，
３，．．．．）から１度以上ずらして構成することで給
電ピンのインダクタンス成分を打ち消して円偏波を励振
することができる。
【００１７】この発明の実施例５では放射導体に直交し
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮
退分離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２
点Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの
線が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメン
トを構成し、線分Ｃ−ＡとＣ−Ｂのなす鋭角をαとし、
このαを変えることで設計周波数である軸比が最小とな
る周波数を調整することができる。
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮
退分離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２
点Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの
線が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメン
トを構成し、線分Ｃ−ＡとＣ−Ｂのなす鋭角をαとし、
このαを変えることで設計周波数である軸比が最小とな
る周波数を調整することができる。
【００１８】この発明の実施例６では高次モードＴＭｎ
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けることで簡単な構造で円偏波が励振できる。
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けることで簡単な構造で円偏波が励振できる。
【００１９】この発明の実施例７では第１の放射導体と
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度回転させ、位相も１
８０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度変えることで
１素子でも軸比のよい円偏波が励振できる。
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度回転させ、位相も１
８０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度変えることで
１素子でも軸比のよい円偏波が励振できる。
【００２０】
実施例１．図１はこの発明の実施例１を示す概略構成図
である。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ
断面図である。図において１は地導体板、２は誘電体基
板、３は放射導体でありこれらでマイクロストリップア
ンテナ４を構成している。６は同軸コネクタであり、５
はその内導体の給電ピンである。７は放射導体３の直交
したモードの縮退を解くために設けた縮退分離セグメン
トである。
である。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ
断面図である。図において１は地導体板、２は誘電体基
板、３は放射導体でありこれらでマイクロストリップア
ンテナ４を構成している。６は同軸コネクタであり、５
はその内導体の給電ピンである。７は放射導体３の直交
したモードの縮退を解くために設けた縮退分離セグメン
トである。
【００２１】次に動作原理について説明する。マイクロ
ストリップアンテナには種々の給電方法がある。その給
電方法に応じて給電点でのリアクタンス及びサセプタン
スがあるため、このリアクタンス及びサセプタンスを含
んで整合がとれることになる。一方、円偏波が励振され
る周波数は給電方法には基本的に依存せず、マイクロス
トリップアンテナと縮退分離セグメントの関係で決ま
る。そこで、給電点で発生するリアクタンス及びサセプ
タンスを打ち消すように円偏波励振時の位相を調整すれ
ば、円偏波が励振される周波数と入力インピーダンスの
整合のとれる周波数を一致させることができる。図２は
縮退分離セグメントを付けた場合の２つのモード関数の
共振特性を示す図である。給電点に対して斜め４５度方
向に縮退分離セグメントを設けると２つの直交したモー
ドの縮退を解かれ、共振周波数の異なる２つのモードФ
ａ、Фｂに分けて考えることができる。縮退分離セグメ
ントを付けた場合のモード関数とその等価回路について
は図１１と同じである。それぞれＬａ，Ｃａ，ＧａとＬ
ｂ，Ｃｂ，Ｇｂの並列共振回路で表わすことができる。
給電点のインダクタンスをＬｐで表わす。給電点に対し
て縮退分離セグメントの位置を斜め４５度からずらすと
２つのモードФａ、Фｂの大きさが変化する。図２
（ａ）はβ＞４５度の場合、図２（ｂ）はβ＜４５度の
場合の共振特性の振幅、位相を示している。β＞４５度
の場合、Фａの振幅の方がФｂよりも大きくなり、Фａ
とФｂの振幅が等しく、且つ位相差が９０度となる周波
数ｆ’で円偏波が励振される。このとき、周波数ｆ’で
のФａとФｂを合成した位相は容量性（Ｃａｐａｃｉｔ
ｉｖｅｌｙ）を示している。逆に、β＜４５度の場合、
Фｂの振幅の方がФａよりも大きくなり、ФａとФｂの
振幅が等しく、且つ位相差が９０度となる周波数ｆ’で
円偏波が励振され、このとき、周波数ｆ’でのФａとФ
