JP3235001U

JP3235001U - 放熱アセンブリ及び電子アセンブリ

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Publication number: JP3235001U
Application number: JP2021003489U
Authority: JP
Inventors: シェンウーコ; ナンスーウェイ
Original assignee: MSI Computer Shenzhen Co Ltd
Current assignee: MSI Computer Shenzhen Co Ltd
Priority date: 2021-06-30
Filing date: 2021-09-09
Publication date: 2021-11-18
Anticipated expiration: 2031-09-09
Also published as: TWM619527U; DE202021105060U1; CN217721808U

Abstract

【課題】プロセッサに近いヒートシンクの一方の側から、プロセッサから離れたヒートシンクの一方の側に、効果的な方法で熱を移す放熱アセンブリ及び電子アセンブリを提供すること。【解決手段】第１の熱源及び第２の熱源と熱的に接触するように構成された放熱アセンブリは、第１のヒートシンク、第２のヒートシンク、第１のヒートパイプ及び第２のヒートパイプを含む。第１のヒートパイプは第１の熱源と熱的に接触するように構成される。第１のヒートパイプの２つの対向する端部は、それぞれ、第１のヒートシンクの第１の高温側及び第２のヒートシンクの少なくとも１つの第２の低温側と熱的に接触する。第２のヒートパイプは第２の熱源と熱的に接触するように構成される。第２のヒートパイプの２つの対向する端部は、それぞれ、第２のヒートシンクの少なくとも１つの第２の高温側及び第１のヒートシンクの第２の低温側と熱的に接触する。【選択図】図１

Description

［関連出願との相互参照］
本出願は、２０２１年６月３０日に台湾、Ｒ．Ｏ．Ｃ．で出願された特許出願番号１１０２０７６２９号の関連出願であり、米国特許法第１１９条の下でこの非仮出願に基づく優先権を主張し、その全開示は参照により本明細書に組み込まれる。

本開示は、放熱アセンブリ及び電子アセンブリに関し、より詳細には、少なくとも１つのヒートシンク及び少なくとも１つのヒートパイプを含む放熱アセンブリ、及び、そのような放熱アセンブリを含む電子アセンブリに関する。

一般に、回路基板上に配置されたプロセッサから発生する大量の熱を放熱するために、プロセッサと熱的に接触する放熱アセンブリが回路基板上に設置されている。このような放熱アセンブリは、互いに熱的に接触しているヒートパイプとヒートシンクを含む。ヒートパイプは、プロセッサと熱的に接触しており、プロセッサで発生した熱を吸収し、その熱はヒートパイプからヒートシンクに伝達され、効果的に放散されるようになっている。

しかし、従来の放熱アセンブリでは、通常、ヒートパイプの対向する２つの端部が、プロセッサ、及び、プロセッサに比較的近くに配置されるヒートシンクの側面と、それぞれ熱的に接触しています。また、通常、ヒートシンクの熱抵抗はヒートパイプの熱抵抗より大きい。そのため、プロセッサに比較的近くに配置されるヒートシンクの側面から、プロセッサから離れた位置にあるヒートシンクの一方の側面に、効果的でない方法で熱が伝達され、ヒートシンクがプロセッサで発生した熱を効果的に放散することができなくなる。

本開示は、ヒートシンクがプロセッサによって生成された熱を効果的に放散することができるように、プロセッサに比較的近い位置にあるヒートシンクの一方の側から、プロセッサから離れた位置にあるヒートシンクの一方の側に、効果的な方法で熱を移すことができる放熱アセンブリ及び電子アセンブリを提供することである。

本開示の一実施形態は、第１の熱源及び第２の熱源と熱的に接触するように構成され、第１のヒートシンクと、第２のヒートシンクと、第１のヒートパイプと、第２のヒートパイプとを含む放熱アセンブリを提供する。第１のヒートシンクは、互いに対向する第１の高温側及び第１の低温側を有する。第１の高温側は、第１の低温側よりも第１の熱源の近くに配置されるように構成されている。第２のヒートシンクは、互いに対向する少なくとも１つの第２の高温側と少なくとも１つの第２の低温側を有する。少なくとも１つの第２の高温側は、少なくとも１つの第２の低温側よりも第２の熱源の近くに配置されるように構成されている。第１のヒートパイプは、第１の熱源と熱的に接触するように構成されている。第１のヒートパイプの２つの対向する端部は、それぞれ、第１のヒートシンクの第１の高温側及び第２のヒートシンクの少なくとも１つの第２の低温側と熱的に接触している。第２のヒートパイプは、第２の熱源と熱的に接触するように構成されている。第２のヒートパイプの２つの対向する端部は、それぞれ第２のヒートシンクの少なくとも１つの第２の高温側及び第１のヒートシンクの第１の低温側と熱的に接触している。

