JP3235700U - 無電解めっき用シリコンウェハ - Google Patents

Abstract

【課題】無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを刃物で容易に切断し、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができ、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１のデバイス面１ａにシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａおよびデバイスを搭載するための開口部２ｂを有するデバイス面用樹脂フィルム２が設けられ、シリコンウェハ１の底面１ｂにシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されており、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４が形成されている。
【選択図】図１

Description

本考案は、無電解めっき用シリコンウェハに関する。さらに詳しくは、本考案は、例えば、半導体チップなどのデバイスを搭載するために用いられる配線用基板などに好適に使用することができる無電解めっき用シリコンウェハに関する。

なお、本発明において、無電解めっき層含有シリコンウェハは、シリコンウェハのデバイス面に無電解めっき層が形成されているシリコンウェハを意味する。

一般に、配線用基板に用いられるシリコンウェハの表面上のめっき皮膜は、シリコンウェハ上に感光性レジストなどの液レジストを塗布し、形成されたレジスト膜上に所定形状を有するマスクを介して露光し、ドライエッチングによって露光されていないレジストを除去した後、無電解めっきを行なうことによって形成されている（例えば、特許文献１の請求項１および段落［００３７］参照）。

しかし、シリコンウェハに液レジストを塗布したとき、シリコンウェハの端部に液レジストが均一に付着しないことがある。特に、近時のシリコンウェハの薄肉化のもとでは、シリコンウェハの端部がナイフエッジ状になるため、液レジストが当該ナイフエッジ状の端部に付着し難い。このように液レジストがシリコンウェハの端部に均一に付着せずにシリコンウェハが露出しているとき、当該シリコンウェハに無電解めっきを施した際に、露出しているシリコンウェハにめっき皮膜が形成され、当該めっき皮膜が容易にシリコンウェハから剥離して脱離することから、例えば、ダイシングなどの後工程でめっき皮膜がシリコンウェハから剥離し、デバイス面に付着することによって当該デバイス面を汚染することがある。

シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハとして、シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されている無電解めっき用シリコンウェハが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

前記無電解めっき用シリコンウェハは、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果を奏する。

しかし、前記無電解めっき用シリコンウェハを用いた場合、デバイス面に無電解めっきを施した後、デバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるために前記鍔部に刃物で切れ目を入れ、当該切れ目からデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるとき、デバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるのに高度の技術を要する。

したがって、近年、無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面に無電解めっきを施した後、底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムを容易にシリコンウェハから剥離することができる無電解めっき用シリコンウェハの開発が待ち望まれている。

特開２０１２－２４３８９７号公報 実用新案登録第３１８７５７３号公報

本考案は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供することを課題とする。

本考案は、
（１） シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき用シリコンウェハであって、前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部を有するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されており、前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間が形成されていることを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハ、
（２） 前記空間内でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触である底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである前記（１）に記載の無電解めっき用シリコンウェハ、
（３） 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである前記（１）または(２)に記載の無電解めっき用シリコンウェハ、
（４） シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている前記（１）～(３)のいずれかに記載の無電解めっき用シリコンウェハ、および
（５） シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している前記（１）～（４）のいずれか記載の無電解めっき用シリコンウェハ
に関する。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハによれば、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果が奏される。

本考案の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 本考案の他の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 本考案の他の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 本考案の他の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 シリコンウェハのデバイス面に無電解めっき層が形成されている本考案の無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 シリコンウェハのデバイス面に無電解めっき層が形成されている本考案の無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを切断するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 シリコンウェハのデバイス面に無電解めっき層が形成されている本考案の無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを切断した後、切断された底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離して除去するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記したように、シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、無電解めっき用シリコンウェハであり、前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部を有するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されており、前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間が形成されていることを特徴とする。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記構成を有するので、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果を奏する。

以下に本考案の無電解めっき用シリコンウェハを図面に基づいて説明するが、本考案は、当該図面に記載されている実施態様のみに限定されるものではなく、本考案の範囲内で他の実施態様を包含していてもよい。

図１は、本考案の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。

シリコンウェハ１は、通常、シリコンで構成されているが、必要により炭化ケイ素、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ヒ化ガリウムなどの化合物がシリコンウェハ１に含有されていてもよい。

シリコンウェハ１の大きさは、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましい。また、シリコンウェハ１の平面形状は、特に限定されないが、通常、円形ないし楕円形であり、好ましくは円形である。