ｂを合成した位相は誘導性（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｔｙ）
を示している。すなわち、給電点と縮退分離セグメント
の位置関係を変えることで、円偏波発生周波数での位相
を変化させることができ、給電点で発生するリアクタン
ス及びサセプタンス成分を打ち消すことが可能となる。
ストリップアンテナには種々の給電方法がある。その給
電方法に応じて給電点でのリアクタンス及びサセプタン
スがあるため、このリアクタンス及びサセプタンスを含
んで整合がとれることになる。一方、円偏波が励振され
る周波数は給電方法には基本的に依存せず、マイクロス
トリップアンテナと縮退分離セグメントの関係で決ま
る。そこで、給電点で発生するリアクタンス及びサセプ
タンスを打ち消すように円偏波励振時の位相を調整すれ
ば、円偏波が励振される周波数と入力インピーダンスの
整合のとれる周波数を一致させることができる。図２は
縮退分離セグメントを付けた場合の２つのモード関数の
共振特性を示す図である。給電点に対して斜め４５度方
向に縮退分離セグメントを設けると２つの直交したモー
ドの縮退を解かれ、共振周波数の異なる２つのモードФ
ａ、Фｂに分けて考えることができる。縮退分離セグメ
ントを付けた場合のモード関数とその等価回路について
は図１１と同じである。それぞれＬａ，Ｃａ，ＧａとＬ
ｂ，Ｃｂ，Ｇｂの並列共振回路で表わすことができる。
給電点のインダクタンスをＬｐで表わす。給電点に対し
て縮退分離セグメントの位置を斜め４５度からずらすと
２つのモードФａ、Фｂの大きさが変化する。図２
（ａ）はβ＞４５度の場合、図２（ｂ）はβ＜４５度の
場合の共振特性の振幅、位相を示している。β＞４５度
の場合、Фａの振幅の方がФｂよりも大きくなり、Фａ
とФｂの振幅が等しく、且つ位相差が９０度となる周波
数ｆ’で円偏波が励振される。このとき、周波数ｆ’で
のФａとФｂを合成した位相は容量性（Ｃａｐａｃｉｔ
ｉｖｅｌｙ）を示している。逆に、β＜４５度の場合、
Фｂの振幅の方がФａよりも大きくなり、ФａとФｂの
振幅が等しく、且つ位相差が９０度となる周波数ｆ’で
円偏波が励振され、このとき、周波数ｆ’でのФａとФ
ｂを合成した位相は誘導性（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｔｙ）
を示している。すなわち、給電点と縮退分離セグメント
の位置関係を変えることで、円偏波発生周波数での位相
を変化させることができ、給電点で発生するリアクタン
ス及びサセプタンス成分を打ち消すことが可能となる。
【００２２】図３は同軸ピンで給電し、βを変えた場合
の入力インピーダンスの測定値を示す。β＝４５度と５
５度の場合を示す。β＝４５度の場合は同軸ピンのイン
ダクタンス分で円偏波が発生する周波数（インピーダン
スの軌跡で小さく円弧を描いている点）で誘導性を示し
ており、この周波数では整合がとれていないことがわか
る。β＝５５度にすると容量成分が発生して同軸ピンの
インダクタンス分を打ち消し、円偏波が発生する周波数
でほぼ整合がとれていることがわかる。ここでは円形マ
イクロストリップアンテナの例を示したが、方形、楕
円、三角形など他の形状のマイクロストリップアンテナ
においても有効である。また、１素子の例を示したが、
アレーアンテナにおいても有効である。
の入力インピーダンスの測定値を示す。β＝４５度と５
５度の場合を示す。β＝４５度の場合は同軸ピンのイン
ダクタンス分で円偏波が発生する周波数（インピーダン
スの軌跡で小さく円弧を描いている点）で誘導性を示し
ており、この周波数では整合がとれていないことがわか
る。β＝５５度にすると容量成分が発生して同軸ピンの
インダクタンス分を打ち消し、円偏波が発生する周波数
でほぼ整合がとれていることがわかる。ここでは円形マ
イクロストリップアンテナの例を示したが、方形、楕
円、三角形など他の形状のマイクロストリップアンテナ
においても有効である。また、１素子の例を示したが、
アレーアンテナにおいても有効である。
【００２３】実施例２．図４はこの発明の実施例２を示
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において７は放射導体３の直交したモード
の縮退を解くための縮退分離セグメント、１１はマイク
ロストリップ線路である。マイクロストリップ線路で直
接給電した場合も図１の同軸ピンで給電した場合と同様
な原理で、マイクロストリップ線路と縮退分離セグメン
トの角度βを変えることで給電点で発生するキャパシタ
ンス分を打ち消し整合をとることができる。
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において７は放射導体３の直交したモード
の縮退を解くための縮退分離セグメント、１１はマイク
ロストリップ線路である。マイクロストリップ線路で直
接給電した場合も図１の同軸ピンで給電した場合と同様
な原理で、マイクロストリップ線路と縮退分離セグメン
トの角度βを変えることで給電点で発生するキャパシタ
ンス分を打ち消し整合をとることができる。
【００２４】実施例３．図５はこの発明の実施例３を示
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において１１はマイクロストリップ線路で
ある。この場合はマイクロストリップ線路とマイクロス
トリップアンテナを近接させ、電磁界で結合させてい
る。この結合部分でキャパシタンスが生じる。図１の同
軸ピンで給電した場合と同様な原理で、マイクロストリ
