JP3237870B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体材料を用
いた半導体レーザに係わり、特に活性層にＩｎＧａＡｌ
Ｐ系材料を用いた半導体レーザ装置に関する。
いた半導体レーザに係わり、特に活性層にＩｎＧａＡｌ
Ｐ系材料を用いた半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度光ディスクシステムや高速
レーザプリンタ或いはバーコードリーダ等への応用を目
的として、短波長の半導体レーザの開発が進められてい
る。この中でも０．６μｍ帯（赤色）に発振波長を持つ
ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザは、有望な短波長の半導
体レーザとして注目されている。
レーザプリンタ或いはバーコードリーダ等への応用を目
的として、短波長の半導体レーザの開発が進められてい
る。この中でも０．６μｍ帯（赤色）に発振波長を持つ
ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザは、有望な短波長の半導
体レーザとして注目されている。
【０００３】ＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザの特徴を十分
に生かして実用に供するためには、諸特性や信頼性が従
来のＧａＡｌＡｓ半導体レーザに劣らないものであるこ
とが要求される。
に生かして実用に供するためには、諸特性や信頼性が従
来のＧａＡｌＡｓ半導体レーザに劣らないものであるこ
とが要求される。
【０００４】長期信頼性に関しては３〜５ｍＷレベルで
１００００時間以上、１０〜２０ｍＷレベルで２０００
時間以上の実用レベルのものが得られている。しかしな
がら、瞬時の電圧印加に対する破壊レベルを現わすサー
ジ耐量はＧａＡｌＡｓ半導体レーザに比べて著しく低
く、これがレーザ素子を実装する際の大きな問題点とな
っている。
１００００時間以上、１０〜２０ｍＷレベルで２０００
時間以上の実用レベルのものが得られている。しかしな
がら、瞬時の電圧印加に対する破壊レベルを現わすサー
ジ耐量はＧａＡｌＡｓ半導体レーザに比べて著しく低
く、これがレーザ素子を実装する際の大きな問題点とな
っている。
【０００５】サージによりＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザ
が破壊されるメカニズムは、ＧａＡｌＡｓ半導体レーザ
と同じであることが明らかとなっている。即ち、電圧印
加に対してパルス電流が流れ、そのとき発生する光のレ
ベルが活性層の光許容レベルを越えてしまい非可逆的な
破壊を起こすためである。ＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザ
の場合、この活性層の光許容レベルが小さい。また、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ半導体レーザにおいては、ＧａＡｌＡｓ半
導体レーザで用いられている端面部に誘電体膜を形成す
る、或いは活性層の薄膜化といった光許容レベル向上対
策では効果がない。
が破壊されるメカニズムは、ＧａＡｌＡｓ半導体レーザ
と同じであることが明らかとなっている。即ち、電圧印
加に対してパルス電流が流れ、そのとき発生する光のレ
ベルが活性層の光許容レベルを越えてしまい非可逆的な
破壊を起こすためである。ＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザ
の場合、この活性層の光許容レベルが小さい。また、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ半導体レーザにおいては、ＧａＡｌＡｓ半
導体レーザで用いられている端面部に誘電体膜を形成す
る、或いは活性層の薄膜化といった光許容レベル向上対
策では効果がない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のＩｎ
ＧａＡｌＰ半導体レーザではサージ対策は全くなされて
おらず、活性層の光許容レベルが小さいためにサージ耐
量はＧａＡｌＡｓ半導体レーザに比べて著しく低いとい
う問題点があった。
ＧａＡｌＰ半導体レーザではサージ対策は全くなされて
おらず、活性層の光許容レベルが小さいためにサージ耐
量はＧａＡｌＡｓ半導体レーザに比べて著しく低いとい
う問題点があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、ＩｎＧａＡｌＰのレー
ザ構造に対する最適構造パラメータを与えることによ
り、サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれ
た半導体レーザ装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、ＩｎＧａＡｌＰのレー
ザ構造に対する最適構造パラメータを与えることによ
り、サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれ
た半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、ＩｎＧ
ａＡｌＰからなる活性層を有する半導体レーザにおい
て、クラッド層を薄くする、又はクラッド層中に光吸収
層を形成することにより導波モード損失を増加させ、外
部微分量子効率を低くすることにより印加パルスに対す
る内部光出力の増加を抑えることにある。
ａＡｌＰからなる活性層を有する半導体レーザにおい
て、クラッド層を薄くする、又はクラッド層中に光吸収
層を形成することにより導波モード損失を増加させ、外
部微分量子効率を低くすることにより印加パルスに対す
る内部光出力の増加を抑えることにある。
【０００９】
【００１０】即ち本発明は、第１導電型半導体基板上
に、Ｉｎ1-v （Ｇａ1-x Ａｌx ）v Ｐからなる第１導電
型クラッド層，Ｉｎ1-v （Ｇａ1-y Ａｌy ）v Ｐ活性
層，及びＩｎ1-v （Ｇａ1-z Ａｌz ）v Ｐからなる第２
導電型クラッド層を順次成長形成してなるダブルヘテロ
構造部を有する半導体レーザ装置において、第１導電型
クラッド層の厚さＨ1 及び第２導電型クラッド層の厚さ
Ｈ2 の少なくとも一方を、各クラッド層と活性層とのＡ
ｌ組成比の差Δｘ1 （=x-y），Δｘ2 （=z-y）に対し
て、ｄを活性層厚，λを発振波長としたときに、 Ｈ1 ≦０．２７λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 Ｈ2 ≦０．２７λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 の範囲に設定し、より望ましくは、 ０．３μｍ≦Ｈ1 ≦０．２４λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 ０．３μｍ≦Ｈ2 ≦０．２４λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 の範囲に設定するようにしたものである。