本開示の別の実施形態では、回路基板、第１の熱源、第２の熱源、及び放熱アセンブリを含む電子アセンブリを提供する。第１の熱源及び第２の熱源は、回路基板上に配置される。放熱アセンブリは、第１のヒートシンクと、第２のヒートシンクと、第１のヒートパイプと、第２のヒートパイプとを含む。第１のヒートシンクは、互いに対向する第１の高温側と第１の低温側とを有する。第１の高温側は、第１の低温側よりも第１の熱源の近くに配置される。第２のヒートシンクは、互いに対向する第２の高温側と第２の低温側とを有する。第２の高温側は、第２の低温側よりも第２の熱源の近くに配置される。第１のヒートパイプは、第１の熱源と熱的に接触している。第１のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第１のヒートシンクの第１の高温側及び第２のヒートシンクの第２の低温側と熱的に接触している。第２のヒートパイプは、第２の熱源と熱的に接触している。第２のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第２のヒートシンクの第２の高温側及び第１のヒートシンクの第１の低温側と熱的に接触している。

上述した放熱アセンブリ及び電子アセンブリによれば、第１のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第１のヒートシンクの第１の高温側及び第２のヒートシンクの第２の低温側と熱的に接触しており、第２のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第２のヒートシンクの第２の高温側及び第１のヒートシンクの第１の低温側と熱的に接触している。そのため、第１の熱源で発生した熱を、第１のヒートシンクの熱抵抗よりも熱抵抗が小さい第１のヒートパイプを介して、第１のヒートシンクの第１の高温側から第２のヒートシンクの第２の低温側に効率よく伝達することができる。また、第２の熱源で発生した熱を、第２のヒートシンクの第２の高温側から、熱抵抗が第２のヒートシンクの熱抵抗よりも小さい第２のヒートパイプを介して、第１のヒートシンクの第１の低温側に効果的に伝えることができる。このようにして、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクは、それぞれ第１の熱源及び第２の熱源で発生した熱を効果的に放散することができる。

さらに、第１のヒートパイプと第２のヒートパイプを介して、第１のヒートシンクと第２のヒートシンクの間で熱を伝達することができる。したがって、第１のヒートシンクと第２のヒートシンクの両方が、第１の熱源又は第２の熱源によって生成された熱を放散することができ、それによって、放熱アセンブリの全体的な熱伝達効率を高めることができる。

本開示は、以下に記載される詳細な説明及び例示としてのみ示されるものであり、本開示を限定することを意図するものではなく、以下を含む添付の図面からよりよく理解されるであろう。

本開示の第１の実施形態による電子アセンブリの斜視図である。図１に示される電子アセンブリの第１のヒートシンク、第２のヒートシンク、第１のヒートパイプ、及び第２のヒートパイプを示す底面図である。図１の電子アセンブリを別の角度から見た部分的に拡大された斜視図である。図１の電子アセンブリの断面図である。図１の電子アセンブリの別の断面図である。本開示の第２の実施形態による電子アセンブリの斜視図である。本開示の第３の実施形態による電子アセンブリの放熱アセンブリの少なくとも第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクを示す底面図である。

以下の詳細な説明では、説明を目的として、開示された実施形態の理解を促進するため、多数の具体的な詳細な説明が記載されている。しかし、これらの具体的な詳細な説明がない場合であっても、１つ又は複数の実施形態を実施することができることは明らかであろう。他の例では、図面を簡略化するために、周知の構造又は装置が模式的に示されている。

図１〜図３を参照すると、図１は本開示の第１の実施形態による電子アセンブリ１０の斜視図であり、図２は図１の電子アセンブリ１０の第１のヒートシンク４１０、第２のヒートシンク４２０、第１のヒートパイプ４３０及び第２のヒートパイプ４４０の底面図であり、図３は図１の電子アセンブリ１０を別の角度から見た部分的に拡大された斜視図である。

