JP2006228802A - ウエハ端面保護装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ワックスレスとすることにより工数を低減することができるとともに、ウエハの厚みを局所的に残すことにより、ウエハ強度を保ってハンドリングを容易にすることができる。
【解決手段】 収容器1にウエハWが載置されて収容器1に蓋部材5が係合され、処理部分の円Cに相当する部分だけが化学的にエッチングされてウエハWの厚みが薄くされる。ウエハWは、収容器1に載置されているだけであり、ワックス等が使われていないので、貼付や剥離工程を省略することができて工数を低減できる。ウエハWの外周部の厚みは元のままであり、全面研磨に比較して機械的な強度が高いので、従来から使われている搬送機構やウエハキャリアをそのまま使用できる。したがって、ウエハWのハンドリングを容易に行うことができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、シリコン半導体や化合物半導体などのウエハを処理液に浸漬させて所定の処理を行う際に、ウエハの非処理面及びウエハの端面を保護するウエハ端面保護装置に関する。
従来、この種のウエハ処理として、ウエハの厚みを薄くする処理がある(シンニング)。この場合には、まず、基盤の上面にワックスを塗布して溶融させ、その上に、ウエハの回路等が形成された非処理面を下向きにして載置する。そして、冷却することによりウエハを基盤に固定し、水酸化カリウム(KOH)を含むエッチング液として貯留している処理槽にウエハを基盤とともに収容し、エッチング液中にウエハを浸漬する。これにより、ウエハの処理面を全体にわたって化学的に研磨して、ウエハの厚みを薄くする処理が行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−347254号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、処理後に薄くなった基板の取り扱いを容易にするために、ウエハを基盤に貼り付ける作業と、処理後に溶剤等に浸漬させてウエハを基盤から剥がす処理等を必要とするので、処理工数が増加するという問題がある。
また、従来の装置は、ウエハの厚みが極めて薄くなるので(例えば600μmから50μm)、シンニング処理後のウエハのハンドリングが難しくなるという問題点がある。具体的には、通常のウエハカセットとは異なる特殊なカセットに収容する必要があり、また搬送機構にも特殊な構造が要求される。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ワックスレスとすることにより工数を低減することができるとともに、ウエハの厚みを局所的に残すことにより、ウエハ強度を保ってハンドリングを容易にすることができるウエハ端縁保護装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液にウエハを浸漬させてその処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及びウエハの端面を保護するウエハ端面保護装置において、ウエハの非処理面を底面に向けた状態でウエハを収容する収容器と、処理液に対する耐性を有し、ウエハの処理面においてウエハの外径より小径のほぼ円形を呈する処理部分を除いて、前記収容器に収容されているウエハの処理面を覆う保護部材と、処理液に対する耐性を有し、前記保護部材のウエハの処理面側に取り付けられ、ウエハの処理面の外周部を押圧する液密シール材と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、ウエハを貼り付けることなく収容器に収容し、保護部材でウエハの処理面を覆った状態で処理液に浸漬する。したがって、貼付及び剥離工程を省略することができ、工数を低減することができる。また、ウエハの端面と処理面の外周部は、液密シールの介在により処理されることがなく、処理部分だけが処理されて厚みが薄くされる。したがって、ウエハの処理面のうち外周部が元の厚みのままとされるので、ウエハの強度を維持することができ、ハンドリングを容易にすることができる。また、液密シールがウエハの処理面の外周部を押圧するので、ウエハを安定して固定することができる。
また、本発明において、前記収容器と前記保護部材とを係合する係合部とを備えるとともに、前記係合部により前記保護部材と収容器とを一体化することが好ましい(請求項2)。収容器にウエハを収容し、係合部で蓋部材と収容器とを係合するだけで、処理部分だけに処理液が触れるようにできる。
また、本発明において、前記係合部は、前記収容器の上縁付近に形成され、外周方向に突出して湾曲形成された下部係合部と、前記保護部材の下縁付近に形成され、前記下部係合部と類似形状の上部係合部とを備えていることが好ましい(請求項3)。保護部材を収容器に被せるように取り付けることにより、上部係合部と下部係合部とが係合して固定される。したがって、工数少なく収容器に保護部材を取り付けることができるうえ、取り外しも容易に行うことができる。
なお、本明細書は、次のようなウエハ処理方法に係る発明も開示している。
従来のシンニング処理では、ウエハの厚みを全面にわたって均一に薄くするので、処理後のウエハのハンドリングが極めて難しくなるという問題がある。
(1)処理液にウエハを浸漬させてその処理面を処理するウエハ処理方法において、
ウエハの処理面のうち、外周部の厚みを不変とし、外周部の内側だけを薄くすることを特徴とするウエハ処理方法。
前記(1)に記載の発明によれば、外周部の厚みが元のままであるので、ウエハ全体を薄くする従来例に比較してウエハの強度を高いままにすることができる。したがって、ウエハのハンドリングを容易にすることができ、シンニング処理前のウエハを処理していた装置等でウエハを処理することができる。
(2)前記(1)に記載のウエハ処理方法において、さらにウエハの外周部よりやや内側でウエハを切り出す工程を備えていることを特徴とするウエハ処理方法。