に、Ｉｎ1-v （Ｇａ1-x Ａｌx ）v Ｐからなる第１導電
型クラッド層，Ｉｎ1-v （Ｇａ1-y Ａｌy ）v Ｐ活性
層，及びＩｎ1-v （Ｇａ1-z Ａｌz ）v Ｐからなる第２
導電型クラッド層を順次成長形成してなるダブルヘテロ
構造部を有する半導体レーザ装置において、第１導電型
クラッド層の厚さＨ1 及び第２導電型クラッド層の厚さ
Ｈ2 の少なくとも一方を、各クラッド層と活性層とのＡ
ｌ組成比の差Δｘ1 （=x-y），Δｘ2 （=z-y）に対し
て、ｄを活性層厚，λを発振波長としたときに、 Ｈ1 ≦０．２７λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 Ｈ2 ≦０．２７λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 の範囲に設定し、より望ましくは、 ０．３μｍ≦Ｈ1 ≦０．２４λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 ０．３μｍ≦Ｈ2 ≦０．２４λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 の範囲に設定するようにしたものである。
【００１１】また本発明は、第１導電型半導体基板上
に、ＩｎＧａＡｌＰからなる第１導電型クラッド層，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ活性層，及びＩｎＧａＡｌＰからなる第２
導電型クラッド層を順次成長形成してなるダブルヘテロ
構造部を有する半導体レーザ装置において、第１導電型
クラッド層又は第２導電型クラッド層中に、活性層のバ
ンドギャップと同じか又は小さいバンドギャップを持
ち、かつ厚さが０．０２μｍ以上の光吸収層を挿入する
ようにしたものである。
に、ＩｎＧａＡｌＰからなる第１導電型クラッド層，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ活性層，及びＩｎＧａＡｌＰからなる第２
導電型クラッド層を順次成長形成してなるダブルヘテロ
構造部を有する半導体レーザ装置において、第１導電型
クラッド層又は第２導電型クラッド層中に、活性層のバ
ンドギャップと同じか又は小さいバンドギャップを持
ち、かつ厚さが０．０２μｍ以上の光吸収層を挿入する
ようにしたものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、クラッド層を薄くする、又は
クラッド層中に光吸収層を形成することにより、導波モ
ード損失を増加させて外部微分量子効率を低くすること
ができる。従って、電圧印加に対してパルス電流が流れ
たとき、その小さい外部微分量子効率のために、発生す
る光のピーク値が抑えられ、これによって非可逆的な破
壊を抑制することが可能となる。
クラッド層中に光吸収層を形成することにより、導波モ
ード損失を増加させて外部微分量子効率を低くすること
ができる。従って、電圧印加に対してパルス電流が流れ
たとき、その小さい外部微分量子効率のために、発生す
る光のピーク値が抑えられ、これによって非可逆的な破
壊を抑制することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明の第１の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。図中１
１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上にはｎ−
ＧａＡｓバッファ層１２が形成されている。バッファ層
１２上には、ｎ−Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層１３
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。図中１
１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上にはｎ−
ＧａＡｓバッファ層１２が形成されている。バッファ層
１２上には、ｎ−Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層１３
【００１５】 （Ｓｉドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ活性層１４（アンドープ）、 ｐ−Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層１
５ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐエッチング停止層１６ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 ｐ−Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層１
７ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 からなるダブルヘテロ構造部が形成されている。
５ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐエッチング停止層１６ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 ｐ−Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層１
７ （Ｚｎドープ，３〜５×１０17ｃｍ-3）、 からなるダブルヘテロ構造部が形成されている。
【００１６】クラッド層１７上にはｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ
0.5 Ｐキャップ層１８（Ｚｎドープ，１×１０18ｃ
ｍ-3）が形成され、キャップ層１８，クラッド層１７及
びエッチング停止層１６はストライプ状メサに加工され
てリッジを形成している。ダブルヘテロ構造部の各層及
びキャップ層１８の格子定数はＧａＡｓ基板１１と等し
く、且つクラッド層１３，１５のバンドギャップエネル
ギーは活性層１４のそれより大きくなるように、Ｉｎ、
Ｇａ、Ａｌの組成が決定されている。
0.5 Ｐキャップ層１８（Ｚｎドープ，１×１０18ｃ
ｍ-3）が形成され、キャップ層１８，クラッド層１７及
びエッチング停止層１６はストライプ状メサに加工され
てリッジを形成している。ダブルヘテロ構造部の各層及
びキャップ層１８の格子定数はＧａＡｓ基板１１と等し
く、且つクラッド層１３，１５のバンドギャップエネル
ギーは活性層１４のそれより大きくなるように、Ｉｎ、