シリコンウェハ１の厚さは、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましいが、通常、３０～８００μｍ程度である。

シリコンウェハ１のデバイス面１ａは、シリコンウェハ１の表面（平面）であり、半導体チップなどのデバイスが搭載される面である。シリコンウェハ１のデバイス面１ａには、無電解めっき層（図示せず）を形成させることができる。

シリコンウェハ１のデバイス面１ａの領域の大きさおよび形状は、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましい。シリコンウェハ１のデバイス面１ａは、通常、シリコンウェハ１の端部よりも内側に形成される。デバイス面１ａの平面形状としては、例えば、円形、楕円形、正方形などの多角形などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。本考案においては、シリコンウェハ１およびデバイス面１ａがいずれも同心円の円形であることが好ましい。

シリコンウェハ１の端部１ｄの縦断面の形状は、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、図１に示されるように、円弧状であることが好ましい。

シリコンウェハ１の底面１ｂは、図１に示されるように平面であってもよく、図２に示されるように凹部１ｃが形成されていてもよい。なお、図２は、無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。

図２に示される凹部１ｃの平面形状は、特に限定されないが、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形であるとき、シリコンウェハ１と同心円の円形であることが好ましい。凹部１ｃが円形である場合、凹部１ｃの直径ｄは、特に限定されず、デバイス面１ａの直径Ｄと同一であってもよく、デバイス面１ａの直径Ｄよりも小さくてもよく、デバイス面１ａの直径Ｄよりも大きくてもよい。

凹部１ｃの底面は、通常、平滑であるが、必要により、凹凸、波形などが形成されていてもよい。

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ナイロン１、ナイロン１２、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂；塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルム、ポリウレタンエラストマーなどのエラストマーからなるフィルム、天然ゴム、スチレン－ブタジエンゴムなどの合成ゴムなどからなるゴムシートなどが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３の厚さは、特に限定されないが、通常、それぞれ１０～２００μｍ程度であることが好ましい。

シリコンウェハ１のデバイス面１ａには、シリコンウェハ１の端部１ｄからデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａが突出するようにデバイス面用樹脂フィルム２が設けられる。

デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１にデバイスを搭載するための開口部２ｂおよびシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有する。デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有することから、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを防止することができる。

デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを効果的に防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させるために、シリコンウェハ１のデバイス面１ａを被覆しないが、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うとともに、シリコンウェハ１にデバイスを搭載するための開口部２ｂおよびシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有することが好ましい。

例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合、デバイス面用樹脂フィルム２は、デバイスを搭載するための開口部２ｂを有する環状の樹脂フィルムであることが好ましい。デバイス面用樹脂フィルム２の直径は、鍔部２ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。図１に示される鍔部２ａの長さ（デバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３とが接触している部分の長さ）Ｘは、デバイス面用樹脂フィルム２の大きさによって異なるので一概には決定することができないが、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、１～２０ｍｍ程度であることが好ましく、３～１５ｍｍであることがより好ましい。

シリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を設ける方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２として熱可塑性樹脂からなるデバイス面用樹脂フィルム２を用い、デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２として粘着面を有するデバイス面用樹脂フィルム２を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム２の粘着面とシリコンウェハ１のデバイス面１ａとを重ね合わせることにより、デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。

シリコンウェハ１の底面１ｂには、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３が設けられている。なお、シリコンウェハ１の底面１ｂは、シリコンウェハ１のデバイス面１ａとは反対側の面を意味する。

底面用樹脂フィルム３は、図１および図３に示されるようにシリコンウェハ１の底面１ｂ全体を被覆するように設けられていてもよく、図２および図４に示されるようにシリコンウェハ１の底面１ｂを完全に被覆するのではなく、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出するように設けられていてもよい。

なお、図３は、本考案の無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様を示し、面方向の中心部における概略縦断面図であり、シリコンウェハ１の底面に凹部１ｃが形成されている。また、図４は、本考案の無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様を示し、面方向の中心部における概略縦断面図であり、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出している。

底面用樹脂フィルム３として、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３が用いられる。

底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１の底面１ｂを被覆し、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うとともに、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させるために、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する。

例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合、底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１と同心円の円形の樹脂フィルムであることが好ましい。