ップ線路と縮退分離セグメントの角度βを変えることで
給電点で発生するキャパシタンス分を打ち消し整合をと
ることができる。
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において１１はマイクロストリップ線路で
ある。この場合はマイクロストリップ線路とマイクロス
トリップアンテナを近接させ、電磁界で結合させてい
る。この結合部分でキャパシタンスが生じる。図１の同
軸ピンで給電した場合と同様な原理で、マイクロストリ
ップ線路と縮退分離セグメントの角度βを変えることで
給電点で発生するキャパシタンス分を打ち消し整合をと
ることができる。
【００２５】実施例４．図６はこの発明の実施例４を示
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において１１はマイクロストリップ線路、
１２は結合スロットである。この場合、マイクロストリ
ップアンテナはマイクロストリップ線路から結合用のス
ロットを介して電磁界的に結合される。この結合部分で
キャパシタンスが生じる。図１の同軸ピンで給電した場
合と同様な原理で、マイクロストリップ線路と縮退分離
セグメントの角度βを変えることで給電点を発生するキ
ャパシタンス分を打ち消し、整合をとることができる。
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。図において１１はマイクロストリップ線路、
１２は結合スロットである。この場合、マイクロストリ
ップアンテナはマイクロストリップ線路から結合用のス
ロットを介して電磁界的に結合される。この結合部分で
キャパシタンスが生じる。図１の同軸ピンで給電した場
合と同様な原理で、マイクロストリップ線路と縮退分離
セグメントの角度βを変えることで給電点を発生するキ
ャパシタンス分を打ち消し、整合をとることができる。
【００２６】実施例５．図７はこの発明の実施例５を示
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。同軸ピンで給電した場合を示している。図に
おいて縮退分離セグメントの開き角をαとする。このα
を変えることで円偏波が発生する周波数が変化する。図
７（ｃ）にαを変えた場合の軸比最小周波数の測定値を
示す。αを１０度から１８０度まで変えることで放射導
体の半径が一定でも軸比最小周波数が１．５３ＧＨｚか
ら１．５８ＧＨｚまで変化している。従ってこのαを変
えることで、半径を固定した場合でも容易に軸比最小周
波数の調整が可能となり、設計が容易になる。
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
る。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面
図である。同軸ピンで給電した場合を示している。図に
おいて縮退分離セグメントの開き角をαとする。このα
を変えることで円偏波が発生する周波数が変化する。図
７（ｃ）にαを変えた場合の軸比最小周波数の測定値を
示す。αを１０度から１８０度まで変えることで放射導
体の半径が一定でも軸比最小周波数が１．５３ＧＨｚか
ら１．５８ＧＨｚまで変化している。従ってこのαを変
えることで、半径を固定した場合でも容易に軸比最小周
波数の調整が可能となり、設計が容易になる。
【００２７】実施例６．図８はこの発明の実施例６を示
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
り、ＴＭ21モード励振の場合を示している。図８（ａ）
は上面図である。図においてβは給電ピンと縮退分離セ
グメントの角度である。次に動作原理について説明す
る。基本モード（ＴＭ11）の場合と同様に縮退分離セグ
メントを設けることで直交したモードの縮退を解くこと
ができる。そのようすを図８（ｂ）に示す。ＴＭ21モー
ドの場合、β＝２２．５度とすることで図８（ｂ）に示
すような分布となる。図１３の場合と同様に正面方向で
は全ての成分は打ち消すが、広角においてはそれぞれ２
つのモードに対応して放射電界の垂直成分と水平成分が
発生し、且つモード間に９０度の位相差がついているた
め、円偏波を発生することができる。ここではＴＭ21モ
ードの例を示したが、ＴＭ31、ＴＭ41、ＴＭ51の場合の
場合においてもこの発明は有効である。
す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成図であ
り、ＴＭ21モード励振の場合を示している。図８（ａ）
は上面図である。図においてβは給電ピンと縮退分離セ
グメントの角度である。次に動作原理について説明す
る。基本モード（ＴＭ11）の場合と同様に縮退分離セグ
メントを設けることで直交したモードの縮退を解くこと
ができる。そのようすを図８（ｂ）に示す。ＴＭ21モー
ドの場合、β＝２２．５度とすることで図８（ｂ）に示
すような分布となる。図１３の場合と同様に正面方向で
は全ての成分は打ち消すが、広角においてはそれぞれ２
つのモードに対応して放射電界の垂直成分と水平成分が
発生し、且つモード間に９０度の位相差がついているた
め、円偏波を発生することができる。ここではＴＭ21モ
ードの例を示したが、ＴＭ31、ＴＭ41、ＴＭ51の場合の
場合においてもこの発明は有効である。
【００２８】実施例７．図９（ａ）はこの発明の実施例
７を示す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成