Ｇａ、Ａｌの組成が決定されている。
【００１７】キャップ層１８及びクラッド層１５上に
は、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０（Ｚｎドープ，５×
１０18ｃｍ-3）が形成されている。そして、コンタクト
層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の下
面に金属電極２２が被着されている。
は、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０（Ｚｎドープ，５×
１０18ｃｍ-3）が形成されている。そして、コンタクト
層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の下
面に金属電極２２が被着されている。
【００１８】このレーザにおける電流狭搾は、ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰ／ｐ−ＧａＡｓヘテロ接合と、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｌＰ／ｐ−ＩｎＧａＰ／ｐ−ＧａＡｓヘテロ接合にお
ける電圧降下の差を利用して行っている。即ち、中間の
バンドギャップを持つｐ−ＩｎＧａＰ層を挟むとバリヤ
ーが低くなり、電圧降下を減少させることができること
を利用し、リッジ部のみにｐ−ＩｎＧａＰキャップ層１
８を設けて電流狭搾をはかっている。光導波は、ストラ
イプ状のメサに形成されたクラッド層１５，１７により
行われる。
ＧａＡｌＰ／ｐ−ＧａＡｓヘテロ接合と、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｌＰ／ｐ−ＩｎＧａＰ／ｐ−ＧａＡｓヘテロ接合にお
ける電圧降下の差を利用して行っている。即ち、中間の
バンドギャップを持つｐ−ＩｎＧａＰ層を挟むとバリヤ
ーが低くなり、電圧降下を減少させることができること
を利用し、リッジ部のみにｐ−ＩｎＧａＰキャップ層１
８を設けて電流狭搾をはかっている。光導波は、ストラ
イプ状のメサに形成されたクラッド層１５，１７により
行われる。
【００１９】ここで、ｎクラッド層１３の厚さＨ1 は
１．０μｍ、活性層１４の厚さは０．０４μｍ、ｐクラ
ッド層１５，１７の厚さＨ2 はリッジ部で０．７μｍ、
エッチング停止層１６の厚さは０．０１μｍ、メサ底部
の幅は５μｍとした。なおバッファ層１２は、ＧａＡｓ
上に形成するＩｎＧａＡｌＰ系結晶の品質向上のために
設けた。
１．０μｍ、活性層１４の厚さは０．０４μｍ、ｐクラ
ッド層１５，１７の厚さＨ2 はリッジ部で０．７μｍ、
エッチング停止層１６の厚さは０．０１μｍ、メサ底部
の幅は５μｍとした。なおバッファ層１２は、ＧａＡｓ
上に形成するＩｎＧａＡｌＰ系結晶の品質向上のために
設けた。
【００２０】サージ耐量の十分高いレーザを得るために
は、構造パラメータ、ここではクラッド層厚を所定の範
囲に設定する必要があり、上述した値はその一例を示し
たものである。以下に、このクラッド層厚の最適化につ
いて説明する。
は、構造パラメータ、ここではクラッド層厚を所定の範
囲に設定する必要があり、上述した値はその一例を示し
たものである。以下に、このクラッド層厚の最適化につ
いて説明する。
【００２１】まず、サージと外部微分量子効率の関係に
ついて説明する。図２にレーザに流れる電流と光出力及
び光許容レベルの関係を示す。サージは静電放電による
電圧印加に対してレーザにパルス電流が流れ（図２の挿
入図）、そのとき発生するレーザ光のレベルが活性層の
光許容レベルを越えてしまうために生じる。この時、図
３のようにレーザの外部微分量子効率ηD を小さくする
と、同じ電流値に対して光出力の増加分は小さくなり、
より高い電流レベルまで光許容レベル以下に維持するこ
とができる。即ち、サージ耐量を改善することができ
る。実際に使用する電流（光出力）レベルは光許容レベ
ルよりも低いために、外部微分量子効率が小さくなった
ことによる動作電流の増加といったことは問題にならな
い。
ついて説明する。図２にレーザに流れる電流と光出力及
び光許容レベルの関係を示す。サージは静電放電による
電圧印加に対してレーザにパルス電流が流れ（図２の挿
入図）、そのとき発生するレーザ光のレベルが活性層の
光許容レベルを越えてしまうために生じる。この時、図
３のようにレーザの外部微分量子効率ηD を小さくする
と、同じ電流値に対して光出力の増加分は小さくなり、
より高い電流レベルまで光許容レベル以下に維持するこ
とができる。即ち、サージ耐量を改善することができ
る。実際に使用する電流（光出力）レベルは光許容レベ
ルよりも低いために、外部微分量子効率が小さくなった
ことによる動作電流の増加といったことは問題にならな
い。
【００２２】ＩｎＧａＡｌＰ赤色レーザの場合、外部微
分量子効率ηD は約０．５の値であり、サージの場合の
ような短パルスの電流に対する光許容レベルは素子ディ
メンジョンにはあまり関係なく、約５０ｍＷのレベルで
あった。しきい値が５０ｍＡの横モード制御型レーザの
場合、図３に示すように外部微分量子効率ηD を０．３
５としたことで、サージ耐量はほぼ１．５倍（１．５倍
の電流値）まで高くすることができた。次に、レーザの
外部微分量子効率を小さくする方法について説明する。
一般に半導体レーザの外部微分量子効率ηD は、次のよ
うな式で表現される。
分量子効率ηD は約０．５の値であり、サージの場合の
ような短パルスの電流に対する光許容レベルは素子ディ
メンジョンにはあまり関係なく、約５０ｍＷのレベルで
あった。しきい値が５０ｍＡの横モード制御型レーザの
場合、図３に示すように外部微分量子効率ηD を０．３
５としたことで、サージ耐量はほぼ１．５倍（１．５倍
の電流値）まで高くすることができた。次に、レーザの
外部微分量子効率を小さくする方法について説明する。
一般に半導体レーザの外部微分量子効率ηD は、次のよ
うな式で表現される。
【００２３】 １／ηD ＝１／ηi （１＋αＬ／ｌｎ（１／Ｒ）） … (1) ここで、ηi は内部微分量子効率、Ｌは共振器長、Ｒは
端面反射率、αは導波損失である。αは次式示すように
いくつかの要因から構成される。 α＝α1 ＋α2 ＋α3 … (2) ここで、α1 は接合平面垂直方向の導波モード損失、α
2 は接合平面に水平方向の導波損失、α3 は活性層の自
由キャリヤによる吸収損失である。このうち、α3 は材
料固有のものであり、制御は困難である。
端面反射率、αは導波損失である。αは次式示すように
いくつかの要因から構成される。 α＝α1 ＋α2 ＋α3 … (2) ここで、α1 は接合平面垂直方向の導波モード損失、α
2 は接合平面に水平方向の導波損失、α3 は活性層の自
由キャリヤによる吸収損失である。このうち、α3 は材
料固有のものであり、制御は困難である。
【００２４】接合平面垂直方向の導波モード損失である
α1 は導波モードの広がりがコンタクト層、或いはバッ