シリコンウェハ１および底面用樹脂フィルム３の平面形状が円形である場合、底面用樹脂フィルム３の直径は、鍔部３ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。鍔部３ａの長さは、デバイス面用樹脂フィルム２の大きさによって異なるので一概には決定することができないが、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、鍔部２ａの長さＸと同様に、１～２０ｍｍ程度であることが好ましく、３～１５ｍｍであることがより好ましい。鍔部３ａの長さは、鍔部２ａの長さＸと同一であることが好ましい。

図２および図４に示されるように、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出している場合、シリコンウェハ１の底面１ｂの露出している箇所に無電解金属めっきを施してもよい。

シリコンウェハ１の底面１ｂが外部に露出している場合、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形であるとき、シリコンウェハ１の底面１ｂの露出している箇所の形状は、シリコンウェハ１と同心円の円形であることが好ましい。この場合、底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１を外部に露出させるための開口部（図示せず）を有しており、底面用樹脂フィルム３の外周（図示せず）および開口部の中心がシリコンウェハ１の中心と同一である同心円の環状の樹脂フィルムであることが好ましい。

シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を設ける方法としては、例えば、底面用樹脂フィルム３として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによって底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法、底面用樹脂フィルム３として粘着面を有する底面用樹脂フィルム３を用い、底面用樹脂フィルム３の粘着面とシリコンウェハ１の底面１ｂとを重ね合わせることにより、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。

シリコンウェハ１のデバイス面１ａにシリコンウェハ１の端部１ｄからデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａを突出させてデバイス面用樹脂フィルム２を設ける操作、およびシリコンウェハ１の底面１ｂにシリコンウェハ１の端部から底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａを突出させて底面用樹脂フィルム３を設ける操作は、いずれを先に行なってもよい。

シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４が形成されており、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されている。このようにシリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４が形成されている点に、本考案の特徴の１つがある。

本考案では、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４が形成されているので、後述するように空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されている切断片７を形成させ、形成された切断片７を用いて切断されている底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に剥離して除去することができる。

図１において、空間４でシリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２の双方と非接触である底面用樹脂フィルム３のシリコンウェハ１の直径方向における長さＬは、特に限定されない。長さＬは、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を容易に切断することができるようにする観点から、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．２ｍｍ以上、さらに好ましくは０．３ｍｍ以上であり、シリコンウェハ１の変形を防止し、底面用樹脂フィルム３が切断された箇所で底面用樹脂フィルム３とともにデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に剥離することができるようにする観点から、好ましくは８ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下、さらに好ましくは３ｍｍ以下である。

図１において、底面用樹脂フィルム３の上面から空間４の上端部までの高さＨは、シリコンウェハ１の厚さなどによって異なるので一概には決定することができないが、底面用樹脂フィルム３のみを切断装置で効率よく切断するとともに、シリコンウェハ１の変形を防止する観点から、好ましくは０．０５～１ｍｍ、より好ましくは０．１～０．８ｍｍ、さらに好ましくは０．２～０．８ｍｍである。

デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３としてそれぞれ熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１に載置し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを重ね合せた後、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３として、少なくともいずれか一方に粘着面を有する樹脂フィルムを用い、当該粘着面を介してデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。

なお、図１～４に示される無電解めっき用シリコンウェハの実施態様では、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａは、底面用樹脂フィルム３の平面状を有する鍔部３ａの上面で一体化されているが、本考案は、当該実施態様のみによって限定されるものではなく、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３の双方を屈曲させて鍔部２ａと鍔部３ａとを接触させて一体化させてもよい。より具体的には、例えば、底面用樹脂フィルム３の上にシリコンウェハ１を載置し、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うようにシリコンウェハ１の上にデバイス面用樹脂フィルム２を載置し、空間４が形成されるようにデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａの双方を屈曲させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させてもよい。また、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うようにシリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を載置し、シリコンウェハ１の底面１ｂを覆うようにシリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を載置し、空間４が形成されるように底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａを屈曲させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させてよい。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハを用いた場合には、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断することによって形成された切断片７により、切断された底面用樹脂フィルム３とともにデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に剥離して除去することができる。

本考案の無電解めっき用シリコンウェハを用いて無電解めっき層含有シリコンウェハを製造する場合、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施すことにより、無電解めっき層を形成させた後、底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から剥離して除去することにより、無電解めっき層６が形成されている無電解めっき層含有シリコンウェハを製造することができる。

図５は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっき層６が形成されている無電解めっき層含有シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。図６は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。図７は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを切断した後、形成された切断片７で底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から剥離して除去するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。