図である。図において１３は第２の地導体板、１４は第
３の誘電体基板、１５は第２の放射導体、１６は開口部
である。次に動作原理について説明する。第１の放射導
体と第２の放射導体はそれぞれ円偏波励振されている。
完全な円偏波を得ることは難しく、一般的には楕円偏波
となる。楕円偏波をシーケンシャルアレーとすることで
完全な円偏波励振が可能になる。そこで第１の放射導体
と第２の放射導体を上下に配列し、上下でシーケンシャ
ルアレーを構成することで広帯域にわたり円偏波の軸比
が改善される。ここでは方形マイクロストリップアンテ
ナの例を示したが、円形でも良い。また、方形の開口部
の例を示したが、円形開口としても良い。さらに、１素
子の例を示したが、アレーアンテナでもこの発明は有効
である。
７を示す円偏波マイクロストリップアンテナの概略構成
図である。図において１３は第２の地導体板、１４は第
３の誘電体基板、１５は第２の放射導体、１６は開口部
である。次に動作原理について説明する。第１の放射導
体と第２の放射導体はそれぞれ円偏波励振されている。
完全な円偏波を得ることは難しく、一般的には楕円偏波
となる。楕円偏波をシーケンシャルアレーとすることで
完全な円偏波励振が可能になる。そこで第１の放射導体
と第２の放射導体を上下に配列し、上下でシーケンシャ
ルアレーを構成することで広帯域にわたり円偏波の軸比
が改善される。ここでは方形マイクロストリップアンテ
ナの例を示したが、円形でも良い。また、方形の開口部
の例を示したが、円形開口としても良い。さらに、１素
子の例を示したが、アレーアンテナでもこの発明は有効
である。
【００２９】
【発明の効果】この発明の実施例１〜４ではＴＭｎｍモ
ード（ｎ＝１，２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、放射導体に直交し
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントの位置
を給電点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）
度（ｋ＝０，１，２，３，．．．．）からずらして構成
することで給電点で発生したリアクタンス及びサセプタ
ンス成分を打ち消し、軸比の良い周波数と入力インピー
ダンスの整合のとれた周波数を一致できる効果がある。
ード（ｎ＝１，２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、放射導体に直交し
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントの位置
を給電点に対して（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）
度（ｋ＝０，１，２，３，．．．．）からずらして構成
することで給電点で発生したリアクタンス及びサセプタ
ンス成分を打ち消し、軸比の良い周波数と入力インピー
ダンスの整合のとれた周波数を一致できる効果がある。
【００３０】この発明の実施例１では同軸で地板の背面
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．．）で励振した円偏波マイクロストリップア
ンテナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解
くための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して
（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，
２，３，．．．．）から１度以上ずらして構成すること
で同軸ピンのインダクタンスを打ち消し、軸比の良い周
波数と入力インピーダンスの整合のとれた周波数を一致
できる効果がある。
から給電したＴＭｎｍモード（ｎ＝１，２，
３，．．．．）で励振した円偏波マイクロストリップア
ンテナにおいて、放射導体に直交したモードの縮退を解
くための縮退分離セグメントの位置を給電点に対して
（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，
２，３，．．．．）から１度以上ずらして構成すること
で同軸ピンのインダクタンスを打ち消し、軸比の良い周
波数と入力インピーダンスの整合のとれた周波数を一致
できる効果がある。
【００３１】この発明の実施例５では放射導体に直交し
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮
退分離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２
点Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの
線が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメン
トを構成し、線分Ｃ−ＡとＣ−Ｂのなす鋭角をαとし、
このαを変えることで軸比が最小となる周波数を調整す
ることができ、設計が容易になる効果がある。
たモードの縮退を解くための縮退分離セグメントを備え
た円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮
退分離セグメントの放射導体の境界に沿った周方向の２
点Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向に向かう２つの