ファ層として用いているＧａＡｓ層に達し、吸収を受け
るために生じる。このα1 に関して、シミュレーション
による計算により解析を行った。図４にΔｘ＝０．７の
場合についてα1 の等高線を示す。図５には活性層厚
（ｄ）が０．０６μｍの場合についてα1 の等高線を示
す。
α1 は導波モードの広がりがコンタクト層、或いはバッ
ファ層として用いているＧａＡｓ層に達し、吸収を受け
るために生じる。このα1 に関して、シミュレーション
による計算により解析を行った。図４にΔｘ＝０．７の
場合についてα1 の等高線を示す。図５には活性層厚
（ｄ）が０．０６μｍの場合についてα1 の等高線を示
す。
【００２５】等高線は、クラッド層厚に対して大きく依
存する。図１に示すようなリッジ型レーザの場合、クラ
ッド層の膜厚Ｈを十分厚くしたとき、αは約１０ｃｍ-1
となる。この値に対して外部微分量子効率を効果的に小
さくさせる値としてα1 を１０ｃｍ-1以上とする範囲は
近似的に次式で与えられる。 Ｈ≦０．２７λ（Δｘｄ／λ）-1/2 … (3)
存する。図１に示すようなリッジ型レーザの場合、クラ
ッド層の膜厚Ｈを十分厚くしたとき、αは約１０ｃｍ-1
となる。この値に対して外部微分量子効率を効果的に小
さくさせる値としてα1 を１０ｃｍ-1以上とする範囲は
近似的に次式で与えられる。 Ｈ≦０．２７λ（Δｘｄ／λ）-1/2 … (3)
【００２６】ｎクラッド層，ｐクラッド層のＡｌ組成が
異なる場合には、それに対応して各クラッド層での導波
モードの広がりが変わるため、それぞれの膜厚Ｈ1 ，Ｈ
2 のどちらかを次式の範囲に設定すればよい。 Ｈ1 ≦０．２７λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 … (4) Ｈ2 ≦０．２７λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 … (5)
異なる場合には、それに対応して各クラッド層での導波
モードの広がりが変わるため、それぞれの膜厚Ｈ1 ，Ｈ
2 のどちらかを次式の範囲に設定すればよい。 Ｈ1 ≦０．２７λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 … (4) Ｈ2 ≦０．２７λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 … (5)
【００２７】さらに、α1 を２０ｃｍ-1以上とすれば外
部微分量子効率を小さくさせることができる。α1 を２
０ｃｍ-1以上とする範囲は、同様に近似式として次式で
与えられる。 Ｈ1 ≦０．２４λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 … (6) Ｈ2 ≦０．２４λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 … (7)
部微分量子効率を小さくさせることができる。α1 を２
０ｃｍ-1以上とする範囲は、同様に近似式として次式で
与えられる。 Ｈ1 ≦０．２４λ（Δｘ1 ｄ／λ）-1/2 … (6) Ｈ2 ≦０．２４λ（Δｘ2 ｄ／λ）-1/2 … (7)
【００２８】例としてλ＝０．６７μｍ、Δｘ1 ＝Δｘ
2 ＝０．７、ｄ＝０．０４μｍとした場合、ｎクラッド
層（Ｈ1 ）又はｐクラッド層（Ｈ2 ）のどちらかを Ｈ1 ≦０．７８μｍ Ｈ2 ≦０．７８μｍ なる範囲に設定すればよい。
2 ＝０．７、ｄ＝０．０４μｍとした場合、ｎクラッド
層（Ｈ1 ）又はｐクラッド層（Ｈ2 ）のどちらかを Ｈ1 ≦０．７８μｍ Ｈ2 ≦０．７８μｍ なる範囲に設定すればよい。
【００２９】図１に示す実施例では導波損失をｐクラッ
ド層側で考え、素子特性を劣化させない範囲でｐクラッ
ド層を薄くしている。このように導波損失を主にｐクラ
ッド層側で考え、ｐクラッド層を積極的に薄くすること
は素子の熱抵抗低減に有効であり、導波損失を増加さ
せ、しきい値を上昇させ、外部微分量子効率を低下させ
たことによる素子特性の劣化を防ぐことができる。ま
た、素子抵抗が低減できることで電圧印加の際の時定数
を小さくできる。これは、光に晒される時間を短縮でき
るためにサージ特性改善に有利である。
ド層側で考え、素子特性を劣化させない範囲でｐクラッ
ド層を薄くしている。このように導波損失を主にｐクラ
ッド層側で考え、ｐクラッド層を積極的に薄くすること
は素子の熱抵抗低減に有効であり、導波損失を増加さ
せ、しきい値を上昇させ、外部微分量子効率を低下させ
たことによる素子特性の劣化を防ぐことができる。ま
た、素子抵抗が低減できることで電圧印加の際の時定数
を小さくできる。これは、光に晒される時間を短縮でき
るためにサージ特性改善に有利である。
【００３０】一方、クラッド層を薄くし過ぎるとやはり
大きなしきい値の上昇、外部微分量子効率を低下を招き
素子特性を劣化させる。特に、０．３μｍ以下の厚さに
なると著しく信頼性特性が損なわれた。従って、クラッ
ド層厚は０．３μｍ以上にするのが望ましい。
大きなしきい値の上昇、外部微分量子効率を低下を招き
素子特性を劣化させる。特に、０．３μｍ以下の厚さに
なると著しく信頼性特性が損なわれた。従って、クラッ
ド層厚は０．３μｍ以上にするのが望ましい。
【００３１】この実施例で示したようなリッジ導波型レ
ーザの場合、ストライプ幅を狭くすることによってもα
2 を増やし、外部微分量子効率を小さくすることができ
る。しかしながら、同時に光のスポット径が小さくな
り、レーザの内部光密度は大きくなり、サージ耐量を改
善することは困難である。また、端面に多層反射膜を付
けることにより端面反射率を大きくする方向でも外部微
分量子効率は小さくなるが、これも実際にはレーザの内
部光密度は大きくなっており、サージ耐量を改善するこ
とは困難である。
ーザの場合、ストライプ幅を狭くすることによってもα
2 を増やし、外部微分量子効率を小さくすることができ
る。しかしながら、同時に光のスポット径が小さくな
り、レーザの内部光密度は大きくなり、サージ耐量を改
善することは困難である。また、端面に多層反射膜を付
けることにより端面反射率を大きくする方向でも外部微
分量子効率は小さくなるが、これも実際にはレーザの内
部光密度は大きくなっており、サージ耐量を改善するこ
とは困難である。
【００３２】図１の実施例では、レーザの共振器長を４
００μｍとした場合でしきい値５０ｍＡで発振した。ク
ラッド層厚をいずれも１μｍとした場合に比べてしきい
値は約５ｍＡ増加したが、温度特性，信頼性特性など全
く問題はなかった。パルス幅を２００ｎｓとした場合、
電流値で２倍のレベルまで非可逆的な破壊は起こさなか
った。コンデンサからの放電によるサージ特性比較にお
いても、通常の２倍以上改善されていた。
００μｍとした場合でしきい値５０ｍＡで発振した。ク
ラッド層厚をいずれも１μｍとした場合に比べてしきい
値は約５ｍＡ増加したが、温度特性，信頼性特性など全