本実施形態では、電子アセンブリ１０は、回路基板１００と、第１の熱源２００と、第２の熱源３００と、放熱アセンブリ４００とを含む。第１の熱源２００及び第２の熱源３００は、回路基板１００上に配置されており、例えば、中央処理装置又はグラフィック処理装置である。

本実施形態では、放熱アセンブリ４００は、第１のヒートシンク４１０、第２のヒートシンク４２０、第１のヒートパイプ４３０、第２のヒートパイプ４４０、２つの第１の実装基板４５０及び２つの第２の実装基板４６０を含む。

本実施形態では、図２に示すように、第１のヒートシンク４１０と第２のヒートシンク４２０とは、互いに間隙Ｇだけ離れている。また、本実施形態では、第１のヒートシンク４１０と第２のヒートシンク４２０とは、異なる工程で作製されている。例えば、第１のヒートシンク４１０は、アルミニウム押出成形工程によって作製され、第２のヒートシンク４２０は、スタンピング加工によって作製されたジッパーフィン（ｚｉｐｐｅｒｆｉｎ）である。

詳細には、本実施形態では、第１のヒートシンク４１０は、本体４１１と、複数の第１のフィン４１２と、複数の第２のフィン４１３とを含む。本体４１１は、互いに対向する第１の高温側４１４と第１の低温側４１５とを有する。第１の高温側４１４は、第１の低温側４１５よりも第１の熱源２００の近くに配置される。第１のフィン４１２及び第２のフィン４１３はそれぞれ、第１の高温側４１４及び第１の低温側４１５に隣接して配置される本体４１１の対向する２つの側面から突出している。

本実施形態では、第２のヒートシンク４２０は、互いに順次固定された複数の第３のフィン４２１を含む。第３のフィン４２１のそれぞれは、第２の高温側４２２と第２の低温側４２３とを有する。第３のフィン４２１のそれぞれにおいて、第２の高温側４２２は、第２の低温側４２３より第２の熱源３００の近くに配置されている。

本実施形態では、第１のヒートパイプ４３０は、第１の蒸発部４３１と、第１の湾曲部４３２と、第１の凝縮部４３３とを含む。第１の蒸発部４３１と第１の凝縮部４３３は、互いに対向しており、第１の湾曲部４３２によって接続されている。第１の蒸発部４３１は、第１のヒートシンク４１０の本体４１１の第１の高温側４１４と熱的に接触し、第１の高温側４１４を介して配置されている。また、第１の凝縮部４３３は、第２のヒートシンク４２０の第３のフィン４２１の第２の低温側４２３と熱的に接触し、第２の低温側４２３を介して配置されている。さらに、本実施形態では、第１の蒸発部４３１の延在方向Ｄ１は、第１の凝縮部４３３の延在方向Ｄ２と非平行である。具体的には、本実施形態では、第１の蒸発部４３１の延在方向Ｄ１は、例えば、第１の凝縮部４３３の延在方向Ｄ２に対して垂直である。

本実施形態では、第２のヒートパイプ４４０は、第２の蒸発部４４１と、第２の湾曲部４４２と、第２の凝縮部４４３とを含む。第２の蒸発部４４１と第２の凝縮部４４３は、互いに対向しており、第２の湾曲部４４２によって接続されている。第２の蒸発部４４１は、第２のヒートシンク４２０の第３のフィン４２１の第２の高温側４２２と熱的に接触しており、第２の高温側４２２を介して配置されている。また、第２の凝縮部４４３は、第１のヒートシンク４１０の本体４１１の第１の低温側４１５と熱的に接触し、第１の低温側４１５を介して配置されている。また、本実施形態では、第２の蒸発部４４１の延在方向Ｄ３は、第２の凝縮部４４３の延在方向Ｄ４と非平行である。具体的には、本実施形態では、第２の蒸発部４４１の延在方向Ｄ３は、例えば、第２の凝縮部４４３の延在方向Ｄ４に対して垂直である。