無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハは、図１に示されるシリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施し、図５に示されるように無電解めっき層６をデバイス面１ａに形成させることにより、製造することができる。

無電解めっきは、電気化学的酸化還元反応によって金属を析出させる方法である。本考案においては、無電解めっき法として一般に採用されている無電解めっきの方法を用いることができ、本考案は、無電解めっき法によって限定されるものではない。無電解めっきは、例えば、シリコンウェハ１の表面上にアルミナ、銅などの薄膜をスパッタリングなどによって形成させた後、レジスト開口部の周辺領域に施すことができる。

無電解めっき層６を構成する金属としては、例えば、ＮｉＰ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｄ－Ｐ、Ｃｕ、ＮｉＷＰ、ＮｉＢ、ＮｉＢＰなどが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらの金属は、それぞれ単独で用いてもよく、併用してもよい。無電解めっき層６の厚さは、特に限定されないが、通常、０．５～５０μｍ程度である。

無電解めっき層６をシリコンウェハ１のデバイス面１ａで形成させた後、図６に示されるように、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断する。例えば、空間４の平面形状が円形である場合、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断装置５で円周状に切断することができる。その際、シリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２に切断装置５による傷などをつけないようにする観点から、底面用樹脂フィルム３のみを切断装置５で切断し、切断装置５がシリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２と接触しないようにすることが好ましい。例えば、切断装置５を治具などに固定しておき、移動装置などを用いてシリコンウェハ１を機械的に移動させることにより、空間４が存在している箇所の底面用樹脂フィルム３のみが切断装置５で切断されるようにしてもよい。

切断装置５としては、例えば、カッターナイフなどの刃物、レーザー光線などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。

底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断したとき、図７に示されるように、切断された底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａとが一体となっている切断片７が形成される。

次に、切断片７をシリコンウェハ１から剥離することにより、切断されている底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から除去することができる。切断片７は、例えば、切断片７を手指、ピンセットなどで挟み、矢印Ａ方向に移動させることにより、シリコンウェハ１から容易に除去することができる。

なお、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３がシリコンウェハ１の表面上で粘着し、剥離しがたい場合には、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２に紫外線を照射したり、加熱したりすることにより、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３を軟化または硬化させてシリコンウェハ１の表面から剥がれやすくしてもよい。

シリコンウェハ１から切断片７を除去した後、シリコンウェハ１に存在している底面用樹脂フィルム３の端部３ｂは、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出している。したがって、後工程で底面用樹脂フィルム３の端部３ｂを手指、ピンセットなどで挟み、引っ張ることにより、底面用樹脂フィルム３を容易にシリコンウェハ１から剥離させることができる。

また、シリコンウェハ１に存在しているデバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３は、各樹脂フィルムの表面に粘着ロールを転動させることにより、シリコンウェハ１から容易に剥離することができる。

以上説明したように、本考案によれば、シリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２が設けられているとともに、シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３が設けられており、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４が形成されており、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されているので、底面用樹脂フィルム３とともにデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に除去することができる。

また、本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、シリコンウェハ１の周囲にデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａが形成されるので、シリコンウェハ１の変形、損傷などを防止することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを防止することができる。さらに、シリコンウェハ１のデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａは、無電解めっきをシリコンウェハ１に施す際に用いられるめっき槽内のキャリアに固定する際の支持体として利用することができる。

したがって、本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板、半導体ウェハなどを工業的に製造する際に好適に使用することができる。

１ シリコンウェハ
１ａ シリコンウェハのデバイス面
１ｂ シリコンウェハの底面
１ｃ シリコンウェハの底面に形成されている凹部
１ｄ シリコンウェハ１の端部
２ デバイス面用樹脂フィルム
２ａ デバイス面用樹脂フィルムの鍔部
２ｂ デバイス面用樹脂フィルムの開口部
３ 底面用樹脂フィルム
３ａ 底面用樹脂フィルムの鍔部
４ 空間
５ 切断装置
６ 無電解めっき層
７ 切断片

Claims (5)

1. シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき用シリコンウェハであって、前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部を有するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されており、シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間が形成されていることを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハ。
2. 前記空間内でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触の底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである請求項１に記載の無電解めっき用シリコンウェハ。
3. 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである請求項１または２に記載の無電解めっき用シリコンウェハ。
4. シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている請求項１～３のいずれかに記載の無電解めっき用シリコンウェハ。
5. シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している請求項１～４のいずれか記載の無電解めっき用シリコンウェハ。

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