前記(2)に記載の発明によれば、外周部よりやや内側でウエハを切り出すことにより、最終工程で従来通りの処理を行うことができる。
本発明に係るウエハ端面保護装置によれば、ウエハを貼り付けることなく収容器に収容し、保護部材でウエハの処理面を覆った状態で処理液に浸漬するので、ウエハの基盤に対する貼付及び剥離工程を省略することができ、工数を低減することができる。また、ウエハの端面と処理面の外周部は、液密シールの介在により処理されることがなく、処理部分だけが処理されて厚みが薄くされ、ウエハの処理面のうち外周部が元の厚みのままとされる。したがって、ウエハの強度を維持することができ、ハンドリングを容易にすることができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図1は、本発明に係るウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。
ウエハ端面保護装置は、ウエハWの非処理面S1を底面に向け、処理面S2側を上に向けた状態でウエハWが直接的に収容される収容器1と、この収容器1の上部を覆い、上面に処理部分の円Cに相当する開口3を備えた蓋部材5とを備えている。収容器1は、平面視円形状を呈し、その外縁部に、側面部7が上方に向けて立設されてカップ状を呈している。この側面部7は、全周にわたり外周方向に突出形成して湾曲形成された下部係合部9を備えている。また、収容器1の底面には、ウエハWの外径よりやや大なる内径を呈する外周シール材11が立設されている。この外周シール材11は、その高さが下部係合部9よりもやや高く形成されている。
なお、上述した蓋部材5が本発明における保護部材に相当する。
蓋部材5の外周下縁には、所定間隔を隔てて複数個の上部係合部13が形成されている。各々の上部係合部13は、その内周側が下部係合部9の外周側と類似形状を呈し、外周方向に突出して湾曲形成されている。また、蓋部材5の天井面5aには、開口3を外周方向から囲うように液密シール材15が取り付けられている。
なお、上述した外周シール材11と液密シール材15とは、例えば、水酸化カリウム(KOH)を含む処理液に対する耐性を備えており、パーフロロエラストマーに分類される高分子材料(フッ素樹脂と同様の化学構造式を有する)等が好ましい。具体的には、カルレッツ(登録商標:デュポンダウエラストマー社)や、パーフロ(登録商標:ダイキン工業)や、EPDM(エチレン・プロピレンゴム)が例示される。収容器1と蓋部材5とは、処理液に対する耐性を備え、剛性の高い金属材料、例えば、ステンレス鋼板で構成されている。
また、上述したウエハWの非処理面S1とは、ウエハWに回路等が形成されていない面側をいい、処理面S2とは、ウエハWに回路等が形成されている面側のことをいう。
ここで、上述したウエハ端面保護装置を用いたシンニング処理について、図2を参照して説明する。なお、図2は、ウエハを収容した状態を示す縦断面図である。
まず、収容器1の底面であって、外周シール材11の内側にウエハWを載置するとともに、その上方から蓋部材5を下降させ、上部係合部13を下部係合部9の外側に圧入して係合する。すると、液密シール材15は、ウエハWの処理面S2の外周部を押圧するので、ウエハWの処理面S2及び非処理面S1側のうち処理部分の円Cに相当する領域を除く部分は、液密シール部材15で液密にシールされる。このように、蓋部材5を収容器1に被せるように取り付けることにより、上部係合部13と下部係合部9とが係合し、蓋部材5と収容器1とが一体化されて固定される。したがって、工数少なく収容器1に蓋部材5を取り付けることができるうえ、取り外しも容易に行うことができる。また、蓋部材5とウエハWの処理面S2との間に液密シール材15を配置してあるので、蓋部材5を収容器1に取り付けた際に液密シール材15の弾性力でウエハWを収容器1に押圧して固定することができる。
次に、例えば、水酸化カリウム(KOH)を含む処理液を、所定温度の高温(例えば70℃)に加熱し、この処理液にウエハWをウエハ端面保護装置ごと浸漬させる。浸漬させてから数分から数十分経過すると、図3に示すように、ウエハWのうち処理部分の円Cに相当する部分だけが化学的にエッチングされ、ウエハWの厚みが薄くされる。但し、ウエハ端面保護装置によってウエハWの端面と外周部が処理液に触れないようにされているので、ウエハWの端面と外周部は何らの変化も生じることがなく、外周部は元の厚みのままである。
次に、図4及び図5を参照して、シンニング処理後の処理について説明する。なお、図4は、シンニング処理後におけるウエハの切断処理を示す図であり、図5は、切断後のウエハを示す図である。
シンニング処理後は、収容器1と蓋部材5との係合を解除して分離し、収容器1に載置されているウエハWを取り出す。ウエハWは、収容器1に載置されているだけであり、ワックス等を用いて基盤に貼り付けられていないので、貼付や剥離工程を省略することができ、工数を低減することができる。また、図4に示すようにウエハWの外周部の厚みが元のままであり、全面研磨に比較して機械的な強度が高いので、従来から使われている搬送機構やウエハキャリアをそのまま使用することができる。したがって、ハンドリングを容易に行うことができる。
例えば、最終的にダイシング処理を行う場合には、ウエハWの外周部を切り離す切断処理を行うことが好ましい。その場合には、例えば、図4に示すように、ウエハWの外周部よりやや内側にレーザ照射部17からレーザLを照射させながら、ウエハWに対して移動させる。すると、ウエハWは、図5に示すように、厚みが薄くされた部分だけにされる。このようにシンニング処理されたウエハWは、その処理面S2を図4とは上下逆にされ、リング19に留められたエキスパンドシート21に貼り付けられ、ダイシング装置の処理台23に載置されて複数個のチップにダイシングされる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、収容器1の下部係合部9に対して、蓋部材5の上部係合部13を外側から被せるようにしているが、逆に、下部係合部9の内側に上部係合部13を押し込むように被せる構造を採用してもよい。