く問題はなかった。パルス幅を２００ｎｓとした場合、
電流値で２倍のレベルまで非可逆的な破壊は起こさなか
った。コンデンサからの放電によるサージ特性比較にお
いても、通常の２倍以上改善されていた。
【００３３】このように本実施例によれば、ＩｎＧａＡ
ｌＰのレーザ構造に対する最適構造パラメータを与えて
いるので、導波モード損失を増加させ、外部微分量子効
率を低くすることによって印加パルスに対する内部光出
力の増加を抑えることができる。従って、低しきい値
で、優れた素子特性を維持したサージ耐量が極めて大き
い信頼性の高い半導体レーザ装置が得ることができる。
ｌＰのレーザ構造に対する最適構造パラメータを与えて
いるので、導波モード損失を増加させ、外部微分量子効
率を低くすることによって印加パルスに対する内部光出
力の増加を抑えることができる。従って、低しきい値
で、優れた素子特性を維持したサージ耐量が極めて大き
い信頼性の高い半導体レーザ装置が得ることができる。
【００３４】図６は、本発明の第２の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明
は省略する。
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明
は省略する。
【００３５】この実施例が先に説明した第１の実施例と
異なる点は、リッジ部の側面に電流ブロック層を形成し
て、電流狭窄をより確実にしたことにある。即ち、ｎ−
ＧａＡｓ基板１１上には、第１の実施例と同様にｎ−Ｇ
ａＡｓバッファ層１２が形成されており、その上にｎ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１
４，ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１５，ｐ−ＩｎＧａ
Ｐエッチング停止層１６及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッ
ド層１７からなるダブルヘテロ構造部が形成されてい
る。
異なる点は、リッジ部の側面に電流ブロック層を形成し
て、電流狭窄をより確実にしたことにある。即ち、ｎ−
ＧａＡｓ基板１１上には、第１の実施例と同様にｎ−Ｇ
ａＡｓバッファ層１２が形成されており、その上にｎ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１
４，ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１５，ｐ−ＩｎＧａ
Ｐエッチング停止層１６及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッ
ド層１７からなるダブルヘテロ構造部が形成されてい
る。
【００３６】クラッド層１７上には、ｐ−ＩｎＧａＰキ
ャップ層１８が形成され、キャップ層１８及びクラッド
層１７はストライプ状メサに加工されてリッジを形成し
ている。エッチング停止層１６上にはｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層１９が形成され、キャップ層１８及び電流ブ
ロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０が形
成されている。そして、コンタクト層２０の上面に金属
電極２１が被着され、基板１１の下面に金属電極２２が
被着されている。
ャップ層１８が形成され、キャップ層１８及びクラッド
層１７はストライプ状メサに加工されてリッジを形成し
ている。エッチング停止層１６上にはｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層１９が形成され、キャップ層１８及び電流ブ
ロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０が形
成されている。そして、コンタクト層２０の上面に金属
電極２１が被着され、基板１１の下面に金属電極２２が
被着されている。
【００３７】このような構成であっても、先の第１の実
施例と同様にクラッド層の膜厚を制御することにより、
サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半
導体レーザ装置を実現することができる。
施例と同様にクラッド層の膜厚を制御することにより、
サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半
導体レーザ装置を実現することができる。
【００３８】図７は、本発明の第３の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明
は省略する。
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明
は省略する。
【００３９】この実施例では、第１，第２の実施例とは
異なり、リッジ部を形成せずに電流狭窄を行っている。
即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にはｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層１２が形成され、この上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１４及びｐ−ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１５からなるダブルヘテロ構造部が形成
されている。
異なり、リッジ部を形成せずに電流狭窄を行っている。
即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にはｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層１２が形成され、この上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１４及びｐ−ＩｎＧａＡ
ｌＰクラッド層１５からなるダブルヘテロ構造部が形成
されている。
【００４０】ｐクラッド層１５上には、ｐ−ＩｎＧａＰ
キャップ層１８が形成されている。キャップ層１８上に
はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１９が形成され、キャッ
プ層１８及び電流ブロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層２０が形成されている。そして、コンタクト
層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の下
面に金属電極２２が被着されている。
キャップ層１８が形成されている。キャップ層１８上に
はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１９が形成され、キャッ