線が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮退分離セグメン
トを構成し、線分Ｃ−ＡとＣ−Ｂのなす鋭角をαとし、
このαを変えることで軸比が最小となる周波数を調整す
ることができ、設計が容易になる効果がある。
【００３２】この発明の実施例６では高次モードＴＭｎ
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けることで簡単な構造で円偏波が励振でき、且つ小
型化が図れる効果がある。
ｍモード（ｎ＝２，３，．．．．）で励振した円偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、上記放射導体に直
交したモードの縮退を解くための縮退分離セグメント
を、給電点と上記放射導体の中心を結ぶ軸に対し、上記
縮退分離セグメントと上記放射導体の中心を結ぶ軸を、
概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｋ＝
０，１，２，３，．．．．，２ｎ）傾けた位置に、２ｎ
個設けることで簡単な構造で円偏波が励振でき、且つ小
型化が図れる効果がある。
【００３３】この発明の実施例７では第１の放射導体と
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度回転させ、位相も１
８０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度変えることで
１素子でも広帯域にわたり軸比のよい円偏波が励振でき
る効果がある。
第２の放射導体を上下に重ね共に円偏波励振とし、第２
の放射導体の給電位置を第１の放射導体に対し１８０／
ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度回転させ、位相も１
８０／ｎ（ｎ＝１，２，３，．．．．）度変えることで
１素子でも広帯域にわたり軸比のよい円偏波が励振でき
る効果がある。
【図１】 この発明の実施例１を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図２】 実施例１の動作原理を説明する図である。
【図３】 図１に示したこの発明の実施例１の測定値を
示す図である。
示す図である。
【図４】 この発明の実施例２を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図５】 この発明の実施例３を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図６】 この発明の実施例４を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図７】 この発明の実施例５を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図及びαを変えた場合の軸
比最小周波数の測定値を示す図である。
トリップアンテナの概略構成図及びαを変えた場合の軸
比最小周波数の測定値を示す図である。
【図８】 この発明の実施例６を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図９】 この発明の実施例７を示す円偏波マイクロス
トリップアンテナの概略構成図である。
トリップアンテナの概略構成図である。
【図１０】 従来例を示す円偏波マイクロストリップア
ンテナの概略構成図である。
ンテナの概略構成図である。
【図１１】 図１０の動作原理を説明する図である。
【図１２】 図１０の動作原理を説明する図である。
【図１３】 従来のＴＭ21モード励振円偏波マイクロス
トリップアンテナを示す概略構成図及び動作原理を説明
する図である。
トリップアンテナを示す概略構成図及び動作原理を説明
する図である。
【図１４】 従来のシーケンシャル配列を示す円偏波マ
イクロストリップアンテナの概略構成図である。
イクロストリップアンテナの概略構成図である。
１ 地導体板、２ 誘電体基板、３ 放射導体、４ マ
イクロストリップアンテナ、５ 同軸ピン、６ 同軸コ
ネクタ、７ 縮退分離セグメント、８ 第１の誘電体基
板、９ 第２の誘電体基板、１０ ストリップ導体、１
１ マイクロストリップ線路、１２ 結合スロット、１
３ 第２の地導体板、１４ 第３の誘電体基板、１５
第２の放射導体、１６ 開口部、１７ ＴＭ21モード励
振マイクロストリップアンテナ、１８ ブランチライン
形ハイブリッド回路、１９ チップ抵抗。
イクロストリップアンテナ、５ 同軸ピン、６ 同軸コ
ネクタ、７ 縮退分離セグメント、８ 第１の誘電体基
板、９ 第２の誘電体基板、１０ ストリップ導体、１
１ マイクロストリップ線路、１２ 結合スロット、１
３ 第２の地導体板、１４ 第３の誘電体基板、１５
第２の放射導体、１６ 開口部、１７ ＴＭ21モード励
振マイクロストリップアンテナ、１８ ブランチライン
形ハイブリッド回路、１９ チップ抵抗。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01Q 13/08 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (4)
- 【請求項１】 地導体、地導体の上部に構成した誘導体
基板、誘導体基板の上部に構成した放射導体、放射導体
を給電する給電線路、さらに放射導体に直交したモード
の縮退を解くための縮退分離セグメントを備えた円偏波
マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮退分離セ
グメントの位置を上記給電線路に対し、（９０／２ｎ）
＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｎ＝１，２，３，．．．，ｋ
＝０，１，２，３，．．．）からずらして構成したこと
を特徴とする円編波マイクロストリップアンテナ。 - 【請求項２】 地導体、地導体の上部に構成した誘導体
基板、誘導体基板の上部に構成した放射導体、放射導体
を給電する給電線路、さらに放射導体に直交したモード
の縮退を解くための縮退分離セグメントを備えた円偏波
マイクロストリップアンテナにおいて、上記縮退分離セ
グメントの位置を上記同軸線路の給電ピンに対し、（９
０／２ｎ）＋ｋ（３６０／２ｎ）度（ｎ＝１，２，
３，．．．，ｋ＝０，１，２，３，．．．）からずらし
て構成したことを特徴とする円編波マイクロストリップ
アンテナ。 - 【請求項３】 地導体、誘電体基板、放射導体から構成
され、上記放射導体を給電する給電線路を備え、上記放
射導体に直交したモードの縮退を解くための縮退分離セ
グメントを備えた円偏波マイクロストリップアンテナに
おいて、上記縮退分離セグメントの放射導体の境界に沿
った周方向の２点Ａ，Ｂとそのそれぞれ点から中心方向
に向かう２つの線が交わる点Ｃの３点を結んだ形状の縮
退分離セグメントを構成し、線分Ｃ−ＡとＣ−Ｂのなす
鋭角をαとし、このαを変えることで軸比が最小となる
周波数を調整することを特徴とする円編波マイクロスト
リップアンテナ。 - 【請求項４】 地導体、誘導体基板、放射導体から構成
され、上記放射導体を給電する給電線路を備え、高次モ
ードＴＭｎｍモード（ｎ＝２，３，．．．．，ｍ＝１）
で励振した円偏波マイクロストリップアンテナにおい
て、上記放射導体に直交したモードの縮退を解くための
縮退分離セグメントを、給電点と上記放射導体の中心を
結ぶ軸に対し、上記縮退分離セグメントと上記放射導体
の中心を結ぶ軸を、概略斜め（９０／２ｎ）＋ｋ（３６
０／２ｎ）度（ｋ＝０，１，２，．．．．，２ｎ）傾け
た位置に、２ｎ個設けたことを特徴とする円編波マイク
ロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31324494A JP3239654B2 (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 円偏波マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31324494A JP3239654B2 (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 円偏波マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172313A JPH08172313A (ja) | 1996-07-02 |
| JP3239654B2 true JP3239654B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=18038859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31324494A Expired - Lifetime JP3239654B2 (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 円偏波マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239654B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177335A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Nec Corp | アンテナ装置 |
| JP2002076766A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Maspro Denkoh Corp | 円偏波アンテナ |
| JP4769664B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2011-09-07 | 古野電気株式会社 | 円偏波パッチアンテナ |
| US10347989B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-07-09 | Hitachi, Ltd. | Rotationally polarized antenna, transmission/reception module, elevator control system, and substation control system |
-
1994
- 1994-12-16 JP JP31324494A patent/JP3239654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子情報通信学会技術研究報告Ａ・Ｐ９３−１００ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08172313A (ja) | 1996-07-02 |
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