(2)ウエハWを収容器1の底面に直接的に載置しているが、ウエハWを載置した際の移動を防止するために、液密シール材14と同様の材料で数ミリ程度の高さを備え、ウエハWの外径より小径の環状部材(例えば、ゴムなどの弾性部材)を収容器1の底面に貼り付けておくようにしてもよい。
(3)液密シール材15でウエハWを押圧固定するのに代えて、例えば、外周シール材11とウエハWの端面との間の隙間に嵌め込むための固定部材(例えば、ゴムなどの弾性部材)を備えるようにしてもよい。これにより、ウエハWの位置を確実に固定した状態で蓋部材5を被せることができ、ウエハWの位置ずれを防止することができる。
(4)収容器1と蓋部材5とを上下係合部9,13で係合するように構成しているが、収容器1と蓋部材15とを一体化できる構成であれば、係合とは異なるその他の一体化手段を採用してもよい。
本発明に係るウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。 ウエハを収容した状態を示す縦断面図である。 シンニング処理中の状態を示す縦断面図である。 シンニング処理後におけるウエハの切断処理を示す図である。 切断後のウエハを示す図である。
符号の説明
W … ウエハ
1 … 収容器
C … 処理部分の円
3 … 開口
5 … 蓋部材(保護部材)
9 … 下部係合部
11 … 外周シール材
13 … 上部係合部
15 … 液密シール材

Claims (3)

  1. 処理液にウエハを浸漬させてその処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及びウエハの端面を保護するウエハ端面保護装置において、
    ウエハの非処理面を底面に向けた状態でウエハを収容する収容器と、
    処理液に対する耐性を有し、ウエハの処理面においてウエハの外径より小径のほぼ円形を呈する処理部分を除いて、前記収容器に収容されているウエハの処理面を覆う保護部材と、
    処理液に対する耐性を有し、前記保護部材のウエハの処理面側に取り付けられ、ウエハの処理面の外周部を押圧する液密シール材と、
    を備えていることを特徴とするウエハ端面保護装置。
  2. 請求項1に記載のウエハ端面保護装置において、
    前記収容器と前記保護部材とを係合する係合部とを備えるとともに、
    前記係合部により前記保護部材と収容器とを一体化することを特徴とするウエハ端面保護装置。
  3. 請求項2に記載のウエハ端面保護装置において、
    前記係合部は、前記収容器の上縁付近に形成され、外周方向に突出して湾曲形成された下部係合部と、前記保護部材の下縁付近に形成され、前記下部係合部と類似形状の上部係合部とを備えていることを特徴とするウエハ端面保護装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010016964A2 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Asm America, Inc. Susceptor ring
US9011632B2 (en) 2012-11-02 2015-04-21 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Support disk fixing apparatus, manufacturing method for a semiconductor device using this apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus
CN109216246A (zh) * 2018-11-13 2019-01-15 江苏利泷半导体科技有限公司 全自动非晶制程下蜡系统的工作方法
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010016964A2 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Asm America, Inc. Susceptor ring
WO2010016964A3 (en) * 2008-08-07 2010-05-20 Asm America, Inc. Susceptor ring
CN102113109A (zh) * 2008-08-07 2011-06-29 Asm美国公司 基座环
US8394229B2 (en) 2008-08-07 2013-03-12 Asm America, Inc. Susceptor ring
US9011632B2 (en) 2012-11-02 2015-04-21 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Support disk fixing apparatus, manufacturing method for a semiconductor device using this apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus
CN109216246A (zh) * 2018-11-13 2019-01-15 江苏利泷半导体科技有限公司 全自动非晶制程下蜡系统的工作方法
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD958764S1 (en) 2019-01-17 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing

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