プ層１８及び電流ブロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層２０が形成されている。そして、コンタクト
層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の下
面に金属電極２２が被着されている。
【００４１】このような構成であっても、各層のパラメ
ータ、特にクラッド層１３，１５の厚さＨ1 ，Ｈ2 等を
最適に設定することにより、先の第１の実施例と同様の
効果が得られる。
ータ、特にクラッド層１３，１５の厚さＨ1 ，Ｈ2 等を
最適に設定することにより、先の第１の実施例と同様の
効果が得られる。
【００４２】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。この実施例は、構造的には第１の実施例と同様で
あり、図１に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に各
層１２〜２０を成長形成し、さらに電極２１，２２を形
成して構成されている。
する。この実施例は、構造的には第１の実施例と同様で
あり、図１に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に各
層１２〜２０を成長形成し、さらに電極２１，２２を形
成して構成されている。
【００４３】クラッド層１３の厚さは１．０μｍ、活性
層１４の厚さは０．０４μｍ、クラッド層１５，１７の
厚さはリッジ部で１．０μｍ、エッチング停止層１６の
厚さは０．０２μｍ、メサ底部の幅は５μｍとした。第
１の実施例とは、リッジ部でのクラッド層厚及びエッチ
ング停止層１６の厚さが異なっている。
層１４の厚さは０．０４μｍ、クラッド層１５，１７の
厚さはリッジ部で１．０μｍ、エッチング停止層１６の
厚さは０．０２μｍ、メサ底部の幅は５μｍとした。第
１の実施例とは、リッジ部でのクラッド層厚及びエッチ
ング停止層１６の厚さが異なっている。
【００４４】サージ耐量の十分高いレーザを得るために
は、光吸収層として機能するエッチング停止層１６を所
定の範囲に設定する必要があり、上述した値はその一例
を示したものである。以下にサージ耐量を高くするため
にクラッド層中に挿入した層（ここではエッチング停止
層）の役割について説明する。
は、光吸収層として機能するエッチング停止層１６を所
定の範囲に設定する必要があり、上述した値はその一例
を示したものである。以下にサージ耐量を高くするため
にクラッド層中に挿入した層（ここではエッチング停止
層）の役割について説明する。
【００４５】前述したように、半導体レーザの外部微分
量子効率ηD は (1)式で表現され、また導波損失αは
(2)式で表現される。(2) 式において、接合平面垂直方
向の導波モード損失であるα1 は導波モードの広がりが
コンタクト層、或いはバッファ層として用いているＧａ
Ａｓ層に達し、吸収を受けるために生じる。導波モード
に対して吸収となるような半導体層を設けることでもα
1 は大きくなる。本実施例ではこの半導体層として、活
性層１４と同じＩｎＧａＰを用いてエッチング停止層と
しても作用させている。
量子効率ηD は (1)式で表現され、また導波損失αは
(2)式で表現される。(2) 式において、接合平面垂直方
向の導波モード損失であるα1 は導波モードの広がりが
コンタクト層、或いはバッファ層として用いているＧａ
Ａｓ層に達し、吸収を受けるために生じる。導波モード
に対して吸収となるような半導体層を設けることでもα
1 は大きくなる。本実施例ではこの半導体層として、活
性層１４と同じＩｎＧａＰを用いてエッチング停止層と
しても作用させている。
【００４６】このように活性層１４と同じ半導体層を用
いる場合でもクラッド層１３，１５中ではキャリヤが注
入された状態とはならないので、エッチング停止層１６
は実効的に活性層１４よりも小さいバンドギャップとな
る。図１に示したようなリッジ型レーザの場合、αは２
０ｃｍ-1程度となる。外部微分量子効率を効果的に小さ
くするためには、半導体層を設けることによるα1 の増
加分を２０ｃｍ-1程度以上としなければならないが、本
実施例のように設定した半導体層の直接遷移型バンド吸
収により容易に実現できる。
いる場合でもクラッド層１３，１５中ではキャリヤが注
入された状態とはならないので、エッチング停止層１６
は実効的に活性層１４よりも小さいバンドギャップとな
る。図１に示したようなリッジ型レーザの場合、αは２
０ｃｍ-1程度となる。外部微分量子効率を効果的に小さ
くするためには、半導体層を設けることによるα1 の増
加分を２０ｃｍ-1程度以上としなければならないが、本
実施例のように設定した半導体層の直接遷移型バンド吸
収により容易に実現できる。
【００４７】しかしながら、モード特性等に影響を与え
ないようこの半導体層を薄膜にする場合には注意を要す
る。即ち、両側をバンドギャップの大きい層で挟まれた
半導体を薄膜化した場合、準位が量子化し、実効的なバ
ンドギャップが増大する。量子準位は半導体層の層厚に
依存し、図８に示すように、０．０２μｍ以下の厚さに
なると急激に増大する傾向を示す。図８には半導体層が
ＩｎＧａＰの例を示したが、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等
でも全く同じ傾向を示す。かくのごとく外部微分量子効
率を効果的に小さくするためにはクラッド層１５，１７
に挿入する光吸収層としてのエッチング停止層１６の層
厚を０．０２μｍ以上の範囲に設定すればよい。
ないようこの半導体層を薄膜にする場合には注意を要す
る。即ち、両側をバンドギャップの大きい層で挟まれた
半導体を薄膜化した場合、準位が量子化し、実効的なバ
ンドギャップが増大する。量子準位は半導体層の層厚に
依存し、図８に示すように、０．０２μｍ以下の厚さに
なると急激に増大する傾向を示す。図８には半導体層が
ＩｎＧａＰの例を示したが、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等
でも全く同じ傾向を示す。かくのごとく外部微分量子効
率を効果的に小さくするためにはクラッド層１５，１７
に挿入する光吸収層としてのエッチング停止層１６の層
厚を０．０２μｍ以上の範囲に設定すればよい。
【００４８】このように本実施例によれば、ｐクラッド
層１５，１７中に光吸収層としてのエッチング停止層１
６を挿入し、その膜厚を最適化（０．０２μｍ以上）す
ることにより、導波モード損失α1 を大きくして外部微
分量子効率を小さくすることができる。従って、先の第
１の実施例と同様の効果が得られる。
層１５，１７中に光吸収層としてのエッチング停止層１
６を挿入し、その膜厚を最適化（０．０２μｍ以上）す
ることにより、導波モード損失α1 を大きくして外部微
分量子効率を小さくすることができる。従って、先の第