さらに、本実施形態では、図３に示すように、第１のヒートパイプ４３０の第１の湾曲部４３２は、第２のヒートパイプ４４０の第２の湾曲部４４２から離間して配置されており、第１のヒートパイプ４３０と第２のヒートパイプ４４０の熱伝達動作が互いに妨げられることが防止されるようになっているが、本開示はこれに限定されない。他の実施形態では、第１のヒートパイプの第１の湾曲部は、第２のヒートパイプの第２の湾曲部と接触していてもよい。

図４及び図５を参照すると、図４は図１の電子アセンブリの断面図であり、図５は図１の電子アセンブリの別の断面図である。図４に示すように、第１のヒートシンク４１０は、２つの第１の実装基板４５０を介して、第１の熱源２００に対して回路基板１００上に固定されており、２つの第１の実装基板４５０は、第１の収容空間４５１によって互いに離間して配置されている。第１の熱源２００は、第１のヒートパイプ４３０の第１の蒸発部４３１と直接熱的に接触するように第１の収容空間４５１に配置されており、これにより、第１の熱源２００と第１の蒸発部４３１との間の伝熱効率が高められている。

図５に示すように、第２のヒートシンク４２０は、回路基板１００上に固定されており、２つの第２の実装基板４６０を介して第２の熱源３００と相対的に位置が固定されており、２つの第２の実装基板４６０は、第２の収容空間４６１によって互いに離間して配置されている。第２の熱源３００は、第２のヒートパイプ４４０の第２の蒸発部４４１と直接熱的に接触するように第２の収容空間４６１に配置されており、これにより、第２の熱源３００と第２の蒸発部４４１との間の伝熱効率が高められている。

他の実施形態では、第１のヒートパイプの第１の蒸発部の延在方向は、第１のヒートパイプの第１の凝縮部の延在方向と平行であってもよい。また、第２ヒートパイプの第２の蒸発部の延在方向は、第２のヒートパイプの第２の凝縮部の延在方向と平行であってもよい。

他の実施形態では、放熱アセンブリは、第１の実装基板４５０及び第２の実装基板４６０を含まなくてよく、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクは、例えば、回路基板に溶接されて、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクをそれぞれ第１の熱源及び第２の熱源に対して所定の位置に固定してもよい。

また、本開示による第１のヒートシンクと第２のヒートシンクは、異なる工程で作製されることに限定されない。図６は、本開示の第２の実施形態による電子アセンブリ１０ａの斜視図である。図６の電子アセンブリ１０ａと図１の電子アセンブリ１０との主な相違点は、第２のヒートシンクの構造である。したがって、以下では、前述の主な相違点のみを説明し、電子アセンブリ１０ａの残りの特徴は、図１〜図５を参照して説明する内容を通じて理解することが可能であり、ここでの詳細な説明は省略される。本実施形態では、電子アセンブリ１０ａの放熱アセンブリ４００ａの第１のヒートシンク４１０ａ及び第２のヒートシンク４２０ａは、同一のアルミニウム押出成形工程によって作製されているが、本開示はこれに限定されない。他の実施形態では、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクの両方が、スタンピング工程によって作製されたジッパーフィンであってもよい。

本開示による第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクは、その間に位置する間隙によって互いに離間して配置されていることに限定されない。図７は、本開示の第３の実施形態による電子アセンブリ１０ｂの放熱アセンブリ４００ｂの少なくとも第１のヒートシンク４１０ｂ及び第２のヒートシンク４２０ｂを示す底面図である。図７の電子アセンブリ１０ｂと図１の電子アセンブリ１０との主な相違点は、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクの接続関係である。したがって、以下では、前述の主な相違点のみを説明し、電子アセンブリ１０ｂの残りの特徴は、図１〜図５を参照して説明する内容を通じて理解することが可能であり、ここでの詳細な説明は省略される。本実施形態では、電子アセンブリ１０ｂの放熱アセンブリ４００ｂの第１のヒートシンク４１０ｂ及び第２のヒートシンク４２０ｂは、互いに接触しており、例えば一体的に形成されている。すなわち、本実施形態では、図７の第１のヒートシンク４１０ｂ及び第２のヒートシンク４２０ｂの間に、図２の間隙Ｇは存在しない。

上述した放熱アセンブリ及び電子アセンブリによると、第１のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第１のヒートシンクの第１の高温側及び第２のヒートシンクの第２の低温側と熱的に接触しており、第２のヒートパイプの対向する２つの端部は、それぞれ第２のヒートシンクの第２の高温側及び第１のヒートシンクの第１の低温側と熱的に接触している。そのため、第１の熱源で発生した熱を、第１のヒートシンクの熱抵抗より熱抵抗が小さい第１のヒートパイプを介して、第１のヒートシンクの第１の高温側から第２のヒートシンクの第２の低温側に効率よく伝達することができる。また、第２の熱源で発生した熱を、第２のヒートシンクの熱抵抗より熱抵抗が小さい第２のヒートパイプを介して、第２のヒートシンクの第２の高温側から第１のヒートシンクの第１の低温側に効率よく伝達することができる。このようにして、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクは、それぞれ第１の熱源及び第２の熱源で発生した熱を効果的に放散することができる。

さらに、第１のヒートパイプ及び第２のヒートパイプを介して、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクの間で熱を伝達することができる。したがって、第１のヒートシンク及び第２のヒートシンクの両方が、第１の熱源又は第２の熱源によって生成された熱を放散することができ、それによって、放熱アセンブリの全体的な熱伝達効率を高めることができる。

本開示には様々な修正や変形が可能であることは、本技術分野の当業者には明らかであろう。本明細書及び実施形態は、例示的な実施形態としてのみ考慮されることが意図されており、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲及びそれらの等価物によって示される。

１０：電子アセンブリ、１０ａ：電子アセンブリ、１０ｂ：電子アセンブリ、１００：回路基板、２００：第１の熱源、３００：第２の熱源、４００：放熱アセンブリ、４００ａ：放熱アセンブリ、４００ｂ：放熱アセンブリ、４１０：第１のヒートシンク、４１０ａ：第１のヒートシンク、４１０ｂ：第１のヒートシンク、４１１：本体、４１２：第１のフィン、４１３：第２のフィン、４１４：第１の高温側、４１５：第１の低温側、４２０：第２のヒートシンク、４２０ａ：第２のヒートシンク、４２０ｂ：第２のヒートシンク、４２１：第３のフィン、４２２：第２の高温側、４２３：第２の低温側、４３０：第１のヒートパイプ、４３１：第１の蒸発部、４３２：第１の湾曲部、４３３：第１の凝縮部、４４０：第２のヒートパイプ、４４１：第２の蒸発部、４４２：第２の湾曲部、４４３：第２の凝縮部、４５０：第１の実装基板、４５１：第１の収容空間、４６０：第２の実装基板、４６１：第２の収容空間、Ｄ１：伸長方向、Ｄ２：伸長方向、Ｄ３：伸長方向、Ｄ４：伸長方向、Ｇ：間隙