１の実施例と同様の効果が得られる。
【００４９】次に、本発明の第５の実施例について説明
する。この実施例は、光吸収層を設けて導波モード損失
α1 を大きくする第４の実施例の考えを、第２の実施例
に適用したものである。即ち、構造的には第２の実施例
と同様であり、図６の構成において、エッチング停止層
１６の厚さを０．０２μｍに設定することにより、導波
モード損失α1 を大きくして外部微分量子効率を小さく
している。このような構成であっても、第５の実施例と
同様の効果が得られる。
する。この実施例は、光吸収層を設けて導波モード損失
α1 を大きくする第４の実施例の考えを、第２の実施例
に適用したものである。即ち、構造的には第２の実施例
と同様であり、図６の構成において、エッチング停止層
１６の厚さを０．０２μｍに設定することにより、導波
モード損失α1 を大きくして外部微分量子効率を小さく
している。このような構成であっても、第５の実施例と
同様の効果が得られる。
【００５０】図９は、本発明の第６の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１及び図７と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。
導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。なお、
図１及び図７と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。
【００５１】この実施例は、光吸収層を設けて導波モー
ド損失α1 を大きくする考えを、第第３の実施例構造に
適用したものである。即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に
はｎ−ＧａＡｓバッファ層１２が形成され、その上にｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１
４及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１５，１７からな
るダブルヘテロ構造部が形成されている。そして、クラ
ッド層１５，１７内には、ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ光吸
収層１６（Ｚｎドープ、３〜５×１０17cm-3）が挿入さ
れ、この光吸収層１６の厚さは０．０２μｍ以上に設定
されている。
ド損失α1 を大きくする考えを、第第３の実施例構造に
適用したものである。即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に
はｎ−ＧａＡｓバッファ層１２が形成され、その上にｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１３，ＩｎＧａＰ活性層１
４及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１５，１７からな
るダブルヘテロ構造部が形成されている。そして、クラ
ッド層１５，１７内には、ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ光吸
収層１６（Ｚｎドープ、３〜５×１０17cm-3）が挿入さ
れ、この光吸収層１６の厚さは０．０２μｍ以上に設定
されている。
【００５２】また、クラッド層１７上にはｐ−ＩｎＧａ
Ｐキャップ層１８が形成され、キャップ層１８上にはｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層１９が形成され、さらにキャ
ップ層１８及び電流ブロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層２０が形成されている。そして、コンタク
ト層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の
下面に金属電極２２が被着されている。
Ｐキャップ層１８が形成され、キャップ層１８上にはｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層１９が形成され、さらにキャ
ップ層１８及び電流ブロック層１９上にはｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層２０が形成されている。そして、コンタク
ト層２０の上面に金属電極２１が被着され、基板１１の
下面に金属電極２２が被着されている。
【００５３】このような構成であっても、光吸収層１６
の存在により導波モード損失α1 が大きくなり、外部微
分量子効率を小さくすることができ、先の第１の実施例
と同様の効果が得られる。
の存在により導波モード損失α1 が大きくなり、外部微
分量子効率を小さくすることができ、先の第１の実施例
と同様の効果が得られる。
【００５４】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例ではｐクラッド層を単層又は
２層にしたが、このクラッド層は多重構造であってもよ
い。クラッド層が多重構造の場合でも、実効的な導波損
失が大きくなれば本発明の効果が得られる。また、ダブ
ルヘテロ構造部を構成する材料は必ずしもＩｎＧａＡｌ
Ｐ系に限るものではなく、Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐ
等のIII-Ｖ族化合物半導体を含む他の材料系でもよい。
さらに、実施例では第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ
型としたが、これらを逆にしてもよいのは勿論である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
れるものではない。実施例ではｐクラッド層を単層又は
２層にしたが、このクラッド層は多重構造であってもよ
い。クラッド層が多重構造の場合でも、実効的な導波損
失が大きくなれば本発明の効果が得られる。また、ダブ
ルヘテロ構造部を構成する材料は必ずしもＩｎＧａＡｌ
Ｐ系に限るものではなく、Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐ
等のIII-Ｖ族化合物半導体を含む他の材料系でもよい。
さらに、実施例では第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ
型としたが、これらを逆にしてもよいのは勿論である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ク
ラッド層を薄く形成する、又はクラッド層中に光吸収層
を形成して、ＩｎＧａＡｌＰのレーザ構造に対する最適
構造パラメータを与えることによって、導波モード損失
を増加させ、外部微分量子効率を低くすることができ、
サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半
導体レーザ装置を実現することが可能となる。
ラッド層を薄く形成する、又はクラッド層中に光吸収層
を形成して、ＩｎＧａＡｌＰのレーザ構造に対する最適
構造パラメータを与えることによって、導波モード損失
を増加させ、外部微分量子効率を低くすることができ、
サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半
導体レーザ装置を実現することが可能となる。
【図１】第１の実施例に係わる半導体レーザの概略構成
を示す断面図、
を示す断面図、
【図２】レーザに流れる電流と光出力及び光許容レベル
の関係を示す特性図、
の関係を示す特性図、
【図３】レーザの外部微分量子効率と電流−光出力特性
の関係を示す特性図、
の関係を示す特性図、
【図４】Δｘ＝０．７の場合についてα1 の等高線を示
す特性図、
す特性図、
【図５】活性層厚が０．０６μｍの場合についてα1 の
等高線を示す特性図、
等高線を示す特性図、
【図６】第２の実施例に係わる半導体レーザの概略構成
を示す断面図、
を示す断面図、
【図７】第３の実施例に係わる半導体レーザの概略構成
を示す断面図、
を示す断面図、
【図８】半導体層の膜厚とバンドギャップとの関係を示
す特性図、
す特性図、
【図９】第６の実施例に係わる半導体レーザの概略構成
を示す断面図。
を示す断面図。
１１…ｎ−ＧａＡｓ基板（第１導電型半導体基板）、 １２…ｎ−ＧａＡｓバッファ層、 １３…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（第１導電型クラ
ッド層）、 １４…ＩｎＧａＰ活性層、 １５，１７…ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（第２導電
型クラッド層）、 １６…ｐ−ＩｎＧａＰエッチング停止層（光吸収層）、 １８…ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、 １９…ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、 ２０…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、 ２１，２２…電極。
ッド層）、 １４…ＩｎＧａＰ活性層、 １５，１７…ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（第２導電
型クラッド層）、 １６…ｐ−ＩｎＧａＰエッチング停止層（光吸収層）、 １８…ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、 １９…ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、 ２０…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、 ２１，２２…電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 康一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 平１−286483（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたＩｎ1-v（Ｇ
ａ1-xＡｌx）vＰからなるｎ型クラッド層と、このｎ型
クラッド層上に形成されたＩｎ1-v（Ｇａ1-yＡｌy）vＰ
からなる活性層と、この活性層上に形成されたＩｎ1-v
（Ｇａ1-zＡｌz）vＰからなりストライプ状のリッジを
有したｐ型クラッド層とを具備してなり、このｐ型クラ
ッド層の厚さＨ 2 が、当該ｐ型クラッド層と前記活性層
とのＡｌ組成比の差Δｘ 2 （＝ｚ−ｙ）に対して、ｄを
活性層厚，λを発振波長としたときに、０．３μｍ≦Ｈ 2 ≦０．２４λ（Δｘ 2 ｄ／λ） -1/2 を満たす範囲にあることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 前記ｎ型クラッド層の厚さＨ 1 が、当該
ｎ型クラッド層と前記活性層とのＡｌ組成比の差Δｘ 1
（＝ｘ−ｙ）に対して、ｄを活性層厚，λを発振波長と
したときに、 ０．３μｍ≦Ｈ 1 ≦０．２４λ（Δｘ 1 ｄ／λ） -1/2 を満たす範囲にあることを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記ｐ型クラッド層は第１の部分及びそ
の上に形成された第２の部分を備え、この第２の部分が
ストライプ状のリッジを構成することを特徴とする請求
項１又は２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記ｐ型クラッド層の第１の部分及び第
２の部分の間に、前記活性層のバンドギャップと同じか
又は小さいバンドギャップを持ち、かつ厚さが０．０２
μｍ以上の光吸収層を挿入してなることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記光吸収層は、前記ｐ型クラッド層の
第１の部分及び第２の部分の間に選択的に形成されてい
ることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18755691A JP3237870B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18755691A JP3237870B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537069A JPH0537069A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3237870B2 true JP3237870B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=16208146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18755691A Expired - Fee Related JP3237870B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3237870B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18755691A patent/JP3237870B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0537069A (ja) | 1993-02-12 |
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