Claims

第１の熱源及び第２の熱源と熱的に接触するように構成された放熱アセンブリであって、
互いに対向する第１の高温側及び第１の低温側を有し、前記第１の高温側は前記第１の低温側より前記第１の熱源の近くに配置されるように構成されている第１のヒートシンクと、
互いに対向する少なくとも１つの第２の高温側及び少なくとも１つの第２の低温側を有し、前記少なくとも１つの第２の高温側は前記少なくとも１つの第２の低温側より前記第２の熱源の近くに配置されるように構成されている第２のヒートシンクと、
２つの対向する端部のそれぞれが前記第１のヒートシンクの前記第１の高温側及び前記第２のヒートシンクの前記少なくとも１つの第２の低温側と熱的に接触し、前記第１の熱源と熱的に接触するように構成される第１のヒートパイプと、
２つの対向する端部のそれぞれが前記第２のヒートシンクの前記少なくとも１つの第２の高温側及び前記第１のヒートシンクの前記第１の低温側と熱的に接触し、前記第２の熱源と熱的に接触するように構成される第２のヒートパイプと、
を備える、
放熱アセンブリ。
前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクは、異なる工程で作製される、請求項１に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートシンクは、本体と、複数の第１のフィンと、複数の第２のフィンと、を備え、
前記第１のヒートシンクの前記第１の高温側及び前記第１の低温側は、前記本体上に配置され、
前記複数の第１のフィン及び前記複数の第２のフィンはそれぞれ、前記第１のヒートシンクの前記第１の高温側及び前記第１の低温側に隣接して配置される前記本体の対向する２つの側面から突出し、
前記第２のヒートシンクは、互いに順次固定された複数の第３のフィンを備え、複数の第２の高温側及び複数の第２の低温側を有し、前記複数の第２の高温側が、それぞれ前記複数の第３のフィンの上に配置され、前記複数の第２の低温側が、それぞれ前記複数の第３のフィンの上に配置され、
前記第１のヒートパイプの対向する２つの端部は、前記第１のヒートシンクの前記本体の前記第１の高温側及び前記第２のヒートシンクの前記複数の第３のフィンの前記複数の第２の低温側を介して、それぞれ熱的に接触して配置され、
前記第２のヒートパイプの対向する２つの端部は、前記第２のヒートシンクの前記複数の第３のフィンの前記複数の第２の高温側及び前記第１のヒートシンクの前記本体の前記第１の低温側を介して、それぞれ熱的に接触して配置されている、
請求項２に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートパイプは、互いに対向する第１の蒸発部と、第１の凝縮部と、を備え、
前記第1の蒸発部は、前記第１のヒートシンクの前記本体の前記第１の高温側を介して熱的に接触して配置され、前記第１の熱源と熱的に接触するように構成され、
前記第１の凝縮部は、前記第２のヒートシンクの前記複数の第３のフィンの前記複数の第２の低温側を介して熱的に接触して配置され、
前記第１の蒸発部の延在方向は、前記第１の凝縮部の延在方向と非平行であり、
前記第２のヒートパイプは、互いに対向する第２の蒸発部と、第２の凝縮部と、を備え、
前記第２の蒸発部は、前記第２のヒートシンクの前記複数の第３のフィンの前記複数の第２の高温側を介して熱的に接触して配置され、前記第２の熱源と熱的に接触するように構成され、
前記第２の凝縮部は、前記第１のヒートシンクの前記本体の前記第１の低温側を介して熱的に接触して配置され、
前記第２の蒸発部の延在方向は、前記第２の凝縮部の延在方向と非平行である、
請求項３に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクは、同じ工程で作製される、請求項１に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクは、互いに離間して配置されている、請求項１に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクは、互いに接触している、請求項１に記載の放熱アセンブリ。
前記第１のヒートパイプ及び前記第２のヒートパイプは、互いに離間して配置されている、請求項１に記載の放熱アセンブリ。
前記放熱アセンブリは、２つの第１の実装基板及び２つの第２の実装基板をさらに備え、
前記２つの第1の実装基板は、前記第１のヒートシンクを前記第１の熱源に対して所定の位置に固定するように構成され、第１の収容空間によって互いに離間して配置され、
前記第１の熱源は、前記第1の収容空間に配置され、前記第１のヒートパイプと直接熱的に接触するように構成され、
前記２つの第２の実装基板は、前記第２のヒートシンクを前記第２の熱源に対して所定の位置に固定するように構成され、第２の収容空間によって互いに離間して配置され、
前記第２の熱源は、前記第２の収容空間に配置され、前記第２のヒートパイプと直接熱的に接触するように構成される、
請求項１に記載の放熱アセンブリ。
電子アセンブリであって、
回路基板と、
前記回路基板上に配置された第１の熱源及び第２の熱源と、
放熱アセンブリと、
を含み、
前記放熱アセンブリは、
互いに対向する第１の高温側及び第１の低温側を有し、前記第１の高温側は前記第１の低温側より前記第１の熱源の近くに配置されている第１のヒートシンクと、
互いに対向する第２の高温側と第２の低温側を有し、前記第２の高温側は前記第２の低温側より前記第２の熱源の近くに配置されている第２のヒートシンクと、
２つの対向する端部のそれぞれは前記第１のヒートシンクの前記第１の高温側及び前記第２のヒートシンクの前記第２の低温側と熱的に接触し、かつ、前記第１の熱源と熱的に接触している第１のヒートパイプと、
２つの対向する端部のそれぞれは前記第２のヒートシンクの前記第２の高温側及び前記第１のヒートシンクの前記第１の低温側と熱的に接触し、かつ、前記第２の熱源と熱的に接触している第２のヒートパイプと、
を備える、
電子アセンブリ。